KR20000034033A - 반사형 액정 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정표시 장치의 화질 개선과 개구율 향상을 목적으로 한다.

본 발명은 기판과; 기판 상의 표면에 첫 번째 방향으로 연장되고 게이트 전극을 가지는 게이트 배선과; 게이트 전극과 절연되고, 게이트 전극과 겹치게 형성된 반도체층과; 기판 상에 구성되며 첫 번째 방향과 교차되고 게이트 배선과 절연되며, 실질적으로 게이트 배선과 직각을 이루고 연장되는 데이터 배선과; 데이터 배선의 일측에 형성된 소스 전극과, 소스 전극과 대응하는 쪽에 형성된 드레인 전극을 포함하고 기판 상에 구성된 박막 트랜지스터와; 데이터 배선 및 인접 데이터 배선을 같은 면적으로 일부만 덮고 상기 게이트 배선의 일부와 겹치며 상기 드레인 전극과 접촉하는 반사 전극과; 겹쳐진 게이트 배선을 제 1 스토리지 전극으로 하고 게이트 배선과 겹치는 반사 전극의 일부분을 제 2 스토리지 전극으로 하는 스토리지 캐패시터를 포함하는 반사형 액정표시장치.

Description

반사형 액정 표시장치 및 그 제조방법.

본 발명은 액정 표시장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 고 개구율을 갖는 반사형 액정표시 장치에 관한 것이다.

최근 정보화 사회로 시대가 급진전함에 따라, 대량의 정보를 처리하고 이를 표시하는 디스플레이(display)분야가 발전하고 있다.

근대까지 브라운관(cathode-ray tube ; CRT)이 표시장치의 주류를 이루고 발전을 거듭해 오고 있다. 그러나, 최근 들어 소형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 시대상에 부응하기 위해 평판 표시소자(plate panel display)의 필요성이 대두되었다. 이에 따라 색 재현성이 우수하고 박형인 박막 트랜지스터형 액정 표시소자(Thin film transistor-liquid crystal display ; 이하 TFT-LCD라 한다)가 개발되었다.

TFT-LCD의 동작을 살펴보면, 박막 트랜지스터에 의해 임의의 화소(pixel)가 스위칭 되면, 스위칭된 임의의 화소는 하부광원의 빛을 투과할 수 있게 한다.

상기 스위칭 소자는 반도체층을 비정질 실리콘으로 형성한, 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(amorphous silicon thin film transistor ; a-Si:H TFT)가 주류를 이루고 있다. 이는 비정질 실리콘 박막이 저가의 유리기판과 같은 대형 절연기판 상에 저온에서 형성하는 것이 가능하기 때문이다.

일반적으로 사용되는 TFT-LCD는 패널의 하부에 위치한 백라이트라는 광원의 빛에 의해 영상을 표현하는 방식을 써왔다. 그러나, TFT-LCD는 백라이트에 의해 입사된 빛의 3∼8%만 투과하는 매우 비효율적인 광 변조기이다.

두 장의 편광의 투과도는 45%, 하판과 상판의 유리 두 장의 투과도는 94%, TFT어레이 및 화소의 투과도는 약 65%, 컬러필터 외의 투과도는 27%라고 가정하면 TFT-LCD의 광 투과도는 약 7.4%이다. 표 1은 백라이트에서 나온 빛의 각 층별 투과도를 도식적으로 나타낸 도면이다.

[표 1] TFT-LCD의 백라이트에서 나온 빛이 각층을 통과할 때의 투과도

상술한 바와 같이 실제로 TFT-LCD를 통해 보는 빛의 양은 백라이트에서 생성된 빛의 약 7%정도이므로 고 휘도의 TFT-LCD에서는 백라이트의 밝기가 밝아야 하고, 상기 백라이트에 의한 전력 소모가 크다. 따라서 백라이트의 전원 공급을 위해서는 전원 공급 장치의 용량을 크게 하여, 무게가 많이 나가는 배터리(battery)를 사용해 왔다. 그러나 이 또한 장시간 사용할 수 없었다.

상술한 문제점을 해결하기 위해 최근에 백라이트 광을 사용하지 않는 반사형 TFT-LCD가 연구되었다. 이는 자연광을 이용하여 동작하므로, 백라이트가 소모하는 전력량을 대폭 감소하는 효과가 있기 때문에 장시간 휴대상태에서 사용이 가능하고, 개구율 또한 기존의 백라이트형 TFT-LCD보다 우수하다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 반사형 TFT-LCD에 관해 설명한다.

일반적인 TFT-LCD는 하부의 백라이트(back light)와 하부 기판이라 불리는 박막 트랜지스터 배열 기판(TFT array substrate), 상부 기판이라 불리는 컬러필터 기판(color filter substrate)등으로 구성된다. 이하 설명될 내용은 하부 기판인 박막 트랜지스터 배열 기판에 관한 것이다.

먼저 종래의 반사형 TFT-LCD의 한 픽셀에 해당하는 평면도인 도 1을 참조하여 설명하면, 기판 상에 행으로 배열된 N 번째 게이트 배선(8)과 N-1 번째 게이트 배선(6)이 위치하고, 열로 배열된 N 번째 데이터 배선(2)과 N+1 번째 데이터 배선(4)이 매트릭스(matrix)를 이루고 있다. 그리고 N 번째의 게이트 배선(8)의 소정의 위치에 게이트 전극(18)이 위치하고, N 번째 데이터 배선에 소스 전극(12)이 상기 게이트 전극(18) 상에 소정의 길이로 오버랩(overlap) 되게 형성되어있다. 또한 상기 소스 전극(12)과 대응되게 드레인 전극(14)이 형성되어 있고, 상기 드레인 전극(14) 상에 위치한 콘택홀을 통해 반사 전극(10)이 상기 드레인 전극(14)과 전기적으로 접촉하고 있다.

더욱더 자세히 설명하기 위해 도 1의 절단선인 Ⅱ-Ⅱ'따라 자른 단면의 공정도인 도 2a 내지 도 2d를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

도 2a는 게이트 금속층인 제 1 금속층을 증착하고 패터닝(patterning)하여 게이트 전극(12)을 형성하는 단계이다. 상기 게이트 전극(12)으로 사용되는 물질은 스퍼터(sputter)를 이용하여 증착하며 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W), 구리(Cu) 등을 사용한다.

다음 공정으로 도 2b에 도시된 바와 같이 상기 게이트 전극(12) 상에 절연막(30)을 증착하고 반도체층을 연속으로 증착하고 패터닝 하여 TFT의 아일랜드(32)를 형성한다. 상기 아일랜드는 박막 트랜지스터에서 활성층(active layer)으로써 역할을 하게 된다. 상기 절연막(30)은 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막의 무기절연 물질을 사용할 수 있고, 유기질의 BCB(benzocyclobutene)나 아크릴을 사용할 수 있다.

도 2c는 박막 트랜지스터에서 사용되는 데이터 배선과 소스/드레인 전극을 형성하는 단계로, 상기 게이트 전극(12)과 같은 방법으로 형성한다. 즉, 제 2 금속층을 증착하고 패터닝 하여 소스 전극(12)과 드레인 전극(14), N+1 번째 데이터 배선(4), N 번째 데이터 배선(2)을 형성한다. 단면도인 도 2c에 도시되지는 않았지만 상기 N 번째 데이터 배선(2)과 상기 소스 전극(12)은 서로 전기적으로 연결되어 있다.

다음은 도 2d에서와 같이 상기 배선과 전극을 보호하기 위한 보호층(34)을 증착 하는 단계이다. 또한 상기 보호층(34)은 층간 절연막으로써 추후 형성될 전극과의 격리를 목적으로 한다. 상기 드레인 전극(14) 상의 상기 보호층(34)에 콘택홀(16, contact hole)을 형성한다.

최종적인 단계로 상기 TFT 아일랜드(32)에 빛이 입사되는 것을 방지하는 차광막(미도시)과, 반사 전극(10)을 형성하는 단계이다. 상기 반사 전극(10)은 상기 드레인 전극(14)과 콘택홀(16)을 통하여 전기적으로 접촉하고 있다(도 2e 참조).

상술한바와 같은 반사형 TFT-LCD는 내부적으로 광원을 사용하지 않기 때문에 장시간 사용이 가능하다. 반사형 TFT-LCD는 외부의 자연광을 상기 반사 전극(10)에 반사시켜, 상기 반사된 빛을 이용하는 구조로 되어 있다.

종래의 반사형 TFT-LCD는 개구율을 높이기 위해서 상기 반사 전극(10)을 상기 데이터 배선(2)(4)까지 연장하였다. 즉, 도 1 및 도 2e에서 보는 바와 같이 N 번째 데이터 배선(2)과 N+1 번째 데이터 배선(4)의 일부와 상기 반사 전극(10)이 △L 만큼의 길이로 오버랩이 되어 있다. 따라서 오버랩된 △L 만큼의 면적이 증가하여 그만큼 개구율이 증가한다.

그러나, 상술한 종래의 반사형 TFT-LCD는 상기 데이터 배선(2)(4)과 반사 전극(10)의 오버랩에 있어서, 상기 반사 전극(10)은 인접 반사 전극(10a)(10b)과 상기 데이터 배선(2)(4)을 공유하는 구조로 되어있다. 이에 따라 상기 반사 전극(10)(10a)(10b)의 패터닝에 있어서 미스얼라인(misalign)에 대비해서 공정상의 공정 마진(A)을 두고 패터닝 한다.

이때, 얼라인(align)과정에서 약간의 오차가 있다고 가정하면 상기 N 번째 데이터 배선(2) 상에서 오버랩된 상기 반사 전극(10)과, N+1 번째 데이터 배선(4) 상에서 오버랩된 반사 전극(10)과의 오버랩 길이인 △L 값이 서로 다르기 때문에, 상기 N 번째 데이터 배선(2) 상에서 오버랩된 상기 반사 전극(10)과의 기생 충전용량(parasitic capacitance)과, N+1 번째 데이터 배선(4) 상에서 오버랩된 반사 전극(10)과의 기생 충전용량이 다르게 나타난다. 이에 따라, TFT-LCD의 화질에 영향을 미치는 수직 크로스-토크(cross-talk)가 나타날 수 있다. 상기 크로스-토크는 외부 구동회로에 의해 선택되지 않은 주사 배선(address line)이 상술한 △L 의 차이에 의해 생기는 충전용량으로 인해 콘덴서의 역할을 하게되어 TFT-LCD에서 노이즈(noise)로 작용하는 것이다. 따라서 TFT-LCD의 화질에 나쁜 영향을 주는 단점이 있다.

또한, 종래와 같이 반사형 TFT-LCD를 제작할 경우에 공정상의 공정마진을 소정의 크기 A로 두어야 함으로, 상기 공정마진 A의 부분은 개구부에서 제외되는 단점이 있다.

상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 자연광을 사용하는 TFT-LCD에서 개구율을 향상하는데 그 목적이 있다.

그리고, 데이터 배선에 의한 반사를 최소화하는데 그 목적이 있다.

또한, 데이터 배선에 의한 반사 전극의 영향을 감소시켜 크로스-토크의 발생을 줄이는데 그 목적이 있다.

또한, TFT-LCD의 제작 공정을 줄이는데 그 목적이 있다.

도 1은 종래의 고개구율 반사형 TFT-LCD를 나타내는 한 픽셀에 해당하는 평면도.

도 2a ∼ 도 2e는 도 1의 절단선인 Ⅱ-Ⅱ'으로 자른 단면의 공정을 나타내는 공정도.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 고개구율 반사형 TFT-LCD를 나타내는 한 픽셀에 해당하는 평면도.

도 4a ∼ 도 4e는 도 3의 절단선인 Ⅳ-Ⅳ'으로 자른 단면의 공정을 나타내는 공정도.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

1 : 기판 50 : 데이터 배선

52 : 인접 데이터 배선 54 : 인접 게이트 배선

56 : 게이트 배선 58 : 게이트 전극

60 : 소스 전극 62 : 드레인 전극

64 : 반사 전극 70 : 제 1 절연층

72 : 반도체층 74 : 제 2 절연층

76 : 콘택홀

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판과; 상기 기판 상의 표면에 첫 번째 방향으로 연장되고 게이트 전극을 가지는 게이트 배선과; 상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 게이트 전극과 겹치게 형성된 반도체층과; 상기 기판 상에 구성되며 상기 첫 번째 방향과 교차되고 상기 게이트 배선과 절연되며, 실질적으로 상기 게이트 배선과 직각을 이루고 연장되는 데이터 배선과; 상기 데이터 배선의 일측에 형성된 소스 전극과, 상기 소스 전극과 대응하는 쪽에 형성된 드레인 전극을 포함하고 상기 기판 상에 구성된 박막 트랜지스터와; 상기 데이터 배선 및 인접 데이터 배선을 같은 면적으로 일부만 덮고 상기 게이트 배선의 일부와 겹치며 상기 드레인 전극과 접촉하는 반사 전극과; 상기 겹쳐진 게이트 배선을 제 1 스토리지 전극으로 하고 상기 게이트 배선과 겹치는 반사 전극의 일부분을 제 2 스토리지 전극으로 하는 스토리지 캐패시터를 포함하는 반사형 액정표시장치에 관해 개시한다.

또한, 본 발명은 기판 상의 표면에 제 1 도전층을 증착 하는 단계와; 상기 도전층을 게이트 배선과 게이트 전극과 상기 기판의 표면으로 노출되게 패터닝 하는 단계와; 상기 기판 상의 표면과 상기 게이트 배선과 상기 게이트 전극 상에 제 1 절연층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 절연층 상에 비정질 실리콘과 도핑된 비정질 실리콘층으로 구성된 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 상의 상기 제 1 절연층 상에 반도체층을 패터닝 하여 액티브층을 형성하는 단계와; 상기 액티브층이 형성된 기판 상의 전면에 제 2 금속층을 형성하는 단계와; 상기 제 2 도전층을 상기 게이트 배선과 수직되게 데이터 배선을 패터닝하고, 상기 데이터 배선과 연결되고 상기 게이트 전극과 소정의 길이로 겹치게 소스 전극을 패터닝하고, 상기 소스 전극과 마주보는 쪽에 상기 게이트 전극과 소정의 길이로 겹치게 드레인 전극을 패터닝 하는 단계와; 상기 패턴된 제 2 도전층 상의 전면에 제 2 절연층을 형성하고 상기 드레인 전극 상에 콘택홀이 형성되게 패터닝 하는 단계와; 상기 제 2 절연층 상에 제 3 도전층을 형성하고 상기 드레인 배선의 폭을 덮고, 상기 드레인 배선의 길이와 인접 드레인 배선의 길이가 같은 면적으로 일부분만 덮도록 화소 전극을 패터닝 하는 단계를 포함하는 반사형 액정표시장치 제조방법에 관해 개시하고 있다.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 구성과 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.

이해를 돕기 위해 본 발명에 의한 반사형 액정표시장치의 한 화소에 해당하는 평면도인 도 3과, 도 3의 절단선 Ⅳ-Ⅳ'로 자른 단면으로 나타낸 공정 단면도인 도 4a∼4d를 참조하여 설명한다.

먼저 도 3에 대해 설명하면, 행 방향으로 N 번째 게이트 배선(56)과 N+1 번째 게이트 배선(54)이 위치한다. 또한, 열 방향으로 N 번째 데이터 배선(50)과 N+1 번째 데이터 배선(52)이 위치하고, 소스 전극(60)과 드레인 전극(62) 그리고 게이트 전극(58)이 박막 트랜지스터를 구성하고 있다.

게다가, 반사 전극(64)이 한 화소를 이루며 반사형 액정표시 장치(이하 TFT-LCD라 한다)의 픽셀은 구성된다.

상기 반사 전극(64)과 N 번째 데이터 배선(50) 및 N+1 번째 데이터 배선(52)이 겹쳐진 빗금친 영역(B, B')은 상기 반사형 TFT-LCD가 구동할 때 수직으로 생기는 크로스-토크(cross talk)를 줄이기 위함과 동시에 도 1과 같은 종래의 TFT-LCD의 개구부에서 제외됐던 영역까지도 화소로 형성하기 위함이다.

상기 수직 크로스-토크는 데이터 배선(50, 52)에 전압이 인가되면 상기 데이터 배선(50, 52)의 전계에 의해 인접 액정층이 영향을 받아 화질이 떨어지는 현상이다.

상기와 같은 크로스-토크나 화면 깜박임의 프리커(flicker)의 효과를 줄이기 위해 TFT-LCD는 여러 가지 방법으로 구동된다. 일반적인 구동방법은 액정의 열화 방지를 위해 교류구동 방식을 채택한다. 즉, 한 화소를 기준으로 전계에 따라 + 신호와 - 신호를 번갈아 데이터 배선에 인가한다. 상술한 구동방식으로는 필드 반전(field inversion), 게이트 반전(gate inversion ; line 반전이라고도 함), 데이터 반전(data inversion ; column 반전이라고도 함), 점 반전(dot inversion)등이 있다.

다시 말해, 반전구동 방식으로 N 번째 데이터 배선(50) 및 N+1 번째 데이터 배선(52)에 신호가 인가되면 겹쳐진 빗금친 영역 B와, B'은 서로 면적이 같기 때문에 N 번째 데이터 배선(50)과 N+1 번째 데이터 배선(52)에 극성이 서로 다른 전계가 인가돼도 서로 상쇄되어 상기 반사 전극(64)에 인가된 신호 전압에 거의 영향을 미치지 못한다. 따라서, 종래의 반사형 TFT-LCD보다 개구율과 화질 모두 우수한 특성을 기대할 수 있다.

더욱더 상세하게 설명하기 위해 도 3의 절단선인 Ⅳ-Ⅳ'로 자른 단면의 공정도인 도 4a-4e를 참조하여 설명한다.

먼저 도 4a는 기판(1) 상에 제 1 도전물질을 증착하고 패터닝 하여 게이트 전극(58)을 형성한 단계로서 반사형 TFT-LCD 어레이(array) 기판의 처음 공정이다.

다음 공정으로 도 4b에서와 같이 기판(1)과 상기 게이트 전극(58) 상에 제 1 절연층(70)과 반도체층을 형성하고 패터닝 하여 상기 게이트 전극 상의 반도체층인 액티브층(72)을 형성한다. 상기 액티브층(72)은 비정질 실리콘과 도핑된 비정질 실리콘으로 구성된다.

도 4c는 드레인 배선(50, 52)과 소스 전극(60) 및 드레인 전극(62)을 형성하는 단계로 도면에서와 같이 제 2 도전물질을 증착하고 패터닝 하여, 상기 소스 전극(60) 및 상기 드레인 전극(62)을 액티브층(72) 및 그 하부의 게이트 전극(58)과 소정의 길이로 오버랩 되게 형성한다.

다음에 층간 절연막을 형성하는 단계로 상기 기판상의 전면에 걸쳐 제 2 절연층(74)을 증착 한다. 이후 패터닝에 의해 상기 드레인 전극(62) 상부의 제 2 절연층 상에 콘택홀(76)을 형성한다(도 4d 참조). 이는 도 4e에서와 같이 제 3 도전물질과 드레인 전극(62)과의 접촉을 위해 형성한다. 상기 제 3 도전물질을 패터닝 하여 화소 전극(64)을 형성한다. 상기 화소 전극(64)은 반사형 TFT-LCD에서는 반사판의 역할을 한다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따라 반사형 TFT-LCD를 제작할 경우 도 3 및 도 4e의 N 번째 데이터 배선(50) 및 N+1 번째 데이터 배선(52)과 반사 전극(64)과 겹치는 영역인 B와 B'의 기생 정전용량(parasitic capacitance)의 크기는 같고, 반전(inversion)구동방식으로 그 극성은 서로 반대가 되어 상기 기생 정전용량이 상쇄된다. 따라서 상기 데이터 배선(50, 52)에 의한 광 반사가 없고, 이에 따라 BM(black matrix)을 형성할 필요가 없으며, 개구율 또한 우수하고, 수직 크로스-토크의 영향도 줄일 수 있다.

본 발명은 본 실시예에만 그치지 않고 N 번째 데이터 배선(50) 및 N+1 번째 데이터 배선(52)과 반사 전극(64)과 겹쳐지는 면적인 B, B'가 동일한 구조도, 본 발명에 포함될 수 있을 것이다.

상술한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예를 따라 반사형 TFT-LCD를 제작 할 경우에 다음과 같은 효과가 있다.

첫째, 인접한 데이터 배선에 서로 다른 극성의 신호가 인가되는 반전구동 방식의 반사형 TFT-LCD에서 반사 전극과 상기 데이터 배선의 겹치는 면적이 서로 같기 때문에, 이 때문에 생기는 수직 크로스-토크가 서로 상쇄되어 안정적인 영상을 구현하는 장점이 있다.

둘째, 화소 전극의 역할을 하는 반사 전극이 인접 데이터 배선까지 확장되어 개구율이 증가하는 장점이 있다.

셋째, 반사 전극이 데이터 배선까지 확장되어 상기 데이터 배선에 의한 광 반사를 제거할 수 있어 BM(black matrix)을 형성하지 않아도 되는 장점이 있다.

넷째, 개구율 향상으로 인해 휘도가 증가하는 장점이 있다.

Claims (10)

1. 기판과;

   상기 기판 상의 표면에 첫 번째 방향으로 연장되고 게이트 전극을 가지는 게이트 배선과;

   상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 게이트 전극과 겹치게 형성된 반도체층과;

   상기 기판 상에 구성되며 상기 첫 번째 방향과 교차되고 상기 게이트 배선과 절연되며, 실질적으로 상기 게이트 배선과 직각을 이루고 연장되는 데이터 배선과;

   상기 데이터 배선의 일측에 형성된 소스 전극과, 상기 소스 전극과 대응하는 쪽에 형성된 드레인 전극을 포함하고 상기 기판 상에 구성된 박막 트랜지스터와;

   상기 데이터 배선 및 인접 데이터 배선을 같은 면적으로 일부만 덮고 상기 게이트 배선의 일부와 겹치며 상기 드레인 전극과 접촉하는 반사 전극과;

   상기 겹쳐진 게이트 배선을 제 1 스토리지 전극으로 하고 상기 게이트 배선과 겹치는 반사 전극의 일부분을 제 2 스토리지 전극으로 하는 스토리지 캐패시터

   를 포함하는 반사형 액정표시장치.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 반사전극은 상기 데이터 배선과 인접 데이터 배선의 너비 전체와 길이

   의 절반을 덮는 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시장치.
3. 청구항 1에 있어서,

   상기 반도체층은 비정질 실리콘과 도핑된 비정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시장치.
4. 청구항 1에 있어서,

   상기 게이트 전극과 상기 게이트 배선과 상기 데이터 배선과 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극과 상기 반사 전극은 실질적으로 불투명한 금속인 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시장치.
5. 기판 상의 표면에 제 1 도전층을 증착 하는 단계와;

   상기 도전층을 게이트 배선과 게이트 전극과 상기 기판의 표면으로 노출되게 패터닝 하는 단계와;

   상기 기판 상의 표면과 상기 게이트 배선과 상기 게이트 전극 상에 제 1 절연층을 형성하는 단계와;

   상기 제 1 절연층 상에 비정질 실리콘과 도핑된 비정질 실리콘층으로 구성된 반도체층을 형성하는 단계와;

   상기 게이트 전극 상의 상기 제 1 절연층 상에 반도체층을 패터닝 하여 액티브층을 형성하는 단계와;

   상기 액티브층이 형성된 기판 상의 전면에 제 2 금속층을 형성하는 단계와;

   상기 제 2 도전층을 상기 게이트 배선과 수직되게 데이터 배선을 패터닝하고, 상기 데이터 배선과 연결되고 상기 게이트 전극과 소정의 길이로 겹치게 소스 전극을 패터닝하고, 상기 소스 전극과 마주보는 쪽에 상기 게이트 전극과 소정의 길이로 겹치게 드레인 전극을 패터닝 하는 단계와;

   상기 패턴된 제 2 도전층 상의 전면에 제 2 절연층을 형성하고 상기 드레인 전극 상에 콘택홀이 형성되게 패터닝 하는 단계와;

   상기 제 2 절연층 상에 제 3 도전층을 형성하고 상기 드레인 배선의 폭을 덮고, 상기 드레인 배선의 길이와 인접 드레인 배선의 길이가 같은 면적으로 일부분만 덮도록 화소 전극을 패터닝 하는 단계

   을 포함하는 반사형 액정표시장치 제조방법.
6. 청구항 5에 있어서,

   상기 화소 전극은 상기 데이터 배선과 인접 데이터 배선의 너비의 전체와 오버랩 되고 길이의 절반과 오버랩된 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시장치 제조방법.
7. 청구항 6에 있어서,

   상기 데이터 배선과 인접 데이터 배선과의 오버랩된 부분의 정전용량은 서로 그 크기는 같고 극성은 반대인 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시장치 제조방법.
8. 청구항 5에 있어서,

   상기 화소 전극은 외부 광을 반사하는 반사 전극인 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시장치 제조방법.
9. 청구항 5에 있어서,

   상기 제 1 도전층, 제 2 도전층, 제 3 도전층은 실질적으로 불투명한 금속층인 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시장치 제조방법.
10. 청구항 5에 있어서,

    상기 제 2 절연층은 유기 절연막인 것을 특징으로 하는 반사형 액정표시장치 제조방법.