KR20000038360A - Method for controlling multiple phase voltages and structure of frequency mixer using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 무선 통신 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 알에프(radio frequency; RF) 수신을 위한 국부 발진기와 주파수 혼합기를 단일 기능 블록으로 구현시킨 무선 통신 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wireless communication apparatus and method, and more particularly, to a wireless communication apparatus and method in which a local oscillator and a frequency mixer for RF reception are implemented in a single functional block.
오늘날 무선 통신 기술은 전자 통신 산업 분야에 있어서 급속한 성장을 거듭하고 있다. 즉, 통신의 궁극 목표인 언제, 어디서나, 누구에게나 바로 정보를 전달할 수 있도록, 개인 휴대용 무선 통신 기술에 대한 지속적인 연구 개발은 질적인 면과 양적인 면에서 혁신적 변화를 일으키고 있다.Today, wireless communication technology is growing rapidly in the electronic communication industry. In other words, continuous research and development of personal portable wireless communication technology is bringing about innovative changes in quality and quantity so that the ultimate goal of communication can be delivered immediately to anyone, anywhere, anytime.
특히, 알에프 무선 통신 장치의 소형화 및 경량화를 위해서는 프론트엔드(font-end) 알에프 블록과 베이스 밴드(base-band) 디에스피(DSP; digital signal processing) 블록 등의 단일 원칩(one chip) 집적화가 요구된다.In particular, miniaturization and weight reduction of RF wireless communication devices requires integration of a single one chip such as a front-end RF block and a base-band digital signal processing (DSP) block. .
그러나, 현재의 기술로서는 베이스 밴드의 디에스피 블록은 저전력 씨모스 기술(low-power CMOS Technology)로서 용이하게 구현이 가능하지만, 알에프 블록은 전술한 저전력 씨모스 기술로 구현하는 것이 용이하지 않다. 이것은 실리콘 씨모스 기술은 동작 주파수 특성이 매우 낮고(∼수백 MHz), 위상 잡음(phase noise) 특성이 불량하여, 높은 차단 주파수(cutoff frequency) 특성과 저잡음 특성(low noise characteristics)이 요구되는 알에프 수신 블록의 스펙을 만족시킬 수 없기 때문이다.However, in the current technology, the baseband DS block can be easily implemented as a low-power CMOS technology, but the RF block is not easy to be implemented by the low-power CMOS technology described above. This is because silicon CMOS technology has very low operating frequency characteristics (~ hundreds of MHz), poor phase noise characteristics, and RF reception requiring high cutoff frequency characteristics and low noise characteristics. This is because the specification of the block cannot be satisfied.
따라서, 시장에서 유통되고 있는 알에프 프론트 엔드 칩들은 대개가 값비싼 바이폴라(bipolar) 기술 또는 바이씨모스(BiCMOS) 기술을 이용하여 제작되고 있다. 그럼에도 불구하고, 알에프 프론트 엔드를 베이스 밴드 블록과 함께 씨모스 기술을 이용하여 원칩화하고자 하는 시도는 꾸준히 진행되고 있다. 이것은 알에프 프론트 엔드와 베이스 밴드 디에스피 블록의 원칩 설계가 기술적으로 매우 힘든 작업임에도 불구하고, 무선 송수신 단말을 소형화하고 경량화 하는데 필수적 요소가 되기 때문이다.Therefore, RF front-end chips in the market are usually manufactured using expensive bipolar or BiCMOS technology. Nevertheless, attempts are being made to one-chip the RF front end using CMOS technology along with the base band block. This is because, although the one-chip design of the RF front end and the baseband DS block is a technically difficult task, it is an essential element for miniaturizing and lightening a wireless transmission / reception terminal.
