KR20010046358A - Method of improving overlaid alignment in exposure - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 노광시 중첩정렬도 개선방법에 관한 것으로, 특히, 반도체소자 제조를 위한 공정에서 노광전 단계에서 개선된 얼라인먼트 키를 이용하여 오버레이 파라미터를 계측하고 이를 이용하여 노광장비의 조건을 보정하므로서 노광마스크와 웨이퍼간의 오버레이를 개선하므로서 웨이퍼의 재생(rework)공정을 감소시키도록 한 반도체장치 제조시 노광공정의 오버레이 정렬도 개선방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for improving the overlap alignment during exposure, and in particular, by measuring the overlay parameters using the alignment key improved in the pre-exposure step in the process for manufacturing a semiconductor device, and using the same to correct the exposure equipment exposure conditions The present invention also relates to an overlay alignment improvement method of an exposure process in manufacturing a semiconductor device, which reduces the rework process of the wafer by improving the overlay between the mask and the wafer.
반도체장치의 고집적화에 따라 256M급 이상의 초고집적 반도체장치의 제조를 위해서는 각각 소자들의 선폭 등의 임계치수(critical dimension) 뿐만 아니라 형성되는 층들의 중첩정렬도의 유지도 매우 중요하다.With the high integration of semiconductor devices, it is very important to maintain not only critical dimensions such as line widths of the elements, but also superimposition of layers formed for the manufacture of ultra-high density semiconductor devices of 256M or more.
일반적으로, 반도체장치 제조에 있어서 정확한 얼라인먼트(alignment)의 확보는 웨이퍼상에 원하는 패턴을 전사하는 포토공정에서 제어하게 된다. 즉, 웨이퍼상에 제 1 층을 형성할 때 그 위에 형성되는 제 2 층의 중첩정렬도(overlay) 계측 및 보정을 위한 포토키를 제 1 층에 형성하여 제 2 층형성시 이러한 포토키를 이용하여 중첩정렬도를 보정하게 된다.In general, in the manufacture of semiconductor devices, securing the correct alignment is controlled in a photo process of transferring a desired pattern onto a wafer. That is, when the first layer is formed on the wafer, a photokey for measuring and correcting the overlay alignment of the second layer formed thereon is formed on the first layer, and the photokey is used when forming the second layer. To correct the overlapping degree.
이러한 중첩정렬도에 대한 계측 및 보정은 웨이퍼에 실제 광원이 조사되기 전 단계에서 실시되는데, 일차적으로 노광장치에 의한 자동 계측 및 보정이 이루어지고, 일차 자동보정이 미흡한 경우에 한하여 추가적인 외부입력으로 이차 보정이 이루어져서 최종적으로 중첩정렬도를 보정하게 된다. 이때, 포토키에 대한 계측은 노광장치에 의한 자동계측에 의하여 이루어지므로, 이 과정에서의 계측의 정확성에 따라 중첩정렬도의 정확성(accuracy)이 보장된다.Measurement and correction of the superimposition are performed before the actual light source is irradiated on the wafer.The first measurement is performed automatically by the exposure apparatus, and the second external input is added only when the primary automatic correction is insufficient. The correction is made to finally correct the overlapping degree. At this time, since the measurement of the photo key is made by automatic measurement by the exposure apparatus, the accuracy of the overlapping degree is guaranteed according to the measurement accuracy in this process.
디램(DRAM) 제조공정에서 노광공정은 웨이퍼에 감광막을 도포하여 형성한 다음 이를 스텝퍼(stepper)에서 노광하고 현상하여 패터닝하는 과정을 거친다. 현상 후, 하부층인 제 1 층과 감광막패턴과의 정렬도를 검사하게 되며, 정렬도가 불량한 경우 노광/현상과정이 완료된 웨이퍼를 재생(rework)하여 다시 새로운 감광막을 도포, 노광 및 현상하는 단계를 반복하게 된다.In the DRAM manufacturing process, an exposure process is performed by applying a photosensitive film to a wafer, then exposing and developing the pattern by using a stepper. After development, the degree of alignment between the first layer, which is the lower layer, and the photoresist pattern is inspected. If the alignment is poor, the process of reworking the wafer on which the exposure / development process is completed and applying, exposing and developing a new photoresist film is performed. Will repeat.
이와 같은 반복공정을 피하기 위하여, 다수개의 웨이퍼로 이루어진 일련(1 lot)의 웨이퍼중 한 장만을 선택하여 노광 및 현상단계를 거쳐 정렬도를 계측한 다음 오차를 수정 내지는 보정하여 저체 웨이퍼가 재생되어야 하는 오류를 방지하게 된다.In order to avoid such a repetitive process, only one sheet of a plurality of wafers (1 lot) of wafers is selected, the alignment degree is measured through exposure and development steps, and then, the error of the lower body wafer must be regenerated by correcting or correcting the error. This will prevent errors.
종래 기술에서는 노광전 얼라인먼트 키를 이용하여 한 샷(1 shot)의 오프셋(offset) 정도를 보정하여 노광하는 단계를 실시하며, 그 외의 오버레이 파라미터는 산출하지 못한다.In the prior art, a step of exposing the shot by correcting the offset of one shot using the pre-exposure alignment key is performed, and other overlay parameters cannot be calculated.
도 1은 종래 기술에 따른 얼라인먼트 키의 레이아웃이다.1 is a layout of an alignment key according to the prior art.
도 1을 참조하면, 스텝퍼(stepper)에 의하여 웨이퍼상에 투사된 1 샷 영역(11)이 웨이퍼(10) 상에 형성되어 있고, 1 샷 영역(11)의 우측면에 제 1 얼라인먼트 키(12)가 바 형태로 표시되어 있고, 하단면에 제 2 얼라인먼트 키(13)가 형성되어 있다.Referring to FIG. 1, one shot region 11 projected onto a wafer by a stepper is formed on the wafer 10, and the first alignment key 12 is formed on the right side of the one shot region 11. Is displayed in a bar form, and a second alignment key 13 is formed on the bottom surface.
이와 같이, 1 샷 영역(11)의 일측면과 일 하단면에 형성된 제 1 얼라인먼트 키(12) 및 제 2 얼라인먼트 키(13)는 웨이퍼와 관련된 오버레이 파라미터에 관한 정보만을 제공하므로 실제 노광마스크와 웨이퍼간의 중첩정렬도에 파라미터에 관한 정보는 알 수가 없다. 즉, 샷의 웨이퍼에 대한 오프셋만을 보정할 수 있다.As such, the first alignment key 12 and the second alignment key 13 formed on one side and one bottom surface of the first shot region 11 provide only information on the overlay parameters associated with the wafer, so that the actual exposure mask and the wafer are provided. There is no information about the parameters in the degree of nesting degree. That is, only the offset to the wafer of the shot can be corrected.
도 2는 종래 기술에 따른 노광시 중첩정렬도 개선방법을 도시한 흐름도이다.2 is a flowchart illustrating a method of improving overlapping alignment in exposure according to the prior art.
도 2를 참조하면, 얼라인먼트 키가 형성된 웨이퍼 또는 피식각층 상에 감광막을 도포한다.Referring to FIG. 2, a photosensitive film is coated on a wafer or an etching layer on which an alignment key is formed.
그리고, 소정 패턴이 형성된 노광마스크와 스텝퍼를 이용한 노광공정을 감광막에 실시하여 감광막에 잠재 패턴을 형성한다.An exposure process using an exposure mask and a stepper on which a predetermined pattern is formed is performed on the photosensitive film to form a latent pattern on the photosensitive film.
그 다음은 현상(development)단계로, 소정의 현상액을 사용하여 잠재패턴을 선택적으로 제거하여 감광막패턴을 형성한다. 이때, 형성된 감광막패턴에는 웨이퍼상에 형성된 기준키와의 비교를 위한 보조키가 형성된다.Next, in a development step, a latent pattern is selectively removed using a predetermined developer to form a photoresist pattern. At this time, an auxiliary key for comparison with a reference key formed on the wafer is formed on the formed photoresist pattern.
그리고, 기준기와 보조키의 정렬도를 확인하여 오프셋 정도를 계측하고, 오정렬이 발견되면 웨이퍼를 재생하여 감광막 도포 단계부터 다시 노광 및 현상공정을 반복한다.Then, the degree of offset is measured by checking the degree of alignment between the reference key and the auxiliary key. When the misalignment is found, the wafer is regenerated, and the exposure and development processes are repeated from the photoresist coating step.
도 3은 오버레이 키를 이용한 정렬도 계측방법시 기준키와 보조키의 레이아웃이다.3 is a layout of a reference key and a supplementary key in the method of measuring alignment using the overlay key.
도 3을 참조하면, 먼저 피식각층 또는 웨이퍼상에 형성된 기준키(30)가 사각형 형태로 위치한다.Referring to FIG. 3, first, a reference key 30 formed on an etched layer or a wafer is positioned in a quadrangular shape.
기준키(30) 내부에는 피식각층 도는 웨이퍼상에 형성된 감광막패턴 형성시 만들어진 보조키(31)가 위치한다. 따라서, 기준키(30)와 보조키(31)의 제 1 방향으로의 이격거리(X1) 및 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로의 이격거리(Y1)를 측정하여 그 거리들이 각각 상하 또는 좌우 대칭되지 않으면 오버레이 즉, 중첩정렬도가 오정렬(misaligned)된 것으로 보고 재생공정을 다시 수행하게 된다.Inside the reference key 30 is an auxiliary key 31 formed when the photoresist pattern is formed on the etched layer or wafer. Accordingly, the separation distance X1 of the reference key 30 and the auxiliary key 31 in the first direction and the separation distance Y1 in the second direction orthogonal to the first direction are measured and the distances are respectively up or down. If it is not symmetrical, the overlay, that is, the overlap alignment is regarded as misaligned, and the reproduction process is performed again.
그러나, 상술한 종래 기술에 따른 노광시 중첩정렬도 계측 및 개선방법은 다수개의 웨이퍼중 하나의 웨이퍼를 선택하여 노광한 후 오정렬 정도를 계측하여 보정하므로 주 노광공정을 실시하는데 까지 소요되는 시간이 길어 전체공정시간(total around time)이 길어지고, 선행 노광된 웨이퍼의 오버레이가 불량한 경우 재생단계를 반복 실시하므로 나머지 웨이퍼를 노광한 다음 재생 웨이퍼를 다시 노광하여야 하므로 장비활용의 효율성이 감소하며, 오버레이 불량시 재생과정에 추가비용이 요구되고, 재생장비가 필요하므로 투자비용이 증가함과 아울러 재생 단계에서 웨이퍼를 오염시킬 수 있으므로 전체적인 제품의 수율 감소가 초래되는 문제점이 있다.However, the above-described conventional method for measuring and improving the overlapping degree of exposure according to the related art selects one wafer among a plurality of wafers and then measures and corrects the degree of misalignment, thereby requiring a long time to perform the main exposure process. If the total around time is long and the overlay of the previously exposed wafer is bad, the regenerating step is repeated. Therefore, the efficiency of equipment utilization is reduced because the remaining wafer must be exposed and the reclaimed wafer is exposed again. In addition, additional costs are required for the regeneration process, and the regeneration equipment is required, which increases the investment cost and contaminates the wafer during the regeneration step, resulting in a decrease in the overall product yield.
따라서, 본 발명의 목적은 반도체소자 제조를 위한 공정에서 노광전 단계에서 개선된 얼라인먼트 키를 이용하여 오버레이 파라미터를 계측하고 이를 이용하여 노광장비의 입력조건을 노광전에 보정하여 노광마스크와 웨이퍼간의 오버레이를 개선하므로서 웨이퍼의 재생률(rework)을 낮추도록 한 반도체장치 제조시 노광공정의 오버레이 정렬도 개선방법을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to measure the overlay parameters by using the improved alignment key in the pre-exposure step in the semiconductor device manufacturing process and to correct the input conditions of the exposure equipment before exposure, thereby providing an overlay between the exposure mask and the wafer. The present invention also provides a method for improving the overlay alignment of an exposure process during fabrication of a semiconductor device to reduce the rework of the wafer by improving the wafer.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 노광시 중첩정렬도 개선방법은 소정의 대응되는 패턴을 갖는 다수개의 얼라인먼트 키가 소정 부위에 형성된 웨이퍼 상에 감광막을 형성하는 단계와, 얼라인먼트 키를 이용하여 오버레이 파라미터를 산출하는 단계와, 오버레이 파라미터를 이용하여 노광장비의 입력을 보정하는 단계와, 소정의 패턴을 갖는 노광마스크와 노광장비를 이용하여 감광막을 노광시키는 단계와, 감광막을 현상하여 감광막패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of improving overlapping alignment upon exposure, forming a photoresist film on a wafer on which a plurality of alignment keys having a predetermined corresponding pattern are formed on a predetermined portion, and overlaying using the alignment keys. Calculating a parameter, correcting an input of an exposure apparatus using an overlay parameter, exposing the photoresist film using an exposure mask and an exposure apparatus having a predetermined pattern, and developing the photoresist film to form a photoresist pattern It comprises a step.
도 1은 종래 기술에 따른 얼라인먼트 키의 레이아웃1 is a layout of an alignment key according to the prior art
도 2는 종래 기술에 따른 노광시 중첩정렬도 개선방법을 도시한 흐름도2 is a flowchart illustrating a method of improving overlapping alignment in exposure according to the related art.
도 3은 오버레이 키를 이용한 정렬도 계측방법시 기준키와 보조키의 레이아웃3 is a layout of the reference key and the auxiliary key in the alignment measurement method using the overlay key
도 4는 본 발명에 따른 노광시 중첩정렬도 계측 및 개선방법을 도시한 흐름도4 is a flowchart illustrating a method of measuring and improving overlapping alignment degree during exposure according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 오버레이 파라미터 산출을 위한 얼라인먼트 키의 레이아웃5 is a layout of an alignment key for calculating an overlay parameter according to the present invention.
본 발명은 웨이퍼 또는 웨이퍼상에 형성된 피식각층에 대하여 노광을 실시하기 전 단계에서 본 발명에 따른 얼라인먼트 키를 사용하여 웨이퍼 등과 노광마스크간의 오정렬에 의한 감광막패턴과의 중첩정렬도(overlay)를 사전에 계측하여 노광전에 이를 보정한다. 이를 위하여, 노광 전 단계에서 오버레이 정도를 본 발명에 의한 얼라인먼트 키로부터 계산하여 계측된 보정량을 웨이퍼에 적용하는 시스템을 사용한다.The present invention uses an alignment key according to the present invention prior to exposing a wafer or an etched layer formed on the wafer to prearrange the overlay with the photosensitive film pattern due to misalignment between the wafer and the exposure mask. It is measured and corrected before exposure. For this purpose, a system is used in which the degree of overlay is calculated from the alignment key according to the present invention in the pre-exposure step and the measured correction amount is applied to the wafer.
노광 전 단계에서 오버레이를 계측하기 위해서 피식각층에 패터닝된 얼라인먼트 키가 필요하며 이러한 얼라인먼트 키를 계측하여 오버레이 파라미터를 산출하게 된다. 이때, 산출되는 오버레이 파라미터는 오프셋(offset), 샷 확대정도(shot magnification), 샷 회전도(shot rotation), 웨이퍼 스케일(wafer scale), 웨이퍼 회전도(wafer rotation), 직교도(orthogonality)에 관한 정보들이며, 종래 기술에서는 이러한 파라미터에 관한 정보들을 노광 후 오버레이 키를 이용하여 얻는다.In order to measure the overlay in the pre-exposure stage, an alignment key patterned on the etched layer is required, and the alignment key is measured to calculate the overlay parameter. In this case, the calculated overlay parameters include offset, shot magnification, shot rotation, wafer scale, wafer rotation, and orthogonality. Information, and in the prior art information about this parameter is obtained using the post-exposure overlay key.
본 발명에 따른 얼라인먼트 키를 이용하여 얻어진 오버레이 파라미터들에 관한 정보들은 노광 전 단계에서 스텝퍼에 의하여 보정된 다음 노광공정을 실시하므로 오정렬(misalignment)의 발생을 방지한다.The information on the overlay parameters obtained by using the alignment key according to the present invention is corrected by the stepper in the pre-exposure step to perform the next exposure process, thereby preventing the occurrence of misalignment.
본 발명에서는 노광 전 단계에서 오버레이 파라미터들을 산출하기 위하여 피식각층에 먼저 형성되는 얼라인먼트 키의 레이아웃을 변경하고 스텝퍼의 노광 메카니즘을 변경한다. 즉, 샷 확대정도(shot magnification)와 샷 회전도(shot rotation)에 관한 정보를 얻기 위하여 사각형 형태의 샷의 4 변에 하나씩의 얼라인먼트 키를 배치하고, 노광 전 단계에서 얻어진 오버레이 파라미터를 노광전에 스텝퍼에서 보정하기 위하여 스텝퍼의 노광 순서(sequence)를 변경하여 노광 전 오버레이 산출과정 및 산출된 오버레이 파라미터를 스텝퍼에 보정하는 단계를 추가한다.In the present invention, in order to calculate the overlay parameters in the pre-exposure step, the layout of the alignment key first formed in the etched layer is changed and the exposure mechanism of the stepper is changed. In other words, in order to obtain information about shot magnification and shot rotation, one alignment key is arranged on four sides of the square shot, and the overlay parameter obtained in the pre-exposure step is stepped before exposure. In order to correct at, the exposure sequence of the stepper is changed to add a step of correcting the overlay pre-exposure calculation process and the calculated overlay parameters to the stepper.
따라서, 산출된 오버레이 파라미터와 노광한 다음 측정한 웨이퍼 내지는 피삭각층의 오버레이 파라미터 사이에 오차가 있으면 그 오차를 보정하므로, 이후 노광되는 웨이퍼들에 있어서는 이러한 오차발생이 방지된다.Therefore, if there is an error between the calculated overlay parameter and the overlay parameter of the exposed wafer or the workpiece layer after the exposure, the error is corrected, so that the occurrence of such an error is prevented in the subsequent exposed wafers.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명에 따른 노광시 중첩정렬도 계측 및 개선방법을 도시한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a method of measuring and improving overlapping alignment degree during exposure according to the present invention.
도 4를 참조하면, 사각형 형태의 샷의 4 변에 하나씩의 얼라인먼트 키가 형성된 웨이퍼 또는 피식각층 상에 감광막을 도포한다.Referring to FIG. 4, a photosensitive film is coated on a wafer or an etched layer on which one alignment key is formed at four sides of a quadrangle shot.
그리고, 얼라인먼트 키들에 의하여 오버레이 파라미터를 산출한다. 이때, 산출되는 오버레이 파라미터들에 의하여 오프셋(offset), 샷 확대정도(shot magnification), 샷 회전도(shot rotation), 웨이퍼 스케일(wafer scale), 웨이퍼 회전도(wafer rotation), 직교도(orthogonality)에 관한 정보들을 얻을 수 있다.Then, the overlay parameter is calculated by the alignment keys. In this case, the offset, shot magnification, shot rotation, wafer scale, wafer rotation, orthogonality are calculated according to the calculated overlay parameters. Get information about
이러한 오버레이 파라미터에 관한 정보들을 이용하여 스텝퍼의 노광 메카니즘을 변경하고, 변경된 정보가 입력된 스텝퍼와 소정 패턴이 형성된 노광마스크를 이용하여 웨이퍼 또는 피삭각층에 형성된 감광막을 노광시켜 감광막에 잠재 패턴을 형성한다.The exposure mechanism of the stepper is changed by using the information on the overlay parameter, and the latent pattern is formed by exposing the photosensitive film formed on the wafer or the target layer using the stepper on which the changed information is input and the exposure mask on which the predetermined pattern is formed. .
그 다음은 현상(development)단계로, 소정의 현상액을 사용하여 잠재패턴을 선택적으로 제거하여 감광막패턴을 형성한다. 이때, 형성된 감광막패턴에는 웨이퍼상에 형성된 기준키와의 비교를 위한 보조키가 형성되며, 피식각층 또는 웨이퍼상에는 기준키가 사각형 형태로 위치한다. 기준키 내부에는 피식각층 또는 웨이퍼상에 형성된 감광막패턴 형성시 만들어진 보조키가 위치한다. 따라서, 기준키와 보조키의 제 1 방향으로의 이격거리 및 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향으로의 이격거리를 측정하여 그 거리들이 각각 상하 또는 좌우 대칭 사실을 확인할 수 있다.Next, in a development step, a latent pattern is selectively removed using a predetermined developer to form a photoresist pattern. In this case, an auxiliary key for comparison with a reference key formed on the wafer is formed on the formed photoresist pattern, and the reference key is positioned in a rectangular shape on the etched layer or the wafer. Inside the reference key is an auxiliary key made when the photoresist pattern is formed on the etched layer or wafer. Therefore, the distance between the reference key and the auxiliary key in the first direction and the distance in the second direction orthogonal to the first direction may be measured to confirm that the distances are vertically or horizontally symmetrical, respectively.
도 5는 본 발명에 따른 오버레이 파라미터 산출을 위한 얼라인먼트 키의 레이아웃이다.5 is a layout of an alignment key for calculating an overlay parameter according to the present invention.
도 5를 참조하면, 스텝퍼(stepper)에 의하여 웨이퍼(50) 상에 투사된 사각형 형태의 1 샷 영역(51)이 웨이퍼(50) 상에 형성되어 있고, 1 샷 영역(51)의 4 개의 변 외측에 시계방향으로 제 1 얼라인먼트 키(52), 제 2 얼라인먼트 키(53), 제 3 얼라인먼트 키(54) 및 제 4 얼라인먼트 키(55)가 다수 개의 바(bar) 형태로 차례로 표시되어 있다.Referring to FIG. 5, one shot region 51 having a quadrangular shape projected onto the wafer 50 by a stepper is formed on the wafer 50, and four sides of the one shot region 51 are formed. The first alignment key 52, the second alignment key 53, the third alignment key 54 and the fourth alignment key 55 are sequentially displayed in the form of a plurality of bars in the clockwise direction.
이와 같이, 이러한 얼라인먼트 키들은 서로 대응되는 형태로 형성되어 샷의 웨이퍼에 대한 오프셋 뿐만 아니라 샷 확대정도(shot magnification), 샷 회전도(shot rotation), 웨이퍼 스케일(wafer scale), 웨이퍼 회전도(wafer rotation), 직교도(orthogonality) 등의 오버레이 파라미터를 제공한다. 이와 같은 얼라인먼트 키의 형태는 바 형 뿐만 아니라 스케일이 표시된 원형 도는 삼각형 등의 각종 형태를 가질 수 있으며 서로 마주 보게 형성되는 것이 중요하다.As such, the alignment keys are formed in a shape corresponding to each other so that the shot magnification, shot rotation, wafer scale, wafer scale, wafer wafer, as well as offset of the shot to the wafer can be obtained. It provides overlay parameters such as rotation and orthogonality. Such an alignment key may have various shapes such as a circle or a triangle in which not only a bar shape but a scale is displayed, and it is important that the alignment keys are formed to face each other.
따라서, 본 발명은 다수개의 웨이퍼 중 하나를 선택하여 노광하는 단계를 거치지 않고 직접 주 노광단계를 실시하므로 전체적인 공정시간을 단축하며, 재생단계가 감소하여 재생 웨이퍼를 다시 노광하여야 할 필요가 업으므로 장비활용의 효율성이 증가하며, 재생장비에 대한 투자비용이 절약되고 아울러 재생단계에서의 웨이퍼 오염이 방지되므로 전체적인 제품의 수율이 증가되는 장점이 있다.Therefore, the present invention performs the main exposure step directly without going through the step of selecting and exposing one of the plurality of wafers, thereby reducing the overall process time and reducing the regeneration step, thus eliminating the need to expose the reclaimed wafers again. The efficiency of the use is increased, the investment cost for the regeneration equipment is reduced, and the wafer contamination in the regeneration phase is prevented, so that the overall product yield is increased.
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|---|---|---|---|
| KR1019990050087A KR20010046358A (en) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | Method of improving overlaid alignment in exposure |
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| KR1019990050087A KR20010046358A (en) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | Method of improving overlaid alignment in exposure |
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| KR1019990050087A KR20010046358A (en) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | Method of improving overlaid alignment in exposure |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100391158B1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-07-12 | 삼성전자주식회사 | in-line system having function for measuring overlay accuracy and method for measuring same |
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1999
- 1999-11-12 KR KR1019990050087A patent/KR20010046358A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100391158B1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-07-12 | 삼성전자주식회사 | in-line system having function for measuring overlay accuracy and method for measuring same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |