KR20000042667A - Method for removing mold flash of semiconductor package - Google Patents

Method for removing mold flash of semiconductor package Download PDF

Info

Publication number
KR20000042667A
KR20000042667A KR1019980058918A KR19980058918A KR20000042667A KR 20000042667 A KR20000042667 A KR 20000042667A KR 1019980058918 A KR1019980058918 A KR 1019980058918A KR 19980058918 A KR19980058918 A KR 19980058918A KR 20000042667 A KR20000042667 A KR 20000042667A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mold flash
ball
mold
ball land
molding process
Prior art date
Application number
KR1019980058918A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
윤승욱
문종태
박창준
최윤화
홍성학
Original Assignee
김영환
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR1019980058918A priority Critical patent/KR20000042667A/en
Publication of KR20000042667A publication Critical patent/KR20000042667A/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE: In a molding process of a semiconductor package, a method for easily removing a mold flash produced on ball lands without damaging the package is provided. CONSTITUTION: In a molding process, a molding material(30) is infiltrated into interface between ball lands(10) and a lower mold die, and thereby an undesirable mold flash(31) is produced on the ball lands(10). To easily and effectively remove the mold flash(31), a covering layer(20) is in advance formed on each ball land(10). Preferably, a material such as epoxy easily dissolvable in chemical solution is employed as the covering layer(20). When the molding process is performed with presence of the covering layer(20), the mold flash(31) is formed on the covering layer(20) not the ball land(10). Therefore, as the covering layer(20) is dissolved in chemical solution, the mold flash(31) comes off the ball land(10). The mold flash(31) is easily removed by subsequent polishing or water-injection process.

Description

반도체 패키지의 몰드 플래시 제거 방법How to remove mold flash in semiconductor package

본 발명은 반도체 패키지의 몰드 플래시(mold flash) 제거 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 패키지 몰딩 공정에서 솔더 볼이 마운트되는 볼 랜드로 스며들어간 몰드 플래시를 제거하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of removing a mold flash of a semiconductor package, and more particularly, to a method of removing a mold flash penetrating into a ball land on which solder balls are mounted in a package molding process.

반도체 기억 소자중 디램(DRAM)의 경우, 여러가지 형태의 플라스틱 패키지로 제작을 하고 있다. 패키지의 한 예로서, 가장 범용으로 사용되고 있는 에스오제이(SOJ:Small Outline J-lead) 타입이 있고, 특수한 경우에 사용하는 지프(ZIP: Zigzag Inline Package) 타입이 있으며, 또 규격화되고 있는 메모리 카드(memory card)에 적합하도록 구성된 티에스오피(TSOP: Thin Small Outline Package) 타입 등이 있다.Among the semiconductor memory devices, DRAMs are manufactured in various types of plastic packages. An example of a package is a small outline J-lead (SOJ) type that is most commonly used, and a Zigzag Inline Package (ZIP) type that is used in a special case. There is a Thin Small Outline Package (TSOP) type that is configured to be suitable for a memory card.

이러한 패키지 제조 방법을 개략적으로 설명하면 다음과 같다.The manufacturing method of such a package is briefly described as follows.

먼저, 웨이퍼를 스크라이빙 라인을 따라 절단하는 소잉(sawing) 공정을 진행하여 개개의 반도체 칩으로 분리한 다음, 리드 프레임의 인너 리드를 각 반도체 칩에 부착하는 다이 어태치 공정을 진행한다.First, a sawing process of cutting a wafer along a scribing line is performed to separate the semiconductor chips into individual semiconductor chips, and then a die attach process of attaching the inner lead of the lead frame to each semiconductor chip is performed.

이후 일정온도에서 일정시간 동안 큐어링(curing)을 실시한 후, 반도체 칩의 패드와 리드 프레임의 인너 리드를 금속 와이어로 상호 연결시켜 전기적으로 연결시키는 와이어 본딩 공정을 수행한다.After curing for a predetermined time at a predetermined temperature, a wire bonding process for electrically connecting the pad of the semiconductor chip and the inner lead of the lead frame with a metal wire is electrically connected.

와이어 본딩이 끝나면, 봉지제를 사용하여 반도체 칩을 몰딩하는 몰딩 공정을 수행한다. 이와 같이 반도체 칩을 몰딩해야만, 외부의 열적, 기계적 충격으로 부터 반도체 칩을 보호할 수가 있는 것이다.After the wire bonding is finished, a molding process of molding a semiconductor chip using an encapsulant is performed. Only by molding the semiconductor chip in this way, can the semiconductor chip be protected from external thermal and mechanical shocks.

상기와 같은 몰딩 공정이 완료된 후에는 아우터 리드을 도금하는 플래팅 공정, 아우터 리드를 지지하고 있는 댐바를 절단하는 트림 공정, 및 기판에 실장이 용이하도록 아우터 리드를 소정 형태로 절곡 형성하는 포밍 공정을 진행하여, 패키지를 제조한다.After the molding process is completed, a plating process for plating the outer lead, a trimming process for cutting the dam bar supporting the outer lead, and a forming process for bending the outer lead into a predetermined shape to facilitate mounting on the substrate are performed. To prepare the package.

이러한 공정으로 제작되는 일반적인 패키지에 대해, 패키지의 경박화를 위해 제시된 볼 그리드 어레이 패키지는 기판에 실장하기 위해서 수 개의 솔더 볼이 어레이식으로 배열된 구조로 이루어지고, 도 1에 일반적인 볼 그리드 어레이 패키지가 도시되어 있다.For a typical package manufactured by such a process, the ball grid array package proposed for thinning the package has a structure in which several solder balls are arranged in an array form for mounting on a substrate, and the ball grid array package shown in FIG. Is shown.

도시된 바와 같이, 반도체 칩(1)의 밑면에 리드 프레임(2)이 접착 테이프(3)로 접착되어 있고, 그의 인너 리드(2a)가 금속 와이어(미도시)에 의한 본딩, 또는 범프에 의해 반도체 칩(1)의 패드(미도시)에 전기적으로 연결되어 있다. 리드 프레임(2)의 중간 밑면에는 아우터 리드(2b)가 돌출되어 있는데, 이 아우터 리드(2b)는 리드 프레임(2)의 자체 형상이 아니라, 리드 프레임(2)의 밑면을 부분 식각하여 형성된 것이다.As shown, the lead frame 2 is adhered to the underside of the semiconductor chip 1 with an adhesive tape 3, and the inner lead 2a thereof is bonded by a metal wire (not shown) or by bumps. It is electrically connected to a pad (not shown) of the semiconductor chip 1. The outer lead 2b protrudes from the middle bottom of the lead frame 2, and the outer lead 2b is formed by partially etching the bottom of the lead frame 2, not the shape of the lead frame 2 itself. .

이러한 상태에서, 전체가 몰드 다이에 안치되어 봉지제(4)로 몰딩되는데, 아우터 리드(2b)가 노출되도록 봉지제(5)로 몰딩된다. 노출된 아우터 리드(2b) 부분에 솔더 볼(5)이 마운트되고, 이와 같이 솔더 볼(5)이 마운트되는 아우터 리드(2b) 부분을 총괄적으로 볼 랜드라 한다.In this state, the whole is placed in the mold die and molded into the encapsulant 4, which is molded into the encapsulant 5 so that the outer lead 2b is exposed. The solder ball 5 is mounted on the exposed outer lead 2b portion, and the outer lead 2b portion on which the solder ball 5 is mounted is collectively referred to as a ball land.

몰딩 공정에서, 볼 랜드가 몰드 다이의 저면에 밀착되어야만, 봉지제(4)가 볼 랜드로 스며들어가지 않아서, 도 2a와 같이 볼 랜드 전체가 노출될 수가 있다. 그런데, 리드 프레임(2)은 충분한 강도로 지지를 받지 못하기 때문에, 볼 랜드가 몰드 다이의 저면에 완벽하게 밀착되지 못하는 경우가 많다.In the molding process, the ball lands must be in close contact with the bottom of the mold die, so that the encapsulant 4 does not penetrate into the ball lands, so that the entire ball lands can be exposed as shown in FIG. 2A. However, since the lead frame 2 is not supported with sufficient strength, the ball lands are often not completely in close contact with the bottom of the mold die.

