KR20000048980A - 반응로로 미립자 재료의 측량된 량의 도입용 장치 - Google Patents

반응로로 미립자 재료의 측량된 량의 도입용 장치 Download PDF

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이구택
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Abstract

재료 공급 수단(9)이 이 위로부터 들어가며 유동화 가스를 공급하는 가스 덕트(33)가 하단부 영역내에 이어지고 미립자 재료를 이송하기 위한 과류 튜브(34)를 포함하는 유동층 세광통(31)을 포함하는 반응로(10)로 미립자 재료의 측량된 량의 도입용 장치(29)에서, 미립자 재료를 반응로(10)로 측량된 도입을 허용하기 위해서, 반응로(10)의 외측에, 반응로(10)의 내부로 뻗은 과류 튜브(37)를 가진 다수의 유동층 세광통(35)이 제공되어 있다.

Description

반응로로 미립자 재료의 측량된 량의 도입용 장치{DEVICE FOR DOSED INTRODUCTION OF FINE PARTICLE MATERIAL INTO A REACTOR VESSEL}
상술한 형태의 장치는 US-A-4,277,205로부터 알려져 있다. 이 장치는 중앙 튜브를 특징으로 하며, 중앙 튜브로부터 다수의 과류 튜브는 반응로의 단면에 분포된 장입점으로 안내된다. 과류 튜브와 함께 있는 중앙 튜브는 반응로내의 미립자 재료의 균일한 분포를 보장하기 위해서 회전될 수 있는 방식으로 반응로 내측에 배열되어 있다. 반응로 내측의 장치는 과류 튜브를 회전하는데 필요하게 되지만 특히 반응로가 고온을 일으키는 반응에 사용되고 휘발성 가스 흐름이 일어날 경우에 회전 기구 및 밀봉부를 심하게 마모시킨다.
종래 장치는 미립자 재료가 반응로로 공급되어 단면에 거쳐서 균일하게 분포되지만 특별히 어떤 장입점 또는 장입 구역에 균일하게 분포되지 않은 단점을 가진다.
본 발명의 목적은 상술한 단점과 어려움을 피하고 반응로로 미립자 재료의 측량된 량으로 도입을 허용하는 상술한 형태의 장치와 이런 장치를 작동하기 위한 방법을 제공하는 것이다. 특히, 반응로의 다양한 구역내의 특정 점에서 미립자 재료의 시간-의존 공급은 가능하게 이루어지며, 그러나, 장치는 마모 문제를 피하고 투자 및 유지비를 줄이도록 단단하고 고정된 디자인으로 할 수 있다.
본 발명의 다른 목적은 광석, 특히 철광석과 플럭스와 적어도 부분적으로인 미립자 부분으로된 물질의 장입으로부터 금속 용융물, 특히 선철의 제조용 장치에 미립자 환원 제품의 도입용 장치를 제공하는 것이며, 그러나 여기서 환원 제품은 서로 3차원으로 연결된 높은 가스 투과성 구역을 형성하여, 환원 가스를 양호하게 얻을 수 있게 보장한다.
본 발명은 재료 공급 수단이 이 위로부터 들어가며 유동화 가스를 공급하는 가스 덕트가 하단부 영역내에 이어지고 미립자 재료를 이송하기 위한 과류 튜브를 포함하는 유동층 세광통을 포함하는 반응로로 미립자 재료를 측량된 량으로 도입하기 위한 장치 뿐만 아니라 이런 형태의 장치를 포함하는 플랜트와 이런 장치를 작동하는 방법에 관한 것이다.
아래에, 본 발명은 도면에 도시한 실시예에 의해 보다 상세히 설명되어 있다.
도 1은 본 발명에 따른 장치가 양호하게 사용되는, 금속 용융물의 제조용 장치의 예를 대략적으로 도시한 사시도.
도 2는 도 1을 일부분을 확대 도시한 상세도.
도 3은 도 2의 평면도.
도 4는 변경 실시예의 과류 튜브의 단부의 확대 상세도.
본 발명에 따라서, 이 문제는 상술한 형태의 장치에 반응로의 내부로 돌출되는 과류 튜브를 포함하며 반응로의 외측에 제공된 다수의 유동층 세광통(fludized bed sluice)를 제공함으로써 해결된다.
양호한 실시예에서, 장치는 유동층 세광통을 형성하는 중앙 튜브를 포함하며, 추가의 유동층 세광통으로 각각 이어지는 두 개이상의 과류 튜브는 중앙 튜브로부터 분기되어 있으며, 상기 추가의 유동층 세광통은 하부 영역에서 유동화 가스를 공급하는 가스 덕트가 이어지고, 반응로로 이어지는 하나 이상의 과류 튜브가 분기되어 있는 리셉터클에 의해 형성되어 있으며, 상기 유동화 가스 덕트 각각에는 미립자 재료의 국부적으로 측량된 량의 도입을 위한 밸브가 구비되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 밸브에 의해서, 중앙 튜브를 에워싸는 추가의 유동층 세광통의 개별 또는 몇개는 작동 또는 비작동될 수 있다. 먼저, 미립자 재료는 중앙 튜브와 또한 추가의 유동층 세광통이 유동화 가스로 채워질 때, 중앙 튜브내에 축적한다. 유동화 가스가 추가의 유동층 세광통중 하나에 공급되는지에 따라서, 상기 유동층 세광통은 깨끗하게 되고 미립자 재료는 과류 튜브를 통해서 유동화 세광통으로부터 부터 반응로로 들어갈 수 있다. 유동화 가스를 변경적으로 연결함으로써, 재료 흐름과 그러므로 또한 반응로내의 장입점 또는 장입구역은 변할 수 있다. 더욱이, 미립자 재료는 가스량을 통해 측량될 수 있으므로, 밸브는 편리하게 흐름 제어 밸브로서 디자인된다.
측량된 량의 도입은 적어도 2개 많아야 8개, 양호하게는 3개 또는 4개의 유동화 세광통에 의해 편리하게 성취된다.
스트랜드의 형태의 과류 튜브를 통해서 반응로로 들어가는 미립자 재료의 부채꼴 형상을 방지하기 위해서, 반응로로 이어지는 과류 튜브의 단부에는 양호하게 각각 과류 튜브의 하단부상에 전개하는 가스 자켓을 형성하기 위한 가스 공급 수단이 제공되어 있으며, 상기 과류 튜브는 환형 갭 캐비티를 형성하는 이중 자켓을 포함하며, 상기 가스 공급 수단은 환형 갭 캐비티과 이어진다.
가스 자켓의 형성을 위해, 과류 튜브의 하단부에는 양호하게 환형 캡 캐비티를 통해 흐르는 가스의 배출용 환형 갭 개구 또는 몇 몇 개구가 제공되어 있다.
미립자 재료를 반응로의 전체 단면에 장입하는 것을 허용하기 위해서, 유동층 세광통은 편리하게 중앙 튜브로부터 일정한 거리로 그리고 적합하게 반경방향 대칭 배열로 제공되어 있다.
광석, 특히 철광석과 플럭스와, 적어도 부분적으로인 미립자 부분으로된 물질의 장입으로부터 금속 용융물, 특히 선철의 제조용 장치는 두 개 이상의 유동층 반응기가 직렬로 연속적으로 배열되어 있으며, 광석은 한 유동층 반응기로부터 다른 유동층 반응기로 이송 덕트를 통해 한 방향으로 유도되며, 환원 가스는 한 유동층 반응기로부터 다른 유동층 반응기로 환원 가스 연결 덕트를 통해 반대 방향으로 도입되며, 용융 환원로에, 광석의 흐름 방향에 마지막에 배열된 유동층 반응기로부터 나온 환원 제품을 유도하는 공급 덕트가 미립자 환원 제품의 도입용 장치를 통해 이어져고 뿐만 아니라 탄소와 산소를 공급하는 덕트가 이어져 있고, 용융 환원로로부터 환원 가스 이송 덕트가 분기되어 광석의 흐름 방향의 마지막에 배열된 유동층 반응기로 이어져 있는 것을 특징으로 한다..
유동화 가스를 공급하기 위한 가스 덕트는 환원 가스 이송 덕트로부터 분기한다.
반응로내의 미립자 재료로부터 높은 가스 침투성을 형성하기 위해서, 중앙 튜브 옆에 배열된 유동층 세광통은 교대로 작동된다.
양호한 실시예에 따라서, 유동층 세광통은 반응로내에서 일어나는 처리의 처리 측정이라는 이유로 작동되고, 이것에 의해서 미립자 재료의 장입점 또는 장입 구역의 위치는 반응로내에서 결정되어, 미립자 재료는 특별히 유동층 세광통을 스위치 온 및 오프함으로써 분포된다.
도 1에 따른 장치는 직렬로 연속적으로 연결된 3개의 유동층 반응기(1 내지 3)을 포함하며, 미세 광석과 같은 산화철을 함유하는 미립자는 미세 광석을 예열하고 가능하게 예열 단계(5)에서 예비환원하는 제 1 유동층 반응기(1)에 유도되고,고, 광석 이송 덕트(4)를 통해서 연속적으로 이송 덕트(6)를 통해서 유동층 반응기(1)로부터 유동층 반응기(2)로 유도된다. 유동층 반응기(2)에서, 예비환원은 예비환원 단계(7)에서 일어나고, 유동층 반응기(3)에서, 미세 광석은 최종 환원 단계(8)에서 해면철로 최종적으로 또는 마무리 환원된다.
환원 미립자 환원 재료, 즉 해면철은 후술하는 특정 방법으로 이송 덕트(9)를 통해 용융 환원로(10; melter gasifier)에 유도된다. 용융 환원로(10)에서, CO 및 H2함유 환원 가스는 석탄과 같은 탄소 캐리어로부터 형성되고 용융 환원로 구역(11)내의 산소성 가스는 유동층에 의해 형성된다. 이 환원 가스는 미세 광석의 흐름 방향으로 마지막에 배열된 유동층 반응기(3)용 환원 가스 이송 덕트(12)로서 작용하는 가스 배출 덕트(12)를 통해서 유동층 반응기(3)로 도입된다.
환원 가스는 반경방향으로 대칭배열된 몇 몇 가스 출구 소켓을 통해서 용융 환원로(10)로부터 배출된다.
환원 가스는 연결 덕트(13)를 통해서 광석 흐름과 역류로 유동층 반응기(3)로부터 유동층 반응기(2)까지 이송되며, 상부 가스 배출 덕트(14)를 통해서 상부 가스로서 유동층 반응기(1)로부터 배출되고 연속해서 습식 스크러버(15; wet scrubber)내에 냉각 및 세정된다.
용융 환원로(10)는 솔리드 탄소 캐리어용 공급 덕트(16), 산소성 가스용 공급 덕터(17)와 가능하게 탄화수소와 같은, 대기 온도에서 액체 또는 가스인 탄소 캐리어용 공급 덕트 및 연소 플럭스용 공급덕트를 포함한다. 용융 환원로(10)에서, 용융 선철 또는 용융 스틸 입력 재료와 용융 슬래그는 용융 환원로 구역(11)아래에 축적되어, 탭홀(18)을 통해서 출탕된다.
용융 환원로(10)로부터 분기되고 유동층 반응기(3)로 이어지는 환원 가스 이송 덕트(12)내에, 고온 가스 싸이클론과 같은 분진 수집 수단(19)이 제공되어 있으며, 이 싸이클론에서 분리된 분진 입자는 이송 수단으로서 질소와 함께 리턴 덕트(20)를 통해 그리고 산소 분사하의 버너(21)를 통해서 용융 환원로(10)에 공급된다.
환원 가스 온도는 적합하게 제공된 가스 리턴 덕트(25)에 의해 조정될 수 있으며, 이 리턴 덕트는 환원 가스 덕트(12)와 분기되어 있고 고온 가스 싸이클론(19)의 배열에서 상류에 있는 압축기(27)와 스크러버(26)를 통해서 환원 가스 이송 덕트(12)로 환원 가스의 일부분을 리턴한다.
미세 광석의 예열 온도를 조정하기 위해서, 공기 또는 산소와 같은 산소성 가스는 예열 단계(5), 즉 유동층 반응기(1)에 덕트(28)를 통해서 공급될 수 있으며, 여기서, 예열 단계(5)에 공급된 변환된 환원 가스의 부분적인 연소가 이루어진다.
본 발명에 따라서, 미립자 해면철은 용융 환원로(10) 상부쪽에 있고, 도 2에 확대 도시되어 있는 장입 수단(29)을 통해서 장입된다.
장입 수단(29)은 유동층 세광통을 나타내는 중앙 튜브(31)에 의해 형성되어 있으며, 이 위로부터 이송 덕트(9)가 이어져 있다. 중앙 튜브(31)의 하부 영역은 유동층 세광통을 형성하기 위한 가스 침투성 하부(32)를 가지며, 여기로 유동 가스가 유동 가스를 공급하는 가스 덕트(33)를 통해서 공급된다. 가스 덕트(33)는 가스 리턴 덕트(25)의 브랜치 덕트이다.
중앙 튜브(31)로부터, 대표적인 실시예에 따라서 3개인 과류 튜브(34)는 가스 침투성 바닥으로부터 일정거리로 유지하며, 용융 환원로(10)위에 중심적으로 위치된 중앙 튜브(31)로부터 어떤 각으로 반경방향 대칭으로 하향으로 되어 있다. 이들 과류 튜브(34)는 추가의 유동층 세광통(35)으로 이어지고, 리셉터클(36)에 의해 형성되고, 중앙 튜브와 유사하게 하부 영역내에 가스 침투성 하부(32)와, 유동 가스를 공급하는 가스 덕트(33)의 접합부와 상부 영역에서 분기된 과류 덕트(37)가 제공되어 있다. 과류 덕트는 반경방향 외향으로 배열되어 있고 용융 환원로(10)의 돔(30)을 통해서 내부로 뻗어 있다.
유동층 세광통(31, 35)중 하나로 이어지는 모든 가스 덕트(33)에는 미립자 고온 환원 재료와 접촉하게 되는 기계적인 작동 부품을 요하지 않고, 각 유동층 세광통(31, 35)을 작동 및 비작동함으로써 미립자 환원 재료의 침투 및 이송 또는 이송의 멈춤을 허용하도록 하는 밸브(38)가 제공되어 있다. 추가의 유동층 세광통(35)을 교대로 다양하게 작동하고 그러므로 여러 과류 튜브(37)를 통해서 이송함으로써, 농축된 재료 흐름은 모든 과류 튜브를 통해 연속적으로 이송하는 재료에 의해서보다 많이 얻을 수 있다. 결국, 용융 환원로(10)로부터 나온 미립자를 배출하고 환원 가스(12)를 용융 환원로(10)에 존속시키는 일은 과류 튜브(37)를 통해 용융 환원로로 들어가는 스트랜드(39; strand)가 보다 조밀하고 보다 콤팩트하기 때문에 최소화될 수 있다.
과류 튜브(37)의 교대의 작동 및 비작동은 또한 용융 환원로(10)내의 주위 온도 또는 가스 출구를 통한 가스 유속의 어떠한 불균일한 분포와 상호 작용하는데 사용될 수 있다. 이 경우에, 처리 작업은 보다 높은 동일한 분포를 얻기 위해서 처리 컴퓨터를 통해서 과류 튜브(37)로부터 특정 과류 튜브를 작동 또는 비작동하는데 사용된다.
과류 튜브(37)의 일시적인 작동 및 비작동은 또한 탈가스된 석탄 입자(목탄 입자)에 의해 그러므로 모든 측면상에 최상의 가스 침투성 구역에 의해 에워싸인, 용융 환원로(10)내의 특정 직접 환원 재료의 랜스를 형성하는데 사용될 수 있다. 환원 가스는 모든 측면으로부터 미립자 직접 환원 재료에 의해 형성된 랜스로 잘 확산할 수 있다.
더욱이, 유동층 반응기(31, 35)와 용융 환원로(10)사이의 차압이 유동층 세광통(31, 35)내에서 제거될 수 있으면, 유동층 세광통(31, 35)을 사용하여 용융 환원로(10)내의 보다 높은 압력에 대향해 장입할 수 있다. 더욱이, 용융 환원로로 공급되어질 재료는 유동 가스의 유속을 제어함으로써 쉽게 침투될 수 있다.
도 4에 도시한 실시예에 따라서, 용융 환원로(10)의 내부로 뻗은 과류 튜브(37)의 단부 영역(40)은 이중 자켓 튜브(41)로서 설계되어 있다. 이중 자켓 튜브(41)의 외부 자켓(42)과 내부 자켓(43)은 용융 환원로의 외측에 위치된 단부(45)를 가진 환형 갭 캐비티(44)를 형성하고, 환형 갭 캐비티는 가스를 냉각하기 위한 폐쇄된 회로 공급 덕트(46)에 연결되어 있다. 양호하게 보다 상세히 도시하지 않은 추가의 압축기와 브랜치 덕트(47)을 통해서 가스 리턴 덕트(25)로부터 나누어진 냉각 환원 가스는 냉각 가스로 사용된다. 용융 환원로(10)의 내부로 뻗어 있는 이중 자켓 튜브(41)의 단부(48)에는, 이중 자켓 튜브(41)의 길이방향 중심선(50)과 거의 평행하게 위치된 중심선을 가진, 환형 갭 개구(49)이든지 또는 몇 몇 인접한 홀이 제공되어 있으며, 이들 개구를 통해서 냉각 가스가 용융 환원로(10)의 내부로 흐른다.
이중 자켓 튜브(41)의 하단부(48)에 있는 자유 낙하 스트랜드(39)를 형성하는 해면철은 이중 자켓 튜브(41)의 중앙 내부(51)를 통해서 흐른다. 이중 자켓 튜브(41)의 하단부(48)는 환원 가스가 아직 최대 유속에 도달되지 않은 점인 돔(30)으로부터 일정한 수직 거리에 위치되어 있다. 이 스트랜드(39)는 또한 이중 자켓 튜브(41)의 하단부(48)에서 나오는 냉각 가스에 의해 둘러싸여 팽창방지된다. 그러므로 이런 가스 자켓(52)은 이중 자켓 튜브(41)와 유사하게, 해면철의 자유 낙하의 높이의 적어도 일부분에 대한 보호 커버링을 형성하므로, 해면철의 미립자는 상당히 높은 속도로 상승하는 환원 가스에 의해 포획되지 않는다.
가스 자켓의 지지 효과가 약화되면 스트랜드(39)가 팽창하는 레벨(53)에서, 환원 가스의 속도는 상당히 낮고, 그러므로 미립자는 용융 환원로 구역(11)의 유체층으로 낙하 또는 하강되지 않는다.
이중 자켓 튜브(41)로부터의 출구점, 즉, 하단부(48)에서의 냉각 가스 속도는 환원 가스의 최대 속도의 적어도 10배이고 바람직하게 50 내지 100배이다.
그러므로, 가스 자켓은 상당히 얇은 벽을 이룰 수 있으므로, 용융 환원로(10)로 리턴된 환원 가스의 체적은 상당히 적다.
이중 자켓 튜브(41)의 캐비티(44)에 냉각 가스가 흘려서 연속적으로 이중 자켓 튜브(41)의 하부 개구(49)로 나오면, 냉각 효과는 이중 자켓 튜브(41)상의 기계적 로드에 따라서 이루어진다.
냉각 가스의 가장 큰 냉각 효과는 사하중(dead weight)에 의해 이중 자켓 튜브(41)의 최대 로드의 점, 즉, 이중 자켓 튜브(41)가 용융 환원로(10)의 돔(30)을 통과하는 구역에서 이루어진다. 냉각 가스가 이중 자켓 튜브(41)의 캐비티(44)를 통해서 흐르면, 냉각 가스는 가열되고, 냉각 가스 속도를 증가시킨다. 그러므로, 유체층 바로 위에까지 도달하는 매우 긴 다운파이프의 경우에서 보다도 낮은 기계적 및 열적 로딩을 가진, 상당히 짧은 이중 자켓 튜브(41)만으로 충분하다. 결국, 본 발명에 따른 설계는 매우 안전한 특징이 있다.
냉각 효과에 의해서, 특정 세라믹계의 매우 고가의 특정 재료나 Fe계의 슈퍼 알로이가 필요하지 않는다. 이와 대조적으로, 상승된 온도 스틸의 이중 자켓 튜브(41)를 제조하는 것으로 충분할 것이다.

Claims (11)

  1. 재료 공급 수단(9)이 이 위로부터 들어가며 유동화 가스를 공급하는 가스 덕트(33)가 하단부 영역내에 이어지고 미립자 재료를 이송하기 위한 과류 튜브(34)를 포함하는 유동층 세광통(31)을 포함하는 반응로(10)로 미립자 재료의 측량된 량의 도입용 장치(29)에 있어서,
    상기 반응로(10)의 외측에, 상기 반응로(10)의 내부로 뻗은 과류 튜브(37)를 가진 다수의 유동층 세광통(35)이 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 장치(29)는 상기 유동층 세광통(31)을 형성하는 중앙 튜브(31)를 포함하며, 추가의 유동층 세광통(35)으로 각각 이어지는 두 개이상의 과류 튜브(34)는 상기 중앙 튜브(31)로부터 분기되어 있으며, 상기 추가의 유동층 세광통(35)은 하부 영역에서 유동화 가스를 공급하는 가스 덕트(33)가 이어지고, 반응로로 이어지는 하나 이상의 과류 튜브(37)가 분기되어 있는 리셉터클(36)에 의해 형성되어 있으며, 상기 유동화 가스 덕트(37) 각각에는 미립자 재료의 국부적으로 측량된 량의 도입을 위한 밸브(38)가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 유동층 세광통(35)이 적어도 2개 많아야 8개, 양호하게는 3개 또는 4개 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제 1항 내지 제 3항중 어느 한항 또는 몇 몇항에 있어서, 상기 반응로(10)로 개방하는 과류 튜브의 단부에는 각각 과류 튜브의 하단부(48)상에 전개하는 가스 자켓(52)을 형성하기 위한 가스 공급 수단(46, 47)이 제공되어 있는 것(도 4)을 특징으로 하는 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 과류 튜브(37)는 환형 갭 캐비티(44)를 형성하는 이중 자켓(42, 43)을 포함하며, 상기 가스 공급 수단(46, 47)은 환형 갭 캐비티(44)와 개방하는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 과류 튜브의 하단부(48)에는 상기 환형 캡 캐비티를 통해 흐르는 가스의 배출용 환형 갭 개구(49) 또는 몇 몇 개구가 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제 1항 내지 제 3항중 어느 한항 또는 몇 몇항에 있어서, 상기 유동층 세광통(35)은 중앙 튜브(31)로부터 일정한 거리로 그리고 적합하게 반경방향 대칭 배열로 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 광석, 특히 철광석과 플럭스와, 적어도 부분적으로인 미립자 부분으로된 물질의 장입으로부터 금속 용융물, 특히 선철의 제조용 장치에 있어서,
    두 개 이상의 유동층 반응기(1, 2, 3)가 직렬로 연속적으로 배열되어 있으며, 상기 광석은 한 유동층 반응기(1)로부터 다른 유동층 반응기(2)로 이송 덕트(6)를 통해 한 방향으로 유도되며, 환원 가스는 한 유동층 반응기(3)로부터 다른 유동층 반응기(2, 1)로 환원 가스 연결 덕트(13)를 통해 반대 방향으로 도입되며, 상기 용융 환원로(10)에, 상기 광석의 흐름 방향에 마지막에 배열된 유동층 반응기(3)로부터 나온 환원 제품을 유도하는 공급 덕트가 제 1항 내지 제 7항중 어느 한항 또는 몇 몇항에 따른 미립자 환원 제품의 도입용 장치(29)를 통해 이어져고 뿐만 아니라 탄소와 산소를 공급하는 덕트(16, 17)가 이어져 있고, 상기 용융 환원로(10)로부터 환원 가스 이송 덕트(12)가 분기되어 상기 광석의 흐름 방향의 마지막에 배열된 유동층 반응기(3)로 이어져 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 유동화 가스를 공급하기 위한 가스 덕트(33)는 환원 가스 이송 덕트(12)로부터 분기하는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 1항 내지 제 7항중 어느 한항 또는 몇 몇항에 따른 장치를 작동하는 방법에 있어서,
    중앙 튜브(31) 옆에 배열된 유동층 세광통(35)을 교대로 작동하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 유동층 세광통(35)의 작동은 반응로(10)내에서 일어나는 처리의 처리 측정이라는 이유로 실현되고, 상기 처리 측정의 도움으로 미립자 재료의 장입점 또는 장입 구역의 위치는 반응로(10)내에서 결정되어, 상기 미립자 재료의 분포가 상기 유동층 세광통(35)을 적절히 스위치 온 및 오프함으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 방법.
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