종래 기술에 따른 무선 송수신 장치는 대개의 경우 수퍼헤테로다인(superheterodyne) 방식에 의존하고 있는데, 그 기능 블록도를 제1도에 나타내었다. 제1도를 참조하면, 종래 기술에 따른 수퍼헤테로다인 송수신 시스템은 위상 비교기(100), 저대역 여과기(101), 전압 제어 발진기(VCO; voltage controlled oscillator, 102)로 구성된 피엘엘(PLL; phase locked loop, 105) 블록과, 주파수 혼합기(103, 104), 전력 증폭기(106), 저잡음 증폭기(107) 등으로 구성되어 있다.The radio transceiver according to the prior art usually relies on a superheterodyne scheme, the functional block diagram of which is shown in FIG. Referring to FIG. 1, a conventional superheterodyne transmit / receive system includes a phase comparator 100, a low band filter 101, and a voltage controlled oscillator (VCO) 102. locked loop 105 block, frequency mixers 103 and 104, power amplifier 106, low noise amplifier 107, and the like.
피엘엘(105)은 레퍼런스 클럭에 의해 결정되는 변조 및 복조용 주파수
무선 신호를 안테나(110)를 통하여 송신하기 위해서는 주파수
제1도를 다시 참조하면, 알에프 무선 신호를 변조 또는 복조하기 위한 중심 블록은 전압 제어 발진기(VCO, 102)와 주파수 혼합기(104)로 구성되는데, 전술한 전압 제어 발진기(102)와 주파수 혼합기(104)를 씨모스로 단일칩 집적화하기에는 여러 가지 어려움이 있다. 즉, 씨모스 기술을 이용하여 전압 제어 발진기(102)를 구현할 경우 높은 위상 잡음 지수와 낮은 주파수 동작 특성으로 인하여 2.0GHz를 중심 주파수로 하는
이에 따라, 종래 기술에 따르면 씨모스 전압 제어 발진기와 주파수 혼합기를 제2도에 도시한 방식으로 결합시킨 구조를 사용하고 있다. 즉, 종래 기술에 따른 씨모스 전압 제어 발진기(VCO, 120) 회로는 링 발진기(ring oscillator) 구조를 기본으로 한 자동 증폭기 지연 회로로 구성되어 있으며, 복조를 위한 클럭
또한, 종래 기술에 따른 주파수 혼합기(121)로서는 길버트 승수기(Gilbert multiplier)가 사용되고 있으며, 전술한 전압 제어 발진기(120)로부터
그러나, 전술한 바와 같이 종래 기술에 따라 2.0 GHz 대역에서
따라서, 본 발명의 제1 목적은 알에프 무선 통신을 위한 전압 제어 발진기 및 주파수 혼합기를 단일 칩으로 집적화하기 위한 통신 장치 및 방법을 제공하는데 있다.It is therefore a first object of the present invention to provide a communication apparatus and method for integrating a voltage controlled oscillator and frequency mixer for RF wireless communication into a single chip.
본 발명의 제2 목적은 상기 제1 목적에 부가하여, 2.0 GHz 대역의 개인 휴대 통신을 위한 전압 제어 발진기 및 주파수 혼합기를 단일 칩으로 집적화하기 위한 통신 장치 및 방법을 제공하는데 있다.A second object of the present invention is to provide a communication apparatus and method for integrating a voltage controlled oscillator and frequency mixer for personal portable communication in the 2.0 GHz band into a single chip in addition to the first object.
본 발명의 제3 목적은 상기 제1 목적에 부가하여, 무선 알에프 주파수가 구현하고자 하는 트랜지스터의 특성상 주파수 동작 속도와 잡음 특성이 양호하지 않은 시스템에 있어서, 알에프 송수신 프론트 엔드 전압 제어 발진기 및 주파수 혼합기를 단일 칩으로 집적화하기 위한 통신 장치 및 방법을 제공하는데 있다.According to a third object of the present invention, in addition to the first object, in a system in which a frequency operation speed and a noise characteristic are not good due to the characteristics of a transistor to be implemented by a wireless RF frequency, an RF transmission and reception front end voltage controlled oscillator and a frequency mixer are provided. The present invention provides a communication apparatus and method for integrating a single chip.
본 발명의 제4 목적은 상기 제1 목적에 부가하여, 알에프 무선 통신을 위한 발진기 및 주파수 혼합기 구조에 있어서, 알에프 신호와 국부 발진 신호 사이의 상호 교란을 최소화한 씨모스로 구현된 통신 장치 및 방법을 제공하는데 있다.A fourth object of the present invention is, in addition to the first object, in the oscillator and frequency mixer structure for RF wireless communication, a communication device and method implemented by CMOS which minimizes mutual disturbance between RF signal and local oscillation signal. To provide.
제1도는 종래 기술에 따른 수퍼헤테로다인 수신 회로를 나타낸 회로도.1 is a circuit diagram showing a superheterodyne receiving circuit according to the prior art.
제2도는 종래 기술에 따른 전압 제어 발진기 및 주파수 혼합기를 나타낸 회로도.2 is a circuit diagram showing a voltage controlled oscillator and a frequency mixer according to the prior art.
제3도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 6위상 전압 제어 발진기 및 주파수 혼합기를 나타낸 회로도.3 is a circuit diagram illustrating a six-phase voltage controlled oscillator and a frequency mixer according to a first embodiment of the present invention.
제4도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 6위상 전압 제어 발진 신호 및 출력 신호의 타이밍도.4 is a timing diagram of a six-phase voltage controlled oscillation signal and an output signal according to the first embodiment of the present invention.
제5도는 본 발명의 제2 실시예에 따른 다중(N) 위상 전압 제어 발진기 및 주파수 혼합기를 나타낸 회로도.5 is a circuit diagram illustrating a multiple (N) phase voltage controlled oscillator and a frequency mixer according to a second embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 설명><Description of Main Parts of Drawing>
100 : 위상 비교기100: phase comparator
101 : 저대역 여과기101: low pass filter
102 : 전압 제어 발진기102: voltage controlled oscillator
103 : 주파수 혼합기103: frequency mixer
105 : 피엘엘105: Piel
501 : 다중 위상 전압 제어 발진기501 multi-phase voltage controlled oscillator
502 : 다중 위상 주파수 혼합기502: Multiphase Frequency Mixer
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 제1 주파수(f1)를 반송 주파수로 하는 수신 신호를 베이스 밴드로 복조하는 주파수 변환 방법에 있어서, 상기 제1 주파수(f1)를 반송 주파수로 하는 신호를 수신하는 단계; 상기 수신 신호의 제1 주파수(f1)보다 저주파인 제2 주파수(f2)를 발진 주파수로 하여, 각각 선정된 위상차(Δ)를 갖는 다수개(N)의 다중 위상 전압 제어 발진 신호를 발생하는 단계; 상기 제2 주파수(f2)의 다중 위상 전압 제어 발진 신호를 제1 주파수(f1)의 신호로 변환하는 단계; 상기 수신 신호를 상기 제1 주파수 신호와 혼합함으로써 베이스 밴드로 복조하는 단계; 상기 베이스 밴드로 복조된 신호를 저대역 여과하는 단계를 포함하는 주파수 변환 방법 주파수 변환 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a frequency conversion method for demodulating a received signal having a first frequency f 1 as a carrier frequency into a base band, wherein the signal having the first frequency f 1 as a carrier frequency is used. Receiving; A plurality of N multiphase voltage controlled oscillation signals each having a predetermined phase difference Δ are generated using the second frequency f 2 , which is lower than the first frequency f 1 of the received signal, as the oscillation frequency. Making; Converting the multi-phase voltage controlled oscillation signal of the second frequency f 2 into a signal of a first frequency f 1 ; Demodulating into a baseband by mixing the received signal with the first frequency signal; It provides a frequency conversion method frequency conversion method comprising the low-band filtering the demodulated signal to the base band.
이하, 본 발명에 따른 주파수 변환 장치와 방법을 첨부하는 도면 제3도 내지 제5도를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to Figures 3 to 5 attached to the frequency converter and method according to the present invention will be described in detail.
제3도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 주파수 변환 장치의 구성 회로도를 나타낸 도면이다. 제3도를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 주파수 변환 장치는 수신된 알에프 신호를 대역 필터링 및 저잡음 증폭 과정을 거쳐서 복조 단계에 들어간다. 이를 위하여, 제3도에 도시한 회로도는 6위상 전압 제어 발진 회로(301) 및 주파수 혼합 회로(302)를 나타낸 도면이다.3 is a circuit diagram illustrating a configuration of the frequency converter according to the first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the frequency converter according to the first embodiment of the present invention enters a demodulation step through band filtering and low noise amplification of the received RF signal. To this end, the circuit diagram shown in FIG. 3 is a diagram showing a six-phase voltage controlled oscillation circuit 301 and a frequency mixing circuit 302.
6위상 전압 제어 발진 회로(301)의 양호한 실시예로서 3단계의 증폭기(303, 304, 305)를 케스케이드 방식으로 연결한 링 오실레이터 회로를 사용할 수 있다. 발진 회로(301)의 증폭기(303, 304, 305)는 각각의 출력단에서 정(正)의 출력 신호와 부(負)의 출력 신호를 발생시키며, 각각의 출력단에서 발생하는 6위상 전압 제어 발진 신호
본 발명의 제1 실시예에 따른 위상차 Δ의 크기는 Δ=2π/6으로 선정될 수 있다. 또한, 6위상 발진 회로(301)에서 출력되는
제3도에 도시한 6위상 주파수 혼합기(302)는 6위상 전압 제어 발진기(301) 회로가 출력하는 6위상 전압 제어 발진 신호
6위상 주파수 혼합기(302)는 제3도의 좌측 하단에 트랜지스터(310, 311, 312, 313, 314, 315, 316)로 구성되는 2입력 NAND 게이트의 3병렬 조합 회로와, 제3도의 우측 하단에 트랜지스터(317, 318, 319, 320, 321, 322, 323)로 구성되는 2입력 NAND 게이트의 3병렬 조합 회로와, 트랜지스터(324, 325, 326, 327)로 구성되는 2쌍의 차동증폭기 회로로 구성되어 있다.The six-phase frequency mixer 302 is a three-parallel combination circuit of two-input NAND gates consisting of transistors 310, 311, 312, 313, 314, 315, and 316 at the lower left of FIG. 3, and at the lower right of FIG. Three parallel combination circuits of two-input NAND gates composed of transistors 317, 318, 319, 320, 321, 322, and 323, and two pairs of differential amplifier circuits composed of transistors 324, 325, 326, and 327. Consists of.
트랜지스터(324, 325)로 구성되는 제1 차동증폭기의 정(正)의 입력단에는 수신 알에프 신호
또한, 트랜지스터(326, 327)로 구성되는 제2 차동증폭기의 정(正)의 입력 단에는 반전된 알에프 신호
한편, 트랜지스터(310, 311, 312, 313, 314, 315, 316)로 구성되는 제1 신호 변환 블록은 2입력 NAND 게이트 회로를 병렬 방식으로 3쌍을 연결한 형태를 취하고 있으며, 각각의 NAND 게이트 회로의 입력단에는 6위상 전압 제어 발진기(301)에서 출력되는 6위상 전압 제어 발진 신호가 클럭으로 입력된다.Meanwhile, the first signal conversion block including the transistors 310, 311, 312, 313, 314, 315, and 316 has a form in which two pairs of two-input NAND gate circuits are connected in a parallel manner, and each NAND gate The six-phase voltage controlled oscillation signal output from the six-phase voltage controlled oscillator 301 is input to the input terminal of the circuit as a clock.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 트랜지스터(310, 311)로 구성되는 제1 NAND 게이트의 입력에는 6위상 전압 제어 발진기(301)의 출력 신호인
본 발명에 따른 양호한 실시예로서, 트랜지스터(317, 318, 319, 320, 321, 322, 323)로 구성되는 제2 신호 변환 블록은 2입력 NAND 게이트 회로를 병렬 방식으로 3쌍을 연결하는 방식으로 구성할 수 있으며, 전술한 제1 신호 변환 블록과 같은 방식으로 6위상 전압 제어 발진기(301)에서 출력되는 6위상 전압 제어 발진 신호가 클럭으로 입력된다.According to a preferred embodiment of the present invention, the second signal conversion block composed of the transistors 317, 318, 319, 320, 321, 322, and 323 connects two pairs of two input NAND gate circuits in a parallel manner to connect three pairs. The six-phase voltage controlled oscillation signal output from the six-phase voltage controlled oscillator 301 may be input to the clock in the same manner as the first signal conversion block described above.
본 발명에 따른 양호한 실시예로서, 트랜지스터(318, 319)로 구성되는 제4 NAND 게이트의 입력에는 6위상 전압 제어 발진기(301)의 출력 신호인
한편, 제1 차동증폭기(324, 325)의 바이어스 전류 공급단(330)은 바이어스 전류 공급 트랜지스터(316)를 통하여 제1 신호 변환 블록의 출력 LOT와 연결되고, 제2 차동증폭기(326, 327)의 바이어스 전류 공급단(331)은 바이어스 전류 공급 트랜지스터(317)를 통해 제2 신호 변환 블록의 출력
제4도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 주파수 변환 장치의 각 주요부분의 출력 신호의 파형을 나타낸 도면이다. 제4도를 참조하면, 6위상 전압 제어 발진기의 출력 신호
본 발명의 제1 실시예에 따른 주파수 변환 장치는 그 발진 주파수(f2)를 알에프 주파수(f1)로부터 1/3만큼 저주파 대역으로 이동시킴으로써, 씨모스 기술을 이용하여 단일칩으로 집적화할 경우 씨모스 트랜지스터가 지니는 스위칭 동작 속도의 한계 및 위상 잡음 문제등을 해소할 수 있다.In the frequency converter according to the first embodiment of the present invention, when the oscillation frequency f 2 is moved to the low frequency band by 1/3 from the RF frequency f 1 , the integrated frequency is integrated into a single chip using CMOS technology. CMOS transistors can eliminate switching speed limitations and phase noise issues.
제4도를 다시 참조하면, 6위상 전압 발진기(301)의 출력 신호(401, 402, 403, 404, 405, 406)를 6위상 주파수 혼합 회로에 각각 전술한 방식에 따라 클럭 입력하여 얻은 출력 신호
즉,
또한,
따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 주파수 변환 장치는 f2=f1/3의 저주파로 게이트 회로를 순차적으로 스위칭 함으로써, 수신 알에프 신호와 f1주파수의 출력 파형(407, 408)을 승적하는 주파수 혼합 단계를 달성하게 된다.Thus, the frequency converter according to the first embodiment of the present invention, f 2 = f 1 / by 3 as the low-frequency switching of the gate circuit in sequence, the output waveform of the received RF signal and the f 1 frequency (407, 408) the seungjeok A frequency mixing step is achieved.
제5도는 본 발명의 제2 실시예에 따른 주파수 변환 장치를 나타낸 도면으로서, 제2 실시예는 전술한 제1 실시예를 일반화하여 N 단계의 위상차를 지니는 다중 위상 주파수 변환 장치를 제공한다. 제5도를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 주파수 변환 장치는 다중 위상 전압 제어 발진기(501)와 주파수 혼합 회로(502)로 구성되어 있으며, 다중 위상 전압 제어 발진 회로(501)는 N 단계의 증폭기(503, 504, 505)를 케스케이드 방식으로 연결한 링 오실레이터 회로를 구성하고 있다.5 is a diagram illustrating a frequency conversion device according to a second embodiment of the present invention. The second embodiment generalizes the above-described first embodiment to provide a multi-phase frequency conversion device having a phase difference of N steps. 5, the frequency converter according to the second embodiment of the present invention is composed of a multi-phase voltage controlled oscillator 501 and a frequency mixing circuit 502, the multi-phase voltage controlled oscillator circuit 501 A ring oscillator circuit is constructed in which the amplifiers 503, 504, 505 of the N stages are connected in a cascade manner.
다중 위상 전압 제어 발진 회로(501)의 각단의 증폭기는 정(正)과 부(負)의 출력 신호
제5도에 도시한 다중 위상 주파수 혼합기(502)는 N 위상 전압 제어 발진기(501)가 출력하는 N 위상 전압 제어 발진 신호
다중(N) 위상 주파수 혼합기(502)는 제5도의 좌측 하단에 트랜지스터(510, 511, 512, 513, 514, 515, 516)로 구성되는 2입력 NAND 게이트의 N 병렬 조합 회로와 제5도의 우측 하단에 트랜지스터(517, 518, 519, 520, 521, 522, 523)로 구성되는 2입력 NAND 게이트의 N 병렬 조합 회로와, 트랜지스터(524, 525, 526, 527)로 구성되는 2쌍의 차동증폭기 회로로 구성되어 있다.The multiple (N) phase frequency mixer 502 has an N parallel combination circuit of two input NAND gates consisting of transistors 510, 511, 512, 513, 514, 515, 516 at the bottom left of FIG. 5 and the right of FIG. 5. N parallel combination circuit of two-input NAND gate composed of transistors 517, 518, 519, 520, 521, 522, 523 at the bottom, and two pairs of differential amplifiers composed of transistors 524, 525, 526, and 527. It consists of a circuit.
트랜지스터(524, 525)로 구성되는 제1 차동증폭기의 정(正)의 입력단에는 수신 알에프 신호
또한, 트랜지스터(526, 527)로 구성되는 제2 차동증폭기의 정(正)의 입력 단에는 반전된 알에프 신호
한편, 트랜지스터(510, 511, 512, 513, 514, 515, 516)로 구성되는 제1 신호 변환 블록은 2입력 NAND 게이트 회로를 병렬 방식으로 3쌍을 연결한 형태를 취하고 있으며, 각각의 NAND 게이트 회로의 입력단에는 N위상 전압 제어 발진기(501)에서 출력되는 N위상 전압 제어 발진 신호가 클럭으로 입력된다.Meanwhile, the first signal conversion block including the transistors 510, 511, 512, 513, 514, 515, and 516 has a form in which two pairs of two-input NAND gate circuits are connected in parallel, and each NAND gate is connected. The N phase voltage controlled oscillation signal output from the N phase voltage controlled oscillator 501 is input to the input terminal of the circuit as a clock.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 트랜지스터(510, 511)로 구성되는 제1 NAND 게이트의 입력에는 N위상 전압 제어 발진기(501)의 신호인
본 발명에 따른 양호한 실시예로서, 트랜지스터(517, 518, 519, 520, 521, 522, 523)로 구성되는 제2 신호 변환 블록은 2입력 NAND 게이트 회로를 병렬 방식으로N쌍을 연결하는 방식으로 구성할 수 있으며, 전술한 제1 신호 변환 블록과 같은 방식으로 N위상 전압 제어 발진기(501)에서 출력되는 N위상 전압 제어 발진 신호가 클럭으로 입력된다.In a preferred embodiment according to the present invention, the second signal conversion block composed of transistors 517, 518, 519, 520, 521, 522, 523 is a method of connecting N pairs of two input NAND gate circuits in a parallel manner. The N phase voltage controlled oscillation signal output from the N phase voltage controlled oscillator 501 may be input to the clock in the same manner as the first signal conversion block described above.
본 발명에 따른 양호한 실시예로서, 트랜지스터(518, 519)로 구성되는 제4 NAND 게이트의 입력에는 N위상 전압 제어 발진기(501)의 출력 신호인
한편, 제1 차동증폭기(524, 525)의 바이어스 전류 공급단(530)은 바이어스 전류 공급 트랜지스터(516)을 통하여 제1 신호 변환 블록의 출력 LOT와 연결되고, 제2 차동증폭기(526, 527)의 바이어스 전류 공급단(531)은 바이어스 전류 공급 트랜지스터(517)를 통해 제2 신호 변환 블록의 출력
전술한 내용은 후술할 발명의 특허 청구 범위를 보다 잘 이해할 수 있도록 본 발명의 특징과 기술적 장점을 다소 폭넓게 개설하였다. 본 발명의 특허 청구 범위를 구성하는 부가적인 특징과 장점들이 이하에서 상술될 것이다. 개시된 본 발명의 개념과 특정 실시예는 본 발명과 유사 목적을 수행하기 위한 다른 구조의 설계나 수정의 기본으로서 즉시 사용될 수 있음이 당해 기술 분야의 숙련된 사람들에 의해 인식되어야 한다.The foregoing has outlined rather broadly the features and technical advantages of the present invention to better understand the claims of the invention which will be described later. Additional features and advantages that make up the claims of the present invention will be described below. It should be appreciated by those skilled in the art that the conception and specific embodiments of the invention disclosed may be readily used as a basis for designing or modifying other structures for carrying out similar purposes to the invention.
또한, 본 발명에서 개시된 발명 개념과 실시예가 본 발명의 동일 목적을 수행하기 위하여 다른 구조로 수정하거나 설계하기 위한 기초로서 당해 기술 분야의 숙련된 사람들에 의해 사용되어질 수 있을 것이다. 또한, 당해 기술 분야의 숙련된 사람에 의한 그와 같은 수정 또는 변경된 등가 구조는 특허 청구 범위에서 기술한 발명의 사상이나 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변화, 치환 및 변경이 가능하다.In addition, the inventive concepts and embodiments disclosed herein may be used by those skilled in the art as a basis for modifying or designing other structures for carrying out the same purposes of the present invention. In addition, such modifications or altered equivalent structures by those skilled in the art may be variously changed, substituted, and changed without departing from the spirit or scope of the invention described in the claims.
이상과 같이, 본 발명에 따른 주파수 변환 장치는 종래의 주파수 변환 장치가 지니는 문제점을 해결한 구조로서, 본 발명은 수신되는 알에프 신호를 N분주한 저주파 주파수를 발진 주파수로하고, 선정된 크기(Δ)만큼의 위상차를 지니는 다중 위상 전압 제어 발진 신호를 사용하여 수신 알에프 신호를 주파수 혼합함으로써, 씨모스 기술을 이용하여 단일 칩으로 집적화 하는데 걸림돌이었던 씨모스 트랜지스터의 스위칭 속도의 한계 및 불량한 위상 잡음 특성 문제를 극복하였다.As described above, the frequency converter according to the present invention is a structure that solves the problem of the conventional frequency converter, and the present invention uses a low frequency frequency obtained by dividing the received RF signal as an oscillation frequency, and selects a predetermined magnitude (Δ). Limiting switching speed and poor phase noise characteristics of CMOS transistors, which were the obstacles to integration into single chip using CMOS technology by frequency mixing the received RF signals using a multi-phase voltage controlled oscillation signal having a phase difference of Overcome
또한, 본 발명에 따른 주파수 변환 장치는 종래 기술과는 달리 추가로 오프 칩(off chip) 허상 없이 억압 필터를 사용할 필요가 없으며, 단일 피엘엘을 씨모스 기술로 제공하기 때문에 LO 누설이나 자기 믹싱(self-mixing)에 의한 디씨오프셋(dc offset)이 발생하지 않는 장점이 있다.In addition, unlike the prior art, the frequency converter according to the present invention does not require the use of a suppression filter without an off chip virtual image, and provides a single PEL as CMOS technology, so that LO leakage or magnetic mixing ( There is an advantage that the DC offset does not occur by self-mixing.
Claims (20)
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100638669B1 (en) * | 2005-01-17 | 2006-10-30 | 삼성전기주식회사 | Voltage control oscillator |
KR100666701B1 (en) * | 2006-01-05 | 2007-01-09 | 뮤텔테크놀러지 주식회사 | Passive frequency mixer and frequency converting method |
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KR100987727B1 (en) * | 2007-12-28 | 2010-10-13 | 충주대학교 산학협력단 | Multiband Frequency Generator |
KR20160087557A (en) * | 2015-01-14 | 2016-07-22 | 한양대학교 산학협력단 | Voltage controlled oscillator for realizing multi-phase |
-
1998
- 1998-12-07 KR KR1019980053333A patent/KR100274447B1/en active IP Right Grant
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Publication number | Publication date |
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