KR20010012636A - 이방성 유전 코팅을 포함하는 지문 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

이방성 유전 코팅을 포함하는 지문 센서 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010012636A
KR20010012636A KR1019997010597A KR19997010597A KR20010012636A KR 20010012636 A KR20010012636 A KR 20010012636A KR 1019997010597 A KR1019997010597 A KR 1019997010597A KR 19997010597 A KR19997010597 A KR 19997010597A KR 20010012636 A KR20010012636 A KR 20010012636A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dielectric
dielectric layer
integrated circuit
axis anisotropic
covering
Prior art date
Application number
KR1019997010597A
Other languages
English (en)
Inventor
데일 알. 세틀락
니콜라스 더블유. 반보노
찰스 마이크 뉴튼
매튜 엠. 살라티노
Original Assignee
에프. 스코트 무디
오쎈테크, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에프. 스코트 무디, 오쎈테크, 인코포레이티드 filed Critical 에프. 스코트 무디
Publication of KR20010012636A publication Critical patent/KR20010012636A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/10—Image acquisition
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1329—Protecting the fingerprint sensor against damage caused by the finger
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/117—Identification of persons
    • A61B5/1171—Identification of persons based on the shapes or appearances of their bodies or parts thereof
    • A61B5/1172—Identification of persons based on the shapes or appearances of their bodies or parts thereof using fingerprinting
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/05—Detecting, measuring or recording for diagnosis by means of electric currents or magnetic fields; Measuring using microwaves or radio waves 
    • A61B5/053—Measuring electrical impedance or conductance of a portion of the body
    • A61B5/0531—Measuring skin impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

지문 센서는 집적회로, 및 전계 감지 전극의 어레이를 한정하는 도전층을 포함하는 z축 이방성 유전재료의 보호 커버링을 포함한다. z축 이방성 유전층은 전계 감지 전극의 각각에 전계를 포커싱한다. 유전성 커버링은 비교적 얇으나, 재료의 z축 이방성 때문에 유전성 커버링을 통해 전파되는 전계의 디포커싱을 초래하지 않는다. z축 이방성 유전층은 경화된 매트릭스로 복수의 지향성 유전 입자에 의해 제공된다. z축 이방성 유전층은 폴리이미드 매트릭스로 배륨 티탄산염을 포함한다. 도전층은 집적회로와 용량성 결합을 허용하기 위한 복수의 용량성 결합 패드를 포함한다.

