KR20000033837A - 액정 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

제1 기판 위에 형성되어 있는 금속 배선, 금속 배선 위에 형성되어 있으며 유전율이 ε1이고 두께가 d1인 제1 절연막, 제1 절연막 위에 형성되어 있는 화소 전극, 제1 기판과 마주보고 있는 제2 기판, 제2 기판의 아래면에 형성되어 있는 공통 전극 및 제1 기판과 제2 기판의 사이의 높이 d1인 공간에 주입되어 있으며 유전율이 ε2인 액정층을 포함하는 액정 표시 장치에 있어서, 공통 전극과 금속 배선 사이에 인가되는 전압이 V이고, 액정 분자가 영향을 받기 시작하는 공통 전극과 화소 전극 사이의 임계 전압이 Vth라 할 때, 관계식
d1〉d2(ε1/ε2)(V/Vth-1) (1)
을 만족하는 액정 표시 장치를 마련한다. 이렇게 하면, 블랙 매트릭스를 형성하지 않더라도 빛샘을 방지할 수 있어서 개구율을 최대로 할 수 있다.

Description

액정 표시 장치
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 박막 트랜지스터와 화소 전극 등이 형성되어 있는 하부 기판과 컬러 필터, 블랙 매트릭스 및 공통 전극 등이 형성되어 있는 하부 기판 사이에 액정 물질을 주입하고 상하 기판에 형성되어 있는 두 전극 사이에 인가하는 전압을 변화시킴으로써 액정의 배열을 변경시켜 빛의 투과율을 조절하는 방식으로 화상을 표현하는 장치이다.
액정 표시 장치의 하부 기판에는 박막 트랜지스터를 통하여 화소 전극에 특정한 전압을 인가하기 위하여 게이트 배선과 데이터 배선이 형성되어 있는데, 게이트 배선은 주사 신호를 전달하고 데이터 배선은 화상 신호를 공급한다. 여기서, 주사 신호는 특정 화소행의 박막 트랜지스터를 턴온(turn on)시키는 기능을 하고 화상 신호는 특정 화소열의 박막 트랜지스터의 소스 전극에 특정한 계조 전압을 인가한다. 따라서, 주사 신호가 인가된 화소행과 화상 신호가 인가된 화소열의 교차점의 박막 트랜지스터를 통해 화소 전극에 계조 전압이 인가되어 해당 화소가 특정한 계조로 나타나게 되고, 나머지 화소는 오프(off) 상태로 유지된다.
그런데 게이트 배선과 데이터 배선에 주사 신호나 화상 신호가 인가되는 동안에는 이들 배선과 상판의 공통 전극 사이에도 전기장이 형성되고, 이 전기장에 액정 분자가 영향을 받아 배열이 변경되면서 이들 배선의 주위에서 원치 않는 계조가 나타난다. 특히 액정 분자를 기판에 대하여 수직 방향으로 배향하는 VA(vertically aligned) 모드의 노멀리 블랙 모드(normally black mode)에서는 이러한 원치 않는 계조는 빛샘 현상으로 나타나게 되므로 블랙 매트릭스를 넓게 형성하여 새는 빛을 차단하여야 한다. 그러나 블랙 매트릭스를 넓게 형성하면 할수록 개구율이 감소하는 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 액정 표시 장치의 개구율을 증가시키는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 또 하나의 과제는 블랙 매트릭스가 필요 없는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.
이러한 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는 게이트 배선 및 데이터 배선과 화소 전극 사이에 놓이는 절연막의 두께를 특정한 두께 이상으로 형성한다.
구체적으로는, 제1 기판 위에 형성되어 있는 금속 배선, 금속 배선 위에 형성되어 있으며 유전율이 ε1이고 두께가 d1인 제1 절연막, 제1 절연막 위에 형성되어 있는 화소 전극, 제1 기판과 마주보고 있는 제2 기판, 제2 기판의 아래면에 형성되어 있는 공통 전극 및 제1 기판과 제2 기판의 사이의 간격 d2인 공간에 주입되어 있으며 유전율이 ε2인 액정 물질을 포함하는 액정 표시 장치에 있어서, 공통 전극과 금속 배선 사이에 인가되는 전압이 V이고, 액정층의 액정 분자가 영향을 받기 시작하는 공통 전극과 화소 전극 사이의 임계 전압이 Vth라 할 때, 수학식 1을 만족하는 액정 표시 장치를 마련한다.
d1〉d2(ε1/ε2)(V/Vth-1)
이 때, 금속 배선 위에 CrOx층을 더 형성할 수 있고, 금속 배선은 게이트 배선일 수 있으며, 제1 기판과 금속 배선 사이에 형성되어 있는 제2 절연막을 더 포함할 수도 있으며, 금속 배선은 데이터 배선일 수 있다. 또, 제2 기판과 공통 전극 사이에 형성되어 있으며 그 폭이 금속 배선의 폭에 얼라인 미스 마진을 두 배한 값을 더한 것보다 작은 블랙 매트릭스를 더 포함할 수도 있다.
그러면 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치는 제1 및 제2 절연층(11, 13), 게이트 배선(도시하지 않음), 데이터 배선(12), 화소 전극(14) 및 박막 트랜지스터(도시하지 않음) 등이 형성되어 있는 하부 기판(10)과 블랙 매트릭스(21), 컬러 필터(22) 및 공통 전극(23) 등이 형성되어 있는 상부 기판(20) 사이에 주입되어 밀봉되어 있는 액정층(30)으로 이루어져 있다.
여기서, 게이트 배선은 하부 기판(10) 위에 형성되어 제1 절연층(11)에 덮여 있고, 데이터 배선(12)은 제1 절연층(11) 위에 형성되어 제2 절연층(13)에 덮여 있으며, 화소 전극(14)은 제2 절연층(13) 위에 형성되어 있다. 이 때, 제2 절연층(13)은 두께가 d1이고 유전율이 ε1이다.
상부 기판(20)에는 블랙 매트릭스(21)가 하부 기판(10)의 게이트 배선 및 데이터 배선과 중첩되는 패턴으로 W의 폭으로 형성되어 있고, 블랙 매트릭스(21) 아래에는 컬러 필터(22)가 블랙 매트릭스(22)에 의하여 구획된 상부 기판(20)의 아래면을 덮도록 형성되어 있으며, 컬러 필터(22)의 아래에는 공통 전극(23)이 모든 컬러 필터(22)를 덮도록 형성되어 있다. 이 때, 블랙 매트릭스(21)의 폭 W는 게이트 배선과 중첩되는 부분에서는 게이트 배선의 폭에 얼라인 미스 마진(align miss margin)을 두 배한 값을 더한 값이 되고, 데이터 배선과 중첩되는 부분에서는 데이터 배선의 폭에 얼라인 미스 마진을 두 배한 값을 더한 값이 되도록 하여 블랙 매트릭스(21)의 폭을 최소화한다. 또한 때에 따라서는 블랙 매트릭스(21)를 형성하지 않을 수도 있는데, 이 경우에는 게이트 배선과 데이터 배선에 의하여 빛이 반사되는 것을 방지하기 위하여 게이트 배선과 데이터 배선에 산화크롬(CrOx)층을 추가로 입힌다.
공통 전극(23)과 화소 전극(14) 사이의 높이가 d2인 공간에는 유전율이 ε2인 액정층(30)이 주입되어 있다.
이 때, 공통 전극 전압에 대하여 게이트 배선 또는 데이터 배선에 인가되는 최고 전압을 V라 하고, 액정 분자들이 영향을 받아 배열이 변경되기 시작하는 공통 전극과 화소 전극 사이의 임계 전압을 Vth라 하면, 제2 유전체의 두께 d1은 다음의 수학식 1을 만족한다.
수학식 1을 만족하도록 제2 절연층(13)을 형성하면 블랙 매트릭스를 형성하지 않더라도 빛샘을 방지할 수 있다.
그러면 본 발명이 빛샘을 방지할 수 있는 이유를 설명한다.
오프(off) 상태에서 화소 전극(14)은 부유 상태에 있게 된다. 따라서, 공통 전극(23)에 대한 데이터선(12)의 전압이 V일 때, 공통 전극(23)에 대한 오프 상태의 화소 전극(14)의 전압을 V2라 하고 화소 전극(14)에 대한 데이터선(12)의 전압을 V1이라 하면 이들 사이에는 수학식 2가 성립한다.
V = V1+ V2
또, 공통 전극(23)과 화소 전극(14) 사이의 액정층(30)이 주입되어 있는 영역과 화소 전극(14)과 데이터선(12) 사이의 제2 절연층(13)이 적층되어 있는 영역을 각각 하나의 축전기로 보고 이들의 정전 용량을 기재된 순서대로 각각 C2, C1이라 하자. 화소 전극(14)이 부유 상태에 있을 때에는 이 두 축전기는 직렬로 연결된 상태이므로 두 축전기에 저장되는 전하량(Q)은 같다. 따라서, 다음과 같은 수학식 3이 성립한다.
Q = C1V1= C2V2
평행판 축전기의 정전 용량은 다음 수학식 4, 수학식 5로 표현할 수 있다.
C1= ε1S1/d1
C2= ε2S2/d2
수학식 4와 수학식 5에서 S1, S2는 두 축전기의 평행판의 면적을 나타내는 것으로 S1, S2는 대략 같다고 할 수 있다. 즉, 수학식 6이 성립한다.
S1= S2
수학식 3을 다시 정리하면 수학식 7이 되고,
V1/V2= C2/C1
수학식 4, 수학식 5를 수학식 7에 대입하여 정리하면 수학식 8이 된다.
V1/V2= d1ε2S2/d2ε1S1
다시 수학식 2와 수학식 6을 수학식 8에 대입하여 정리하면 수학식 9가 된다.
(V-V2)/V2= d1ε2/d2ε1
수학식 9를 V2에 대하여 정리하면 수학식 10이 된다.
V2= Vε1d2/(d1ε2+d2ε1)
이 때, 빛샘 현상이 나타나지 않으려면 V2가 액정의 임계 전압(Vth)보다 낮아야 한다. 즉, 다음의 수학식 11을 만족하여야 한다.
V2= Vε1d2/(d1ε2+d2ε1) 〈 Vth
이를 위하여 용이하게 변화시킬 수 있는 수치로는 제2 절연막(13)의 두께인 d1과 그 유전율인 ε1이 있으나 이중에서도 d1을 변화시키는 것이 더 용이하다. 따라서, 수학식 11을 d1에 대하여 정리하면 수학식 1을 얻을 수 있다.
그러면 예시적으로 구체적이 수치를 수학식 1에 대입하여 살펴본다.
액정층(30)이 수직 배향되어 있다고 할 때, 액정층(30)이 주입되어 있는 공간의 높이(d2)가 4㎛이고, 액정의 장축 방향 유전율(ε2)이 4.0이며, 데이터선(12)에 인가되는 최고 전압(V)을 5V라고 하고, 액정의 임계 전압(Vth)을 2V라고 하면, 수학식 1은 수학식 12가 된다.
d1〉3ε1/2
즉, 위와 같은 조건에서 제2 절연층(13)의 두께를 (12)식을 만족하도록 형성하면 블랙 매트릭스(21)를 형성하지 않더라도 빛샘은 발생하지 않는다. 또 데이터 배선(12)에 의하여 반사되는 빛을 차단하기 위하여 블랙 매트릭스(21)를 형성한다고 하더라도 그 폭을 최소로 할 수 있다.
이상에서는 데이터 배선(12)을 중심으로 하여 설명하였으나 게이트 배선에 대하여도 마찬가지로 설명할 수 있다.
이상과 같이 수학식 1을 만족하도록 절연막을 형성하면 블랙 매트릭스를 형성하지 않더라도 빛샘을 방지할 수 있어서 개구율을 최대로 할 수 있다.

Claims (5)

  1. 제1 기판,
    상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 금속 배선,
    상기 금속 배선을 덮고 있으며 유전율이 ε1이고 두께가 d1인 제1 절연막,
    상기 제1 절연막 위에 형성되어 있는 화소 전극,
    상기 제1 기판과 마주보고 있는 제2 기판,
    상기 제2 기판의 아래면에 형성되어 있는 공통 전극 및
    상기 제1 기판과 제2 기판의 사이의 간격 d2인 공간에 주입되어 있으며 유전율이 ε2인 액정층
    을 포함하는 액정 표시 장치에 있어서,
    상기 공통 전극과 상기 금속 배선 사이에 인가되는 전압이 V이고, 상기 액정층의 액정 분자들이 영향을 받기 시작하는 상기 공통 전극과 상기 화소 전극 사이의 임계 전압이 Vth라 할 때, 관계식
    d1〉d2(ε1/ε2)(V/Vth-1)
    을 만족하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 금속 배선 위에 형성되어 있는 CrOx층을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에서,
    상기 제1 기판과 상기 금속 배선 사이에 형성되어 있는 제2 절연막을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 제2 기판과 상기 공통 전극 사이에 형성되어 있으며, 그 폭이 상기 금속 배선의 폭에 얼라인 미스 마진을 두 배한 값을 더한 것보다 작은 블랙 매트릭스를 더 포함하는 액정 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 제1 기판과 상기 금속 배선 사이에 형성되어 있는 제2 절연막을 더 포함하는 액정 표시 장치.
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