이로 인하여, 볼 랜드로 봉지제가 스며들어가서, 도 2b와 같이 볼 랜드의 가장자리 부분을 차단하는 몰드 플래시(4a)가 형성된다. 몰드 플래시는 볼 랜드와 솔더 볼간의 접착 강도를 취약하게 하는 주된 요인으로 작용하는 문제점이 있었다.For this reason, the sealing agent penetrates into a ball land, and the mold flash 4a which cuts off the edge part of a ball land as shown in FIG. 2B is formed. Mold flash has a problem that acts as a major factor to weaken the adhesive strength between the ball land and the solder ball.

이를 방지하기 위해, 종래에는 봉지제 하부를 연마함과 동시에 고압의 물을 분사하여 몰드 플래시를 제거하는 공정이 실시되었다. 그러나, 몰드 플래시는 볼 랜드에 접촉된 상태이기 때문에, 연마와 물 분사에 의해서도 완벽하게 제거되지 못하고, 특히 고압의 물에 의해 패키지가 큰 충격을 받게 되는 새로운 문제점이 유발되었다.In order to prevent this, in the related art, a process of removing the mold flash by spraying high pressure water while simultaneously grinding the lower portion of the encapsulant is performed. However, since the mold flash is in contact with the ball land, it is not completely removed even by polishing and water spraying, and a new problem is caused that the package is greatly impacted by high pressure water.

따라서, 본 발명은 종래의 몰드 플래시 제거 방법이 안고 있는 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 몰드 플래시가 볼 랜드에 접촉되지 않고 들뜨도록 하여, 손쉽게 몰드 플래시를 제거할 수 있는 반도체 패키지의 몰드 플래시 제거 방법을 제공하는데 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problem of the conventional mold flash removal method, the mold flash removal of the semiconductor package that can be easily removed to remove the mold flash by lifting the mold flash without contacting the ball land. The purpose is to provide a method.

도 1은 일반적인 볼 그리드 어레이 패키지를 나타낸 단면도1 is a cross-sectional view showing a typical ball grid array package

도 2a는 볼 랜드가 봉지제에서 정상적으로 노출된 상태를 나타낸 도면Figure 2a is a view showing a state in which the ball land is normally exposed in the encapsulant

도 2b는 볼 랜드가 몰드 플래시에 의해 차단된 상태를 나타낸 도면2B is a view showing a state in which the ball land is blocked by the mold flash;

도 3 내지 도 5는 본 발명에 따른 몰드 플래시 제거 방법을 순차적으로 나타낸 도면3 to 5 sequentially illustrate a method of removing a mold flash according to the present invention.

- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 --Explanation of symbols for the main parts of the drawing-

10 ; 볼 랜드 20 ; 차단층10; Borland 20; Barrier layer

30 ; 봉지제 31 ; 몰드 플래시30; Sealing agent 31; Mold flash

상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 몰드 플래시 제거 방법은 다음과 같다.In order to achieve the above object, the mold flash removal method according to the present invention is as follows.

반도체 칩의 패드에 연결된 볼 랜드에 약산과 같은 화공약품으로 쉽게 용해되는 에폭시 수지와 같은 재질의 차단층을 도포하고, 차단층이 노출되도록 전체를 봉지제로 몰딩한다. 몰딩 공정에서, 봉지제는 차단층으로 스며들어가서 차단층의 가장자리를 차단하는 몰드 플래시를 형성하게 된다. 몰딩 공정 후, 차단층을 제거하면, 몰드 플래시는 차단층의 두께만큼 볼 랜드와 이격되고, 연마와 물 분사를 행하여 몰드 플래시를 제거한다.A barrier layer made of a material such as an epoxy resin that is easily dissolved in a chemical such as a weak acid is applied to the ball land connected to the pad of the semiconductor chip, and the whole is molded with an encapsulant so that the barrier layer is exposed. In the molding process, the encapsulant penetrates into the barrier layer to form a mold flash that blocks the edge of the barrier layer. After the molding process, when the blocking layer is removed, the mold flash is spaced apart from the ball land by the thickness of the blocking layer, and polishing and water spraying are performed to remove the mold flash.

상기된 본 발명의 구성에 의하면, 볼 랜드에 미리 도포된 차단층에 의해서, 몰드 플래시가 볼 랜드에 직접 접촉되지 않고, 따라서 차단층을 제거하면 몰드 플래시는 볼 랜드로부터 소정 간격으로 두고 들뜬 상태가 된다. 그러므로, 연마와 물 분사 방법으로 들뜬 몰드 플래시를 손쉽게 제거할 수가 있게 된다.According to the above-described configuration of the present invention, the mold flash is not in direct contact with the ball land by the blocking layer pre-coated on the ball land. Therefore, when the blocking layer is removed, the mold flash is excited from the ball land at a predetermined interval. do. Therefore, the excited mold flash can be easily removed by polishing and water spraying methods.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 설명한다.Best Mode for Carrying Out the Invention Preferred embodiments of the present invention will now be described based on the accompanying drawings.

도 3 내지 도 5는 본 발명에 따라 몰드 플래시를 제거하는 방법을 순차적으로 나타낸 도면이다.3 to 5 are diagrams sequentially illustrating a method of removing a mold flash according to the present invention.

도 3과 같이, 반도체 칩의 패드와 전기적으로 연결된 리드 프레임의 볼 랜드(10)에 약산과 같은 화공약품에 의해 쉽게 용해되는 차단층(20)을 도포한다. 차단층(20)으로는 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 상태에서, 몰딩 공정을 실시하면, 봉지제(30)가 차단층(20)과 몰드 다이의 저면 사이로 스며들어가서 몰드 플래시(32)를 형성하게 된다. 즉, 몰드 플래시(32)는 볼 랜드(10)가 아니라 차단층(20)에 접촉되어서, 그의 가장자리를 차단하게 된다.As shown in FIG. 3, a barrier layer 20 which is easily dissolved by a chemical agent such as a weak acid is applied to the ball land 10 of the lead frame electrically connected to the pad of the semiconductor chip. It is preferable to use an epoxy resin as the blocking layer 20. In this state, when the molding process is performed, the encapsulant 30 penetrates between the blocking layer 20 and the bottom surface of the mold die to form the mold flash 32. That is, the mold flash 32 is not in contact with the ball land 10 but with the blocking layer 20 to block its edges.

이어서, 도 4와 같이, 약산으로 차단층(20)을 용해시켜 제거한다. 그러면, 몰드 플래시(31)는 차단층(20)의 두께만큼 볼 랜드(10)로부터 들뜬 상태가 된다.Next, as shown in FIG. 4, the barrier layer 20 is dissolved and removed with a weak acid. Then, the mold flash 31 is excited from the ball land 10 by the thickness of the blocking layer 20.

따라서, 몰드 플래시(31)를 제거하는 종래 방법인 연마나 물 분사 작업을 행하면, 도 5와 같이 볼 랜드(10)로부터 들뜬 상태인 몰드 플래시(31)가 손쉽게 제거된다.Therefore, when the polishing or water spraying operation which is the conventional method of removing the mold flash 31 is performed, the mold flash 31 which is excited from the ball land 10 as shown in FIG. 5 is easily removed.

이때, 몰드 플래시(31)는 볼 랜드(10)로부터 들뜬 상태이므로, 연마 강도를 종래보다 약하게 할 수 있고 아울러 고압의 물을 사용하지 않아도 된다. 따라서, 패키지가 연마와 물 분사에 의해 손상되는 것이 방지된다.At this time, since the mold flash 31 is excited from the ball land 10, the polishing strength can be made weaker than before, and high pressure water may not be used. Thus, the package is prevented from being damaged by polishing and water spraying.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 몰딩 공정후에 발생되는 몰드 플래시가 차단층의 두께만큼 볼 랜드로부터 들뜬 상태가 되므로, 패키지를 손상하지 않으면서 몰드 플래시를 손쉽게 제거할 수가 있게 된다.As described above, according to the present invention, since the mold flash generated after the molding process is excited from the ball land by the thickness of the blocking layer, the mold flash can be easily removed without damaging the package.

이상에서는 본 발명에 의한 몰드 플래시 제거 방법을 실시하기 위한 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.In the above has been shown and described with respect to a preferred embodiment for carrying out the method of removing the mold flash according to the present invention, the present invention is not limited to the above-described embodiment, the scope of the present invention as claimed in the claims below Without departing from the scope of the present invention, those of ordinary skill in the art can make various modifications.

Claims (2)

패키지 몰딩 공정 후, 솔더 볼이 마운트되는 볼 랜드로 봉지제가 스며들어가서 상기 볼 랜드를 차단하는 몰드 플래시를 제거하는 방법에 있어서,A method of removing a mold flash for encapsulating a ball land into a ball land on which a solder ball is mounted to block the ball land after a package molding process, 상기 몰딩 공정전에, 상기 볼 랜드에 화공약품으로 용해되는 재질의 차단층을 도포하고, 이러한 상태에서 몰딩 공정을 진행한 후, 상기 차단층을 화공약품으로 용해시켜 제거한 다음, 상기 차단층 두께만큼 볼 랜드로부터 들뜬 상태인 몰드 플래시를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 몰드 플래시 제거 방법.Before the molding process, apply a barrier layer of a material dissolved in the chemical chemicals to the ball land, and after the molding process in this state, the barrier layer is dissolved by removing chemicals and removed, and then the ball to the thickness of the barrier layer And removing a mold flash in an excited state from the land. 제 1 항에 있어서, 상기 차단층의 재질은 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 몰드 플래시 제거 방법.The method of claim 1, wherein the blocking layer is made of epoxy resin.
KR1019980058918A 1998-12-26 1998-12-26 Method for removing mold flash of semiconductor package KR20000042667A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980058918A KR20000042667A (en) 1998-12-26 1998-12-26 Method for removing mold flash of semiconductor package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980058918A KR20000042667A (en) 1998-12-26 1998-12-26 Method for removing mold flash of semiconductor package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000042667A true KR20000042667A (en) 2000-07-15

Family

ID=19565920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980058918A KR20000042667A (en) 1998-12-26 1998-12-26 Method for removing mold flash of semiconductor package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20000042667A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8163604B2 (en) Integrated circuit package system using etched leadframe
US6184465B1 (en) Semiconductor package
US6372539B1 (en) Leadless packaging process using a conductive substrate
JP3339838B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6525406B1 (en) Semiconductor device having increased moisture path and increased solder joint strength
US8519521B2 (en) Electronic device including a packaging substrate having a trench
KR100699649B1 (en) Semiconductor device and method of manufacture thereof
US7439097B2 (en) Taped lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging
US6452255B1 (en) Low inductance leadless package
US6297543B1 (en) Chip scale package
CN101312177A (en) Lead frame for semiconductor device
JP2008218469A (en) Manufacturing method of semiconductor device
US6686652B1 (en) Locking lead tips and die attach pad for a leadless package apparatus and method
US20020014693A1 (en) Molded array package for facilitating device singulation
KR100691942B1 (en) Semiconductor package and method for manufacturing the same
KR20000042667A (en) Method for removing mold flash of semiconductor package
JP2006049694A (en) Dual gauge lead frame
KR100790450B1 (en) Method of reprocessing for fine-pitch ball grid array package
KR20020012060A (en) Sawing method of semiconductor package
KR100308396B1 (en) Manufacturing method of semiconductor package
KR100307021B1 (en) jig for mounting solder balls of semiconductor package
KR20000013555U (en) Ball grid array package
KR100370479B1 (en) Lead frame of semiconductor package
KR19990084789A (en) Semiconductor Package Manufacturing Method
KR100728956B1 (en) Method for fabricating semiconductor package

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid