KR20000057821A - 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부 - Google Patents

컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부 Download PDF

Info

Publication number
KR20000057821A
KR20000057821A KR1020000004222A KR20000004222A KR20000057821A KR 20000057821 A KR20000057821 A KR 20000057821A KR 1020000004222 A KR1020000004222 A KR 1020000004222A KR 20000004222 A KR20000004222 A KR 20000004222A KR 20000057821 A KR20000057821 A KR 20000057821A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
contact
packaging
substrate
pcb
conductive
Prior art date
Application number
KR1020000004222A
Other languages
English (en)
Inventor
존스마크알.
커리씨오도에이.
Original Assignee
가부시키가이샤 어드밴티스트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 어드밴티스트 filed Critical 가부시키가이샤 어드밴티스트
Publication of KR20000057821A publication Critical patent/KR20000057821A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2801—Testing of printed circuits, backplanes, motherboards, hybrid circuits or carriers for multichip packages [MCP]
    • G01R31/2806—Apparatus therefor, e.g. test stations, drivers, analysers, conveyors
    • G01R31/2808—Holding, conveying or contacting devices, e.g. test adapters, edge connectors, extender boards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Multi-Conductor Connections (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼, 패키지된 LSI 등의 테스트에 사용되는 프로브 카드나 그 등가물에 관련한 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부를 제공한다. 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부는, 광리소그래피 공정에 의해서 컨택트 기판 상에 형성되며 도전 재료로 만들어지는 컨택트 구조물 - 상기 컨택트 구조물은 상기 컨택트 기판 상에 수직 방향으로 형성된 베이스부, 일 단부가 상기 베이스부 상에 형성된 수평부 및 상기 수평부의 다른 단부 상에 수직 방향으로 형성된 컨택트부를 가짐 - ; 상기 컨택트 기판 상에 형성되며 일 단부에서 상기 컨택트 기판에 전기적으로 접속되고, 다른 단부는 컨택트 패드로 형성되어 있는 컨택트 트레이스; 상기 컨택트 패드와 전기적으로 접속되도록 상기 컨택트 트레이스의 외주변에 제공된 컨택트 타겟; 상기 컨택트 패드의 상측면과 상기 컨택트 타겟을 전기적으로 접속하기 위한 본딩 와이어; 상기 상호 접속부와 패키징의 유연성을 위해 상기 컨택트 기판 아래에 제공된 탄성체; 및 상기 컨택트 구조물, 상기 컨택트 기판 및 상기 탄성체를 지지하기 위해 상기 탄성체 아래에 제공된 지지 구조물을 포함한다.

Description

컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부{PACKAGING AND INTERCONNECTION OF CONTACT STRUCTURE}
본 발명은 컨택트 구조물의 전자 패키징 및 상호 접속부에 관한 것으로, 특히 반도체 웨이퍼, 반도체 칩, 패키지된 반도체 소자 또는 프린트 회로 보드 등을 정밀도, 밀도 및 속도를 증가시켜 테스트하는 데에 사용되는 프로브 카드 또는 그 등가물 상에 컨택트 구조물을 장착하기 위한 전자 패키징 및 상호 접속부에 관한 것이다.
LSI 및 VLSI 회로와 같은 고 밀도 및 고 속도의 전기 소자의 테스트시, 고 성능의 프로브 컨택터 또는 텍스트 컨택터가 사용되어야 한다. 본 발명의 컨택트 구조물의 전자 패키징 및 상호 접속부는 반도체 웨이퍼 및 다이의 테스팅 및 통전 테스트의 어플리케이션에만 제한되는 것이 아니라, 패키지된 반도체 소자, 프린트 회로 보드 등의 테스팅과 통전 테스트를 포함한다. 그러나, 설명을 용이하게 하기 위해서, 본 발명은 반도체 웨이퍼 테스팅에 사용되는 프로브 카드를 주로 참조하여 설명한다.
테스트되는 반도체 소자가 반도체 웨이퍼의 형태로 되어 있는 경우, IC 테스터 등의 반도체 테스트 시스템은 반도체 웨이퍼를 자동으로 테스트하기 위해서, 자동 웨이퍼 프로버 (prober) 등과 같은 기판 핸들러에 보통 접속되어 있다. 이런 예를 반도체 테스트 시스템이 개별의 하우징 내에 있으며 한 다발의 케이블을 통해 테스트 시스템에 전기적으로 접속되어 있는 테스트 헤드(100)을 갖고 있는 도 1에서 나타내고 있다. 테스트 헤드(100) 및 기판 핸들러(400)은 조작기(500) 및 구동 모터(510)을 통해 서로 기계적으로 접속되어 있으며 테스트되는 반도체 웨이퍼는 기판 핸들러에 의해 테스트 헤드의 테스트 위치에 자동으로 제공된다.
테스트 헤드 상에는, 테스트되는 반도체 웨이퍼에는 반도체 테스트 시스템에 의해 생성된 테스트 신호가 제공된다. 테스트 중인 반도체 웨이퍼로부터의 최종 출력 신호가 반도체 테스트 시스템에 전송되고, 여기에서 이들은 반도체 웨이퍼 상의 IC 회로가 정확하게 기능하는지의 여부를 결정하기 위해서 예측되는 데이터와 비교된다.
도 2에서 나타낸 바와 같이, 테스트 헤드와 기판 핸들러는 동축 케이블, 포고-핀 (pogo-pin) 및 커넥터와 같은, 테스트 헤드의 전기적 풋프린트(footprint)에 유일한 전기 회로 접속을 갖는 통상 프린트 회로 보드인 성능 보드(120)로 이루어진 인터페이스 소자(140)에 접속되어 있다. 테스트 헤드(100)는 테스트 채널 (테스터 핀)의 개수에 대응하는 대다수의 프린트 회로 보드(150)를 포함한다. 프린트 회로 보드(150) 각각은 성능 보드(120)의 대응 컨택트 단자(121)를 수용하기 위한 커넥터(160)를 갖는다. 도 2의 예에서, "프로그" 링(130)은 기판 핸들러(400)에 상대적인 컨택트 위치를 정확히 결정하도록 성능 보드(120) 상에 장착된다. 프로그 링(130)은 동축 케이블(124)를 통해 컨택트 단자(121)에 접속된, ZIF 커넥터 또는 포고-핀과 같은 대다수의 컨택트 핀(141)를 갖는다.
도 2는 반도체 웨이퍼의 테스트시 기판 핸들러(400), 테스트 헤드(100) 및 인터페이스 소자(140)의 구조물을 나타내고 있다. 도 2에서 나타낸 바와 같이, 테스트 헤드(100)는 기판 핸들러(400) 위에 놓이며 인터페이스 소자(140)를 통해 기판 핸들러에 기계적 및 전기적으로 접속되어 있다. 기판 핸들러(400)에서는, 테스트되는 반도체 웨이퍼(300)가 척(chunk; 180) 상에 장착되어 있다. 프로브 카드(170)는 테스트되는 반도체 웨이퍼(300) 위에 제공된다. 프로브 카드(170)는 테스트중인 반도체 웨이퍼의 IC 회로의 회로 단자나 컨택트 타겟과 접촉하기 위해서, 캔틸레버 또는 니들 등의 대다수의 프로브 컨택터 (컨택트 구조물; 190)을 갖는다.
프로브 카드(170)의 전기적 단자나 컨택트 리셉터클은 프로그 링(130) 상에 제공된 컨택트 핀(141)에 전기적으로 접속되어 있다. 컨택트 핀(141)은 또한 각 컨택트 단자(121)가 테스트 헤드(100)의 프린트 회로 보드(150)에 접속되어 있는 동축 케이블(124)를 통해 성능 보드(120)의 컨택트 단자(121)에 또한 접속되어 있다. 또한, 프린트 회로 보드(150)는 내에 수백개의 케이블을 갖는 케이블 다발(110)을 통해 반도체 테스트 시스템의 주 프레임에 접속되어 있다.
이 구조에 의하면, 프로브 컨텍터(190)는 반도체 웨이퍼(300) 내의 IC 칩에 테스트 신호를 인가하고 웨이퍼(300)로부터 IC 칩의 최종 신호를 수용하기 위해 처크(180) 상의 반도체 웨이퍼(300) 표면과 접촉한다. 테스트 중인 반도체 웨이퍼(300)로부터의 최종 출력 신호는, 반도체 웨이퍼(300) 내의 IC 칩이 의도된 기능을 적당히 실행하는지의 여부를 결정하기 위해서 반도체 테스트 시스템에 의해 생성된 예측된 데이터와 비교된다.
도 3은 도 2의 프로브 카드(170)의 저부도이다. 이 예에서, 프로브 카드(170)는 니들이나 캔틸레버로 불리는 복수의 프로브 컨택터(190)가 장착되어 있는 에폭시 링 (epoxy ring)을 갖는다. 반도체 웨이퍼(300)를 장착하는 처크(180)가 도 2에서 상측으로 이동할 때, 캔틸레버(190)의 선단은 웨이퍼(300) 상의 패드나 범프와 접촉한다. 캔틸레버(190)의 단부는 프로브 카드(170)에 형성된 전송선 (도시 생략)에 접속된 와이어(194)에 접속되어 있다. 프로브 카드(170)의 전송선은 도 2의 포고 핀(141)과 접촉하는 복수의 전극(197)에 접속되어 있다.
통상, 프로브 카드(170)는 접지 평면, 파워 평면, 신호 전송선을 많은 층 상에 갖는 다층의 폴리이미드 기판에 의해 구성되어 있다. 당기술에서 공지되어 있는 바와 같이, 각 신호 전송선은 분포 파라미터, 즉 폴리이미드의 유전 상수, 인덕턴스, 및 프로브 카드(170) 내의 신호의 용량치를 밸런싱하여 50ohms 등의 특성 임피던스를 갖도록 디자인된다. 따라서, 신호 전송선은 웨이퍼(300)에 고 주파수 전송 대역폭을 취득하도록 임피던스 정합된다. 신호 전송선은 펄스 신호의 정지 상태 동안 소전류를, 소자의 출력 스위칭의 전이 상태 동안 대전류를 전송한다. 노이즈의 제거를 위해서, 커패시터(193 및 195)는 파워와 접지 평면 사이에서 프로브 카드(170) 상에 제공된다.
종래의 프로브 카드 기술에서의 대역폭의 제한을 설명하기 위해서 프로브 카드(170)의 등가 회로를 도 4a-4e에서 도시한다. 도 4a 및 도 4b에서 나타낸 바와 같이, 프로브 카드(170) 상의 신호 전송선은 전극(197), 스트립 선(임피던스 정합선; 196), 와이어(194) 및 니들(캔틸레버; 190)로부터 연장된다. 와이어(194) 및 니들(190)이 임피던스 정합되어 있지 않기 때문에, 이들 부분들은 도 4c에서 나타낸 바와 같이 고 주파수 대역으로 인덕터 L로 기능한다. 와이어(194) 및 니들(190)의 전체 길이가 약 20-30㎜이기 때문에, 테스트 중인 소자의 고주파수 성능 테스트시 상당한 주파수의 제한이 초래된다.
프로브 카드(170)의 주파수 대역폭을 제한하는 다른 요인은 도 4d 및 도 4f에서 나타낸 파워 및 접지 니들 (needle)에 있다. 파워선이 테스트 중인 소자에 충분히 큰 전류를 제공할 수 있는 경우, 소자 테스트시의 동작 대역폭을 심각하게 제한하지 않게 된다. 그러나, 테스트 중인 소자에 파워를 공급하기 위해 직렬 접속된 와이어(194) 및 니들(190)이 도 4d에서 나타낸 바와 같이 인덕터와 등가이기 때문에, 파워 선에서의 고속의 전류 흐름을 방해하게 된다. 유사하게, 파워와 신호를 접지하기 위한 직렬 접속된 와이어(194) 및 니들(190)이 도 4e에서 나타낸 바와 같이 인덕터와 등가이기 때문에, 고속의 전류 흐름이 와이어(194) 및 니들(190)에 의해 방해받는다.
더구나, 파워선 상의 노이즈 또는 서지 펄스를 필터링함으로써 테스트 중인 소자의 적당한 성능을 보장하기 위해 파워선과 접지선 사이에 커패시터(193 및 195)가 제공된다. 커패시터(193)는 10㎌와 같이 비교적 큰 값을 가지며 필요하다면 스위치에 의해 파워선으로부터 분리될 수 있다. 커패시터(195)는 0.01㎌와 같이 비교적 적은 용량값을 가지며 DUT에 가까이 고정되어 접속된다. 이들 커패시터는 파워선 상의 고주파수 디커플링으로서의 기능을 행하고, 이는 또한 신호와 파워선에서의 고속의 전류 흐름을 방해하게 된다.
따라서, 상술된 바와 같이 가장 광범위하게 사용되는 프로브 컨택터는 최근의 반도체 소자를 테스트하는 데에 충분하지 않은 대략 200MHz의 주파수 대역폭으로 제한되게 된다. 이 산업 분야에서는 현재 약 1㎓ 이상인 테스터의 용량과 적어도 동일한 주파수 대역폭이 가까운 근래에 필요하게 될 것으로 생각된다. 또한, 프로브 카드가 테스트 수율을 증가시키기 위해서 병렬로 (병렬 테스트) 32개 이상인 대다수의 반도체 소자, 특히 메모리를 취급할 수 있는 것이 요망되고 있다.
차세대의 테스트 요구를 만족하기 위해서, 이 어플리케이션의 발명가들은 1998면 6월 19일 출원된 "광리소그래피 처리에 의해 형성된 프로브 컨택터"로 표제된 미국 출원 번호 09/099,614에서 새로운 컨택트 구조물의 개념을 제공하고 있다. 컨택트 구조물이 광리소그래피 공정을 통해 실리콘이나 유전 구조물 상에 형성되어 있다. 도 5 및 도 6a-6c는 상술된 어플리케이션의 컨택트 구조물을 나타낸다. 도 5에서, 모든 컨택트 구조물(30)이 동일한 광리소그래피 처리를 통해 실리콘 기판(20) 상에 형성되어 있다. 컨택트 구조물(30)을 갖는 실리콘 기판(20)은 도 2및 도 3에서 나타낸 바와 같은 프로브 카드 상에 장착될 수 있다. 테스트 중인 반도체 웨이퍼(300)가 상향 이동할 때, 컨택트 구조물(30)이 웨이퍼(300)상의 대응하는 컨택트 타겟 (전극 또는 패드; 300)에 접촉하게 된다.
실리콘 기판(20) 상의 컨택트 구조물(30)이 도 3에서 나타낸 바와 같이 프로브 카드 상에 직접 장착될 수 있거나, 리드를 갖는 종래의 IC 패키지와 같은 패키지에 몰딩되어, 패키지가 프로브 카드 상에 장착될 수 있다. 상기 특허의 어플리케이션에서는, 프로브 카드나 그 등가물에 관련한 컨택트 구조물(30)의 패키징 및 상호 접속부와 같은 기술들은 설명하지 않았다.
따라서, 본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼, 패키지된 LSI 등의 테스트에 사용되는 프로브 카드나 그 등가물과 관련한 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 반도체 웨이퍼, 패키지된 LSI 등의 테스트시 고속의 주파수 동작을 성취하기 위해서 프로브 카드나 그 등가물과 관련하여 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 패키징 및 상호 접속부가 컨택트 구조물의 상측면에 형성되어 있는 프로브 카드나 그 등가물과 관련하여 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 본딩 와이어, 테이프 자동 본딩 (TAB) 및 다층 TAB를 통해 만들어진 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 컨택트 구조물의 상측면에 제공된 컨택트 트레이스와 커넥터 사이에 형성된 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 컨택트 구조물의 상측면에 제공된 컨택트 트레이스와 땜납 범프를 통해 프린트 회로 보드의 상호 접속부 패드 사이에 형성된 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 컨택트 구조물의 상측면에 제공된 컨택트 트레이스와 도전 폴리머를 통해 프린트 회로 보드의 상호 접속부 패드 사이에 형성된 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부를 제공하는 데에 있다.
본 발명에서는, 반도체 웨이퍼, 반도체 칩, 패키지된 반도체 소자 또는 프린트 회로 보드 등을 테스트하기 위해 프로브 카드나 그 등가물에 사용되는 컨택트 구조물의 전자 패키징 및 상호 접속부가 컨택트 구조물의 상측면에 형성된 컨택트 트레이스와 프로브 카드 상의 여러 유형의 접속 수단 사이에 만들어져 있다.
본 발명의 일 형태에서, 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부는, 광리소그래피 공정에 의해서 컨택트 기판 상에 형성되며 도전 재료로 만들어지는 컨택트 구조물 - 상기 컨택트 구조물은 상기 컨택트 기판 상에 수직 방향으로 형성된 베이스부, 일 단부가 상기 베이스부 상에 형성된 수평부 및 상기 수평부의 다른 단부 상에 수직 방향으로 형성된 컨택트부를 가짐 - ; 상기 컨택트 기판 상에 형성되며 일 단부에서 상기 컨택트 기판에 전기적으로 접속되고, 다른 단부는 컨택트 패드로 형성되어 있는 컨택트 트레이스; 상기 컨택트 패드와 전기적으로 접속되도록 상기 컨택트 트레이스의 외주변에 제공된 컨택트 타겟; 상기 컨택트 패드의 상측면과 상기 컨택트 타겟을 전기적으로 접속하기 위한 본딩 와이어; 상기 상호 접속부와 패키징의 유연성을 위해 상기 컨택트 기판 아래에 제공된 탄성체; 및 상기 컨택트 구조물, 상기 컨택트 기판 및 상기 탄성체를 지지하기 위해 상기 탄성체 아래에 제공된 지지 구조물을 포함한다.
본 발명의 다른 형태에서는, 사이에 전기적 접속을 이루기 위해서 컨택트 트레이스의 다른 단부를 수용하도록 커넥터가 제공된다. 본 발명의 다른 형태에서는, 도전 범프가 컨택트 트레이스의 다른 단부와 PCB 패드 사이에 제공되어 이들 사이에 전기적 접속을 이룬다. 본 발명의 다른 형태에서는, 컨택트 트레이스의 다른 단부와 PCB 패드 사이에 도전 폴리머를 제공하여 이들 사이에 전기적 접속을 이룬다.
본 발명의 다른 형태에서는, 컨택트 구조물의 상호 접속부 및 패키징은 컨택트 트레이스의 컨택트 패드와 컨택트 타겟 사이의 본딩 와이어를 통해 만들어진다. 본 발명의 다른 형태에서는, 컨택트 구조물의 상호 접속부와 패키징은 컨택트 트레이스의 컨택트 패드와 컨택트 타겟 사이에 연장된 테이프 자동 본딩 (TAB) 구조물의 단일층 리드를 통해 만들어진다. 본 발명의 다른 형태에서는, 컨택트 구조물의 상호 접속부와 패키징이 컨택트 트레이스의 컨택트 패드와 컨택트 타겟 사이에 연장된 테이프 자동 본딩 (TAB) 구조물의 이중층 리드를 통해 만들어진다. 본 발명의 다른 형태에서는, 컨택트 구조물의 상호 접속부와 패키징은 컨택트 트레이스의 컨택트 패드와 컨택트 타겟 사이에 연장된 테이프 자동 본딩 (TAB) 구조물의 삼중층 리드를 통해 만들어진다.
본 발명에 따르면, 패키징 및 상호 접속부는 차세대 반도체 기술의 테스트 필요 조건을 만족하기 위해서 매우 높은 주파수 대역폭을 갖는다. 패키킹 및 상호 접속부는 컨택트 구조물의 상측면을 통해 전기적 접속에 의해 프로브 카드나 그 등가물 상에 컨택트 구조물을 장착할 수 있다. 또한, 전체 소자가 비교적 소수개 조립되기 때문에, 본 발명의 상호 접속부 및 패키징은 고 제조율 뿐만 아니라 저 비용및 고 신뢰성으로 제조될 수 있다.
도 1은 기판 핸들러 및 테스트 헤드를 갖는 반도체 테스트 시스템 사이의 구조적 관계를 갖는 개략도.
도 2는 반도체 테스트 시스템의 테스트 헤드를 기판 핸들러에 접속하기 위한 상세 구조물의 일 예를 나타내는 개략도.
도 3은 프로브 컨택터로서 복수의 캔틸레버를 장착하기 위해 에폭시 링을 갖는 프로브 카드의 일 예를 나타내는 저부도.
도 4a-4e는 도 3의 프로브 카드의 등가 회로를 나타내는 회로도.
도 5는 광리소그래피 처리를 통해 제조된 본 발명과 관련된 컨택트 구조물을 나타내는 개략도.
도 6a-6c는 실리콘 기판 상에 형성된 본 발명과 관련되는 컨택트 구조물의 예를 나타내는 개략도.
도 7은 컨택트 구조물의 상측면에 제공된 컨택트 패드와 리드 프레임 사이에 본딩 와이어에 의해 패키징 및 상호 접속부가 만들어진 본 발명의 제1 실시예를 나타내는 개략도.
도 8은 본 발명의 제1 실시예의 변형 구조물을 나타내는 개략도.
도 9는 컨택트 구조물의 상측면에 제공된 컨택트 패드와 프로브 카드나 패키지 상의 컨택트 타겟 사이에서 단일층 TAB (테이프 자동 본딩)에 의해 패키징과 상호 접속부가 만들어진 본 발명의 제2 실시예를 나타내는 개략도.
도 10은 일직선의 TAB가 상호 접속부와 패키징 부재로서 결합되어 있는 본 발명의 제2 실시예의 변형 구조물을 나타내는 개략도.
도 11은 컨택트 타겟이 커넥터인 본 발명의 제2 실시예의 다른 변형 구조물을 나타내는 개략도.
도 12는 상호 접속부와 패키징 부재로서의 TAB과 컨택트 타겟 사이에 도전 범프가 결합되어 있는 본 발명의 제2 실시예의 다른 변형 구조물을 나타내는 개략도.
도 13은 상호 접속부와 패키징 부재로서의 TAB과 컨택트 타겟 사이에 도전 범프가 결합되어 있는 본 발명의 제2 실시예의 다른 변형 구조물의 개략도.
도 14는 컨택트 구조물의 상측면에 제공된 컨택트 패드와 프로브 카드나 패키지 상의 컨택트 타겟 사이에 이중층 TAB (테이프 자동 본딩)에 의해 패키징과 상호 접속부가 만들어진 본 발명의 제3 실시예를 나타내는 개략도.
도 15는 일직선의 이중층 TAB이 한 쌍의 컨택트 타겟에 접속되는 상호 접속부 및 패키징 부재로서 결합되어 있는 본 발명의 제3 실시예의 변형 구조물을 나타내는 개략도.
도 16은 컨택트 타겟이 이중층 TAB과 접속되는 커넥터인 본 발명의 제3 실시예의 다른 변형 구조물을 나타낸 개략도.
도 17은 컨택트 타겟이 일직선의 이중층 TAB과 접속되는 커넥터인 본 발명의 제3 실시예의 다른 변형 구조물을 나타낸 개략도.
도 18은 상호 접속부와 패키징 부재로서의 TAB와 컨택트 타겟 사이에 도전 범프가 결합되어 있는 본 발명의 제3 실시예의 다른 변형 구조물을 나타내는 개략도.
도 19는 상호 접속부 및 패키징 부재로서의 이중층 TAB와 컨택트 부재 사이에 도전 범프가 결합되어 있는 본 발명의 제3 실시예의 다른 변형 구조물을 나타내는 개략도.
도 20은 상호 접속부와 패키징 부재로서의 이중층 TAB와 컨택트 타겟 사이에 도전 폴리머가 결합되어 있는 본 발명의 제3 실시예의 다른 변형 구조물을 나타내는 개략도.
도 21은 상호 접속부와 패키징 부재로서의 이중층 TAB와 컨택트 타겟 사이에 한 쌍의 도전 폴리머가 결합되어 있는 본 발명의 제3 실시예의 다른 변형 구조물을 나타내는 개략도.
도 22는 컨택트 구조물의 상측면에 제공된 컨택트 패드와 프로브 카드나 패키지 상의 컨택트 타겟 사이에서 삼중층 TAB에 의해 패키징 및 상호 접속부가 만들어진 본 발명의 제4 실시예를 나타내는 개략도.
도 23은 일직선의 삼중층 TAB이 세 개의 컨택트 타겟에 접속되는 상호 접속부 및 패키징 부재로서 결합되어 있는 본 발명의 제4 실시예의 변형 구조물을 나타내는 개략도.
도 24는 컨택트 타겟이 삼중층 TAB과 접속되는 커넥터인 본 발명의 제4 실시예의 다른 변형 구조물을 나타내는 개략도.
도 25는 컨택트 타겟이 일직선의 삼중층 TAB과 접속되는 커넥터인 본 발명의 제4 실시예의 다른 변형 구조물을 나타내는 개략도.
도 26은 상호 접속부 및 패키징 부재로서의 TAB와 컨택트 부재 사이에 도전 범프가 결합되어 있는 본 발명의 제4 실시예의 다른 변형 구조물을 나타내는 개략도.
도 27은 상호 접속부와 패키징 부재로서의 삼중층 TAB와 컨택트 타겟 사이에 세 개의 도전 폴리머가 결합되어 있는 본 발명의 제4 실시예의 다른 변형 구조물을 나타내는 개략도.
도 28은 상호 접속부와 패키징 부재로서의 삼중층 TAB와 컨택트 타겟 사이에 도전 폴리머가 결합되어 있는 본 발명의 제4 실시예의 다른 변형 구조물을 나타내는 개략도.
도 29는 상호 접속부와 패키징 부재로서의 삼중층 TAB와 컨택트 타겟 사이에 세 개의 도전 폴리머가 결합되어 있는 본 발명의 제4 실시예의 다른 변형 구조물을 나타내는 개략도.
<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>
20 : 실리콘 기판
30 : 컨택트 구조물
32 : 컨택트 상호 접속부 트레이스
33 : 컨택트 패드
38 : 상호 접속부 패드
45 : 리드 프레임
52 : 지지 구조물
54 : 지지 부재
62 : PCB 기판
72 : 본딩 와이어
74 : TAB 리드
컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부를 IC 패키지에 의해 프로브 카드로 직접적으로 또는 프로브 카드로 간접적으로 만들기 위해서, 도 6a-6c의 예가 컨택트 구조물로부터 연장되어 상호 접속부를 형성하기 위한 기본적인 세 유형의 전기적 경로를 나타낸다. 도 6a는 이런 전기적 접속부가 기판의 상부에 만들어져 있는 예를 나타낸다. 도 6b는 기판의 저부에 전기적 접속부가 만들어진 예를 나타낸 반면 도 6c는 기판의 모서리에 전기적 접속부가 형성되어 있는 예를 나타낸다. 현존하는 IC 패키지 디자인이나 프로브 카드 디자인의 대부분의 유형은 도 6a-6c의 상호 접속부 유형 중 적어도 하나를 수용할 수 있다.
도 6a-6c 각각은 프로브 카드 또는 프로브 카드에의 중간 부재와의 전기적 접속을 이루는 a에 의해 또한 나타낸 컨택트 상호 접속부 트레이스(32)를 포함한다. 컨택트 구조물(30)은 수직부(b 및 d) 및 수평 빔(c)와 선단부(e)를 갖는다. 컨택트 구조물(30)의 선단부(e)는 도 3에서 나타낸 바와 같이 컨택트 타겟(320)에 가압될 때 스크러빙 효과를 얻기 위해 뾰족하게 되는 것이 바람직하다. 수평 빔(c)의 스프링력은 컨택트 타겟(320)에 대해 적당한 접촉력을 제공한다. 컨택트 구조물(30) 및 컨택트 트레이스(32)의 재료의 예로는 니켈, 알루미늄, 구리 및 그 외 도전 재료를 포함한다. 이 출원의 발명자는 상기한 미국 출원 번호 09/099,614에서 실리콘 기판(20) 상에서의 컨택트 구조물(30) 및 컨택트 상호 접속부 트레이스(32)의 제조 공정의 상세 설명을 제공한다.
본 발명에서, 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부는 도 6a에서 나타낸 바와 같이 그 상측면 (상부 유형 컨택트 트레이스)에 컨택트 트레이스를 갖는 구조물의 유형에 관련된 것이다. 상부 유형의 패키징 및 상호 접속부에 대한 여러 유형의 본 발명의 실시예가 도면을 참조하여 설명할 것이다.
도 7 및 도 8은 상부 유형 컨택트 트레이스가 본딩 와이어를 통해 예를 들어 프로브 카드 (도시 생략) 또는 IC 패키지 (도시 생략)의 리드 프레임에 결합되어 있는 본 발명의 제1 실시예를 나타낸다. 이 도 7의 실시예에서, 컨택트 구조물(20) 상에 형성된 컨택트 구조물(30)이 상술된 상부 유형의 컨택트 트레이스인 컨택트 트레이스(32)에 전기적으로 접속되어 있다. 컨택트 트레이스(32)는 그 단부에, 컨택트 패드(33)를 가지며, 이 컨택트 패드의 상측면은 본딩 와이어(72)와 같은 여러 컨택트 수단을 통해 컨택트 타겟과의 전기적 접속을 이루도록 디자인되어 있다. 와이어(72)는 예를 들어, 금이나 알루미늄으로 만들어진 얇은 (15-25㎛) 와이어이다.
통상, 컨택트 기판(20)은 실리콘 기판이지만, 글래스 에폭시, 폴리이미드, 세라믹, 및 알루미나 기판 등의 다른 유형의 유전 기판이 또한 가능하다. 도 7의 예에서, 본딩 와이어(72)는 예를 들어 프로브 카드의 컨택트 패드(33) 및 리드 프레임(45)와 접속된다. 컨택트 기판(20) 및 리드 프레임(45)은 예를 들어, 접착제 (도시 생략)에 의해 지지 구조물(52) 상에 장착되어 있다.
와이어 본딩 공정이 본딩 와이어(72)에 의한 접속을 이루는 데에 사용될 수 있다. 와이어(72)는 먼저 컨택트 트레이스의 컨택트 패드(33)에 본딩된 다음에 리드 프레임(45)에 미치게 된다. 와이어(72)는 리드 프레임(45)에 본딩되어 클립되고 이 전체 공정이 다음 본딩 패드에서 반복된다. 와이어 본딩은 금이나 알루미늄 와이어로 행해진다. 이 두 재료는 본딩 단계 동안의 변형에 견딜 만큼 충분히 도전성이 크며 연성이고 계속 강성이며 신뢰성을 유지한다. 금 와이어 본딩시, 열 압착 (TC) 및 서모소닉(thermosonic) 방법이 통상 사용된다. 알루미늄 와이어 본딩시, 초음파 및 웨지 (wedge) 본딩 방법이 통상 사용된다.
도 8의 예에서, 컨택트 트레이스(32)는 PCB 기판(62) 상에 제공된 프린트 회로 보드 (PCB) 상호 접속부 패드(38)와 그 상측면에서 접속되어 있다. PCB 기판(62)은 도 3에서 나타낸 바와 같은 프로브 카드이거나 컨택트 구조물과 프로브 카드 사이의 중간 회로 소자일 수 있다. PCB 기판은 지지 구조물(52) 상에 장착되어 있다. 컨택트 구조물(20) 및 지지 구조물(52)는 예를 들어, 접착제 (도시 생략)에 의해 서로 고정되어 있다. 유사하게, PCB 기판 및 지지 구조물(52)은 접착제 (도시 생략)에 의해 서로 고정되어 있다.
도 9-도 13은 테이프 자동 본딩 (TAB) 공정에 의해 형성된 단일층 리드를 통해 상부 유형 컨택트 트레이스가 컨택트 타겟에 결합되어 있는 본 발명의 제2 실시예를 나타낸다. 도 9의 제1 실시예에서, 컨택트 구조물(20) 상에 형성된 컨택트 구조물(30)은 컨택트 트레이스(32)를 통해 컨택트 패드(33)에 전기적으로 접속되어 있다. 컨택트 패드(33)는 PCB 기판(622) 상에 제공된 프린트 회로 보드(PCB) 상호 접속부 패드(38)에 또한 접속되어 있다.
컨택트 기판(20)은 탄성체(42) 및 지지 구조물(522)를 통해 PCB 기판(622) 상에 장착되어 있다. 컨택트 기판(20), 탄성체(42), 지지 구조물(522) 및 PCB 기판(622)은 예를 들어 접착제 (도시 생략)에 이해 서로 고정되어 있다. 이 예에서, 컨택트 패드(33)와 PCB 패드(38)를 접속하기 위한 TAB 리드(74)는 갈매기 날개부(A)가 PCB 패드(38)에 본딩되어 있는 갈매기 날개 형상을 갖는다. 지지 부재(54)는 TAB 리드(74)를 지지하기 위해서 지지 구조물(522) 상에 제공되어 있다.
TAB 리드(74)는 표면 장착 기술에 사용되는 표준 "갈매기 날개 리드"와 유사한 갈매기 날개 형상을 갖는다. 갈매기 날개 유형의 TAB 리드(74)의 하향 굴곡 때문에, PCB 패드(38)와 리드(74) 사이의 컨택트부 위에서 도 9의 좌측 단부에 충분한 수직 틈새가 얻어진다. TAB 리드(74) (하향 굴곡, 갈매기 날개 리드)의 리드 형상은 이를 제조하도록 특수 기구를 필요로 한다. 이런 기구는 컨택트 트레이스와 PCB 패드 사이의 대다수의 상호 접속부가 반도체 테스팅과 같은 어플리케이션에 사용되기 때문에, 임의의 피치를 갖는 다수의 컨택트 트레이스에 대해 표준화될 수 있다.
컨택트 패드(33)와 TAB 리드(74) 사이 및 TAB 리드(74)와 PCB 패드(38) 사이의 전기적 접속부는 서모소닉 본딩, 열압착 본딩 및 초음파 본딩 기술을 포함하는 여러 본딩 기술에 의해 만들어진다. 다른 형태로는, 이런 전기적 접속이 스크린 프린트 가능한 땜납 페이스트를 이용하는 것과 같은 표면 장착 기술 (SMT)에 의해 만들어진다. 납땜 공정은 공지의 땜납 페이스트와 그 외 땜납 재료의 유동 특성에 기초하여 실행된다.
PCB 기판(622) 자체는 도 3에서 나타낸 바와 같은 프로브 카드이거나, 개별적으로 제공되거나 프로브 카드 상에 직접적이거나 간접적으로 장착될 수 있다. 전자의 경우, PCB(622)는 도 2에서 나타낸 방법으로 IC 테스터와 같은 테스트 시스템의 인터페이스와 직접적으로 컨택트될 수 있다. 후자의 경우, PCB 기판(622)는 프로브 카드 상의 컨택트 기구의 다음 레벨에의 전기적 접속을 이루기 위해서 핀으로 고정되거나 도전 폴리머를 이용한다. 핀이나 도전 폴리머에 의한 PCB 기판(622)과 프로브 카드 사이의 전기적 접속은 분야별 수리를 가능하게 한다.
PCB 기판(622)은 전원 디커플링 및 많은 핀의 개수 (I/O 핀 및 관련된 신호 경로의 수)를 위해 고 대역폭 신호, 분산된 고 주파수 용량 및 집적된 고 주파수 칩 커패시터를 제공할 수 있는 다중층 구조물일 수 있다. PCB(622)의 재료의 예로는 표준 고 성능의 글래스 에폭시 수지가 있다. 다른 예의 재료로는 반도체 웨이퍼 및 패키지된 IC 장치의 통전 테스트와 같은 고온 어플리케이션 동안에 온도 팽창 계수 (CTE) 불일치를 최소화할 것으로 기대되는 세라믹이 있다.
지지 구조물(522)은 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부의 물리적 강도를 만드는 것이다. 지지 구조물(522)은 예를 들어 세라믹, 몰딩된 플라스틱 또는 금속으로 만들어진다. 탄성체(42)는 가능한 평탄화 기구를 해결하기 위해 본 발명의 패키징 및 상호 접속부의 유연성을 만드는 것이다. 탄성체(42)는 또한 컨택트 구조물(20)과 PCB 기판(622) 사이의 온도 팽창율의 불일치를 흡수하는 기능을 행한다.
컨택트 트레이스(32)와 TAM 리드(74)의 전체 길이의 예는 수십 마이크로미터에서 수백 마이크로미터의 범위에 있다. 짧은 경로 길이 때문에, 본 발명의 패키징 상호 접속부는 수 GHz 이상과 같은 고 주파수 대역에서 쉽게 동작 가능할 수 있다. 또한, 전체 소자가 비교적 소수개 조립되기 때문에, 본 발명의 패키징 및 상호 접속부는 고 생산성 뿐만 아니라 저 비용 및 고 신뢰성으로 제조될 수 있다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예의 다른 예를 나타낸다. TAB 리드(742)는 일직선이며 프린트 회로 보드 (PCB) 기판(623) 상에 제공된 PCB 패드(38)에 컨택트 패드(33)를 접속한다. PCB 기판(623)은 PCB 패드(38)의 수직 위치에 일치되기 위해서, 그 좌측 단부에 상승부를 갖고 있다.
TAB 리드(742)와 PCB 패드(38) 사이의 전기적 접속은 서모소닉 본딩, 열압착 본딩 및 초음파 본딩 기법을 포함하는 여러 다른 본딩 기술 뿐만 아니라 스크린 프린트 가능한 땜납 페이스트를 이용하는 등으로 표면 장착 기술 (SMT)에 의해 만들어지게 된다. 컨택트 구조물(30), 컨택트 트레이스(32), 및 TAB 리드(742)에 관련하여 소자의 크기와 신호 경로 길이가 상당히 작기 때문에, 도 10의 예는 수 GHz와 같이, 매우 고주파수 대역에서 동작할 수 있다. 또한, 조립되는 소자의 개수가 작고 구조가 간단하기 때문에, 본 발명의 상호 접속부 및 패키징이 고 제조률 뿐만 아니라 저비용 및 고 신뢰성으로 제조될 수 있다.
도 11은 상부 유형 컨택트 트레이스(32)가 프린트 회로 보드나 그 외 구조물 상에 제공된 커넥터에 결합되어 있는 본 발명의 제2 실시예의 다른 변형을 나타낸다. 도 11의 예에서는, 컨택트 트레이스(32)에 접속된 컨택트 패드(33)가 단일층의 TAB 리드(743)를 통해 커넥터(46)에 접속되어 있다. 커넥터(46)는 지지 구조물(523)에 제공되어 있다. 통상, 컨택트 구조물(30), 컨택트 트레이스(32), 및 컨택트 패드(33)는 광리소그래피 처리를 통해 컨택트 기판(20) 상에 형성된다. 컨택트 기판(20)은 실리콘 기판이지만, 글래스 에폭시, 폴리이미드, 세라믹 및 알루미나 기판과 같은 다른 유형의 유전 기판이 또한 가능하다.
이 예에서, TAB 리드(743)는 표면 장착 기술에서 광범위하게 사용되는 갈매기 날개와 유사한 형상으로 가지며 도 9의 예에 결합된다. 도 11의 대략 중심부에서, 컨택트 기판(20)이 탄성체(42)에 의해 지지 구조물(523) 상에 장착된다. 컨택트 기판(20), 탄성체(42) 및 지지 구조물(523)이 예를 들어, 접착제(도시 생략)에 의해 서로 부착되어 있다.
커넥터(46)는 부착 기구 (도시 생략)를 통해 지지 구조물(523)에 기계적으로 고정될 수 있다. TAB 리드(743)의 단부는 커넥터(46)의 리셉터클 (도시 생략)에 삽입된다. 공지된 바와 같이, 이런 리셉터클은 TAB 리드(743)의 단부를 내부에 수용하고 있을 때 충분한 접촉력을 제공하기 위한 스프링 기구를 갖는다. TAB 리드(743)와 지지 구조물(523) 사이에는, 컨택트 패드(33)와 커텍터(46) 사이에 연장된 TAB 리드(743)를 지지하기 위한 지지 부재(54)가 제공되어 있다. 또한 공지된 바와 같이, 이런 리셉터클의 내측면에는 금, 은, 팔라듐 또는 니켈과 같은 도전 금속이 제공되어 있다.
커넥터(46)는 프린트 회로 보드(PCB)에의 직접적인 접속을 위해서, 상술된 리셉터클에 접속될 수 있는, 일직선이거나 우측으로 기울어진 핀과 집적될 수 있다. 커넥터(46)를 위에 장착하기 위한 PCB는 고형이거나 유연성일 수 있다. 공지된 바와 같이, 유연성 PCB는 유연성 베이스 재료 상에 형성되며 그 내에 평평한 케이블을 갖는다. 다르게, 커넥터(46)는 리셉터클이 내부에 TAB 리드(743)의 단부를 수용하기 위해 동축 케이블의 내부 도체에 부착되어 있는 동축 케이블 조립체와 일체화될 수 있다. 커넥터(46)와 TAB 리드(743) 또는 지지 구조물(523) 사이의 접속은 영구 부착이 아니므로, 컨택트부의 교체나 보수를 가능하게 한다.
통상, 컨택트 기판(20)은 실리콘 기판이지만, 글래스 에폭시, 폴리이미드, 및 알루미나 기판과 같은 다른 유형의 기판이 또한 가능하다. 지지 구조물(523)은 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부의 물리적 강도를 만드는 것이다. 지지 구조물(523)은 예를 들어 세라믹, 몰딩된 플라스틱 또는 금속으로 만들어진다. 탄성체(42)는 가능한 평탄화 기구를 해결하기 위해 본 발명의 패키징 및 상호 접속부의 유연성을 만드는 것이다. 탄성체(42)는 또한 그 위에 커넥터(46)를 장착하기 위해서 컨택트 구조물(20)과 PCB 기판 사이의 온도 팽창율의 불일치를 흡수하는 기능을 행한다.
컨택트 트레이스(32)와 TAM 리드(743)의 전체 길이의 예는 수십 마이크로미터에서 수백 마이크로미터의 범위에 있다. 본 발명의 패키징 상호 접속부는 짧은 경로 길이 때문에, 수 GHz 이상과 같이 고 주파수 대역에서 쉽게 동작 가능할 수 있다. 또한, 전체 소자가 비교적 적은 개수 조립되기 때문에, 본 발명의 패키징 및 상호 접속부가 고 생산성 뿐만 아니라 저 비용 및 고 신뢰성으로 제조될 수 있다. 갈매기 날개 형상의 TAB 리드(743)은 제조 공정에서 특수의 기구를 필요로 하며, 이는 임의의 피치로 복수의 컨택트 트레이스에 대해 평준화될 수 있다.
도 12는 상부 유형의 컨택트 트레이스가 도전 범프에 의해 프린트 회로 보드 상에 제공된 패드에 결합되어 있는 본 발명의 제2 실시예의 다른 예를 나타낸다. 도 12의 예에서, 컨택트 구조물(30), 컨택트 트레이스(32), 및 컨택트 탭(33)이 컨택트 기판(20) 상에 형성되어 있다. 통상, 컨택트 기판(20)은 실리콘 기판이지만, 글래스 에폭시, 폴리이미드, 세라믹, 및 알루미나 기판과 같은 다른 유형의 유전 기판이 가능하다. 컨택트 트레이스(32)는 TAB 리드(744)를 거쳐 도전 범프(56)에 의해 PCB 기판(622) 상에 제공된 PCB (프린트 회로 보드) 패드(38)에 접속되어 있다.
이 예에서, TAB 리드(744)는 도 11의 예에서 나타낸 것과 유사한 형상을 갖는다. 컨택트 기판(20)은 지지 구조물(522) 및 탄성체(42)에 의해 PCB 기판(622) 상에 장착되어 있다. 컨택트 기판(20), 탄성체(42), 지지 구조물(522), 및 PCB 기판(622)은 예를 들어 접착제(도시 생략)에 의해 서로 접착되어 있다. TAB 리드(744)와 지지 구조물(522) 사이에는, 컨택트 패드(33)와 PVB 패드(38) 사이에 연장된 TAB 리드(744)를 지지하기 위한 지지 부재(54)가 제공되어 있다.
열의 인가에 의해, 도전 범프(56)가 PCB 패드(38) 상에서 유동되어 TAB 리드(744)와 PCB 패드(38) 사이를 부착시킨다. 도전 범프(56)의 예는 표준 땜납 볼 기술에 사용되는 땜납 범프이다. 도전 범프(56)의 다른 예로는 플라즈마-보조 건조 납땜 기술에 사용되는 비유동성 땜납 볼이다.
도전 범프(56)의 다른 예로는 범프 내에 폴리머의 사용을 초래하는 도전 폴리머 범프 및 유동성 범프이다. 이는 패키징 및 상호 접속부의 평탄화 문제 또는 CTE (온도 팽창 계수)의 불일치를 최소화하는 데에 도움을 준다. 금속의 재유동이 없는데, 이로 인해 접촉점 사이의 브리징 (bridging)을 방지할 수 있다. 도전 폴리머 범프는 스크린 프린트 가능한 도전 접착제로 만들어진다. 유동성 범프는 금속 코팅된 폴리머 코어 범프이다. 폴리머는 통상 금으로 도금되며 탄성적으로 압착 가능하다. 도전 범프(56)의 또 다른 예로는 증발 공정에 의해 땜납 벌이 형성되는 제어 가능 붕괴 칩 접속 기술에 사용되는 범프가 있다.
PCB 기판(622) 자체는 도 3에 나타낸 것과 같은 프로브 카드이거나 개별적으로 제공되며 프로브 카드 상에 직접적으로 또는 간접적으로 장착될 수 있다. 전자의 경우, PCB 기판(622)는 도 2에서 나타낸 방법으로 IC 테스터와 같은 테스트 시스템의 인터페이스와의 직접적 접촉을 이룬다. 후자의 경우, PCB 기판(622)는 다음 레벨에의 전기적 접촉을 이루기 위해서 핀으로 고정되거나 도전 폴리머를 사용한다. 핀이나 도전 폴리머에 의한 PCB 기판(622)과 프로브 카드 사이의 전기적 접속은 보수를 가능하게 한다.
PCB 기판(622)는 전원 디커플링 및 많은 핀의 개수 (I/O 핀 및 관련된 신호 경로의 수)를 위해 고 대역폭 신호, 분산된 고 주파수 용량 및 집적된 고 주파수 칩 터패시터를 제공할 수 있는 다중층 구조물일 수 있다. PCB(622)의 재료의 예로는 표준 고 성능의 글래스 에폭시 수지가 있다. 다른 예의 재료로는 반도체 웨이퍼 및 패키지된 IC 장치의 통전 테스트와 같은 고온 어플리케이션 동안에 온도 팽창 계수 (CTE)의 불일치를 최소화할 것으로 기대되는 세라믹이 있다.
지지 구조물(522)은 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부의 물리적 강도를 만드는 것이다. 지지 구조물(522)은 예를 들어 세라믹, 몰딩된 플라스틱 또는 금속으로 만들어진다. 탄성체(42)는 가능한 평탄화 기구를 해결하기 위해 본 발명의 패키징 및 상호 접속부의 유연성을 만드는 것이다. 탄성체(42)는 또한 컨택트 구조물(20)과 PCB 기판(622) 사이의 온도 팽창율의 불일치를 흡수하는 기능을 행한다.
컨택트 트레이스(32)와 TAM 리드(744)의 전체 길이의 예는 수십 마이크로미터에서 수백 마이크로미터의 범위에 있다. 짧은 경로 길이 때문에, 본 발명의 상호 접속부 및 패키징은 수 GHz 이상과 같이 고 주파수 대역에서 용이하게 동작될 수 있다. 또한, 전체 소자가 비교적 소수개 조립되기 때문에, 본 발명의 패키징 및 상호 접속부는 고 생산성 뿐만 아니라 저 비용 및 고 신뢰성으로 제조될 수 있다.
도 13은 상부 유형의 컨택트 트레이스가 도전 폴리머에 의해 프린트 회로 보드 상에 제공된 패드에 결합되어 있는 본 발명의 제2 실시예의 다른 변형을 나타낸다. 도 13의 예에서는, 컨택트 구조물(30), 컨택트 트레이스(32), 및 컨택트 패드(33)가 컨택트 기판(20) 상에 형성되어 있다. 컨택트 패드(33)는 TAB 리드(744) 및 도전 폴리머(66)를 통해 PCB 기판(622) 상에 제공된 PCB (프린트 회로 보드)에 접속되어 있다. 통상, 컨택트 구조물(30)은 실리콘 기판이지만, 글래스 에폭시, 폴리이미드, 세라믹 및 알루미나 기판과 같은 다른 유형의 유전 기판이 또한 가능하다.
이 예에서, TAB 리드(744)는 도 11 및 도 12에서 나타낸 것과 유사한 형상을 갖는다. 컨택트 기판(20)은 지지 구조물(522) 및 탄성체(42)에 의해 PCB 기판(622) 상에 장착되어 있다. 컨택트 기판(20), 탄성체(42), 지지 구조물(522), 및 PCB 기판(622)는 예를 들어, 접착제 (도시 생략)에 의해 서로 접착되어 있다.
대부분의 도전 폴리머는 통상 각진 방향의 수직선에서의 메이팅 전극들 사이에서 도전성으로 그리고 수평 방향에서는 비도전성으로 디자인되어 있다. 도전 폴리머(66)의 예로는 탄성체의 표면을 지나 연장되는 도전성 와이어로 충전된 도전 탄성체이다.
도전 폴리머(66)의 다른 예로는 이방성 도전 접착제, 이방성 도전막, 이방성 도전 페이스트, 및 이방성 도전 입자등이 가능하다. 이방성 도전 접착제에는 서로 접촉하지 않는 도전 입자로 채워진다. 도전 경로는 특정 위치에서 두 전극 사이의 접작체를 가압하여 형성된다. 이방성 도전막은 서로 접촉하지 않는 도전 입자로 채워진 얇은 유전 수지이다. 도전 경로는 특정 위치에서 두 개의 전극 사이에 막을 가압하여 형성된다.
이방성 도전 페이스트는 서로 접촉하지 않는 도전 입자로 채워지는 스크린 프린트 가능한 페이스트이다. 도전 경로는 특정 위치에서 두 개의 전극 사이에 페이스트를 가압하여 형성된다. 이방성 도전 입자는 분리를 개선하기 위해서 매우 얇은 유전 재료층으로 코팅된 도전 입자로 채워진 얇은 유전 수지이다. 도전 경로는 특정 위치에서의 두 개의 전극 사이에서, 입자 상의 유전 코팅층을 파괴할 만큼의 충분한 힘으로 입자를 가압하여 형성된다.
PCB 기판(622) 자체는 도 3에서 나타낸 것과 같은 프로브 카드이거나 개별적으로 제공되며 프로브 카드 상에 직접적으로 또는 간접적으로 장착될 수 있다. 전자의 경우, PCB(622)는 도 2에서 나타낸 방법으로 IC 테스터와 같은 테스트 시스템의 인터페이스와 직접적으로 접촉될 수 있다. 후자의 경우, PCB 기판(622)는 다음 레벨에의 전기적 접속을 이루기 위해서 핀으로 고정되거나 도전 폴리머를 이용한다. 핀이나 도전 폴리머에 의한 PCB 기판(622)과 프로브 카드 사이의 전기적 접속은 수리를 가능하게 한다.
PCB 기판(622)은 전원 디커플링 및 많은 핀의 개수 (I/O 핀 및 관련된 신호 경로의 수)를 위해 고 대역폭 신호, 분산된 고 주파수 용량 및 집적된 고 주파수 칩 커패시터를 제공할 수 있는 다중층 구조물일 수 있다. PCB 기판(622)의 재료의 예로는 표준 고 성능의 글래스 에폭시 수지가 있다. 다른 예의 재료로는 반도체 웨이퍼 및 패키지된 IC 장치의 통전 테스트와 같은 고온 어플리케이션 동안에 온도 팽창 계수 (CTE)의 불일치를 최소화할 것으로 기대되는 세라믹이 있다.
지지 구조물(522)은 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부의 물리적 강도를 만드는 것이다. 지지 구조물(522)은 예를 들어 세라믹, 몰딩된 플라스틱 또는 금속으로 만들어진다. 탄성체(42)는 가능한 평탄화 기구를 해결하기 위해 본 발명의 패키징 및 상호 접속부의 유연성을 만드는 것이다. 탄성체(42)는 또한 컨택트 구조물(20)과 PCB 기판(622) 사이의 온도 팽창율의 불일치를 흡수하는 기능을 행한다.
컨택트 트레이스(32)의 길이의 예는 수십 마이크로미터에서 수백 마이크로미터의 범위에 있다. 짧은 경로 길이 때문에, 본 발명의 패키징 상호 접속부는 수 GHz 이상과 같이 고 주파수 대역에서 쉽게 동작될 수 있다. 또한, 전체 소자가 비교적 소수개 조립되기 때문에, 본 발명의 패키징 및 상호 접속부가 고 생산성 뿐만 아니라 저 비용 및 고 신뢰성으로 제조될 수 있다.
도 14 내지 도 21은 테이프 자동 본딩 (TAB) 공정에 의해 형성된 이중층 리드에 의해 상부 유형의 컨택트 트레이스가 컨택트 타겟에 결합되어 있는 본 발명의 제3 실시예를 나타낸다. 도 14의 제1 예에서, 컨택트 기판(20) 상에 형성된 컨택트 구조물(30)은 컨택트 트레이스(32)에 의해 컨택트 패드(33)에 전기적으로 접속되어 있다. 컨택트 패드(33)는 PCB 기판(622) 상에 제공된 프린트 회로 보드(PCB) 상호 접속 패드(38)에 접속된 TAB 리드(76)와 그 상측면에서 접속되어 있다.
컨택트 기판(20)은 탄성체(422)와 지지 구조물(524)에 의해 PCB 기판(622) 상에 장착되어 있다. 컨택트 기판(20), 탄성체(422), 지지 구조물(524), 및 PCB 기판(622)은 예를 들어 접착제(도시 생략)에 의해 서로 고정되어 있다. 이 예에서, 컨택트 패드(33)와 PCB 패드(38)를 접속하기 위한 이중층의 TAB 리드(76)는 상측 리드 A와 하측 리드 B를 갖는다. 지지 부재(542)가 TAB 리드(76)의 상측 리드와 하측 리드 사이에 제공된다.
TAB 리드(76)는 표면 장착 기술에 사용되는 표준 "갈매기 날개 리드"와 유사한 갈매기 날개 형상을 갖는다. 갈매기 날개 유형의 TAB 리드(76)의 하향의 굴곡 때문에, PCB 패드(38)와 리드(76) 사이의 컨택트 부분 위에서 도 14의 좌측 단부에 충분한 수직의 틈새가 얻어진다. TAB 리드(76)의 리드 형태 (햐향 굴곡, 갈매기 날개 리드)는 이를 생성하도록 특수 기구를 필요로 한다. 이런 기구는, 컨택트 트레이스와 PCB 패드 사이의 다수의 상호 접속부가 반도체 테스팅과 같은 어플리케이션에 사용되기 때문에, 다수의 컨택트 트레이스에 대해 임의의 피치로 평준화될 수 있다.
층을 이루는 A와 B를 갖는 TAB 리드(76)의 구조는 두 개의 리드 때문에 신호 경로에 저 저항을 만든다. 이것은 테스트 신호의 파형을 왜곡시키지 않고 반도체 소자를 고속을 테스트하기 위해서 접지선이나 파워선 등에서 대전류를 전송하는 데에 유용하다.
컨택트 패드(33)와 TAB 리드(76) 사이와 TAB 리드(76)와 PCB 패드(38) 사이의 전기적 접속은 서모소닉 본딩, 열압착 본딩 및 초음파 본딩 기법을 포함하는 여러 본딩 기술에 의해 만들어지게 된다. 다른 형태에서는, 이런 전기적 접속이 스크린 프린트 가능한 땜납 페이스트를 이용하는 등의 표면 장착 기술 (SMT)에 의해 만들어지게 된다. 납땜 공정은 공지된 땜납 페이스트와 그 외 땜납 재료의 유동 특성에 기초하여 실행된다.
PCB 기판(622) 자체는 도 3에서 나타낸 것과 같은 프로브 카드이거나 개별적으로 제공되며 프로브 카드 상에 직접적으로 또는 간접적으로 장착될 수 있다. 전자의 경우, PCB(622)는 도 2에서 나타낸 방법으로 IC 테스터와 같은 테스트 시스템의 인터페이스와 직접적으로 접촉될 수 있다. 후자의 경우, PCB 기판(622)은 프로브 카드 상의 컨택트 기구의 다음 레벨에의 전기적 접속을 이루기 위해서 핀으로 고정되거나 도전 폴리머를 이용한다. 핀이나 도전 폴리머에 의한 PCB 기판(622)과 프로브 카드 사이의 전기적 접속은 수리를 가능하게 한다.
PCB 기판(622)은 전원 디커플링 및 많은 핀의 개수 (I/O 핀 및 관련된 신호 경로의 수)를 위해 고 대역폭 신호, 분산된 고 주파수 용량 및 집적된 고 주파수 칩 커패시터를 제공할 수 있는 다중층 구조물일 수 있다. PCB 기판(622)의 재료의 예로는 표준 고 성능의 글래스 에폭시 수지가 있다. 다른 예의 재료로는 반도체 웨이퍼 및 패키지된 IC 장치의 통전 테스트와 같은 고온 어플리케이션 동안에 온도 팽창 계수 (CTE)의 불일치를 최소화할 것으로 기대되는 세라믹이 있다.
지지 구조물(524)은 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부의 물리적 강도를 만드는 것이다. 지지 구조물(524)은 예를 들어 세라믹, 몰딩된 플라스틱 또는 금속으로 만들어진다. 탄성체(42)는 가능한 평탄화 기구를 해결하기 위해 본 발명의 패키징 및 상호 접속부의 유연성을 만드는 것이다. 탄성체(422)는 또한 컨택트 구조물(20)과 PCB 기판(622) 사이의 온도 팽창율의 불일치를 흡수하는 기능을 행한다.
컨택트 트레이스(32)의 전체 길이의 예는 수십 마이크로미터에서 수백 마이크로미터의 범위에 있다. 짧은 경로 길이 때문에, 본 발명의 패키징 상호 접속부는 수 GHz 이상과 같이 고 주파수 대역에서 쉽게 동작될 수 있다. 또한, 전체 소자가 적은 개수로 조립되기 때문에, 본 발명의 패키징 및 상호 접속부는 고 생산성 뿐만 아니라 저 비용 및 고 신뢰성으로 제조될 수 있다.
도 15는 본 발명의 제3 실시예의 다른 예를 나타낸다. 이 예에서, 상측 및 하측 리드 A 및 B를 갖는 이중층 TAB 리드(762)가 컨택트 구조물(30)에 접속된 컨택트 패드(33)에 제공된다. 상측 리드 A는 하측 리드 B 보다는 도 15의 상측 및 외측 위치에 제공된다. 상측 리드는 PCB 패드(38)에 접속되고 하측 리드 B는 PCB 패드(39)에 접속된다. PCB 기판(624)은 PCB 패드(38 및 39)를 그 위에 수용하기 위해서, PCB 패드(38)을 장착하도록 더 큰 두께, 즉 단차를 갖는 에지를 그리고 이 에지부에 인접하여 PCB(39)를 장착하도록 더 작은 두께를 갖는 내부를 갖도록 구성된다.
TAB 리드(762)와 PCB 패드(38 및 39) 사이의 전기적 접속은 서모소닉 본딩, 열압착 본딩 및 초음파 본딩 기술을 포함하는 여러 본딩 기술 뿐만 아니라 스크린 프린트 가능한 땜납 페이스트를 이용하는 등의 표면 장착 기술 (SMT)에 의해 만들어진다. 컨택트 구조물(30), 컨택트 트레이스(32), 및 TAB 리드(762)에 관련하여 소자의 크기와 신호 경로 길이가 상당히 작기 때문에, 도 15의 예는 수 GHz와 같이 매우 높은 주파수 대역에서 동작할 수 있다. 더구나, 적은 개수의 소자가 간단한 구조로 조립되기 때문에, 본 발명의 상호 접속부 및 패키징은 고 제조률 뿐만 아니라 저비용 및 고 신뢰성으로 제조될 수 있다.
이중층 리드 A 및 B를 갖는 TAB 리드(762)의 구조는 수직 길이로 전개되어 있다. 이것은 둘 이상의 경로에 신호나 파워를 분산하는 데에 유용하다. 또한 이것은 컨택트 패드의 개수를 증가시키는, 즉 컨택트 패드 사이의 유효 피치 (거리)를 줄이는 장점이 있다.
도 16은 상부 유형 컨택트 트레이스(32)가 프린트 회로 보드나 그 외 구조물 상에 제공된 커넥터에 결합되어 있는, 본 발명의 제3 실시예의 다른 변형을 나타낸다. 도 16의 예에서, 컨택트 트레이스(32)에 접속된 컨택트 패드(33)는 이중층 TAB 리드(764)를 통해 커넥터(46)에 접속되어 있다. 커넥터(46)는 지지 구조물(525) 상에 제공된다. 통상, 컨택트 구조물(30), 컨택트 트레이스(32) 및 컨택트 패드(33)는 광리소그래피 공정을 통해 컨택트 기판(20) 상에 형성되어 있다. 컨택트 기판(20)은 실리콘 기판이지만, 글래스 에폭시, 폴리이미드, 세라믹 및 알루미나 기판과 같은 다른 유형의 유전 기판이 또한 가능하다.
커텍터(46)는 접착 기구 (도시 생략)을 통해 지지 구조물(525)에 기계적으로 고정될 수 있다. TAB 리드(764)의 단부는 커넥터(46)의 리셉터클 (도시 생략)에 삽입된다. 공지된 바와 같이, 이런 리셉터클은 TAB 리드(764)의 단부를 그 내부에 수용할 때 충분한 접촉력을 제공하기 위한 스프링 기구를 갖고 있다. 이중층 TAB 리드(764)의 상측 리드 A와 하측 리드 B 사이에는, 컨택트 패드(33)와 커넥터(46) 사이에 연장된 TAB 리드(764)의 리드 A와 B를 지지하기 위한 지지 부재(542)가 제공되어 있다. 또한 공지된 바와 같이, 이런 리셉터클의 내측면에는 금, 은, 팔라듐 또는 니켈 등의 도전 금속이 제공되어 있다.
층을 이루는 리드 A와 B를 갖는 TAB 리드(764)의 구조물은 두 리드 때문에 신호 경로에 저 저항을 만든다. 이것은 테스트 신호의 파형을 왜곡시키지 않고 반도체 소자를 고속으로 테스팅하기 위해 접지선이나 파워선 등에서 대전류를 전송하는 데에 유용하다.
커넥터(46)는 프린트 회로 보드(PCB)에의 직접적 접속을 위해 상술된 리셉터클에 접속될 수 있는, 일직선이거나 우측 경사진 핀과 일체화될 수 있다. 위에 커넥터(46)를 장착하는 PCB는 고형이거나 유연성일 수 있다. 공지된 바와 같이, 유연성 PCB는 유연성 베이스 재료 상에 형성되며 그 내부에 평평한 케이블을 갖고 있다. 다르게, 커넥터(46)는 TAB 리드(764)의 단부를 내부에 수용하기 위해 동축 케이블의 내부 도체에 리셉터클이 접착되어 있는 동축 케이블 조립체와 일체화되어 있다. 커넥터(46)와 TAB 리드(764)나 지지 구조물(525) 사이의 접속은 영구 접착법이 아니므로, 컨택트부의 교체나 수리를 가능하게 한다.
통상, 컨택트 기판(20)은 실리콘 기판이지만, 글래스 에폭시, 폴리이미드, 세라믹 및 알루미나 기판과 같은 다른 유형의 유전 기판이 또한 가능하다. 지지 구조물(525)은 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부의 물리적 강도를 만드는 것이다. 지지 구조물(525)은 예를 들어 세라믹, 몰딩된 플라스틱 또는 금속으로 만들어진다. 탄성체(42)는 가능한 평탄화 기구를 해결하기 위해 본 발명의 패키징 및 상호 접속부의 유연성을 만드는 것이다. 탄성체(422)는 또한 그 위에 커넥터(46)를 장착하기 위해서 컨택트 구조물(20)과 PCB 기판 사이의 온도 팽창율의 불일치를 흡수하는 기능을 행한다.
도 17은 상부 유형 컨택트 트레이스(32)가 프린트 회로 보드나 그 외 구조물 상에 제공된 커넥터에 결합되어 있는, 본 발명의 제3 실시예의 다른 변형을 나타낸다. 도 17의 예에서, 컨택트 트레이스(32)에 접속된 컨택트 패드(33)는 이중층 TAB 리드(766)를 통해 커넥터(462)에 접속되어 있다. 이중층 TAB(766)은 상측 리드 A와 하측 리드 B를 가지며 이들 각각은 단부에서 분리되어 있다. 커넥터(462)는 지지 구조물(525) 상에 제공되어 있다.
커텍터(462)는 접착 기구 (도시 생략)을 통해 지지 구조물(525)에 기계적으로 고정될 수 있다. TAB 리드(764)의 리드 A 및 B의 단부는 커넥터(462)의 리셉터클 (도시 생략)에 삽입된다. 공지된 바와 같이, 이런 리셉터클은 TAB 리드(766)의 단부를 그 내부에 수용할 때 충분한 접촉력을 제공하기 위한 스프링 기구를 갖고 있다. 이중층 TAB 리드(766)의 상측 리드 A와 하측 리드 B 사이에는, 리드 A와 B를 지지하기 위한 지지 부재(544)가 제공되어 있다.
이중층 리드 A와 B를 갖는 TAB 리드(766)의 구조물은 수직 방향으로 전개되어 있다. 이것은 둘 이상의 경로로 신호나 파워를 분산하는 데에 유용하다. 또한 이것은 컨택트 패드의 개수를 증가시키는, 즉 컨택트 패드 사이의 유효 피치 (거리)를 줄이는 장점이 있다.
도 18은 상부 유형 컨택트 트레이스가 도전 범프에 의해 프린트 회로 보드 상에 제공된 패드에 결합되어 있는, 본 발명의 제3 실시예의 다른 예를 나타낸다. 도 18의 예에서, 컨택트 구조물(30), 컨택트 트레이스(32) 및 컨택트 탭(33)은 컨택트 기판(20) 상에 형성된다. 통상, 컨택트 기판(20)은 실리콘 기판이지만, 글래스 에폭시, 폴리이미드, 세라믹 및 알루미나 기판과 같은 다른 유형의 유전 기판이 또한 가능하다. 컨택트 트레이스(32)는 이중층 TAB 리드(764)를 거쳐 도전 범프(56)에 의해 PCB 기판(622) 상에 제공된 PCB (프린트 회로 보드) 패드(38)에 접속되어 있다.
컨택트 기판(20)은 지지 구조물(524)과 탄성체(422)에 의해 PCB 기판(622) 상에 장착되어 있다. 컨택트 기판(20), 탄성체(422), 지지 기판(524), 및 PCB 기판(622)는 예를 들어 접착제 (도시 생략)에 의해 서로 부착되어 있다. TAB 리드(764)의 상측 리드 A와 하측 리드 B 사이에는, 상측 및 하측 리드 A와 B를 지지하기 위한 지지 부재(542)가 설치되어 있다.
열의 인가에 의해, 도전 범프(56)는 TAB 리드(764)와 PCB 패드(38) 사이의 부착을 위해 PCB 패드(38) 상에서 유동되게 된다. 도전 범프(56)의 예로는 표준 땜납 볼 기술에 사용되는 땜납 범프가 있다. 도전 범프(56)의 다른 예로는 플라즈마-보조 건식 납땜 기술에 사용되는 비유동성 땜납 볼이 있다.
도전 범프(56)의 다른 예로는 범프 내에 폴리머의 사용을 초래하는 도전 폴리머 범프 및 유동성 범프가 있다. 이는 패키징 및 상호 접속부의 평탄화 문제 또는 CTE (온도 팽창 계수)의 불일치를 최소화하는 데에 도움을 준다. 금속의 재유동이 없는데, 이로 인해 접촉점 사이의 브리징(bridging)을 방지할 수 있다. 도전 폴리머 범프는 스크린 프린트 가능한 도전 접착제로 만들어진다. 유동성 범프는 금속 코팅된 폴리머 코어 범프이다. 폴리머는 통상 금으로 도금되며 탄성적으로 압착 가능하다. 도전 범프(56)의 또 다른 예로는 증발 공정에 의해 땜납 볼이 형성되는 제어 가능 붕괴 칩 접속 기술에 사용되는 범프가 있다.
층을 이루는 리드 A와 B를 갖는 TAB 리드(764)의 구조물은 두 리드 때문에 신호 경로에 저 저항을 만든다. 이것은 테스트 신호의 파형을 왜곡시키지 않고 반도체 소자를 고속으로 테스팅하기 위해 접지선이나 파워선에서와 같은 대전류를 전송하는 데에 유용하다.
도 19는 본 발명의 제3 실시예의 다른 예를 나타낸다. 이 예에서, 상측 및 하측 리드 A와 B를 갖는 이중층 TAB 리드(762)는 컨택트 구조물(30)에 접속되는 컨택트 패드(33)에 제공되어 있다. 상측 리드 A는 도 19에서 하측 리드 B 보다는 상측 및 하측 위치에 제공되어 있다. 상측 리드는 도전 범프(56)를 거쳐 PCB 패드(38)에 접속되고 하측 리드 B는 도전 범프(57)를 거쳐 PCB 패드(39)에 접속된다. PCB 기판(624)은 PCB 패드(38 및 39)를 그 위에 수용하기 위해서, PCB 패드(38)을 장착하도록 더 큰 두께, 즉 단차를 갖는 에지를 그리고 이 에지부에 인접하여 PCB(39)를 장착하도록 더 작은 두께를 갖는 내부를 갖도록 구성된다.
열의 인가에 의해, 도전 범프(56와 57)는 TAB 리드(762)와 PCB 패드(38과 39) 사이의 부착을 위해 PCB 패드(38과 39) 상에서 유동된다. 도전 범프(56과 57)의 예로는 표준 땜납 볼 기술에 사용되는 땜납 범프가 있다. 도전 범프(56)의 다른 예로는 플라즈마-보조 건조 납땜 기술에 사용되는 비유동성 땜납 볼이 있다.
이중층 리드 A와 B를 갖는 TAB 리드(762)의 구조물은 수직 길이로 전개되어 있다. 이것은 둘 이상의 경로로 신호나 파워를 분산하는 데에 유용하다. 또한 이것은 컨택트 패드의 개수를 증가시키는, 즉 컨택트 패드 사이의 유효 피치 (거리)를 줄이는 장점이 있다.
도 20은 상부 유형 컨택트 트레이스가 도전 폴리머에 의해 프린트 회로 보드 상에 제공된 패드에 결합되어 있는, 본 발명의 제3 실시예의 다른 변형을 나타낸다. 도 20의 예에서, 컨택트 구조물(30), 컨택트 트레이스(32) 및 컨택트 탭(33)은 컨택트 기판(20) 상에 형성되어 있다. 통상, 컨택트 기판(20)은 실리콘 기판이지만, 글래스 에폭시, 폴리이미드, 세라믹 및 알루미나 기판과 같은 다른 유형의 유전 기판이 또한 가능하다. 컨택트 트레이스(32)는 이중층 TAB 리드(764)를 거쳐 도전 폴리머(66)에 의해 PCB 기판(622) 상에 제공된 PCB 패드(38)에 접속되어 있다.
컨택트 기판(20)은 지지 구조물(524) 및 탄성체(422)에 의해 PCB 기판(622) 상에 장착되어 있다. 컨택트 기판(20), 탄성체(422), 지지 구조물(524) 및 PCB 기판(622)는 예를 들어 접착제 (도시 생략)에 의해 서로 접착되어 있다. TAB 리드(764)의 상측 리드 A와 하측 리드 B 사이에는, 상측 및 하측 리드 A와 B를 지지하기 위한 지지 부재(542)가 제공되어 있다.
대부분의 도전 폴리머는 통상 각진 방향의 수직선 상의 메이팅 전극들 사이에서 도전성으로 그리고 수평 방향에서는 비도전성으로 디자인되어 있다. 도전 폴리머(66)의 예로는 탄성체의 표면을 지나 연장되는 도전성 와이어로 충전된 도전 탄성체가 있다.
도전 폴리머(66)의 다른 예로는 이방성 도전 접착제, 이방성 도전막, 이방성 도전 페이스트, 및 이방성 도전 입자등이 가능하다. 이방성 도전 접착제에는 서로 접촉하지 않는 도전 입자로 채워진다. 도전 경로는 특정 위치에서 두 전극 사이의 접작체를 가압하여 형성된다. 이방성 도전막은 서로 접촉하지 않는 도전 입자로 채워진 얇은 유전 수지이다. 도전 경로는 특정 위치에서 두 개의 전극 사이에 막을 가압하여 형성된다.
이방성 도전 페이스트는 서로 접촉하지 않는 도전 입자로 채워지는 스크린 프린트 가능한 페이스트이다. 도전 경로는 특정 위치에서 두 개의 전극 사이에 페이스트를 가압하여 형성된다. 이방성 도전 입자는 분리를 개선하기 위해서 매우 얇은 유전 재료층으로 코팅된 도전 입자로 채워진 얇은 유전 수지이다. 도전 경로는 특정 위치에서의 두 개의 전극 사이에서, 입자 상의 유전 코팅층을 파괴할 만큼의 충분한 힘으로 입자를 가압하여 형성된다.
층을 이루는 리드 A와 B를 갖는 TAB 리드(764)의 구조물은 두 리드 때문에 신호 경로에 저 저항을 만든다. 이것은 테스트 신호의 파형을 왜곡시키지 않고 반도체 소자를 고속으로 테스팅하기 위해 접지선이나 파워선 등에서 대전류를 전송하는 데에 유용하다.
도 21은 본 발명의 제3 실시예의 다른 예를 나타낸다. 이 예에서, 상측 및 하측 리드 A와 B를 갖는 이중층 TAB 리드(762)는 컨택트 트레이스(32)와 컨택트 구조물(30)에 접속된 컨택트 패드(33)에 제공되어 있다. 상측 리드 A는 도 21에서 하측 리드 B보다는 상측과 외부 위치에 제공되어 있다. 상측 리드는 도전 범프(66)를 거쳐 PCB 패드(38)에 접속되고 하측 리드 B는 도전 범프(67)를 거쳐 PCB 패드(39)에 접속된다. PCB 기판(624)은 PCB 패드(38 및 39)를 그 위에 수용하기 위해서, PCB 패드(38)을 장착하기 위해 더 큰 두께, 즉 단차를 갖는 에지를 그리고 이 에지부에 인접하여 PCB(39)를 장착하기 위해 더 작은 두께를 갖는 내부를 갖도록 구성된다.
TAB 리드(762)와 PCB 패드(38과 39) 사이의 전기적 접속은 서모소닉 본딩, 열압착 본딩 및 초음파 본딩 기술을 포함하는 여러 다른 본딩 기술 뿐만 아니라 스크린 프린트 가능한 땜납 페이스트를 이용하는 등의 표면 장착 기술 (SMT)에 의해 만들어진다.
이중층 이중층 리드 A 및 B를 갖는 TAB 리드(762)의 구조는 수직 길이로 전개되어 있다. 이것은 둘 이상의 경로에 신호나 파워를 분산하는 데에 유용하다. 또한 이것은 컨택트 패드의 개수를 증가시키는, 즉 컨택트 패드 사이의 유효 피치 (거리)를 줄이는 장점이 있다.
도 22 내지 도 29는 테이프 자동 본딩 (TAB) 공정에 의해 형성된 삼중층 리드를 통해 상부 유형 컨택트 트레이스가 컨택트 타겟에 결합되어 있는 본 발명의 제4 실시예를 나타낸다. 도 22의 제1 실시예에서, 컨택트 기판(20) 상에 형성된 컨택트 구조물(30)은 컨택트 트레이스(32)를 거쳐 컨택트 패드(33)에 전기적으로 접속되어 있다. 컨택트 패드(33)는 PCB 기판(622) 상에 제공된 프린트 회로 보드 (PCB) 상호 접속부 패드(38)에 또한 접속되어 있는 TAB 리드(78)와 그 상측면에서 접속되어 있다.
컨택트 기판(20)은 탄성체(42)와 지지 구조물(526)에 의해 PCB 기판(622) 상에 장착되어 있다. 컨택트 기판(20), 탄성체(42), 지지 구조물(526) 및 PCB 기판(622)는 예를 들어 접착제 (도시 생략)에 의해 서로 고정되어 있다. 이 예에서, 컨택트 패드(33)와 PCB 패드(38)를 접속하기 위한 삼중층의 TAB 리드(78)가 상측 리드 A, 중간 리드 B 및 하측 리드 C를 갖는다. 지지 부재(591)는 삼중층의 TAB 리드(78)의 상측 리드 A와 중간 리드 B 사이에 제공된다. 지지 부재(592)는 삼중층의 TAB 리드(78)의 중간 리드 B와 하측 리드 C 사이에 제공된다.
TAB 리드(78)는 전체적으로 표면 장착 기술에서 사용되는 표준 "갈매기 날개 리드"와 유사한 갈매기 날개 형상을 갖는다. 갈매기 날개형 TAB 리드(78)가 하향으로 굴곡되어 있기 때문에, PCB 패드(38)와 TAB 리드(78) 사이의 컨택트 부분 위에는 충분한 수직 틈새가 도 22의 좌측 단부에서 얻어진다. TAB 리드(78) (하향 굴곡, 갈매기 날개형 리드)의 리드 형상은 이를 제조하기 위해 특수의 기구를 필요로 한다. 이런 기구는 컨택트 트레이스와 PCB 패드 사이의 대다수의 상호 접속부가 반도체 테스팅과 같은 어플리케이션에서 사용되기 때문에, 다수의 컨택트 트레이스에 대해 임의의 피치로 평준화될 수 있다.
층을 이루는 리드 A, B 및 C를 갖는 TAB 리드(764)의 구조물은 세 개의 도전 리드 때문에 신호 경로에 저 저항과 대전류 용량을 만든다. 이것은 테스트 신호의 파형을 왜곡시키지 않고 반도체 소자를 고속으로 테스팅하기 위해 접지선이나 파워선에서와 같은 대전류를 전송하는 데에 유용하다.
도 23은 본 발명의 제4 실시예의 다른 예를 나타낸다. 이 예에서, 상측, 중간 및 하측 리드 A, B 및 C를 갖는 이중층 TAB 리드(782)는 컨택트 트레이스(32)와 컨택트 구조물(30)에 접속된 컨택트 패드(33)에 제공되어 있다. 상측 리드 A는 중간 리드 B보다는 도 23의 상측과 하측 위치에 제공되어 있다. 중간 리드 B는 하측 리드 C 보다는 도 23의 상측 및 외측 위치에 제공되어 있다. 상측 리드 A는 PCB 패드(38)에 접속되고, 중간 리드 B는 PCB 패드(39)에 접속되고, 하측 리드 C는 PCB 패드(40)에 접속되어 있다. PCB 기판(626)은 PCB 패드(38, 39 및 40)을 위에 수용하기 위해서, PCB 패드(38, 39 및 40)을 여러 수직 위치로 장착하기 위한 단차를 갖도록 구성된다. 지지 부재(545)는 상측 리드 A와 중간 리드 B 사이에 제공되고 지지 부재(546)은 중간 리드 B와 하측 리드 C 사이에 제공된다.
TAB 리드(782)와 PCB 패드(38, 39 및 40) 사이의 전기적 접속은 서모소닉 본딩, 열압착 본딩 및 초음파 본딩 기술을 포함하는 여러 다른 본딩 기술 뿐만 아니라 스크린 프린트 가능한 땜납 페이스트를 이용하는 등의 표면 장착 기술 (SMT)에 의해 만들어진다. 컨택트 구조물(30), 컨택트 트레이스(32) 및 TAB 리드(782)에 관련하여 소자와 신호 경로 길이가 소규모이기 때문에, 도 23의 예는 수 GHz와 같이 매우 높은 주파수 대역에서 동작할 수 있다. 더욱이, 적은 개수의 소자가 간단한 구조로 조립되기 때문에, 본 발명의 상호 접속부와 패키징은 고 제조률 뿐만 아니라 저비용과 고 신뢰성으로 제조될 수 있다.
삼중층 리드 A, B 및 C를 갖는 TAB 리드(782)의 구조는 수직 길이로 전개되어 있다. 이것은 둘 이상의 경로로 신호나 파워를 분산하는 데에 유용하다. 또한 이것은 컨택트 패드의 개수를 증가시키는, 즉 컨택트 패드 사이의 유효 피치 (거리)를 줄이는 장점이 있다.
도 24는 상부 유형 컨택트 트레이스(32)가 프린트 회로 보드나 그 외 구조물 상에 제공된 커넥터에 결합되어 있는 본 발명의 제4 실시예의 다른 변형을 나타낸다. 도 24의 예에서, 컨택트 트레이스(32)에 접속된 컨택트 패드(33)는 도 22에서 나타낸 것과 동일한 형상을 갖는 삼중층 TAB 리드(78)을 거쳐 커넥터(463)에 접속되어 있다. 커넥터(463)는 지지 구조물(525) 상에 제공된다.
커넥터(463)는 접착 기구 (도시 생략)를 통해 지지 구조물(525)에 기계적으로 고정될 수 있다. TAB 리드(78)의 단부는 커넥터(463)의 리셉터클 (도시 생략)에 삽입된다. 공지된 바와 같이, 이런 리셉터클은 TAB 리드(78)의 단부를 내부에 수용할 때 충분한 접촉력을 제공하는 스프링 기구를 갖는다. 삼중층 TAB 리드(78)의 상측 리드 A와 중간 리드 B 사이에는, 리드 A와 B를 지지하기 위한 지지 부재(591)가 제공되어 있다. 이중층 TAB 리드(78)의 중간 리드 B와 하측 리드 C 사이에는 리드 B와 C를 지지하기 위한 지지 부재(592)가 제공되어 있다.
층을 이루는 리드 A, B 및 C를 갖는 TAB 리드(78)의 구조물은 세 개의 도전 리드 때문에 신호 경로에 저 저항과 대전류 용량을 만든다. 이것은 테스트 신호의 파형을 왜곡시키지 않고 반도체 소자를 고속으로 테스팅하기 위해 접지선이나 파워선 등에서 대전류를 전송하는 데에 유용하다.
도 25는 상부 유형 컨택트 트레이스(32)가 프린트 회로 보드나 그 외 구조물 상에 제공된 커넥터에 결합되어 있는 본 발명의 제4 실시예의 다른 변형을 나타낸다. 도 25의 예에서, 컨택트 트레이스(32)에 접속된 컨택트 패드(33)는 삼중층 TAB 리드(784)를 거쳐 커넥터(464)에 접속되어 있다. 삼중층 TAB(784)은 상측 리드 A, 중간 리드 B 및 하측 리드 C를 가지며, 이들 각각은 단부에서 분리되어 있다. 커넥터(464)는 지지 구조물(526) 상에 제공되어 있다.
커넥터(464)는 접착 기구 (도시 생략)를 통해 지지 구조물(526)에 기계적으로 고정될 수 있다. TAB 리드(784)의 리드 A, B, 및 C의 단부는 커넥터(464)의 리셉터클 (도시 생략)에 삽입된다. 공지된 바와 같이, 이런 리셉터클은 TAB 리드(784)의 단부를 내부에 수용할 때 충분한 접촉력을 제공하는 스프링 기구를 갖는다. 지지 부재(593)는 상측 리드 A와 중간 리드 B 사이에 제공되고 중간 부재(594)는 삼중층 TAB 리드(784)의 중간 리드 B와 하측 리드 C 사이에 제공된다.
삼중층 리드 A, B 및 C를 갖는 TAB 리드(784)의 구조물은 수직 방향으로 전재되어 있다. 이것은 둘 이상의 경로로 신호나 파워를 분산하는 데에 유용하다. 또한 이것은 컨택트 패드의 개수를 증가시키는, 즉 컨택트 패드 사이의 유효 피치 (거리)를 감소시키는 데에 장점이 있다.
도 26은 상부 유형 컨택트 트레이스가 도전 범프를 통해 프린트 회로 보드 상에 제공된 패드에 결합되어 있는 본 발명의 제4 실시예의 다른 예를 나타낸다. 도 26의 예에서, 컨택트 구조물(30), 컨택트 트레이스(32) 및 컨택트 탭(33)이 컨택트 기판(20) 상에 형성되어 있다. 통상, 컨택트 기판(20)은 실리콘 기판이지만 글래스 에폭시, 폴리이미드, 세라믹 및 알루미나 기판과 같은 다른 유형의 유전 기판도 또한 가능하다. 컨택트 패드(33)는 삼중층 TAB 리드(78)를 거쳐 도전 범프(56)에 의해 PCB 기판(622) 상에 제공된 PCB (프린트 회로 보드) 패드(38)에 접속되어 있다.
컨택트 기판(20)은 지지 구조물(526)과 탄성체(42)를 통해 PCB 기판(622) 상에 장착되어 있다. 컨택트 기판(20), 탄성체(42), 지지 구조물(526), 및 PCB 기판(622)은 예를 들어 접착제(도시 생략)에 의해 서로 고정되어 있다. 삼중층 TAB 리드(78)의 상측 리드 A와 중간 리드 B 사이에는, 리드 A와 B를 지지하기 위한 지지 부재(591)가 제공되어 있다. 삼중층 리드(78)의 중간 리드 B와 하측 리드 C 사이에는, 리드 B와 C를 지지하기 위한 지지 부재(592)가 제공되어 있다.
층을 이루는 리드 A, B 및 C를 갖는 TAB 리드(78)의 구조물은 세 개의 도전 리드 때문에 신호 경로에서 저 저항과 대 전류 용량을 만든다. 이것은 테스트 신호의 파형을 왜곡시키지 않으면서 반도체 소자를 고속으로 테스트하기 위해 접지선이나 파워선 등에서 대전류를 전송하는 데에 유효하다.
열의 인가에 의해 도전 범프(56)가 PCB 패드(38) 상에서 유동되어 TAB 리드(78)와 PCB 리드(38) 사이가 접촉된다. 도전 범프(56)의 예로는 표준 땜납 볼 기술에서 사용되는 땜납 범프가 있다. 도전 범프(56)의 다른 예로는 플라즈마-보조 건식 납땜 기술에서 사용되는 비유동성 땜납 볼이다.
도 27은 본 발명의 제4 실시예의 다른 예를 나타낸다. 이 예에서, 상측, 중간 및 하측 리드 A, B, C를 갖는 삼중층 TAB 리드(782)가 컨택트 구조물(30)에 접속된 컨택트 패드(33)에 제공되어 있다. 상측 리드 A는 중간 리드 B 보다는 도 27의 상측 및 외측 위치에 제공되어 있다. 중간 리드 B는 도 27에서 하측 리드 C 보다는 상측 및 외측 위치에 제공되어 있다. 상측 리드 A는 도전 범프(56)를 통해 PCB 패드(38)에 접속되어 있고, 중간 리드 B는 도전 범프(57)를 통해 PCB 패드(39)에 접속되어 있고, 하측 리드 C는 도전 범프(58)를 통해 PCB 패드(40)에 접속되어 있다. PCB 기판(626)은 PCB 패드(38, 39 및 40)을 위에 수용하기 위해서, PCB 패드(38, 39, 및 40)을 여러 수직 위치로 장착하기 위한 단차를 갖도록 구성되어 있다. 지지 부재(545)는 상측 리드 A와 중간 리드 B 사이에 제공되고 지지 부재(546)는 중간 리드 B와 하측 리드 C 사이에 제공된다.
열의 인가에 의해, 도전 범프(56, 57, 58)가 PCB 패드(38, 39, 40) 상에서 유동되어 TAB 리드(782)와 PCB 패드(38, 39 및 40) 사이가 접착된다. 도전 범프(56, 57, 및 58)의 예로는 표준 땜납 볼 기술에서 사용되는 땜납 범프가 있다. 도전 범프(56, 57 및 58)의 다른 예로는 플라즈마-보조 건식 납땜 기술에서 사용되는 비유동성 땜납 볼이다.
삼중층 리드 A, B 및 C를 갖는 TAB 리드(782)의 구조물은 수직 방향으로 전개되어 있다. 이것은 둘 이상의 경로로 신호나 파워를 분산하는 데에 유용하다. 또한 이것은 컨택트 패드의 개수를 증가시키는, 즉 컨택트 패드 사이의 유효 피치 (거리)를 감소시키는 데에 장점이 있다.
도 28은 상부 유형 컨택트 트레이스가 도전 범프를 통해 프린트 회로 보드 상에 제공된 패드에 결합되어 있는 본 발명의 제4 실시예의 다른 예를 나타낸다. 도 28의 예에서, 컨택트 구조물(30), 컨택트 트레이스(32) 및 컨택트 탭(33)이 컨택트 기판(20) 상에 형성되어 있다. 통상, 컨택트 기판(20)은 실리콘 기판이지만 글래스 에폭시, 폴리이미드, 세라믹 및 알루미나 기판과 같은 다른 유형의 유전 기판도 또한 가능하다. 컨택트 패드(33)는 삼중층 TAB 리드(78)를 거쳐 도전 폴리머(66)에 의해 PCB 기판(622) 상에 제공된 PCB (프린트 회로 보드) 패드(38)에 접속되어 있다.
컨택트 기판(20)은 지지 구조물(526)과 탄성체(42)를 통해 PCB 기판(622) 상에 장착되어 있다. 컨택트 기판(20), 탄성체(42), 지지 구조물(526), 및 PCB 기판(622)은 예를 들어 접착제(도시 생략)에 의해 서로 고정되어 있다. 삼중층 TAB 리드(78)의 상측 리드 A와 중간 리드 B 사이에는, 리드 A와 B를 지지하기 위한 지지 부재(591)가 제공되어 있다. 삼중층 리드(78)의 중간 리드 B와 하측 리드 C 사이에는, 리드 B와 C를 지지하기 위한 지지 부재(592)가 제공되어 있다.
대부분의 도전 폴리머는 각진 방향의 수직선에서의 메이팅 전극들 사이에서 도전성이 그리고 수평 방향에서는 비도전성이 되도록 설계되어 있다. 도전 폴리머(66)의 예로는 탄성체의 표면을 지나 연장된 도전 와이어로 충전된 도전 탄성체가 있다.
도전 폴리머(66)의 여러 다른 예로는 이방성 도전 접착제, 이방성 도전막, 이방성 도전 페이스트, 및 이방성 도전 입자 등이 가능하다. 이방성 도전 접착제는 서로 접촉하지 않는 도전 입자로 충전된다. 도전 경로는 특정 위치에서 두 전극 사이에 접착제를 가압하여 형성된다. 이방성 도전막은 서로 접촉하지 않는 도전 입자로 채워진 얇은 유전 수지이다. 도전 경로는 특정 위치에서 두 개의 전극 사이에 막을 가압하여 형성된다.
이방성 도전 페이스트는 서로 접촉하지 않는 도전 입자로 채워진 스크린 프린트 가능한 페이스트이다. 도전 경로는 특정 위치에서 두 개의 전극 사이에 페이스트를 가압하여 형성된다. 이방성 도전 입자는 분리를 개선하기 위해서 매우 얇은 유전 재료층으로 코팅된 도전 입자로 채워진 얇은 유전 수지이다. 도전 경로는 특정 위치에서의 두 개의 전극 사이에서, 입자 상의 유전 코팅층을 파괴할 만큼의 충분한 힘으로 입자를 가압하여 형성된다.
층을 이루는 리드 A, B, 및 C를 갖는 TAB 리드(78)의 구조물은 세 개의 도전 리드 때문에 신호 경로에서 저 저항과 대전류 용량을 만든다. 이것은 테스트 신호를 왜곡시키지 않으면서 반도체 소자를 고속으로 테스트하기 위해 접지선이나 파워선 등에서 대전류를 전송하는 데에 유용하다.
도 29는 본 발명의 제4 실시예의 다른 예를 나타낸다. 이 예에서, 상측, 중간 및 하측 리드 A, B, 및 C를 갖는 삼중층 TAB 리드(782)는 컨택트 트레이스(32) 및 컨택트 구조물(30)에 접속된 컨택트 패드(33)에 제공된다. 상측 리드 A는 도 29에서 중간 리드 B 보다는 상측과 외측 위치에 제공되어 있다. 중간 리드 B는 하측 리드 C 보다는 도 29의 상측 및 외측 위치에 제공되어 있다. 상측 리드 A는 도전 폴리머(66)에 의해 PCB 패드(38)에 접속되어 있고, 중간 리드 B는 도전 폴리머(67)레 의해 PCB 패드(39)에 접속되어 있고, 하측 리드 C는 도전 폴리머(68)에 의해 PCB 패드(40)에 접속되어 있다. PCB 기판(626)은 PCB 패드(38, 39 및 40)을 위에 수용하기 위해서, PCB 패드(38, 39, 및 40)를 여러 수직 위치로 장착하기 위한 단차를 갖도록 구성되어 있다. 지지 부재(545)는 상측 리드 A와 중간 리드 B 사이에 제공되고 지지 부재(546)는 중간 리드 B와 하측 리드 C 사이에 제공된다.
삼중층 리드 A, B 및 C를 갖는 TAB 리드(782)의 구조물은 수직 방향으로 전개되어 있다. 이것은 둘 이상의 경로로 신호나 파워를 분산하는 데에 유용하다. 또한 이것은 컨택트 패드의 개수를 증가시키는, 즉 컨택트 패드 사이의 유효 피치 (거리)를 감소시키는 데에 장점이 있다.
본 발명에 따르면, 패키징 및 상호 접속부가 차세대 반도체 기술에서의 테스트 필요 조건에 만족하기 위해서 매우 높은 주파수 대역폭을 갖고 있다. 이 패키징 및 상호 접속부는 컨택트 구조물의 상측면을 통한 전기적 접속에 의해 프로브 카드나 그 등가물 상에 컨택트 구조물을 장착할 수 있다. 또한, 본 발명의 상호 접속부 및 패키징은 전체 소자가 비교적 소수개 조립되기 때문에, 고 제조률 뿐만 아니라 저비용 및 고 신뢰성으로 제조될 수 있다.
여기에서는 바람직한 실시예만이 도시 및 설명되고 있지만, 본 발명의 정신 및 영역에서 벗어나지 않고 첨부한 청구범위 내에서 상술한 개시에 비추어 본 발명의 여러 변형이 가능하다.

Claims (54)

  1. 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부에 있어서,
    광리소그래피 공정에 의해서 컨택트 기판 상에 형성되며 도전 재료로 만들어지는 컨택트 구조물 - 상기 컨택트 구조물은 상기 컨택트 기판 상에 수직 방향으로 형성된 베이스부, 일 단부가 상기 베이스부 상에 형성된 수평부 및 상기 수평부의 다른 단부 상에 수직 방향으로 형성된 컨택트부를 가짐 - ;
    상기 컨택트 기판 상에 형성되며 일 단부에서 상기 컨택트 기판에 전기적으로 접속되고, 다른 단부는 컨택트 패드로 형성되어 있는 컨택트 트레이스(contact trace);
    상기 컨택트 패드와 전기적으로 접속되도록 상기 컨택트 트레이스의 외주변에 제공된 컨택트 타겟;
    상기 컨택트 패드의 상측면과 상기 컨택트 타겟을 전기적으로 접속하기 위한 본딩 와이어;
    상기 상호 접속부와 패키징의 유연성을 위해 상기 컨택트 기판 아래에 제공된 탄성체; 및
    상기 컨택트 구조물, 상기 컨택트 기판 및 상기 탄성체를 지지하기 위해 상기 탄성체 아래에 제공된 지지 구조물
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  2. 제1항에 있어서, 상기 컨택트 기판은 실리콘 기판이며 그 위에는 상기 컨택트 구조물이 상기 광리소그래피 공정에 의해 직접적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  3. 제1항에 있어서, 상기 컨택트 기판은 유전 기판이며 그 위에는 상기 컨택트 구조물이 상기 광리소그래피 공정에 의해 직접적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  4. 제1항에 있어서, 상기 컨택트 타겟은 프린트 회로 보드 (PCB) 기판 상에 제공되는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  5. 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부에 있어서,
    광리소그래피 공정에 의해 컨택트 기판 상에 형성되며 도전 재료로 만들어진 컨택트 구조물 - 상기 컨택트 구조물은 상기 컨택트 기판 상에 수직으로 형성된 베이스부, 일 단부가 상기 베이스부 상에 형성되어 있는 수평부 및 상기 수평부의 다른 단부 상에 수직으로 형성된 컨택트부를 가짐 - ;
    상기 컨택트 기판 상에 형성되며 일 단부에서 상기 컨택트 구조물에 전기적으로 접속되며, 다른 단부가 컨택트 패드로 형성되어 있는 컨택트 트레이스;
    상기 컨택트 패드와 전기적으로 접속되도록 상기 컨택트 구조물의 외주변에 위치된 프린트 회로 보드 (PCB) 기판 상에 제공된 프린트 회로 보드 (PCB) 패드;
    상기 컨택트 패드의 상측면과 상기 PCB 패드를 전기적으로 접속하기 위한 단일층 리드;
    상기 상호 접속부 및 패키징의 유연성을 위해서 상기 컨택트 기판 아래에 제공된 탄성체; 및
    상기 컨택트 구조물, 상기 컨택트 기판 및 상기 탄성체를 지지하기 위해 상기 탄성체와 상기 PCB 기판 사이에 제공된 지지 구조물
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  6. 제5항에 있어서, 상기 PCB 기판은 글래스 에폭시 수지나 세라믹으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  7. 제5항에 있어서, 상기 PCB 기판은 다중층 프린트 회로 보드인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  8. 제5항에 있어서, 상기 지지 구조물은 세라믹, 몰딩된 플라스틱 또는 금속으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  9. 제5항에 있어서, 상기 단일층 리드는 상기 패키징 및 상호 접속부에서 사용되도록 테이프 자동 본딩 (TAB) 구조물로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  10. 제5항에 있어서, 상기 단일층 리드는 상기 컨택트 패드와 상기 PCB 패드를 전기적으로 접속하기 위해서 갈매기 날개 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  11. 제5항에 있어서, 상기 단일층의 일 단부는 도전 범프에 의해 상기 PCB 패드에 접속되는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  12. 제11항에 있어서, 상기 도전 범프는 상기 단일층 리드의 상기 다른 단부와 상기 PCB 패드를 전기적으로 접속하도록 열의 인가에 의해 유동하는 땜납 볼인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  13. 제11항에 있어서, 상기 도전 범프는 상기 단일층 리드의 상기 다른 단부와 상기 PCB 패드를 전기적으로 접속하기 위한 도전 폴리머 범프나 유연성 범프인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  14. 제5항에 있어서, 상기 단일층 리드의 일 단부는 도전 폴리머에 의해 상기 PCB 패드에 접속되는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  15. 제14항에 있어서, 상기 도전 폴리머는 도전 접착제, 도전막, 도전 페이스트 또는 도전 입자인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  16. 제14항에 있어서, 상기 도전 폴리머는 상기 컨택트 트레이스의 다른 단부와 상기 PCB 패드를 전기적으로 접속하도록 이방성 도전 접착제, 이방성 도전막, 이방성 도전 페이스트 또는 이방성 도전 입자를 포함하는 도전 탄성체인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  17. 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부에 있어서,
    광리소그래피 공정에 의해 컨택트 기판 상에 형성되며 도전 재료로 만들어진 컨택트 구조물 - 상기 컨택트 구조물은 상기 컨택트 기판 상에 수직으로 형성된 베이스부, 일 단부가 상기 베이스부 상에 형성되어 있는 수평부 및 상기 수평부의 다른 단부 상에 수직으로 형성된 컨택트부를 가짐 - ;
    상기 컨택트 기판 상에 형성되며 일 단부에서 상기 컨택트 구조물에 전기적으로 접속되며, 다른 단부가 컨택트 패드로 형성되어 있는 컨택트 트레이스;
    상기 컨택트 패드와 전기적으로 접속되도록 상기 컨택트 구조물의 외주변에 위치된 프린트 회로 보드 (PCB) 기판 상에 제공된 프린트 회로 보드 (PCB) 패드;
    상기 컨택트 패드의 상측면과 상기 PCB 패드를 전기적으로 접속하기 위한 이중층 리드;
    상기 상호 접속부 및 패키징의 유연성을 위해서 상기 컨택트 기판 아래에 제공된 탄성체; 및
    상기 컨택트 구조물, 상기 컨택트 기판 및 상기 탄성체를 지지하기 위해 상기 탄성체와 상기 PCB 기판 사이에 제공된 지지 구조물
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  18. 제17항에 있어서, 상기 PCB 기판은 글래스 에폭시 수지나 세라믹으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  19. 제17항에 있어서, 상기 PCB 기판은 다중층 프린트 회로 보드인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  20. 제17항에 있어서, 상기 지지 구조물은 세라믹, 몰딩된 플라스틱 또는 금속으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  21. 제17항에 있어서, 상기 이중층 리드는 상기 패키징 및 상호 접속부에서 사용되도록 테이프 자동 본딩 (TAB) 구조물로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  22. 제17항에 있어서, 상기 이중층 리드는 상기 컨택트 패드와 상기 PCB 패드를 전기적으로 접속하기 위해 갈매기 날개 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  23. 제17항에 있어서, 상기 이중층의 일 단부는 도전 범프에 의해 상기 PCB 패드에 접속되는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  24. 제23항에 있어서, 상기 도전 범프는 상기 단일층 리드의 상기 다른 단부와 상기 PCB 패드를 전기적으로 접속하도록 열의 인가에 의해 유동하는 땜납 볼인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  25. 제23항에 있어서, 상기 도전 범프는 상기 단일층 리드의 상기 다른 단부와 상기 PCB 패드를 전기적으로 접속하기 위한 도전 폴리머 범프나 유연성 범프인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  26. 제17항에 있어서, 상기 이중층 리드의 일 단부는 도전 폴리머에 의해 상기 PCB 패드에 접속되는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  27. 제26항에 있어서, 상기 도전 폴리머는 도전 접착제, 도전막, 도전 페이스트 또는 도전 입자인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  28. 제26항에 있어서, 상기 도전 폴리머는 상기 컨택트 트레이스의 다른 단부와 상기 PCB 패드를 전기적으로 접속하기 위해서 이방성 도전 접착제, 이방성 도전막, 이방성 도전 페이스트 또는 이방성 도전 입자를 포함하는 도전 탄성체인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  29. 제17항에 있어서, 상기 이중층 리드의 일 단부는 상기 PCB 기판 상에 제공된 대응 PCB 패드에 각각 접속되도록 상측 리드와 하측 리드로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  30. 제29항에 있어서, 상기 상측 리드와 상기 하측 리드는 대응하는 도전 범프에 의해 상기 PCB 기판 상에 제공된 대응하는 PCB 패드에 각각 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  31. 제29항에 있어서, 상기 상측 리드와 상기 하측 리드는 대응하는 도전 폴리머에 의해 상기 PCB 기판 상에 제공된 대응하는 PCB 패드에 각각 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  32. 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부에 있어서,
    광리소그래피 공정에 의해 컨택트 기판 상에 형성되며 도전 재료로 만들어진 컨택트 구조물 - 상기 컨택트 구조물은 상기 컨택트 기판 상에 수직으로 형성된 베이스부, 일 단부가 상기 베이스부 상에 형성되어 있는 수평부 및 상기 수평부의 다른 단부 상에 수직으로 형성된 컨택트부를 가짐 - ;
    상기 컨택트 기판 상에 형성되며 일 단부에서 상기 컨택트 구조물에 전기적으로 접속되며, 다른 단부가 컨택트 패드로 형성되어 있는 컨택트 트레이스;
    상기 컨택트 패드와 전기적으로 접속되도록 상기 컨택트 구조물의 외주변에 위치된 프린트 회로 보드 (PCB) 기판 상에 제공된 프린트 회로 보드 (PCB) 패드;
    상기 컨택트 패드의 상측면과 상기 PCB 패드를 전기적으로 접속하기 위한 삼중층 리드;
    상기 상호 접속부 및 패키징의 유연성을 위해서 상기 컨택트 기판 아래에 제공된 탄성체; 및
    상기 컨택트 구조물, 상기 컨택트 기판 및 상기 탄성체를 지지하기 위해 상기 탄성체와 상기 PCB 기판 사이에 제공된 지지 구조물
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  33. 제32항에 있어서, 상기 PCB 기판은 글래스 에폭시 수지나 세라믹으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  34. 제32항에 있어서, 상기 PCB 기판은 다중층 프린트 회로 보드인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  35. 제32항에 있어서, 상기 지지 구조물은 세라믹, 몰딩된 플라스틱 또는 금속으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  36. 제32항에 있어서, 상기 삼중층 리드는 상기 패키징 및 상호 접속부에서 사용되도록 테이프 자동 본딩 (TAB) 구조물로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  37. 제32항에 있어서, 상기 삼중층 리드는 상기 컨택트 패드와 상기 PCB 패드를 전기적으로 접속하기 위해서 갈매기 날개 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  38. 제32항에 있어서, 상기 삼중층 리드의 일 단부는 도전 범프에 의해 상기 PCB 패드에 접속되는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  39. 제38항에 있어서, 상기 도전 범프는 상기 단일층 리드의 상기 다른 단부와 상기 PCB 패드를 전기적으로 접속하도록 열의 인가에 의해 유동되는 땜납 볼인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  40. 제23항에 있어서, 상기 도전 범프는 상기 단일층 리드의 상기 다른 단부와 상기 PCB 패드를 전기적으로 접속하기 위한 도전 폴리머 범프나 유연성 범프인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  41. 제32항에 있어서, 상기 삼중층 리드의 일 단부는 도전 폴리머에 의해 상기 PCB 패드에 접속되는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  42. 제41항에 있어서, 상기 도전 폴리머는 도전 접착제, 도전막, 도전 페이스트 또는 도전 입자인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  43. 제41항에 있어서, 상기 도전 폴리머는 상기 컨택트 트레이스의 다른 단부와 상기 PCB 패드를 전기적으로 접속하기 위해서 이방성 도전 접착제, 이방성 도전막, 이방성 도전 페이스트 또는 이방성 도전 입자를 포함하는 도전 탄성체인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  44. 제32항에 있어서, 상기 삼중층 리드의 일 단부는 상기 PCB 기판 상에 제공된 대응 PCB 패드에 각각 접속되도록 상측 리드와 하측 리드로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  45. 제44항에 있어서, 상기 상측 리드, 상기 중간 리드 및 상기 하측 리드는 대응하는 도전 범프에 의해 상기 PCB 기판 상에 제공된 대응하는 PCB 패드에 각각 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  46. 제44항에 있어서, 상기 상측 리드, 상기 중간 리드 및 상기 하측 리드는 대응하는 도전 폴리머에 의해 상기 PCB 기판 상에 제공된 대응하는 PCB 패드에 각각 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  47. 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부에 있어서,
    광리소그래피 공정에 의해 컨택트 기판 상에 형성되며 도전 재료로 만들어진 컨택트 구조물 - 상기 컨택트 구조물은 상기 컨택트 기판 상에 수직으로 형성된 베이스부, 일 단부가 상기 베이스부 상에 형성되어 있는 수평부 및 상기 수평부의 다른 단부 상에 수직으로 형성된 컨택트부를 가짐 - ;
    상기 컨택트 기판 상에 형성되며 일 단부에서 상기 컨택트 구조물에 전기적으로 접속되며, 다른 단부가 컨택트 패드로 형성되어 있는 컨택트 트레이스;
    상기 컨택트 패드와의 전기적 접속을 이루기 위한 커넥터;
    상기 컨택트의 상측면과 상기 커넥터를 전기적으로 접속하기 위한 도전 리드;
    상기 상호 접속부와 패키징의 유연성을 위해서 상기 컨택트 기판 아래에 제공된 탄성체; 및
    상기 컨택트 구조물, 상기 컨택트 기판, 상기 탄성체 및 상기 커넥터를 지지하기 위해 상기 탄성체 아래에 제공된 지지 구조물
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  48. 제47항에 있어서, 상기 컨택트 기판은 실리콘 기판이고 이 위에 상기 컨택트 구조물이 상기 광리소그래피 공정에 의해 직접적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  49. 제47항에 있어서, 상기 컨택트 기판은 유전 기판이고 이 위에 상기 컨택트 구조물이 상기 광리소그래피 공정에 의해 직접적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  50. 제47항에 있어서, 상기 컨택트 트레이스는 도전 재료로 만들어지며 피착, 증착, 스퍼터링 또는 도금 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  51. 제47항에 있어서, 상기 지지 구조물은 세라믹, 몰딩된 플라스틱 또는 금속으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  52. 제47항에 있어서, 상기 도전 리드는 상기 커넥터에 의해 수용되도록 복수의 수직 정렬 리드를 갖는 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  53. 제47항에 있어서, 상기 도전 리드는 상기 패키징 및 상호 접속부에 사용되도록 테이프 자동 본딩 (TAB) 구조물로 형성되는 이중층 리드인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
  54. 제47항에 있어서, 상기 도전 리드는 상기 패키징 및 상호 접속부에 사용되도록 테이프 자동 본딩 (TAB) 구조물로 형성되는 삼중층 리드인 것을 특징으로 하는 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부.
KR1020000004222A 1999-01-29 2000-01-28 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부 KR20000057821A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US9/240,457 1999-01-29
US09/240,457 US6255585B1 (en) 1999-01-29 1999-01-29 Packaging and interconnection of contact structure

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000057821A true KR20000057821A (ko) 2000-09-25

Family

ID=22906606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000004222A KR20000057821A (ko) 1999-01-29 2000-01-28 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부

Country Status (6)

Country Link
US (3) US6255585B1 (ko)
JP (1) JP2000221210A (ko)
KR (1) KR20000057821A (ko)
DE (1) DE10003073A1 (ko)
SG (1) SG86366A1 (ko)
TW (1) TW442910B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100787087B1 (ko) * 2006-05-19 2007-12-24 (주)이노아토 최종시험공정에서의 반도체 특성 시험용 소켓 핀
KR100827994B1 (ko) * 2006-02-14 2008-05-08 전자부품연구원 이종 도금 결합방식을 이용한 하이브리드형 고강도 탐침 구조물 및 그 제작 방법
KR101522027B1 (ko) * 2006-02-24 2015-05-20 죤스테크 인터내셔날 코오포레이션 전자 장치 테스트 세트 및 그 내에 사용되는 컨택트

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6436802B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-20 Adoamtest Corp. Method of producing contact structure
US6255126B1 (en) * 1998-12-02 2001-07-03 Formfactor, Inc. Lithographic contact elements
US6255585B1 (en) * 1999-01-29 2001-07-03 Advantest Corp. Packaging and interconnection of contact structure
JP4150508B2 (ja) * 2001-04-03 2008-09-17 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
US6678878B2 (en) * 2002-03-04 2004-01-13 Daniel J. Smith Intelligent milling path creation for panelization abstract
US6881078B1 (en) * 2002-12-19 2005-04-19 Sun Microsystems, Inc. Interconnecting device that allows for connections in small space
JP4604450B2 (ja) * 2003-02-13 2011-01-05 セイコーエプソン株式会社 プローブカード及びその製造方法、プローブ装置、プローブ試験方法、半導体装置の製造方法
DE602005002379T2 (de) * 2004-02-23 2008-06-12 Zyvex Instruments, LLC, Richardson Benutzung einer Sonde in einer Teilchenstrahlvorrichtung
JP4731936B2 (ja) * 2005-02-09 2011-07-27 本田技研工業株式会社 回転式可変抵抗器
EP1780550A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-02 Capres A/S A probe for testing electrical properties of test samples
US7459921B2 (en) * 2006-05-31 2008-12-02 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Method and apparatus for a paddle board probe card
US7761966B2 (en) * 2007-07-16 2010-07-27 Touchdown Technologies, Inc. Method for repairing a microelectromechanical system
US8816710B2 (en) 2010-04-19 2014-08-26 Nidec-Read Corporation Inspection contact element and inspecting jig
JP2011247792A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Advantest Corp プローブ構造体、プローブ装置、プローブ構造体の製造方法、および試験装置
TWI564571B (zh) * 2014-11-14 2017-01-01 Mpi Corp Cantilever high frequency probe card

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4766371A (en) * 1982-07-24 1988-08-23 Risho Kogyo Co., Ltd. Test board for semiconductor packages
US6043563A (en) 1997-05-06 2000-03-28 Formfactor, Inc. Electronic components with terminals and spring contact elements extending from areas which are remote from the terminals
US5323035A (en) * 1992-10-13 1994-06-21 Glenn Leedy Interconnection structure for integrated circuits and method for making same
GB2274351A (en) * 1993-01-19 1994-07-20 Digital Equipment Int I.C.Chip carriers
US5532612A (en) * 1994-07-19 1996-07-02 Liang; Louis H. Methods and apparatus for test and burn-in of integrated circuit devices
US5717252A (en) * 1994-07-25 1998-02-10 Mitsui High-Tec, Inc. Solder-ball connected semiconductor device with a recessed chip mounting area
US5789809A (en) * 1995-08-22 1998-08-04 National Semiconductor Corporation Thermally enhanced micro-ball grid array package
US5965933A (en) * 1996-05-28 1999-10-12 Young; William R. Semiconductor packaging apparatus
US5707881A (en) * 1996-09-03 1998-01-13 Motorola, Inc. Test structure and method for performing burn-in testing of a semiconductor product wafer
US6075290A (en) * 1998-02-26 2000-06-13 National Semiconductor Corporation Surface mount die: wafer level chip-scale package and process for making the same
US6020629A (en) * 1998-06-05 2000-02-01 Micron Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of fabrication
US6184576B1 (en) * 1998-09-21 2001-02-06 Advantest Corp. Packaging and interconnection of contact structure
US6255585B1 (en) * 1999-01-29 2001-07-03 Advantest Corp. Packaging and interconnection of contact structure

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100827994B1 (ko) * 2006-02-14 2008-05-08 전자부품연구원 이종 도금 결합방식을 이용한 하이브리드형 고강도 탐침 구조물 및 그 제작 방법
KR101522027B1 (ko) * 2006-02-24 2015-05-20 죤스테크 인터내셔날 코오포레이션 전자 장치 테스트 세트 및 그 내에 사용되는 컨택트
KR100787087B1 (ko) * 2006-05-19 2007-12-24 (주)이노아토 최종시험공정에서의 반도체 특성 시험용 소켓 핀

Also Published As

Publication number Publication date
US20010014556A1 (en) 2001-08-16
DE10003073A1 (de) 2000-08-03
SG86366A1 (en) 2002-02-19
JP2000221210A (ja) 2000-08-11
US6534710B2 (en) 2003-03-18
US20010023770A1 (en) 2001-09-27
US6255585B1 (en) 2001-07-03
US6548756B2 (en) 2003-04-15
TW442910B (en) 2001-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6351133B1 (en) Packaging and interconnection of contact structure
US6184576B1 (en) Packaging and interconnection of contact structure
KR100454546B1 (ko) 실리콘 핑거 콘택터를 구비한 콘택트 구조물과 이를이용한 토탈 스택-업 구조물
US6452407B2 (en) Probe contactor and production method thereof
US6420884B1 (en) Contact structure formed by photolithography process
KR100733945B1 (ko) 실리콘 핑거 접촉기를 갖는 접촉 구조체 및 그 제조 방법
US6736665B2 (en) Contact structure production method
US6218203B1 (en) Method of producing a contact structure
US6576485B2 (en) Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same
US7335057B2 (en) High density planar electrical interface
US6750136B2 (en) Contact structure production method
KR20000057821A (ko) 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부
JP4560221B2 (ja) コンタクトストラクチャとその製造方法
CN1397804A (zh) 具有接触块的接触结构
JPH10132855A (ja) Ｉｃ検査用プローブカード
KR20010076322A (ko) 접촉 돌기를 구비한 접촉 구조물
CN1372355A (zh) 具有硅指状触点的接触结构和使用其的总叠层结构

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application