KR20000059931A - Structure of polishing head in chemical mechanical polishing equipment - Google Patents

Structure of polishing head in chemical mechanical polishing equipment Download PDF

Info

Publication number
KR20000059931A
KR20000059931A KR1019990007869A KR19990007869A KR20000059931A KR 20000059931 A KR20000059931 A KR 20000059931A KR 1019990007869 A KR1019990007869 A KR 1019990007869A KR 19990007869 A KR19990007869 A KR 19990007869A KR 20000059931 A KR20000059931 A KR 20000059931A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
end effector
magnet
polishing
chemical mechanical
holes
Prior art date
Application number
KR1019990007869A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
박현문
Original Assignee
황인길
아남반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 황인길, 아남반도체 주식회사 filed Critical 황인길
Priority to KR1019990007869A priority Critical patent/KR20000059931A/en
Publication of KR20000059931A publication Critical patent/KR20000059931A/en

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces

Abstract

PURPOSE: A polishing head structure of chemical mechanical polishing(CMP) facilities is provided to exhaust a sludge from a bottom of an end effector to the outside by forming a penetration hole. CONSTITUTION: A polishing head structure of chemical mechanical polishing(CMP) facilities having a holder(30), a magnet(32) and an end effector(34) with a plurality of vertically-penetrated holes, comprises a supporting element(38) and a penetration hole(40). The supporting element is established between the end effector and the magnet. Therefore, a space is formed to have the plurality of holes of the end effector aligned. The penetration hole penetrates the holder and magnet in a vertical direction to have the space between the end effector and magnet go through the outside.

Description

화학적 기계적 연마 장비의 연마 헤드 구조{STRUCTURE OF POLISHING HEAD IN CHEMICAL MECHANICAL POLISHING EQUIPMENT}Polishing head structure of chemical mechanical polishing equipment {STRUCTURE OF POLISHING HEAD IN CHEMICAL MECHANICAL POLISHING EQUIPMENT}

본 발명은 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing : CMP) 장비의 연마 헤드(polishing head) 구조에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 연마 공정시 엔드 이펙터(end effector)의 구멍에 슬러지(sludge)가 적채되는 것을 방지하도록 하는 연마 헤드 구조에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing head structure of Chemical Mechanical Polishing (CMP) equipment, and particularly to prevent sludge from being deposited in the holes of the end effector during the wafer polishing process. It relates to a polishing head structure.

도 1은 일반적인 화학적 기계적 연마의 일 실시예를 나타낸 단면도로, 연마 헤드(10), 웨이퍼(12), 연마 패드(14), 회전판(16), 및 슬러리 공급관(18)으로 구성된다.1 is a cross-sectional view showing one embodiment of general chemical mechanical polishing, which is composed of a polishing head 10, a wafer 12, a polishing pad 14, a rotating plate 16, and a slurry supply pipe 18.

동 도면에 있어서, 웨이퍼(12)는 이송용 헤드(도면중에 도시되지 않음)에 의해 연마 패드(14) 위에 놓인다.In the figure, the wafer 12 is placed on the polishing pad 14 by a transfer head (not shown in the figure).

이 후, 연마 헤드(10)와 회전판(16)은 서로에 대해 반대 방향으로 각각 회전함에 따라 연마 헤드(10)와 연마 패드(14) 사이의 웨이퍼(12)를 연마한다. 이때, 연마 공정 중에 슬러리 공급관(18)으로부터 슬러리(slurry)가 웨이퍼(12)의 연마되는 부위에 뿌려진다.Thereafter, the polishing head 10 and the rotating plate 16 respectively polish the wafer 12 between the polishing head 10 and the polishing pad 14 as they rotate in opposite directions with respect to each other. At this time, a slurry is sprinkled from the slurry supply pipe 18 to the portion to be polished of the wafer 12 during the polishing process.

도 2는 종래의 기술에 따른 화학적 기계적 연마 장비의 연마 헤드 구조의 일 실시예를 나타낸 단면도로, 홀더(20), 자석(22), 및 엔드 이펙터(24)로 구성된다.2 is a cross-sectional view showing one embodiment of a polishing head structure of a chemical mechanical polishing equipment according to the prior art, which is composed of a holder 20, a magnet 22, and an end effector 24.

동 도면에 있어서, 홀더(20), 자석(22), 및 엔드 이펙터(24)가 일체로 이루어지는 연마 헤드가 웨이퍼 연마 공정의 진행에 따라 회전할 경우 엔드 이펙터(24)에 수직 방향으로 다수 관통되어 형성된 다수의 구멍(26)으로 슬러리와 웨이퍼 찌끼의 합성물인의 슬러지가 스면든다. 이때, 엔드 이펙터(24)의 밑면에는 웨이퍼를 효율적으로 연마하기 위한 다이아몬드 가루가 묻어 있다. 또한, 홀더(20) 및 엔드 이펙터(24)는 자석에 붙는 재질을 사용하므로 자석(22)의 자력에 의해 일체화된다.In the figure, when the polishing head, in which the holder 20, the magnets 22, and the end effector 24 are integrally rotated in accordance with the progress of the wafer polishing process, a large number of the polishing heads penetrate the end effector 24 in the vertical direction. A plurality of holes 26 formed soak sludge which is a composite of slurry and wafer tailings. At this time, the bottom surface of the end effector 24 is buried with diamond powder for efficiently polishing the wafer. In addition, since the holder 20 and the end effector 24 use a material attached to the magnet, they are integrated by the magnetic force of the magnet 22.

따라서, 연마 헤드가 웨이퍼 연마 공정의 진행에 따라 회전할 경우 엔드 이펙터(24)에 형성된 구멍(26)으로 슬러지가 적채되면 엔드 이펙터(24)가 효과적으로 작용하지 못하게 될 뿐만 아니라 웨이퍼의 손상을 초래한다. 또한, 구멍(26)의 후면이 자석(22)에 의해 막혀있기 때문에, 구멍(26)에 적채된 슬러지를 "DI water" 등의 세정액으로도 완전히 제거할 수가 없다. 구멍(26)에 적채된 슬러지를 세정액으로도 완전히 제거하려면 연마 헤드를 분해하여 각각 세정한 후에 다시 조립해야 하기 때문에, 많은 시간이 소요될 뿐만 아니라 번거로운 결점이 있다.Therefore, when the polishing head rotates in accordance with the progress of the wafer polishing process, if the sludge is accumulated in the holes 26 formed in the end effector 24, the end effector 24 may not work effectively and may cause damage to the wafer. . In addition, since the rear surface of the hole 26 is blocked by the magnet 22, the sludge accumulated in the hole 26 cannot be completely removed even with a cleaning liquid such as "DI water". In order to completely remove the sludge accumulated in the hole 26 with the cleaning liquid, the polishing heads must be disassembled and cleaned separately, and then reassembled.

본 발명은 엔드 이펙터와 자석 사이에 지지대를 세워 공간을 형성하고 자석과 홀더를 관통시켜 관통 구멍을 형성하여 웨이퍼 연마 공정시 엔드 이펙터의 하부로부터 구멍을 통해 묻어오는 슬러지를 관통 구멍을 통해 외부로 방출시키도록 하는 화학적 기계적 연마 장비의 연마 헤드 구조를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention forms a space between the end effector and the magnet to form a space, and penetrates the magnet and the holder to form a through hole to release the sludge buried through the hole from the bottom of the end effector through the through hole during the wafer polishing process. It is an object of the present invention to provide a polishing head structure of chemical mechanical polishing equipment.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 홀더, 자석, 및 수직 방향으로 관통된 다수의 구멍을 구비하는 엔드 이펙터가 일체로 이루어진 화학적 기계적 연마 장비의 연마 헤드에 있어서: 상기 엔드 이펙터와 상기 자석 사이에 설치되어 상기 엔드 이펙터와 상기 자석 사이에 공간이 형성되도록하여 상기 엔드 이펙터에 구비된 다수의 구멍이 통하도록 하는 지지부; 상기 홀더와 상기 자석을 수직 방향으로 관통하여 상기 엔드 이펙터와 상기 자석 사이에 형성된 공간과 외부가 통하도록하는 관통 구멍을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a polishing head of a chemical mechanical polishing apparatus in which an end effector having a holder, a magnet, and a plurality of holes penetrated in a vertical direction are integrally formed: between the end effector and the magnet. A support part installed to allow a space to be formed between the end effector and the magnet to allow a plurality of holes provided in the end effector to pass through; And a through hole through the holder and the magnet in a vertical direction to allow a space formed between the end effector and the magnet to communicate with the outside.

도 1은 일반적인 화학적 기계적 연마의 일 실시예를 나타낸 단면도,1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a general chemical mechanical polishing,

도 2는 종래의 기술에 따른 화학적 기계적 연마 장비의 연마 헤드 구조의 일 실시예를 나타낸 단면도,Figure 2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a polishing head structure of a chemical mechanical polishing equipment according to the prior art,

도 3은 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장비의 연마 헤드 구조의 일 실시예를 나타낸 단면도,3 is a cross-sectional view showing an embodiment of a polishing head structure of the chemical mechanical polishing equipment according to the present invention;

도 4는 도 3에 따른 연마 헤드의 상면을 나타낸 개략도.4 is a schematic view showing a top surface of the polishing head according to FIG. 3;

＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞<Description of the code | symbol about the principal part of drawing>

30 : 홀더 32 : 자석30: holder 32: magnet

34 : 엔드 이펙터 36 : 구멍34: End Effector 36: Hole

38 : 지지대 40 : 관통 구멍38: support 40: through hole

이하, 이와 같은 본 발명의 실시 예를 다음과 같은 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the following drawings.

도 3은 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장비의 연마 헤드 구조의 일 실시예를 나타낸 단면도로, 홀더(30), 자석(32), 엔드 이펙터(34), 및 지지대(38)로 구성된다. 이때, 상술한 엔드 이펙터(34)에는 수직 방향으로 관통된 구멍(36)이 다수개 형성되어 있다. 엔드 이펙터(34)와 자석(32) 사이에는 예로, 2mm의 높이를 갖는 지지대(38)가 다수개 설치되어 엔드 이펙터(34)와 자석(32) 사이에 높이 2mm의 공간을 형성시킨다. 또한, 홀더(30)와 자석(32)을 수직 방향으로 관통하는 관통 구멍(40)이 다수개 형성된다.3 is a cross-sectional view showing an embodiment of the polishing head structure of the chemical mechanical polishing equipment according to the present invention, which is composed of a holder 30, a magnet 32, an end effector 34, and a support 38. As shown in FIG. At this time, the end effector 34 described above is provided with a plurality of holes 36 penetrated in the vertical direction. For example, a plurality of supports 38 having a height of 2 mm are installed between the end effector 34 and the magnet 32 to form a space having a height of 2 mm between the end effector 34 and the magnet 32. In addition, a plurality of through holes 40 penetrating the holder 30 and the magnet 32 in the vertical direction are formed.

동 도면에 있어서, 홀더(30), 자석(32), 및 엔드 이펙터(34)가 일체로 이루어지는 연마 헤드가 웨이퍼 연마 공정의 진행에 따라 회전할 경우 엔드 이펙터(34)에 형성된 다수의 구멍(36)으로 슬러리와 웨이퍼 찌끼의 합성물인의 슬러지가 스면든다.In the figure, a plurality of holes 36 formed in the end effector 34 when the polishing head composed of the holder 30, the magnet 32, and the end effector 34 rotate as the wafer polishing process proceeds. ), The sludge of the composite material of the slurry and the wafer tailings is soaked.

이와 같은 슬러지는 자석(32)과 엔드 이펙터(34) 사이의 공간 및 다수의 관통 구멍(40)을 통해 외부로 유출된다. 이때, 관통 구멍(40)은 도 4와 같이 홀더(30)의 바깥면과 통하도록 되어 있다. 자석(32)과 엔드 이펙터(34) 사이의 공간 높이는 지지대(38)의 높이 조절에 의해 변경이 가능하다. 관통 구멍(40)의 개수는 필요에 따라 변경이 가능하고 그 크기의 변경도 가능하다.Such sludge flows out through the space between the magnet 32 and the end effector 34 and the plurality of through holes 40. At this time, the through hole 40 is in communication with the outer surface of the holder 30 as shown in FIG. The height of the space between the magnet 32 and the end effector 34 can be changed by adjusting the height of the support 38. The number of through holes 40 can be changed as needed, and the size of the through holes 40 can also be changed.

또한, 엔드 이펙트(34)에 관통된 구멍(36)은 상·하측 모두 개방되어 있기 때문에, 구멍(36)의 내측에 묻은 슬러지를 세정액을 사용해서 신속하고 용이하게 제거할 수 있다.In addition, since the holes 36 penetrated through the end effect 34 are opened at both the upper and lower sides, sludge deposited on the inside of the holes 36 can be quickly and easily removed using a cleaning liquid.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 엔드 이펙터(34)와 자석(32) 사이에 지지대(38)를 세워 공간을 형성하고 자석(32)과 홀더(30)를 관통시켜 관통 구멍(40)을 형성하여 웨이퍼 연마 공정시 엔드 이펙터(34)의 하부로부터 구멍(36)을 통해 묻어오는 슬러지를 관통 구멍(40)을 통해 외부로 방출시키도록 한다. 따라서, 엔드 이펙터(34)의 구멍(36)에 슬러지가 적채되지 않으므로 웨이퍼 연마 공정이 순조롭게 이루어져 웨이퍼의 질이 향상되는 효과가 있다. 또한, 슬러지 적채로 인하여 웨이퍼 연마 공정을 중단하는 경우가 없기 때문에, 웨이퍼 연마 공정을 지속적으로 실시할 수가 있으므로 생산성이 향상된다.As described above, in the present invention, a support 38 is formed between the end effector 34 and the magnet 32 to form a space, and the through hole 40 is formed by penetrating the magnet 32 and the holder 30. In the wafer polishing process, the sludge buried through the hole 36 from the bottom of the end effector 34 is discharged to the outside through the through hole 40. Therefore, since sludge is not accumulated in the holes 36 of the end effector 34, the wafer polishing process is performed smoothly, thereby improving the quality of the wafer. In addition, since the wafer polishing process is not interrupted due to sludge sticking, the wafer polishing process can be continuously performed, thereby improving productivity.

Claims (3)

홀더, 자석, 및 수직 방향으로 관통된 다수의 구멍을 구비하는 엔드 이펙터가 일체로 이루어진 화학적 기계적 연마 장비의 연마 헤드에 있어서:In a polishing head of a chemical mechanical polishing apparatus, in which an end effector having a holder, a magnet, and an end effector having a plurality of holes penetrated in a vertical direction is integrally formed: 상기 엔드 이펙터와 상기 자석 사이에 설치되어 상기 엔드 이펙터와 상기 자석 사이에 공간이 형성되도록 하여 상기 엔드 이펙터에 구비된 다수의 구멍이 통하도록 하는 지지부;A support part installed between the end effector and the magnet to allow a space to be formed between the end effector and the magnet to allow a plurality of holes provided in the end effector to pass through; 상기 홀더와 상기 자석을 수직 방향으로 관통하여 상기 엔드 이펙터와 상기 자석 사이에 형성된 공간과 외부가 통하도록 하는 관통 구멍을 포함하는 화학적 기계적 연마 장비의 연마 헤드 구조.And a through hole penetrating the holder and the magnet in a vertical direction to allow a space formed between the end effector and the magnet to communicate with the outside. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 지지부는 두 개 이상의 지지대로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장비의 연마 헤드 구조.And said support portion comprises at least two support rods. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 관통 구멍은 두 개 이상의 구멍으로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장비의 연마 헤드 구조.And said through hole is comprised of two or more holes.
KR1019990007869A 1999-03-10 1999-03-10 Structure of polishing head in chemical mechanical polishing equipment KR20000059931A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990007869A KR20000059931A (en) 1999-03-10 1999-03-10 Structure of polishing head in chemical mechanical polishing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990007869A KR20000059931A (en) 1999-03-10 1999-03-10 Structure of polishing head in chemical mechanical polishing equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000059931A true KR20000059931A (en) 2000-10-16

Family

ID=19576069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990007869A KR20000059931A (en) 1999-03-10 1999-03-10 Structure of polishing head in chemical mechanical polishing equipment

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20000059931A (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5230184A (en) * 1991-07-05 1993-07-27 Motorola, Inc. Distributed polishing head
US5454752A (en) * 1992-11-13 1995-10-03 Sexton; John S. Abrasive device
JPH10163138A (en) * 1996-11-29 1998-06-19 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device and polisher
KR19980056783U (en) * 1997-01-22 1998-10-15 문정환 Semiconductor Wafer Polishing Wheel

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5230184A (en) * 1991-07-05 1993-07-27 Motorola, Inc. Distributed polishing head
US5454752A (en) * 1992-11-13 1995-10-03 Sexton; John S. Abrasive device
JPH10163138A (en) * 1996-11-29 1998-06-19 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device and polisher
KR19980056783U (en) * 1997-01-22 1998-10-15 문정환 Semiconductor Wafer Polishing Wheel

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5683289A (en) CMP polishing pad conditioning apparatus
KR100210840B1 (en) Chemical mechanical polishing method and apparatus for the same
JP2010130020A (en) Substrate support unit, and apparatus and method for polishing substrate by using the same
KR102482218B1 (en) Apparatus for generating wafer
EP1676672A4 (en) Wafer-retaining carrier, double side-grinding device using the same, and double side-grinding method for wafer
TWI322452B (en) Plating apparatus and plating method
TW568961B (en) Plating apparatus and plating liquid removing method
CN114770366A (en) Static pressure plate of silicon wafer double-side grinding device and silicon wafer double-side grinding device
JPH08148541A (en) Wafer transfer system
KR20000059931A (en) Structure of polishing head in chemical mechanical polishing equipment
KR20010030901A (en) Polishing method and polishing device
JP2003188127A (en) Waxless mount polishing method and its apparatus
JPH06179991A (en) Device and method for cleaning
KR100364865B1 (en) Chuck for fixing wafer
JPH0334207B2 (en)
JP4062552B2 (en) Semiconductor wafer alignment and water filling method
JP3836632B2 (en) Plating equipment
JPH02252238A (en) Cleaning equipment for substrate
JP2006265738A (en) Plating equipment
JP2020115496A (en) Cleaning mechanism
JP2004512693A5 (en)
JPH11254300A (en) Washing device for carrier in surface polishing device
KR100336789B1 (en) Rinse apparatus of wafer for chemical mechanical polisher
JPH0631253A (en) Method and device for washing disk-shaped object
JP4801438B2 (en) Polishing apparatus and polishing processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application