Description

이방성 유전 코팅을 포함하는 지문 센서 및 그 제조방법{FINGERPRINT SENSOR INCLUDING AN ANISOTROPIC DIELECTRIC COATING AND ASSOCIATED METHODS}
지문 감지 및 매칭은 개인 식별 또는 검증에 있어서 신뢰할 수 있으며 광범위하게 사용되는 기술이다. 특히, 지문 식별에 대한 공통 방법은 샘플 지문 또는 지문의 이미지를 스캐닝하고 단계 및 이미지 및/또는 지문 이미지의 고유 특성을 저장하는 단계를 포함한다. 샘플 지문의 특성은 데이터베이스에 이미 저장된 기준 지문에 대한 정보와 비교되어 예를 들어 검증을 위하여 개인에 대한 적당한 식별을 결정할 수 있다.
일반적인 전자 지문 센서는 가시광, 적외선광 또는 자외선 방사선을 이용하여 손가락 표면을 조사하는 것을 기초로 한다. 반사 에너지는 예를 들어 일부 형태의 카메라에 의하여 포착되고 이에 따른 이미지가 형성되고 디지털화되어 정적 디지털 이미지로서 저장된다. 미국특허 4,210,899는 예를 들어 개인이 소정 위치의 접근을 허용하거나 또는 컴퓨터 단말기에 접근을 허용하는 것과 같은 보안 접근 응용분야에 사용하기 위하여 중앙 처리 스테이션과 조합되는 광학 스캐닝 지문 판독기를 개시한다. 미국특허 4,525,859는 지문 이미지를 포착하는 비디오 카메라를 개시하며, 지문의 상세부분, 즉 지문 리지(ridge)의 가지 및 끝부분을 이용하여 기준 지문의 데이터베이스와 매칭되는 지를 결정한다.
불행하게도, 광학 감지는 오염된 손가락에 의하여 영향을 받을 수 있거나 또는 광학 센서는 실제 사람 지문이 아닌 지문의 사진 또는 인쇄된 이미지에 의하여 오인될 수 있다. 이외에도, 광학 구성은 손가락 접촉면 및 연관된 이미지 성분 사이에 비교적 큰 공간을 필요로 한다. 더욱이, 이러한 센서는 광학 구성의 정밀한 정렬 및 복잡한 스캐닝을 필요로한다.
미국특허 4,353,056은 진짜 지문을 감지하는 다른 방법을 개시한다. 특히, 상기 특허는 장치의 감지면과 평행한 면에 배치된 극소형 캐패시터의 어레이를 개시한다. 손가락이 감지면을 터치하여 표면을 변형시키면, 직렬 접속된 캐패시터의 전압 분포가 변화될 수 있다. 각각의 캐패시터상의 전압은 멀티플렉서 기술에 의하여 결정된다. 불행히도, 센서에 요구되는 탄성 재료는 장기간 신뢰도 문제를 가질 수 있다. 이외에도, 개별 캐패시터의 각각을 구동 및 스캐닝하기 위한 멀티플렉싱은 비교적 느리고 성가실 수 있다. 더욱이, 잡음 및 스트레이 캐패시턴스는 비교적 작고 밀접하게 간격진 복수의 캐패시터에 역효과를 미칠 수 있다.
미국특허 5,325,442는 다수의 감지 전극을 포함하는 지문 센서를 개시한다. 감지 전극의 능동 어드레싱은 각각의 감지 전극과 관련된 스위칭 장치의 공급에 의하여 가능하다. 캐패시터는 손가락 표면의 각각의 중첩 부분과 결합되는 각각의 감지 전극에 의하여 형성되며, 상기 손가락 표면은 접지 전위이다. 센서는 반도체 웨이퍼 및 집적 회로 기술을 이용하여 제조될 수 있다. 손가락이 위치하는 유전체는 감지 센서 어레이 위에 연속층으로서 제공될 수 있는 실리콘 질화물 또는 폴리이미드에 의하여 제공될 수 있다.
불행히도, 상기한 바와 같이 밀접하게 간격진 감지 전극의 어레이를 구동하는 것은 인접한 전극이 서로 영향을 미칠 수 있기 때문에 어렵다. 이러한 센서가 가지는 다른 어려움은 피부 및 어떤 오염물의 전도성이 사람들간에 심지어는 단일 지문에 대해서도 폭넓게 변화할 수 있을 경우 지문의 리지 및 밸리를 구별하는 능력이다. 대부분의 광학 센서와 같이 이러한 산세가 가지는 또다른 어려움은 사용가능한 신호 레벨 및 콘트라스트를 제공하여 지문의 리지 및 밸리의 정확한 결정으로 허용하기 위하여 지문의 상이한 부분들은 비교적 복잡한 포스트 이미지 수집 처리를 필요로 한다는 것이다. 미국특허 제4,811,414호에는 잡음 평균화, 조명 균등화, 지향성 필터링, 곡률 정정, 및 광학적으로 발생된 이미지에 대한 스케일 정정에 대한 방법이 개시되어 있다. 불행히도, 다양한 처리 단계들은 복잡하며 다운스트림 처리기에서 상당한 계산적인 파워를 필요로한다. 다른 지문회로의 신호 처리는 비교적 복잡하고 그러므로 비싸며 및/또는 느리다.
본 발명은 개인 식별 및 검증 분양에 관한 것이며, 특히 지문 감지 및 처리 분야에 관한 것이다.
도 1은 지문 센서의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 지문 센서의 회로 부분의 개략도이다.
도 3은 도 1에 도시된 지문 센서의 감지 부분의 확대된 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 지문 센서의 다른 회로 부분의 개략도이다.
도 5는 도 1에 도시된 지문 센서의 일부분에 대한 확대된 측단면도이다.
도 6은 선택적인 실시예의 지문 센서의 일부분에 대한 확대된 측단면도이다.
도 7은 도 1에 도시된 지문 센서의 다른 부분에 대한 확대된 측단면도이다.
도 8은 도 1에 도시된 지문 센서의 다른 회로 부분에 대한 개략도이다.
도 9는 도 8에 도시된 회로 부분에 대한 개략도이다.
도 10은 도 1에 도시된 지문 센서의 다른 회로 부분에 대한 개략도이다.
도 11은 도 10에 도시된 회로 부분의 다른 실시예에 대한 개략도이다.
도 12는 도 1에 도시된 지문 센서의 추가 회로 부분에 대한 개략도이다.
도 13은 도 12에 도시된 회로 부분의 다른 실시예에 대한 개략도이다.
본 발명은 지문을 감지하기 위한 전계 감지 전극의 어레이를 한정하는 적어도 하나의 도전층을 포함하는 집적회로 다이, 및 손가락에 의한 접촉을 위해 그리고 전계 감지 전극의 어레이에 인접한 유전성 커버링을 포함하는 지문 센서를 제공하며, 상기 유전성 커버링은 각 전계 감지 전극에 전계를 포커싱하기 위한 z축 이방성 유전층을 포함하며, 상기 z축 이방성 유전층은 집적회로 다이에 대한 최외부 보호면을 한정한다.
본 발명은 또한 지문 센서 제조 방법을 제공하는데, 상기 방법은 지문을 감지하기 위해 전계 감지 전극의 어레이를 한정하는 적어도 하나의 도전층을 포함하는 집적회로 다이를 형성하는 단계; 및 손가락에 의한 접촉을 위해 그리고 집적회로 다이의 전계 감지 전극의 어레이에 인접한 유전성 커버링을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 유전성 커버링은 집적회로 다이에 들어가서 손상시키는 습기에 대해 유전성 커버링을 통해 포커싱하기 위한 z축 이방성 유전층을 포함한다.
지문 센서는 집적회로 다이 및 유전성 커버링을 에워싸는 패키지를 포함한다. 지문 센서에 대해, 패키지는 전계 감지 전극의 어레이와 정렬된 개구를 가진다. 하나이상의 손가락 접촉면은 집적회로 다이에 전기적으로 연결되며 패키지에 의해 운반된다.
본 발명의 방법 특성은 지문 센서를 제조하는 것이다. 이 방법은 지문을 감지하기 위해 전계 감지 전극의 어레이를 한정하는 적어도 하나의 도전층을 포함하는 집적회로 다이를 형성하는 단계; 및 손가락에 의한 접촉을 위해 그리고 집적회로 다이의 전계 감지 전극의 어레이에 인접한 유전성 커버링을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 유전성 커버링은 집적회로 다이에 들어가서 손상시키는 습기에 대해 유전성 커버링을 통해 포커싱하기 위한 z축 이방성 유전층을 포함한다. 지문 센서에 대한 것과는 다른 본 발명의 일 실시예에서 z축 이방층은 다이의 회로에 대한 파워 및 신호의 용량성 결합을 허용하면서 집적회로 다이를 더 보호할 수 있는 효과적인 방법을 제공한다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명을 설명한다.
도 1-3은 지문 센서(30)를 도시하는데, 상기 지문 센서는 하우징 또는 패키지(51), 손가락 배치 표면을 제공하는 패키지의 상부 표면상에 노출된 유전체층(52) 및 다수의 외부 핀(도시안됨)을 포함한다. 상기 유전체층(52) 주위에 배치된 제 1도전 스트립 또는 회부 전극(54) 및 제 2외부 전극(53)은 손가락(79)에 대한 접촉 전극을 제공한다. 센서(30)는 처리 레벨에 따라 정교한 레벨 범위의 출력 신호를 제공할 수 있다.
지문 센서(30)는 도 3에 가장 잘 도시된 바와 같이 어레이 패턴 형태로 배열된 다수의 개별 화소 또는 감지 엘리먼트(30a)를 포함한다. 이들 감지 엘리먼트는 지문의 리지(59)를 감지하고 지문의 밸리(valley:60) 사이에 놓이도록 상대적으로 작다. 전자기 센서(30)에 의한 진짜 지문의 판독은 광학 감지보다 신뢰성이 있는데, 이는 리지와 밸리로된 패턴에서 손가락 피부의 임피던스를 모방하기가 힘들기 때문이다. 반대로, 광학 센서는 예를 들어 지문의 사신 또는 다른 유사한 이미지에 의하여 쉽게 오인될 수 있다.
센서(30)는 기판(65) 및 상기 기판 상에 형성된 하나 이상의 능동 반도체 디바이스, 예를 들어 도시된 증폭기(73)를 포함한다. 제 1금속층(66)은 능동 반도체 디바이스를 상호접속한다. 제 1 또는 접지면 전극층(68)은 제 1금속층(66)상에 위치하며 유전체층(67)에 의하여 분리된다. 제 3금속층(71)은 다른 유전체층970)위에 배치된다. 도시된 실시예에서, 제 1외부 전극(54)은 여기 구동 증폭기(74)에 연결되며, 상기 증폭기는 약 1KHz 내지 1MHz 범위인 신호로 손가락(79)을 구동시킨다. 따라서, 구동 또는 여기 전자회로부분은 상대적으로 간단하여 지문 센서(30)의 전체 비용은 낮아지고, 신뢰성은 커진다.
실시예의 원형 전계 감지 전극(78)은 절연층(70)상에 배치된다. 감지 전극(78)은 개략적으로 도시된바와 같이 기판(65)에 인접하게 형성된 증폭기(73)와 같은 감지 집적 전자 회로에 연결될 수 있다.
환형 실드 전극(80)은 일정한 간격을 유지하면서 감지 전극(78)을 감싼다. 공지된 바와 같이, 감지 전극(78) 및 그 주위를 감싸는 실드 전극(80)은 예를 들어 6각형과 같은 다른 형상을 가질 수 있어 화소 또는 감지 엘리먼트(30a)의 어레이 또는 배열이 조밀하게 배치하도록 할 수 있다. 실드 전극(80)은 증폭기(73)의 출력에 의하여 구동되는 능동 실드 전극이어서 전계 에너지를 포커싱하도록 하며 따라서 인접 전계 감지 전극(78)을 구동할 필요성을 감소시킨다.
센서(30)는 세 개의 금속 또는 도전층(66, 68, 71)만을 포함한다. 센서(30)는 추가의 금속층이 필요 없이 만들어질 수 있으며, 추가의 금속층이 요구될 경우 제조비용이 증가하고 수율이 감소할 것이다. 따라서, 본 발명의 센서(30)는 4개 이상의 금속층을 포함하는 센서보다 비용이 적게들며, 튼튼하며 신뢰성이 있다.
증폭기(73)는 실드 전극(80)을 구동하도록 일 이상의 이득에서 동작될 수 있다. 안정성 문제는 증폭기(73)의 동작에 악영향을 미치지 못한다. 또한, 공통 모드 및 잡음 방지가 본 발명의 이러한 특성에 따라 향상된다. 또한, 일 이상의 이득은 공지된 바와 같이 감지 전극(78)에 전계를 포커싱하도록 한다.
감지 엘리먼트(30a)는 매우 낮은 전류 및 매우 낮은 임피던스에서 동작한다. 예를 들어, 각각의 감지 전극(78)으로부터의 출력 신호는 바람직하게 5 내지 10밀리볼트이어서 잡음 영향을 감소시키고 신호를 양호하게 처리하도록 한다. 각각의 감지 엘리먼트(30a)의 근사치 직경은 실드 전극(80)의 외경에 의하여 한정되는데, 이는 약 0.002 내지 0.005인치이다. 접지면 전극(68)은 예기치 않은 여기상태로부터 능동 전자 소자를 보호한다. 전극(78, 80)으로부터 능동 전자 회로로의 여러 가지 신호 공급 도체는 용이하게 형성될 수 있다.
센서(30)의 전체 접촉 또는 감지 표면은 바람직하게 사이즈가 0.5인치×0.5인치인데, 상기 사이즈는 용이하게 제조될 수 있으며 정확한 지문 감지 및 식별에 충분한 크기의 표면을 제공한다. 본 발명의 센서(30)는 무효 화소 또는 감지 엘리먼트(30a)에 대하여 충분한 공차를 제공한다. 일반적인 센서(30)는 약 256×256 화소 또는 센서 엘리먼트 어레이를 포함하지만, 다른 어레이 사이즈는 본 발명에 의하여 고려될 수 있다. 센서(30)는 또한 일차적으로 통상적인 반도체 제조 기술을 이용하여 한번에 제조될 수 있어 제조 비용을 상당히 감소시킬 수 있다.
도 4에서, 본 발명의 센서(30)의 다른 특징이 설명된다. 센서는 손가락 감지 블록 또는 회로(101)에 의하여 결정되는 바와 같이 손가락이 제 1외부 전극(54)과 접촉할 때를 기초로 능동회로부(100)의 동작을 제어하는 파워 제어 수단을 포함할 수 있다. 예를 들어, 손가락 감지 회로(101)는 발진기에 대한 임피던스 변화에 기초하여 동작될 수 있어 손가락 접촉을 결정한다. 물론, 손가락과의 접촉을 감지하는 다른 방법이 본 발명에서 고려될 수 있다. 파워 제어 수단은 손가락이 제 1외부 전극과 접촉했는지를 감지했을 때만 능동회로부에 전원을 공급하는 웨이크업 수단을 포함하여 파워 소모를 감소시킬 수 있다. 선택적으로 또는 부가적으로, 파워 제어 수단은 또한 손가락이 제 1외부 전극과 접촉하지 않았다는 것을 감지할 때 능동회로부를 접지시키는 보호 수단을 포함할 수 있다. 도시된 실시예에서, 웨이크업 및 보호 제어 회로(101)의 결합이 도시되어 있다.
지문 센서(30)는 접촉시 손가락 또는 다른 대상물로부터 전하를 방출시키는 손가락 전하 방출 수단을 더 포함한다. 손가락 전하 방출 수단은 손가락에 의하여 접촉하도록 패키지(51)에 제공된 제2 외부 전극(53) 및 제2 외부 전극과 접지사이에 연결된 전하 방출 저항기(104)에 의하여 제공된다. 도 4의 상부우측에 개략적으로 도시된 바와 같이, 제 2전극은 선택적으로 노출된 상부 유전체층(52)에 대한 개구를 커버링하도록 패키지(51)에 미끄러지도록 접속된 도전성 이동가능 덮개(53')에 의하여 제공될 수 있다. 피봇적으로 접속된 덮개가 또한 본 발명에서 고려될 수 있다. 따라서, 정상 조건에서, 전하는 덮개(53')가 센서(30)의 감지 부분을 노출하도록 이동될 때 손가락으로부터 방출된다.
손가락 전하 방출 수단 및 파워 제어 수단은 예를 들어 웨이크업 중에 당업자가 잘 알고 있는 바와 같이 전하가 저항기(104)를 통하여 방전되기에 충분한 짧은 지연을 제공함으로써 능동회로부를 파워링하기 전에 전하 방출 수단이 손가락상의 전하를 제거할 수 있을 때 까지 능동회로부가 접지상태를 유지하도록 한다. 따라서, 센서(30)에서 파워 소모가 감소되고 센서에 의하여 ESD 보호가 제공되어, 센서는 상대적으로 비용이 적게들고, 튼튼하며, 파워 소모가 적어진다.
도 5와 관련하여, 센서(30)의 다른 특징이 설명된다. 유전체 덮개(52)는 바람직하게 각각의 전계 감지 전극(78)에서, 도시된 필드 라인으로 도시된 전계를 포커싱하는 z-축 이방성 유전층(110)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 유전층(110)은 상대적으로 두껍지만, 이를 통하여 전파되는 전계를 디포커싱하지는 않는데, 이는 z-축의 이방성 재료 때문이다. 일반적으로 필드 포커스와 기계적 보호는 상충된다. 불행하게도, 포커싱에 적합한 얇은 막은 하부의 회로를 쉽게 손상되도록 할 수 있다.
예를 들어, 본 발명의 z-축 이방성 유전층(110)은 약 0.0001 내지 0.004인치의 두께를 가질 수 있다. 물론, z-축 이방성 유전층(110)은 바람직하게 화학적 기계적으로 강해서 손가락과의 접촉에 견디고 솔벤트로 주기적으로 세척가능하다. z-축 이방성 유전층(110)은 바람직하게 집적 회로 다이(120)에 대한 최외각 보호면을 한정할 수 있다. 따라서, 전체 유전체 커버링(52)은 또한 집적 회로 다이(120) 위에 그리고 z-축 이방성 유전층(110) 뒤에 적어도 하나의 상대적으로 얇은 산화물, 질화물 카바이드 또는 다이아몬드층(111)을 포함할 수 있다. 박층(111)은 일반적으로 상대적으로 경질이며, z-축 이방성 유전체층(110)은 바람직하게 연질이어서 기계적 충격을 더 흡수한다.
z-축 이방성 유전층(110)은 경화된 매트릭스에서 배향된 다수의 유전체 입자에 의하여 제공될 수 있다. 예를 들어, z-축 이방성 유전층(110)은 폴리이미드 매트릭스에 바륨 티탄에이트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 일부 세라믹은 유전체 이방성을 나타낸다.
도 6에서, z-축 유전체 덮개(52')의 다른 변형이 대응하는 전계 감지 전극(78)과 정렬된 다수의 고유전체 부분(112) 및 이를 감싸는 저 유전체 매트릭스 부분(113)으로 도시되어 있다. 본 실시예의 유전체 덮개(52')는 예를 들어 고유전체 부분 또는 저 유전체 부분중 하나로된 층을 형성하고, 이를 선택적으로 에칭하고 그리고 개구부를 반대 물질로 채움으로써 형성될 수 있다. 다른 방법은 분극가능한 마이크로캡슐을 이용하고 매트릭스 물질의 경화 중에 마이크로캡슐에 전계를 가하는 것이다. 물질은 z-축 이방성이 되도록 압축될 수 있다. 당업자에게 명확한 바와 같이 레이저 및 다른 선택적인 처리 기술이 이용될 수 있다.
본 발명의 다른 특징은 집적 회로 다이(120)의 전체 상부면을 완전하게 커버하고 보호할 수 있다는 것이며 그리고 도 7을 참조로 설명되는 바와 같이 외부 디바이스 및 회로와 접속 및 소통된다는 것이다. 제 3금속층(71)(도 2)은 바람직하게 집적 회로 다이(120)의 용량성 결합을 허용하는 다수의 용량성 결합 패드(116a-118a)를 더 포함할 수 있다. 따라서, 유전체 덮개(52)는 바람직하게 용량성 커플링 패드(116a-118a) 및 화소(30a)(도 1)의 전계 감지 전극(78) 어레이 위에서 연속된다. 본 발명의 이러한 특징과 대조적으로, 종래에는 본드 패드에 전기적으로 연결하기 위한 외부 코팅을 통해 개구를 형성하였다. 불행하게도, 이러한 개구는 물 및/또는 다른 오염물에 대한 경로를 제공하여 다이가 이와 접촉하게 되어 손상되도록 하였다.
패키지(51) 부분은 대응하는 패드(115b-118b)를 가진 인쇄 회로 보드(122)를 포함한다. 파워 변조 회로(124)는 패드(115b-116b)에 결합되는 반면, 신호 변조 회로(126)는 패드(117b-118b)에 결합된다. 당업자에게 쉽게 이해될 수 있는 바와 같이, 신호 및 파워는 인쇄회로기판(122)과 집적회로 다이(120) 사이에 용이하게 결합될 수 있으며, 파워 변조/조절 회로(127), 및 신호 변조 회로(128)를 추가로 이용할 수 있다. z-축 이방성 유전층(110)은 인접한 용량성 결합 패드들 사이의 혼선을 이롭게 감소시킨다. 본 발명의 이 실시예는 집적회로 다이(120)에 들어가서 다이를 손상시키는 습기를 유전성 덮개(52)를 통해 침투하지 못하도록 한다.
도시한 지문 센서(30)에 대하여, 패키지(51)는 전계 감지 전극(78)의 어레이로 정렬된 개구를 가진다(도 1-3). 용량성 결합 및 z-축 이방층(110)은 지문 센서(30)외에도 여러 가지 적용분야에 이롭게 사용될 수 있으며, 특히, 집적회로 다이(120) 및 패드(116a-118a)의 상부면을 덮는 연속막을 가지는 것이 바람직하다.
도 8 및 도 9를 참조하여, 본 발명의 임피던스 매트릭스 필터링 특성을 설명한다. 도 8에 도시한 바와 같이, 지문 센서(30)는 지문 이미지에 관련된 신호를 발생하기 위한 관련 능동 회로(131) 및 지문 감지 엘리먼트(130)의 어레이를 포함하는 것으로 고려될 수 있다. 도시된 센서(30)는 그것으로부터 신호를 필터링하기 위한 능동 회로에 연결된 임피던스 매트릭스(135)를 포함한다.
도 9에 도시된 바와 같이, 임피던스 매트릭스(135)는 복수의 임피던스 엘리먼트를 가지며 각 임피던스 엘리먼트는 중앙 노드(138)에 의해 지시된 바와 같이 각각의 지문 감지 엘리먼트의 각 능동회로와 다른 능동 회로(외부 노드(140)) 사이에 연결가능하다. 임피던스 매트릭스(135)는 또한 복수의 스위치(137)를 가지며 각 스위치는 각 임피던스 엘리먼트(136)와 직렬로 접속된다. 입력 신호는 스위치(142) 및 연관된 임피던스 엘리먼트(143)를 경유하여 중앙 노드(138)에 공급될 수 있다. 임피던스 엘리먼트는 도시된 바와 같이 하나이상의 저항 및 캐패시터(134)일 수 있다.
필터 제어 수단은 능동 회로(131)에 의해 발생된 신호의 처리를 수행하기 위하여 스위치(137)를 동작시킨다. 일 실시예에서, 지문 감지 엘리먼트(130)는 전계 감지 전극(78)일 수 있으며, 능동 회로(131)는 증폭기(73)일 수 있다. 물론 다른 감지 엘리먼트 및 능동 회로는 본 발명의 임피던스 매트릭스 필터링으로부터 이점을 제공할 것이다.
리지 흐름 결정수단(145)은 지문 이미지의 리지 흐름 방향을 결정하기 위하여 매트릭스(137)의 스위치를 선택적으로 동작시키기 위해 제공될 수 있다. 특히, 리지 흐름 결정 수단(145)은 지문 이미지의 리지 흐름 방향에 관한 신호 세기 벡터를 결정하기 위해 스위치(137)를 선택적으로 동작시킬 수 있다. 리지 흐름 방향은 공지된 회전 슬릿 원리를 기초로하여 결정될 수 있다.
센서(30)는 지문 이미지의 코어 위치를 결정하기 위해 리지 흐름 결정 수단(145)과 협조하는 코어 위치 결정 수단(146)을 포함할 수 있다. 코어의 위치는 예를 들면 지문 이미지로부터 상세한 내용을 추출 및 처리하는데 도움이 된다.
도 8에 개략적으로 도시된 바와 같이, 이진 필터(150)는 그레이 스케일 지문 이미지를 이진화된 지문 이미지로 변환하기 위하여 스위치(137)를 선택적으로 동작시키기 위해 제공된다. 다른 방법을 고려하면, 임피던스 매트릭스(135)는 동적 이미지 콘트라스트 향상을 제공하기 위하여 사용될 수 있다. 그밖에도, 에지 평활 필터(155)는 이미지를 개선시키도록 수행된다. 개략적으로 도시한 바와 같이, 다른 공간 필터(152)들은 당업자가 쉽게 인지할 수 있는 바와 같이 지문 이미지를 공간적으로 필터링하기 위하여 스위치를 효과적으로 동작시키기 위해 임피던스 매트릭스(135)룰 이용하여 실시될 수 있다. 따라서, 지문 이미지의 처리는 센서(30)에서 수행될 수 있으며 그것에 의해 부가적인 다운스트림 계산 요건을 감소시킬 수 있다.
도 9에서 임피던스 매트릭스(135)는 복수의 임피던스 엘리먼트를 포함하며 각 임피던스 엘리먼트는 소정의 지문 감지 엘리먼트(130)에 대한 각 능동회로와 각각의 인접한 지문 감지 엘리먼트에 대한 8개의 다른 능동회로 사이에 연결가능하다.
본 발명의 다른 특징은 능동회로(131)를 순차적으로 파워링하여 파워를 보존하기 위한 제어수단(153)이다. 각 임피던스 엘리먼트(136)는 필터링 기능을 수행하기 위하여 순차적으로 연결된다. 파워링된 능동회로는 클라우드(cloud)나 커넬(kernel)를 한정하도록 고려될 수 있다. 파워 제어 수단(153)은 어댑티브 방식으로 동작될 수 있으며 그것에 의해 필터링을 위해 사용된 영역의 크기는 바람직한 이미지 특성을 위해 동적으로 변화된다. 이외에도, 파워 제어 수단(153)은 감지 엘리먼트(130)의 어레이의 소정의 영역에 상응하는 능동회로중 임의의 하나만을 파워링할 수 있다. 예를 들면, 모든 다른 능동회로는 큰 영역의, 감소된 파워 소모를 제공하도록 파워링될 수 있다.
판독기 제어 수단(154)은 인접한 능동회로로부터의 기여가 필터링을 위해 사용될 수 있도록 각 세트의 능동회로(131)중 소정의 서브세트만을 판독하도록 제공될 수 있다. 즉, 인접한 능동회로(131) 및 연관된 임피던스 엘리먼트(136)가 각각 파워링되고 연결된다 하더라도 서브세트의 능동회로(131)만이 동시에 판독된다. 예를 들면, 16 임피던스 엘리먼트(136)는 서브세트를 한정하며 동시에 쉽게 판독될 수 있다. 서브세트 크기는 결정될 상이한 크기의 특성을 위해 최적화될 수 있다.
따라서, 감지 엘리먼트(130)의 어레이는 빨리 판독될 수 있으며, 모든 능동회로(131)들이 소정 세트의 능동회로를 판독하기 위해 파워링될 필요가 없기 때문에 파워 소모가 실질적으로 감소된다. 일반적인 센서에 대하여, 파워 제어 및 임피던스 매트릭스 특성의 조합은 전체 어레이를 파워링하는 것과 비교할 때 약 10의 팩터만큼 파워를 절약할 수 있을 것이다.
지문 센서(30)는 진짜 지문 이미지로서 시뮬레이트된 이미지를 부정확하게 처리하게 되어 센서가 속는 것을 보호하는 것이다. 예를 들면, 광학 센서는 지문 이미지를 가진 종이를 사용함으로써 속을 수 있다. 본 발명의 지문 센서(30)의 단일 전계 감지는 손가락의 합성 임피던스를 기초로하여 속는 것을 방지하기 위한 효과적인 방법을 제공한다.
도 10에 도시된 바와 같이, 지문 센서(30)는 손가락(79)이나 그것에 인접하게 위치된 대상물에 관한 신호를 발생하기 위해 임피던스 감지 엘리먼트(160)의 어레이를 포함하는 것으로 고려될 수 있다. 여기에 개시된 실시예에서, 임피던스 감지 엘리먼트(160)는 전계 감지 전극(78) 및 그것에 연관된 증폭기(73)(도 2)에 의해 제공된다. 그외에도, 보호 실드(80)는 각 전계 감지 전극과 연관되며 각 증폭기(73)에 연결될 수 있다. 속임 방지 수단(161)은 임피던스 감지 엘리먼트(160)의 어레이에 인접하게 위치된 대상물의 임피던스가 진짜 손가락(79)에 상응하는지를 결정하기 위해 제공되며 그것에 의해 진짜 손가락보다 대상물에 의해 지문 센서의 속임을 방지한다. 속임은 개략적으로 도시된 램프(163)에 의해서와 같이 지시될 수 있으며 및/또는 부가 처리를 차단하는데 사용될 수 있다. 택일적으로, 진짜 지문 결정은 램프(164)에 의해 지시될 수 있으며 및/또는 지문 이미지의 부가 처리를 하는데 사용될 수 있다. 진짜 지문이나 시도된 속임을 지시하기 위한 많은 다른 옵션은 당업자에게 쉽게 인지될 것이다.
일 실시예에서, 속임 방지 수단(161)은 진짜 손가락(79)에 상응하는 약 10 내지 60도의 범위에서 위상각을 가지는 합성 임피던스를 검출하기 위하여 임피던스 결정 수단을 포함할 수 있다. 택일적으로, 속임 방지 수단(161)은 예를 들면 이미지를 가지는 종이 시트와 같은 진짜 손가락과는 달리 어떤 대상물에 상응하는 약 0도의 위상각을 가지는 임피던스를 검출할 수 있다. 그외에도, 속임 방지 수단(161)은 다른 대상물에 상응하는 90도의 임피던스를 검출할 수 있다.
도 11에서, 속임 방지 수단의 다른 실시예가 설명된다. 지문 센서(30)는 도시된 여기 증폭기(74)(도2)와 같이 임피던스 감지 엘리먼트(160)의 어레이를 구동하기 위한 구동수단을 포함한다. 센서는 또한 임피던스 감지 엘리먼트(160)의 어레이로부터 신호를 동기적으로 복조하기 위한 동기 복조 수단(170)을 포함한다. 따라서, 본 발명의 특히 유리한 실시예에서, 속임 방지 수단은 적어도 하나의 소정의 위상 회전각으로 동기 복조 수단(170)을 동작시키기 위한 수단을 포함한다. 예를 들면, 동기 복조 수단(170)은 약 10 내지 60도의 범위에서 동작될 수 있으며, 크기는 진짜 지문을 나타내는 소정 임계치에 비교된다. 진짜 지문은 전형적으로 10 내지 60도 범위내의 합성 임피던스를 가진다.
택일적으로, 비율 발생 및 비교 수단(172)은 제1 및 제2 위상각 θ1,θ2으로 신호를 동기적으로 복조하고, 그 진폭 비율을 발생하며, 대상물이 진자 지문인지 다른 대상물인지를 결정하기 위하여 진폭비율과 소정의 임계치를 비교하기 위해 동기 복조 수단(170)과 협조하도록 제공된다. 따라서, 동기 복조기(170)는 진짜 손가락이 아닌 다른 대상물에 의해 센서(30)의 속임을 방지하기는데 적정한 임피던스 정보를 발생하는데 사용된다. 제1 및 제2 위상각 θ1,θ2은 예를 들면, 45 내지 90도의 범위에서 차이를 가질 수 있다. 다른 각들은 당업자에 의해 인지될 수 있는 바와 같이 본 발명에 의해 예상된다.
지문 센서(30)는 상이한 손가락에 의해 또는 상이한 상태하에서 발생된 이미지 신호의 세기의 차를 처리하고, 처리 변화에 의해 초래되는 센서의 차를 처리하기 위하여 자동 이득 제어 특성부를 포함한다. 지문 이미지를 정확하게 생성하기 위하여, 센서는 지문의 리지와 밸리 사이를 식별할 수 있는 것이 중요하다. 따라서, 센서(30)는 이득 제어 특성부를 포함하며, 그 제1 실시예가 도 12를 참조로 이해될 것이다.
도 12에 도시된 바와같이, 지문 센서(30)의 설명된 부분은 전계 감지 전극(78)의 형태로 지문 감지 엘리먼트의 어레이를 포함하며 증폭기(73)에 연결된 실드 전극(80)을 에워싼다. 다른 지문 감지 엘리먼트는 자동 이득 제어 실시로부터 유리할 것이다.
센서(30)의 신호 처리 회로는 도시한 바와 같이 복수의 아날로그 대 디지털(A/D) 컨버터(180)를 포함한다. 더욱이, 이들 A/D 컨버터(180)의 각각은 제어가능한 스케일을 가질 수 있다. 스캐닝 수단(182)은 A/D 컨버터(180)의 뱅크에 다른 엘리먼트를 순차적으로 연결시킨다. 이득 처리기(185)는 이전의 A/D 변환을 기초로 A/D 컨버터(180)의 범위를 제어하기 위한 범위 결정 및 세팅수단을 제공하며 그것에 의해 향상된 변환 분해능을 제공한다. A/D 컨버터(180)는 범위의 세팅을 허용하기 위해 기준 전압 입력 Vref과 오프셋 전압 입력 Voffset을 포함한다. 따라서, 범위 결정 및 세팅 수단은 A/D 컨버터(180)의 기준 전압 입력 Vref과 이득 처리기(185) 사이에 연결된 제1 디지털 대 아날로그(D/A) 컨버터(186)를 포함한다. 이외에도, 제2 D/A 컨버터(189)는 이득 처리기(185)로부터 오프셋 전압 입력 Voffset에 연결되어 있다.
이득 처리기(185)는 이전 A/D 변환을 기초로하여 상기한 바와 같이 히스토그램을 발생하기 위한 히스토그램 발생 수단을 포함할 수 있다. 도 12에서 이득 처리기(185)에 인접한 그래프는 일반적인 히스토그램 플롯(191)을 도시한다. 히스토그램 플롯(191)은 지문의 감지된 리지 및 밸리에 상응하는 두 개의 피크를 포함한다. A/D 컨버터(180)에 대한 범위를 세팅함으로써, 피크는 원하는대로 쉽게 위치설정되며 그것에 의해 상기한 변화를 처리하고 A/D 컨버터(180)의 전체 분해능을 사용하게 된다.
도 13에서, A/D 컨버터(180)는 범위의 세팅을 허용하기 위해 연관된 입력 증폭기를 포함할 수 있다. 이 변화에서, 범위 결정 및 세팅 수단은 이득 처리기(185)를 포함할 수 있으며, 증폭기는 처리기에 연결된 프로그램가능한 이득 증폭기(PGA)(187)이다. 이득 처리기(185)로부터 출력된 디지털 워드는 A/D 컨버터(180)의 분해능의 완전 사용이 최상의 정확도를 위해 얻어지도록 PGA(187)의 이득을 세팅한다. D/A 컨버터(192)를 통해 증폭기(187)에 연결되고 이득 처리기(185)로부터 출력된 제2 디지털 워드는 증폭기의 오프셋을 제어할 수 있다.
이득 처리기(185)의 범위 결정 및 세팅 수단은 지문 감지 엘리먼트의 초기 하나에 대한 디폴트 범위를 세팅하기 위한 디폴트 세팅 수단을 포함할 수 있다. 본 발명의 자동 이득 제어 특성부는 D/A 컨버터(180)가 완전 분해능 범위에 걸쳐 동작되도록 하며 그것에 의해 이미지 신호 처리의 정확도가 증가된다.
지문 센서는 전계 감지 전극의 어레이를 한정하는 도전층을 포함하는, z축 이방성 유전성 재료의 보호 커버링과 집적회로 다이를 포함한다. z축 이방성 유전층은 전계 감지 전극의 각각에서 전계를 포커싱한다. 유전성 커버링은 비교적 두꺼우나, 재료의 z축 이방성 때문에 유전성 커버링을 통해 전파하는 전계의 디포커싱을 초래하지 않는다. z축 이방성 유전층은 경화된 매트릭스로 지향된 복수의 유전성 입자에 의해 제공된다. z축 이방성 유전층은 폴리마이드 매트릭스에서 배륨 티탄산염을 포함한다. 도전층은 집적회로 다이와 용량성 결합을 허용하기 위해 복수의 용량성 결합 패드를 포함한다.

Claims (16)

  1. 지문을 감지하기 위한 전계 감지 전극의 어레이를 한정하는 적어도 하나의 도전층을 포함하는 집적회로 다이; 및
    손가락에 의한 접촉을 위해 전계 감지 전극의 어레이에 인접한 유전성 커버링을 포함하며,
    상기 유전성 커버링은 각 전계 감지 전극에 전계를 포커싱하기 위한 z축 이방성 유전층을 포함하며, 상기 z축 이방성 유전층은 상기 집적회로 다이에 대한 최외부 보호면을 한정하는 것을 특징으로 하는 지문 센서.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 z축 이방성 유전층은 0.0001 내지 0.0004 인치 범위의 두께를 가지며, 화학적으로 탄성이고 기계적으로 단단한 것을 특징으로 하는 지문 센서.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, 상기 z축 이방성 유전층은 경화된 매트릭스로 복수의 지향성 유전 입자를 포함하며, 폴리이미드 매트릭스로 배륨 티탄산염을 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 센서.
  4. 제1항 내지 3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 z축 이방성 유전층은 상응하는 전계 감지 전극과 정렬된 고유전부의 어레이, 및 상기 고유전부를 에워싸는 저유전부의 매트릭스를 포함하며, 상기 유전성 커버링은 상기 집적회로 다이상에 그리고 상기 z축 이방성 유전층 아래에 산화물, 질화물, 탄화물, 및 다이아몬드로 이루어진 적어도 하나의 비교적 얇은 박층을 더 포함하며, 상기 적어도 하나의 도전층은 상기 집적회로 다이와 용량성 결합을 허용하기 위해 복수의 용량성 결합 패드를 포함하며, 상기 유전성 커버링은 전계 감진 전극의 어레이 및 용량성 결합 패드 위로 연속적이며 그것에 의해 상기 z축 이방성 유전층은 인접한 용량성 결합 패드 사이에 크로스토크를 감소시키는 것을 특징으로 하는 지문 센서.
  5. 전계 감지 전극의 어레이를 한정하는 적어도 하나의 도전층 및 복수의 용량성 결합 패드를 포함하는 집적회로 다이; 및
    상기 집적회로 다이의 용량성 결합 패드와 전계 감지 전극의 어레이에 인접한 유전성 커버링을 포함하며,
    상기 유전성 커버링은 상기 전계 감지 전극의 각각에 전계를 포커싱하고 상기 용량성 결합 패드 사이의 크로스토크를 감소시키기 위한 z축 이방성 유전층을 포함하며, 상기 z축 이방성 유전층은 상기 집적회로 다이에 대한 최외부 보호면을 한정하며, 상기 z축 이방성 유전층은 0.0001 내지 0.0004 인치 범위의 두께를 가지며, 화학적으로 탄성이고 기계적으로 단단한 것을 특징으로 하는 지문 센서.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 z축 이방성 유전층은 경화된 매트릭스로 복수의 지향성 유전 입자를 포함하고, 폴리이미드 매트릭스로 배륨 티탄산염을 포함하며, 상응하는 전계 감지 전극과 정렬된 고유전부의 어레이, 및 상기 고유전부를 에워싸는 저유전부의 매트릭스를 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 센서.
  7. 제 5항 또는 6항에 있어서, 상기 유전성 커버링은 상기 집적회로 다이상에 그리고 상기 z축 이방성 유전층 아래에 산화물 ,질화물, 탄화물 및 다이아몬드의 적어도 하나의 비교적 얇은 층을 포함하며, 상기 집적회로 다이와 유전성 커버링을 에워싸는 패키지를 더 포함하며, 상기 패키지는 전계 감지 전극의 어레이와 정렬된 개구, 및 센서가 지문 센서가 되도록 상기 집적회로 다이에 전기적으로 연결되며 상기 패키지에 의해 운반되는 적어도 하나의 손가락 접촉면을 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 센서.
  8. 복수의 용량성 결합 패드를 한정하는 작아도 하나의 도전층을 포함하는 집적회로 다이; 및 상기 집적회로 다이의 용량성 결합 패드에 인접한 유전성 커버링을 포함하며, 상기 유전성 커버링은 인접한 용량성 결합 패드 사이의 크로스토크를 감소시키기 위한 z축 이방성 유전층을 포함하며, 상기 z축 이방성 유전층은 상기 집적회로 다이에 대한 최외부 보호면을 한정하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 z축 이방성 유전층은 0.0001 내지 0.0004 인치 범위의 두께를 가지며, 화학적으로 탄성이고 기계적으로 단단하며, 경화된 매트릭스로 복수의 지향성 유전 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  10. 제 8항 또는 9항에 있어서, 상기 z축 이방성 유전층은 폴리이미드 매트릭스로 배륨 티탄산염을 포함하며, 상응하는 전계 감지 전극과 정렬된 개구, 및 고유전부를 에워싸는 자유전부의 매트릭스를 포함하며, 상기 집적회로 다이상에 그리고 상기 z축 이방성 유전층 아래에 산화물, 질화물, 탄화물, 및 다이아몬드의 적어도 하나의 비교적 얇은 층을 포함하며, 상기 집적회로 다이와 유전성 커버링을 에워싸는 패키지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  11. 지문을 감지하기 위해 전계 감지 전극의 어레이를 한정하는 적어도 하나의 도전층을 포함하는 집적회로 다이를 형성하는 단계; 및
    손가락에 의한 접촉을 위해 그리고 집적회로 다이의 전계 감지 전극의 어레이에 인접한 유전층 커버링을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 유전층 커버링은 전계 감지 전극의 각각에 전계를 포커싱하기 위한 z축 이방성 유전층을 포함하며, 상기 유전성 커버링 형성단계는 상기 z축 이방성 유전층이 집적회로 다이에 대한 최외부 보호면을 한정하도록 동일하게 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 센서 제조 방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 유전성 커버링 형성단계는 z축 이방성 유전층이 0.0001 내지 0.0004 인치 범위의 두께를 가지도록 형성되는 단계를 포함하며, 상기 유전성 커버링 형성단계는 z축 이방성 유전층이 화학적으로 탄성이고 기계적으로 단단하도록 형성되는 단계를 포함하며, 상기 유전성 커버링 형성단계는 z축 이방성 유전층이 경화된 매트릭스로 복수의 지향성 유전 입자를 포함하도록 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 센서 제조 방법.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 유전성 커버링 단계는 z축 이방성 유전층이 폴리이미드 매트릭스로 배륨 티탄산염을 포함하도록 형성되며, 상기 유전성 커버링 형성단계는 z축 이방성 유전층이 상응하는 전계 감지 전극과 정렬된 고유전부의 어레이, 고유전부를 에워싸는 저유전부의 매트릭스, 및 상기 집적회로 다이상에 그리고 z축 이방성 유전층 아래에 산화물, 질화물 탄화물 및 다이아몬드의 적어도 하나의 비교적 얇은 층을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 지문 센서 제조 방법.
  14. 제11항,12항, 또는 13항에 있어서, 상기 적어도 하나의 도전층 형성 단계는 집적회로 다이와 용량성 결합을 허용하기 위하여 복수의 용량성 결합 패드를 포함하도록 형성되며, 상기 유전성 커버링 형성단계는 전계 감지 전극의 어레이와 용량성 결합 패드 위로 연속적으로 동일하게 형성되며 그것에 의해 z축 이방성 유전층은 인접한 용량성 결합 패드 사이의 크로스토크를 감소시키며, 상기 집적회로 다이와 유전성 커버링을 에워싸는 패키지를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 패키지는 전계 감지 전극의 어레이와 정렬된 개구를 가지는 것을 특징으로 하는 지문 센서 제조 방법.
  15. 집적회로 다이를 제공하는 단계; 및 상기 집적회로 다이에 인접한 유전성 커버링을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 유전성 커버링은 z축 유전성 유전층을 포함하며,
    상기 유전성 커버링 형성단계는 z축 이방성 유전층이 집적회로에 대한 최외부 보호면을 한정하도록 형성되며, 상기 유전성 커버링 형성 단계는 z축 이방성 유전층이 0.0001 내지 0.0004 인치의 두께를 가지도록 형성되며, 상기 유전성 커버링 형성 단계는 z축 이방성 유전층이 화학적으로 탄성이고 기계적으로 단단하도록 형성되며, 상기 유전성 커버링 형성 단계는 z축 이방성 유전층이 경화된 매트릭스로 복수의 지향성 유전 입자를 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 집적회로 제조 방법.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 유전층 형성단계는 상기 유전성 커버링 단계는 z축 이방성 유전층이 폴리이미드 매트릭스로 배륨 티탄산염을 포함하도록 형성되며, 상기 유전성 커버링 형성단계는 z축 이방성 유전층이 상응하는 전계 감지 전극과 정렬된 고유전부의 어레이, 및 고유전부를 에워싸는 저유전부의 매트릭스를 포함하도록 형성되며, 상기 유전성 커버링은 상기 집적회로 다이상에 그리고 z축 이방성 유전층 아래에 산화물, 질화물 탄화물 및 다이아몬드의 적어도 하나의 비교적 얇은 층을 포함하며, 상기 집적회로 다이와 유전성 커버링을 에워싸는 패키지를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 제조 방법.
KR1019997010597A 1997-05-16 1998-05-06 이방성 유전 코팅을 포함하는 지문 센서 및 그 제조방법 KR20010012636A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/858,005 1997-05-16
US08/858,005 US6088471A (en) 1997-05-16 1997-05-16 Fingerprint sensor including an anisotropic dielectric coating and associated methods

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010012636A true KR20010012636A (ko) 2001-02-26

Family

ID=25327216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019997010597A KR20010012636A (ko) 1997-05-16 1998-05-06 이방성 유전 코팅을 포함하는 지문 센서 및 그 제조방법

Country Status (8)

Country Link
US (2) US6088471A (ko)
EP (1) EP0983572B1 (ko)
JP (1) JP4082467B2 (ko)
KR (1) KR20010012636A (ko)
CN (1) CN1278347A (ko)
AU (1) AU7565198A (ko)
DE (1) DE69811361T2 (ko)
WO (1) WO1998052145A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014065511A1 (ko) * 2012-10-24 2014-05-01 크루셜텍 주식회사 지문센서 패키지 및 이를 구비한 휴대용 전자기기
KR20160029738A (ko) * 2013-07-11 2016-03-15 핑거프린트 카드즈 에이비 보호코팅이 달린 지문감지 디바이스

Families Citing this family (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6114862A (en) 1996-02-14 2000-09-05 Stmicroelectronics, Inc. Capacitive distance sensor
US6091082A (en) 1998-02-17 2000-07-18 Stmicroelectronics, Inc. Electrostatic discharge protection for integrated circuit sensor passivation
WO2000013129A2 (de) * 1998-08-31 2000-03-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung metallischer feinstrukturen und anwendung des verfahrens bei der herstellung von sensoranordnungen zur erfassung von fingerabdrücken
DE19857674C1 (de) * 1998-12-17 2000-05-04 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Testen von Sensoren und Verwendung eines Sensors
US6440814B1 (en) * 1998-12-30 2002-08-27 Stmicroelectronics, Inc. Electrostatic discharge protection for sensors
US6541853B1 (en) 1999-09-07 2003-04-01 Silicon Graphics, Inc. Electrically conductive path through a dielectric material
US6310371B1 (en) * 1999-10-08 2001-10-30 United Microelectronics Corp. Fingerprint sensor chip
US7239227B1 (en) 1999-12-30 2007-07-03 Upek, Inc. Command interface using fingerprint sensor input system
US6512381B2 (en) 1999-12-30 2003-01-28 Stmicroelectronics, Inc. Enhanced fingerprint detection
AU2001257142A1 (en) * 2000-04-27 2001-11-07 Veridicom, Inc. Method and apparatus for detecting the presence of a finger on a fingerprint minutiae-sensing device
KR100369349B1 (ko) * 2000-12-30 2003-01-24 주식회사 하이닉스반도체 지문인식용 집적소자
DE10110724A1 (de) * 2001-03-06 2002-09-26 Infineon Technologies Ag Fingerabdrucksensor mit Potentialmodulation des ESD-Schutzgitters
FR2822229A1 (fr) * 2001-03-14 2002-09-20 St Microelectronics Sa Microcapteur capacitif
US6693441B2 (en) * 2001-11-30 2004-02-17 Stmicroelectronics, Inc. Capacitive fingerprint sensor with protective coating containing a conductive suspension
US6707093B2 (en) * 2001-11-30 2004-03-16 Stmicroelectronics, Inc. Selective ionic implantation of fluoropolymer film to modify the sensitivity of underlying sensing capacitors
US6762470B2 (en) * 2001-11-30 2004-07-13 Stmicroelectronics, Inc. Fingerprint sensor having a portion of the fluorocarbon polymer physical interface layer amorphized
US6941004B2 (en) * 2001-12-06 2005-09-06 Motorola, Inc. Method and apparatus for asperity sensing and storage
US7148878B2 (en) * 2001-12-10 2006-12-12 Motorola, Inc. Method and apparatus for biometric control of display indicator
DE10206187B4 (de) * 2002-02-14 2007-03-08 Infineon Technologies Ag Bildgebender, elektronischer Sensor
KR100447141B1 (ko) * 2002-03-09 2004-09-07 (주)멜파스 차폐수단을 포함하는 반도체 지문감지장치
JP2003282791A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Fujitsu Ltd 接触型センサ内蔵半導体装置及びその製造方法
US6927180B2 (en) * 2002-11-27 2005-08-09 Intel Corporation Reducing line to line capacitance using oriented dielectric films
US20040125990A1 (en) * 2002-12-26 2004-07-01 Motorola, Inc. Method and apparatus for asperity detection
FI115109B (fi) * 2003-01-22 2005-02-28 Nokia Corp Tunnistusjärjestely ja tunnistusjärjestelyn käsittävä matkaviestin
US8518304B1 (en) 2003-03-31 2013-08-27 The Research Foundation Of State University Of New York Nano-structure enhancements for anisotropic conductive material and thermal interposers
CN1310180C (zh) * 2003-05-06 2007-04-11 祥群科技股份有限公司 一种电容式指纹感测器及其制造方法
GB0313808D0 (en) * 2003-06-14 2003-07-23 Binstead Ronald P Improvements in touch technology
US7474772B2 (en) 2003-06-25 2009-01-06 Atrua Technologies, Inc. System and method for a miniature user input device
WO2005010640A2 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Dst Delta Segments Technology, Inc. Noninvasive multi-channel monitoring of hemodynamic parameters
US7587072B2 (en) 2003-08-22 2009-09-08 Authentec, Inc. System for and method of generating rotational inputs
JP3987013B2 (ja) * 2003-09-01 2007-10-03 本田技研工業株式会社 車両周辺監視装置
US7028893B2 (en) * 2003-12-17 2006-04-18 Motorola, Inc. Fingerprint based smartcard
US7697729B2 (en) 2004-01-29 2010-04-13 Authentec, Inc. System for and method of finger initiated actions
US7280679B2 (en) 2004-10-08 2007-10-09 Atrua Technologies, Inc. System for and method of determining pressure on a finger sensor
US20060141804A1 (en) * 2004-12-28 2006-06-29 Goodman Cathryn E Method and apparatus to facilitate electrostatic discharge resiliency
US7831070B1 (en) 2005-02-18 2010-11-09 Authentec, Inc. Dynamic finger detection mechanism for a fingerprint sensor
US7496216B2 (en) * 2005-06-21 2009-02-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fingerprint capture
US20070189587A1 (en) * 2006-02-14 2007-08-16 Garcia Carl N Method and apparatus corresponding to an asperity detection sensor surface
US8623265B2 (en) * 2007-02-06 2014-01-07 World Properties, Inc. Conductive polymer foams, method of manufacture, and articles thereof
JP2010518227A (ja) * 2007-02-06 2010-05-27 ワールド プラパティーズ、 インコーポレイテッド 導電性ポリマー発泡体、その作製方法、およびその使用
US20090226696A1 (en) * 2008-02-06 2009-09-10 World Properties, Inc. Conductive Polymer Foams, Method of Manufacture, And Uses Thereof
BRPI0810539A2 (pt) * 2007-04-12 2014-10-21 Northamptonshire Police Authority Detecção de uma impressão digital.
US8057889B2 (en) * 2007-05-21 2011-11-15 Corning Incorporated Method for producing anisoptropic bulk materials
US8115497B2 (en) * 2007-11-13 2012-02-14 Authentec, Inc. Pixel sensing circuit with common mode cancellation
NO333507B1 (no) * 2009-06-22 2013-06-24 Condalign As Fremgangsmate for a lage et anisotropisk, ledende lag og en derav frembrakt gjenstand
CN102686652A (zh) * 2009-12-29 2012-09-19 罗杰斯公司 导电聚合物泡沫、其制造方法及其用途
US8791792B2 (en) 2010-01-15 2014-07-29 Idex Asa Electronic imager using an impedance sensor grid array mounted on or about a switch and method of making
US8421890B2 (en) 2010-01-15 2013-04-16 Picofield Technologies, Inc. Electronic imager using an impedance sensor grid array and method of making
US8866347B2 (en) 2010-01-15 2014-10-21 Idex Asa Biometric image sensing
US8629364B2 (en) * 2010-03-01 2014-01-14 Visteon Global Technologies, Inc. Method for implementing capacitive sensing in the presence of conductive decorative materials
CN102918546B (zh) * 2010-04-15 2016-05-11 苹果公司 包括电容透镜的手指传感器及其相关方法
US9001040B2 (en) * 2010-06-02 2015-04-07 Synaptics Incorporated Integrated fingerprint sensor and navigation device
US20120092279A1 (en) 2010-10-18 2012-04-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Touch sensor with force-actuated switched capacitor
US9065093B2 (en) 2011-04-07 2015-06-23 Massachusetts Institute Of Technology Controlled porosity in electrodes
KR101160681B1 (ko) 2011-10-19 2012-06-28 배경덕 이동 통신 단말기의 활성화 시에 특정 동작이 수행되도록 하기 위한 방법, 이동 통신 단말기 및 컴퓨터 판독 가능 기록 매체
TWI533231B (zh) 2012-01-17 2016-05-11 蘋果公司 具有用於耦合電極及畫素感測軌跡之畫素感測電路之手指感測器及其相關方法
US9342194B2 (en) 2012-02-06 2016-05-17 Qualcomm Incorporated Biometric scanner having a protective conductive array
CN109407862B (zh) 2012-04-10 2022-03-11 傲迪司威生物识别公司 生物计量感测
US9740343B2 (en) 2012-04-13 2017-08-22 Apple Inc. Capacitive sensing array modulation
US9024910B2 (en) 2012-04-23 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Touchscreen with bridged force-sensitive resistors
US9581628B2 (en) 2012-05-04 2017-02-28 Apple Inc. Electronic device including device ground coupled finger coupling electrode and array shielding electrode and related methods
US9298967B2 (en) 2012-05-04 2016-03-29 Apple Inc. Finger biometric sensing device including drive signal nulling circuitry and related methods
US9322794B2 (en) 2012-12-18 2016-04-26 Apple Inc. Biometric finger sensor including array shielding electrode and related methods
US9030440B2 (en) * 2012-05-18 2015-05-12 Apple Inc. Capacitive sensor packaging
TWI490455B (zh) * 2012-10-12 2015-07-01 Morevalued Technology Co Let 具有高感測靈敏度之電容式感測陣列裝置及使用其之電子設備
WO2014099514A1 (en) 2012-12-18 2014-06-26 Apple Inc. Electronic device including device ground coupled finger coupling electrode and array shielding electrode and related methods
NO20131423A1 (no) * 2013-02-22 2014-08-25 Idex Asa Integrert fingeravtrykksensor
US9104901B2 (en) 2013-03-15 2015-08-11 Apple Inc. Electronic device including interleaved biometric spoof detection data acquisition and related methods
US20140291895A1 (en) * 2013-04-01 2014-10-02 I2Ic Corporation Method of Manufacturing a Body with Oriented Aspherical Particles
US9777197B2 (en) * 2013-10-23 2017-10-03 Sunray Scientific, Llc UV-curable anisotropic conductive adhesive
NL2012891B1 (en) 2013-06-05 2016-06-21 Apple Inc Biometric sensor chip having distributed sensor and control circuitry.
US9883822B2 (en) 2013-06-05 2018-02-06 Apple Inc. Biometric sensor chip having distributed sensor and control circuitry
US9984270B2 (en) 2013-08-05 2018-05-29 Apple Inc. Fingerprint sensor in an electronic device
US9298966B2 (en) 2013-08-06 2016-03-29 Apple Inc. Electronic device including sub-array based deblurring of a blurred finger image and related methods
US9235283B2 (en) 2013-08-06 2016-01-12 Apple Inc. Electronic device including blurred finger image deblurring circuitry and related methods
US10296773B2 (en) 2013-09-09 2019-05-21 Apple Inc. Capacitive sensing array having electrical isolation
US9460332B1 (en) 2013-09-09 2016-10-04 Apple Inc. Capacitive fingerprint sensor including an electrostatic lens
US9697409B2 (en) 2013-09-10 2017-07-04 Apple Inc. Biometric sensor stack structure
US9342727B2 (en) 2014-03-04 2016-05-17 Apple Inc. Field shaping channels in a substrate above a biometric sensing device
TWI613498B (zh) 2014-06-27 2018-02-01 電子墨水加利福尼亞有限責任公司 用於電泳顯示器的各向異性傳導介電層
CN104182745B (zh) * 2014-08-15 2017-09-22 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹感应信号的处理方法、系统及指纹识别终端
US10569480B2 (en) 2014-10-03 2020-02-25 Massachusetts Institute Of Technology Pore orientation using magnetic fields
US10675819B2 (en) 2014-10-03 2020-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Magnetic field alignment of emulsions to produce porous articles
CN111881877B (zh) 2014-10-13 2022-03-29 深圳市汇顶科技股份有限公司 用于指纹识别的传感器像素电路
USD776664S1 (en) * 2015-05-20 2017-01-17 Chaya Coleena Hendrick Smart card
CN106203249A (zh) * 2015-05-25 2016-12-07 义隆电子股份有限公司 指纹辨识装置
SE1551288A1 (en) * 2015-06-08 2016-12-09 Fingerprint Cards Ab Fingerprint sensing device with interposer structure
US9842243B2 (en) * 2015-06-08 2017-12-12 Fingerprint Cards Ab Fingerprint sensing device with heterogeneous coating structure comprising a mold
US10043049B2 (en) 2015-06-08 2018-08-07 Fingerprint Cards Ab Fingerprint sensing device with heterogeneous coating structure comprising a dielectric material
US9899832B2 (en) 2015-08-23 2018-02-20 Htc Corporation Wearable device and electrostatic discharge protection circuit of the same
CN106599763B (zh) 2015-10-16 2020-05-12 神盾股份有限公司 指纹辨识传感器及其方法
US10282585B2 (en) 2015-11-13 2019-05-07 Cypress Semiconductor Corporation Sensor-compatible overlay
US10832029B2 (en) 2015-11-13 2020-11-10 Cypress Semiconductor Corporation Sensor-compatible overlay
US9639734B1 (en) 2015-11-13 2017-05-02 Cypress Semiconductor Corporation Fingerprint sensor-compatible overlay material
US9547788B1 (en) 2015-11-13 2017-01-17 Cypress Semiconductor Corporation Fingerprint sensor-compatible overlay
CN106767628B (zh) * 2015-12-18 2019-04-19 深圳市汇顶科技股份有限公司 一种指纹传感器保护层的厚度检测方法及系统
US9818015B2 (en) 2015-12-21 2017-11-14 Apple Inc. Electronic device including movement based artifact removal and related methods
US9792516B2 (en) 2016-01-26 2017-10-17 Next Biometrics Group Asa Flexible card with fingerprint sensor
SE539638C2 (en) * 2016-04-22 2017-10-24 Fingerprint Cards Ab Fingerprint sensing system with adaptive power control
US11036955B2 (en) 2017-08-25 2021-06-15 Fingerprint Cards Ab Fingerprint sensor device and method for manufacturing a semiconductor sensor device comprising a cover layer having an anisotropic dielectric constant
EP3511860A1 (en) * 2018-01-11 2019-07-17 Nxp B.V. Fingerprint sensing device with esd protection
WO2020188313A2 (en) * 2018-07-10 2020-09-24 Next Biometrics Group Asa Thermally conductive and protective coating for electronic device
FR3095062B1 (fr) * 2019-04-12 2021-03-19 Idemia Identity & Security France Carte à puce comportant un capteur d’empreintes digitales
US11158450B2 (en) * 2019-06-17 2021-10-26 International Business Machines Corporation Particle-based, anisotropic composite materials for magnetic cores

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3781855A (en) * 1970-03-13 1973-12-25 Identification Systems Inc Fingerprint identification system and method
US4210899A (en) * 1975-06-23 1980-07-01 Fingermatrix, Inc. Fingerprint-based access control and identification apparatus
US4202120A (en) * 1978-04-10 1980-05-13 Engel Elton D Identification card, sensor, and system
US4353056A (en) * 1980-06-05 1982-10-05 Siemens Corporation Capacitive fingerprint sensor
US4418472A (en) * 1981-11-23 1983-12-06 Xerox Corporation Method of delineating thin film magnetic head arrays
US4675224A (en) * 1981-12-26 1987-06-23 Seiko Epson Kabushiki Kaisha Magnetic recording medium
US4557504A (en) * 1983-01-17 1985-12-10 Kuhns Roger J Method for thwarting forgery of fingerprint-bearing identification media
US4634228A (en) * 1984-05-01 1987-01-06 Hitachi, Ltd. Ferroelectric liquid crystal cell with rubbed polyimide alignment layer
US4548862A (en) * 1984-09-04 1985-10-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Flexible tape having bridges of electrically conductive particles extending across its pressure-sensitive adhesive layer
KR890004258B1 (ko) * 1984-11-14 1989-10-28 가부시끼가이샤 도오시바 수직자기기록 매체 및 그 제조방법
JPS61130046A (ja) * 1984-11-28 1986-06-17 ポリプラスチックス株式会社 ラミネ−トフイルムの製造法
US4798765A (en) * 1985-03-28 1989-01-17 Victor Company Of Japan Ltd. Perpendicular magnetic recording medium
US5139849A (en) * 1987-02-02 1992-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Magnetic recording medium
EP0277783B1 (en) * 1987-02-02 1994-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Magnetic recording medium
US4811414A (en) * 1987-02-27 1989-03-07 C.F.A. Technologies, Inc. Methods for digitally noise averaging and illumination equalizing fingerprint images
US4911981A (en) * 1987-06-16 1990-03-27 Schnur Joel M Metal clad lipid microstructures
US4838347A (en) * 1987-07-02 1989-06-13 American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories Thermal conductor assembly
US4768021C1 (en) * 1987-09-18 2002-07-23 Jmf Products Llc Safe for loaded hand gun
US5245329A (en) * 1989-02-27 1993-09-14 Security People Inc. Access control system with mechanical keys which store data
US4983846A (en) * 1989-08-22 1991-01-08 Arturo M. Rios Portable fingerprint detection method and device
WO1991006920A1 (en) * 1989-11-02 1991-05-16 Tms, Incorporated Non-minutiae automatic fingerprint identification system and methods
US4993068A (en) * 1989-11-27 1991-02-12 Motorola, Inc. Unforgeable personal identification system
GB2244164A (en) * 1990-05-18 1991-11-20 Philips Electronic Associated Fingerprint sensing
KR960006848B1 (ko) * 1990-05-31 1996-05-23 가부시끼가이샤 도시바 평면형 자기소자
US5096551A (en) * 1990-08-31 1992-03-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Metallized tubule-based artificial dielectric
US5224173A (en) * 1991-10-29 1993-06-29 Kuhns Roger J Method of reducing fraud in connection with employment, public license applications, social security, food stamps, welfare or other government benefits
US5467403A (en) * 1991-11-19 1995-11-14 Digital Biometrics, Inc. Portable fingerprint scanning apparatus for identification verification
US5222152A (en) * 1991-11-19 1993-06-22 Digital Biometrics, Inc. Portable fingerprint scanning apparatus for identification verification
US5280527A (en) * 1992-04-14 1994-01-18 Kamahira Safe Co., Inc. Biometric token for authorizing access to a host system
JPH0756336A (ja) * 1993-06-07 1995-03-03 Ajinomoto Co Inc 樹脂組成物
GB9323489D0 (en) * 1993-11-08 1994-01-05 Ncr Int Inc Self-service business system
US5623552A (en) * 1994-01-21 1997-04-22 Cardguard International, Inc. Self-authenticating identification card with fingerprint identification
US5769996A (en) * 1994-01-27 1998-06-23 Loctite (Ireland) Limited Compositions and methods for providing anisotropic conductive pathways and bonds between two sets of conductors
US5598474A (en) * 1994-03-29 1997-01-28 Neldon P Johnson Process for encrypting a fingerprint onto an I.D. card
US5509083A (en) * 1994-06-15 1996-04-16 Nooral S. Abtahi Method and apparatus for confirming the identity of an individual presenting an identification card
US5541994A (en) * 1994-09-07 1996-07-30 Mytec Technologies Inc. Fingerprint controlled public key cryptographic system
US5546471A (en) * 1994-10-28 1996-08-13 The National Registry, Inc. Ergonomic fingerprint reader apparatus
US5513272A (en) * 1994-12-05 1996-04-30 Wizards, Llc System for verifying use of a credit/identification card including recording of physical attributes of unauthorized users
US5613712A (en) * 1995-04-21 1997-03-25 Eastman Kodak Company Magnetic fingerprint for secure document authentication
US5603179A (en) * 1995-10-11 1997-02-18 Adams; Heiko B. Safety trigger

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014065511A1 (ko) * 2012-10-24 2014-05-01 크루셜텍 주식회사 지문센서 패키지 및 이를 구비한 휴대용 전자기기
KR20160029738A (ko) * 2013-07-11 2016-03-15 핑거프린트 카드즈 에이비 보호코팅이 달린 지문감지 디바이스

Also Published As

Publication number Publication date
EP0983572B1 (en) 2003-02-12
JP4082467B2 (ja) 2008-04-30
DE69811361D1 (de) 2003-03-20
US6376393B1 (en) 2002-04-23
DE69811361T2 (de) 2003-08-21
EP0983572A1 (en) 2000-03-08
CN1278347A (zh) 2000-12-27
AU7565198A (en) 1998-12-08
WO1998052145A1 (en) 1998-11-19
JP2002502517A (ja) 2002-01-22
US6088471A (en) 2000-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100507986B1 (ko) 개선된 특성을 가지는 전계 지문 센서 및 그 제조방법
EP0983572B1 (en) Fingerprint sensor including an anisotropic dielectric coating and associated methods
US6067368A (en) Fingerprint sensor having filtering and power conserving features and related methods
US5953441A (en) Fingerprint sensor having spoof reduction features and related methods
EP0985196B9 (en) Fingerprint sensor with gain control features and associated methods
US6069970A (en) Fingerprint sensor and token reader and associated methods
US6098330A (en) Machine including vibration and shock resistant fingerprint sensor and related methods
US5903225A (en) Access control system including fingerprint sensor enrollment and associated methods
US6088585A (en) Portable telecommunication device including a fingerprint sensor and related methods
US5778089A (en) Driver circuit for a contact imaging array
US6478976B1 (en) Apparatus and method for contacting a conductive layer
US7099496B2 (en) Swiped aperture capacitive fingerprint sensing systems and methods
US6950541B1 (en) Fingerprint sensor package including flexible circuit substrate and associated methods
US6683971B1 (en) Fingerprint sensor with leadframe bent pin conductive path and associated methods
WO2000068874A1 (en) Fingerprint sensor package having enhanced electrostatic discharge protection and associated methods
JPH09218006A (ja) 指紋捕捉センサ

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid