KR20000035607A - 정전 척의 제품 지지 표면 위에 제품을 지지하기 위한전도성 중합체 패드 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전도성 스탠드-오프 패드를 가진 존슨-라벡(Johnsen-Rahbek) 정전 척을 포함하는 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 스탠드-오프 패드는 척 반도체층 또는 부분적인 전도층 상에 배치되는 폴리이미드와 같은 전도성 중합 물질로 제조된다. 중합 물질은 약 107-1012ohm-cm 범위내의 제어되는 고유저항을 가지며, 이는 웨이퍼 또는 그 외의 제품이 존슨-라벡(Johnsen-Rahbek) 효과에 의하여 정전 척위에 지지되고 유지되도록 한다.

Description

정전 척의 제품 지지 표면 위에 제품을 지지하기 위한 전도성 중합체 패드 및 그 제조 방법{CONDUCTIVE POLYMER PAD FOR SUPPORTING A WORKPIECE UPON A WORKPIECE SUPPORT SURFACE OF AN ELECTROSTATIC CHUCK}
본 발명은 반도체 가공 시스템 내의 기판 지지 척에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 존슨-라벡(Johnsen-Rahbek) 효과에 의하여 웨이퍼를 지지하기 위한 정전 척의 일부로서 전도성 중합 패드의 이용에 관한 것이다.
기판 지지 척은 반도체 가공 시스템내에서 기판을 지지하기 위해 널리 사용된다. 예를 들어 고온 물리 기상 배치(PVD)와 같은 고온 반도체 가공 시스템에서 사용되는 특별한 종류의 척은 세라믹 정전 척이다. 이러한 척들은 반도체 또는 다른 제품(workpiece)들을 가공하는 동안 고정된 위치로 유지하는데 사용된다. 이러한 정전 척은 세라믹 척 바디에 깊이 삽입된 하나 이상의 전극을 포함한다. 세라믹 물질은 전형적으로 티타늄 산화물(TiO2) 같은 금속 산화물이 도핑된 알루미늄-질화물 또는 알루미나 또는 유사한 저항 특성을 가진 일부 다른 세라믹 물질이다. 이러한 형태의 세라믹은 고온에서 반도전성을 가진다.
일반적으로, 웨이퍼는 척킹 전압이 전극에 인가될 때 척 바디 표면에 대해 평행하게 얹혀진다. 고온에서의 세라믹 물질의 전도성 때문에, 웨이퍼는 주로 존슨-라벡(Johnsen-Rahbek) 효과에 의해 세라믹 지지대에 대해 유지되어진다. 이러한 척은 1992년 5월 26일 특허 허여된 미국 특허 제 5,117,121호에 개시되어 있다.
세라믹으로 만들어진 척 바디를 사용하는데 있어서의 하나의 단점은, 이 지지대를 제조하는 동안, 세라믹 물질이 비교적 매끄러운 표면을 만들기 위해 "래핑(lapping)"된다는 것이다. 이러한 래핑은 지지대의 표면에 고착하는 입자를 생성한다. 이러한 입자들을 표면으로부터 완벽하게 제거하는 것은 어렵다. 더욱이 이 래핑 프로세스는 척 바디의 표면을 파손시킬 수 있다. 결과적으로, 척이 사용될 때 입자들이 이러한 파손에 의해 계속 생성된다. 또한, 웨이퍼 가공 중에 , 세라믹 물질은 웨이퍼의 하부에서 웨이퍼 산화물을 마멸시켜 프로세스 환경에 미립자 형태의 불순물의 더 많은 유입을 초래한다. 척을 사용하는 동안, 상기 입자들은 상기 웨이퍼의 하부에 고착하여 다른 가공 챔버로 이동되거나 또는 상기 웨이퍼 상에 형성된 회로 소자 내에 결함을 야기한다. 수 만개의 불순물 입자는 세라믹 정전 척상에 유지된 후 주어진 웨이퍼의 후면에서 발견된다는 것이 알려져 있다.
유사하게, 저온 가공(예를 들어, 섭씨 300도 이하)에 사용되는 기판 지지 척은 웨이퍼 가공을 방해하는 불순물 입자를 생성한다. 이러한 저온 척은 정전 척과 기계적 클램핑 척을 포함하며, 이들은 전형적으로 알루미나와 같은 유전 물질로부터 만들어진 웨이퍼 지지 표면을 갖는다. 이러한 형태의 척들은 가공 동안 웨이퍼의 하부에 고착할 수 있는 미립자 형태의 불순물을 생성한다는 것이 또한 알려져 있다.
1997년 1월 31일자 출원되고 공동으로 양도된 미국특허출원 08/791,941호 "기판 지지 척상에 웨이퍼를 지지하는 스탠드-오프 패드 및 그 제조 방법"에서는 척 표면에 대하여 일정간격을 유지하도록 웨이퍼를 지지하는 중합체 스탠드-오프 패드를 이용함으로써 상기 종래 기술의 단점을 해소하였다. 척 표면 물질보다 적게 마모되고 또한 척 표면 물질 보다 부드러운 중합체 패드는 입자 오염을 상당히 감소시킨다. 상기 공동으로 양도된 출원은 여기에 참고로 기술된다.
일본 특허 공개 공보 제 63-194345호는 절연 필름 또는 세라믹 물질 표면 위에 전도성 수지 물질로된 시트가 국부적으로 배치된 정전 척을 개시한다. 웨이퍼와 절연 필름사이의 캐패시턴스는 도전성 수지 층 두께만큼 간격이 증가함에 따라 감소된다. 이는 척의 충전 및 방전 시간 응답을 개선하며, 이는 절연 물질 하부의 전극으로부터 형성된 전하로부터 정전기 인력 또는 쿨롱 힘을 통하여 동작한다.
그러나, 전극과 웨이퍼사이의 증가된 거리는 정전 척킹력을 약화시킨다. 따라서, 웨이퍼와 접촉시 마모를 방지하고 웨이퍼의 뒷면에 부착될 수 있는 오염 입자량을 감소시키고 그리고 존슨-라벡 효과를 통하여 척킹력을 강하게 하는 정전 척에 대한 기술이 필요하다.
본 발명은 척위에 기판을 유지하기 위하여 도전성 중합체로 이루어진 스탠드-오프 패드를 가진 정전 척을 제공하는 것이 목적이다. 기판을 지지하는 도전성 스탠드-오프 패드에 의해, 본 발명은 비마모적인 웨이퍼 접촉, 웨이퍼 후면상의 입자 오염물 감소 및 존슨-라벡 효과로부터 발생되는 강한 척킹력을 가진다.
도 1은 척의 표면상에서 웨이퍼를 지지하는 본 발명의 스탠드-오프 패드에 대한 단면도이다.
도 2는 상기 웨이퍼 스탠드-오프 패드의 패턴을 도시하는 평면도이다.
도 3은 척의 표면에서의 상응하도록 패터닝된 리세스 상에 배치된 웨이퍼를 지지하는, 본 발명의 스탠드-오프 패드에 대한 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 정전 척 106 : 웨이퍼
102 : 스탠드-오프 패드 112 : 척 바디
114 : 지지 기판 208 : 웨브
302 : 리세스 220 : 포트
스탠드-오프 패드 물질은 척 표면 물질에 비해 더 적은 마모성 및 더 나은 순응성을 가진 우수한 접촉 특성을 가진다. 따라서, 마모성 접촉에 의한 입자 발생이 방지된다. 전도성 스탠드-오프 패드는 반도전성 또는 그 외의 도전성 물질을 중합체 체인 구조에 부가함으로써 폴리이미드, 플루오르 중합체 등과 같은 중합 물질로부터 제조될 수 있다. 중합체에서 도전성 물질의 양을 조절함으로써, 고유 저항이 약 107-1012ohm-cm 범위내의 제어되는 저항을 가지며, 이는 척이 존슨-라벡 효과에 의하여 동작하도록 한다.
또한, 스탠드-오프 패드는 웨이퍼 또는 다른 제품을 하부의 반전도성 척 몸체와 일정 거리를 유지하도록 하며, 웨이퍼의 하부면과 척은 상기 스탠드-오프 패드의 두께만큼 분리된다. 스탠드-오프 패드의 두께가 존슨-라벡 효과와 관련하여 아주 중요하지는 않지만, 이 두께는 전체 척킹력의 하이브리드 성분에 영향을 미치며, 두꺼운 스탠드-오프 패드는 하이브리드 성분을 적게한다. 스탠드-오프 패드의 두께는 처리 중에 웨이퍼 하부면에 오염 입자가 부착되지 않도록 오염 입자보다 더 커야한다.
본 발명의 한 실시예에서, 웨이퍼 스탠드-오프 패드를 형성하는 다수의 섬은 중합체 용액을 분배하고, 그후에 중합체를 건조시키고 경화시킴으로써 제조된다. 다른 실시예에서, 웨이퍼 스탠드-오프 패드는 척 몸체상으로 중합 물질을 회전 코팅하고 그후에 식각 마스크 등을 사용해 원치 않는 중합 물질을 선택적으로 식각하여 형성된다. 선택적으로, 포토중합체가 스탠드-오프 패드를 형성하기 위하여 적합한 리소그래픽 기술과 결합되어 이용될 수 있다. 또한, 스탠드-오프 패드는 웨브 패턴, 즉 연결 스트립에 의해 상호 연결된 다수의 섬을 생성하기 위해 중합 물질 시트로부터 다이 컷한 패턴을 형성함으로서 제조될 수 있다. 다수의 일정 거리 유지한 패드, 방사 스트립, 동심 링, 또는 방사 스트립과 동심 링을 결합한 것과 같은 미리 형성된 패턴이 이용될 수도 있다.
일반적으로, 웨브는 척 몸체상이나 또는 척 몸체 표면에 형성된 상응하는 리세스 패턴 내에 위치하고, 접착제 또는 물리적인 수단(예를 들어 마찰)에 의해 제위치에 유지된다. 이러한 구성은 웨브가 세척 또는 교체를 위해 용이하게 제거될 수 있도록 한다.
이제부터 첨부된 도면과 관련하여 본 발명에 대해 좀 더 상세히 설명할 것이다. 이해를 돕기 위해 구성상 같은 엘리먼트에 대해 동일한 참조 번호가 부여되었다.
도 1은 정전 척(100)의 표면(114)상의 웨이퍼(106)를 지지하는 본 발명의 웨이퍼 스탠드-오프 패드(102)에 대한 단면도이다. 본 발명의 사용을 예시하기 위해, 도 1은 반도체 웨이퍼(106)를 지지하는 상기 스탠드-오프 패드(102)를 도시한다. 도 2는 상기 웨이퍼(106)가 없는 도 1의 스탠드-오프 패드에 대한 패턴 예에 대한 평면도이다. 본 발명을 잘 이해하기 위해, 이하의 상세한 설명은 도 1과 도 2를 동시에 참조하여야 한다.
비록 본 발명의 바람직한 실시예가 세라믹 정전 척 몸체(112)와 관련하여 설명되지만, 본 발명은 비-세라믹 정전 척 몸체에도 동일하게 적용한다. 본 발명의 중요한 하나의 특성은 중합체 패드(102)가 절연체와 도체의 중간 고유저항을 가진 전도성 물질로 만들어진다는 것이다. 상기와 같은 중간 고유저항은 ESC(100)가 존슨-라벡(J-R) 효과를 통하여 동작하도록 하며, 이는 정전기 또는 쿨롱 힘만의 힘보다 강한 척킹력을 제공한다. 예를 들어, 약 107-1012ohm-cm 범위내의 고유저항을 가진 중합체는 제품 또는 웨이퍼 기판이 존슨-라벡 효과에 의하여 척(100)위에 유지되도록 하다. 이는 일반적으로 약 1015ohm-cm의 정전 척에 대하여 이용되는 고유저항 보다 몇 배 작다. 전도성 중합체는 도전성 물질 또는 반도전성 물질을 폴리이미드, 플루오르포리머와 같은 비도전성 중합체 체인 구조에 부가함으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 이들 전도성 또는 반전도성 물질은 카본 또는 실리콘을 포함할 수 있다. 중합체 체인에서 "도판트"의 양을 적당하게 조절함으로써, 특정 사용 분야에 따라 소정 범위내에서 제어될 수 있는 고유저항을 가진 전도성 중합체를 형성할 수 있다. 온도에 따라 전도성 중합체의 고유저항이 종속하지만, 최종적인 고유저항 변화는 특정 사용분야, 특히 300℃이하의 사용분야에서 사용할 수 있으며, 여기서 온도는 상대적으로 좁은 범위내에서 제어된다. 따라서, 고유저하에 대한 온도 영향은 존슨-라벡 척에 적용되는 전도성 중합체 기능에 영향을 주지 않는다.
바람직한 실시예에서, 상기 정전 척(100)은 세라믹 척 바디(112)에 깊이 삽입된 하나 이상의 전극(116)을 포함한다. 예를 들어, 상기 세라믹 척 바디는 알루미늄 질화물 또는 붕소 질화물로 제조된다. 이러한 부분적 전도성(반전도성)을 가진 세라믹 물질은 고온 가공 동안 상기 웨이퍼(106)를 유지하는 존슨-라벡 효과를 촉진하다. 티타늄 산화물 또는 크롬 산화물이 도핑된 알루미나와 같은 다른 반도전성 세라믹은 유용한 고온 척 물질을 형성한다. 만일 상기 척(100)이 오직 저온에서만 사용되어야 한다면, 고유저항이 존슨-라벡 효과에 적합한 범위내로 있는 한 다른 세라믹 및/또는 알루미나와 같은 유전 물질들이 사용될 수 있다. 세라믹 정전 척의 예는 1996년 4월 30일 특허 허여된 미국 특허 번호 제 5,511,799호에 개시되어 있고, 이를 여기에 참조된다. 비-정전 척의 예는 1980년 1월 15일 특허 허여된 미국 특허 번호 제 4,184,188호와 1983년 5월 24일 특허 허여된 미국 특허 번호 제 4,384,918호에 공개되어 있고, 이들 둘 모두를 참조하여 설명할 것이다.
도 2는 전도성 중합 물질로 만들어진 스탠드-오프 패드의 예에 대한 패턴의 평면도를 도시한다. 실선을 사용해 도시된 바와 같이, 다수의 각 섬(206)들이 모여서 패드(102)를 형성한다. 상기 스탠드-오프 패드(102)는 상기 척(100)의 지지 표면(114)에 위치한 다수의 섬(206)들로 구성된다. 전형적으로, 각 섬(206)은 직경이 약 1-10, 바람직하게 2-3mm이다. 이들은 서로에 대해 일정 거리를 유지하고, 섬의 크기와 간격에 따라 웨이퍼(106)의 하부 표면(108)의 2%에서 75%사이로 접촉한다. 바람직하게, 섬(206)들은 웨이퍼(106)의 표면 영역의 대략 5%에서 60% 정도 접촉한다. 섬(206)들의 수, 간격 및 크기는 요구되는 클램핑력의 크기와 관련된다. 존슨-라벡 척킹력이 스탠드-오프 패드(102)와 웨이퍼9106)사이의 표면 접촉 영역에 직접 비례하기 때문에, 큰 클램핑력을 얻기 위해서는, 섬(206)들은 상대적으로 크거나 또는 상대적으로 서로 근접하게 위치해야만 한다. 전도성 중합체 패드(102)의 두께는 하이브리드 성분, 즉 존슨-라벡 효과와 쿨롱 효과의 조합에 기여함으로써 전체 척킹력에 영향을 줄 수 있지만, 전도성 중합체 패드(102)의 두께는 존슨-라벡 힘에 영향을 주지 못한다. 이러한 하이브리드 힘은 중합체 패드(102)의 두께와 반대로 변화된다. 따라서, 중합체 패드(102)의 두께 및 고유저항의 특정 조합에 따라서, 하이브리드 성분은 소정 환경하에서 존슨-라벡 힘에 필적할 수 있다.
선택적으로, 섬들(206)은 웨브(208)를 형성하기 위해 스트립(202와 204)들과 연결하여 서로 연결된다. 특히, 상기 연결 스트립들은 다수의 동심 링들(202)과 방사적으로 연장된 연결 스트립들(204)이다. 예를 들어, 상기 링은 대략 0.64㎝정도로 서로에 대해 일정 거리를 유지한 상태가 된다. 또한, 상기 링(202) 및/또는 방사 스트립(204)은 섬들(206)을 가지거나 또는 가지지 않은 웨이퍼 스탠드-오프 패드(102)로서 개별적으로 사용될 수 있다.
본 발명의 중요 특징은 웨이퍼(106)가 존슨-라벡 효과에 의하여 ESC(100)의 전도성 중합체 패드상에 유지된다는 것이다. 특정 스탠드-오프 패드 패턴과 패드 물질은 상기 척(100)의 특정 사용에 따라 선택될 수 있다. 척킹 전압, 척킹력, 웨이퍼 두께, 척 전극 패턴, 웨이퍼를 만드는 특정 과정 등이 고려되어야 할 요인이다.
전형적으로, 스탠드-오프 패드(102)는 드롭 디드펜서를 사용하여 중합 물질 용액을 분배함으로써 척 바디(112)의 지지 기판(114)상에 배치된다. 중합 용액을 분배한 이후에, 이 중합 물질은 건조되고 경화시켜진다. 이 방법으로 척 지지 기판에 영구적으로 고착되는 다수의 개별 지지 패드(섬들(206))가 생성된다.
스탠드-오프 패드(102)는 세라믹 척 몸체(112)상에 중합 물질을 약 1-200μm, 바람직하게 5-10μm 두께로 스핀 코팅하여 형성될 수 있다. 그러나, 두께는 중요하지 않은데 그 이유는 존슨-라벡 효과 척킹력이 전체 척킹력의 하이브리드 성분에 영향을 주지만 두께는 존슨-라벡 효과 척킹력에 영향을 주지 못하기 때문이다. 다음에 리소그래피 및 스퍼터 에칭을 이용하여, 스핀 코팅된 중합체 층은 선택적으로 에칭되어 세라믹 척 몸체(112)위에 스탠드-오프 패드(102)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 스탠드-오프 패드(102)는 개별 섬들 또는 섬들(206) 또는 상호 연결된 섬(206)의 웨브(208)를 형성하도록 에칭될 수 있다. 선택적으로 감광 중합체가 전도성 중합체로서 이용될 수 있으며, 스탠드-오프 패드(102)는 적합한 리소그래픽 기술에 의하여 형성될 수 있다. 전사 또는 스텐실 음각 프린팅과 같은 방법들에 의해 스탠드-오프 패드(102)를 형성하도록 사용될 수 있다.
웨브(205)를 제조하기 위한 패턴은 중합 물질 시트로부터 다이 컷이다. 웨브 패턴을 가진 스탠드-오프 패드(102)는 접착물로 상부 표면(114)에 고착시킬 필요가 없다. 이로써, 웨브(208)는 세척 또는 마모 혹은 다른 손상을 입었을 경우에 다른 스탠드-오프 패드(102)로 교환하기 위하여 척 몸체(112)의 상부 표면(114)으로부터 제거하기가 용이하다. 선택적으로, 스탠드-오프 패드(102)는 알루미늄과 같은 얇은 금속 시트의 다이 컷 코어를 질소-메틸 필로리딘(NMP)과 같은 용제에 용해된 도핑된 폴리이미드와 같은 중합 용액에서 딥 코팅하여 형성할 수 있다. 금속 코어의 부가는 세라믹 표면(114)상에 위치시키거나 또는 이 표면에서 제거하는데 도움을 줌으로써, 웨브에 지지력을 증가시킨다.
마모성이 적고 순응성이 큰 중합체 패드(102)는 웨이퍼(106)와 접촉시 척 몸체9112)의 세라믹 표면(114)보다 입자를 적게 발생시킨다. 순응성이 있는 물질로된 패드는 또한 척(100)상의 위치로 웨이퍼가 빠르게 이동하는 동안 웨이퍼(106)의 후면을 최소화한다. 본 발명에서, 도핑된 폴리이미드는 중합체 스탠드-오프 패드(102)를 형성하도록 이용된다. 유사한 도전성 성질을 가진, 즉 약 107-1012ohm-cm 범위내의 고유저항을 가진 다른 순응성 있는 물질 역시 웨이퍼(106)의 후면(108)과의 마모성 접촉으로부터 발생될 수 있는 입자 오염을 감소시키기 위하여 이용될 수 있다.
웨이퍼(106)에서 척 바디(112)까지의 열 전달을 용이하게 하기 위해, 열 전달 매체 예를 들어 헬륨과 같은 기체가 웨이퍼(106)의 후면(108)과 척 바디(112)의 지지 표면(114)사이의 공간 또는 채널(120)에 펌핑된다. 이러한 냉각 기술은 "후면 냉각"이라고 알려져 있다. 이 열 전달 매체는 척 바디(112)를 통하여 형성되는 포트(220)에 의해 공급된다. 이 매체는 전형적으로 웨이퍼(106) 하부(108)에 2-30sccm의 속도로 공급된다. 이 매체는 포트(220) 밖으로 유출되어 웨이퍼(106)의 에지로 이동되어 반응 챔버 환경으로 유입된다. 헬륨 및 아르곤과 같은 불활성 가스는 열 전달 매체로서 적합하다. 이러한 후면 냉각은 잘 알려져 있고, 예를 들어, 1993년 7월 20일 Tepman et al.에 특허된 미국 특허 번호 제5,228,501호에 개시되어 있다. 여기서 중요한 것은, 후면 냉각을 사용할 때, 전도성 중합체 웨이퍼 스탠드-오프 패드 패턴은 세 가지 목적을 가지는데 이는 다음과 같다:(1)후면 입자 고착을 감소시키도록 웨이퍼를 지지하는 것, (2) 존슨-라벡 효과로부터 웨이퍼를 척킹하는 것 및 (3) 척 몸체(112)의 상부 표면(114)상에 열 전달 매체 분배 매체를 생성하는 것이다. 추가적인 열 전달 매체 분배 채널(도시되지 않았음)은 웨이퍼(106)의 하부(108) 전체에 열 전달 매체를 더 많이 분배하도록 척 바디(112)의 상부 표면(114)에 형성될 수 있다. 이러한 후면 기체 분배 채널의 패턴은 척(100)에 대한 척을 특정 사용에 따라, 디자인과 복합성이 변경된다.
도 3은 본 발명에 따른 척 몸체(114)의 표면(114)에 형성된 리세스(302)에 배치된 스탠드-오프 패드(102)에 대한 단면도이다. 특히, 표면(114)의 리세스(302)는 패드(102)의 패턴을 매칭시키도록 패터닝된다. 세라믹 척(100)의 표면(114)에 밀링되거나 또는 그 외의 방법으로 형성된 리세스(302)는 웨이퍼 스탠드-오프 패드(102)보다 더 얇은 두께를 가진다. 리세스(302)의 깊이는 5-200, 바람직하게 50-125㎛ 범위이다. 이와 같이, 전도성 스탠드-오프 패드(102)는 척 몸체(112)의 표면(114)으로 돌출한다. 리세스(302)에 스탠드-오프 패드(102)를 위치시키는 것은 척(100)에 스탠드-오프 패드(102)를 유지시키는데 도움이 되고, 가공 중에 스탠드-오프 패드(102)의 요동을 방지한다. 리세스된 패턴은 척 표면(114)에서 후면 기체 분배 채널과 상응한다.
세라믹 척과 관련하는 스탠드-오프 패드(102)를 사용하는 것은 웨이퍼의 미립자 형태의 불순물을 실질적으로 감소하는 결과를 가져온다. 실험 데이터는 그 지지 표면상에서 직접적으로 웨이퍼를 지지하는 종래의 세라믹 척이 수 만개의 입자를 웨이퍼의 하부면으로 이동한다는 것을 보여준다. 그러나, 본 발명의 스탠드-오프 패드를 사용하면 웨이퍼 하부면에 위치하는 입자의 수를 백단위로 감소할 수 있다.
비록 본 발명과 관련된 다양한 실시예가 여기서 도시되고 상세히 설명되고 있지만, 당업자들이라면 누구나 본 발명과 관련된 다른 다양한 실시예를 고안할 수 있을 것이다.
이와 같은 본 발명은 비마모적인 웨이퍼 접촉, 웨이퍼 후면상의 입자 오염물 감소 및 존슨-라벡 효과로부터 발생되는 강한 척킹력을 가지는 효과를 가진다.

Claims (24)

  1. 제품 지지 표면을 가지는 정전 척에 있어서,
    상기 제품 지지 표면상부에 배치된 패터닝된 전도성 중합 물질 층을 포함하며,
    상기 중합 물질 층은 존슨-라벡 효과에 의하여 정전 척킹력을 제공하도록 제어된 고유저항을 가지는 물질인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 중합 물질 층은 전도성 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 중합 물질 층은 웨브를 형성하도록 패터닝되는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 웨브는:
    다수의 섬들; 및
    다수의 연결 스트립들을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 웨브는 전도성 중합 물질로 코팅되고 패터닝된 금속 코어를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 중합 물질 층은 다수의 섬들을 형성하도록 상기 제품 지지 표면상에 증착되는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 중합 물질 층은 상기 섬들을 상호연결하기 위한 연결 스트립을 가지도록 패터닝되는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 제어된 고유저항은 약 107-1012ohm-cm 범위인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  9. 제품 지지 표면을 가지는 반전도층을 가진 척; 및
    상기 척의 상기 제품 지지 척위에 배치된 패터닝된 스탠드-오프 패드를 포함하며, 상기 스탠드-오프 패드는 존슨-라벡 효과에 의하여 상기 척위에 제품을 유지할 수 있는 제어된 고유저항을 가진 전도성 중합 물질로 만들어진 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 중합 물질 층은 전도성 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 제품 지지 표면은 리세스 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 리세스 패턴은 상기 스탠드-오프 패드의 형상에 상응하며, 상기 스탠드-오프 패드는 상기 리세스 패턴으로 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 중합 물질 층은 웨브를 형성하도록 패터닝되는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 웨브는 전도성 중합 물질로 코팅되고 패터닝된 금속 코어를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 웨브는;
    다수의 섬들; 및
    다수의 연결 스트립을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제 9 항에 있어서, 상기 중합 물질 층은 다수의 섬들을 형성하도록 상기 제품 지지 표면상에 증착되는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 중합 물질 층은 상기 섬들을 상호연결하는 연결 스트립을 가지도록 패터닝되는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제 9항에 있어서, 상기 제어된 고유저항은 약 107-1012ohm-cm 범위인 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 척의 반전도성 물질 층의 제품 지지 척위에 전도성 중합 물질을 배치하는 단계; 및
    상기 전도성 중합 물질을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 존슨-라벡 정전 척 제조 방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 배치 단계는 중합 물질을 상기 제품 지지 표면상에 분배하도록 드롭 디스펜서를 포함하는 것을 특징으로 하는 존슨-라벡 정전 척 제조 방법.
  21. 제 19 항에 있어서, 상기 배치 단계는:
    상기 중합 물질을 스핀 코팅하는 단계; 및
    스탠드-오프 패드를 형성하도록 상기 중합 물질을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 존슨-라벡 정전 척 제조 방법.
  22. 제 19항에 있어서, 상기 전도성 중합 물질은 약 107-1012ohm-cm 범위내의 제어되는 고유저항을 가지는 전도성 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 존슨-라벡 정전 척 제조 방법.
  23. 존슨-라벡 척용 스탠드-오프 패드를 제조하는 방법에 있어서,
    제어된 고유저항을 가진 전도성 중합 물질 시트를 제공하는 단계; 및
    상기 스탠드-오프 패드를 형성하도록 상기 시트를 다이-컷하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 금속 시트를 스탠드-오프 패드에 대한 패턴으로 다이-컷하는 단계;
    상기 다이-컷 시트를 제어된 고유저항을 가진 전도성 중합 물질로 딥 코팅하는 단계; 및
    상기 코팅을 경화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 존슨-라벡 척 제조 방법.
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