KR20000033100A - Dielectric filter - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유전체 필터에 관한 것으로, 특히 도전물질이 도포된 유전체블록의 후면에 도전물질이 도포되지 않은 오픈영역을 형성함으로써, 필터의 감쇄특성이 향상되고 크기를 소형 경량화 시킬 수 있는 유전체필터를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention relates to a dielectric filter, and in particular, by forming an open region on the back surface of a dielectric block coated with a conductive material, the conductive material is not coated, thereby providing a dielectric filter capable of improving the attenuation characteristics of the filter and reducing its size and weight. It aims to do it.
근래, 고주파대역의 전파를 이용한 이동통신시스템이 유선통신을 대체하고 있는 실정이다. 이러한 이동통신을 위헤 이동통신장치의 수요가 대폭 증가하고 있으며 이에 대한 연구 또한 활발하게 진행되고 있다. 이동통신장치의 특징은 사용자가 단말기를 직접 휴대하고 다닌다는 것이다. 따라서, 이동통신장치의 성능개선 뿐만 아니라 이동통신장치의 소형 경량화가 중요한 문제로 부각되고 있다.In recent years, mobile communication systems using radio waves in high frequency bands have replaced wired communication. For such mobile communication, the demand of mobile communication device is greatly increased and research on this is being actively conducted. The feature of the mobile communication device is that the user carries the terminal directly. Therefore, not only the performance improvement of the mobile communication device but also the weight reduction of the mobile communication device is an important problem.
상기와 같이, 이동통신장치의 성능개선과 소형 경량화를 동시에 달성하기 위해서는 이동통신장치 각 부품의 성능개선과 소형화가 이루어져야만 한다. 이동통신장치의 성능개선과 소형 경량화를 위해, 필터로서 일체형 유전체필터가 주로 이용되고 있다. 일반적으로, 유전체 필터는 동축형 공진기가 구비된 유전체 블럭을 복수개 연결하여 고주파대역의 원하는 통과대역특성을 얻는 것이며, 일체형 유전체필터는 하나의 유전체 블럭에 다수개의 동축형 공진기를 형성하므로써 상기 통과대역특성을 얻는다. 이러한 일체형 유전체 필터는 이동통신장치의 수신측 및 송신측에 형성되어 송신 및 수신되는 고주파를 필터링하는 것으로, 약 20∼30MHz의 대역통과특성을 필요로 한다.As described above, in order to simultaneously achieve performance improvement and small size and light weight of the mobile communication device, performance improvement and miniaturization of each component of the mobile communication device must be made. In order to improve the performance and reduce the size and weight of the mobile communication device, an integrated dielectric filter is mainly used as a filter. In general, a dielectric filter is to obtain a desired passband characteristic of a high frequency band by connecting a plurality of dielectric blocks provided with a coaxial resonator, and an integrated dielectric filter is formed by forming a plurality of coaxial resonators in one dielectric block. Get The integrated dielectric filter filters the high frequency waves formed on the receiving side and the transmitting side of the mobile communication device, and requires a bandpass characteristic of about 20 to 30 MHz.
도 1은 종래의 일체형 유전체필터를 나타내는 도면이다. 도면에 나타낸 바와 같이, 상기한 유전체 필터는 서로 마주 보는 제1면(5)과 제2면(7) 및 상기 제1면(5)과 제2면(7) 사이의 측면을 보유하는 대략 육면체의 유전체블럭(1)으로 이루어져 있다. 상기 유전체블럭(1)의 내부에는 상기 제1면(5)과 제2면(7)을 대략 평행하게 관통하는 복수의 공진홀(3)이 형성되어 있으며, 상기 제2면(7)과 제1면(5) 및 제2면(7) 사이의 측면에는 도전물질이 도포되어 접지전극을 이루고 있다. 상기 유전체블럭(1)의 제1면(5)은 도전물질이 도포되지 않은 오픈영역을 이루고 있다. 또한, 상기 공진홀(3)의 내부표면도 역시 도전물질이 도포되어 내부전극을 형성하고 있다.1 is a view showing a conventional integrated dielectric filter. As shown in the figure, the dielectric filter has a substantially hexahedron having a first face 5 and a second face 7 facing each other and a side surface between the first face 5 and the second face 7. It consists of a dielectric block (1). In the dielectric block 1, a plurality of resonance holes 3 penetrating substantially parallel to the first surface 5 and the second surface 7 are formed, and the second surface 7 and the second surface 7 are formed. A conductive material is applied to the side surface between the first surface 5 and the second surface 7 to form a ground electrode. The first surface 5 of the dielectric block 1 forms an open area to which a conductive material is not applied. In addition, the inner surface of the resonance hole 3 is also coated with a conductive material to form internal electrodes.
상기 제1면(5)의 공진홀(3) 주위에는 설정 폭을 갖는 도체패턴(8)이 형성되어 있다. 상기 도체패턴(8)은 공진홀(3)의 내부전극과 연결되어 필터에 부하캐패시턴스(loading capacitance)와 결합캐패시턴스(coupling capacitance)를 형성한다. 상기 공진홀(3)과 부하캐패시턴스에 의해 공진기의 공진주파수가 결정되며, 상기 결합캐패시턴스는 두 공진기를 결합한다. 또한, 상기 제1면(5)과 제2면(7) 사이의 측면에는 접지전극과 단락되도록 입출력단자(12a,12b)가 형성되어 있다.A conductor pattern 8 having a set width is formed around the resonance hole 3 of the first surface 5. The conductor pattern 8 is connected to the internal electrode of the resonance hole 3 to form a loading capacitance and a coupling capacitance in the filter. The resonance frequency of the resonator is determined by the resonance hole 3 and the load capacitance, and the coupling capacitance combines the two resonators. In addition, input and output terminals 12a and 12b are formed on the side surfaces between the first surface 5 and the second surface 7 so as to be shorted to the ground electrode.
상기한 구성의 필터에 있어서, 필터의 감쇄특성은 공진홀(3)과 부하캐패시턴스에 의해 결정되는 공진기의 공진주파수와 결합캐패시턴스에 따라 달라진다. 따라서, 상기 부하캐패시턴스 및 결합캐패시턴스를 형성하는 도체패턴(8)의 크기에 따라 감쇄특성이 결정된다. 부하캐패시턴스는 제1면(5)에 형성된 도체패턴(8)과 유전체 블록(1)의 측면에 형성된 접지전극 사이의 거리에 따라 결정되며, 결합캐패시턴스는 상기 2개의 공진홀(3) 주위에 형성된 도체패턴(8) 사이의 간격에 의해 결정된다. 그러므로, 일체형 유전체 필터의 감쇄특성을 조절하기 위해서는 상기 도체패턴(8)의 크기를 조절하여 접지전극과의 사이 및 인접하는 도체패턴(8)과의 간격을 조절해야만 한다.In the filter having the above-described configuration, the attenuation characteristics of the filter vary depending on the resonant frequency and coupling capacitance of the resonator determined by the resonant hole 3 and the load capacitance. Therefore, the attenuation characteristic is determined according to the size of the conductor pattern 8 forming the load capacitance and the coupling capacitance. The load capacitance is determined according to the distance between the conductor pattern 8 formed on the first surface 5 and the ground electrode formed on the side of the dielectric block 1, and the coupling capacitance is formed around the two resonance holes 3. It is determined by the spacing between the conductor patterns 8. Therefore, in order to adjust the damping characteristics of the integrated dielectric filter, the size of the conductive pattern 8 must be adjusted to adjust the distance between the ground electrode and the adjacent conductive pattern 8.
그런데, 이동통신장치에서는 휴대의 간편성을 위해 그 크기를 최대한 소형화시켜야만 한다. 따라서, 상기한 유전체 필터 역시 최대한 소형화시켜야만 하는데, 이를 위해서는 유전체 블럭(1)의 부피를 감소시켜야만 한다. 이러한 부피의 감소를 위해서는 필연적으로 공진홀(3) 사이의 거리를 좁혀야만 하지만, 공진홀(3) 사이의 거리를 좁힌다는 것은 유전체 블럭(1) 제1면(5)의 면적이 대폭 축소된다는 것을 의미한다.However, in the mobile communication device, the size of the mobile communication device must be as small as possible. Therefore, the above-described dielectric filter should also be miniaturized as much as possible, which requires reducing the volume of the dielectric block 1. In order to reduce the volume, it is necessary to narrow the distance between the resonance holes 3, but narrowing the distance between the resonance holes 3 significantly reduces the area of the first surface 5 of the dielectric block 1. Means that.
따라서, 제1면(5)에 형성되는 도체패턴(8)의 크기 역시 축소되어야만 한다. 도체패턴(8)의 크기를 감소시키면, 원하는 감쇄특성을 갖는 필터를 제조하기가 불가능하게 된다. 또한, 유전체필터를 소형화하기 위해서는 도체패턴(8) 사이의 간격 역시 더욱 미세하게 되어야만 한다. 일반적으로, 접지전극과 제1면(5)의 도체패턴(8)은 스크린프린팅방법(screen printing process)에 의해 도포된다. 이러한 스크린프린팅방법은 보통 선폭에 있어서, 약 25μm∼30μm의 오차를 갖는다. 그러므로, 소형화된 필터를 제작하기 위해 2개의 공진홀(3) 주위에 도체패턴(8)을 형성하는 경우, 제1면(5)의 면적 축소에 의해 도체패턴(8)과 접지전극 사이의 간격 및 도체패턴(8)의 크기에 한계가 발생하여 원하는 크기의 부하캐패시턴스를 형성할 수 없게 된다. 또한, 제1면(5)의 면적 축소에 따라 도체패턴(8) 사이의 간격을 미세하게 조정하는 경우에도 스크린프린팅방법의 오차발생에 의해 상기 도체패턴(8)이 단락되는 문제가 있었다.Therefore, the size of the conductor pattern 8 formed on the first surface 5 should also be reduced. Reducing the size of the conductor pattern 8 makes it impossible to manufacture a filter having a desired attenuation characteristic. In addition, in order to miniaturize the dielectric filter, the spacing between the conductor patterns 8 must also be made smaller. In general, the ground electrode and the conductor pattern 8 of the first surface 5 are applied by a screen printing process. Such screen printing methods usually have an error of about 25 μm to 30 μm in line width. Therefore, when the conductor pattern 8 is formed around the two resonance holes 3 in order to manufacture a miniaturized filter, the gap between the conductor pattern 8 and the ground electrode is reduced by reducing the area of the first surface 5. And a limit occurs in the size of the conductor pattern 8, so that a load capacitance of a desired size cannot be formed. In addition, even when the distance between the conductor patterns 8 is finely adjusted according to the reduction of the area of the first surface 5, there is a problem that the conductor patterns 8 are short-circuited due to an error of the screen printing method.
도 2는 이동통신장치의 송수신신호를 필터링하는 듀플렉서 유전체 필터를 나타내는 도면이다. 상기한 듀플렉서 유전체 필터도 일체형 유전체 필터와 마찬가지로, 서로 마주하는 제1면(5)과 제2면(7) 및 상기 제1면(5)과 제2면(7) 사이의 측면을 포함하는 대략 육면체의 유전체 블럭(1)으로 구성되어 있다. 상기 유전체 블럭(1)의 내부에는 제1면(5)에서 제2면(7)으로 대략 평행하게 관통하는 복수의 공진홀(3)이 형성되어 있으며, 상기 제2면(7)과 측면에는 접지전극(도면표시하지 않음)이 도포되어 있고 공진홀(3)의 내부표면 내부전극이 도포되어 공진기를 형성된다. 또한, 상기 유전체 블럭의 제1면(5)에는 도전물질이 도포되지 않은 오픈영역이 형성되어 있다.2 is a diagram illustrating a duplexer dielectric filter for filtering a transmission / reception signal of a mobile communication device. Like the integrated dielectric filter, the duplexer dielectric filter also includes a first surface 5 and a second surface 7 facing each other and a side surface between the first surface 5 and the second surface 7. It consists of a hexahedral dielectric block 1. A plurality of resonant holes 3 penetrate substantially parallel to the second surface 7 from the first surface 5 in the dielectric block 1, and the second surface 7 and the side surface are formed in the dielectric block 1. A ground electrode (not shown) is applied, and an internal electrode on the inner surface of the resonance hole 3 is applied to form a resonator. In addition, an open region to which the conductive material is not applied is formed on the first surface 5 of the dielectric block.
상기 제1면(5)의 공진홀(3) 주위에는 공진홀(3)의 내부전극과 접속되는 설정 크기의 도체패턴(8)이 형성되어, 유전체 블럭(1)의 접지전극과의 사이에서 부하캐패시턴스를 형성하고 인접 공진홀(3) 주위의 도체패턴 사이에서 결합캐패시턴스를 형성한다. 또한, 상기 제1면(5)에는 송수신단자(12a,12b) 및 안테나단자(13)가 형성되어 있다.A conductive pattern 8 having a predetermined size is formed around the resonance hole 3 of the first surface 5 to be connected to the internal electrode of the resonance hole 3, and between the ground electrode of the dielectric block 1. A load capacitance is formed and a coupling capacitance is formed between the conductor patterns around the adjacent resonant holes 3. In addition, the first surface 5 is formed with the transmission and reception terminals 12a and 12b and the antenna terminal 13.
도면에 도시된 상기 구성의 듀플렉서 유전체 필터에서, 제1면(5)의 좌측에 형성된 3개의 공진홀은 외부로부터 고주파를 수신하는 수신단이고, 우측에 형성된 4개의 공진홀은 고주파를 외부로 송신하는 송신단이다. 이때, 각각의 공진홀(3)은 부하캐패시터와 함께 공진기를 형성한다.In the duplexer dielectric filter having the above configuration shown in the drawing, three resonance holes formed on the left side of the first surface 5 are receiving terminals for receiving high frequency from the outside, and four resonance holes formed on the right side transmit the high frequency to the outside. It is the transmitting end. At this time, each of the resonant holes 3 together with the load capacitor forms a resonator.
일반적으로 듀플렉서 유전체 필터에서는 송신단의 고주파대역이 수신단의 고주파대역 보다 상대적으로 낮다. 따라서, 수신단의 공진홀(3) 사이에는 전계(electric field)효과가 우세한 반면에 송신단의 공진홀(3) 사이에는 자계(magnetic filed)효과가 우세하게 된다. 따라서, 수신단의 공진기는 캐패시턴스결합(capacitance coupling)을 이루고 송신단의 공진기는 인덕턴스결합(inductance coupling)을 이룬다.In general, in the duplexer dielectric filter, the high frequency band of the transmitting end is relatively lower than the high frequency band of the receiving end. Therefore, an electric field effect prevails between the resonant holes 3 of the receiving end, while a magnetic filed effect prevails between the resonant holes 3 of the transmitting end. Therefore, the resonator of the receiving end forms a capacitance coupling and the resonator of the transmitting end forms an inductance coupling.
상기한 구성의 듀플렉스 유전체필터에 있어서도, 공진주파수의 결정이나 공진기 사이의 결합은 도 1에 도시된 유전체필터와 마찬가지로 제1면(5)에 형성된 도체패턴(8)의 크기에 따라 달라진다. 즉, 도체패턴(8)과 외부 접지전극 사이의 간격 및 도체패턴(8) 사이의 간격의 정도에 따라 듀플렉스 유전체 필터의 특성이 달라지게 된다. 그러나, 도 1의 유전체 필터와 마찬가지로 소형 경량화된 필터를 형성하기 위해서는 유전체블럭(1)의 두께를 얇게 하고 공진홀(3) 사이의 간격을 좁혀야만 한다. 그러나, 상기 소형화된 필터에서는 제1면적이 축소되기 때문에, 도체패턴(8)과 접지전극 사이의 간격 및 인접하는 도체패턴 사이의 간격 축소에 한계가 존재하여 원하는 감쇄특성을 얻기가 대단히 어려웠다.In the duplex dielectric filter having the above-described configuration, the determination of the resonance frequency and the coupling between the resonators also vary depending on the size of the conductor pattern 8 formed on the first surface 5 as in the dielectric filter shown in FIG. That is, the characteristics of the duplex dielectric filter vary according to the degree of the gap between the conductor pattern 8 and the external ground electrode and the gap between the conductor pattern 8. However, as in the dielectric filter of FIG. 1, in order to form a compact and lightweight filter, the thickness of the dielectric block 1 must be made thin and the gap between the resonance holes 3 must be narrowed. However, in the miniaturized filter, since the first area is reduced, there is a limit in reducing the gap between the conductor pattern 8 and the ground electrode and the gap between adjacent conductor patterns, which makes it very difficult to obtain desired attenuation characteristics.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 접지전극이 형성된 유전체블럭의 후면에 결합캐패시터 및 결합인덕턴스 형성용 오픈영역을 형성함으로써 소형 경량화된 필터의 제조가 가능하며 필터의 특성 제어가 용이한 유전체 필터를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above, and by forming an open region for forming a coupling capacitor and a coupling inductance on the rear surface of the dielectric block on which the ground electrode is formed, it is possible to manufacture a compact and lightweight filter and to easily control the characteristics of the filter. It is an object to provide a filter.
본 발명의 또 다른 목적은 접지전극이 형성된 유전체블럭의 후면에 결합캐패시터 및 결합인덕턴스 형성용 오픈영역을 형성함으로써 소형 경량화된 필터의 제조가 가능하며 필터의 특성 제어가 용이한 듀플렉서 유전체 필터를 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a duplexer dielectric filter capable of manufacturing a compact and lightweight filter by forming an open region for forming a coupling capacitor and a coupling inductance on a rear surface of a dielectric block having a ground electrode. will be.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1관점에 따른 유전체 필터는 서로 대향하는 제1면과 제2면 및 상기 제1면과 제2면 사이의 측면으로 이루어지고, 상기 제2면과 측면은 도전물질로 도포된 유전체블럭과, 상기 유전체블럭의 제1면과 제2면을 평행하게 관통하며 그 내부표면이 도전물질로 도포되어 공진기를 형성하는 복수개의 공진홀과, 상기 유전체블럭 측면의 도전물질과 고립된 전극영역으로 이루어지고 상기 공진홀과 전자기적인 커플링을 형성하는 입력패드 및 출력패드와, 상기 유전체블럭의 제2면에 형성되어 인접 공진기 사이에 전자기적인 커플링을 형성하는 도전물질이 도포되지 않은 적어도 하나의 오픈영역으로 구성된다.In order to achieve the above object, the dielectric filter according to the first aspect of the present invention comprises a first surface and a second surface facing each other and a side surface between the first surface and the second surface, A side surface of the dielectric block coated with a conductive material, a plurality of resonant holes penetrating the first and second surfaces of the dielectric block in parallel with an inner surface thereof coated with a conductive material to form a resonator, and the side of the dielectric block An input pad and an output pad formed of an electrically conductive material and an isolated electrode region and forming an electromagnetic coupling with the resonance hole, and formed on a second surface of the dielectric block to form an electromagnetic coupling between adjacent resonators. It is composed of at least one open area to which the conductive material is not applied.
상기 오픈영역은 공진홀의 배열방향을 따라 복수의 제1공진홀의 상하 한쪽에 형성되는 적어도 하나의 제1영역과 상기 공진홀의 배열방향을 따라 복수의 제2공진홀의 다른 쪽에 형성되는 적어도 하나의 제2영역으로 이루어진다. 상기 제1영역과 제2영역은 인접공진기 사이에 결합인덕턴스를 형성하는 것으로, 각각이 제2면에 독립적으로 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2면에는 공진기의 공진주파수를 조정하는 공진주파수 조정용 오픈영역이 형성된다. 상기 공진주파수 조정용 오픈영역은 공진홀 단부와 유전체블럭의 측면 사이에 형성되어 원하는 주파수로 공진주파수를 조정할 수 있게 된다.The open region may include at least one first region formed above and below one of the plurality of first resonance holes along an arrangement direction of the resonance hole, and at least one second region formed on the other side of the plurality of second resonance holes along the arrangement direction of the resonance hole. It consists of an area. The first region and the second region form coupling inductances between adjacent resonators. Each of the first region and the second region may be formed independently of the second surface. In addition, an open region for resonant frequency adjustment is formed on the second surface to adjust the resonant frequency of the resonator. The open area for adjusting the resonance frequency is formed between the end of the resonance hole and the side of the dielectric block to adjust the resonance frequency to a desired frequency.
유전체블럭의 제1면에는 복수의 도체패턴이 형성되어 공진기에 부가인덕턴스를 부가하고 인접공진기 사이에 결합캐패시턴스를 형성한다. 또한, 유전체블럭 측면의 도전물질로부터 공진홀 단부를 향해 연장되는 도체패턴은 공진기의 공진주파수를 조정하는 수단으로 도체패턴의 면적이나 도체패턴과 공진홀 단부와의 간격을 조절함에 따라 공진주파수가 조정된다.A plurality of conductor patterns are formed on the first surface of the dielectric block to add additional inductance to the resonator and form coupling capacitance between adjacent resonators. In addition, the conductor pattern extending from the conductive material on the side of the dielectric block toward the end of the resonance hole is a means for adjusting the resonance frequency of the resonator, and the resonance frequency is adjusted by adjusting the area of the conductor pattern or the distance between the conductor pattern and the end of the resonance hole. do.
또한, 본 발명의 제2관점에 따른 듀플렉서 유전체 필터는 서로 대향하는 제1면과 제2면 및 상기 제1면과 제2면 사이의 측면으로 이루어지고, 상기 제2면과 측면은 도전물질로 도포된 유전체블럭과, 상기 유전체블럭의 제1면과 제2면을 대략 평행하게 관통하고 그 내부가 도전물질로 도포된 복수의 공진홀을 포함하여 제1입력신호를 필터링하는 적어도 하나의 공진기로 이루어진 제1필터링영역과, 상기 유전체블럭의 제1면과 제2면을 대략 평행하게 관통하며 그 내부가 도전물질로 도포된 복수의 공진홀을 포함하여 제2입력신호를 필터링하는 적어도 하나의 공진기로 이루어진 제2필터링영역과, 상기 유전체블럭 측면의 도전물질과 고립된 전극영역으로 이루어지고 상기 공진홀과 전자기적인 커플링을 형성하는 입력패드 및 출력패드와, 도전물질과 고립된 전극영역으로 이루어지고 상기 유전체블럭의 제1필터링영역과 제2필터링영역 사이에 배치되어 공진기와 전자기적인 커플링을 형성하는 안테나패드와, 상기 제2면의 제1필터링영역에 형성되어 인접 공진기 사이에 전자기적인 커플링을 형성하는 도전물질이 도포되지 않은 적어도 하나의 오픈영역으로 구성된다.In addition, the duplexer dielectric filter according to the second aspect of the present invention is composed of a first surface and a second surface facing each other and the side between the first surface and the second surface, the second surface and the side is a conductive material At least one resonator for filtering the first input signal including a coated dielectric block and a plurality of resonant holes penetrating substantially parallel to the first and second surfaces of the dielectric block and coated therein with a conductive material. At least one resonator for filtering the second input signal including a first filtering region formed therein and a plurality of resonant holes penetrating substantially parallel to the first and second surfaces of the dielectric block and coated with a conductive material therein An input pad and an output pad formed of a second filtering region comprising an electrode region, an electrode region isolated from a conductive material on the side of the dielectric block, and forming an electromagnetic coupling with the resonance hole; An antenna pad formed of an electrode region and disposed between the first filtering region and the second filtering region of the dielectric block to form an electromagnetic coupling with the resonator, and between the adjacent resonators formed in the first filtering region of the second surface. It consists of at least one open area which is not coated with a conductive material forming an electromagnetic coupling.
상기 오픈영역은 공진홀의 배열방향을 따라 복수의 제1공진홀의 상하 한쪽에 형성되는 적어도 하나의 제1영역과 상기 공진홀의 배열방향을 따라 복수의 제2공진홀의 다른쪽에 형성되는 적어도 하나의 제2영역으로 이루어진다. 상기 제1영역과 제2영역은 인접공진기 사이에 결합인덕턴스를 형성하는 것으로, 각각이 제2면에 독립적으로 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2면에는 공진기의 공진주파수를 조정하는 공진주파수 조정용 오픈영역이 형성된다. 상기 공진주파수 조정용 오픈영역은 공진홀 단부와 측면 사이에 형성되어 원하는 주파수로 공진주파수를 조정할 수 있게 된다.The open region may include at least one first region formed above and below one of the plurality of first resonance holes along the arrangement direction of the resonance hole, and at least one second region formed on the other side of the plurality of second resonance holes along the arrangement direction of the resonance hole. It consists of an area. The first region and the second region form coupling inductances between adjacent resonators. Each of the first region and the second region may be formed independently of the second surface. In addition, an open region for resonant frequency adjustment is formed on the second surface to adjust the resonant frequency of the resonator. The resonant frequency adjusting open region is formed between the end and the side of the resonance hole to adjust the resonant frequency to a desired frequency.
유전체블럭의 제1면에는 복수의 도체패턴이 형성되어 공진기에 부가인덕턴스를 부가하고 인접공진기 사이에 결합캐패시턴스를 형성한다. 공진주파수 조정용 도체패턴이 형성되어 역시 공진기의 공진주파수를 조정한다. 상기 공진주파수 조정용 도체패턴은 유전체블럭의 측면으로부터 공진홀 단부를 향해 연장되어 도체패턴의 면적이나 도체패턴과 공진홀 단부와의 간격을 조절하는 것에 의해 공진주파수를 조정할 수 있게 된다.A plurality of conductor patterns are formed on the first surface of the dielectric block to add additional inductance to the resonator and form coupling capacitance between adjacent resonators. A conductor pattern for resonant frequency adjustment is formed to adjust the resonant frequency of the resonator as well. The resonant frequency adjusting conductor pattern extends from the side of the dielectric block toward the end of the resonant hole to adjust the resonant frequency by adjusting the area of the conductor pattern or the distance between the conductor pattern and the end of the resonant hole.
도 1은 종래의 일체형 유전체 필터를 나타내는 도면.1 is a view showing a conventional integrated dielectric filter.
도 2는 종래의 듀플레스 유전체 필터를 나타내는 도면.2 illustrates a conventional duplex dielectric filter.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 일체형 유전체 필터의 사시도.3 is a perspective view of an integrated dielectric filter in accordance with an embodiment of the present invention.
도 4는 도 3에 도시된 일체형 유전체 필터의 제2면을 나타내는 도면.4 shows a second surface of the integral dielectric filter shown in FIG.
도 5는 도 3에 도시된 일체형 유전체필터의 제1면을 나타내는 도면.5 is a view showing a first surface of the integrated dielectric filter shown in FIG.
도 6은 도 3에 도시된 일체형 유전체 필터의 등가회로도.FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of the integrated dielectric filter shown in FIG. 3. FIG.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 일체형 유전체 필터의 사시도.7 is a perspective view of an integrated dielectric filter in accordance with another embodiment of the present invention.
도 8은 도 7에 도시된 일체형 유전체 필터의 제2면을 나타내는 도면.FIG. 8 shows a second side of the integral dielectric filter shown in FIG. 7; FIG.
도 9는 도 7에 도시된 일체형 유전체필터의 제1면을 나타내는 도면.9 is a view showing a first surface of the integrated dielectric filter shown in FIG.
도 10은 도 7에 도시된 일체형 유전체 필터의 등가회로도.FIG. 10 is an equivalent circuit diagram of the integrated dielectric filter shown in FIG. 7. FIG.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 듀플렉서 유전체 필터의 사시도.11 is a perspective view of a duplexer dielectric filter in accordance with another embodiment of the present invention.
도 12는 도 11에 도시된 듀플렉서 유전체 필터의 제2면을 나타내는 도면.12 is a view showing a second surface of the duplexer dielectric filter shown in FIG.
도 13은 도 11에 도시된 듀플렉서 유전체필터의 제1면을 나타내는 도면.FIG. 13 is a view showing a first surface of the duplexer dielectric filter shown in FIG. 11; FIG.
도 14은 도 11에 도시된 듀플렉서 유전체 필터의 등가회로도.14 is an equivalent circuit diagram of the duplexer dielectric filter shown in FIG.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
101,201,301 : 유전체 블럭 103,203,303 : 공진홀101,201,301: dielectric block 103,203,303: resonance hole
105,205,305 : 제1면(전면) 107,207,307 : 제2면(후면)105,205,305: First side (front) 107,207,307: Second side (rear)
108,208,308 : 도체패턴 112,212,312 : 입출력단자108,208,308: Conductor pattern 112,212,312: I / O terminal
120,135,220,235.320,328,327,330,335 : 오픈영역120,135,220,235.320,328,327,330,335: open area
유전체 필터나 듀플렉스 유전체필터의 주파수 대역을 미세조정하기 위해서는 공진홀 내부에 형성된 내부전극와 연결되는 유전체 블럭 전면의 도체패턴와 유전체 블럭 측면의 접지전극 사이의 간격을 조절해야만 한다. 그러나, 소형 경량화된 유전체필터에서는 유전체블럭의 크기, 즉 전면 및 후면의 넓이가 축소되기 때문에 상기 공진홀의 내부 전극에 연결되는 도전체의 크기를 조절하는데에는 한계가 있었다. 따라서, 본 발명에서는 유전체 블럭을 종래의 유전체 블럭에 비해 소형으로 형성하고 공진홀의 내부전극과 연결되는 도체패턴을 유전체 블럭의 전면에 종래의 크기 보다 축소된 일정 크기로 형성하고, 후면에는 인덕턴스 조절부를 형성하여 원하는 특성을 갖는 소형 경량의 유전체 필터를 제조한다.In order to finely adjust the frequency band of the dielectric filter or the duplex dielectric filter, the distance between the conductor pattern on the front surface of the dielectric block connected to the internal electrode formed inside the resonance hole and the ground electrode on the side of the dielectric block must be adjusted. However, in the compact and lightweight dielectric filter, the size of the dielectric block, that is, the width of the front and rear surfaces thereof is reduced, thereby limiting the size of the conductor connected to the internal electrode of the resonance hole. Therefore, in the present invention, the dielectric block is formed to be smaller than the conventional dielectric block, and the conductor pattern connected to the internal electrode of the resonance hole is formed on the front side of the dielectric block to a certain size, which is smaller than the conventional size, and the inductance adjusting part is formed on the rear side. To form a compact, lightweight dielectric filter having the desired characteristics.
또한, 공진홀이 3개 이상 형성되어 있는 유전체 필터나 듀플렉서 유전체 필터에서는 상기 유전체 블럭의 후면에 인덕턴스 조절부와 캐패시턴스 조절부가 형성되어 결합인덕턴스 및 결합캐패시턴스 뿐만 아니라 인접하지 않는 공진기 사이에 크로스 결합인덕턴스(cross coupling inductance)를 형성하여 유전체 필터의 특성을 제어한다.Also, in the dielectric filter or duplexer dielectric filter having three or more resonant holes, an inductance adjusting part and a capacitance adjusting part are formed on the rear surface of the dielectric block, so that not only the coupling inductance and the coupling capacitance but also the cross coupling inductance between non-adjacent resonators ( cross coupling inductance to control the characteristics of the dielectric filter.
이러한 조절부는 결합인덕턴스의 크기 및 크로스 결합인덕턴스를 형성하는 제1조절부와 단순히 부하캐패시턴스의 크기를 미세 조정하는 공진주파수 조정용 제2조절부로 나눌 수 있다.Such an adjusting unit may be divided into a first adjusting unit for forming a coupling inductance and a cross coupling inductance and a second adjusting unit for resonant frequency adjusting for finely adjusting the size of the load capacitance.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 일체형 유전체 필터의 사시도이고, 도 4는 상기 도 3에 도시된 유전체 필터의 후면, 즉 제2면을 나타내는 도면이며, 도 5는 상기 도 3에 도시된 유전체 필터의 전면, 즉 제1면을 나타내는 도면이다.3 is a perspective view of an integrated dielectric filter in accordance with a preferred embodiment of the present invention. FIG. 4 is a view illustrating a rear surface, that is, a second surface, of the dielectric filter illustrated in FIG. 3, and FIG. 5 is illustrated in FIG. 3. The figure which shows the front surface, ie, 1st surface, of the prepared dielectric filter.
도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 일체형 유전체 필터는 서로 대향하는 제1면(105)과 제2면(107)을 보유하는 대략 육면체형상으로 이루어져 있다. 상기 제2면(107)과 제1면(105) 및 제2면(107) 사이의 측면에는 도전물질이 도포되어 접지전극을 형성하고 있으며, 그 내부에는 제1면(105)과 제2면(107)을 대략 평행하게 관통하는 2개의 공진홀(103)이 형성되어 공진기를 형성한다. 도면에는 나타내지 않았지만, 상기 공진홀(103)의 내부표면에도 역시 도전물질이 도포되어 내부전극을 형성하고 있다.As shown in Fig. 3, the integrated dielectric filter has a substantially hexahedral shape having a first surface 105 and a second surface 107 facing each other. A conductive material is coated on side surfaces between the second surface 107, the first surface 105, and the second surface 107 to form a ground electrode, and the first surface 105 and the second surface therein. Two resonance holes 103 penetrating substantially parallel to 107 are formed to form a resonator. Although not shown in the figure, a conductive material is also applied to the inner surface of the resonance hole 103 to form internal electrodes.
제1면(105), 즉 유전체 블럭의 전면은 도전물질이 형성되지 않은 오픈영역으로서, 상기 공진홀(103) 각각의 주위에는 공진홀(103)의 내부전극과 연결되는 소정 크기의 도체패턴(108)이 형성되어 있다. 상기 도전패턴(108)과 접지전극 사이에는 부하캐패시턴스가 형성되어 각 공진기의 공진주파수를 결정하며 도전패턴(108) 사이에는 결합캐패시턴스가 형성되어 필터의 대역폭을 결정한다.The first surface 105, that is, the front surface of the dielectric block is an open area in which no conductive material is formed, and a conductor pattern having a predetermined size connected to the internal electrodes of the resonance holes 103 around each of the resonance holes 103. 108 is formed. A load capacitance is formed between the conductive pattern 108 and the ground electrode to determine the resonance frequency of each resonator, and a coupling capacitance is formed between the conductive patterns 108 to determine the bandwidth of the filter.
상기 유전체 블럭의 제2면(107), 즉 후면에는 도 4에 도시된 바와 같은 도전물질이 도포되지 않은 오픈영역(120)이 상기 공진홀(103)의 단부와 일정 거리를 두고 형성되어 있다. 이러한 오픈영역(120)을 형성하기 위해서는 스크린프린팅방법에 의해 도전물질을 도포할 때, 마스크를 사용하여 상기 영역을 블로킹함으로써 형성할 수 있다. 즉, 도전성물질의 도포와 동시에 상기 오픈영역을 형성할 수 있다.On the second surface 107, that is, the rear surface of the dielectric block, an open region 120 to which the conductive material is not coated as shown in FIG. 4 is formed at a distance from the end of the resonance hole 103. In order to form the open area 120, the conductive material may be coated by screen printing, and the blocking area may be formed by using a mask. That is, the open area may be formed simultaneously with the application of the conductive material.
이때, 상기 도 4(a)∼도 4(d)의 각각은 상기 오픈영역의 일례를 나타내는 것으로, 도 4(a)에서는 오픈영역(120)이 공진홀(103)의 배열방향을 따라 2개의 공진홀(103)과 겹치도록 형성되고 도 4(b)에서는 공진홀(103)의 배열방향을 따라 형성된 오픈영역과 상기 공진홀(103) 사이로 연장되도록 상기 오픈영역과 일체로 형성되고, 도 4(c)에서는 공진홀(103)의 배열방향을 따라 상기 공진홀(103)의 상하부에 2개의 오픈영역(120)이 형성된다. 또한, 도 4(d)에는 상기 공진홀(103)의 상부에 소정 넓이의 공진주파수 조정용 오픈영역이 형성되어 있다.4 (a) to 4 (d) each show an example of the open area. In FIG. 4 (a), two open areas 120 are arranged along the arrangement direction of the resonance hole 103. 4B is formed integrally with the open area so as to extend between the open area formed along the arrangement direction of the resonance hole 103 and the resonance hole 103 in FIG. 4B, and FIG. 4B. In (c), two open regions 120 are formed above and below the resonance hole 103 along the arrangement direction of the resonance hole 103. In addition, in FIG. 4 (d), an open area for resonant frequency adjustment of a predetermined width is formed on the resonant hole 103.
도 6은 도 3에 도시된 일체형 유전체 필터의 등가회로도를 나타낸다. 도면에서, 도면부호 R1및 R2는 각각 공진기를 나타내며, C1과 C1는 도체패턴(108)과 입출력단자(112a,112b) 사이에 형성되는 입출력단 결합캐패시터를 나타내고 C12는 상기 공진기(R1,R2) 사이의 결합캐패시턴스를 나타내고, M12는 공진기(R1,R2) 사이의 결합인덕턴스를 나타낸다. 상기 공진기를 결합하는 결합캐패시턴스(C12)는 유전체 블록(101)의 제1면(105)에 형성된 도체패턴(108) 사이에서 형성되며, 결합인덕턴스(M12)는 제2면(107)의 오픈영역(120)에 의해 형성된다. 상기한 구성의 등가회로도에서, 입력단자(112b)로 신호가 입력되면 두공진홀(103)에 전계가 형성되어 공진기가 작동한다. 이때, 제2면(107)의 오픈영역(120)에 의해 상기 결합인덕턴스(M12)는 상기 오픈영역(120)이 형성되지 않았을 경우보다도 증가하게 된다. 이러한 결합인덕턴스(M12)의 증가율은 오픈영역(120)의 길이 및 폭에 따라 조정가능한데, 오픈영역(120)의 길이 및 폭이 증가함에 따라 상기 결합인덕턴스(M12)가 증가하게 된다.FIG. 6 shows an equivalent circuit diagram of the integrated dielectric filter shown in FIG. 3. In the drawings, reference numerals R 1 and R 2 denote resonators, respectively, C 1 and C 1 denote an input / output terminal coupling capacitor formed between the conductor pattern 108 and the input / output terminals 112a and 112b, and C 12 denotes the resonator. The coupling capacitance between R 1 and R 2 is represented, and M 12 represents the coupling inductance between resonators R 1 and R 2 . The coupling capacitance C 12 coupling the resonator is formed between the conductor patterns 108 formed on the first surface 105 of the dielectric block 101, and the coupling inductance M 12 is formed on the second surface 107. It is formed by the open area 120. In the equivalent circuit diagram of the above configuration, when a signal is input to the input terminal 112b, an electric field is formed in the two resonance holes 103 to operate the resonator. At this time, the coupling inductance M 12 is increased by the open area 120 of the second surface 107 than when the open area 120 is not formed. The increase rate of the coupling inductance M 12 is adjustable according to the length and width of the open area 120. As the length and width of the open area 120 increase, the coupling inductance M 12 increases.
또한, 도 4(b)의 경우와 같이, 공진홀(103) 사이에 오픈영역이 형성된 경우에는 상기 오픈영역이 공진홀(103) 사이의 결합인덕턴스(C12)를 증가시켜 유전체 필터의 특성을 향상시킨다.In addition, as shown in FIG. 4B, when an open region is formed between the resonance holes 103, the open region increases the coupling inductance C 12 between the resonance holes 103 to improve the characteristics of the dielectric filter. Improve.
즉, 상기 도체패턴(108) 사이에 형성되는 결합캐패시턴스(C12)에 부가하여 오픈영역(120)에 의한 결합인덕턴스(M12)가 존재하게 된다. 따라서, 상기 오픈영역(120)의 길이 및 폭을 조절함으로써 결합인덕턴스(M12)의 크기를 제어할 수 있게 되어 유전체필터의 소형으로 인해, 유전체블럭(101)의 제1면(105)내에서 불가능하던 특성제어를 위한 캐패시턴스와 인덕턴스의 제어가 가능하게 된다.That is, in addition to the coupling capacitance C 12 formed between the conductor patterns 108, there is a coupling inductance M 12 by the open region 120. Therefore, the size of the coupling inductance M 12 can be controlled by adjusting the length and width of the open area 120, and thus, due to the small size of the dielectric filter, the first surface 105 of the dielectric block 101 can be controlled. Capacitance and inductance can be controlled for characteristic control that was impossible.
또한, 도 4(d)에 도시된 공진주파수 조정용 오픈영역은 공진기의 공진주파수를 미세하게 조정하기 위한 것으로, 도 4(a)∼도 4(c)에 도시된 오픈영역과 마찬가지로 도전물질의 도포시 마스크를 사용하여 상기 오픈영역과 동시에 형성한다. 이때, 도면에는 상기 공진주파수 조정용 오픈영역이 비록 공진홀(103)의 상부에만 형성되어 있지만, 상기 공진주파수 조정용 오픈영역이 도면과 같은 특정한 위치에 한정되는 것은 아니다. 즉, 공진홀(103)의 하부에도 형성될 수 있으며, 공진홀(103)의 옆에 형성하는 것도 물론 가능하다. 이때, 상기 공진주파수 조정용 오픈영역은 상기 공진홀(103) 내부의 내부전극과 접속되는 것도 가능하지만, 상기 내부전극과 일정 거리를 두고 형성되어 유전체블럭의 측면으로 연장되는 것도 가능하며, 측면의 접지전극과 접속되는 것도 가능하다.In addition, the open area for resonant frequency adjustment shown in FIG. 4 (d) is for finely adjusting the resonant frequency of the resonator, and similarly to the open area shown in FIGS. 4 (a) to 4 (c). The mask is formed at the same time as the open area using a mask. At this time, although the resonant frequency adjusting open area is formed only on the upper portion of the resonant hole 103 in the drawing, the resonant frequency adjusting open area is not limited to a specific position as shown in the drawing. That is, it may be formed in the lower portion of the resonance hole 103, it is also possible to form next to the resonance hole 103 of course. In this case, the resonant frequency adjusting open region may be connected to the internal electrode inside the resonance hole 103, but may be formed at a predetermined distance from the internal electrode to extend to the side of the dielectric block, and the ground of the side may be It is also possible to connect with an electrode.
도 4(a)에 도시된 오픈영역의 경우에도 그 위치가 공진홀(103)의 상부에 한정되는 것은 아니며, 공진홀(103)의 하부에 형성하는 것도 가능하다.Even in the open region illustrated in FIG. 4A, the position is not limited to the upper portion of the resonance hole 103, and may be formed below the resonance hole 103.
도 4(a)∼도 4(d)에 도시된 각각의 예는 특정한 예에 한정되는 것은 아니다. 즉, 도 4(d)에 도시된 공진주파수 조정용 오픈영역은 단독으로도 형성될 수 있지만, 도 4(a)∼도 4(c)에 도시된 오픈영역과 동시에 존재할 수도 있다.Each example shown in Figs. 4A to 4D is not limited to a specific example. That is, although the resonant frequency adjustment open region shown in FIG. 4 (d) may be formed alone, it may exist simultaneously with the open region shown in FIGS. 4 (a) to 4 (c).
도 5(a)∼도 5(d)는 도 3에 도시된 유전체필터의 제1면의 구조를 각각 나타내는 예이다. 상기 도면에 도시된 각각의 예는 도 4(a)∼도 4(d)에 도시된 제2면의 예와 결합되어 실제로는 구조가 서로 다른 많은 종류의 유전체필터를 형성할 수 있게 된다.5A to 5D are examples showing the structure of the first surface of the dielectric filter shown in FIG. Each of the examples shown in the drawing is combined with the examples of the second surface shown in Figs. 4A to 4D, and in fact, it is possible to form many kinds of dielectric filters having different structures.
상기 예를 상세히 살펴보면, 우선 도 5(a)에서는 유전체블럭의 제1면(105)의 공진홀(103) 배열방향을 따라 공진홀(103) 상부에 일정 폭의 도체패턴(130)이 형성되어 있다. 상기 도체패턴(130)은 공진홀(103) 내부의 내부전극과 접속되는 도체패턴(108)과 일정 거리를 두고 형성되어, 인접하는 공진기 사이에 결합캐패시턴스를 형성하여 유전체필터의 특성을 제어한다. 이때, 상기 도체패턴(130)이 상기 공진홀(103)의 상부에만 형성되는 것이 아니라 하부에 형성하는 것도 가능하고 상하부 양측에 형성되는 것도 물론 가능하다.Referring to the above example, first, in FIG. 5A, a conductive pattern 130 having a predetermined width is formed on the resonance hole 103 along the arrangement direction of the resonance hole 103 of the first surface 105 of the dielectric block. have. The conductor pattern 130 is formed at a predetermined distance from the conductor pattern 108 connected to the internal electrode inside the resonance hole 103 to form a coupling capacitance between adjacent resonators to control the characteristics of the dielectric filter. In this case, the conductor pattern 130 may not only be formed on the upper portion of the resonance hole 103 but may also be formed on the lower side and may be formed on both upper and lower sides.
도 5(b)에는 공진홀(103) 사이에 도체패턴(131)이 형성되어 있다. 상기 도체패턴(131)은 각각의 공진기와 결합캐패시턴스를 형성하여 유전체필터 전체에 새로운 결합캐패시터스를 제공하는 것으로, 도 5(c)에 도시된 바와 같이 유전체블럭 측면의 접지전극과 접속되는 구성으로 형성하는 것도 가능하다. 또한, 도 5(d)에는 제2면과 마찬가지로 공진주파수 조정용 도체패턴(135)이 형성되어 있다. 상기 공진주파수 조정용 도체패턴(135)은 공진기의 공진주파수를 조정하기 위한 것으로, 도체패턴(135)의 면적이나 도체패턴(135)과 공진홀(103) 단부와의 간격을 조절함에 따라 조정할 수 있게 된다. 이때에도, 상기 공진주파수 조정용 도체패턴(135)은 도면과 같이 특정 위치에 한정되는 것은 아니다. 즉, 공진홀(108)의 상부 또는 하부에도 형성할 수 있으며, 상하부 양쪽은 혹은 공진홀(108)의 옆에도 형성할 수 있다. 또한, 상기 공진주파수 조정용 도체패턴(135)이 도면에 도시된 바와 같이 유전체블럭 측면의 접지전극에 접속될 수도 있지만 분리되는 것도 물론 가능하다. 상기 공진주파수 조정용 도체패턴(135)은 공진홀(103) 주위의 도체패턴(108)에 접속되는 것도 가능하지만 일정 거리를 두고 형성하는 것이 더욱 바람직하다.In FIG. 5B, a conductor pattern 131 is formed between the resonance holes 103. The conductor pattern 131 forms a coupling capacitance with each resonator to provide a new coupling capacitance to the entire dielectric filter. The conductor pattern 131 is connected to the ground electrode on the side of the dielectric block as shown in FIG. It is also possible to form. In addition, in FIG. 5 (d), the resonant frequency adjusting conductor pattern 135 is formed like the second surface. The resonant frequency adjustment conductor pattern 135 is to adjust the resonant frequency of the resonator, and can be adjusted by adjusting the area of the conductor pattern 135 or the gap between the conductor pattern 135 and the end of the resonance hole 103. do. In this case, the resonant frequency adjusting conductor pattern 135 is not limited to a specific position as shown in the drawing. That is, the upper and lower portions of the resonance hole 108 may be formed, and both upper and lower portions may be formed beside the resonance hole 108. In addition, although the resonant frequency adjusting conductor pattern 135 may be connected to the ground electrode on the side of the dielectric block as shown in the figure, it is of course also possible to be separated. The resonant frequency adjusting conductor pattern 135 may be connected to the conductor pattern 108 around the resonant hole 103, but it is more preferable to form the resonant frequency adjusting conductor pattern 135 at a predetermined distance.
상기한 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 유전체필터에서는 접지전극이 형성된 유전체 블럭의 제2면(107), 즉 후면에 전극이 형성되지 않은 오픈영역(120)을 형성하여 필터의 감쇄포인트와 감쇄비를 제어할 수 있게 되어 필터의 특성을 용이하게 제어할 수 있게 된다. 또한, 유전체 블럭의 제1면(105)에 형성되는 복수의 도체패턴을 종래 보다 작은 크기로 형성한 후, 제2면(107)에 오픈영역(120)을 형성하여 유전체 필터의 캐패시턴스와 인덕턴스를 제어하기 때문에, 종래보다 소형화된 유전체 필터의 제조가 가능할 뿐만 아니라 소형화에 따른 전극의 프린팅오차에 의한 불량을 방지할 수 있게 된다.As described above, in the dielectric filter according to the exemplary embodiment of the present invention, an attenuation point of the filter is formed by forming an open region 120 having no electrode formed on the second surface 107 of the dielectric block on which the ground electrode is formed, that is, the rear surface. And the attenuation ratio can be controlled to easily control the characteristics of the filter. In addition, after forming a plurality of conductor patterns formed on the first surface 105 of the dielectric block to have a smaller size than before, an open area 120 is formed on the second surface 107 to form capacitance and inductance of the dielectric filter. Because of the control, it is possible to manufacture a dielectric filter that is smaller in size than in the related art, and also to prevent a defect due to the printing error of the electrode due to the miniaturization.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유전체 필터를 나타내는 도면이고, 도 8은 도 7의 제2면을 나타내는 도면이고 도 9는 도 7의 제1면을 나타내는 도면이다. 도 7에 도시된 유전체블럭(201)은 공진홀(203)의 갯수를 제외하고는 도 3에 도시된 유전체 필터와 그 구성이 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.FIG. 7 is a diagram illustrating a dielectric filter according to another exemplary embodiment of the present invention, FIG. 8 is a diagram illustrating the second surface of FIG. 7, and FIG. 9 is a diagram illustrating the first surface of FIG. 7. The dielectric block 201 shown in FIG. 7 has the same configuration as the dielectric filter shown in FIG. 3 except for the number of resonance holes 203. Therefore, detailed description of the same configuration is omitted.
도 8(a)∼도 8(c)는 상기 유전체 블럭(201)의 제2면(207)에 형성된 오픈영역의 예를 나타내는 도면이다. 도 8(a)에 나타낸 바와 같이, 유전체블럭(201)의 제2면(207)에 형성된 제1오픈영역(220)은 공진홀(203)의 배열방향을 따라 상기 3개의 공진홀(203)과 겹치도록 배치되어 있으며, 상기 제1오픈영역(220)의 길이방향 좌우의 공진홀(203) 상부와 하부영역에는 일정 크기의 제2오픈영역(235a,235b)이 형성되어 있다. 상기 제1오픈영역(220)의 길이방향을 따라 공진홀(203)의 상부에 배치된 형성된 제2오픈영역(235a)은 상기 제1오픈영역(220)과 일체로 형성될 수도 있고 상기 제1오픈(220)과 별개로 형성될 수도 있다. 상기 제2오픈영역(235a,235b)은 공진기의 공진주파수 조정용으로서 그 길이를 제어함에 따라 부하캐패시턴스를 조절하여 공진주파수를 조정할 수 있게 된다.8A to 8C are diagrams showing examples of open areas formed on the second surface 207 of the dielectric block 201. As shown in FIG. 8A, the first open region 220 formed on the second surface 207 of the dielectric block 201 has three resonance holes 203 along the arrangement direction of the resonance holes 203. The second open regions 235a and 235b having a predetermined size are formed in the upper and lower regions of the resonance hole 203 in the longitudinal left and right directions of the first open region 220. The formed second open region 235a disposed above the resonance hole 203 in the longitudinal direction of the first open region 220 may be integrally formed with the first open region 220 or may be formed of the first opening region 220. It may be formed separately from the open (220). The second open regions 235a and 235b are used to adjust the resonant frequency of the resonator, and thus the resonant frequency may be adjusted by adjusting the load capacitance.
제1오픈영역(220) 및 제2오픈영역(235a,235b)은 제2면(207)의 접지전극을 도포할 때, 마스크를 사용하여 일정 영역을 블로킹한 상태에서 도전물질을 도포함으로써 접지전극의 형성과 동시에 형성된다.The first open area 220 and the second open areas 235a and 235b apply a conductive material in a state in which a predetermined area is blocked using a mask when applying the ground electrodes on the second surface 207. It is formed simultaneously with the formation of.
도 8(a)에는 비록 제1오픈영역(220)과 제2오픈영역(221)이 동시에 형성되어 있지만, 이는 설명의 편의를 위한 것으로서, 제1오픈영역(220) 혹은 제2오픈영역(235a,235b)만을 형성하는 것도 물론 가능하며, 상기 공진주파수 조정용 제2오픈영역(235a,235b)의 크기 및 형상, 그리고 그 갯수는 특별히 한정될 필요는 없다.Although the first open area 220 and the second open area 221 are simultaneously formed in FIG. 8A, this is for convenience of description, and the first open area 220 or the second open area 235a is shown in FIG. Of course, it is also possible to form only 235b, and the size and shape of the second open regions 235a and 235b for adjusting the resonance frequency and the number thereof need not be particularly limited.
도 8(b)에서는, 오픈영역(220a,220b)이 공진홀(203)과 겹치도록 공진홀(203)의 배열방향을 따라 공진홀(203)의 위아래에 배치되어 있으며, 도 8(c)에는 상기 공진홀(203)의 위아래에 각각 2개의 공진홀(203)과 겹치도록 오픈영역(220a,220b)이 배치되어 있다. 상기 도 8(b) 및 도 8(c)에는 도시하지 않았지만, 도 8(a)와 마찬가지로 상기 제2면(207)에 공진주파수 조정용 오픈영역을 형성하는 것도 물론 가능하다.In FIG. 8B, the open regions 220a and 220b are disposed above and below the resonance hole 203 along the arrangement direction of the resonance hole 203 so as to overlap the resonance hole 203. Open regions 220a and 220b are disposed above and below the resonance hole 203 so as to overlap the two resonance holes 203, respectively. Although not shown in FIGS. 8B and 8C, it is of course possible to form an open region for resonant frequency adjustment on the second surface 207 as in FIG. 8A.
상기 도 8(b) 및 도 8(c)는 도 8(a)와 동일한 효과를 나타내는 것으로, 그 차이는 형상에 따라 부가되는 결합인덕턴스의 크기 정도일뿐이다.8 (b) and 8 (c) show the same effects as those of FIG. 8 (a), and the difference is only about the magnitude of the coupling inductance added depending on the shape.
도 10에 상기 도 8에 도시된 유전체 필터의 등가회로도가 도시되어 있다. 상기 등가회로도는 오픈영역(220)의 형상이 각각 다른 경우에도 그 구성이 유사하므로 하나의 등가회로도로 상기 도 8(a)∼도 8(c)에 도시된 예를 설명한다.10 shows an equivalent circuit diagram of the dielectric filter shown in FIG. Since the configuration of the equivalent circuit diagram is similar in the case where the shapes of the open regions 220 are different from each other, an example of the equivalent circuit diagram shown in FIGS. 8A to 8C will be described.
도 10의 등가회로도와 도 6의 등가회로도의 구성은 캐패시턴스(C13)와 인덕턴스(M13)를 제외하고는 동일하다. 따라서, 다른 구성에 대한 상세한 설명은 생략하고 상기 캐패시턴스(C13)에 대해서만 설명한다. 도 8(a)에 도시된 제1오픈영역(220)은 인접하는 공진기 사이에 결합인덕턴스(M12,M23)을 형성할 뿐만 인접하지 않는 공진기 사이에 크로스 결합인덕턴스(M13)을 형성한다. 이러한 크로스 결합인덕턴스(M13)는 서로 인접하지 않는 공진홀 사이에서 발생하는 것으로, 결합인덕턴스(M12,M23)와 더불어 유전체필터의 전체적인 결합인덕턴스를 증가시킨다. 따라서, 상기 제1오픈영역(220)의 크기를 제어함에 따라 유전체 필터의 전체적인 결합인덕턴스를 제어하고, 그 결과 유전체 필터의 특성을 용이하게 제어할 수 있게 된다. 이러한 크로스 결합인덕턴스(M13)는 공진기가 4개 이상의 복수개 존재하는 경우에도 인접 공진기를 제외한 모든 공진기 사이에 존재하기 때문에, 더욱 큰 크로스 결합인덕턴스를 제공한다.The configuration of the equivalent circuit diagram of FIG. 10 and the equivalent circuit diagram of FIG. 6 is the same except for the capacitance C 13 and the inductance M 13 . Therefore, the detailed description of the other components will be omitted and only the capacitance C 13 will be described. The first open region 220 shown in FIG. 8 (a) forms coupling inductances M 12 and M 23 between adjacent resonators, as well as cross coupling inductances M 13 between non-adjacent resonators. . The cross coupling inductance M 13 is generated between resonance holes which are not adjacent to each other, and increases the overall coupling inductance of the dielectric filter together with the coupling inductances M 12 and M 23 . Therefore, by controlling the size of the first open region 220, the overall coupling inductance of the dielectric filter can be controlled, and as a result, the characteristics of the dielectric filter can be easily controlled. Since the cross coupling inductance M 13 exists between all resonators except the adjacent resonators even when four or more resonators exist, the cross coupling inductance M 13 provides a larger cross coupling inductance.
또한, 도 8(a)에 도시된 제2오픈영역(221)은 각 공진기(R1,R2,R3)의 부하캐패시턴스(C1,C2,C3)를 증가시키는 효과가 있다. 이는 주어진 관통홀에 의한 공진기의 공진주파수를 낮추는 역할을 하므로 상기 제2오픈영역(221)의 크기를 제어함에 따라 공진주파수의 조정이 가능해진다.In addition, the second open region 221 illustrated in FIG. 8A has an effect of increasing the load capacitances C 1 , C 2 , and C 3 of the resonators R 1 , R 2 , and R 3 . This serves to lower the resonant frequency of the resonator by the given through-hole, so that the resonant frequency can be adjusted by controlling the size of the second open region 221.
이때, 상기 결합인덕턴스(M12,M23)와 크로스 결합인덕턴스(M13)의 크기는 형성되는 제1오픈영역(220)의 폭과 길이가 커짐에 따라 증가하고 공진주파수는 역시 상기 제2오픈영역(220)의 면적이 넓어짐에 따라 낮아진다.At this time, the size of the coupling inductance (M 12 , M 23 ) and the cross coupling inductance (M 13 ) increases as the width and length of the first open area 220 is formed and the resonance frequency is also increased in the second open. As the area of the region 220 becomes wider, it becomes lower.
도 9에 도시된 유전체블럭 제1면에 도시된 구조는 도 5에 도시된 제1면의 구조와 동일한 구성으로 되어 있다. 즉, 도 9(a) 및 도 9(b)에 도체패턴(230,231)은 각각 인접하는 공진기 사이에 결합캐패시턴스를 형성하는 것이고, 도 9(c)에 도시된 도체패턴(235)은 공진주파수 조정용으로서 도체패턴(235)의 면적 및 도체패턴(245)과 공진홀(203) 단부와의 간격을 조절함에 따라 공진기의 공진주파수를 조정할 수 있게 된다. 이때에도 각각의 도체패턴은 도면에 도시된 특정한 형상 및 위치에 한정되는 것은 아니고, 다른 많은 형상 및 배치가 가능하다.The structure shown on the first surface of the dielectric block shown in FIG. 9 has the same structure as that of the first surface shown in FIG. That is, in FIGS. 9A and 9B, the conductive patterns 230 and 231 form coupling capacitances between adjacent resonators, respectively, and the conductive pattern 235 shown in FIG. 9C is used for adjusting the resonance frequency. As a result, the resonance frequency of the resonator can be adjusted by adjusting the area of the conductor pattern 235 and the gap between the conductor pattern 245 and the end of the resonance hole 203. At this time, each conductor pattern is not limited to the specific shape and position shown in the drawings, and many other shapes and arrangements are possible.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 듀플렉서 유전체 필터를 나타내는 도면이며, 도 12는 도 11에 도시된 듀플렉서 유전체 필터의 제2면을 나타내는 도면이고 도 13은 도 11에 도시된 듀플렉서 유전체필터의 제1면을 나타내는 도면이다.FIG. 11 is a diagram illustrating a duplexer dielectric filter according to another embodiment of the present invention, FIG. 12 is a view showing a second surface of the duplexer dielectric filter shown in FIG. 11, and FIG. 13 is a duplexer dielectric filter shown in FIG. 11. It is a figure which shows the 1st surface of the.
도 11에 나타낸 바와 같이, 상기 듀플렉서 유전체 필터는 서로 마주하는 제1면(305) 및 제2면(6077)를 포함하는 대략 육면체의 유전체 블럭(301)으로 구성되어 있다. 상기 유전체 블럭(3011)의 내부에는 설정 간격을 두고 제1면(305)에서 제2면(307)으로 대략 평행하게 관통하는 복수의 공진홀(303)이 형성되어 있으며, 상기 제2면(307)과 제1면(305) 및 제2면(3077) 사이의 측면에는 접지전극이 도포되어 있고 공진홀(303)의 내부표면 역시 내부전극이 도포되어 공진기를 형성한다. 또한, 상기 유전체 블럭의 제1면(305)에는 도전물질이 도포되지 않은 오픈영역이 형성되어 있다.As shown in Fig. 11, the duplexer dielectric filter is composed of a substantially hexahedral dielectric block 301 including a first face 305 and a second face 6077 facing each other. Inside the dielectric block 3011, a plurality of resonant holes 303 penetrate substantially parallel to the second surface 307 from the first surface 305 at predetermined intervals, and the second surface 307 is formed. ) And a ground electrode is applied to the side surface between the first surface 305 and the second surface 3077, and the inner surface of the resonance hole 303 is also coated with internal electrodes to form a resonator. In addition, an open region to which the conductive material is not applied is formed on the first surface 305 of the dielectric block.
상기 제1면(305)의 공진홀(303) 주위에는 공진홀(3)의 내부표면에 형성된 내부전극과 접속되는 설정 크기의 도체패턴(308)이 형성되어, 유전체 블럭(1)의 접지전극과의 사이에서 부하캐패시턴스를 형성하고 인접 공진홀(303) 주위의 도체패턴 사이에서 결합캐패시턴스를 형성한다. 또한, 상기 제1면(305)에는 송수신단자(312a,312b) 및 안테나단자(313)가 형성되어 있다.A conductive pattern 308 having a predetermined size is formed around the resonance hole 303 of the first surface 305 so as to be connected to an internal electrode formed on the inner surface of the resonance hole 3, and the ground electrode of the dielectric block 1 is formed. The load capacitance is formed between and, and the coupling capacitance is formed between the conductor patterns around the adjacent resonance hole 303. In addition, transmission and reception terminals 312a and 312b and antenna terminals 313 are formed on the first surface 305.
듀플렉서 유전체필터는 일반적으로 2개의 필터링영역으로 이루어진다. 제1필터링영역이 안테나단을 통해 수신된 신호를 필터링하는 경우에는 제2필터링영역은 안테나단을 통해 송신되는 신호를 필터링하는 영역이다. 통상적으로 유전체블럭내의 필터링영역에서 상기 수신영역과 송신영역을 특별히 구분할 필요는 없다. 동일한 구조로 이루어진 듀플렉서 유전체필터의 경우에서도 특정 제품에 따라 상기 수신영역과 수신영역이 달라질 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는 설명의 편의를 위해 수신영역과 송신영역을 특정하여 설명하고 있지만, 이러한 가정이 본 발명을 한정하는 것은 결코 아니다.The duplexer dielectric filter generally consists of two filtering regions. When the first filtering area filters the signal received through the antenna terminal, the second filtering area is an area filtering the signal transmitted through the antenna terminal. In general, it is not necessary to specifically distinguish the receiving area from the transmitting area in the filtering area in the dielectric block. Even in the case of a duplexer dielectric filter having the same structure, the receiving area and the receiving area may vary according to a specific product. Therefore, in the present embodiment, the reception area and the transmission area are specified and described for convenience of description, but this assumption does not limit the present invention.
도 11에 도시된 유전체 필터에서,상기 안테나단자(313)을 중심으로 좌측에 형성된 3개의 공진홀은 고주파를 외부로부터 수신하는 수신필터링영역이고, 우측에 형성된 4개의 공진홀은 외부로부터 고주파를 출력하는 송신필터링영역이다. 수신필터링영역은 수신주파수에 대한 통과특성을 갖고 송신주파수에 대해서는 저지특성을 갖는 반면에, 송신필터링영역은 송신주파수에 대해서는 통과특성을 갖고 수신주파수에 대해서는 저지특성을 갖는다.In the dielectric filter illustrated in FIG. 11, three resonance holes formed on the left side of the antenna terminal 313 are reception filtering regions for receiving high frequency from the outside, and four resonance holes formed on the right side output the high frequency from the outside. Transmission filtering area. The reception filtering region has a pass characteristic for the reception frequency and a rejection characteristic for the transmission frequency, while the transmission filtering region has a pass characteristic for the transmission frequency and a rejection characteristic for the reception frequency.
도 12(a)∼도 12(d)는 도 11의 제2면(307)의 오픈영역의 예를 나타내는 도면이다. 도 12(a)에 나타낸 바와 같이, 수신필터링영역의 공진홀(303) 사이에는 전극이 도포되지 않은 설정 폭 및 길이의 제1오픈영역(327)이 형성되어 있으며, 상기 공진홀(303)의 아래쪽에는 설정폭 및 길이의 제2오픈영역(328)이 형성되어 있다. 상기 제1오픈영역(327)과 제2오픈영역(328)은 공진홀(303)로부터 일정 거리를 두고 형성되어 공진홀(303)의 내부로부터 절연상태를 유지한다. 이때, 수신필터링영역의 제2오픈영역(328)을 송신단의 모든 공진홀(303) 하부에 형성하는 것도 가능하고 공진홀(303)의 상부에 형성하는 것도 가능하다.12A to 12D are views showing an example of the open area of the second surface 307 of FIG. As shown in FIG. 12A, a first open region 327 having a predetermined width and length without an electrode is formed between the resonance holes 303 of the reception filtering region, and the resonance holes 303 The second open area 328 of a set width and length is formed below. The first open area 327 and the second open area 328 are formed at a predetermined distance from the resonance hole 303 to maintain an insulation state from the inside of the resonance hole 303. In this case, the second open region 328 of the reception filtering region may be formed below all of the resonance holes 303 of the transmitter, or may be formed above the resonance holes 303.
송신필터링영역에는 공진홀(303)의 단부와 일정 거리를 두고 공진홀(303)의 배열방향으로 상하에 제3오픈영역(320a,320b)이 형성되어 있다. 상기 제3오픈영역(320a,320b)은 유전체블럭의 제2면에 한정되는 것이 아니라 공진홀(303)의 단부와 일정 거리 이격된 상태로 제2면 및 측면에 형성가능하다. 또한, 송신필터링영역의 제3오픈영역(320)을 공진홀(303)의 상하부 한쪽에만 형성하는 것도 물론 가능하다.In the transmission filtering region, third open regions 320a and 320b are formed above and below the resonance hole 303 in a direction in which the resonance hole 303 is disposed at a predetermined distance. The third open regions 320a and 320b are not limited to the second surface of the dielectric block but may be formed on the second surface and the side surface at a predetermined distance from the end of the resonance hole 303. In addition, the third open region 320 of the transmission filtering region may be formed only on one side of the upper and lower portions of the resonance hole 303.
도 14는 도 12에 도시된 듀플렉서 유전체 필터의 등가회로도로서, 이를 참조하여 상기 도 12(a)에 도시된 예의 듀플렉서 유전체 필터를 설명한다.FIG. 14 is an equivalent circuit diagram of the duplexer dielectric filter shown in FIG. 12, which describes the duplexer dielectric filter of the example shown in FIG.
도면에서, 수신필터링영역의 공진홀(303) 사이에 형성된 제1오픈영역(327)은 수신필터링영역의 공진기 사이의 결합캐패시턴스(C12,C23)를 증가시키기 위한 것으로, 그 면적이 넓을수록 결합캐패시턴스(C12,C23)가 증가한다. 따라서, 상기 제1오픈영역(327)에 의해 공진기 사이의 결합캐패시턴스(C12,C23)를 조절하여 원하는 특성을 얻을 수 있게 된다. 또한, 상기 공진홀(328) 아래, 즉 공진홀(303)과 유전체 블럭 측면에 형성된 접지전극 사이에 형성된 제2오픈영역(328)에 의해 해당 공진홀의 공진주파수를 낮출 수 있게 된다. 이때, 상기 제2오픈영역(328)의 면적이 넓을수록 공진주파수가 더 낮아진다. 이러한, 제2오픈영역(328)의 형성은 수신필터링영역의 공진홀(303)의 내부전극과 접속되는 제1면(305)의 도체패턴(308) 면적을 넓히는 효과를 발생하며 결국 공진기의 길이를 길게 하는 역할을 하여 공진주파수를 낮출 수 있게 된다.In the drawing, the first open area 327 formed between the resonance holes 303 of the reception filtering area is to increase the coupling capacitances C 12 and C 23 between the resonators of the reception filtering area. The coupling capacitance C 12 , C 23 is increased. Accordingly, desired characteristics can be obtained by adjusting the coupling capacitances C 12 and C 23 between the resonators by the first open region 327. In addition, the resonance frequency of the resonance hole may be lowered by the second open region 328 formed below the resonance hole 328, that is, between the resonance hole 303 and the ground electrode formed on the side of the dielectric block. At this time, the larger the area of the second open region 328 is, the lower the resonance frequency. The formation of the second open region 328 has an effect of widening the area of the conductor pattern 308 of the first surface 305 connected to the internal electrode of the resonance hole 303 of the reception filtering region, and thus the length of the resonator. By reducing the resonant frequency by acting to lengthen.
송신필터링영역에서 상기 공진홀(303)의 배열방향을 따라 연장되는 제3오픈영역(320a,320b)은 도 3 및 도 7에 도시된 유전체 필터와 마찬가지로 인접 공진기 사이에 결합인덕턴스(M45,M46,M47)를 형성할 뿐만 아니라 인접하지 않는 공진기 사이에 크로스 결합인덕턴스(M46,M47)를 형성한다. 도 13에서는 비록 특정 공진기(R4)에 대한 크로스 결합인덕턴스만을 도시했지만, 모든 공진기(R4,R5,R6,R7)에 대한 크로스 결합인덕턴스가 존재하기 때문에, 실제적으로 송신단에서의 전체적인 결합인덕턴스가 증가하게 된다. 이때, 상기 결합인덕턴스는 제3오픈영역(320a,320b)의 면적이 넓을수록, 제3오픈영역(320a,320b)과 공진홀과의 간격이 좁을수록 결합인덕턴스가 증가한다. 따라서, 수신필터링영역과 마찬가지로 상기 제3오픈영역(320a,320b)의 면적과 공진홀과의 간격을 조절함으로써 원하는 특성을 얻을 수 있게 된다.In the transmission filtering region, the third open regions 320a and 320b extending along the arrangement direction of the resonance hole 303 have coupling inductances M 45 and M between adjacent resonators, similar to the dielectric filters illustrated in FIGS. 3 and 7. 46 , M 47 as well as cross coupling inductances M 46 , M 47 between non-adjacent resonators. Although only the cross coupling inductance for a specific resonator R 4 is shown in FIG. 13, since there are cross coupling inductances for all the resonators R 4 , R 5 , R 6 , and R 7 , in practice, the overall coupling The coupling inductance will increase. In this case, the coupling inductance increases as the area of the third open regions 320a and 320b is wider and the gap between the third open regions 320a and 320b and the resonance hole is narrower. Thus, as in the reception filtering region, desired characteristics can be obtained by adjusting the distance between the areas of the third open regions 320a and 320b and the resonance holes.
상기 제2면(307)에 도시된 오픈영역의 다른 예로서, 도 10(b)에는 송신필터링영역의 제3오픈영역(320a,320b)이 두부분으로 분리되어 공진홀(303)의 배열방향을 따라 각각 두개의 공진홀(303)과 겹치며, 공진홀 사이에는 또 다른 제4오픈영역(330)이 존재한다. 상기 제4오픈영역(330)은 인접하는 공진기 사이의 결합캐패시턴스를 대폭 증가시키기 위한 것이다.As another example of the open area illustrated in the second surface 307, in FIG. 10B, the third open areas 320a and 320b of the transmission filtering area are divided into two parts to change the arrangement direction of the resonance hole 303. Accordingly, each of the two resonant holes 303 overlaps with another fourth open region 330 between the resonant holes. The fourth open region 330 is for greatly increasing the coupling capacitance between adjacent resonators.
도 12(c)에 도시된 예에서는 제3오픈영역이 공진홀(303)의 배열방향을 따라 한쪽에만 형성되어 되어 있고, 도 8(a)에 도시된 실시예와 마찬가지로, 공진홀(303)의 상하부에 공진주파수 조정용 제5오픈영역(335a,335b)이 형성되어 있다. 상기 제5오픈영역(335a,335b)은 공진주파수를 미세하게 조정하기 공진주파수 조정용 오픈영역으로, 제1오픈영역∼제4오픈영역과 마찬가지로 접지전극을 형성할 때 마스크를 사용하여 도전물질의 도포와 동시에 형성되는데 패턴의 크기 및 패턴과 공진홀 단부 사이의 간격을 조절함에 따라 공진주파수를 미세하게 조정할 수 있게 된다. 이전의 실시예와 마찬가지로 상기 공진주파수 조정용 제5오픈영역(335a,335b) 역시 제2면에 단독으로 형성될 수 있으며, 공진홀(303)의 상하부 한쪽에만 형성될 수도 있다. 또한, 공진홀(303)의 상부 혹은 하부 이외에도 공진홀(303)의 옆에도 형성할 수도 있다. 즉, 상기 공진주파수 조정용 제5오픈영역(335a,335b)을 특정 위치에 한정할 필요는 없다. 그리고, 도면에 나타낸 바와 같이, 상기 공진주파수 조정용 제5오픈영역(335a,335b)이 유전체블럭 측면의 접지전극에 접속되는 것도 가능하지만 분리하여 형성하는 것도 가능하다.In the example shown in Fig. 12 (c), the third open region is formed only on one side along the arrangement direction of the resonance hole 303, and as in the embodiment shown in Fig. 8 (a), the resonance hole 303 Resonant frequency adjusting fifth open regions 335a and 335b are formed at the upper and lower portions of the upper and lower sides of the upper and lower sides of the upper and lower regions. The fifth open regions 335a and 335b are open regions for resonant frequency adjustment to finely adjust the resonance frequency. Similarly to the first to fourth open regions, the conductive material is applied using a mask to form a ground electrode. It is formed at the same time as the size of the pattern and the gap between the pattern and the end of the resonance hole can be finely adjusted the resonance frequency. As in the previous embodiment, the fifth open regions 335a and 335b for adjusting the resonance frequency may also be formed on the second surface alone, or may be formed only on one side of the upper and lower portions of the resonance hole 303. In addition to the upper or lower portion of the resonance hole 303, it may be formed beside the resonance hole 303. That is, it is not necessary to limit the fifth open regions 335a and 335b for adjusting the resonance frequency to specific positions. As shown in the figure, the fifth open regions 335a and 335b for adjusting the resonance frequency may be connected to the ground electrode on the side of the dielectric block, but may be formed separately.
도 12(d)에 도시된 예에서는, 제3오픈영역(320a,320b)이 공진홀(303)의 배열방향을 따라 두개의 공진홀(303)과 겹치도록 형성된 것으로, 도 12(b)와는 달리 각 제3오픈영역(320a,320b)이 상하에 교대로 형성되어 있다. 이 경우 크로스 결합인덕턴스는 존재하지 않지만, 상기 제3오픈영역(320a,320b)와 겹치는 공진홀 사이에 결합인덕턴스가 증가하여 송신단 필터의 원하는 특성을 얻을 수 있게 된다. 또한 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 도 12(b) 및 도 12(d)에 인접하는 두개의 공진홀(303)과 겹치는 오픈영역에 부가하여 3개 이상의 공진홀(303)을 따라 형성되어 인접하는 공진기 사이에 결합인덕턴스를 형성하고 인접하지 않는 공진기 사이에 크로스 결합인덕턴스를 형성하는 오픈영역을 형성하는 것도 가능하다.In the example shown in FIG. 12D, the third open regions 320a and 320b are formed to overlap the two resonance holes 303 along the arrangement direction of the resonance holes 303. Alternatively, the third open regions 320a and 320b are alternately formed above and below. In this case, the cross coupling inductance does not exist, but the coupling inductance is increased between the resonance holes overlapping the third open regions 320a and 320b to obtain desired characteristics of the transmitter filter. Although not shown in the drawings, in addition to the open region overlapping the two resonant holes 303 adjacent to FIGS. 12 (b) and 12 (d), three or more resonant holes 303 are formed along and adjacent to each other. It is also possible to form open regions that form coupling inductances between the resonators and cross coupling inductances between non-adjacent resonators.
도 13에 도시된 유전체블럭의 제1면의 구조는 수신필터링영역과 수신필터링영역 전체에 걸쳐서 도체패턴이 형성된다는 점을 제외하고는 도 5 및 도 9에 도시된 구조와 동일하다. 따라서, 상기 제1면의 구조에 대한 상세한 설명은 생략한다. 상기 도 13(a)∼도 13(b)에 도시된 각 예는 도 12(a)∼도 12(d)에 도시된 유전체블럭 제1면의 오픈영역구조와 조합되어 서로 다른 구조를 갖는 듀플렉서 유전체필터를 형성할 수 있게 된다.The structure of the first surface of the dielectric block shown in FIG. 13 is the same as that shown in FIGS. 5 and 9 except that the conductor pattern is formed over the reception filtering area and the entire reception filtering area. Therefore, detailed description of the structure of the first surface is omitted. Each of the examples shown in FIGS. 13 (a) to 13 (b) is a duplexer having different structures in combination with the open area structure of the first surface of the dielectric block shown in FIGS. 12 (a) to 12 (d). It is possible to form a dielectric filter.
상기한 각 실시예에 도시된 오픈영역은 특정 형상이나 특정 크기 및 특정 위치에 한정되지는 않는다. 이러한 예는 발명을 설명하기 위한 수단으로서, 이러한 도면 및 설명의 한정이 본 발명의 권리범위를 한정하지는 않는다. 또한, 유전체 블럭에 형성되는 공진홀의 수도 특정되지는 않는다.The open area shown in each of the above embodiments is not limited to a specific shape or a specific size and specific position. These examples are means for illustrating the invention, and the limitations of the drawings and description do not limit the scope of the invention. In addition, the number of resonance holes formed in the dielectric block is not specified.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 유전체 필터에서는 접지전극이 형성된 유전체 블럭의 후면에 전극이 형성되지 않은 오픈영역을 형성하여 캐패시턴스와 인덕턴스를 부가함으로써, 전극이 형성되지 않은 유전체 블럭 전면의 공진홀 주위에 형성되는 도체패턴의 크기를 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라 크기 축소에 따른 전극형성공정에서의 스크린프린팅오차가 발생하지도 않는다. 따라서, 유전체 필터를 소형 경량화할 수 있게 된다. 또한, 상기 후면에 형성된 오픈영역의 크기 조절에 의해 공진기 사이의 캐패시턴스와 인덕턴스의 크기 제어가 가능하게 되어, 원하는 특성의 유전체필터를 용이하게 제조할 수 있게 된다. 더욱이, 공진주파수 조정용 오픈영역에 의해 미세한 공진주파수의 제어도 가능하게 된다.As described above, in the dielectric filter according to the present invention, an open area in which no electrode is formed is formed on the rear surface of the dielectric block on which the ground electrode is formed, thereby adding capacitance and inductance, thereby surrounding the resonance hole in front of the dielectric block in which the electrode is not formed. In addition to reducing the size of the conductor pattern formed in the screen printing error in the electrode forming process according to the size reduction does not occur. Therefore, the dielectric filter can be reduced in size and weight. In addition, it is possible to control the size of the capacitance and inductance between the resonators by controlling the size of the open area formed on the rear surface, thereby easily manufacturing a dielectric filter having a desired characteristic. In addition, a fine resonant frequency can be controlled by the open region for resonant frequency adjustment.
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