KR20000066952A - Method for preventing electrostatic of LCD - Google Patents
Method for preventing electrostatic of LCD Download PDFInfo
- Publication number
- KR20000066952A KR20000066952A KR1019990014392A KR19990014392A KR20000066952A KR 20000066952 A KR20000066952 A KR 20000066952A KR 1019990014392 A KR1019990014392 A KR 1019990014392A KR 19990014392 A KR19990014392 A KR 19990014392A KR 20000066952 A KR20000066952 A KR 20000066952A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- lines
- line
- short ring
- pad
- short
- Prior art date
Links
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A41—WEARING APPAREL
- A41B—SHIRTS; UNDERWEAR; BABY LINEN; HANDKERCHIEFS
- A41B9/00—Undergarments
- A41B9/06—Undershirts; Chemises
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A41—WEARING APPAREL
- A41B—SHIRTS; UNDERWEAR; BABY LINEN; HANDKERCHIEFS
- A41B11/00—Hosiery; Panti-hose
- A41B11/001—Decoration; Marking
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A41—WEARING APPAREL
- A41B—SHIRTS; UNDERWEAR; BABY LINEN; HANDKERCHIEFS
- A41B11/00—Hosiery; Panti-hose
- A41B11/14—Panti-hose; Body-stockings
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A41—WEARING APPAREL
- A41B—SHIRTS; UNDERWEAR; BABY LINEN; HANDKERCHIEFS
- A41B9/00—Undergarments
- A41B9/001—Underpants or briefs
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A41—WEARING APPAREL
- A41C—CORSETS; BRASSIERES
- A41C3/00—Brassieres
- A41C3/005—Brassieres specially adapted for specific purposes
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A41—WEARING APPAREL
- A41B—SHIRTS; UNDERWEAR; BABY LINEN; HANDKERCHIEFS
- A41B2400/00—Functions or special features of shirts, underwear, baby linen or handkerchiefs not provided for in other groups of this subclass
- A41B2400/32—Therapeutic use
- A41B2400/322—Massage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Textile Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 정전기에 의해 셀 어레이 영역에서 라인들간의 쇼트가 발생되는 것을 방지하기 위한 액정표시소자의 정전기 방지법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to an antistatic method of a liquid crystal display device for preventing a short between lines in the cell array region due to static electricity.
일반적으로, 액정표시소자(Liquid Crystal Dispay : 이하, LCD)는 매트릭스 형태로 배열된 각 화소에 박막 트랜지스터 및 화소전극이 형성된 하부기판과, 컬러 필터와 상대 전극이 형성된 상부기판, 및 상기 하부기판과 상부기판 사이에 충진되는 액정으로 구성된다.In general, a liquid crystal display (LCD) includes a lower substrate having a thin film transistor and a pixel electrode formed on each pixel arranged in a matrix form, an upper substrate having a color filter and a counter electrode formed thereon, and the lower substrate. It consists of a liquid crystal filled between the upper substrate.
한편, 상기한 하부기판의 제작시에는, 통상, 데이타 라인을 형성하는 동안에 정전기가 발생하게 되고, 이러한 정전기에 의해 라인들, 예컨데, 데이터 라인과 게이트 라인, 또는, 데이터 라인과 커먼(Common) 라인 사이에서 쇼트(Short)가 발생하게 되며, 이에 따라, LCD의 구동이 제대로 이루어지지 못하게 된다.On the other hand, during the fabrication of the lower substrate, the static electricity is generated during the formation of the data line, and the lines, for example, the data line and the gate line, or the data line and the common line by the static electricity. Short is generated between them, and thus driving of the LCD is not performed properly.
따라서, 정전기에 기인된 라인들간의 쇼트를 방지하기 위하여, 종래에는 게이트 패드부 및 데이터 패드부에 정전기를 방지 회로를 구비시키고 있다. 여기서, 정전기 방지회로는 트랜지스터들을 조합시켜 데이터 및 게이트 라인과 커먼 라인간을 통전시키는 것에 의해 라인들간의 전위차를 제거시킴으로써, 셀 어레이 영역에서 라인들간의 쇼트가 일어나지 않도록 한 것이다.Therefore, in order to prevent shorts between lines caused by static electricity, a static electricity prevention circuit is conventionally provided in the gate pad portion and the data pad portion. Here, the antistatic circuit removes the potential difference between the lines by combining transistors to energize the data and gate lines and the common line, thereby preventing short circuits between lines in the cell array region.
도 1은 종래 기술에 따른 정전기 방지법을 설명하기 위한 도면으로서, 도시된 바와 같이, 정전기에 의해 데이터 라인과 게이트 라인, 또는, 데이터 라인과 커먼 라인 사이에서 쇼트가 발생되는 것을 방지하기 위하여, 하부기판의 제조시에 게이트 패드(2) 및 데이터 패드(4)의 전·후에 각각 인너 쇼트링(Lnner Shortring : 6a)과 아우터 쇼트링(Outer Shortring : 6b)을 구비시킨다.1 is a view for explaining the antistatic method according to the prior art, as shown, in order to prevent the short circuit between the data line and the gate line, or between the data line and the common line by the static electricity, the lower substrate The inner short ring 6a and the outer short ring 6b are provided before and after the gate pad 2 and the data pad 4 at the time of manufacture.
여기서, 도시된 바와 같이, 인너 쇼트링(6a)은 셀 어레이 영역(10)과 각 패드들(2, 4) 사이에 배치되며, 아우터 쇼트링(6b)은 패드부(20)의 외측에 배치된다. 특히, 아우터 쇼트링(6b)은 스크라이브 라인(Scribe Line : 이하, SL로 표시)의 외측 부분에 배치되는데, 이 부분은, 통상, 4개의 하부기판을 동시에 제작한 후에, 개별적인 하부기판을 절단하는 스크라이빙 공정에 의해 제거되는 부분이기 때문에, 상기한 아우터 쇼트링(6b)은 하부기판의 제작이 완료된 후에는 제거된다.Here, as shown, the inner short ring 6a is disposed between the cell array region 10 and the pads 2 and 4, and the outer short ring 6b is disposed outside the pad portion 20. do. In particular, the outer short ring 6b is disposed on an outer portion of a scribe line (hereinafter referred to as SL), which is usually used to cut individual lower substrates after simultaneously producing four lower substrates. Since the portion is removed by the scribing process, the outer short ring 6b described above is removed after fabrication of the lower substrate is completed.
도 2는 종래 기술에 따른 아우터 쇼트링을 도시한 도면으로서, 도시된 바와 같이, 아우터 쇼트링(6b)은 셀 어레이 영역과 대향하는 스크라이브 라인(SL)의 외측에 배치되며, 트랜지스터 형태로 구비된다. 여기서, 도면 부호 2는 게이트 또는 데이터 패드이며, 21은 게이트, 22는 에치스톱퍼, 23은 액티브층, 24는 소오스/드레인, 그리고, 25는 콘택홀이고, 상기 구성요소들은 셀 어레이 영역에 형성되는 박막 트랜지스터의 구성 요소들과 동시에 형성된다.2 is a diagram illustrating an outer short ring according to the prior art, and as illustrated, the outer short ring 6b is disposed outside the scribe line SL facing the cell array region and is provided in the form of a transistor. . Here, reference numeral 2 is a gate or data pad, 21 is a gate, 22 is an etch stopper, 23 is an active layer, 24 is a source / drain, and 25 is a contact hole, and the components are formed in the cell array region. It is formed simultaneously with the components of the thin film transistor.
그러나, 상기와 같이 패드의 전·후에 인너 쇼트링 및 아우터 쇼트링을 각각 구비시키는 것에 의해, 셀 어레이 영역에서 정전기에 의한 라인들간의 쇼트를 어느 정도는 방지할 수는 있지만, 상기 인너 쇼트링 및 아우터 쇼트링의 자체 저항이 매우 높은 것에 기인하여, 그 보다 저항이 낮은 부분, 예컨데, 데이터 라인과 게이트 라인의 교차점, 또는, 데이터 라인과 커먼 라인의 교차점 부분에서 발생되는 라인간의 쇼트는 방지할 수 없는 문제점이 있었다.However, by providing the inner short ring and the outer short ring before and after the pad as described above, the short between the lines due to static electricity in the cell array region can be prevented to some extent, but the inner short ring and Due to the very high self-resistance of the outer short ring, it is possible to prevent short between lines occurring at lower resistance parts such as the intersection of the data line and the gate line, or at the intersection of the data line and the common line. There was no problem.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은, 데이터 라인과 게이트 라인의 교차점, 또는, 데이터 라인과 커먼 라인의 교차점에서 라인들간의 쇼트를 방지할 수 있는 LCD의 정전기 방지법을 제공하는데, 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention devised to solve the above problems provides an antistatic method of an LCD which can prevent shorts between lines at intersections of data lines and gate lines, or intersections of data lines and common lines. , Its purpose is.
도 1은 종래 기술에 따른 정전기 방지법을 설명하기 위한 도면.1 is a view for explaining the antistatic method according to the prior art.
도 2는 종래 기술에 따른 아우터 쇼트링을 도시한 도면.2 shows an outer short ring according to the prior art;
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 정전기 방지법을 설명하기 위한 도면.3 is a view for explaining an antistatic method according to an embodiment of the present invention.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
31 : 게이트 32 : 에치스톱퍼31: gate 32: etch stopper
33 : 액티브층 34 : 소오스/드레인33: active layer 34: source / drain
35 : 콘택홀 36 : 연결 라인35 contact hole 36 connection line
37a,37b : 돌출부 40 : 아우터 쇼트링37a, 37b: projection 40: outer short ring
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 LCD의 정전기 방지법은, 패드의 전·후에 인너 쇼트링 및 아우터 쇼트링을 각각 구비시켜, 정전기에 의해 셀 어레이 영역에 형성된 데이터 라인과 게이트 라인, 또는, 데이터 라인과 커먼 라인 사이에서 쇼트가 발생되는 것을 방지되도록 하는 LCD의 정전기 방지법으로서, 상기 아우터 쇼트링과 패드를 연결시키는 각각의 연결 라인에 쐐기 모양의 돌출부를 추가로 더 구비시키되, 상기 쐐기 모양의 돌출부는 인접된 한 쌍의 돌출부들이 서로 마주보도록 구비시켜, 연결 라인들 사이에서 쇼트가 주로 일어나도록 하고, 상기 쇼트가 발생된 연결 라인들은 유리기판의 스크라이빙 공정에서 제거하는 것을 특징으로 한다.The antistatic method of the LCD of the present invention for achieving the above object is provided with an inner short ring and an outer short ring before and after the pad, respectively, and the data line and the gate line formed in the cell array region by static electricity, or An anti-static method of LCD which prevents a short from occurring between a data line and a common line, further comprising a wedge-shaped protrusion on each connection line connecting the outer short ring and the pad, wherein the wedge-shaped protrusion is further provided. Protrusions are provided so that a pair of adjacent protrusions face each other, so that a short occurs mainly between the connection lines, the shorted connection lines are characterized in that the removal of the glass substrate in the scribing process.
본 발명에 따르면, 스크라이브 라인의 외측에 배치되어 패드와 아우터 쇼트링간을 연결하는 라인 부분에 돌출부를 구비시켜, 이러한 라인 부분에서 쇼트가 집중적으로 일어나도록 함으로써, 셀 어레이 영역에서 라인들간의 쇼트가 발생되는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, by providing a protrusion at a line portion disposed outside the scribe line and connecting the pad and the outer short ring, the short occurs in the line portion, so that a short between lines occurs in the cell array region. Can be prevented.
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 LCD의 정전기 방지법을 설명하기 도면으로서, 도면부호 31은 게이트, 32는 에치스톱퍼, 33은 액티브층, 34는 소오스/드레인, 35는 콘택홀, 36은 연결 라인, 37는 돌출부, 40은 아우터 쇼트링이다.3 is a view for explaining the antistatic method of the LCD according to an embodiment of the present invention, 31 is a gate, 32 is an etch stopper, 33 is an active layer, 34 is a source / drain, 35 is a contact hole, 36 is connected Line 37 is a projection and 40 an outer short ring.
도시된 바와 같이, 본 발명은 게이트 패드 및 데이터 패드(도시안됨)로부터 인출되어져, 아우터 쇼트링(40)과 연결되게 스크라이브 라인(SL)의 외측에 배치되는 연결 라인(36) 부분에 쐐기 모양의 돌출부(37a, 37b)를 구비시킨다. 이때, 쐐기 모양의 돌출부들(37a, 37b)은 이웃하는 돌출부들끼리 한 쌍을 이루어 서로 마주보도록 구비된다.As shown, the present invention is wedge-shaped on a portion of the connection line 36 which is drawn out of the gate pad and the data pad (not shown) and is arranged outside the scribe line SL to be connected to the outer short ring 40. Protrusions 37a and 37b are provided. At this time, the wedge-shaped protrusions 37a and 37b are provided to face each other in a pair of neighboring protrusions.
이러한 구조에서는, 패드로부터 인출되어져 스크라이브 라인(SL)의 외측에 배치되는 연결 라인(36) 부분에 쐐기 모양의 돌출부(37a, 37b)가 구비된 것에 기인하여, 상기 연결 라인(36)의 저항은 셀 어레이 영역에서 데이터 라인과 게이트 라인의 교차점, 또는, 데이터 라인과 커먼 라인의 교차점의 라인들간의 저항 보다 작게 되고, 이에 따라, 셀 어레이 영역에서 정전기가 발생되더라도, 정전기는 상기 연결 라인(42)의 돌출부(37a, 37b) 부분으로 전달되며, 이때, 쐐기 모양의 돌출부들(37a, 37b)이 근접되게 마주보고 있는 것에 기인된 피뢰침 원리에 의해, 인접된 연결 라인들(42) 사이에서 쇼트가 일어나게 된다.In this structure, the wedge-shaped protrusions 37a and 37b are provided at the portion of the connection line 36 which is drawn out from the pad and disposed outside the scribe line SL, so that the resistance of the connection line 36 is reduced. In the cell array region, the resistance between the lines of the data line and the gate line, or the lines of the intersection of the data line and the common line is smaller than the resistance, and thus, even if static electricity is generated in the cell array region, the static electricity is connected to the connection line 42. Is delivered to portions 37a and 37b of the circuit, whereby a short between the adjacent connecting lines 42 is achieved by the lightning rod principle due to the close contact of the wedge shaped protrusions 37a and 37b. Get up.
따라서, 셀 어레이 영역에서 정전기가 발생되더라도, 정전기는 스크라이브 라인의 외측에 배치된 연결 라인(36) 부분으로 집중되어, 연결 라인들(36)간의 쇼트가 일어나기 때문에, 셀 어레이 영역에서 라인들간의 쇼트가 발생되는 것을 방지할 수 있게 된다.Therefore, even if static electricity is generated in the cell array region, the static electricity is concentrated to the portion of the connection line 36 disposed outside the scribe line, and a short between the lines in the cell array region occurs because a short between the connection lines 36 occurs. Can be prevented from occurring.
한편, 스크라이브 라인(SL)의 외측에 배치된 연결 라인들(36)간에 쇼트가 발생되더라도, 전술한 바와 같이, 연결 라인(36)을 포함하여 스크라이브 라인(SL)의 외측에 배치되는 아우터 쇼트링(40)은 후속에서 수행되는 스크라이빙 공정에 의해 제거되는 것이기 때문에, LCD의 구동에는 영향을 미치지 않게 된다.On the other hand, even if a short occurs between the connection lines 36 disposed outside the scribe line SL, as described above, the outer short ring including the connection line 36 outside the scribe line SL Since 40 is removed by a scribing process performed subsequently, the driving of the LCD is not affected.
그러므로, 본 발명의 실시예에서는 아우터 쇼트링 부분에 정전기가 집중될 수 있는 더미 패턴을 구비시키기 때문에, 서로 다른 층에 형성되는 라인들의 교차점에서 상기 라인들간의 쇼트가 발생되는 것을 매우 손쉽게 방지할 수 있다.Therefore, in the embodiment of the present invention, since the dummy short pattern where static electricity can be concentrated in the outer short ring portion is provided, it is very easy to prevent the short between the lines from occurring at the intersection of the lines formed on the different layers. have.
이상에서와 같이, 본 발명은 스크라이브 라인의 외측에 배치되어 패드와 아우터 쇼트링간을 연결하는 연결 라인 부분에 쐐기 모양의 돌출부를 구비시켜, 이 부분에서 정전기에 의한 쇼트가 일어나도록 함으로써, 별도의 추가 공정없이도, 셀 어레이 영역에 형성된 라인들간의 교차점에서 라인들간의 쇼트가 일어나는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라, LCD의 제조수율을 향상시킬 수 있다.As described above, the present invention is provided by a wedge-shaped protrusion at the connection line portion disposed outside the scribe line and connecting the pad and the outer short ring, so that a short circuit caused by static electricity occurs at this portion, thereby additionally. Even without the process, short circuits between the lines can be prevented from occurring at the intersections of the lines formed in the cell array region, thereby improving the manufacturing yield of the LCD.
한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대해서 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한, 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.Meanwhile, although specific embodiments of the present invention have been described and illustrated, modifications and variations can be made by those skilled in the art. Accordingly, the following claims are to be understood as including all modifications and variations as long as they fall within the true spirit and scope of the present invention.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990014392A KR20000066952A (en) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | Method for preventing electrostatic of LCD |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990014392A KR20000066952A (en) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | Method for preventing electrostatic of LCD |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000066952A true KR20000066952A (en) | 2000-11-15 |
Family
ID=19581589
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990014392A KR20000066952A (en) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | Method for preventing electrostatic of LCD |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20000066952A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020056695A (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-10 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | Pattern structure for preventing static electricity for liquid crystal display panel |
KR100484950B1 (en) * | 2002-10-31 | 2005-04-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | liquid crystal display device and fabrication method of thereof |
KR100848555B1 (en) * | 2001-12-31 | 2008-07-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | Structure of mps test line for liquid crystal display |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08234227A (en) * | 1994-12-21 | 1996-09-13 | Toshiba Corp | Display device and its production |
JPH08286213A (en) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Sharp Corp | Liquid crystal display device |
KR970010529A (en) * | 1995-08-16 | 1997-03-27 | 전성원 | Speed sensitive steering force control |
JPH09146107A (en) * | 1995-10-31 | 1997-06-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Liquid crystal display and preparation thereof |
-
1999
- 1999-04-22 KR KR1019990014392A patent/KR20000066952A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08234227A (en) * | 1994-12-21 | 1996-09-13 | Toshiba Corp | Display device and its production |
JPH08286213A (en) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Sharp Corp | Liquid crystal display device |
KR970010529A (en) * | 1995-08-16 | 1997-03-27 | 전성원 | Speed sensitive steering force control |
JPH09146107A (en) * | 1995-10-31 | 1997-06-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Liquid crystal display and preparation thereof |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020056695A (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-10 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | Pattern structure for preventing static electricity for liquid crystal display panel |
KR100848555B1 (en) * | 2001-12-31 | 2008-07-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | Structure of mps test line for liquid crystal display |
KR100484950B1 (en) * | 2002-10-31 | 2005-04-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | liquid crystal display device and fabrication method of thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10573595B2 (en) | Array substrate, fabricating method thereof, and display device | |
US7079199B2 (en) | Liquid crystal display panel | |
KR20020004253A (en) | Liquid crystal display device and method for forming an array substrate | |
KR0139319B1 (en) | Liquid crystal display device having double line and multi-transistor in one pixel | |
US6545731B2 (en) | Liquid crystal display device having light isolation structure | |
KR20040037947A (en) | liquid crystal display device and fabrication method of thereof | |
JP2776360B2 (en) | Method of manufacturing thin film transistor array substrate | |
KR20040011670A (en) | Liquid Crystal Display Device And Method For Manufacturing The Same | |
KR20000066952A (en) | Method for preventing electrostatic of LCD | |
KR100707009B1 (en) | Thin film transistor liquid crystal display | |
KR100599961B1 (en) | Thin film transistor liquid crystal display | |
KR20040033414A (en) | Method for preventing electrostatic in LCD fabrication | |
KR20020073285A (en) | Liquid crystal display apparatus with address marks connected to connections | |
KR100577779B1 (en) | TFT Array substrate of LCD | |
KR100507268B1 (en) | Manufacturing method of liquid crystal display device | |
KR20000003167A (en) | Lcd(liquid crystal display) | |
KR100446966B1 (en) | Liquid crystal display device | |
KR100674230B1 (en) | Non contacting method for preventing of electro static discharge | |
KR100535351B1 (en) | Thin film transistor liquid crystal display | |
KR20040057785A (en) | Liquid Crystal Display Device | |
KR100349380B1 (en) | Thin film transistor array substrate | |
KR100249191B1 (en) | Fabrication method of liquid crystal display device | |
KR100527082B1 (en) | Method for fabricating tft-lcd | |
KR100577788B1 (en) | Method for fabricating TFT array substrate of TFT-LCD | |
KR20020070595A (en) | Method for protecting electro static discharge by using non-contact |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20060324 Effective date: 20061226 Free format text: TRIAL NUMBER: 2006101002631; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20060324 Effective date: 20061226 |