KR20010020475A - 인듐 및 주석 산화물의 건식 에칭 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 에칭 방법은 인듐 산화물(InO), 주석 산화물(SnO), 인듐과 주석 산화물의 혼합물, z가 실질적으로 0보다 더 크지만 100%보다 작고 합 x+y가 100%의 나머지를 차지하는 일반식 InxSnyOz을 가지는 인듐과 주석과 산소의 화합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 그룹원, 및 상기 전술한 그룹원들의 혼합물로 제조된 층을 제공하는 단계를 포함한다. 상기 재료층의 근처에 할로겐 함유 화합물과 산소 함유 화합물을 포함하는 반응 가스가 공급된다. 또한 상기 반응 가스와 재료층의 휘발성 부산물을 형성하기 위하여 상기 공급된 가스가 상기 재료층과 반응하도록 전계가 공급된다.
Description
예를 들어 평면 유리 패널 디스플레이의 제조는 전형적으로 깨끗한 유리 기판으로 시작된다. 트랜지스터가 필름 증착 및 선택적 에칭 기술을 사용하여 평면 패널상에 형성된다. 상기 기판상의 필름의 순차적인 증착, 포토 리소그래피 및 선택적 에칭이 기판상의 개별 트랜지스터를 형성한다. 다음에 기판상에 형성된 상기 소자 뿐만 아니라 금속 상호 접속부, 액정 셀 및 다른 소자가 평면 패널 디스플레이를 제조하기 위해 기판상의 액티브 매트릭스 디스플레이 스크린을 형성하는데 사용되고, 디스플레이 상태가 전기적으로 개별 화소에 형성된다.
액정 디스플레이(LCD), 전하 결합 센서 소자(CCD) 등과 같은 광전기 소자들은 종종 광전송 또는 광수신 엘리먼트에 배치된 박막 투명 전극을 포함한다.
투명 전극들은 전형적으로 인듐 산화물(InO) 또는 주석 산화물(SnO) 또는 이런 산화물들의 혼합물 또는 일반식: InxSnyOz을 가지는 화합물로 구성된다. 여기에서 z 인자는 0보다 크지만 100%보다 작다. 상기 식 InxSnyOz은 보통 ITO로서 종래기술에 공지되어 있다.
제조동안, 투명 전극을 형성하는 재료 박막이 기판상에 증착된다. 그후 상기 박막은 미리 지정된 부분을 제거하기 위해 선택적으로 에칭되어, 요구된 와이어링 패턴을 정의한다.
일반적으로 에칭이 어떤 하부 구조물을 상당히 손상시키지 않으면서 투명 전극을 에칭하는 것이 대량 생산 상황에서 바람직하다.
또한 일반적으로 대량 생산 복잡성과 비용을 감소시키기 위해 몇몇 필수 단계로 가능한 빨리 에칭을 수행하는 것이 바람직하다.
최근까지, ITO을 에칭하는 하나의 공통된 방법은 제2철 염화물(FeCl3)과 같은 화학적 반응성 수성 작용제를 사용하여 포토리소그래픽적으로 패터닝된 마스크를 통해 습식 에칭하는 것이었다.
그러나, 습식 에칭은 단점을 가진다. 그것은 추가 처리 이전에 제거되어야 하는 액체 찌거기를 잔류시키는 경향이 있다. 찌꺼기의 제거는 전체 프로세스를 복잡하게 하고 비용을 증가시킨다.
습식 에칭의 다른 단점은 그것의 재료 제거율이 온도 변화에 상당히 민감해지려는 경향이 있다는 것이다. 엄격한 온도 제어는 또한 전체 프로세스를 복잡하게 하고 비용을 증가시키며, 오버에칭 또는 언더에칭의 보상 또는 방지를 요구한다. "언더에칭"은 투명 전극 박막이 완전히 에칭되지않고 바람직하지않은 단락이 최종 도체 패턴에 나타나는 상태로 참조된다. "오버에칭"은 투명 전극 박막이 완전히 에칭되고 바람직하지않은 하부 기판의 에칭이 시작되거나 또는 시간과 자원이 요구된 것 이상의 깊이까지 에칭하려는 시도에 의해 낭비되는 상태로 참조된다.
습식 에칭의 또다른 단점은 등방성이라는 것이다. 오버에칭은 에칭 마스크 하부에 바람직하지않은 언터컷팅을 초래할 수 있다. 언더컷팅은 도체 패턴에 의도되지않은 개방 회로를 초래할 정도로 넓은 범위에 걸쳐 발생할 수 있다.
가장 최근에, 이방성 반응 플라즈마로 박막 투명 전극의 재료층을 건식 에칭함으로써 습식 에칭의 문제점을 극복하려는 시도가 행해졌다.
본 발명은 인듐 및 주석 산화물의 건식 에칭 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 건식 에칭 프로세스를 수행하기 위한 반응성 이온 에칭(RIE) 시스템의 단면도.
본 발명에 따른 에칭 방법은 인듐 산화물(InO), 주석 산화물(SnO), 인듐과 주석 산화물의 혼합물, z가 실질적으로 0보다 더 크지만 100%보다 작고 합 x+y가 100%의 나머지를 차지하는 일반식 InxSnyOz을 가지는 인듐과 주석과 산소의 화합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 그룹원, 및 상기 전술한 그룹원들의 혼합물로 제조된 재료층을 제공하는 단계를 포함한다. 할로겐 함유 화합물과 산소 함유 화합물을 포함하는 반응 가스가 상기 재료층 근처에 공급된다. 또한, 반응 가스와 재료층의 휘발성 부산물을 형성하기 위해 상기 공급된 반응 가스를 재료층과 반응시키도록 전계가 공급된다.
여러가지 실시예에서, 본 발명은 하나 이상의 다음 특징을 포함한다. 상기 공급된 반응 가스는 수소 브롬화물(HBr)과 수소 요오드화물(HI) 또는 수소 염화물(hcL)중 하나 이상을 포함한다. 상기 공급된 반응 가스는 또한 O2또는 H2O 를 포함할 수 있다. 상기 산소 함유 화합물의 상대적인 양은 재료층을 지지하는 기판층과 관련한 재료층의 더 나은 선택적 에칭을 제공하도록 선택될 수 있다.
하나 이상의 개구부를 가지는 마스크 층이 대응하는 재료의 하나 이상의 표면부를 반응 가스와 인가된 전계의 생성물에 노출시키기 위해 재료층상에 제공될 수 있다.
여러 실시예에서, 기판이 재료층 아래에 제공될 수 있고, 에칭 프로세스가 기판에 대해 재료층을 완전히 에칭할 때가 결정된다. 다음에 상기 에칭 프로세스는 에칭 프로세스가 기판에 대하여 재료층을 완전히 에칭했다고 결정되는 시간에 중지될 수 있다.
여러 실시예에서, 본 발명은 다음과 같은 하나이상의 정점을 가진다. 반응 가스에 대한 산호 함유 화합물의 첨가는 기판층의 에칭과 관련한 ITO 에칭의 선택도를 개선할 수 있다. 반응 가스에 대한 산소 함유 화합물의 첨가에 의해 얻어지는 증가된 선택도는 다소 재료층의 표면에 걸쳐 더욱 균일한 에칭을 제공하기 위해 ITO 층을 오버에칭하도록 한다.
또한 반응 가스에 대한 산소 함유 화합물의 첨가는 압력, 파워 또는 RF 주파수와 같은 다른 프로세스 파라미터의 변화에 상대적으로 무감각한 광범한 프로세스 범위를 제공할 수 있다. 유사하게, 에칭 프로세스동안 검출되는 방출 스펙트럼에 기초하여 에칭 프로세스가 중지되는 정밀한 시간은 전체 에칭 결과를 두드러지게 변경시키지 않고 약간의 변경이 허용될 수 있다. 이것은 특히 다른 파라미터들이 고의로 변경될 수 있거나 다른 제조 조건 때문에 시간에 걸쳐 변경할 수 있는 대량 생산 설비에 중요하다.
도 1은 반응성 이온 에칭(RIE) 시스템의 단면도를 개략적으로 도시한다. 상기 기본 에칭 장치의 더욱 상세한 기계적 설명은 Wong 등, "큰 기판상의 필름층을 에칭하기 위한 방법 및 장치"로 명명되고 1994년 7월 7일에 제출된 일련번호 제08/273,382호에서 찾을 수 있다.
시스템(100)은 저압 챔버(105)내의 대향 애노드(180)로부터 일정간격 배치되는 기판 지지용 캐소드(110)를 포함한다. 상기 애노드(180)는 도시된 바와 같이 분리 엘리먼트가 될 수 있거나 또는 개별 엘리먼트 이외에 에칭 챔버(105)의 하나 이상의 내벽에 의해 정의될 수 있다. 일실시예에서, 상기 챔버의 내벽은 애노드를 정의하며, 상기 캐소드는 캐소드의 다중면이 챔버의 대응하는 내벽을 마주보도록 챔버내에 중심적으로 배치된다. 후자의 실시예는 하나의 챔버에서 2개 이상의 제품 에칭을 허용한다.
무선 주파수(RF) 발생기(190)가 캐소드와 애노드의 대향면 사이에 RF 전계를 생성하기 위해 캐소드(110)와 애노드(180)에 전기적으로 결합된다. 상기 RF 전계는 단일 주파수 또는 다중 주파수로 형성될 수 있다.
가스 컨테이너 또는 가스 탱크를 포함할 수 있는 가스 공급 수단(150)이 챔버(105)에 반응 가스(155)를 공급하기 위해 저압 챔버(105)에 효과적으로 결합된다. 상기 반응 가스(155)는 수소와 할로겐을 포함하는 화합물로 구성되는 제1 그룹으로부터의 적어도 하나의 구성원, 및 물(H20)과 산소(O2)로 구성되는 제2 그룹으로부터의 적어도 하나의 구성원을 포함할 수 있다. 제1 그룹의 화합물 예는 수소 브롬화물(HBr), 수소 요오드화물(HI) 및 수소 염화물(HCl)을 포함한다. 상기 공급된 반응 가스(155)의 유량은 더 높거나 더 낮은 유량이 특정 실시예에서 바람직하더라도 대략 100 내지 200 sccm이다.
밸브와 같은 유량 제어 수단(153)이 요구된 유입 레벨(예를 들어 분당 0℃에서 1기압의 압력으로 100 cc의 부피를 채우는 100 sccm 가스 유량)을 유지하도록 반응 가스의 유입 속도를 조정하기 위해 제공된다. 보통 유입 가스 흐름에는 아르곤, 헬륨 또는 질소와 같은 불활성 캐리어 가스가 없는데, 이는 저압을 유지하기 위해 이런 부가적 재료를 배기하기 위한 추가 작업이 요구되기 때문이다. 그러나, 필요하다면 반응 가스(155)를 위한 캐리어로서 한가지 이상의 불활성 가스를 사용할 수 있다.
압력 조정기(177)가 챔버(105)내의 요구된 압력 레벨을 유지하기 위해 진공 펌프(170)의 배기 경로를 따라 제공된다.
에칭될 투명 전극 재료층(130)을 가지는 제품(115)이 캐소드(110)상에 장착된다. 상기 제품(115)은 투명 전극 재료층(130)이 증착되는 기판(120)을 포함할 수 있다. 상기 기판(120)은 유리(SiO2), 실리콘 질화물(Si3N4), 비정질 실리콘(a-Si), 다결정 또는 단결정 실리콘(p-Si 또는 Si)과 같은 재료, 또는 특정 광전기 분야에 적당할 수 있는 다른 재료로 구성될 수 있다.
상기 투명 전극 재료층(130)은 1500 옹스트롬 이하의 두께를 가지고 ITO, 인듐 산화물, 주석 산화물 또는 이런 산화물의 혼합물을 포함하는 박막이 될 수 있다. 상기 재료층(130)은 또한 z가 실질적으로 0보다 더 크지만 100%보다 작고 합 x+y가 100%의 나머지를 차지하는 일반식 InxSnyOz을 가지는 인듐과 주석과 산소의 화합물을 포함할 수 있다. 이전에 언급된 바와 같이, 일반식 InxSnyOz은 ITO로서 종래기술에 공지되어 있다.
포토리소그래피 또는 다른 적당한 기술에 의해 형성되어지는 미리 패터닝된 마스크(140)가 에칭되어야 하는 재료층(130) 근처에 제공된다. 상기 마스크(140)는 투명 전극 재료층(130)의 표면부(135)를 노출하기 위해 한정된 개구부(145)를 가진다. 재료층(130)의 노출되지않은 부분은 마스크(140)의 재료에 의해 에칭으로부터 보호된다. 상기 마스크(140)는 1.5 미크론 두께로 증착되는 포토레지스트와 같은 재료로 구성된다.
상기 챔버(105)는 제품(115) 근처에서 요구된 레베로 압력을 유지하기 위해 시일링된다. 상기 진공 펌프(170)는 챔버(105)로부터 배기 가스를 배출하여 챔버(105)내의 요구된 저압을 유지하기 위해 저압 챔버(105)에 결합된다.
상기 RF 발생기(190)는 단일 단계로 재료층(130)의 노출부를 에칭하고 에칭이 완료된후 정지하기 위해 캐소드(110)와 애노드(180) 사이에 발진 전계를 제공하도록 에칭 제어기(176)에 의해 동작된다.
상기 발생된 RF 필드의 주파수(f)는 바람직하게 400 ㎑ 내지 13.56 ㎒ 범위이다. 플라즈마 형성을 위해 약 13.56 ㎒와 이온 가속을 위해 약 400 ㎑의 조합이 사용될 수 있다. 상기 조합된 다중 주파수는 개별 발진기에 의해 전개될 수 있다. 기판 지지용 캐소드(110)의 근처에서 우세하도록 더 낮은 주파수 필드가 종종 전개되고 페데스탈 RF로서 참조된다. 제품(115) 위의 플라즈마 근처에서 우세하도록 더 높은 주파수 필드가 종종 전개되고 플라즈마 RF로서 참조된다.
상기 인가된 RF 필드의 파워 밀도(W)는 재료층(130)의 노출된 표면적과 관련하여 측정될 때 평방 센티미터당 적어도 약 0.5 와트(0.5 W/㎠)이어야 한다. 그러나, 특정 응용에 의존하여 더 높거나 또는 더 낮은 파워 밀도가 사용될 수 있다. 일반적으로, 에칭율은 더 높은 파워 밀도에서 증가하려는 경향이 있다. 그러나, 더 높은 파워 밀도에서, 포토레지스트는 건식 에칭 다음에 제거하기가 상당히 어렵게 된다.
상기 RF 필드의 세기(볼트/㎝)는 다음에 개시된 반응 가스(155)를 원자 조성물(자유 라디컬)로 분해하기 위해 상당히 크다. 일실시예에서, 300 내지 800 볼드/㎝의 필드 세기가 재료층(130)의 노출부(135)의 근처에 형성된다.
유체 냉각 열교환기와 같은 온도 제어기(109)가 대략 5 내지 80 ℃의 캐소드 온도를 유지하기 위해 캐소드(110)에 결합된다. 상기 기판(120)의 온도는 기판(120)상의 필름에 대한 손상을 방지하기 위해 약 120 ℃ 이하, 바람직하게 약 100 ℃ 이하로 유지된다. 기판(120)의 온도는 캐소드(110)를 통한 온도 제어기(109)로의 열적 이동에 의해 결정된다. 기판부(135)의 근처에 형성되는 플라즈마(160)의 온도는 상당히 더 높을 수 있고 플라즈마 요동과 같이 때때로 발생하려는 경향이 있다.
분광 분석기(175)가 배기 가스(165)를 광학적으로 스캐닝하고, 그 결과를 분석하여, 배기 가스(165)의 화학적 구성을 결정하기 위해 진공 펌프(170)의 배기 경로를 따라 제공된다. 상기 분광 분석기(175)는 배기 가스(175)중에 수증기(H2O), 인듐 요오드화물(InxIy), 주석 요오드화물(SnxIy), 인듐 브롬화물(InxBry), 주석 브롬화물(SnxBry), 인듐 염화물(InxCly), 주석 염화물(SnxCly) 및 주석 수소화물(SnxHy)로 이루어지는 부산물 그룹중 하나 이상의 화합물을 포함하는지 또는 포함하지않는지를 구별하도록 설계된다. 다음의 표 1은 휘발성 부산물을 생성하기 위해 자유 조성물(H*, Br*와 I*및 In, Sn와 O) 사이에서 발생하리라고 믿어지는 화학 반응중 일부를 나열한다.
| 제1 반응물 | 제2 반응물 | 휘발성 부산물 |
| Br* | In | InBr, InBr2, InBr3 |
| Br* | Sn | SnBr4 |
| I* | In | InI, InI2, InI3 |
| I* | Sn | SnI4 |
| Cl* | In | InCl, InCl3 |
| Cl* | Sn | SnCl4, SnCl2 |
| H* | Sn | SnH4 |
| H* | O | H2O |
일례에서, 상기 분광 분석기(175)는 450 내지 452 옹스트롬과 동일한 λ1의 가시광 범위에서 민감한 광검출기를 포함한다.
상기 분광 분석기(175)는 RF 발생기(190)를 턴오프하여 분석기(175)가 효율적인 에칭이 얻어졌다는 것을 나타낼 때 에칭 프로세스를 중지하는 에칭 제어기(176)에 결합된다.
상기 용어 "효율적인 에칭"은 여기에서 유용한 와이어링 패턴이 서로 절연되어야 하는 층의 도체 사이에 원치않는 단락 또는 저저항 경로를 남기지않고 투명 전극 층에 형성되도록 에칭이 투명 전극 층내로 충분히 진행되었을 때의 상태를 의미한다.
광방출 분광기(OES : optical emission spectroscope)로서 참조되는 제2 분광 검출기(108)가 표면부(135)의 평면(107)에서 인듐(In) 또는 주석(Sn)의 플라즈마 유도된 광방출 λ2을 검출하기 위해 제품 표면과 관련한 라인에 설치될 수 있다. 상기 OEM(108)은 RF 발생기(190)를 턴오프하도록 에칭 제어기(176)에 결합되고, 그결과 경험적으로 결정된 평면(107)에서의 In 또는 Sn의 λ2 방출 감소에 의해 효율적인 에칭이 도달되었다고 표시될 때 에칭 프로세스를 정지한다.
상기 OES(108)는 OES(108)가 그것에 도달하는 배기 가스를 기다리지 않기 때문에 배기 분광 분석기(175)보다 더 빠른 응답 시간을 가진다. OES(108)와 조합하여 사용될 때, 상기 배기 분광 분석기(175)는 플라즈마 차단이 발생하기 전에 올바르게 OES(108)가 동작한다는 것을 보장하도록 OES(108)에서 얻어진 판독치를 검증하는데 사용될 수 있다.
재료층(130)의 효율적인 에칭 시점이 결정될 수 있는 다른 방법은 표면부(135)의 평면(107)에서의 수소(H), 염소(Cl), 브롬(Br), 및/또는 요오드화물(I)의 플라즈마 유도된 광방출 λ3의 피크를 살펴보는 것이다. 여전히 인접 표면부(135)에는 H, Cl, Br 및/또는 I와 반응을 위해 유용한 In 또는 Sn이 있고 H, Cl, Br 및/또는 I의 소비가 있더라도, H, Cl, Br 및/또는 I의 농도는 이런 근처에서 감소된 상태로 머문다. 그러나, 효율적인 에칭이 완료될 때, H, Cl, Br 및/또는 I와의 반응에 유용한 In 또는 Sn의 실질적 감소가 있고 농도 피크가 H, Cl, Br 및/또는 I의 파장에서 보여진다. 상기 RF 발생기(190)는 H, Cl, Br 및/또는 I의 모니터링된 파장의 피크 검출에 응답하여 턴오프될 수 있고, 그결과 에칭 완료 시점에서 에칭 프로세스를 중지한다.
대안적으로, H, Cl, Br 및/또는 I 방출 피크, 및 In 및/또는 Sn 방출 최소치의 조합이 RF 발생기(190)를 턴오프하기 위한 시점을 결정하는데 사용될 수 있다.
다른 변형에서, 기판(120)의 재료가 H, Cl, Br 및/또는 I 라디컬에 의해 에칭되기 쉽다면 OES(108)가 에칭이 완료될 때 기판(120)의 방출된 조성물에 의한 플라즈마 유도된 광방출을 검출하는데 사용될 수 있다. 또한 이런 상황의 검출은 RF 발생기(190)를 턴오프하는 적당한 시간을 결정하는데 사용될 수 있다.
표 2는 재료층(130)이 SiN의 기판(120)상의 ITO로 구성되는 경우에 대해 얻어지는 실험 결과를 도시한다. 상기 샘플 크기는 약 550 ㎜ × 650 ㎜였다. 상기 RF 발생기(190)는 페데스탈과 플라즈마에 대해 13.56 ㎒의 단일 주파수로 설정되었다. 더 낮은 파워 레벨이 ITO층(130)의 노출된 표면(135)에 관련하여 약 0.56 W/㎠의 파워 밀도를 정의하도록 설정되었다. 반응 가스의 전체 흐름은 약 100-300 sccm이었고, 챔버내의 압력은 대략 5-50 밀리토르(mTorr)였다. 부가적으로, 아르곤 가스 흐름은 대략 0-300 sccm 범위에 있다. 표 2에서, 선택도는 ITO 층(130)의 에칭율 대 기판(120)의 에칭율의 비율로서 정의된다.
| 반응 가스 | 산소 비율 | 선택도 ( ITO : 기판 ) |
| HCl+O2 | 0 | 0.7 |
| HCl+O2 | 30 | 1.7 |
| HCl+O2 | 50 | 3.0 |
| HBr+O2 | 0 | 0.9 |
| HBr+O2 | 9 | 1.5 |
| HBr+O2 | 18 | 4.1 |
일반적으로, 수소 함유 화합물과 O2의 혼합물로 구성되는 반응 가스를 사용하여 얻어지는 에칭율은 할로겐 함유 화합물 단독으로 구성되는 반응 가스를 사용하여 얻어지는 에칭율보다 약간 낮다. 그러나, 표 2에서 알 수 잇는 바와 같이, 수소 함유 화합물과 O2의 혼합물로 구성되는 반응 가스를 사용은 할로겐 함유 화합물 단독으로 구성되는 반응 가스를 사용하여 얻어진 선택도와 비교할 때 에칭 선택도가 개선된다. 반응 가스에 대한 O2의 첨가에 의해 얻어진 증가된 선택도는 제품(155)의 표면에 걸쳐 더욱 균일한 에칭을 제공하기 위해 다소 ITO(130)를 오버에칭하도록 한다.
일부 실시예에서, H2O가 O2의 첨가 대신에 사용될 수 있다. O2또는 H2O의 첨가는 압력, 파워 또는 RF 주파수와 같은 다른 프로세스 파라미터의 변화에 상대적으로 무감각한 광범한 프로세스 범위를 제공할 수 있다. 이것은 특히 다른 파라미터들이 고의로 변경될 수 있거나 다른 제조 조건 때문에 시간에 걸쳐 변경할 수 있는 대량 생산 설비에 중요하다.
비록 본 발명이 바람직한 실시예를 참조하여 기술되었지만, 당업자는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 변형이 이루어진다는 것을 인식할 것이다.
Claims (15)
- 에칭 방법에 있어서,인듐 산화물(InO), 주석 산화물(SnO), 인듐과 주석 산화물의 혼합물, z가 실질적으로 0보다 더 크지만 100%보다 작고 합 x+y가 100%의 나머지를 차지하는 일반식 InxSnyOz을 가지는 인듐과 주석과 산소의 화합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 그룹원, 및 상기 전술한 그룹원들의 혼합물로 제조된 재료층을 제공하는 단계;상기 재료층의 근처에 할로겐 함유 화합물과 산소 함유 화합물을 포함하는 반응 가스를 공급하는 단계; 및상기 반응 가스와 재료층의 휘발성 부산물을 형성하기 위하여 상기 공급된 가스가 상기 재료층과 반응하도록 전계를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 공급된 반응 가스는 수소 브롬화물(HBr)을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 공급된 반응 가스는 수소 요오드화물(HI)을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 공급된 반응 가스는 수소 염화물(HCl)을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 공급된 반응 가스는 O2를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 공급된 반응 가스는 H20을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 공급된 반응 가스는 수소 브롬화물(HBr)과 O2를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 공급된 반응 가스는 수소 브롬화물(HBr)과 H20을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 공급된 반응 가스는 수소 요오드화물(HI)과 O2를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 공급된 반응 가스는 수소 요오드화물(HI)과 H20을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 공급된 반응 가스는 수소 염화물(HCl)과 O2를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 공급된 반응 가스는 수소 염화물(HCl)과 H20을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 산소 함유 화합물의 상대적인 양은 상기 재료층을 지지하는 기판층과 관련하여 상기 재료층의 더 나은 선택적 에칭을 제공하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 재료층상에 마스크 층을 제공하는 단계를 더 포함하는데, 상기 마스크 층은 상기 재료층의 대응하는 하나 이상의 부분을 상기 반응 가스와 인가된 전계의 생성물에 노출하기 위해 마스크 층을 통해 정의되는 하나 이상의 개구부를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 재료층 하부에 기판을 제공하는 단계;에칭 프로세스가 상기 기판까지 상기 재료층을 에칭할 때를 결정하는 단계; 및상기 에칭 프로세스가 상기 기판까지 상기 재료층을 에칭했다고 결정되는 시간에 상기 에칭 프로세스를 중지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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| US6653216B1 (en) * | 1998-06-08 | 2003-11-25 | Casio Computer Co., Ltd. | Transparent electrode forming apparatus and method of fabricating active matrix substrate |
| US6368978B1 (en) * | 1999-03-04 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Hydrogen-free method of plasma etching indium tin oxide |
| TW524888B (en) * | 2000-02-01 | 2003-03-21 | Winbond Electronics Corp | Optical temperature measurement as an in-situ monitor of etch rate |
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| TWI278532B (en) * | 2002-06-23 | 2007-04-11 | Asml Us Inc | Method for energy-assisted atomic layer deposition and removal |
| KR100536808B1 (ko) * | 2004-06-09 | 2005-12-14 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US7791150B1 (en) | 2004-09-25 | 2010-09-07 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Room temperature hydrogen sensor |
| US7338907B2 (en) * | 2004-10-04 | 2008-03-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Selective etching processes of silicon nitride and indium oxide thin films for FeRAM device applications |
| US8709949B2 (en) | 2011-05-13 | 2014-04-29 | Raytheon Company | System and method for removing oxide from a sensor clip assembly |
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| US9824893B1 (en) | 2016-06-28 | 2017-11-21 | Lam Research Corporation | Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing |
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| US10546748B2 (en) | 2017-02-17 | 2020-01-28 | Lam Research Corporation | Tin oxide films in semiconductor device manufacturing |
| US11355353B2 (en) * | 2018-01-30 | 2022-06-07 | Lam Research Corporation | Tin oxide mandrels in patterning |
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| US10840082B2 (en) * | 2018-08-09 | 2020-11-17 | Lam Research Corporation | Method to clean SnO2 film from chamber |
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Family Cites Families (5)
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|---|---|---|---|---|
| US4708766A (en) * | 1986-11-07 | 1987-11-24 | Texas Instruments Incorporated | Hydrogen iodide etch of tin oxide |
| US5318664A (en) * | 1990-06-25 | 1994-06-07 | General Electric Company | Patterning of indium-tin oxide via selective reactive ion etching |
| US5286337A (en) * | 1993-01-25 | 1994-02-15 | North American Philips Corporation | Reactive ion etching or indium tin oxide |
| US5607602A (en) * | 1995-06-07 | 1997-03-04 | Applied Komatsu Technology, Inc. | High-rate dry-etch of indium and tin oxides by hydrogen and halogen radicals such as derived from HCl gas |
| US5667631A (en) * | 1996-06-28 | 1997-09-16 | Lam Research Corporation | Dry etching of transparent electrodes in a low pressure plasma reactor |
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