KR20010001353U - Photo Mask Set - Google Patents
Photo Mask Set Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010001353U KR20010001353U KR2019990011755U KR19990011755U KR20010001353U KR 20010001353 U KR20010001353 U KR 20010001353U KR 2019990011755 U KR2019990011755 U KR 2019990011755U KR 19990011755 U KR19990011755 U KR 19990011755U KR 20010001353 U KR20010001353 U KR 20010001353U
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photomask
- development
- present
- subsequent
- conditions
- Prior art date
Links
- 238000011161 development Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 18
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
본 고안은 임의의 개발품과 동일한 공정 및 조건을 가지는 후속 개발품들에 대한 제작(Fabrication) 및 어셈블리(Assembly)를 동시에 진행할 수 있도록 하는 포토마스크 세트에 관한 것이다.The present invention is directed to a set of photomasks that allow simultaneous fabrication and assembly of subsequent developments with the same process and conditions as any development.
본 고안에 따른 포토마스크 세트는 임의의 개발품에 관련한 메인패턴들과, 상기 개발품과 동일한 공정 및 조건의 후속 개발품들에 대한 메인패턴들과, 공정제어를 위한 모니터링 패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다.The photomask set according to the present invention is characterized by including main patterns related to any development product, main patterns for subsequent development products of the same process and conditions as the development product, and a monitoring pattern for process control.
본 고안에 의하면, 임의의 개발품의 설계 및 포토마스크 제작을 진행할 때 동일한 공정 및 조건을 가지는 후속 개발품들에 관련한 마스크패턴들을 삽입하여 소자 제작 및 어셈블리가 동시에 진행될 수 있으므로 빈번이 발생되는 개발품들에 대한 포토마스크 제작비용을 절감할 수 있게 된다.According to the present invention, when designing an arbitrary product and fabricating a photomask, device patterns and assembly may be simultaneously performed by inserting mask patterns related to subsequent products having the same process and conditions. Photomask manufacturing cost can be reduced.
Description
본 고안은 포토마스크에 관한 것으로, 특히 임의의 개발품과 동일한 공정 및 조건을 가지는 후속 개발품들에 대한 제작(Fabrication) 및 어셈블리(Assembly)를 동시에 진행할 수 있도록 하는 포토마스크 세트에 관한 것이다.The present invention relates to a photomask, and more particularly to a set of photomasks that allow simultaneous fabrication and assembly of subsequent developments with the same process and conditions as any development.
통상, 반도체 칩(Chip)이나 회로기판 제작에 있어서 포토마스크의 설계 및 제작 과정은 중요한 분야이다. 포토마스크는 제작하고자 하는 소자에 대한 분석 및 설계 과정을 거친 후 그에 대응하여 각 층별로 패턴 제작이 이루어지게 된다. 이 경우, 동일한 소자라도 사용되는 분야에 따라 포토마스크 패턴이 다르게 설계되어지게 된다. 예컨대, 레귤레이터(Regulator) 소자를 제작하는 경우 그 레귤레이터가 어떠한 세트에 적용되는가에 따라 전극배선 형태가 다르게 설계되어지게 된다. 이에 대응하여 전극배선 형성을 위한 포토마스크의 패턴도 다르게 설계 및 제작되게 된다. 이 경우, 사용되는 분야에 따른 품종별 전극배선 형성용 포토마스크들은 전극배선 형성을 위해 동일한 공정 및 조건을 가지는 반면에 다른 형태를 가지므로 인하여 개별적으로 설계하여 제작하고 있다. 다시 말하여, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이 품종별로 포토마스크를 제작하고 있다.In general, the process of designing and manufacturing a photomask is an important field in manufacturing a semiconductor chip or a circuit board. After the photomask is analyzed and designed for the device to be fabricated, patterns are produced for each layer in response to the photomask. In this case, even if the same device is used, the photomask pattern is designed differently. For example, when a regulator device is manufactured, the electrode wiring shape is designed differently according to which set the regulator is applied to. Correspondingly, the pattern of the photomask for forming the electrode wiring is also designed and manufactured differently. In this case, the photomasks for forming electrode wirings according to the field used have the same process and conditions for forming the electrode wirings, but have different shapes, and thus are individually designed and manufactured. In other words, photomasks are produced for each variety as shown in FIGS. 1A and 1B.
도 1a를 참조하면, 종래의 포토마스크 세트의 구성이 간단하게 도시되어 있다. 대량생산을 위해 마스크 패턴들이 매트릭스 형태로 배열된 포토마스크 세트는 통상 진행소자에 대한 메인 패턴(C)들과 프로세스 컨트롤을 위한 모니터용 패턴(M)으로 구성되어진다. 실제로, 레귤레이터 소자의 전극배선 형성용 포토마스크 세트를 제작하는 경우 도 1b에 도시된 바와 같이 포토마스크 세트는 번호가 '33'인 동일한 품종의 메인패턴으로만 구성되어진다. 그리고, 품종이 다른 포토마스크 세트, 즉 후속 진행소자에 대한 포토마스크 세트는 차후 별도로 설계 및 제작되게 된다.Referring to Fig. 1A, the configuration of a conventional photomask set is simply shown. The photomask set in which the mask patterns are arranged in a matrix form for mass production is generally composed of main patterns C for the traveling elements and a monitor pattern M for process control. In fact, when manufacturing the photomask set for forming the electrode wiring of the regulator element, as shown in Fig. 1B, the photomask set is composed of only the main varieties of the same variety with the number '33'. Then, the photomask set having different varieties, that is, the photomask set for subsequent processing elements, will be separately designed and manufactured later.
이와 같이, 종래의 포토마스크 세트는 품종별로 포토마스크를 각각 설계 및 제작함에 따라 여러 세트의 포토마스크를 설계 및 제작하게 되므로 제작비가 많이 들게 되는 문제점이 있다. 또한, 소자 제작과 어셈블리 및 평가를 한번에 1 아이템(Item)만 진행하게 되므로 특성개선 및 기능추가시 신뢰성을 보장할 수 없게 되는 문제점이 있다. 나아가, 포토마스크의 설계패턴이 이원화/삼원화 됨에 따라 개발기간의 장기화 및 실패율 증가를 유발할 수 있게 된다.As described above, the conventional photomask set has a problem in that it costs a lot of manufacturing costs because it designs and manufactures several sets of photomasks according to the design and manufacture of the photomask for each variety. In addition, the device fabrication, assembly and evaluation only one item (Item) at a time, so there is a problem that can not guarantee the reliability when improving the characteristics and add features. Furthermore, as the design pattern of the photomask is dualized / trinized, it is possible to prolong the development period and increase the failure rate.
따라서, 본 고안의 목적은 임의의 개발품에 대한 포토마스크 제작을 진행할 때 동일한 공정 및 조건을 가지는 후속 개발품들에 대한 마스크패턴들을 삽입함으로써 소자 제작 및 어셈블리를 동시에 진행할 수 있도록 하는 포토마스크 세트를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a photomask set that allows device fabrication and assembly to proceed simultaneously by inserting mask patterns for subsequent developments having the same process and conditions when proceeding to fabricate photomasks for any development. will be.
도 1a는 종래의 포토마스크 세트에 대한 구성을 나타내고, 도 1b는 실제의 포토마스크 세트 일부분을 나타낸 도면.1A shows a configuration for a conventional photomask set, and FIG. 1B shows a portion of an actual photomask set.
도 2a는 본 고안의 실시 예에 따른 포토마스크 세트의 구성을 나타내고, 도 2b는 본 고안에 따른 실제의 포토마스크 세트 일부분을 나타낸 도면.Figure 2a shows the configuration of a photomask set according to an embodiment of the present invention, Figure 2b is a view showing a portion of the actual photomask set according to the present invention.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명〉<Brief description of symbols for the main parts of the drawings>
A, B, C, D : 제1 내지 제4 메인 패턴 M : 모니터링 패턴A, B, C, D: first to fourth main patterns M: monitoring pattern
상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 고안에 따른 포토마스크 세트는 임의의 개발품에 관련한 메인패턴들과, 상기 개발품과 동일한 공정 및 조건의 후속 개발품들에 대한 메인패턴들과, 공정제어를 위한 모니터링 패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above objects, the photomask set according to the present invention is a main pattern related to any development product, main patterns for subsequent development products of the same process and conditions as the development product, and monitoring pattern for process control It is characterized by including.
상기 목적 외에 본 고안의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 고안의 바람직한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and advantages of the present invention in addition to the above object will be apparent from the description of the preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.
이하, 본 고안의 바람직한 실시예를 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A and 2B.
도 2a는 본 고안의 실시 예에 따른 포토마스크 세트의 구성을 간단히 나타낸 것이고, 도 2b는 본 고안이 적용된 실제의 포토마스크 세트 구성을 나타낸 것이다.Figure 2a is a simplified illustration of the configuration of the photomask set according to an embodiment of the present invention, Figure 2b shows an actual photomask set configuration to which the present invention is applied.
우선적으로, 동일한 소자이면서 사용되는 분야가 다른, 즉 품종이 다른 개발품과 후속 개발품들에 대한 분석 및 설계를 병행하게 된다. 그 다음, 개발품에 대한 포토마스크 설계 및 제작을 진행할 때 동일한 공정 및 조건의 후속 개발품들에 대한 포토마스크 패턴들을 삽입하게 된다. 다시 말하여, 도 2a에 도시된 바와 같이 개발품에 대한 포토마스크 세트는 개발품에 관련한 제1 메인패턴(A)과 모니터링 패턴(M) 및 후속 개발품들에 관련한 제2 내지 제4 메인패턴들(B, C, D)로 구성되게 된다. 여기서, 모니터링패턴(M)은 프로세스 컨트롤용으로 사용된다. 예를 들어로, 레귤레이터의 전극배선 형성용 포토마스크 세트를 설계 및 제작하는 경우 도 2b에 도시된 바와 같이 개발품에 관련한 메인패턴(33)들과 모니터링패턴(M) 및 후속 개발품들에 관련한 메인패턴들(45, 19, 42, 21, 39)이 함께 구성됨을 알 수 있다. 이와 같이, 개발품에 대한 메인패턴(33)들의 배열속에 후속 개발품에 대한 메인패턴들(45, 19, 42, 21, 39)이 삽입된 포토마스크 세트를 이용하여 개발품 및 후속 개발품들의 제작 및 어셈블리 과정을 진행하게 된다. 그리고, 제작이 완료된 개발품 및 후속 개발품들에 대한 평가를 별개로 수행하게 된다. 이 평가에서 특성이 양호하다고 판별된 후속 개발품들은 그의 포토마스크 패턴을 이용하여 포토마스크 세트를 추가로 제작 및 진행하게 된다.First of all, the analysis and design of the development of the same device and different fields, that is, different varieties and subsequent developments, will be performed. Then, when proceeding with the design and manufacture of the photomask for the development product, the photomask patterns for subsequent development products of the same process and conditions are inserted. In other words, as shown in FIG. 2A, the photomask set for the developed product includes the first main pattern A related to the developed product, the monitoring pattern M, and the second to fourth main patterns B related to the subsequent developed products. , C, D). Here, the monitoring pattern M is used for process control. For example, when designing and manufacturing a photomask set for forming electrode wiring of a regulator, as shown in FIG. 2B, the main patterns 33 and the monitoring patterns M and subsequent development products related to the development product are shown. It can be seen that the fields 45, 19, 42, 21, 39 are configured together. As such, the manufacturing and assembly process of the development product and the subsequent development products using a photomask set in which the main patterns 45, 19, 42, 21, and 39 of the subsequent development product are inserted in the arrangement of the main patterns 33 for the development product. Will proceed. In addition, evaluation of the completed development product and subsequent development products is performed separately. Subsequent developments determined to have good characteristics in this evaluation will further produce and proceed with the photomask set using its photomask pattern.
이와 같이, 본 고안에 따른 포토마스크 세트는 임의의 개발품과 후속 개발품들의 메인패턴들로 구성됨으로써 소자 제작 및 어셈블리가 동시에 진행될 수 있게 한다. 이 결과, 빈번히 발생되는 개발품들에 대한 포토마스크 제작비용을 줄일 수 있게 된다.As such, the photomask set according to the present invention is composed of the main patterns of arbitrary development products and subsequent development products, so that device fabrication and assembly can proceed simultaneously. As a result, it is possible to reduce the cost of manufacturing photomasks for frequently occurring development products.
상술한 바와 같이, 본 고안에 따른 포토마스크 세트는 임의의 개발품의 설계 및 포토마스크 제작을 진행할 때 동일한 공정 및 조건을 가지는 후속 개발품들에 관련한 마스크패턴들을 삽입하여 소자 제작 및 어셈블리(Assembly)가 동시에 진행될 수 있게 한다. 이에 따라, 빈번이 발생되는 개발품들에 대한 포토마스크 제작비용을 절감할 수 있고 개발품에 대한 개발 가능성을 타진해볼 수 있을 뿐만 아니라 개발 실패율을 다운시킬 수 있게 된다.As described above, the photomask set according to the present invention inserts mask patterns associated with subsequent developments having the same process and conditions when designing and developing a photomask. Thus, device fabrication and assembly are simultaneously performed. Allow it to proceed Accordingly, it is possible to reduce the production cost of photomasks for frequently occurring development products, to develop development possibilities for the development products, and to reduce the development failure rate.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 고안의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 고안의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 실용신안등록 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the utility model registration claims.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019990011755U KR200265836Y1 (en) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | Photo Mask Set |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019990011755U KR200265836Y1 (en) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | Photo Mask Set |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010001353U true KR20010001353U (en) | 2001-01-15 |
KR200265836Y1 KR200265836Y1 (en) | 2002-02-27 |
Family
ID=54764769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2019990011755U KR200265836Y1 (en) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | Photo Mask Set |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR200265836Y1 (en) |
-
1999
- 1999-06-28 KR KR2019990011755U patent/KR200265836Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR200265836Y1 (en) | 2002-02-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101213489B (en) | Semiconductor device and its manufacturing method, semiconductor manufacturing mask, and optical proximity processing method | |
KR970010666B1 (en) | Measurement of attern overlay of semiconductor device | |
KR950006957A (en) | A semiconductor device manufacturing method comprising the step of forming an overlap error measurement pattern | |
CN105759560A (en) | Layout structure of combined photomask as well as formation method and application method for layout structure | |
US5665495A (en) | Method for fabricating a semiconductor with a photomask | |
TW200813765A (en) | Design data producing method, design data producing program product, and method for manufacturing semiconductor device | |
US7709300B2 (en) | Structure and method for partitioned dummy fill shapes for reduced mask bias with alternating phase shift masks | |
CN109901359A (en) | For the alignment patterns of exposure mask, exposure mask and wafer | |
US8176443B2 (en) | Layout of printable assist features to aid transistor control | |
KR200265836Y1 (en) | Photo Mask Set | |
US6314543B1 (en) | Method of placing marks for alignment accuracy measurement | |
US6624492B2 (en) | Semiconductor circuit device having gate array area and method of making thereof | |
US5348902A (en) | Method of designing cells applicable to different design automation systems | |
JP2001274163A (en) | Semiconductor device | |
US10083833B1 (en) | Integration fill technique | |
JP2000068488A (en) | Semiconductor integrated circuit layout method | |
KR0141419B1 (en) | Analog asic | |
JP4748337B2 (en) | Design circuit pattern for semiconductor circuit test | |
JPS61208237A (en) | Master slice integrated circuit | |
KR0140487B1 (en) | Manufacture method of reticle | |
US20060257795A1 (en) | Method for forming composite pattern including different types of patterns | |
KR950026444A (en) | Wafer Photomask Manufacturing Method | |
US20050164099A1 (en) | Method to overcome minimum photomask dimension rules | |
Adamou et al. | Modelling and control of flexible manufacturing assembly systems using object oriented Petri nets | |
JPS6017747A (en) | Reticle for manufacturing semiconductor integrated circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
REGI | Registration of establishment | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |