KR20000026118A - 용량형 압력센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

용량형 압력센서 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20000026118A
KR20000026118A KR1019980043503A KR19980043503A KR20000026118A KR 20000026118 A KR20000026118 A KR 20000026118A KR 1019980043503 A KR1019980043503 A KR 1019980043503A KR 19980043503 A KR19980043503 A KR 19980043503A KR 20000026118 A KR20000026118 A KR 20000026118A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nitride film
lower electrode
silicon substrate
pressure sensor
etching
Prior art date
Application number
KR1019980043503A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100383650B1 (ko
Inventor
최규리
Original Assignee
밍 루
주식회사 만도
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 밍 루, 주식회사 만도 filed Critical 밍 루
Priority to KR10-1998-0043503A priority Critical patent/KR100383650B1/ko
Publication of KR20000026118A publication Critical patent/KR20000026118A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100383650B1 publication Critical patent/KR100383650B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/84Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00Measuring force or stress, in general
    • G01L1/14Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators
    • G01L1/142Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators using capacitors
    • G01L1/148Measuring force or stress, in general by measuring variations in capacitance or inductance of electrical elements, e.g. by measuring variations of frequency of electrical oscillators using capacitors using semiconductive material, e.g. silicon
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/12Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in capacitance, i.e. electric circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

본 발명은 외부에서 가해지는 압력에 비례하여 변화되는 용량을 감지하여 압력 변화를 감지하는 용량형 압력센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이를 구현하기 위한 본 발명은 상부전극과, 상부전극의 저면에 내열 유리 재질로 접착되고 그 반대면에 경사홈을 형성한 하부전극과, 하부전극과 동일한 재질을 사용하여 경사홈에 정렬되 내열 유리재로 접착되는 관통홀(Hole)을 형성한 지지부재와, 관통홀에 정렬되는 접착되는 튜브로 구성된다.

Description

용량형 압력센서 및 그 제조 방법
본 발명은 용량형 압력센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 외부에서 가해지는 압력에 비례하여 변화되는 용량을 감지하여 압력 변화를 감지하는 용량형 압력센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
용량형 압력센서는 외부에서 가해지는 압력의 변화를 감지하기 위해서 사용된다. 공기 또는 유체의 압력이 변화되면 용량형 압력센서는 이 변화에 따라 비례하여 용량(Capacitance)이 변하게 된다. 용량의 변화는 용량형 압력센서에서 출력되는 전기신호의 레벨을 변화시키게 되며 이 변화에 따라 압력의 변화정도를 판별하게 된다.
압력의 변화에 따라 용량을 변화시켜 압력 변화를 감지하는 종래의 용량형 압력센서는 상, 하부전극 사이에 소정의 길이를 갖는 갭(Gap)이 형성된다. 갭의 간격은 외부에서 가해지는 압력에 따라 비례하여 조절된다. 압력이 강하면 갭의 간격은 줄어들고 반대로 작아지면 간격이 가해지는 압력에 비례하여 늘어나게 된다. 압력의 변화에 따라 갭을 조절하기 위해 하부전극은 멤브레인(Membrain)으로 사용된다. 멤브레인은 외부에서 가해지는 압력 변화에 따라 팽창/수축하여 갭 간격을 조절함으로써 용량형 압력센서의 용량을 변화시키게 된다.
보다 구체적으로 종래의 용량형 압력센서를 첨부된 도면을 이용하여 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 종래의 용량형 압력센서의 단면도이다. 도시된 바와 같이 실리콘(Si)으로 형성된 상부전극(1)의 저면에 멤브레인으로 사용되는 하부전극(2)이 내열 유리(2)로 접착되어 있다. 내열 유리(2)로 접착되어 있는 상부전극(1)과 하부전극(2) 사이에는 일정한 간격"a"을 갖는 갭이 형성되어 있다. 하부전극(2)의 저면에는 지지부재(4)가 형성되고, 이 지지부재(4) 저면에는 튜브(Tube)(5)가 형성된다.
튜브(5)는 유리 재질로 형성되며 튜브(5)를 통해 외부의 공기 또는 액체가 하부전극(3)으로 유입된다. 유입되는 압력에 비례하여 하부전극(3)은 팽창되어 갭의 간격 "a"을 조절한다. 간격 "a"를 갖는 갭이 형성된 영역은 하부전극(3)에서 능동영역으로 압력에 비례하여 팽창 및 수축을 반복하게 된다. 하부전극(3)의 능동영역이 팽창과 수축의 반복시 하부전극(3)에 가해지는 충격을 흡수하기 위해 지지부재(4)가 사용된다. 지지부재(4)는 내열 유리(Pyrex glass)로 형성된다.
지지부재(4)가 내열 유리 재질로 형성됨으로 인해 실리콘(Si)으로 형성되는 하부전극(3)과의 열용량 및 열팽창 계수가 서로 다르게 된다. 지지부재(4)의 열적 특성이 하부전극(4)과 다르므로 인해 하부전극(4)의 팽창과 수축의 반복으로 인해 발생되는 스트레스를 지지부재(4)에서 흡수하지 못하게 된다. 이 결과, 하부전극(4)에기계적 미소 크랙(Crack)이 발생될 수 있어 용량성 압력센서의 오동작이 발생되 제품의 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있다.
본 발명은 멤브레인으로 사용되는 하부전극과 지지부재의 재질을 동일하게 구성한 용량형 압력센서를 제공함을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 동일한 재질로 사용되는 하부전극과 지지부재를 갖는 용량형 압력센서의 제조 방법을 제공함을 목적으로 한다.
본 발명의 또 다른 목적은 용량성 압력센서의 하부전극과 지지부재의 재질을 동일하게 사용함으로써 하부전극의 수축과 팽창으로 인한 기계적 미소 크랙 발생을 제거하여 제품의 신뢰성을 증가시킴에 있다.
이러한 목적들을 구현하기 위한 본 발명은 상부전극과, 상부전극의 저면에 내열 유리 재질로 접착되고 그 반대면에 경사홈을 형성한 하부전극과, 하부전극과 동일한 재질을 사용하여 경사홈에 정렬되 내열 유리재로 접착되는 관통홀(Hole)을 형성한 지지부재와, 관통홀에 정렬되는 접착되는 튜브로 구성됨을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징은 실리콘(Si) 기판에 불순물을 고농도로 도핑한 후 소정 크기로 절단하여 상부전극을 형성하는 단계와, 실리콘 기판에 불순물을 고농도로 도핑한 후 경사홈을 형성한 후 소정 크기로 절단하여 하부전극을 형성하는 단계와,실리콘 기판에 관통홀을 형성한 후 소정 크기로 절단하여 하부전극을 형성하는 단계와, 상부전극의 저면에 내열 유리로 이용해 하부전극을 접착시키는 단계와, 하부전극에 형성된 경사홈에 관통홀이 정렬된 상태로 내열 유리를 양극접착 방법을 이용해 지지부재를 접착하는 단계와, 지지부재에 형성된 관통홀에 정렬되도록 튜브를 접착하는 단계로 구성된다.
도 1은 종래의 용량형 압력센서의 단면도,
도 2는 본 발명에 의한 용량형 압력센서의 단면도,
도 3a 내지 도3d는 본 발명에 의한 용량형 압력센서의 제조 공정을 나타낸 단면도,
도 4a 내지 도 4g는 도 3에 도시된 하부전극의 제조 공정을 나타낸 단면도,
도 5a 내지 도 5e는 도 3에 도시된 지지부재의 제조 공정을 나타낸 단면도이 다.
*도면의 주요부분에 대한 부호 설명*
11: 상부전극 12: 내열 유리
13: 하부전극 14: 지지부재
15: 유리튜브
본 발명의 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 의한 용량형 압력센서의 단면도이다. 도시된 바와 같이, 상부전극(11)과, 상부전극(11)의 저면에 내열 유리(12) 재질로 접착되고 그 반대면에 경사홈(13a)을 형성한 하부전극(13)과, 하부전극(13)과 동일한 재질을 사용하여 경사홈(13a)에 정렬되 내열 유리재(12)로 접착되는 관통홀(Hole)(14a)을 형성한 지지부재(14)와, 지지부재(14)의 관통홀(14a)에 정렬되는 접착되는 튜브(15)로 구성된다.
본 발명을 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
상부전극(11)은 도전성을 갖도록 실리콘(Si) 재질을 사용하여 형성한다. 상부전극(11)의 표면 외측에 정렬되도록 내열 유리(12) 재질을 이용해 하부전극(13)을 접착한다. 내열 유리(12)는 소정 두께 즉, 갭의 간격 "a"가 유지되도록 두께를 형성한다. 상, 하부전극(11)(13) 사이의 내열 유리(12)로 접촉되지 않고 갭 간격이 "a"가 유지되는 하부전극(13)의 영역은 능동영역으로 압력의 변화에 따라 팽창 및 수축동작을 한다. 능동영역의 팽창과 수축성 높이기 위해 하부전극(13)에 소정 두께로 경사홈(13a)이 형성된다.
경사홈(13a)은 하부전극(13)으로 외부 압력이 인가되는 경우 멤브레인으로 사용되는 하부전극(13)의 팽창 및 수축성을 향상시키게 된다. 능동영역의 팽창 및 수축성의 향상으로 보다 정밀하게 압력의 변화를 측정할 수 있다. 하부전극(13)의 능동영역의 팽창 및 수축으로 인한 기계적 스트레스를 흡수하기 위해 지지부재(14)가 사용된다.
지지부재(14)는 하부전극(13)과 동일한 실리콘(Si) 재질이 사용되며 관통홀(14a)이 형성된다. 지지부재(14)에 형성된 관통홀(14a)은 지지부재(14)와 하부전극(13) 접착시 정렬 기준으로 사용된다. 관통홀(14a)은 지지부재(14)의 접착시 하부전극(13)의 경사홈(13a)에 정렬된 상태에서 내열유리(12) 재질로 하부전극(13)의 저면에 접착된다. 지지부재(14)의 접착이 완료되면 압력을 가이드 하기 위한 유리재질인 튜브(15)가 지지부재(14)의 관통홀(14a)에 정렬되어 접착된다.
지지부재(14)에 접착된 튜브(15)로 외부 압력이 유입되면 하부전극(13)의 능동영역으로 압력이 가해지고 이 압력으로 인해 능동영영이 팽창하여 갭 "a"가 얇아지게 된다. 갭 "a"가 얇아지게 되면 상부전극(11)과 하부전극(13) 사이의 유전층이 얇아지게 된다. 이로 인해 갭 "a"에 축적되는 전하가 증대되어 용량이 증가된다. 이 용량을 감지하여 압력의 증가를 감지할 수 있게 된다.
압력의 변화를 감지하는 용량형 압력센서의 제조 방법을 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 도3d는 본 발명에 의한 용량형 압력센서의 제조 공정을 나타낸 단면도이다. 도시된 바와 같이, 실리콘(Si) 기판(11a)에 불순물을 고농도로 도핑한 후 소정 크기로 절단하여 상부전극(11)을 형성하는 단계와, 실리콘 기판(13b)에 불순물을 고농도로 도핑한 후 경사홈(13a)을 형성한 후 소정 크기로 절단하여 하부전극(13)을 형성하는 단계와, 실리콘 기판(14b)에 관통홀(14a)을 형성한 후 소정 크기로 절단하여 하부전극(13)을 형성하는 단계와, 상부전극(11)의 저면에 내열 유리(12)로 이용해 하부전극(13)을 접착시키는 단계와, 하부전극(13)에 형성된 경사홈(13a)에 관통홀(14a)이 정렬된 상태로 내열 유리(12)를 양극접착 방법을 이용해 지지부재(14)를 접착하는 단계와, 지지부재(14)에 형성된 관통홀(14a)에 정렬되도록 튜브(15)를 접착하는 단계로 구성된다.
본 발명의 용량형 압력센서의 제조 방법을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3a에서와 같이 실리콘(Si) 기판(11a)에 불순물을 고농도로 도핑(Doping)한 후 소정 크기로 절단하여 상부전극(11)을 형성하는 단계를 실행한다. 상부전극(11)이 형성되면 도 3b에서와 같이 실리콘 기판(13b)에 불순물을 고농도로 도핑한 후 경사홈(13a)을 형성한 후 소정 크기로 절단하는 단계에서 하부전극(13)을 형성한다. 형성된 하부전극(13)은 상부전극(11)의 저면에 내열 유리(12)로 이용해 하부전극(13)을 접착시키는 단계에서 상부전극(11)의 저면에 접착된다.
상부전극(11)에 접착되는 하부전극(13)에 형성되는 경사홈(13a)은 도 4a 내지 도 4b에서와 같이 먼저, 실리콘 기판(13b)에 불순물을 고농도로 도핑한 후 질화막(13c)을 형성하는 단계를 실시한다. 질화막(13c)이 형성되면 도 4b 내지 도 4c에서와 같이 질화막(13c) 위에 감광막 패턴(13d)을 형성한 후 감광막 패턴(13d)을 식각 마스크로 하여 질화막(13c)을 식각하는 단계에서 질화막(13c) 패턴을 형성한다. 질화막(13c) 패턴 형성후 도 4d에서와 같이 질화막(13c)을 식각 마스크로 하여 실리콘 기판(13b)을 이방성 식각하는 단계에서 1차로 실리콘 기판(13b)을 식각하여 경사홈(13a)을 식각한다.
1차로 실리콘 기판(13b)이 식각된 후 도 4e에서와 같이 실리콘 기판(13b) 위에 형성된 질화막(13c) 패턴을 식각하여 제거한다. 질화막(13c) 패턴이 제거되면 실리콘 기판(13b)에 질화막(13e)을 재차 형성한 후 감광막 패턴(13f)을 형성하여 감광막 패턴(13f)을 식각 마스크로 하여 질화막(13e)을 식각하는 단계를 실시한다. 이 단계에서 질화막(13e)을 식각하여 질화막(13e)이 형성되면 질화막(13e)위에 형성된 감광막 패턴(13f)을 제거한 후 도 4f에서와 같이 질화막(13e)을 식각마스크로 하여 상기 실리콘 기판(13b)을 이방성 식각하는 단계를 실행하여 재차 실리콘 기판(13b)을 식각한다. 실리콘 기판(13b)을 재차 식각한 후 도 4g에서와 같이 실리콘 기판(13b) 상에 형성된 질화막(13e)을 제거한 후 소정 크기로 절단하는 단계를 실행하여 하부전극(13)의 경사홈(13a)을 형성한다.
하부전극(13)에 경사홈(13a)이 형성되면 도 3c에서와 같이 실리콘 기판(14b)에 관통홀(14a)을 형성한 후 소정 크기로 절단하여 하부전극(13)을 형성하는 단계가 실시된다. 이 단계에서 형성되는 관통홀(14a)의 제조 과정은 먼저 도 5a 내지 도5b에서와 같이, 실리콘 기판(14b)에 불순물을 고농도로 도핑한 후 질화막(14c)을 형성하는 단계를 실행한다. 질화막(14c)이 형성된 후 도 5c에서와 같이 질화막(14c)에 감광막 패턴(14d)을 형성한 후 감광막 패턴(14d)을 식각 마스크로 하여 질화막(14c)을 식각하는 단계에서 질화막(14c) 패턴을 형성한다.
질화막(14c) 패턴이 형성된 후 도 5d에서와 같이 질화막(14c) 패턴을 식각 마스크로 하여 실리콘 기판(14b)을 이방성 식각하는 단계에서 관통홀(14a)을 형성한다. 관통홀(14a)이 형성되면 도 5e에서와 같이 실리콘 기판(14b) 상에 형성된 상기 질화막(14c)을 제거한 후 소정 크기로 절단하는 단계에서 지지부재(14)를 절단하여 분리한다. 이 때 경사홈(13a) 및 관통홀(14a)을 형성하기 위해 실리콘 기판(13a)(14a)의 식각시 이방성식각을 위해 건식 또는 습식식각 방법 모두 적용될 수 있다.
제조가 완료된 지지부재(14)는 하부전극(13)에 형성된 경사홈(13a)에 관통홀(14a)이 정렬된 상태로 내열 유리(12)를 양극접착 방법을 이용해 지지부재(14)를 접착하는 단계에서 하부전극(13)에 접착된다. 지지부재(14)는 내열 유리(12) 재질을 하부전극(13)에 스퍼터링(Sputtering)한 후 양극접촉 방법(Anodic bonding)을 사용해 접촉한다.
하부전극(13)과 지지부재(14)가 접촉된 후 도 3d에 도시된 튜브(15)를 지지부재(14)에 형성된 관통홀(14a)에 정렬되도록 튜브(15)를 접착하는 단계에서 접착한다. 튜브(15)의 접착이 완료되면 도 3e에서와 같이 용량형 압력센서의 제조가 완료된다.
이상에성와 같이 본 발명은 멤브레인으로 사용되는 하부전극과 이를 지지하는 지지부재를 동일한 재질을 사용함으로써 기계적 스트레스로 인한 제품의 오동작을 제거할 수 있어 보다 신뢰성이 있는 제품을 제공하는 효과를 가진다.

Claims (7)

  1. 압력의 변화를 감지하는 센서에 있어서,
    상부전극;
    상기 상부전극의 저면에 내열 유리 재질로 접착되고 그 반대면에 경사홈을 형성한 하부전극;
    상기 하부전극과 동일한 재질을 사용하여 상기 경사홈에 정렬되 내열 유리재로 접착되는 관통홀(Hole)을 형성한 지지부재; 및
    상기 관통홀에 정렬되는 접착되는 튜브로 구성됨을 특징으로 하는 용량형 압력센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부전극과 상기 지지부재는 실리콘으로 형성됨을 특징으로 하는 용량형 압력센서.
  3. 용량형 압력센서를 제조하는 방법에 있어서,
    실리콘(Si) 기판에 불순물을 고농도로 도핑한 후 소정 크기로 절단하여 상부전극을 형성하는 단계;
    실리콘 기판에 불순물을 고농도로 도핑한 후 경사홈을 형성한 후 소정 크기로 절단하여 하부전극을 형성하는 단계;
    실리콘 기판에 관통홀을 형성한 후 소정 크기로 절단하여 하부전극을 형성하는 단계;
    상기 상부전극의 저면에 내열 유리를 이용 하부전극을 접착시키는 단계;
    상기 하부전극에 형성된 경사홈에 관통홀이 정렬된 상태로 내열 유리를 양극접착 방법을 이용해 상기 지지부재를 접착하는 단계; 및
    상기 지지부재에 형성된 관통홀에 정렬되도록 튜브를 접착하는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 용량형 압력센서 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 하부전극의 경사홈은 실리콘 기판에 불순물을 고농도로 도핑한 후 질화막을 형성하는 단계;
    상기 질화막에 감광막 패턴을 형성한 후 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 질화막을 식각하는 단계;
    상기 질화막을 식각 마스크로 하여 상기 실리콘 기판을 이방성 식각하는 단계;
    상기 실리콘 기판 위에 형성된 질화막을 식각하여 제거한 후 실리콘 기판에 질화막을 전면 형성한 후 감광막 패턴을 형성하여 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 질화막을 식각하는 단계;
    상기 질화막위에 형성된 감광막 패턴을 제거한 후 질화막을 식각마스크로 하여 상기 실리콘 기판을 이방성 식각하는 단계; 및
    상기 실리콘 기판 상에 형성된 상기 질화막을 제거한 후 소정 크기로 절단하는 단계로 형성됨을 특징으로 하는 용량형 압력센서 제조 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 지지부재의 관통홀은 실리콘 기판에 불순물을 고농도로 도핑한 후 질화막을 형성하는 단계;
    상기 질화막에 감광막 패턴을 형성한 후 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 질화막을 식각하는 단계;
    상기 질화막을 식각 마스크로 하여 상기 실리콘 기판을 이방성 식각하는 단계; 및
    상기 실리콘 기판 상에 형성된 상기 질화막을 제거한 후 소정 크기로 절단하는 단계로 형성됨을 특징으로 하는 용량형 압력센서 제조 방법.
  6. 제 3과 제 4항과 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질화막은 산화막으로 사용될 수 있음을 특징으로 하는 용량형 압력센서 제조 방법.
  7. 제 3과 제 4항과 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실리콘 기판의 이방성 식각은 습식 식각 내지 건식 식각이 사용됨을 특징으로 하는 용량형 압력센서 제조 방법.
KR10-1998-0043503A 1998-10-17 1998-10-17 용량형압력센서및그제조방법 KR100383650B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-1998-0043503A KR100383650B1 (ko) 1998-10-17 1998-10-17 용량형압력센서및그제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-1998-0043503A KR100383650B1 (ko) 1998-10-17 1998-10-17 용량형압력센서및그제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000026118A true KR20000026118A (ko) 2000-05-06
KR100383650B1 KR100383650B1 (ko) 2003-10-11

Family

ID=19554390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1998-0043503A KR100383650B1 (ko) 1998-10-17 1998-10-17 용량형압력센서및그제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100383650B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR100383650B1 (ko) 2003-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6156585A (en) Semiconductor component and method of manufacture
JP4003326B2 (ja) 半導体力学量センサおよびその製造方法
JP3114570B2 (ja) 静電容量型圧力センサ
FI100918B (fi) Pintamikromekaaninen, symmetrinen paine-eroanturi
US6797631B2 (en) High sensitive micro-cantilever sensor and fabricating method thereof
JP3307328B2 (ja) 半導体力学量センサ
US7296476B2 (en) Microelectromechanical system pressure sensor and method for making and using
EP0631122B1 (en) High sensitivity miniature pressure transducer with tensioned diaphragm
KR0137931B1 (ko) 평면운동을 위한 힌지된 격막을 가진 용량성 반도체 감지기
KR0137965B1 (ko) 최소의 유전 표류를 가지는 용량성 감지기
JPH04313031A (ja) 振動又は加速度測定センサ
US7478562B2 (en) High temperature LC pressure transducer and methods for making the same
JP4665942B2 (ja) 半導体力学量センサ
US6225140B1 (en) CMOS compatable surface machined pressure sensor and method of fabricating the same
CN103983395A (zh) 一种微压力传感器及其制备与检测方法
CN112125275A (zh) 一种mems电容式传感器及其制备方法
KR20010074906A (ko) 마이크로 기계 부품 및 그의 제조 방법
KR20000028948A (ko) 각속도 센서 제조방법
KR100383650B1 (ko) 용량형압력센서및그제조방법
JP2005321257A (ja) 静電容量型圧力センサ
CN112479151A (zh) 多传感器层的制作方法、多传感器芯片及其制作方法
KR100634822B1 (ko) 비대칭 차압 센서 및 그 제조방법
CN116754089A (zh) 一种微机械加工的无自热效应温度传感器
JPH06167400A (ja) 力学量センサ
CN117629506A (zh) 一种复合真空度传感器及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee