KR20000043451A - Chemical mechanical polishing apparatus with location alignment part - Google Patents

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KR20000043451A
KR20000043451A KR1019980059830A KR19980059830A KR20000043451A KR 20000043451 A KR20000043451 A KR 20000043451A KR 1019980059830 A KR1019980059830 A KR 1019980059830A KR 19980059830 A KR19980059830 A KR 19980059830A KR 20000043451 A KR20000043451 A KR 20000043451A
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mechanical polishing
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김춘광
장근배
김정건
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윤종용
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    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces

Abstract

PURPOSE: A chemical mechanical polishing apparatus with a location alignment part is provided to flatten a surface of a semiconductor by loading automatically a semiconductor wafer. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing apparatus with a location alignment part comprises a load station(11), a spray box(20), a polishing head portion(16), a first transfer portion(12), and a second transfer portion(14). The load station loads a wafer cassette(8) for receiving a plurality of semiconductor wafer(7). The spray box receives the semiconductor wafer and sprays pure water on the semiconductor wafer. The polishing head portion polishes a surface of the semiconductor by a mechanical friction. The first transfer portion transfers the wafer between the load station and the spray box. The second transfer portion transfers the wafer between the spray box and the polishing head portion. The chemical mechanical polishing apparatus further comprises a location alignment part for aligning operation locations of the first and the second transfer portions.

Description

위치 정렬 수단을 갖는 화학적 기계적 연마 장치(CMP apparatus having means for aligning location)CMP apparatus having means for aligning location

본 발명은 집적회로가 형성된 반도체 웨이퍼를 제조하는 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 자동으로 반도체 웨이퍼를 로딩하여 반도체 웨이퍼의 표면을 평탄화시키는 화학적 기계적 연마 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for manufacturing a semiconductor wafer having an integrated circuit, and more particularly, to a chemical mechanical polishing apparatus for automatically loading a semiconductor wafer to planarize the surface of the semiconductor wafer.

화학적 기계적 평탄화(CMP; Chemical Mechanical polishing)란 화학적·기계적 반응을 통하여 반도체 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 기술이다. 그 원리는 반도체 웨이퍼를 연마포(polishing pad) 표면에 접촉하도록 한 상태에서 슬러리(slurry)를 공급하여 반도체 웨이퍼 표면을 화학적으로 반응시키면서 연마포가 부착된 테이블과 반도체 웨이퍼가 부착된 웨이퍼 캐리어(또는 웨이퍼 홀더)를 상대 운동시켜 물리적으로 반도체 웨이퍼 표면의 요철부분을 평탄화하는 것이다.Chemical Mechanical Polishing (CMP) is a technique of planarizing the surface of a semiconductor wafer through chemical and mechanical reactions. The principle is to supply a slurry while bringing the semiconductor wafer into contact with the polishing pad surface to chemically react the surface of the semiconductor wafer, while the table on which the polishing cloth is attached and the wafer carrier to which the semiconductor wafer is attached (or Relative movement of the wafer holder to physically planarize the uneven portion of the surface of the semiconductor wafer.

보통 화학적 기계적 연마 공정을 수행하기 위한 장비는 웨이퍼를 고정하는 상부 해드(또는 웨이퍼 해드)와 슬러리를 공급하고 연마포가 부착되는 하부 해드를 기본적인 단위 장치로 하고 있으며, 작업이 진행될 웨이퍼나 작업이 완료된 반도체 웨이퍼가 대기하는 로드 스테이션(load station)과, 각 단위 장치간의 반도체 웨이퍼 이송을 위한 이송수단, 및 반도체 웨이퍼의 건조를 막기 위한 스프레이 박스 등을 구비하고 있다.Usually, the equipment for performing the chemical mechanical polishing process is composed of the upper head (or wafer head) for fixing the wafer and the lower head for supplying slurry and attaching the polishing cloth to the basic unit. A load station on which a semiconductor wafer is waiting, a transfer means for transferring semiconductor wafers between respective unit devices, a spray box for preventing drying of the semiconductor wafer, and the like are provided.

도 1은 종래 기술에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 개략적인 구성도이고, 도 2는 종래 기술에 따른 기계적 연마 장치에서 스프레이 박스를 나타낸 정면도이다.1 is a schematic configuration diagram of a chemical mechanical polishing apparatus according to the prior art, Figure 2 is a front view showing a spray box in the mechanical polishing apparatus according to the prior art.

도 1과 도 2를 참조하면, 로드 스테이션(51)에서 웨이퍼 카세트(8)에 수납된 상태로 대기중인 반도체 웨이퍼(7)를 제 1이송수단(52)이 빼내와서 작업 준비 상태로 웨이퍼를 대기시키는 스프레이 박스(60)에 수납하게 된다. 스프레이 박스(60)에 수납된 반도체 웨이퍼(7)는 제 2이송수단(54)에 의해 복수의 연마 해드(56,57,58,59)를 갖는 연마 해드부(55)로 이송된다. 연마 해드부(55)에서 표면 처리가 완료된 반도체 웨이퍼(7)는 다시 제 2이송수단에 의해 스프레이 박스(60)로 이송된다. 보통, 스프레이 박스(60)는 복수의 반도체 웨이퍼(7)를 수납할 수 있도록 탑재대(61)를 가지고 있고, 이 탑재대(61)에서 다음 위치(예, 세정 장치)로 이송되기 전에 반도체 웨이퍼(7)의 표면에 묻어있는 슬러리가 마르지 않도록 스프레이 노즐(63)을 통하여 초순수물을 분사하게 된다. 다음에, 제 1이송수단에 의해 도면에 도시하지 않은 세정 장치로 이송되어 세정 작업이 진행된 후, 웨이퍼 카세트(8)에 수납된다.1 and 2, the first transfer means 52 pulls out the semiconductor wafer 7 waiting in the load cassette 51 in the wafer cassette 8 and waits for the wafer in a work ready state. It will be stored in the spray box 60 to be. The semiconductor wafer 7 housed in the spray box 60 is transferred to the polishing head portion 55 having the plurality of polishing heads 56, 57, 58, and 59 by the second transfer means 54. The semiconductor wafer 7 whose surface treatment is completed in the polishing head part 55 is again transferred to the spray box 60 by a 2nd transfer means. Usually, the spray box 60 has a mounting base 61 for accommodating a plurality of semiconductor wafers 7, and before the spray box 60 is transferred to the next position (for example, a cleaning device) from the mounting base 61, Ultrapure water is injected through the spray nozzle 63 so that the slurry on the surface of (7) does not dry out. Next, it is transferred to the cleaning apparatus not shown in the figure by the first transfer means, and the cleaning operation is carried out, and then stored in the wafer cassette 8.

이와 같은 종래의 화학적 기계적 연마 장치의 경우에 제 1이송수단이나 제 2이송수단은 지정된 수치만큼만 움직이게 되도록 설치되어 있기 때문에 만약 반도체 웨이퍼가 외부의 어떤 힘이나 제 1,2이송수단의 상태불량 등의 여러 요인에 의해 잘못된 위치에 놓여지게 될 경우에 그 다음부터의 반도체 웨이퍼는 모든 단위 장치에서의 위치가 틀어지게 된다. 일단 반도체 웨이퍼의 위치가 틀어지면 틀어진 단위 장치가 아닌 다음 작업 이후의 단위 장치에서 반도체 웨이퍼나 단위 장치에 손상을 가져올 수 있다. 이러한 문제는 특히 스프레이 박스에서 반도체 웨이퍼가 잘못 놓여져서 발생되는 경우가 많다.In the conventional chemical mechanical polishing apparatus, since the first transfer means and the second transfer means are installed to move only by a specified value, if the semiconductor wafer has any external force or a state defect of the first and second transfer means. If the semiconductor wafer is placed in the wrong position due to various factors, the semiconductor wafers from later on are displaced in all unit devices. Once the position of the semiconductor wafer is misplaced, it may cause damage to the semiconductor wafer or the unit device in the unit device after the next operation rather than the wrong unit device. This problem is often caused by misplaced semiconductor wafers in spray boxes.

본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼의 위치가 틀어짐으로 인한 반도체 웨이퍼 손상이나 설비 손상을 방지하여 작업이 원활하게 이루어지도록 반도체 웨이퍼가 이송되는 도중 위치 틀어짐을 정정해줄 수 있는 화학적 기계적 연마 장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a chemical mechanical polishing apparatus capable of correcting misalignment during transport of a semiconductor wafer so as to prevent damage to the semiconductor wafer or equipment damage due to misalignment of the semiconductor wafer. .

도 1은 종래 기술에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 개략적인 구성도,1 is a schematic configuration diagram of a chemical mechanical polishing apparatus according to the prior art,

도 2는 종래 기술에 따른 기계적 연마 장치에서 스프레이 박스를 나타낸 정면도,Figure 2 is a front view showing a spray box in a mechanical polishing apparatus according to the prior art,

도 3은 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 개략적인 구성도,3 is a schematic configuration diagram of a chemical mechanical polishing apparatus according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장치에서 스프레이 박스를 나타낸 정면도,4 is a front view showing a spray box in the chemical mechanical polishing apparatus according to the present invention,

도 5는 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 다른 실시예에서 웨이퍼 정렬기를 나타낸 사시도이다.5 is a perspective view showing a wafer aligner in another embodiment of the chemical mechanical polishing apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

7; 반도체 웨이퍼 8; 웨이퍼 카세트7; Semiconductor wafer 8; Wafer cassette

10,50; 화학적 기계적 연마 장치 11,51; 로드 스테이션10,50; Chemical mechanical polishing apparatus 11,51; Load station

12,52; 제 1이송수단 14,54; 제 2이송수단12,52; First transport means 14,54; Second transport means

16,56,57,58,59; 연마 해드부 20,60; 스프레이 박스16,56,57,58,59; Abrasive head portion 20,60; Spray box

21,61; 탑재대 22,62; 감지 센서21,61; Mounting table 22,62; Detection sensor

23,63; 스프레이 노즐 24; 롤러 바23,63; Spray nozzle 24; Roller bar

31; 상부 해드 32; 하부 해드31; Upper head 32; Bottom head

33; 연마포 34; 슬러리33; Abrasive cloth 34; Slurry

40; 웨이퍼 정렬기 41,42; 탑재판40; Wafer aligner 41,42; Payload

43; 정렬핀43; Alignment pin

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장치는 평탄화 처리가 필요한 반도체 웨이퍼가 복수 개 수납된 카세트가 탑재되는 로드 스테이션, 반도체 웨이퍼가 수납되며 그 반도체 웨이퍼가 건조되지 않도록 건조 방지용의 용액을 분사하는 수단을 갖는 스프레이 박스, 반도체 웨이퍼의 표면을 슬러리를 공급받으며 기계적인 마찰에 의해 연마하는 연마 해드부, 로드 스테이션과 상기 스프레이 박스간에 상기 반도체 웨이퍼를 이송시키는 제 1이송수단, 및 스프레이 박스와 연마 해드부간에 반도체 웨이퍼를 이송시키는 제 2이송수단을 구비하는 화학적 기계적 연마 장치에 있어서, 반도체 웨이퍼가 제 1,2이송수단의 동작 위치에 정확하게 놓여지도록 정렬시키는 위치정렬수단을 더 갖는 것을 특징으로 한다.The chemical mechanical polishing apparatus according to the present invention for achieving the above object is a load station on which a cassette containing a plurality of semiconductor wafers needing planarization is mounted, a solution for preventing drying so that the semiconductor wafer is stored and the semiconductor wafer is not dried. A spray box having a means for spraying a surface, a polishing head portion for polishing the surface of the semiconductor wafer by a slurry and being subjected to mechanical friction, a first transfer means for transferring the semiconductor wafer between a load station and the spray box, and a spray box And a second transfer means for transferring the semiconductor wafer between the polishing head portions, wherein the chemical mechanical polishing apparatus further comprises alignment means for aligning the semiconductor wafer so as to be precisely positioned at an operating position of the first and second transfer means. It is done.

이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장치를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, a chemical mechanical polishing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 개략적인 구성도이고, 도 4는 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장치에서 스프레이 박스를 나타낸 정면도이다.Figure 3 is a schematic configuration diagram of a chemical mechanical polishing apparatus according to the present invention, Figure 4 is a front view showing a spray box in the chemical mechanical polishing apparatus according to the present invention.

도 3과 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장치(10)는 로드 스테이션(11)과 제 1이송수단(12), 스프레이 박스(20), 제 2이송수단(14), 복수의 연마 해드(16)를 갖는 연마 해드부를 구비하고 있다.3 and 4, the chemical mechanical polishing apparatus 10 according to the present invention includes a load station 11, a first transfer means 12, a spray box 20, a second transfer means 14, a plurality of The polishing head part which has the polishing head 16 of this is provided.

로드 스테이션(11)에는 평탄화 처리가 필요한 복수의 반도체 웨이퍼(7)나 평탄화 처리가 완료된 반도체 웨이퍼(7)를 수납하기 위한 웨이퍼 카세트(8)가 복수 개 탑재된다. 이 로드 스테이션(11)은 반도체 웨이퍼(7)의 수납 또는 이송을 위하여 수직운동을 하게 된다.The load station 11 is equipped with a plurality of wafer cassettes 8 for accommodating a plurality of semiconductor wafers 7 requiring planarization processing or a semiconductor wafer 7 for which planarization processing is completed. The load station 11 performs vertical movement for storing or transferring the semiconductor wafer 7.

스프레이 박스(20)는 반도체 웨이퍼(7)의 표면 처리 전과 후에 일시적으로 대기시키기 위한 것으로서, 반도체 웨이퍼(7)가 놓여질 수 있도록 서로 대향하는 탑재대(21)가 복수 개 수직으로 배치되어 있다. 탑재대(21)의 말단부에는 반도체 웨이퍼(7)의 수납 유무를 감지하는 감지 센서(23)가 설치되어 있고, 수직 방향으로 탑재대(21) 사이에는 초순수물을 물안개처럼 분사하는 스프레이 노즐(23)이 설치되어 있다. 그리고, 탑재대(21)의 앞쪽에는 반도체 웨이퍼(7)의 위치 정렬을 위하여 수직방향으로 길게 뻗은 롤러 바(24)가 설치되어 있다. 이 롤러 바(24)는 스프레이 박스(20)의 전방에서 좌우로 움직이도록 설치되어 있다.The spray box 20 is for temporarily waiting before and after surface treatment of the semiconductor wafer 7, and a plurality of mounting tables 21 facing each other are arranged vertically so that the semiconductor wafer 7 can be placed. A detection sensor 23 is installed at the distal end of the mount 21 to detect the presence or absence of the semiconductor wafer 7, and a spray nozzle 23 for spraying ultrapure water like a water fog between the mounts 21 in the vertical direction. ) Is installed. The front of the mounting table 21 is provided with a roller bar 24 extending in the vertical direction for the alignment of the semiconductor wafer 7. This roller bar 24 is provided so as to move left and right in front of the spray box 20.

연마 해드부는 반도체 웨이퍼(7)의 평탄화 처리를 하기 위한 것으로서, 복수의 연마 해드로 이루어지나 도면에는 하나의 연마 해드(16)만을 도시하였다. 연마 해드(16)는 반도체 웨이퍼(7)를 흡착하는 상부 해드(31)와 연마포(33)가 부착되는 하부 해드(32)를 갖고 있다.The polishing head portion is used to planarize the semiconductor wafer 7 and is made of a plurality of polishing heads, but only one polishing head 16 is shown in the drawing. The polishing head 16 has an upper head 31 which adsorbs the semiconductor wafer 7 and a lower head 32 to which the polishing cloth 33 is attached.

로드 스테이션(11)과 스프레이 박스(20) 사이에는 반도체 웨이퍼(7)를 흡착하여 웨이퍼 카세트(8)로부터 반도체 웨이퍼(7)를 꺼내거나 웨이퍼 카세트(8)에 수납시키는 제 1이송수단(12)이 설치되어 있다. 그리고, 스프레이 박스(20)와 연마 해드(16) 사이에는 스프레이 박스(20)로부터 연마 해드(16)로 또는 연마 해드(16)에서 스프레이 박스(20)로 반도체 웨이퍼(7)를 흡착하여 이송시키는 제 2이송수단(14)이 설치되어 있다.First transfer means 12 which adsorbs the semiconductor wafer 7 between the load station 11 and the spray box 20 to take out the semiconductor wafer 7 from the wafer cassette 8 or to receive it in the wafer cassette 8. Is installed. Then, between the spray box 20 and the polishing head 16, the semiconductor wafer 7 is adsorbed and transferred from the spray box 20 to the polishing head 16 or from the polishing head 16 to the spray box 20. The second transfer means 14 is provided.

동작을 설명하면, 먼저 평탄화 처리가 필요한 복수의 반도체 웨이퍼(7)가 수납된 웨이퍼 카세트(8)가 로드 스테이션(11)에 탑재된다. 로드 스테이션(11)은 제 1이송수단(12)의 동작 위치에 반도체 웨이퍼(7)가 위치할 수 있도록 웨이퍼 카세트(8)를 하강시킨다. 제 1이송수단(12)은 웨이퍼 카세트(8)에서 가장 아래에 위치한 반도체 웨이퍼(7)부터 흡착하여 차례로 스프레이 박스(20)의 탑재대(21)에 반도체 웨이퍼(7)의 가장자리 부분이 놓여지도록 하여 수납시킨다. 스프레이 박스(20)는 보통 5개가 수납될 수 있도록 하는 탑재대(21)의 수를 갖는다. 수납된 반도체 웨이퍼(7)가 스프레이 박스(20)의 탑재대(21)에 놓여지게 되면, 롤러 바(24)가 반도체 웨이퍼(7)의 전면에서 좌우로 움직이며 반도체 웨이퍼(7)의 위치를 정렬시킨다. 여기서, 반도체 웨이퍼(7)는 한쪽 가장자리 부분이 잘려나가 평탄면(9)이 형성된 플랫존 타입(plat zone type)의 것으로서 반도체 웨이퍼(7)의 평탄면(9)을 롤러 바(24)가 좌우로 움직이며 돌출되어 있는 부분을 밀어 원위치 시키게 된다. 롤러 바(24)가 수직으로 형성되어 있어 복수의 반도체 웨이퍼(7)를 한꺼번에 정렬시킬 수 있다.Referring to the operation, first, a wafer cassette 8 in which a plurality of semiconductor wafers 7 requiring planarization processing is accommodated is mounted in the load station 11. The load station 11 lowers the wafer cassette 8 so that the semiconductor wafer 7 can be positioned at the operating position of the first transfer means 12. The first transfer means 12 absorbs the semiconductor wafer 7 located at the bottom of the wafer cassette 8 so that the edge portion of the semiconductor wafer 7 is placed on the mounting table 21 of the spray box 20 in order. To receive it. The spray box 20 usually has a number of mounts 21 to accommodate five. When the accommodated semiconductor wafer 7 is placed on the mounting table 21 of the spray box 20, the roller bar 24 moves from side to side on the front surface of the semiconductor wafer 7 to position the semiconductor wafer 7. Align it. Here, the semiconductor wafer 7 is a flat zone type in which one edge portion thereof is cut off and the flat surface 9 is formed, and the roller bar 24 is left and right on the flat surface 9 of the semiconductor wafer 7. Move to the original position by pushing the protruding part. The roller bars 24 are formed vertically so that the plurality of semiconductor wafers 7 can be aligned at once.

위치 정렬이 완료된 반도체 웨이퍼(7)는 제 2이송수단(14)이 흡착하여 연마해드(16)로 이송하게 된다. 이송된 반도체 웨이퍼(7)를 자체 회전하는 상부 해드(16)가 흡착 고정한 상태에서 회전운동을 하고 있는 하부 해드(32)에 부착되어 있는 연마포(33)에 기계적 마찰을 일으켜 반도체 웨이퍼(7) 표면을 연마하게 된다. 이때, 연마포(33)의 상부에서 슬러리(34)가 공급된다. 반도체 웨이퍼(7)는 슬러리(34)와의 화학적 반응과 연마포(33)와의 기계적 마찰에 의해 표면이 평탄화 된다.The second wafer transfer means 14 is sucked by the second transfer means 14 and transferred to the polishing head 16. The semiconductor wafer 7 is caused by mechanical friction on the polishing cloth 33 attached to the lower head 32 which is rotating in the state in which the upper head 16 which rotates the transferred semiconductor wafer 7 is fixed by suction. The surface is polished. At this time, the slurry 34 is supplied from the top of the polishing cloth 33. The surface of the semiconductor wafer 7 is planarized by chemical reaction with the slurry 34 and mechanical friction with the polishing cloth 33.

연마가 완료된 반도체 웨이퍼(7)는 다시 제 2이송수단(14)에 의해 스프레이 박스(20)로 이송된다. 이송된 반도체 웨이퍼(7)는 스프레이 박스(20) 내에서 반도체 웨이퍼(7)의 표면에 묻어있는 슬러리(34)가 세정 전에 굳지 않도록 하기 위하여 초순수물을 스프레이 노즐(23)을 통하여 분사시킨다. 이에 의해 슬러리(34)가 굳어 세정이 되지 않는 경우의 발생을 방지하게 된다. 스프레이 박스(20)에 수납된 반도체 웨이퍼(7)는 감지 센서(22)에 의해 수납 유무가 감지된다. 이 스프레이 박스(20)에서 롤러 바(24)의 운동으로 한번 더 반도체 웨이퍼(7)에 대한 위치 정렬이 실시될 수도 있다.The polished semiconductor wafer 7 is transferred to the spray box 20 by the second transfer means 14 again. The transferred semiconductor wafer 7 sprays ultrapure water through the spray nozzle 23 so that the slurry 34 deposited on the surface of the semiconductor wafer 7 in the spray box 20 does not harden before cleaning. This prevents the occurrence of the slurry 34 that hardens and is not cleaned. The semiconductor wafer 7 accommodated in the spray box 20 is detected by the detection sensor 22. Positioning with respect to the semiconductor wafer 7 may be effected once more by the movement of the roller bar 24 in this spray box 20.

제 1이송수단(12)은 스프레이 박스(20)에 수납되어 있는 도면에 기재되어 있지는 않았지만 반도체 웨이퍼(7)를 세정을 위한 단위 장치로 이송하고 세정이 완료된 반도체 웨이퍼(7)를 빈 웨이퍼 카세트(8)에 수납시키게 된다.The first transfer means 12 transfers the semiconductor wafer 7 to the unit device for cleaning, although not described in the drawings housed in the spray box 20, and transfers the cleaned semiconductor wafer 7 to an empty wafer cassette ( 8).

이와 같은 화학적 기계적 연마 장치는 로드 스테이션과 스프레이 박스, 스프레이 박스와 연마 해드부간에 제 1,2이송수단의 상태불량이나 각 단위 장치의 동작 불량 및 외부 요인에 의한 반도체 웨이퍼의 위치 틀어짐을 바로잡아 주게 된다.Such a chemical mechanical polishing apparatus corrects the positional shift of the semiconductor wafer due to a malfunction of the first and second transfer means, malfunction of each unit, and external factors between the load station, the spray box, the spray box, and the polishing head portion. do.

본 발명은 스프레이 박스에 위치 정렬 수단으로서 롤러 바가 설치되어 있는 것을 설명하고 있으나 이에 제한되지 않고 본 발명의 기술적 중심 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형 실시가 가능하다. 예를 들어 반도체 웨이퍼의 위치 정렬 수단으로서 다음과 같은 웨이퍼 정렬기를 화학적 기계적 연마 장치에 별도로 설치할 수 있다.The present invention has been described that the roller bar is provided as a position alignment means in the spray box is not limited to this and various modifications are possible within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. For example, the following wafer aligner can be separately installed in the chemical mechanical polishing apparatus as the position alignment means of the semiconductor wafer.

도 5는 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 다른 실시예에서 웨이퍼 정렬기를 나타낸 사시도이다.5 is a perspective view showing a wafer aligner in another embodiment of the chemical mechanical polishing apparatus according to the present invention.

도 5를 참조하면, 이 웨이퍼 정렬기(40)는 서로 멀어지거나 가까워지도록 동작되는 소정의 거리로 이격되도록 두 개의 탑재판(41,42)이 설치되어 있다. 이 두 개의 탑재판(41,42)의 상부에는 각각 반도체 웨이퍼(7)의 곡률과 대응되도록 복수의 정렬 핀(43)이 형성되어 있다.Referring to FIG. 5, the wafer aligner 40 is provided with two mounting plates 41 and 42 so as to be spaced apart by a predetermined distance which is operated to move away from or close to each other. A plurality of alignment pins 43 are formed on the two mounting plates 41 and 42 so as to correspond to the curvature of the semiconductor wafer 7, respectively.

탑재판(41,42)이 서로 멀어진 상태에서 반도체 웨이퍼(7)가 탑재되면 각각의 탑재판(41,42)은 중앙을 향해 움직이게 되며 정렬 핀(43)에 의해 반도체 웨이퍼(7)가 정해진 위치에 정확하게 정렬될 때까지 동작된다. 이 웨이퍼 정렬기(40)는 화학적 기계적 연마 장치를 구성하는 각 단위 장치 사이에 설치될 수 있다.When the semiconductor wafer 7 is mounted while the mounting plates 41 and 42 are separated from each other, each of the mounting plates 41 and 42 moves toward the center and the position where the semiconductor wafer 7 is determined by the alignment pin 43. Until it is correctly aligned with. This wafer aligner 40 may be installed between each unit device constituting the chemical mechanical polishing apparatus.

이상과 같은 본 발명에 의한 화학적 기계적 연마 장치에 따르면, 설비 내에서 발생될 수 있는 반도체 웨이퍼의 위치 틀어짐을 교정하여 설비 손상이나 반도체 웨이퍼 손상의 발생을 방지하여 화학적 기계적 연마 작업이 원활하게 진행될 수 있는 있다. 특히, 반도체 웨이퍼의 위치 틀어짐이 많이 발생하는 스프레이 박스에 위치 정렬 수단을 설치하면 그 효과를 상승시킬 수 있다.According to the chemical mechanical polishing apparatus according to the present invention as described above, the chemical mechanical polishing operation can be performed smoothly by correcting the positional displacement of the semiconductor wafer that can be generated in the equipment to prevent the occurrence of equipment damage or semiconductor wafer damage have. In particular, when the position alignment means is provided in the spray box in which the positional shift of the semiconductor wafer occurs frequently, the effect can be enhanced.

Claims (5)

평탄화 처리가 필요한 반도체 웨이퍼가 복수 개 수납된 웨이퍼 카세트가 탑재되는 로드 스테이션;A load station on which a wafer cassette containing a plurality of semiconductor wafers requiring planarization is mounted; 상기 반도체 웨이퍼가 수납되며 그 반도체 웨이퍼가 건조되지 않도록 건조 방지용의 초순수물을 분사하는 수단을 갖는 스프레이 박스;A spray box having means for injecting ultrapure water for preventing drying so that the semiconductor wafer is accommodated and the semiconductor wafer is not dried; 상기 반도체 웨이퍼의 표면을 슬러리를 공급받으며 기계적인 마찰에 의해 연마하는 연마 해드부;Polishing head portion for polishing the surface of the semiconductor wafer by a mechanical friction while receiving a slurry; 상기 로드 스테이션과 상기 스프레이 박스간에 상기 반도체 웨이퍼를 이송시키는 제 1이송수단; 및First transfer means for transferring the semiconductor wafer between the load station and the spray box; And 상기 스프레이 박스와 상기 연마 해드부간에 상기 반도체 웨이퍼를 이송시키는 제 2이송수단;을 구비하는 화학적 기계적 연마 장치에 있어서,A chemical mechanical polishing apparatus comprising: a second transfer means for transferring the semiconductor wafer between the spray box and the polishing head portion, 상기 반도체 웨이퍼가 상기 제 1,2이송수단의 동작 위치에 정확하게 놓여지도록 정렬시키는 위치정렬수단을 더 갖는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.And an alignment means for aligning the semiconductor wafer so as to be accurately positioned at an operating position of the first and second transfer means. 제 1항에 있어서, 상기 위치정렬수단은 상기 스프레이 박스에 설치되어 수납된 상기 반도체 웨이퍼를 정렬하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.The chemical mechanical polishing apparatus according to claim 1, wherein the alignment means aligns the semiconductor wafer installed in the spray box. 제 2항에 있어서, 상기 스프레이 박스는 복수의 상기 반도체 웨이퍼가 수납될 수 있도록 서로 대향하는 슬롯이 복수 개 형성되어 있으며, 상기 위치정렬수단은 그에 수납된 복수의 상기 반도체 웨이퍼의 측면과 접촉하여 정렬시키는 롤러 바인 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.The method of claim 2, wherein the spray box is formed with a plurality of slots facing each other to accommodate the plurality of the semiconductor wafer, the alignment means is in contact with the side of the plurality of semiconductor wafers stored therein aligned Chemical mechanical polishing apparatus, characterized in that the roller bar. 제 3항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼는 가장자리 일부가 잘려나가 측면이 평탄면인 형태의 것이며, 상기 롤러 바는 그 평탄면과 접촉하여 정렬시키는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.4. The chemical mechanical polishing apparatus according to claim 3, wherein the semiconductor wafer has a shape in which a part of an edge thereof is cut off and a side surface thereof is flat, and the roller bars are aligned in contact with the flat surface. 제 1항에 있어서, 상기 위치정렬수단은 상기 반도체 웨이퍼의 측면과 접촉되도록 형성된 복수의 핀이 형성되어 있으며, 상기 핀의 안쪽에 상기 반도체 웨이퍼가 놓여지는 복수의 탑재판을 구비하며 각각의 상기 판이 중앙을 향하여 움직여 상기 반도체 웨이퍼의 위치 정렬을 하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.The semiconductor device of claim 1, wherein the alignment means includes a plurality of fins formed in contact with a side surface of the semiconductor wafer, and includes a plurality of mounting plates on which the semiconductor wafer is placed. And move toward the center to align the semiconductor wafer.
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