KR20000029000A - 전력 증폭기의 선형화 - Google Patents

전력 증폭기의 선형화 Download PDF

Info

Publication number
KR20000029000A
KR20000029000A KR1019990043979A KR19990043979A KR20000029000A KR 20000029000 A KR20000029000 A KR 20000029000A KR 1019990043979 A KR1019990043979 A KR 1019990043979A KR 19990043979 A KR19990043979 A KR 19990043979A KR 20000029000 A KR20000029000 A KR 20000029000A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
response
input signal
linear
gain
component
Prior art date
Application number
KR1019990043979A
Other languages
English (en)
Inventor
바인볼이프레임
Original Assignee
오퍼 알에프 인코퍼레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오퍼 알에프 인코퍼레이티드 filed Critical 오퍼 알에프 인코퍼레이티드
Publication of KR20000029000A publication Critical patent/KR20000029000A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3241—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

본 발명은 동작 범위에 걸쳐 입력 신호에 응답하는 전력 증폭기의 제 1 응답의 비선형 부분을 선형화하는 방법 및 장치이다. 선형 모듈은 입력 신호를 사전처리한다. 선형 모듈은 제 1 응답의 비선형 부분에 있는 제 1 응답에 상보적인 제 2 응답을 제공한다. 전력 증폭기는 동작 범위에 걸쳐 선형인 결과 응답을 발생하기 위해 사전 처리된 입력 신호를 처리한다.

Description

전력 증폭기의 선형화{LINEARIZATION FOR POWER AMPLIFIERS}
본 발명은 마이크로웨이브에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 전력 증폭기에 관한 것이다.
고주파(RF) 고전력 증폭기(HPA)는 고주파 혼선(RFI), 전자기 혼선(EMI) 테스팅, 텔레비젼 방송, 육상 이동 통신, 무선 통신 서비스와 같은 많은 응용에 사용된다. 일반적으로, 이 HPA는 몇 와트에서 몇 백와트에서 출력 전력을 갖는 몇 백MHz에서 몇 GHz사이의 주파수 범위를 갖는다. HPA의 바람직한 특징은 고 선형성, 넓은 주파수 범위, 저 왜곡 및 낮은 잡음 특징을 포함한다.
동작 전력 범위에 걸쳐 HPA응답의 선형성을 유지하는 것은 어려운 문제이다. 선형이 되기에 필요한 응답은 진폭 또는 전력 이득 뿐만 아니라 위상 응답이 또한 전 전력 범위에 걸쳐 선형이 되어야 한다. 저 전력에서, 진폭과 위상에 대한 선형성이 이루어질 수 있지만, 전력이 증가함에 따라, 진폭과 위상 응답은 왜곡이 되어 비선형 특성을 초래하는 경향이 있다.
따라서, 동작 전력 범위에 걸쳐 고전력 증폭기에 대한 진폭과 위상 응답을 선형화하기에 충분한 기술을 제공하는 것이 기술상 필요하다.
발명의 개요
본 발명은 동작 범위에 걸쳐 입력 신호에 응답하는 전력 증폭기의 제 1 응답의 비선형 부분을 선형화하는 방법 및 장치이다. 선형 모듈은 입력 신호를 사전처리한다. 선형 모듈은 제 1 응답의 비선형 부분에 제 1 응답에 상보적인 제 2 응답을 제공한다. 전력 증폭기는 동작 범위에 걸쳐 선형인 결과 응답을 발생하기 위해 사전처리된 입력 신호를 처리한다.
본 발명의 목적, 특징 및 이점은 이어지는 본 발명의 상세한 설명으로 부터 분명해 질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예가 실행될 수 있는 시스템을 도시하는 도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 선형 모듈을 도시하는 도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 상세한 선형 모듈을 도시하는 도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 진폭 및 위상 응답을 도시하는 도이다.
본 발명은 고전력 증폭기(HPA)의 진폭 및 위상 응답을 선형화하기 위한 기술이다. 선형 모듈은 HPA에 연결된다. 선형 모듈은 HPA 특성의 비선형 부분에 상보적인 특성을 제공하는 장벽 쇼트키 다이오드 및 동조가능 지연회로를 포함한다. 선형 모듈과 HPA의 결합 응답은 동작 전력 범위에 걸쳐 선형이다.
이어지는 설명에서, 설명의 목적으로, 본 발명의 철저한 이해를 제공하기 위해 많은 상세한 설명이 설명된다. 그러나, 이 특정한 설명들이 본 발명을 실행하기 위해 반드시 요구되는 것은 아니라는 것을 해당분야에 능숙한 당업자에게는 분명할 것이다. 다른 예에서, 공지된 전기 구조 및 회로는 본 발명의 모호함을 피하기 위해 블록도로 도시된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예가 실행될 수 있는 시스템을 도시하는 도이다. 시스템(100)은 선형 모듈(110)과 고전력 증폭기(HPA;120)를 포함한다. 선형 모듈(110)은 진폭과 위상에 선형 응답을 제공함으로써 RF 입력 신호를 사전처리한다. HPA는 선형 응답과 HPA응답의 합인 결과응답을 발생하기 위해 사전처리된 RF 입력 신호를 처리한다. 결과 응답은 응답들의 비선형 부분에 있는 두 응답의 소거 효과의 결과로써 동작 범위에 걸쳐 선형이 된다.
선형 모듈(110)은 고주파(RF) 입력 신호를 수신하고 HPA(120)에 상보적인 응답을 제공한다. 선형 모듈(110)은 HPA(120)의 넓은 다양한 진폭과 위상 응답을 수용하기 위해 조정가능하다. 일 실시예에서, RF 입력 신호는 낮게는 몇 메가헤르츠(MHz)에서 높게는 몇 기가헤르츠(GHz)의 동작 주파수 범위를 갖는다. 전형적인 주파수 범위는 몇 백 MHz에서 3 GHz까지이다. RF 입력 신호는 몇 밀리와트(mW)의 전형적인 전력을 갖는다.
HPA는 넓은 주파수 대역에서 동작하고 고전력 출력을 제공하는 어떤 HPA이다. 전형적으로 HPA의 주파수 범위는 선형 모듈(110)의 주파수 범위와 호환한다. HPA의 출력 전력 범위는 몇 십 와트에서 몇 백 와트사이이다. 전형적인 출력 전력은 1W 내지 500W이다. HPA의 전력 이득은 약 30dB에서 60dB사이이다. HPA는 RF 디바이스를 구동하기 위해 고전력 RF 출력 신호를 제공한다. HPA에 의해 구동되는 RF 디바이스의 예는 EMI, RFI 회로 및 장치, 통신 디바이스, 및 위성 업링크 구성요소를 포함한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 선형 모듈을 도시하는 도이다. 선형 모듈(110)은 제 1 감쇠기 회로(210), 제 1 조정가능 이득 증폭기(220), 스플리터(230), 제 1 동조가능 지연 회로(240), 응답 보상기(250), 제 2 동조가능 지연 회로(260), 결합기(270), 제 2 감쇠기 회로(280), 및 제 2 조정가능 이득 증폭기(290)를 포함한다.
제 1 감쇠기 회로(210)는 RF 입력 신호를 수신하고 수신된 RF 신호에 신호 제약을 제공한다. 제 1 조정가능 이득 증폭기(220)는 손실을 보상하기 위해 제약된 신호에 이득을 제공한다. 이득은 넓은 범위의 입력 신호 레벨을 수용하기 위해 조정가능하다. 스플리터(230)는 증폭된 신호를 두개의 성분, 즉 동상(I) 성분 및 직교(Q) 성분으로 분리한다. I와 Q 성분은 90도 위상 시프트만큼 분리된다.
제 1 동조가능 지연 회로(240)는 스플리터(230)의 I 또는 Q 성분 출력에 연결되고 조정가능한 지연을 제공한다. 일 실시예에서, 제 1 동조가능 지연 회로(240)는 Q 성분에 연결된다. 응답 보상기(250)는 스플리터(230)의 다른 성분 출력에 연결되고 보상 특성을 HPA(120)의 진폭 및 위상 응답(도 1)에 제공한다. 일 실시예에서, 응답 보상기(250)는 I 성분에 연결되고 반대 방향으로 정렬된 두개의 다이오드를 구성하는 다이오드 쌍에 의해 구현된다. 제 2 동조가능 지연 회로(260)는 I 성분상에 적당한 지연을 제공하기 위해 응답 보상기(250)와 결합기(270)사이에 연결된다.
결합기(270)는 지연된 I와 Q를 수신하고 합성 신호로 결합한다. 제 2 감쇠기 회로(280)는 부가적인 보상과 매칭 기능을 제공한다. 제 2 조정가능 이득 증폭기(290)는 HPA의 응답과 매칭하기 위해 진폭조정을 결합된 신호에 제공한다. 제 2 조정가능 이득 증폭기(290)의 출력은 HPA의 입력으로 가기 위한 RF 출력 신호이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 상세한 선형 모듈을 도시하는 도이다. 선형 모듈(110)은 도 3에 도시되는 바와 같이 기능성 회로를 형성하는 다양한 RF 성분을 포함한다. 해당분야에 능숙한 당업자에게 공지되는 바와 같이, 상세한 회로에 대한 다양성이 가능하다.
제 1 감쇠기 회로(210)는 저항(R1, R22, R23, 및 R24), 커패시터(C1), 및 다이오드(D1)을 포함한다. 저항(R1, R22, R23, 및 R24)과 커패시터(C1)는 감쇠기 및 매칭 회로를 구성한다. 다이오드(D1)는 이득 조정을 위한 PIN 다이오드이다. 일 실시예에서, 다이오드(D1)는 Hewlett Packard사가 제조한 제품 번호 HSMP-4810인 다이오드이다. HSMP-4810은 3 GHz까지 동작하게 디자인된 저 왜곡 감쇠 PIN이다.
제 1 다이오드와 이득 증폭기(220)는 RF 입력 신호에 이득 제어를 제공하여 부가적인 필터링을 한다. 저항기(R5, R9, R4, R2)와 전위차계(R3)를 포함하는 바이어스 네트워크는 PIN 다이오드를 경유하여 이득 조정을 제공한다. 증폭기(A1)는 입력 신호에 증폭을 제공한다. 일 실시예에서, 증폭기(A1)는 Mini-Circuits사가 제조한 부품 번호 ERA-5SM인 증폭기이다.
스플리터(230)는 커패시터(C9), 저항기(R6) 및 90°커플러(W1)를 포함한다. 커패시터(C9)는 증폭기(A1)와 90°커플러(W1)사이에 커플링을 제공한다. 저항기(R6)는 50-Ohm 한정 저항을 제공한다. 90°커플러(W1)는 신호를 90도 위상 시프트만큼 입력 신호의 위상을 시프팅함으로써 동상(I)성분과 직교(Q)성분인 두개의 성분으로 분할한다. 일 실시예에서, 90°커플러(W1)는 200MHz부터 2.7GHz까지의 주파수 범위를 커버할 수 있는 Murata사가 제조한 부품번호 LDC30B030GC2 또는 LDC20B030F1600/1850인 커플러이다.
제 1 동조가능 지연 회로(240)는 저항(R21, R10, R11, R7, 및 전위차계(R8)) , 커패시터(C6,C7), 두개의 다이오드(D4,D5), 및 90°커플러(W3)를 포함한다. 저항기(R21)는 90°커플러(W3)에 대한 한정 저항이다. 일 실시예에서, 90°커플러(W3)는 200MHz부터 2.7GHz까지의 주파수 범위를 커버할 수 있는 Murata사가 제조한 부품번호 LDC30B030GC2 또는 LDC20B030F1600/1850인 커플러이다. 저항기 네트워크(R10, R11, R7, 및 전위차계(R8))는 직교성분의 지연을 동조 또는 조정하기 위한 메카니즘을 제공한다. 다이오드(D4, D5)는 조정가능 지연에 대한 연속적인 커패시터 제어를 제공한다. 일 실시예에서, 다이오드(D4,D5)는 Metelics Corporation사가 제조한 부품번호 SMTD3002인 동조 버랙터 다이오드이다. 전위차계(R8)를 변경함으로써, 제 1 동조 지연 회로(240)는 HPA(120)의 진폭과 위상 응답(도 1에서)에 적당한 효과를 제공할 수 있다.
응답 보상기(250)는 진폭과 위상 응답에 선형 효과를 제공한다. 응답 보상기(250)는 반대 방향으로 연결된 다이오드(D1,D2)를 포함한다. 일 실시예에서, 다이오드(D1,D2)는 Metelics Corporation사가 제조한 부품 번호 MSS40-255-E30인 매체 장벽 쇼트키 다이오드이다.
제 2 동조 지연 회로(260)는 커패시터(C20, C21, C10, C11), 저항기(R12, R13 및 전위차계(R14)), 인덕터(L2), 다이오드(D7) 및 지연소자(DE1)를 포함한다. 커패시터(C20, C21, C10), 인턱터(L2) 및 지연소자(DE1)는 고정 지연과 부가적인 필터링을 제공한다. 다이오드(D7)는 감쇠 기능을 제공한다. 저항기(R13), 전위차계(R14), 및 커패시터(C11)는 신호를 지연하는 부가적인 제어를 제공한다. 일 실시예에서, 다이오드(D7)는 Hewlett Packard사가 제조한 부품 번호 HSMP-4810인 PIN 다이오드이다.
결합기(270)는 커패시터(C12), 90°커플러(W2), 및 저항기(R15)를 포함한다. 커패시터(C12)는 지연된 신호에 커플링을 제공한다. 90°커플러(W2)는 I와 Q성분을 결합한다. 저항기(R15)는 90°커플러(W2)에 50-ohm 한정 저항을 제공한다. 일 실시예에서, 90°커플러(W2)는 200MHz부터 2.7GHz까지의 주파수 범위를 커버할 수 있는 Murata가 제조한 부품번호 LDC30B030GC2 또는 LDC20B030F1600/1850인 커플러이다.
제 2 조정가능 감쇠기 회로(280)는 저항기(R16, R25, R26, 및 R27), 커패시터(C13), 및 다이오드(D6)를 포함한다. 저항기(R16, R25, R26, 및 R27) 및 커패시터(C13)는 필터와 매칭회로를 형성한다. 다이오드(D6)는 감쇠 효과를 위한 PIN 다이오드이다. 일 실시예에서, 다이오드(D6)는 Hewlett Packard사가 제조한 부품 번호 HSMP-4810인 다이오드이다. HSMP-4810은 3GHz까지 동작하도록 디자인된 저 왜곡 감쇄 PIN이다.
제 2 조정가능 이득 증폭기(290)는 이득 제어를 RF신호와 부가적인 필터링에 제공한다. 저항기(R18, R19, R20) 및 전위차계(R17)를 포함하는 바이어스 네트워크는 이득 조정을 제공한다, 증폭기(A3)는 감쇠된 신호에 증폭을 제공한다. 일 실시예에서, 증폭기(A3)는 Mini-Circuits사가 제조한 부품 번호 ERA-5SM인 증폭기이다. 인덕터(L1)와 커패시터(C18,C19)는 부가적인 필터링을 제공한다.
도 4A는 본 발명에 따른 진폭(이득) 응답을 도시하는 도이다. 응답은 HPA 이득 응답(410), 선형기 이득 응답(420), 및 결과 이득 응답(430)을 포함한다.
HPA 이득 응답(410)은 선형화없는 HPA의 진폭 이득 응답을 도시한다. 수직축은 HPA의 응답이다. 진폭에 대한 응답은 출력 전력과 입력 전력 사이의 비율이다. 평평하거나 또는 직선 응답은 출력이 선형 형식으로 입력을 따른다는 것을 가리킨다. 수평축은 구동 레벨, 또는 전력 레벨이다. HPA 응답은 로우로부터 P1의 전력 레벨까지의 선형 반응을 나타내고, 다음 응답은 전력 레벨 P1부터 P2까지 어느정도 감소하는 비선형이 된다.
선형기 이득 응답(420)은 선형 모듈에 응답한 진폭 이득을 도시한다. 선형기 이득 응답(420)은 로우로부터 P1의 전력 레벨까지의 선형 반응을 나타내고, 다음 응답은 전력 레벨 P1부터 P2까지의 사이에 위로 향하는 커브를 갖는 비선형이 된다. 비선형 부분이 HPA 이득 응답(410)에서의 부분에 상보적이라는 것을 주목된다.
결과 이득 응답(430)은 두 응답(410,420)의 합이다. 로우부터 P1의 구동 레벨까지, 두 선형 응답의 합은 또 다른 선형 응답이 된다. 구동 레벨 P1부터 P2까지, 두개의 상보적인 응답의 합은 직선이 된다. HPA와 선형 모듈의 비선형 효과는 결과 응답이 선형이 되도록 서로 상쇄한다. 따라서, 선형 모듈은 사실상 모든 동작 전력 레벨에 걸쳐 HPA 진폭 이득을 선형화하는 것을 볼 수 있다.
도 4B는 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 응답을 도시하는 도면이다. 응답은 HPA 위상 응답(430), 선형기 위상 응답(440), 및 결과 위상 응답(450)을 포함한다.
HPA 위상 응답(440)은 선형화 없는 HPA의 위상 응답을 도시한다. 수직축은 HPA의 응답이다. 위상에 대한 응답은 출력 위상과 입력 위상간의 비율이다. 평평하거나 또는 직선인 응답은 출력이 선형 형식으로 입력을 따른다는 것을 가리킨다. 수평축은 구동 레벨, 또는 전력 레벨이다. HPA 위상 응답은 로우로부터 P3의 전력 레벨까지 선형반응을 나타내고, 다음 응답은 전력 레벨 P3부터 P4까지 위로 굽은 커브를 갖는 비선형이 된다.
선형기 위상 응답(440)은 선형 모듈의 위상 응답을 도시한다. 선형기 위상 응답(440)은 로우로부터 P3의 전력 레벨까지 선형반응을 나타내고, 다음 반응은 전력 레벨 P3부터 P4까지 아래로 굽은 커브를 갖는 비선형이 된다. 비선형 부분이 HPA 위상 응답(430)에 있는 부분에 상보적이라는 것을 주목하라.
결과 위상 응답(450)은 두개의 응답(430,440)의 합이다. 로우로부터 P3의 구동 레벨까지, 두개의 선형 응답의 합은 또 다른 선형 응답이 된다. 구동 레벨 P3로부터 P4까지, 두 상보적인 응답의 합은 직선이 된다. HPA와 선형 모듈의 비선형 효과는 결과 응답이 선형이 되도록 서로 상쇄한다. 따라서 선형 모듈은 사실상 모든 동작 전력 레벨에 걸쳐 HPA 위상 응답을 선형화하는 것을 볼 수 있다.
따라서, 본 발명은 모든 동작 범위에 걸쳐 고전력 증폭기의 진폭과 위상 응답을 선형화하기 위한 기술을 제공한다. 상기 기술은 HPA로 가기전에 RF 입력 신호를 처리하기 위해 동조가능 선형 모듈을 사용한다. 선형 모듈은 비선형 부분에 있는 HPA 응답에 상보적인 진폭과 위상 응답을 제공한다. 선형 모듈과 HPA의 비선형 부분은 결과적으로 선형 응답이 되도록 서로 상쇄한다.
본 발명이 예시적 실시예를 참조하여 설명되었지만, 이 설명은 제하적인 센스로 파악하도록 의도되는 것은 아니다. 본 발명의 다른 실시예 뿐만 아니라 예시적 실시예의 다양한 수정이 본 발명의 사상과 범위내에서 이루어질 수 있다는 것을 해당분야에 능숙한 당업자에게는 분명할 것이다.

Claims (20)

  1. 동작 범위에 걸쳐 입력 신호에 응답하여 전력 증폭기의 제 1 응답의 비선형 부분을 선형화하는 방법에 있어서,
    제 1 응답의 비선형 부분에 있는 제 1 응답에 상보적인 제 2 응답을 제공하는 선형 모듈에 의해 입력 신호를 사전처리하는 단계; 및
    동작 범위에 걸쳐 선형이 되는 결과 응답을 발생시키기 위해 전력 증폭기에 의해 사전 처리된 입력 신호를 처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 사전처리단계는
    입력 신호를 소정의 위상량만큼 위상 시프트되는 제 1과 제 2 성분으로 분할하는 단계;
    제 1 조정가능 지연에 의해 제 1 성분을 지연하는 단계;
    응답 보상기에 의해 제 2 성분을 보상하는 단계; 및
    결합 신호를 발생시키기 위해 지연된 제 1 성분과 보상된 제 2 성분을 결합하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    분할전에 입력 신호에 제 1 이득을 제공하는 단계; 및
    결합된 신호에 제 2 이득을 제공하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 제 2 조정가능 지연에 의해 보상된 제 2 성분을 지연하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    제 1 이득을 제공하기 전에 입력 신호를 감쇠하는 단계; 및
    제 2 이득을 제공하기 전에 결합된 신호를 감쇠하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 입력 신호는 고주파(RF) 신호인것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 제 1 응답은 진폭 응답과 위상 응답중의 하나인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 제 2 응답은 진폭 응답과 위상 응답중의 하나인 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 2 항에 있어서, 소정 위상량은 대략 90도와 동일한 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 동작 범위는 전력 범위인 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 동작 범위에 걸쳐 입력 신호에 응답하는 전력 증폭기의 제 1 응답의 비선형 부분을 선형화하는 장치에 있어서,
    전력 증폭기에 연결되며, 제 1 응답의 비선형 부분에 있는 제 1 응답에 상보적인 제 2 응답을 제공하는 선형 모듈;을 포함하며,
    상기 전력 증폭기는 동작 범위에 걸쳐 선형이 되는 결과 응답을 발생시키기 위해 사전 처리된 입력 신호를 처리하는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 선형 모듈은
    입력 신호를 소정의 위상량만큼 위상 시프트되는 제 1과 제 2 성분으로 분할하는 스플리터;
    제 1 성분을 지연하기 위해 스플리터에 연결된 제 1 조정가능 지연소자;
    제 2 성분을 보상하기 위해 스플리터에 연결된 응답 보상기; 및
    제 1 조정가능 지연소자 및 응답 보상기에 연결되어 결합 신호를 발생시키기 위해 지연된 제 1 성분과 보상된 제 2 성분을 결합하는 결합기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    스플리터앞의 입력 신호에 제 1 이득을 제공하기 위해 스플리터에 연결된 제 1 이득 증폭기; 및
    결합된 신호에 제 2 이득을 제공하기 위해 결합기에 연결된 제 2 이득 증폭기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 제 2 조정가능 지연에 의해 보상된 제 2 성분을 지연시키도록 응답 보상기에 연결된 제 2 조정가능 지연소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    입력 신호를 수신하도록 연결되고 제 1 이득 증폭기에 앞서 입력 신호를 필터링하도록 연결된 제 1 감쇠기; 및
    제 2 이득 증폭기에 앞서 결합된 신호를 필터링하기 위해 결합기에 연결된 제 2 감쇠기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제 11 항에 있어서, 입력 신호는 고주파(RF) 신호인 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제 11 항에 있어서, 제 1 응답은 진폭 응답과 위상 응답중의 하나인 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제 11 항에 있어서, 제 2 응답은 진폭 응답과 위상 응답중의 하나인 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제 12 항에 있어서, 소정의 위상량은 대략 90도와 동일한 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제 11 항에 있어서, 동작 범위는 전력 범위인 것을 특징으로 하는 장치.
KR1019990043979A 1998-10-13 1999-10-12 전력 증폭기의 선형화 KR20000029000A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/170,983 US6075412A (en) 1998-10-13 1998-10-13 Linearization for power amplifiers
US9/170,983 1998-10-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000029000A true KR20000029000A (ko) 2000-05-25

Family

ID=22622064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990043979A KR20000029000A (ko) 1998-10-13 1999-10-12 전력 증폭기의 선형화

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6075412A (ko)
KR (1) KR20000029000A (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6317013B1 (en) * 1999-08-16 2001-11-13 K & L Microwave Incorporated Delay line filter
SE517968C2 (sv) * 2000-12-13 2002-08-06 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande och arrangemang för linjärisering av utsignal
US6600388B2 (en) * 2001-03-30 2003-07-29 Delaware Capital Formation, Inc. Electronic variable delay line filters using two in-line varactor-controlled four-input couplers allowing variable delay
WO2002080301A1 (en) * 2001-03-30 2002-10-10 K & L Microwave Inc. Delay line filters using multiple in-line four-input couplers
US7088958B2 (en) * 2001-06-19 2006-08-08 Intersil Americas Inc. Remote power amplifier linearization
US7107024B2 (en) * 2003-07-01 2006-09-12 Visteon Global Technologies, Inc. FM modulator output control during turn on
US7026871B2 (en) * 2003-07-03 2006-04-11 Icefyre Semiconductor, Inc. Adaptive predistortion for a transmit system
US6975167B2 (en) * 2003-07-03 2005-12-13 Icefyre Semiconductor Corporation Adaptive predistortion for a transmit system with gain, phase and delay adjustments
US7453952B2 (en) 2003-07-03 2008-11-18 Saed Aryan Predistortion circuit for a transmit system
US7409193B2 (en) 2003-07-03 2008-08-05 Zarbana Digital Fund Llc Predistortion circuit for a transmit system
EP1645028B1 (en) * 2003-07-03 2018-12-19 Zarbaña Digital Fund, LLC Adaptive predistortion for a transmit system
CN111478630B (zh) * 2019-12-30 2023-11-10 瑞声科技(新加坡)有限公司 一种马达稳态单频失真补偿方法及装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4987378A (en) * 1989-11-28 1991-01-22 General Electric Company Feedforward predistortion linearizer
US5748678A (en) * 1995-07-13 1998-05-05 Motorola, Inc. Radio communications apparatus
EP0762630A1 (en) * 1995-09-08 1997-03-12 AT&T IPM Corp. Low distortion amplifier circuit with improved output power
JPH1022844A (ja) * 1996-07-05 1998-01-23 Fujitsu Ltd 送信機の非線形歪み検出回路および非線形歪み補償回路
US5898338A (en) * 1996-09-20 1999-04-27 Spectrian Adaptive digital predistortion linearization and feed-forward correction of RF power amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
US6075412A (en) 2000-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5798854A (en) In-line predistorter for linearization of electronic and optical signals
US5606286A (en) Predistortion linearization
EP0411180B1 (en) Feed forward distortion correction circuit
US5644268A (en) Feed forward RF amplifier for combined signal and error amplification
US7332961B2 (en) Predistortion linearizing
US6242979B1 (en) Linearization using parallel cancellation in linear power amplifier
US6947712B2 (en) Group delay precompensator for broadband radio frequency transmitter and method of operating the same
CA2160886A1 (en) Predistortion method and apparatus for laser linearization
US20050170794A1 (en) Adjusting circuit
US6075412A (en) Linearization for power amplifiers
US5774018A (en) Linear amplifier system and method
EP0552059B1 (en) Power amplifier device
WO2012135070A2 (en) Frequency-desensitizer for broadband predistortion linearizers
AU708748B2 (en) In-line predistorter for linearization of electronic and optical signals
EP1032973A1 (en) An amplifier and a method of power amplification
US7772925B2 (en) Power amplifier with pre-distorter
US7221221B2 (en) Power amplifier with pre-distorter
KR101093644B1 (ko) 음의 군지연 회로를 갖는 아날로그 피드백 선형 전력 증폭기
US6326843B1 (en) Analog reflective predistorter for power amplifiers
KR101106955B1 (ko) 이동통신시스템의 출력단
KR101046339B1 (ko) 이동통신장치의 송신기 및 수신기
KR101131910B1 (ko) 이동통신시스템의 출력단
JP3894401B2 (ja) 電力増幅装置
KR100262652B1 (ko) 선왜곡 방식을 이용한 고전력 증폭기의 선형화 회로
WO2019146550A1 (ja) 電力増幅回路

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid