KR20000031923A - 다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법 - Google Patents
다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20000031923A KR20000031923A KR1019980048187A KR19980048187A KR20000031923A KR 20000031923 A KR20000031923 A KR 20000031923A KR 1019980048187 A KR1019980048187 A KR 1019980048187A KR 19980048187 A KR19980048187 A KR 19980048187A KR 20000031923 A KR20000031923 A KR 20000031923A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chip
- completed
- written
- sector
- program
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/20—Employing a main memory using a specific memory technology
- G06F2212/202—Non-volatile memory
- G06F2212/2022—Flash memory
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
본 발명은 다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법에 관한 것으로, 종래에는 여러칩을 액세스하기 때문에 전류소모가 많아 실제적으로 2~3개의 칩 정도 밖에는 사용할 수 없고, 또한 라이트동작시 이레이저와 프로그램동작이 순차적으로 이루어져 속도가 저하되는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 라이트할 칩을 선택한후 이전의 데이터 라이트시 마지막에 이레이저된 섹터에 대한 프로그램 명령을 내리고 그 섹터의 어드레스와 프로그램할 데이터를 입력하여 프로그램 동작을 수행한후 라이트할 다른 칩이 있는가를 판단하는 제1 단계와; 상기 제1 단계의 판단결과 라이트할 다른 칩이 없으면 바로 종료하고, 라이트할 다른 칩이 있으면 소정 칩을 선택한후 그 선택된 칩의 특정섹터에 대한 이레이저 명령을 내리고 그 특정섹터의 어드레스를 입력받아 이레이저 동작을 수행한후 상태 레지스터(프로그램)를 리드하여 프로그램동작이 완료되었는지를 판단하는 제2 단계와; 상기 제2 단계의 판단결과 프로그램동작이 완료되지 않았으면 상기 제2 단계로 궤환하고, 프로그램동작이 완료되었으면 상태 레지스터(이레이저)를 리드하여 이레이저 동작이 완료되었는지를 판단하는 제3 단계와; 상기 제3 단계의 판단결과 이레이저 동작이 완료되지 않았으면 상기 제3 단계로 궤환하고, 이레이저 동작이 완료되었으면 라이트할 다른 칩이 있는가를 판단하는 제4 단계와; 상기 제4 단계의 판단결과 라이트할 다른 칩이 있으면 상기 제1 단계로 궤환하고, 라이트할 다른 칩이 없으면 이레이저된 섹터에 대한 어드레스를 저장한 후 종료하는 제5 단계로 수행함으로써 여러 섹터에 데이터를 라이트할 시에 걸리는 시간을 줄일 수 있고, 또한 2개 이상의 칩이 존재하더라도 2개의 칩만 동시에 액세스하므로 전류측면에서 더 효율적이다.
Description
본 발명은 다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법에 관한 것으로, 특히 라이트 명령시 수행하는 두가지 오퍼레이션을 다수의 플래시 메모리를 액세스하여 동시에 수행하도록 한 다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 호스트 시스템에서 데이터 스토리지 시스템에 데이터를 라이트하는 명령을 내리면 그 데이터 스토리지 시스템은 두가지 오퍼레이션을 수행하는데, 처음에 원하는 섹터를 이레이저하고 그 다음에 호스트로부터 전송받은 데이터를 라이트하게 되며, 이와같은 종래 기술을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도1은 종래 다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법의 동작 흐름도로서, 이에 도시된 바와같이 라이트할 칩을 선택하여 그 선택된 칩의 특정섹터에 대한 이레이저명령을 내린후, 상기 특정섹터에 어드레스를 입력받아 이레이저 동작을 수행하면서 상태레지스터를 리드하여 이레이저 동작이 완료되었는 지를 판단하는 제1 단계와; 상기 제1 단계의 판단결과 이레이저 동작이 완료되지 않았으면 상기 제1 단계로 궤환하고, 이레이저 동작이 완료되면 프로그램명령을 내린후 특정섹터에 대한 어드레스와 데이터를 입력받아 프로그램동작을 수행하면서 상태 레지스터를 리드하여 프로그램동작이 완료되었는지를 판단하는 제2 단계와; 상기 제2 단계의 판단결과 프로그램동작이 완료되지 않았으면 상기 제2 단계로 궤환하고, 프로그램동작이 완료되었으면 라이트할 다른 칩이 있는가를 판단하는 제3 단계와; 상기 제3 단계의 판단결과 라이트할 다른 칩이 있으면 상기 제1 단계로 궤환하고, 라이트할 다른칩이 없으면 바로 종료하는 제4 단계로 이루어지며, 이와같이 구성한 종래 기술에 대한 동작을 설명한다.
먼저, 라이트할 플래시 메모리 칩을 선택한후, 그 선택된 칩의 특정섹터에 대한 이레이저 명령이 내려지면 상기 특정섹터에 대한 어드레스를 입력받아 이레이저 동작을 수행한다.
이때, 상기 이레이저 동작이 완료되었는지 상태 레지스터를 리드하여 판단한다.
만약, 상기 판단결과 이레이저 동작이 완료되었으면 프로그램명령에 따라 특정 섹터에 대한 어드레스와 데이터를 입력받아 프로그램 동작을 수행한다.
그다음, 상태 레지스터를 리드하여 프로그램동작이 완료되었는지를 판단하여 프로그램동작이 완료되었으면 라이트할 다른 칩이 있는가를 판단한다.
상기 판단결과 라이트할 다른 칩이 있으면 상기의 동작을 반복수행하고, 라이트할 다른 칩이 없으면 종료한다.
즉, 호스트에서 데이터 라이트 명령을 내리면 데이터 스토리지 시스템은 원하는 섹터를 이레이저시킨후 상기 호스트로부터 받은 데이터를 프로그램하는데, 이때 상기 이레이저과정과 프로그램과정은 순차적으로 일어난다.
여기서, 프로그램 동작이나 이레이저 동작의 듀레이션(duration)은 보통 1mSec인 반면 프로그램이나 이레이저명령을 주고 어드레스와 데이터를 받은 것은 수십 μSec 밖에는 안된다.
이에 따라, 첫 번째 칩의 듀레이션(duration) 동안에 다른 여러개의 칩에 명령신호,어드레스,데이터를 줄 수 있는 시간이 충분하여 다수개의 칩이 거의 동시에 프로그램동작이나 이레이저동작을 수행할 수 있다.
그러나, 상기와 같이 종래에는 여러칩을 액세스하기 때문에 전류소모가 많아 실제적으로 2~3개의 칩 정도 밖에는 사용할 수 없고, 또한 라이트동작시 이레이저와 프로그램동작이 순차적으로 이루어져 속도가 저하되는 문제점이 있었다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 감안하여 창안한 본 발명은 라이트 명령시 수행하는 두가지 오퍼레이션을 다수의 플래시 메모리를 액세스하여 동시에 수행할 수 있도록 한 다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도1은 종래 다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법의 동작흐름도.
도2는 본 발명 다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법의 동작흐름도.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 라이트할 칩을 선택한후 이전의 데이터 라이트시 마지막에 이레이저된 섹터에 대한 프로그램 명령을 내리고 그 섹터의 어드레스와 프로그램할 데이터를 입력하여 프로그램 동작을 수행한후 라이트할 다른 칩이 있는가를 판단하는 제1 단계와; 상기 제1 단계의 판단결과 라이트할 다른 칩이 없으면 바로 종료하고, 라이트할 다른 칩이 있으면 소정 칩을 선택한후 그 선택된 칩의 특정섹터에 대한 이레이저 명령을 내리고 그 특정섹터의 어드레스를 입력받아 이레이저 동작을 수행한후 상태 레지스터(프로그램)를 리드하여 프로그램동작이 완료되었는지를 판단하는 제2 단계와; 상기 제2 단계의 판단결과 프로그램동작이 완료되지 않았으면 상기 제2 단계로 궤환하고, 프로그램동작이 완료되었으면 상태 레지스터(이레이저)를 리드하여 이레이저 동작이 완료되었는지를 판단하는 제3 단계와; 상기 제3 단계의 판단결과 이레이저 동작이 완료되지 않았으면 상기 제3 단계로 궤환하고, 이레이저 동작이 완료되었으면 라이트할 다른 칩이 있는가를 판단하는 제4 단계와; 상기 제4 단계의 판단결과 라이트할 다른 칩이 있으면 상기 제1 단계로 궤환하고, 라이트할 다른 칩이 없으면 이레이저된 섹터에 대한 어드레스를 저장한 후 종료하는 제5 단계로 수행함을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 의한 다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법의 작욤 및 효과를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도2는 본 발명 다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법의 동작흐름도로서, 이에 도시한 바와같이 라이트할 칩을 선택한후 이전의 데이터 라이트시 마지막에 이레이저된 섹터에 대한 프로그램 명령을 내리고 그 섹터의 어드레스와 프로그램할 데이터를 입력하여 프로그램 동작을 수행한후 라이트할 다른 칩이 있는가를 판단하는 제1 단계와; 상기 제1 단계의 판단결과 라이트할 다른칩이 없으면 바로 종료하고, 라이트할 다른칩이 있으면 소정 칩을 선택한후 그 선택된 칩의 특정섹터에 대한 이레이저 명령을 내리고 그 특정섹터의 어드레스를 입력받아 이레이저 동작을 수행한후 상태 레지스터(프로그램)를 리드하여 프로그램동작이 완료되었는지를 판단하는 제2 단계와; 상기 제2 단계의 판단결과 프로그램동작이 완료되지 않았으면 상기 제2 단계로 궤환하고, 프로그램동작이 완료되었으면 상태레지스터(이레이저)를 리드하여 이레이저 동작이 완료되었는지를 판단하는 제3 단계와; 상기 제3 단계의 판단결과 이레이저 동작이 완료되지 않았으면 상기 제3 단계로 궤환하고, 이레이저 동작이 완료되었으면 라이트할 다른 칩이 있는가를 판단하는 제4 단계와; 상기 제4 단계의 판단결과 라이트할 다른 칩이 있으면 상기 제1 단계로 궤환하고, 라이트할 다른 칩이 없으면 이레이저된 섹터에 대한 어드레스를 저장한 후 종료하는 제5 단계로 이루어지며, 이와같이 구성한 본 발명의 동작을 설명한다.
먼저, 라이트할 칩을 선택한후 이전의 데이터 라이트시 마지막에 이레이저된 섹터에 대한 프로그램명령이 내려지면 그 섹터에 어드레스와 데이터를 주고 프로그램동작을 수행하는데, 특정 제어신호가 천이되는 시점을 기준으로 하여 듀레이션(duration) 시간동안 기다려한다.
그다음, 라이트할 다른 칩이 있는가를 판단하는데, 만약 라이트할 다른 칩이 없으면 바로 종료하고 라이트할 다른 칩이 있으면 그에 따른 소정 칩을 선택한후 그 선택된 칩의 특정 섹터에 대한 이레이저 명령을 내리고 그 특정 섹터의 어드레스를 입력받아 해당되는 섹터에 대한 이레이저 동작을 수행한다.
그 다음, 상태 레지스터(프로그램)를 리드하여 프로그램동작이 완료되었는지를 판단한다.
상기 판단결과 프로그램동작이 완료되었으면, 상태 레지스터(이레이저)를 리드하여 이레이저 동작이 완료되었는지를 판단하여 완료되었으면 라이트할 다른 칩이 있는 가를 판단한다.
이에따라, 상기 판단결과 라이트할 다른 칩이 있으면 상기 과정을 반복 수행하고, 라이트할 다른 칩이 없으면 이레이저된 섹터에 대한 어드레스를 비휘발성 메모리에 저장한후 종료한다.
즉, 임의의 칩에 데이터를 라이트할 때 이전에 지운 섹터부터 라이트 하게됨과 동시에 다른 칩의 임의의 섹터를 이레이저함으로써 메모리에 데이터를 라이트하는 시간이 짧아지는데, 여기서 마지막에 이레이저한 섹터의 어드레스는 어드레스버퍼에 저장한다.
이상에서 상세히 설명한 바와같이 본 발명은 여러 섹터에 데이터를 라이트할 시에 걸리는 시간을 줄일 수 있고, 또한 2개 이상의 칩이 존재하더라도 2개의 칩만 동시에 액세스하므로 전류측면에서 더 효율적이다.
Claims (1)
- 라이트할 칩을 선택한후 이전의 데이터 라이트시 마지막에 이레이저된 섹터에 대해 프로그램 명령을 내리고 그 섹터의 어드레스와 프로그램할 데이터를 입력하여 프로그램 동작을 수행한후 라이트할 다른 칩이 있는가를 판단하는 제1 단계와; 상기 제1 단계의 판단결과 라이트할 다른칩이 없으면 바로 종료하고, 라이트할 다른칩이 있으면 소정 칩을 선택한후 그 선택된 칩의 특정섹터에 대한 이레이저 명령을 내리고 그 특정섹터의 어드레스를 입력받아 이레이저 동작을 수행한후 상태 레지스터(프로그램)를 리드하여 프로그램동작이 완료되었는지를 판단하는 제2 단계와; 상기 제2 단계의 판단결과 프로그램동작이 완료되지 않았으면 상기 제2 단계로 궤환하고, 프로그램동작이 완료되었으면 상태레지스터(이레이저)를 리드하여 이레이저 동작이 완료되었는지를 판단하는 제3 단계와; 상기 제3 단계의 판단결과 이레이저 동작이 완료되지 않았으면 상기 제3 단계로 궤환하고, 이레이저 동작이 완료되었으면 라이트할 다른 칩이 있는가를 판단하는 제4 단계와; 상기 제4 단계의 판단결과 라이트할 다른 칩이 있으면 상기 제1 단계로 궤환하고, 라이트할 다른 칩이 없으면 이레이저된 섹터에 대한 어드레스를 저장한 후 종료하는 제5 단계로 수행함을 특징으로 하는 다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980048187A KR20000031923A (ko) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | 다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980048187A KR20000031923A (ko) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | 다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000031923A true KR20000031923A (ko) | 2000-06-05 |
Family
ID=19557853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019980048187A KR20000031923A (ko) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | 다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20000031923A (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020044907A (ko) * | 2000-12-07 | 2002-06-19 | 윤종용 | 다중 플래쉬 메모리 시스템에서의 프로그램 운용 방법 |
KR20030000017A (ko) * | 2002-11-29 | 2003-01-03 | (주) 라모스테크놀러지 | 플래시 메모리 제어 장치 및 플래시 메모리 제어 방법 |
-
1998
- 1998-11-11 KR KR1019980048187A patent/KR20000031923A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020044907A (ko) * | 2000-12-07 | 2002-06-19 | 윤종용 | 다중 플래쉬 메모리 시스템에서의 프로그램 운용 방법 |
KR20030000017A (ko) * | 2002-11-29 | 2003-01-03 | (주) 라모스테크놀러지 | 플래시 메모리 제어 장치 및 플래시 메모리 제어 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7969791B2 (en) | Memory configuration of a composite memory device | |
US6798696B2 (en) | Method of controlling the operation of non-volatile semiconductor memory chips | |
US6134151A (en) | Space management for managing high capacity nonvolatile memory | |
US6262918B1 (en) | Space management for managing high capacity nonvolatile memory | |
US8966163B2 (en) | Non-volatile memory device and method for programming the same | |
US7203791B2 (en) | Flash memory device with partial copy-back mode | |
JP4921174B2 (ja) | フラッシュメモリのデータ書込み方法 | |
US7073015B2 (en) | Information storage apparatus | |
KR20000070274A (ko) | 가변 페이지 사이즈를 갖는 리프로그래머블 메모리 장치 | |
KR20000031923A (ko) | 다수의 플래시 메모리에 대한 데이터 라이트 방법 | |
JP2008084288A (ja) | メモリ制御装置 | |
US20030103392A1 (en) | Method of controlling the operation of non-volatile semiconductor memory chips | |
JP2000243093A (ja) | フラッシュメモリへのデータ記憶方法及びフラッシュメモリからのデータ読出方法 | |
KR100343442B1 (ko) | 비휘발성 메모리의 프로그램/이레이즈방법 | |
KR20000060710A (ko) | 플래시 메모리의 라이트장치 및 방법 | |
JP2004273117A (ja) | 複合化フラッシュメモリを搭載した半導体装置及び携帯用機器 | |
KR100325702B1 (ko) | 플래쉬메모리셀의소거방법및그회로 | |
KR20000055939A (ko) | 플래시 메모리의 라이트장치 및 방법 | |
JP3541427B2 (ja) | フラッシュ・メモリ | |
KR100878527B1 (ko) | Nand 형 플래쉬 메모리 제어기와 제어기에서 사용되는클럭제어방법 | |
JPH08161224A (ja) | 半導体ファイル装置 | |
JP2000222885A (ja) | Eeprom | |
JP2006053950A (ja) | 不揮発性半導体メモリ装置及びその制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
WITN | Withdrawal due to no request for examination |