JPH11254306A - Polishing device - Google Patents

Polishing device

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Publication number
JPH11254306A
JPH11254306A JP5397198A JP5397198A JPH11254306A JP H11254306 A JPH11254306 A JP H11254306A JP 5397198 A JP5397198 A JP 5397198A JP 5397198 A JP5397198 A JP 5397198A JP H11254306 A JPH11254306 A JP H11254306A
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JP
Japan
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polishing
carrier
carriers
platen
semiconductor wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP5397198A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Tomaru
信一 外丸
Masahiro Sudo
雅弘 須藤
Makoto Kasahara
真 笠原
Susumu Shimada
進 島田
Junichi Nagai
淳一 永井
Shinji Ishii
紳司 石井
Manabu Yamada
学 山田
Kineo Kojima
甲子雄 小嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Tobacco Inc
Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd
Original Assignee
Japan Tobacco Inc
Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH11254306A publication Critical patent/JPH11254306A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve throughput by providing a first carrying body for simultaneously transferring a plurality of carriers held side by side onto a polishing surface plate and a second carrying body for simultaneously selecting the plurality of carriers located on the polishing surface plate from the same while holding the carriers side by side. SOLUTION: By utilizing the transfer period of carriers C by first to third carrying mechanisms 21, 22 and 23, especially using the second and third carrying mechanisms 22 and 23, a plurality of carriers C (semiconductor wafers W) are discharged en bloc from first and second polishing surface plates 11 and 12. By using this discharging timing, the respective polishing surfaces of the first and second polishing surface plates 11 and 12 are cleaned by using first and second cleaning mechanisms 31 and 32. Thus, throughput in an entire polishing process is improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、研磨定盤に対する
半導体ウェハの給送効率の向上を図り、研磨プロセスに
おける全体的な処理時間の短縮化を図った研磨装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus which improves the efficiency of feeding a semiconductor wafer to a polishing platen and shortens the overall processing time in the polishing process.

【0002】[0002]

【関連する背景技術】半導体ウェハの研磨装置、特にケ
ミカル・メカニカル・ポリシング装置(CMP装置)
は、通常、図8に示すように上面に研磨布1を貼付して
研磨面とした研磨定盤2と、シリコン等の半導体ウェハ
Wを保持して上記研磨面に押し付ける研磨ヘッド3と、
上記研磨面上に研磨液(スラリー)Sを供給する手段4
とを備えてなり、前記研磨定盤2を回転させると同時に
前記研磨ヘッド3を回転させることで前記半導体ウェハ
Wの表面を研磨する如く構成される。尚、図中5は研磨
処理後の前記研磨面を清掃するクリーニング・ブラシで
ある。
[Related Background Art] Polishing apparatus for semiconductor wafers, especially chemical mechanical polishing apparatus (CMP apparatus)
Usually, as shown in FIG. 8, a polishing surface plate 2 having a polishing surface attached to a polishing cloth 1 as a polishing surface, a polishing head 3 for holding a semiconductor wafer W such as silicon and pressing the same against the polishing surface,
Means 4 for supplying polishing liquid (slurry) S on the polishing surface
The surface of the semiconductor wafer W is polished by rotating the polishing platen 2 while rotating the polishing head 3 at the same time. In the figure, reference numeral 5 denotes a cleaning brush for cleaning the polished surface after the polishing process.

【0003】また最近では、例えば特開平6−6386
2号公報に開示されるように、複数の研磨定盤2を用い
て半導体ウェハWを1次研磨、2次研磨,…,と言うよ
うに段階的に研磨することで、研磨処理の効率化を図る
ことも種々試みられている。この場合、各研磨定盤2に
貼付される研磨布1の粗さと、その研磨面に供給する研
磨液Sの粒度を順に異ならせることで、各研磨定盤2に
おける研磨精度が段階的に調整される。
Recently, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 6-6386
As disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2 (1993) -1990, the polishing efficiency of the polishing process is improved by polishing the semiconductor wafer W stepwise as a first polishing, a second polishing,. Various attempts have been made to achieve this. In this case, the polishing accuracy of each polishing platen 2 is adjusted stepwise by sequentially varying the roughness of the polishing cloth 1 attached to each polishing platen 2 and the particle size of the polishing liquid S supplied to the polishing surface. Is done.

【0004】一方、前記研磨定盤2に対する半導体ウェ
ハWの給送(供給と取り出し)は、例えば半導体ウェハ
Wを担持するキャリアを用いて行われ、研磨ヘッド3は
上記キャリアを保持することで上記半導体ウェハWを前
記研磨定盤2による研磨処理に供する。ちなみにキャリ
アは、一般的にその下面に多孔質の吸着パッドを備え、
該吸着パッド面に半導体ウェハWを水(純水)で濡らし
て吸着保持する如く構成される。
On the other hand, the semiconductor wafer W is fed (supplied and taken out) to the polishing platen 2 by using, for example, a carrier for carrying the semiconductor wafer W, and the polishing head 3 holds the carrier to hold the semiconductor wafer W. The semiconductor wafer W is subjected to a polishing process by the polishing platen 2. By the way, the carrier generally has a porous suction pad on its lower surface,
The suction pad surface is configured to wet and hold the semiconductor wafer W with water (pure water).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところでこの種の研磨
装置においては、専ら、研磨定盤2に対して半導体ウェ
ハWを1枚ずつ供給して研磨処理するように構成されて
いる。しかしながら半導体ウェハWの給送(移送)には
比較的多くの時間を要し、その間、研磨定盤2をの停止
させておく必要があるので、研磨処理効率(スループッ
ト)を高める上での課題となっている。
Incidentally, this type of polishing apparatus is configured such that the semiconductor wafers W are supplied one by one to the polishing platen 2 to perform the polishing process. However, the feeding (transfer) of the semiconductor wafer W requires a relatively long time, and during that time, it is necessary to stop the polishing platen 2. Therefore, a problem in improving the polishing processing efficiency (throughput). It has become.

【0006】ちなみに前述した特開平6−63862号
公報に示される装置にあっては、センタローラとガイド
ローラとを利用して研磨定盤2の最奥部に1枚ずつ供給
された半導体ウェハ(キャリア)を該研磨定盤2上で順
次移動させ、その下流側から上記半導体ウェハ(キャリ
ア)を取り出すことで、該半導体ウェハ(キャリア)の
供給と取り出しとを並列的に行い、これによってスルー
プットの向上を図っている。しかしながら研磨定盤2に
センタローラやガイドローラを組み込む必要があるの
で、その構成が大掛かりなものとなる。
In the apparatus disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-63882, the semiconductor wafers (one by one) supplied to the innermost part of the polishing platen 2 using a center roller and a guide roller are used. Carriers) are sequentially moved on the polishing platen 2 and the semiconductor wafers (carriers) are taken out from the downstream side thereof, so that the semiconductor wafers (carriers) are supplied and taken out in parallel, thereby increasing the throughput. We are improving. However, since it is necessary to incorporate a center roller and a guide roller into the polishing platen 2, the configuration becomes large.

【0007】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たもので、その目的は、簡易にして効果的に研磨処理の
スループットを向上させることのできる実用性の高い研
磨装置を提供することにある。即ち、本発明は研磨定盤
に対する半導体ウェハの給送を効率的に行うことで、そ
のスループットの向上を図った研磨装置を提供すること
にある。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a highly practical polishing apparatus which can easily and effectively improve the throughput of polishing processing. is there. That is, an object of the present invention is to provide a polishing apparatus in which the throughput of a semiconductor wafer is improved by efficiently feeding a semiconductor wafer to a polishing platen.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
べく本発明に係る研磨装置は、回転可能に設けられてそ
の上面を研磨面とした研磨定盤と、この研磨定盤上に移
送された複数のキャリアをそれぞれ装着して回転させる
と共に、該キャリアの下面にそれぞれ保持された半導体
ウェハを前記研磨面に押し付ける複数の研磨ヘッドとを
備えたものであって、特に複数のキャリアを横並びに保
持して前記研磨定盤上に同時に移送する第1の搬送体
と、前記研磨定盤上の複数のキャリアを横並びに保持し
て前記研磨定盤上から同時に運び出す第2の搬送体とを
備えたことを特徴としている。
In order to achieve the above-mentioned object, a polishing apparatus according to the present invention is provided so as to be rotatable and has a polishing surface whose upper surface is a polishing surface, and is transferred onto the polishing surface plate. A plurality of carriers are mounted and rotated, respectively, and a plurality of polishing heads for pressing the semiconductor wafer held on the lower surface of the carrier against the polishing surface, and in particular, a plurality of carriers are arranged side by side. A first carrier that is held and transferred simultaneously to the polishing platen; and a second carrier that holds a plurality of carriers on the polishing platen side by side and simultaneously carries the carrier from the polishing platen. It is characterized by that.

【0009】即ち、本発明に係る研磨装置は、半導体ウ
ェハを保持したキャリアを研磨定盤に対して給送する搬
送体を、複数(例えば2つ)のキャリアを横並びに保持
して同時に研磨定盤上に供給し、また該研磨定盤上から
複数のキャリアを同時に取り出すように構成し、また研
磨定盤上に供給された複数のキャリアをそれぞれ装着し
て研磨処理に供する複数の研磨ヘッドを備えることで、
複数枚の半導体ウェハを並列的に処理するようにしたこ
とを特徴としている。
That is, in the polishing apparatus according to the present invention, a carrier for feeding a carrier holding a semiconductor wafer to a polishing platen is simultaneously polished and fixed while holding a plurality of (for example, two) carriers side by side. A plurality of polishing heads configured to be supplied on the plate and to simultaneously take out a plurality of carriers from the polishing platen, and to perform a polishing process by mounting the plurality of carriers supplied on the polishing platen respectively. By preparing,
It is characterized in that a plurality of semiconductor wafers are processed in parallel.

【0010】本発明の好ましい態様は、例えば請求項2
に記載するように、前記第1および第2の搬送体を、前
記研磨定盤の側部に回動軸を有して該研磨定盤の上面と
その側部の上記上面から外れた位置との間を回動自在に
設けられたアーム体として実現することを特徴としてい
る。更に請求項3に記載するように、前記研磨定盤をそ
の研磨精度を順に異ならせて横並びに複数設け、上流側
の研磨定盤上から複数のキャリアを同時に運び出す第2
の搬送体を、次段の研磨定盤に対して上記複数のキャリ
アを同時に移送する第1の搬送体として機能させること
を特徴としている。
A preferred embodiment of the present invention is, for example, claim 2
As described in the above, the first and second conveyors, the polishing platen has a rotation axis on the side, the upper surface of the polishing platen and a position off the upper surface of the side portion thereof The arm is provided so as to be rotatable between them. Further, as set forth in claim 3, a plurality of the polishing plates are provided side by side with different polishing accuracy in order, and a plurality of carriers are simultaneously carried out from the polishing plate on the upstream side.
Is made to function as a first carrier for simultaneously transferring the plurality of carriers to a polishing platen at the next stage.

【0011】また請求項4に記載するように前記キャリ
アを、その周面に前記第1および第2の搬送体とそれぞ
れ係合可能な係合部を全周に亘って設けた構造とし、前
記研磨ヘッドにおいては前記キャリアの上面を吸着する
と共に、上記係合部と機械的に係合して該キャリアをそ
の周面から把持する複数の係合片を備えることで、上記
係合部を利用して前記第1および第2の搬送体によるキ
ャリアの安定した移送と、研磨ヘッドによるキャリアの
安定・確実な装着を実現することを特徴としている。
According to a fourth aspect of the present invention, the carrier has a structure in which an engaging portion engageable with each of the first and second carriers is provided on the entire peripheral surface thereof. In the polishing head, the upper surface of the carrier is sucked, and the engaging portion is used by mechanically engaging with the engaging portion and having a plurality of engaging pieces for gripping the carrier from the peripheral surface. Thus, the carrier is stably transported by the first and second carriers, and the carrier is stably and reliably mounted by the polishing head.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態に係る研磨装置について説明する。図1は本発明
の一実施形態に係る研磨装置の全体的な概略構成を示す
もので、図1(a)はその平面レイアウト、また図1(b)
は各部の動きを模式的に示している。この研磨装置は、
所定の作業空間を形成するクリーンルーム10を含ん
で、或いはクリーンルーム10内に構築されるもので、
例えば研磨精度を異にした第1および第2の研磨定盤1
1,12を備えて実現されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A polishing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an overall schematic configuration of a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) is a plan layout thereof, and FIG.
Indicates schematically the movement of each part. This polishing device,
It includes a clean room 10 that forms a predetermined working space, or is built in the clean room 10,
For example, first and second polishing plates 1 having different polishing accuracy
1 and 12 are realized.

【0013】特にこの研磨装置が特徴とするところは、
上記各研磨定盤11,12に対して半導体ウェハWを、
具体的には後述するように半導体ウェハWを保持したキ
ャリアCを移送する搬送機構が、複数(この例では2
枚)のキャリアCを横方向に並べて保持して研磨定盤1
1,12上に同時に供給し、また研磨定盤11,12上か
ら同時に取り出す如く構成されている点にある。この搬
送機構については、後に詳述する。
Particularly, this polishing apparatus is characterized by:
A semiconductor wafer W is applied to each of the polishing platens 11 and 12,
Specifically, as described later, a plurality of transport mechanisms (in this example, two transport mechanisms) for transporting the carrier C holding the semiconductor wafer W are provided.
Polishing plates 1 by holding the carrier C
1 and 12 at the same time, and is taken out from the polishing plates 11 and 12 at the same time. This transport mechanism will be described later in detail.

【0014】ここでこの実施形態に係る研磨装置の全体
的な構成について説明すると、研磨処理に供される半導
体ウェハWは、例えば複数枚の半導体ウェハWを並べて
収納するストッカ13に収納されて供給される。第1の
ウェハ搬送機構14は、上記ストッカ13から半導体ウ
ェハWを順次1枚ずつ取り出して回転式のキャリア装着
台15上に供給するもので、例えば互いに直交する向き
に移動可能なリニアアクチュエータを備えたxyテーブ
ル14aと、このxyテーブル14aに支持されて該x
yテーブル14aの移動平面内において回動可能で、且
つ該移動平面に対して垂直に上下動自在に設けられたロ
ボットハンド14bとを具備している。このロボットハ
ンド14bは、例えば半導体ウェハWの縁部をその直径
方向に把持する如く構成される。
Here, the overall configuration of the polishing apparatus according to this embodiment will be described. The semiconductor wafer W to be subjected to polishing processing is supplied and stored in, for example, a stocker 13 that stores a plurality of semiconductor wafers W side by side. Is done. The first wafer transport mechanism 14 sequentially takes out the semiconductor wafers W one by one from the stocker 13 and supplies the semiconductor wafers W onto a rotary carrier mounting table 15. For example, the first wafer transport mechanism 14 includes linear actuators that can move in directions orthogonal to each other. Xy table 14a, and the x supported by the xy table 14a.
a robot hand 14b rotatable in the plane of movement of the y-table 14a and vertically movable with respect to the plane of movement. The robot hand 14b is configured to grip, for example, the edge of the semiconductor wafer W in the diameter direction.

【0015】このような第1のウェハ搬送機構14によ
り前記ストッカ13から引き出されて前記キャリア装着
台15上に搬送された半導体ウェハWは、キャリア装着
機構16の作動により、キャリアCの下面に装着され
る。ちなみにキャリアCは、例えば図2に示すように半
導体ウェハWよりも大径の円盤体からなり、その周面に
全周に亘る段差(所定深さの溝)を係合部Dを有すると
共に、その下面に多孔質の吸着パッドPを備えた構造を
有している。そしてキャリアCは上記吸着パッドP面を
水(純水)で濡らした状態で半導体ウェハWに押し付け
ることで、該半導体ウェハWを吸着保持するものとなっ
ている。
The semiconductor wafer W drawn out of the stocker 13 by the first wafer transfer mechanism 14 and transferred onto the carrier mounting table 15 is mounted on the lower surface of the carrier C by the operation of the carrier mounting mechanism 16. Is done. Incidentally, the carrier C is formed of a disk having a larger diameter than the semiconductor wafer W, for example, as shown in FIG. 2, and has a step (groove of a predetermined depth) over its entire circumference on its peripheral surface, and an engaging portion D. It has a structure provided with a porous suction pad P on its lower surface. The carrier C sucks and holds the semiconductor wafer W by pressing the surface of the suction pad P against the semiconductor wafer W with the surface wet with water (pure water).

【0016】しかしてキャリア装着機構16は、所定の
空間内を移動自在に設けられたxyzステージ16a上
にキャリア保持部16bを備えたもので、基本的にはキ
ャリア装着台15上に供給されたキャリアCを保持する
と共に、前記第1のウェハ搬送機構14を用いて該キャ
リア装着台15上に供給された半導体ウェハWを上記キ
ャリア保持部に16bに保持したキャリアCの下面に吸
着保持させる役割を担う。尚、上記キャリア装着機構1
6は、例えば図3に示すように半円弧状の湾曲凹部をキ
ャリア保持部16bとして備えたもので、キャリアCの
周面に対して上記キャリア保持部16bを横方向から進
入させて該キャリア保持部16bを前記係合部Dに係合
させ、この状態で若干上昇することでキャリアCを保持
する。
The carrier mounting mechanism 16 is provided with a carrier holding portion 16b on an xyz stage 16a movably provided in a predetermined space, and is basically supplied on the carrier mounting table 15. The role of holding the carrier C and holding the semiconductor wafer W supplied onto the carrier mounting table 15 by the first wafer transfer mechanism 14 on the lower surface of the carrier C held by the carrier holding unit 16b. Carry. The carrier mounting mechanism 1
Reference numeral 6 denotes a carrier holding portion 16b provided with a semicircular curved concave portion as a carrier holding portion 16b as shown in FIG. 3, for example. The portion 16b is engaged with the engaging portion D, and the carrier C is held by slightly rising in this state.

【0017】このようなキャリア保持部16bを備えた
キャリア装着機構16は、前記xyzステージ16aの
作動によりキャリアCを保持し、キャリア装着台15上
に供給された半導体ウェハW上で降下することにより、
該半導体ウェハWをキャリアCの下面に密着させて該半
導体ウェハWを吸着保持する。この状態でキャリア装着
台15上から上昇し、横方向に移動することでキャリア
Cと共に半導体ウェハWを移送する役割を果たす。
The carrier mounting mechanism 16 having such a carrier holding portion 16b holds the carrier C by the operation of the xyz stage 16a, and descends on the semiconductor wafer W supplied onto the carrier mounting table 15. ,
The semiconductor wafer W is brought into close contact with the lower surface of the carrier C to hold the semiconductor wafer W by suction. In this state, it rises from above the carrier mounting table 15 and moves in the lateral direction, thereby playing a role of transporting the semiconductor wafer W together with the carrier C.

【0018】さてキャリア装着台15と前記第1の研磨
定盤11との間には、前記キャリア装着機構16からキ
ャリアCを受け取って前記第1の研磨定盤11上に移送
する第1の搬送機構21が設けられている。この第1の
搬送機構21は、例えば図4(a)に示すように先端に複
数(2つ)のキャリアCを横並びに保持するキャリア保
持部21aを備えたT字状の回動アーム21bからな
り、前記キャリア装着台15の上方位置と前記第1の研
磨定盤11との間を回動自在に設けられている。前述し
たキャリア装着機構16は、キャリア装着台15の上方
に位置付けられた第1の搬送機構21に対して前述した
如く半導体ウェハWを吸着保持したキャリアCを順に受
け渡すことで、第1の搬送機構21の2つのキャリア保
持部21aにそれぞれキャリアCを装着する。
Now, between the carrier mounting table 15 and the first polishing platen 11, a first transfer for receiving the carrier C from the carrier mounting mechanism 16 and transferring the carrier C onto the first polishing platen 11 is performed. A mechanism 21 is provided. The first transport mechanism 21 is, for example, as shown in FIG. 4 (a), from a T-shaped rotating arm 21b provided with a carrier holding portion 21a for holding a plurality (two) of carriers C side by side. The first polishing platen 11 is rotatably provided between a position above the carrier mounting table 15 and the first polishing platen 11. The above-described carrier mounting mechanism 16 sequentially transfers the carriers C holding the semiconductor wafers W by suction to the first transport mechanism 21 positioned above the carrier mounting table 15 as described above, thereby performing the first transport. The carrier C is mounted on each of the two carrier holding portions 21a of the mechanism 21.

【0019】第1の搬送機構21はそのキャリア保持部
21aにキャリアCがそれぞれ装着された状態で回動駆
動されて前記第1の研磨定盤11の上方位置にキャリア
C(半導体ウェハW)を移送する。この移送は、回動ア
ーム21bの回動によってキャリア保持部21aに保持
されたキャリアC(半導体ウェハW)を第1の研磨定盤
11上に位置付け、その後、回動アーム21bを下降さ
せて上記半導体ウェハWを第1の研磨定盤11上に載置
する。この状態で前記回動アーム21bをその回動軸の
向きに後退させることで前記キャリア保持部21aを前
記キャリアCから取り外した後、前記回動アーム21b
を上昇させることによって行われる。この結果、第1の
研磨定盤11上に2枚の半導体ウェハWが残されること
になり、第1の研磨定盤11への2枚の半導体ウェハW
の同時供給が完了する。
The first transport mechanism 21 is driven to rotate while the carriers C are respectively mounted on the carrier holding portions 21a, and the carrier C (semiconductor wafer W) is moved to a position above the first polishing platen 11. Transfer. In this transfer, the carrier C (semiconductor wafer W) held by the carrier holding unit 21a by the rotation of the rotating arm 21b is positioned on the first polishing platen 11, and then the rotating arm 21b is lowered to move the carrier C (semiconductor wafer W). The semiconductor wafer W is placed on the first polishing platen 11. In this state, the carrier holding portion 21a is removed from the carrier C by retracting the pivot arm 21b in the direction of the pivot axis.
This is done by raising As a result, the two semiconductor wafers W are left on the first polishing platen 11, and the two semiconductor wafers W on the first polishing platen 11 are left.
Is completed.

【0020】このようにして第1の研磨定盤11上に複
数(2枚)の半導体ウェハWを供給した後には、前記第
1の搬送機構21は元の位置である前記キャリア装着台
15の上方位置に回動復帰する。しかる後、この状態で
前記第1の研磨定盤11に対向して設けられた研磨ヘッ
ドが下降して該第1の研磨定盤11上に供給されたキャ
リアCの保持が行われ、第1の研磨定盤11の回転駆動
による半導体ウェハWの研磨処理が実行される。またこ
の第1の研磨定盤11による半導体ウェハWの研磨処理
中に、前記キャリア装着台15の上方位置に回動復帰し
た第1の搬送機構21に対して半導体ウェハWを吸着し
た次のキャリアCの装着が行われる。
After the plurality of (two) semiconductor wafers W are supplied onto the first polishing platen 11 in this manner, the first transfer mechanism 21 moves to the original position of the carrier mounting table 15. It returns to the upper position. Thereafter, in this state, the polishing head provided opposite to the first polishing platen 11 is lowered to hold the carrier C supplied on the first polishing platen 11, and the first polishing platen is held. The polishing process of the semiconductor wafer W is performed by rotating the polishing table 11. Further, during the polishing process of the semiconductor wafer W by the first polishing platen 11, the next carrier that has adsorbed the semiconductor wafer W to the first transfer mechanism 21 that has been rotated and returned to the position above the carrier mounting table 15. C is mounted.

【0021】ちなみに研磨ヘッドは、この例では第1の
研磨定盤11の回転中心を挟んで、その直径方向に離間
して2個設けられている。そして各研磨ヘッドは、第1
の研磨定盤11上に供給された2つのキャリアCをそれ
ぞれその下面に装着し、回転しながらキャリアCに保持
された半導体ウェハWを第1の研磨定盤11の研磨面に
所定の圧力で押しつけるものとなっている。このような
回転ヘッドによる回転と前記第1の研磨定盤11の全体
的な回転とにより、研磨定盤11の研磨面に供給される
スラリーを用いた半導体ウェハWの研磨が実行される。
Incidentally, in this example, two polishing heads are provided at a distance from each other in the diameter direction with respect to the center of rotation of the first polishing platen 11 in this example. And each polishing head is the first
The two carriers C supplied on the polishing platen 11 are respectively mounted on the lower surfaces thereof, and the semiconductor wafer W held by the carrier C is rotated and polished on the polishing surface of the first polishing platen 11 with a predetermined pressure. It is something to impose. By the rotation of the rotating head and the overall rotation of the first polishing platen 11, the polishing of the semiconductor wafer W using the slurry supplied to the polishing surface of the polishing platen 11 is executed.

【0022】一方、前記第1の研磨定盤11と第2の研
磨定盤12との間には、第1の研磨定盤11にて研磨処
理が施された複数の半導体ウェハWを、該半導体ウェハ
Wを保持したキャリアCと共に受け取って該第1の研磨
定盤11上から同時に取り出し、これらのキャリアCを
第2の研磨定盤12上に同時に移送する第2の搬送機構
22が設けられている。即ち、この第2の搬送機構22
は、第1の研磨定盤11からキャリアCを搬出する搬送
機構として機能すると同時に、そのキャリアCを第2の
研磨定盤12に供給する搬送機構として機能する。
On the other hand, between the first polishing platen 11 and the second polishing platen 12, a plurality of semiconductor wafers W polished by the first polishing platen 11 are placed. A second transport mechanism 22 is provided for receiving the semiconductor wafer W together with the carrier C holding the same and simultaneously taking out the semiconductor wafer W from the first polishing platen 11 and simultaneously transferring the carriers C onto the second polishing platen 12. ing. That is, the second transport mechanism 22
Functions as a transport mechanism for unloading the carrier C from the first polishing platen 11 and also functions as a transport mechanism for supplying the carrier C to the second polishing platen 12.

【0023】ちなみに上記第2の搬送機構22は、例え
ば図4(b)に示すように先端に複数(2つ)のキャリア
Cを横並びに保持するキャリア保持部22aを備えたI
字状の回動アーム22bからなり、前記第1の研磨定盤
11と第2の研磨定盤12との間を回動自在に設けられ
ている。そしてこの第2の搬送機構22は、回動アーム
22bの回動により研磨定盤11,12上に載置されて
いる複数のキャリアCに対して横方向から進入し、また
後退してキャリア保持部22bによるキャリアCの脱着
を行う。そしてキャリア保持部22bをキャリアCに係
合させた状態で回動アーム22bを上昇させることでキ
ャリアCを保持し、この状態で回動することによりキャ
リアCを搬送する。
The second transport mechanism 22 is provided with a carrier holding portion 22a for holding a plurality (two) of carriers C side by side, as shown in FIG. 4B, for example.
The first polishing table 11 and the second polishing table 12 are rotatably provided between the first polishing table 11 and the second polishing table 12. The second transport mechanism 22 enters the plurality of carriers C placed on the polishing plates 11 and 12 from the lateral direction by rotation of the rotation arm 22b, and retreats to hold the carrier. The carrier C is detached by the part 22b. Then, the carrier C is held by raising the turning arm 22b in a state where the carrier holding portion 22b is engaged with the carrier C, and the carrier C is conveyed by turning in this state.

【0024】尚、この第2の搬送機構22は、前記第1
の研磨定盤11上から第2の研磨定盤12上への複数の
キャリアCの同時移送を完了した後には、上記第1およ
び第2の研磨定盤11,12間に位置付けられて、該第
1および第2の研磨定盤11,12における半導体ウェ
ハWの研磨処理をそれぞれ阻害することのないようにな
っている。
Incidentally, the second transport mechanism 22 is provided with the first
After the simultaneous transfer of the plurality of carriers C from the polishing platen 11 to the second polishing platen 12 is completed, the carrier C is positioned between the first and second polishing platens 11 and 12, and The first and second polishing plates 11 and 12 do not hinder the polishing of the semiconductor wafer W.

【0025】しかして前記第2の搬送機構22により第
1の研磨定盤11上から、半導体ウェハWを保持したキ
ャリアCが搬出される際、これに連動して該第1の研磨
定盤11の側部に設けられた第1のクリーニング機構3
1が駆動され、研磨処理後の第1の研磨定盤11の研磨
布が貼付された研磨面の清掃がなされる。この第1のク
リーニング機構31は、例えばその先端部にクリーニン
グ・ブラシ31aを備えた回動アーム31bからなり、
回転駆動される第1の研磨定盤11上に上記クリーニン
グ・ブラシ31aをその半径方向から進入させることで
その研磨面(研磨布)の全域を洗浄する如く構成され
る。
When the carrier C holding the semiconductor wafer W is unloaded from the first polishing platen 11 by the second transfer mechanism 22, the first polishing platen 11 is interlocked with this. Cleaning mechanism 3 provided on the side of
1 is driven, and the polished surface of the first polishing platen 11 to which the polishing cloth has been adhered after the polishing process is cleaned. The first cleaning mechanism 31 includes, for example, a rotating arm 31b provided with a cleaning brush 31a at the tip thereof.
The cleaning brush 31a is moved from the radial direction onto the first polishing platen 11 that is driven to rotate, thereby cleaning the entire polishing surface (polishing cloth).

【0026】さて前記第2の研磨定盤12は、前記第1
の研磨定盤11に対してその研磨精度が更に細かく設定
されている点を除いて該第1の研磨定盤11と同様に構
成されている。そして前記第2の搬送機構22により同
時に供給された複数(2つ)のキャリアCを研磨ヘッド
に装着し、これらのキャリアCにそれぞれ吸着保持され
た半導体ウェハWを更に研磨処理するものとなってい
る。尚、この第2の研磨定盤12による半導体ウェハW
の研磨処理は、前記第1の研磨定盤11による1次研磨
に対して仕上げ研磨となる。
Now, the second polishing platen 12
The polishing table 11 is configured in the same manner as the first polishing table 11 except that the polishing precision is set more finely. Then, a plurality of (two) carriers C supplied simultaneously by the second transport mechanism 22 are mounted on a polishing head, and the semiconductor wafer W sucked and held by each of the carriers C is further polished. I have. The semiconductor wafer W by the second polishing platen 12
Is a finish polishing with respect to the primary polishing by the first polishing platen 11.

【0027】このようにして複数の半導体ウェハWを仕
上げ研磨する第2の研磨定盤12の側部には、該第2の
研磨定盤12にて研磨処理が施された複数(2枚)の半
導体ウェハWを、そのキャリアCと共に同時に取り出す
第3の搬送機構23が設けられている。この第3の搬送
機構23は、前記第1の搬送機構21と同様に構成され
る。またこの第2の研磨定盤12の側部には、上記第3
の搬送機構23により該第2の研磨定盤12上のキャリ
アCが搬出され、この第2の研磨定盤12上に前記第2
の搬送機構22により次のキャリアCが供給されるまで
の間、該第2の研磨定盤12を清掃する為の第2のクリ
ーニング機構32が設けられている。この第2のクリー
ニング機構32は、先に説明した第1のクリーニング機
構31と同様に構成され、第3の搬送機構23により第
2の研磨定盤12上から半導体ウェハWが搬出された
後、該第2の研磨定盤12の研磨面の清掃に用いられ
る。
In this manner, a plurality (two) of the plurality of semiconductor wafers W that have been subjected to the polishing treatment by the second polishing table 12 are provided on the side portions of the second polishing table 12 for finish polishing the plurality of semiconductor wafers W. A third transfer mechanism 23 for simultaneously taking out the semiconductor wafer W together with the carrier C is provided. The third transport mechanism 23 is configured similarly to the first transport mechanism 21. Further, the third polishing platen 12 has a third portion on the side thereof.
The carrier C on the second polishing platen 12 is carried out by the transport mechanism 23 of FIG.
A second cleaning mechanism 32 for cleaning the second polishing platen 12 until the next carrier C is supplied by the transport mechanism 22 is provided. The second cleaning mechanism 32 is configured similarly to the first cleaning mechanism 31 described above, and after the semiconductor wafer W is unloaded from the second polishing platen 12 by the third transfer mechanism 23, It is used for cleaning the polished surface of the second polishing platen 12.

【0028】しかして第3の搬送機構23により保持さ
れて前記第2の研磨定盤12上から搬出された複数のキ
ャリアCは、前記キャリア装着機構16と同様に構成さ
れたキャリア離脱機構17により上記第3の搬送機構2
3から1枚ずつ取り出されて順次仮受け台18上に移送
される。前記キャリアCに保持されて前述した如く研磨
処理された半導体ウェハWは、上記仮受け台18上にて
キャリアCから取り外される。そして半導体ウェハWを
取り外したキャリアCは、該仮受け台18と前記キャリ
ア装着台15との間を回動自在に設けられたキャリア移
送機構19により保持されて前記キャリア装着台15上
に移送され、次の半導体ウェハWの保持に供される。
The plurality of carriers C held by the third transport mechanism 23 and carried out of the second polishing platen 12 are moved by the carrier detaching mechanism 17 configured similarly to the carrier mounting mechanism 16. Third transport mechanism 2
The sheets are taken out one by one from 3 and sequentially transferred onto a temporary receiving table 18. The semiconductor wafer W held by the carrier C and polished as described above is removed from the carrier C on the temporary holder 18. The carrier C from which the semiconductor wafer W has been removed is held by a carrier transfer mechanism 19 rotatably provided between the temporary receiving table 18 and the carrier mounting table 15 and transferred onto the carrier mounting table 15. Is used for holding the next semiconductor wafer W.

【0029】また仮受け台18上に残された半導体ウェ
ハWは、基本的には前記第1のウェハ搬送機構14と同
様に構成された第2のウェハ搬送機構20により保持さ
れて搬出用のストッカ13内に順次収納される。そして
研磨処理された半導体ウェハWは、ストッカ13に所定
枚数収納された状態で該ストッカ13と共に次工程へと
搬送される。
The semiconductor wafer W left on the temporary receiving table 18 is basically held by a second wafer transfer mechanism 20 constructed in the same manner as the first wafer transfer mechanism 14, and is carried out. It is sequentially stored in the stocker 13. The polished semiconductor wafers W are transported to the next step together with the stockers 13 in a state where a predetermined number of the semiconductor wafers W are stored in the stockers 13.

【0030】このようにこの実施形態に係る研磨装置
は、ストッカ13に収納されて供給された半導体ウェハ
Wを1枚ずつキャリアCに装着し、このキャリアCと共
に第1の搬送機構21に2枚ずつ保持して第1の研磨定
盤12に同時に搬送するものとなっている。そして第1
の研磨定盤11にて一括して研磨処理された2枚の半導
体ウェハWを、これを保持するキャリアCと共に第2の
搬送機構22により第1の研磨定盤11上から第2の研
磨定盤12へと移送し、第2の研磨定盤12にて一括し
て研磨処理された2枚の半導体ウェハWを、これを保持
するキャリアCと共に第3の搬送機構23にて上記第2
の研磨定盤12上から搬出し、これを1枚ずつストッカ
13に収納することで、一連の研磨処理を終了する。
As described above, in the polishing apparatus according to this embodiment, the semiconductor wafers W stored and supplied in the stocker 13 are mounted one by one on the carrier C, and two semiconductor wafers W are transferred to the first transport mechanism 21 together with the carrier C. Each of them is held and transported to the first polishing platen 12 at the same time. And the first
The two semiconductor wafers W, which have been polished collectively by the polishing platen 11, are transported together with the carrier C holding the semiconductor wafers W from the first polishing platen 11 by the second transport mechanism 22 to the second polishing platen. The two semiconductor wafers W transferred to the plate 12 and polished at once by the second polishing platen 12 are transferred by the third transfer mechanism 23 together with the carrier C holding the semiconductor wafers W to the second polishing plate 12.
Is carried out from the polishing platen 12 and stored one by one in the stocker 13, thereby completing a series of polishing processes.

【0031】尚、前記第1乃至第3の搬送機構21,2
2,23による複数のキャリアC(半導体ウェハW)の
第1および第2の研磨定盤11,12に対する同時移送
は互いに同期して行われる。具体的には第2の搬送機構
22による第1の研磨定盤11からの複数の半導体ウェ
ハW(キャリアC)の排出と、第3の搬送機構23によ
る第2の研磨定盤12からの複数の半導体ウェハW(キ
ャリアC)の排出とが同時に行われる。しかる後、第1
の搬送機構21による第1の研磨定盤11への複数の半
導体ウェハW(キャリアC)の供給と、第2の搬送機構
22により前記第1の研磨定盤11上から排出された複
数の半導体ウェハW(キャリアC)の第2の研磨定盤1
2への供給が同時に行われる。そして第1および第2の
研磨定盤11,12に対する半導体ウェハWの供給と搬
出は、各研磨定盤11,12における半導体ウェハWの
研磨処理時間を挟んで繰り返し実行される。
The first to third transport mechanisms 21 and 2
Simultaneous transfer of the plurality of carriers C (semiconductor wafer W) to the first and second polishing plates 11 and 12 by 2, 23 is performed in synchronization with each other. Specifically, the plurality of semiconductor wafers W (carriers C) are discharged from the first polishing platen 11 by the second transfer mechanism 22, and the plurality of semiconductor wafers W (carrier C) are discharged from the second polishing platen 12 by the third transfer mechanism 23. And discharge of the semiconductor wafer W (carrier C). After a while, the first
The plurality of semiconductor wafers W (carriers C) are supplied to the first polishing platen 11 by the transfer mechanism 21 and the plurality of semiconductors discharged from the first polishing platen 11 by the second transfer mechanism 22. Second polishing platen 1 for wafer W (carrier C)
2 are supplied simultaneously. The supply and unloading of the semiconductor wafer W to and from the first and second polishing plates 11 and 12 are repeatedly performed with the polishing processing time of the semiconductor wafer W on each of the polishing plates 11 and 12 interposed therebetween.

【0032】また第1の搬送機構21に対するキャリア
C(半導体ウェハW)の装着と、第3の搬送機構23か
らのキャリアC(半導体ウェハW)の取り出しは、前述
した第1および第2の研磨定盤11,12による半導体
ウェハWの研磨処理時間を利用して1枚ずつ行われる。
かくしてこのように構成された研磨装置によれば、第1
および第2の研磨定盤11,12による半導体ウェハW
の研磨処理時間を利用して第1の搬送装置21に複数
(2つ)のキャリアCを装着し、これらを同時に第1の
研磨定盤11上に搬送供給することができる。また第1
の研磨定盤11から第2の研磨定盤12に対する複数
(2枚)の半導体ウェハWの移送についても、複数(2
つ)のキャリアCを装着可能な第2の搬送機構22にて
同時に行い得る。そして第2の研磨定盤12からの複数
(2枚)の半導体ウェハWの取り出しを、複数(2つ)
のキャリアCを装着可能な第3の搬送機構23にて同時
に行うことができ、この第3の搬送機構23からのキャ
リアCの取り外しと、該キャリアCからの半導体ウェハ
Wの取り外しについても前記第1および第2の研磨定盤
11,12による半導体ウェハWの研磨処理時間を利用
して実行することができる。
The mounting of the carrier C (semiconductor wafer W) on the first transfer mechanism 21 and the removal of the carrier C (semiconductor wafer W) from the third transfer mechanism 23 are performed by the first and second polishing described above. The polishing is performed one by one using the polishing time of the semiconductor wafer W by the surface plates 11 and 12.
Thus, according to the polishing apparatus thus configured, the first
Wafer W by the second polishing plates 11 and 12
The plurality of (two) carriers C can be mounted on the first transfer device 21 by utilizing the polishing processing time, and these can be transferred and supplied onto the first polishing platen 11 at the same time. Also the first
The transfer of a plurality of (two) semiconductor wafers W from the polishing platen 11 to the second polishing platen 12
) Can be simultaneously performed by the second transport mechanism 22 to which the carrier C can be mounted. Then, a plurality of (two) semiconductor wafers W are taken out from the second polishing platen 12 (two).
Can be simultaneously performed by the third transfer mechanism 23 to which the carrier C can be mounted, and the removal of the carrier C from the third transfer mechanism 23 and the removal of the semiconductor wafer W from the carrier C The polishing can be performed using the polishing processing time of the semiconductor wafer W by the first and second polishing plates 11 and 12.

【0033】従って第1および第2の研磨定盤11,1
2に対する複数の半導体ウェハWの搬送を短時間に効率
的に行うことができ、全体的な研磨処理プロセスにおけ
るスループットの大幅な向上を図ることが可能となる。
特に複数枚(2枚)の半導体ウェハWを第1乃至第3の
搬送機構21,22,23により、それぞれ横並びに一括
保持して同時移送するので、その移送処理時間を半分以
下に短縮することができる。
Therefore, the first and second polishing plates 11, 1
The transfer of the plurality of semiconductor wafers W to the wafer 2 can be efficiently performed in a short time, and the throughput in the overall polishing process can be greatly improved.
Particularly, since a plurality of (two) semiconductor wafers W are simultaneously transferred while being held side by side and collectively by the first to third transfer mechanisms 21, 22, and 23, the transfer processing time can be reduced to half or less. Can be.

【0034】また第1乃至第3の搬送機構21,22,2
3によるキャリアCの移送期間を利用して、特に第2お
よび第3の搬送機構22,23を用いて第1および第2
の研磨定盤11,12上から複数のキャリアC(半導体
ウェハW)を一括して排出したタイミングを利用して第
1および第2のクリーニング機構31,32を用いて第
1および第2の研磨定盤11,12の各研磨面をそれぞ
れクリーニングすることができるので、この点でも全体
的な研磨処理プロセスにおけるスループットの向上を図
ることができる。
The first to third transport mechanisms 21, 22, 2
1 and the second and third transport mechanisms 22, 23, in particular, using the transfer period of the carrier C by
First and second polishing using the first and second cleaning mechanisms 31 and 32 utilizing the timing at which a plurality of carriers C (semiconductor wafers W) are discharged from the polishing platens 11 and 12 at once. Since the respective polished surfaces of the surface plates 11 and 12 can be cleaned, the throughput in the overall polishing process can be improved also in this regard.

【0035】尚、前記第1および第2の研磨定盤11,
12上において、第1および第2の搬送機構21,22
により搬送されたキャリアCを装着して、該キャリアC
に保持された半導体ウェハWを研磨処理に供する研磨ヘ
ッドは、例えば図5に示すように構成される。この研磨
ヘッドについて簡単に説明すると、該研磨ヘッドは回転
軸41の下端部に装着されて、その下面にキャリアCを
装着するチャック機構42を備えている。このチャック
機構42は、負圧を利用してキャリアCの上面を吸着保
持するサクション部43と、キャリアCの周面に設けら
れた溝状の係合部Dに係合する複数のL字状の係合片4
4と、キャリアCの脱着時に上記係合片44を押圧して
外側に偏倚する駆動機構としてのエアシリンダ45とを
備えている。尚、サクション部43は、キャリア保持プ
レート43aに複数の吸引口43bを備えたもので、該
吸引口43bを介して上記キャリア保持プレート43a
の下面とキャリアCの上面との間を真空吸引すること
で、該キャリア保持プレート43aの下面にキャリアC
を吸着する如く機能する。
The first and second polishing plates 11,
12, the first and second transport mechanisms 21 and 22
The carrier C transported by the
The polishing head for subjecting the semiconductor wafer W held in the polishing head to a polishing process is configured, for example, as shown in FIG. The polishing head will be briefly described. The polishing head is mounted on the lower end of the rotating shaft 41 and has a chuck mechanism 42 for mounting the carrier C on the lower surface thereof. The chuck mechanism 42 includes a suction portion 43 that suction-holds the upper surface of the carrier C using a negative pressure, and a plurality of L-shaped engagement portions that engage with groove-shaped engagement portions D provided on the peripheral surface of the carrier C. Engagement piece 4
4 and an air cylinder 45 as a drive mechanism that presses the engaging piece 44 to be deflected outward when the carrier C is attached or detached. The suction part 43 is provided with a plurality of suction ports 43b in the carrier holding plate 43a, and the carrier holding plate 43a is provided through the suction ports 43b.
Is vacuum-evacuated between the lower surface of the carrier C and the upper surface of the carrier C so that the carrier C
It functions so as to adsorb.

【0036】このような構造を有する研磨ヘッドは、前
記エアシリンダ45を駆動して係合片44の上端を押圧
し、該係合片44の下端(キャリアCとの係合部)を外
側に偏倚させた状態で、研磨定盤11(12)の研磨面
に向けて下降される。そして研磨定盤上に供給されてい
るキャリアCの上面に前記キャリア保持プレート43a
を当接させ、この状態で前記エアシリンダ45の駆動を
停止させると共に、前記吸引口43bを介してキャリア
Cの上面を吸引する。すると前記L字状の係合片44
が、エアシリンダ45による外側への偏倚が解除されて
元の位置に弾性復帰し、前記キャリアCの周面に設けら
れた係合部Dに係合する。同時にサクション部42によ
りキャリアCの上面が吸着され、半導体ウェハWを下面
に保持したキャリアCが研磨ヘッドに強固に、且つ安定
に装着される。そしてこの状態で回転軸41が回転駆動
されてキャリアC、ひいては該キャリアCに保持された
半導体ウェハWが回転されて研磨定盤11(12)の研
磨面に押し付けられる。
In the polishing head having such a structure, the air cylinder 45 is driven to press the upper end of the engagement piece 44, and the lower end of the engagement piece 44 (the engagement portion with the carrier C) is moved outward. In the deflected state, it is lowered toward the polishing surface of the polishing platen 11 (12). Then, the carrier holding plate 43a is provided on the upper surface of the carrier C supplied on the polishing platen.
The driving of the air cylinder 45 is stopped in this state, and the upper surface of the carrier C is sucked through the suction port 43b. Then, the L-shaped engagement piece 44
However, the outward bias by the air cylinder 45 is released, and the air cylinder 45 is elastically returned to the original position, and is engaged with the engaging portion D provided on the peripheral surface of the carrier C. At the same time, the upper surface of the carrier C is sucked by the suction part 42, and the carrier C holding the semiconductor wafer W on the lower surface is firmly and stably mounted on the polishing head. In this state, the rotating shaft 41 is driven to rotate, and the carrier C, and eventually the semiconductor wafer W held by the carrier C, is rotated and pressed against the polishing surface of the polishing platen 11 (12).

【0037】尚、研磨ヘッドからのキャリアCの取り外
しは、上記回転軸41の回転を停止させると共に研磨面
への押圧力を解除した状態で前記サクション部42に対
する負圧の印加を停止させ、更に前記エアシリンダ45
を駆動して前記係合片44を外側に偏倚させ、この状態
で研磨ヘッドを研磨定盤11(12)の上面から上昇さ
せることで行われる。すると研磨ヘッドは、研磨定盤1
1(12)上にキャリアCを残したまま上昇し、キァリ
アCの取り外しが完了する。
When the carrier C is removed from the polishing head, the rotation of the rotary shaft 41 is stopped and the application of the negative pressure to the suction portion 42 is stopped in a state where the pressing force on the polishing surface is released. The air cylinder 45
Is driven to bias the engaging piece 44 outward, and in this state, the polishing head is raised from the upper surface of the polishing platen 11 (12). Then, the polishing head becomes the polishing platen 1
1 (12), the carrier C is lifted up with the carrier C remaining, and the removal of the carrier C is completed.

【0038】かくしてこのような構造の研磨ヘッドによ
れば、サクション部42にてキャリアCの上面を吸着保
持すると共に、キャリアCの搬送に用いる係合部Dを有
効に活用して該係合部Dに係合片44を係合させてキャ
リアCを機械的に保持するので、キャリアCを簡易にし
て強固に、しかも安定に装着し、これを保持することが
できる。またサクション部42とエアシリンダ45に対
する空気制御だけで、簡単にキャリアCの着脱を制御し
得ると言う利点がある。
Thus, according to the polishing head having such a structure, the upper surface of the carrier C is sucked and held by the suction portion 42, and the engaging portion D used for transporting the carrier C is effectively utilized. Since the carrier C is mechanically held by engaging the engagement piece 44 with D, the carrier C can be simply, firmly and stably mounted, and held. Further, there is an advantage that the attachment / detachment of the carrier C can be easily controlled only by the air control for the suction portion 42 and the air cylinder 45.

【0039】尚、本発明は上述した実施形態に限定され
るものではない。例えば図6(a)〜(c)にそれぞれ更に
多くの研磨定盤を備えた研磨装置にも同様に適用するこ
とができる。即ち、図6(a)は3定盤タイプの構成例、
図6(b)は4定盤タイプの構成例、更に図6(c)は6定
盤タイプの構成例をそれぞれ示しているが、これらの各
例に示されるように個々の研磨定盤に対するキャリアの
搬送機構を、それぞれ複数枚のキャリアCを同時に搬送
するように構成すれば良い。この場合、各研磨定盤の位
置関係に応じて、その搬送機構を回動アーム式、或いは
xyテーブル方式のものとして実現するようにすれば良
い。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the present invention can be similarly applied to a polishing apparatus provided with more polishing plates in FIGS. 6A to 6C. That is, FIG. 6A is a configuration example of a three-plate type,
FIG. 6B shows a configuration example of a 4-plate type, and FIG. 6C shows a configuration example of a 6-plate type, respectively. The carrier transport mechanism may be configured to transport a plurality of carriers C simultaneously. In this case, the transport mechanism may be realized as a rotary arm type or an xy table type according to the positional relationship between the respective polishing plates.

【0040】またここでは1つの研磨定盤において、2
枚の半導体ウェハWを同時に研磨処理するようにした
が、研磨対象とする半導体ウェハWの径と研磨定盤の径
とに応じて、3枚以上の半導体ウェハWを一括して研磨
処理するように構成することもできる。この場合、キャ
リアCの搬送機構についても研磨定盤において一括研磨
される半導体ウェハWの枚数に応じた数のキャリアCを
同時に搬送するように構成すれば良い。但し、この場合
には、例えば搬送機構においても前述した研磨ヘッドに
見られるように、キャリアCの周面に設けた係合部Dに
係合する係合片を備えてキャリアCを保持するような構
成とすることが望ましい。
In this case, in one polishing platen, 2
Although the plurality of semiconductor wafers W are polished at the same time, three or more semiconductor wafers W are collectively polished in accordance with the diameter of the semiconductor wafer W to be polished and the diameter of the polishing platen. Can also be configured. In this case, the carrier C transport mechanism may be configured to simultaneously transport a number of carriers C corresponding to the number of semiconductor wafers W to be polished collectively on the polishing platen. However, in this case, the carrier C is provided with an engagement piece that engages with an engagement portion D provided on the peripheral surface of the carrier C, for example, as seen in the above-described polishing head also in the transport mechanism. It is desirable to have a simple configuration.

【0041】またキャリアCと搬送機構との係合構造に
ついては、例えば図7(a)に示すようにキャリアCの周
面に設ける係合部Dを、その下面側を小径とした段差部
としても良く、また図7(b)に示すように環状突起とし
て実現しても良い。更には図7(c)に示すような上記係
合部Dを断面円弧状の突出部、或いは図7(d)に示すよ
うに断面三角形状の突出部として実現することも可能で
ある。また図7(e)に示すように搬送機構側に磁石Mを
埋め込み、この磁石MをキャリアCの周面に吸着させて
該キャリアCを保持するような構成とすることも可能で
ある。その他、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種
々変形して実施することができる。
As for the engagement structure between the carrier C and the transport mechanism, for example, as shown in FIG. 7 (a), the engagement portion D provided on the peripheral surface of the carrier C is formed as a step portion having a small diameter on the lower surface side. Alternatively, it may be realized as an annular projection as shown in FIG. Further, it is also possible to realize the engaging portion D as shown in FIG. 7C as a projecting portion having an arcuate cross section or as shown in FIG. 7D. Further, as shown in FIG. 7E, it is also possible to embed the magnet M on the side of the transport mechanism and to attract the magnet M to the peripheral surface of the carrier C to hold the carrier C. In addition, the present invention can be variously modified and implemented without departing from the gist thereof.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体ウェハを保持したキャリアを研磨定盤に対して搬送
する搬送機構が、複数のキャリアを横並びに保持し、こ
れらのキャリアを一括して搬送する如く構成されている
ので、研磨定盤に対する半導体ウェハの搬送に要する時
間を大幅に短縮化することができる。特に複数の研磨定
盤間での半導体ウェハの移送効率を高めることができる
ので、研磨プロセスにおけるスループットを大幅に向上
させることができ、しかもその搬送機構の構成も比較的
簡単である等の実用上多大なる効果が奏せられる。
As described above, according to the present invention, the transport mechanism for transporting the carrier holding the semiconductor wafer to the polishing platen holds a plurality of carriers side by side, and collectively holds these carriers. The transfer time of the semiconductor wafer to the polishing platen can be greatly reduced. In particular, since the transfer efficiency of the semiconductor wafer between a plurality of polishing plates can be increased, the throughput in the polishing process can be greatly improved, and the configuration of the transfer mechanism is relatively simple. A great effect can be achieved.

【0043】また研磨定盤に対して搬送機構が複数のキ
ャリアを同時に移送するので、研磨定盤の停止期間を短
くして研磨定盤による処理効率を高めることができ、ま
た研磨定盤からのキャリア(半導体ウェハ)の排出期間
を利用してその研磨面を効率的に清掃することができる
等の効果が奏せられる。更には入口部において搬送機構
に対してキャリアを1枚ずつ装着するに際しても、或い
は出口部において搬送機構からキャリアを1枚ずつ取り
出すに際しても、研磨定盤による複数の半導体ウェハの
研磨処理期間を利用して行い得るので、その処理時間が
スループットに悪影響を及ぼすことがない等の効果が奏
せられる。
Further, since the transport mechanism simultaneously transfers a plurality of carriers to the polishing platen, the stopping period of the polishing platen can be shortened to improve the processing efficiency of the polishing platen, and the processing from the polishing platen can be improved. The effect that the polished surface can be efficiently cleaned using the discharge period of the carrier (semiconductor wafer) can be obtained. Further, the polishing process of a plurality of semiconductor wafers by the polishing platen is used when loading carriers one by one into the transport mechanism at the entrance or removing carriers one by one from the transport mechanism at the exit. Therefore, the processing time does not adversely affect the throughput.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る研磨装置の全体的な
平面レイアウト構成と各部の動きを模式的に示す図。
FIG. 1 is a diagram schematically showing an overall planar layout configuration of a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention and the movement of each section.

【図2】キャリアの概略構成を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a carrier.

【図3】キャリアとキャリア装着機構との関係を示す
図。
FIG. 3 is a diagram illustrating a relationship between a carrier and a carrier mounting mechanism.

【図4】搬送機構の構成例を示す図。FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration example of a transport mechanism.

【図5】研磨ヘッドの構成例を示す図。FIG. 5 is a diagram showing a configuration example of a polishing head.

【図6】本発明に係る研磨装置の別の構成例を示す図。FIG. 6 is a diagram showing another configuration example of the polishing apparatus according to the present invention.

【図7】キャリアとその搬送機構との変形例を示す図。FIG. 7 is a diagram showing a modified example of a carrier and its transport mechanism.

【図8】研磨装置の基本的な構成を示す図。FIG. 8 is a diagram showing a basic configuration of a polishing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 第1の研磨定盤 12 第2の研磨定盤 21 第1の搬送機構 21a キャリア保持部 21b 回動アーム 22 第2の搬送機構 22a キャリア保持部 22b 回動アーム 23 第3の搬送機構 23a キャリア保持部 23b 回動アーム 31 第1のクリーニング機構 32 第2のクリーニング機構 41 研磨ヘッド W 半導体ウェハ C キャリア D 係合部 11 First Polishing Surface Plate 12 Second Polishing Surface Plate 21 First Transport Mechanism 21a Carrier Holder 21b Rotating Arm 22 Second Transport Mechanism 22a Carrier Holder 22b Rotary Arm 23 Third Transport Mechanism 23a Carrier Holding part 23b Rotating arm 31 First cleaning mechanism 32 Second cleaning mechanism 41 Polishing head W Semiconductor wafer C Carrier D Engaging part

フロントページの続き (72)発明者 須藤 雅弘 群馬県群馬郡群馬町保渡田217番地1 三 益半導体工業株式会社エンジニアリング事 業部内 (72)発明者 笠原 真 東京都北区堀船2丁目20番46号 日本たば こ産業株式会社機械事業部内 (72)発明者 島田 進 東京都北区堀船2丁目20番46号 日本たば こ産業株式会社機械事業部内 (72)発明者 永井 淳一 東京都北区堀船2丁目20番46号 日本たば こ産業株式会社機械事業部内 (72)発明者 石井 紳司 東京都北区堀船2丁目20番46号 日本たば こ産業株式会社機械事業部内 (72)発明者 山田 学 東京都北区堀船2丁目20番46号 日本たば こ産業株式会社機械事業部内 (72)発明者 小嶋 甲子雄 東京都北区堀船2丁目20番46号 日本たば こ産業株式会社機械事業部内Continued on the front page (72) Inventor Masahiro Sudo 217-1, Hotawada, Gunma-cho, Gunma-gun, Gunma Prefecture Inside the Engineering Division, Mimasumi Semiconductor Industry Co., Ltd. Japan Tobacco Inc. Machinery Division (72) Inventor Susumu Shimada 2-20-46 Horifune, Kita-ku, Tokyo Japan Tobacco Inc. Machinery Division (72) Inventor Junichi Nagai Horifune, Kita-ku, Tokyo 2-20-46 Japan Tobacco Inc. Machinery Division (72) Inventor Shinji Ishii 2-20-46 Horifuna, Kita-ku, Tokyo Japan Tobacco Inc. Machinery Division (72) Inventor Manabu Yamada 2-20-46 Horifuna, Kita-ku, Tokyo Japan Tobacco Inc. Machinery Division (72) Inventor Koshio Kojima 2-20-46 Horifuna, Kita-ku, Tokyo Japan Tobacco Inc. Machinery Business Inside

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回転可能に設けられてその上面を研磨面
とした研磨定盤と、 下面に半導体ウェハを保持する複数のキャリアを横並び
に保持して前記研磨定盤上に同時に移送する第1の搬送
体と、 前記研磨定盤上に移送された複数のキャリアをそれぞれ
装着して回転させると共に、該キャリアに保持された前
記半導体ウェハを前記研磨面に押し付ける複数の研磨ヘ
ッドと、 これらの研磨ヘッドによる装着が解除された複数のキャ
リアを横並びに保持して前記研磨定盤上から同時に運び
出す第2の搬送体とを具備したことを特徴とする研磨装
置。
1. A polishing table provided rotatably and having an upper surface as a polishing surface, and a plurality of carriers holding a semiconductor wafer on a lower surface side by side and simultaneously transferred onto the polishing table. And a plurality of polishing heads for mounting and rotating a plurality of carriers transferred onto the polishing platen, and pressing the semiconductor wafer held by the carriers against the polishing surface, respectively. A polishing apparatus, comprising: a second carrier that holds a plurality of carriers that have been unmounted by the head side by side and simultaneously carries the carriers from the polishing platen.
【請求項2】 前記第1および第2の搬送体は、前記研
磨定盤の側部に回動軸を有し、該研磨定盤の上面とその
側部の上記上面から外れた位置との間を回動自在に設け
られたアーム体からなることを特徴とする請求項1に記
載の研磨装置。
2. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the first and second carriers have a rotating shaft on a side of the polishing platen, and move between an upper surface of the polishing platen and a position off the upper surface of the side portion. The polishing apparatus according to claim 1, comprising an arm body rotatably provided between the two.
【請求項3】 前記研磨定盤は、研磨精度を順に異なら
せて横並びに複数設けられるものであって、 上流側の研磨定盤上から複数のキャリアを同時に運び出
す第2の搬送体は、次段の研磨定盤に対して上記複数の
キャリアを同時に移送する第1の搬送体として機能する
ことを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
3. The polishing table is provided with a plurality of polishing plates side by side with different polishing precisions in order. The second carrier that simultaneously carries a plurality of carriers from the polishing table on the upstream side includes: 2. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the polishing apparatus functions as a first transporter that simultaneously transports the plurality of carriers to a polishing platen of a step. 3.
【請求項4】 前記キャリアは、その周面に前記第1お
よび第2の搬送体とそれぞれ係合可能な係合部を全周に
亘って設けたものであって、 前記研磨ヘッドは、前記キャリアの上面を吸着すると共
に、上記係合部と機械的に係合して該キャリアをその周
面から把持する複数の係合片を備えていることを特徴と
する請求項1に記載の研磨装置。
4. The carrier is provided with an engaging portion which is engageable with each of the first and second carriers over the entire circumference on a peripheral surface thereof. 2. The polishing device according to claim 1, further comprising a plurality of engaging pieces for sucking an upper surface of the carrier and mechanically engaging with the engaging portion to grip the carrier from a peripheral surface thereof. apparatus.
【請求項5】 前記第1および第2の搬送体は、複数の
キャリアに対して横方向から接離して該キャリアと係合
・離脱することを特徴とする請求項1に記載の研磨装
置。
5. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the first and second carriers are engaged with and disengaged from a plurality of carriers in a lateral direction.
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