KR20000025462A - Device for manufacturing semiconductor having pressure controller in load lock chamber - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A device for manufacturing a semiconductor having a pressure controller in a load lock chamber is provided to minimize a pressure variation of a process chamber when a gate valve of a load lock chamber is opened or closed. CONSTITUTION: A device for manufacturing a semiconductor having a pressure controller in a load lock chamber comprises a process chamber(110) and a load lock chamber(120,130). The device for manufacturing a semiconductor having a pressure controller comprises a pressure controller(250). The pressure controller maintains a constant pressure of the process chamber independently of an opening operation and a closing operation of a gate valve. The compress controller comprises an input controller, a manometer, a throttle valve, and a gas injection line.

Description

로드락 챔버에서의 압력 제어 시스템을 갖춘 반도체 제조 장치Semiconductor manufacturing device with pressure control system in load lock chamber

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 특히 프로세스 챔버의 입구 및 출구에 로드락 챔버 및 언로드락 챔버를 갖춘 반도체 제조 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus having a load lock chamber and an unload lock chamber at inlets and outlets of a process chamber.

도 1은 종래의 반도체 제조 장치중 일반적으로 사용되고 있는 건식 식각 장치에서 압력을 제어하는 시스템의 일부 구성을 개략적으로 도시한 것이다.FIG. 1 schematically illustrates some components of a system for controlling pressure in a dry etching apparatus generally used in a conventional semiconductor manufacturing apparatus.

도 1을 참조하면, 종래의 건식 식각 장치에서는 입구 로드락 챔버(20)에서 대기 상태로 웨이퍼를 받으면, 라인(22)을 통하여 아이솔레이션 밸브(26)를 거쳐서 연결된 로드락 펌프(24)에 의하여 펌핑된다.Referring to FIG. 1, in a conventional dry etching apparatus, when a wafer is received in an inlet load lock chamber 20 in a standby state, it is pumped by a load lock pump 24 connected through an isolation valve 26 through a line 22. do.

상기 입구 로드락 챔버(20)에서 프로그램상에 짜여진 소정의 진공도까지 펌핑된 후, 상기 입구 로드락 챔버(20)측의 게이트 밸브(21)가 개방되고, 상기 입구 로드락 챔버(20)로부터 프로세스 챔버(10)로 웨이퍼가 들어가서 식각 공정이 진행된다. 이 때, 상기 프로세스 챔버(10) 내의 압력은 라인(42)을 통하여 아이솔레이션 밸브(46)를 거쳐서 연결된 프로세스 챔버(48)에 의한 펌핑에 의하여 진공 상태로 조절된다. 상기 프로세스 챔버(10) 내의 압력은 라인(52)을 통해 밸브(54)를 거쳐서 연결된 마노미터(56)를 이용하여 측정된 압력치에 따라서 압력 콘트롤러(50) 및 스로틀 밸브(44)를 이용하여 미세하게 조정된다. 이 때, 상기 프로세스 챔버(10) 내의 압력을 설정치대로 맞추기 위하여, 라인(12)을 통하여 가스, 예를 들면 Ar 또는 N2가스가 MFC(14) 및 밸브(16)를 거쳐서 상기 프로세스 챔버(10)로 유입된다.After the inlet load lock chamber 20 is pumped to a predetermined degree of vacuum squeezed programmatically, the gate valve 21 on the inlet load lock chamber 20 side is opened, and the process from the inlet load lock chamber 20 is performed. The wafer enters the chamber 10 and the etching process is performed. At this time, the pressure in the process chamber 10 is regulated to a vacuum state by pumping by a process chamber 48 connected via an isolation valve 46 via a line 42. The pressure in the process chamber 10 is fine using the pressure controller 50 and the throttle valve 44 in accordance with the pressure value measured using a manometer 56 connected via line 52 via valve 54. To be adjusted. At this time, in order to adjust the pressure in the process chamber 10 to a set value, a gas, for example Ar or N 2 gas, is passed through the line 12 through the MFC 14 and the valve 16 through the process chamber 10. Flows into).

상기 프로세스 챔버(10) 내에서 해당 식각 공정이 완료된 후, 출구 로드락 챔버(30)에서는 상기 입구 로드락 챔버(20)에서와 동일한 방법으로 라인(32)을 통하여 아이솔레이션 밸브(36)를 거쳐서 연결된 로드락 펌프(24)에 의하여 펌핑된다.After the corresponding etching process is completed in the process chamber 10, the outlet load lock chamber 30 is connected via an isolation valve 36 via a line 32 in the same manner as in the inlet load lock chamber 20. It is pumped by the load lock pump 24.

상기 출구 로드락 챔버(30)가 펌핑되면, 상기 출구 로드락 챔버(30)측의 게이트 밸브(31)가 개방되고, 웨이퍼가 상기 프로세스 챔버(10)로부터 상기 출구 로드락 챔버(30)로 언로딩된다.When the outlet load lock chamber 30 is pumped, the gate valve 31 on the side of the outlet load lock chamber 30 is opened, and a wafer is frozen from the process chamber 10 into the outlet load lock chamber 30. Loaded.

그러나, 상기와 같은 시스템을 가지는 종래의 반도체 제조 장치에서는 상기 게이트 밸브(21 또는 31)가 개방 또는 폐쇄될 때 상기 프로세스 챔버(10) 내의 압력을 제어하는 기능이 없다. 따라서, 상기 입구 로드락 챔버(20) 또는 출구 로드락 챔버(30)의 압력 정도에 따라서 상기 입구 로드락 챔버(20) 또는 출구 로드락 챔버(30)로부터 상기 프로세스 챔버(10)로, 또는 상기 프로세스 챔버(10)로부터 상기 입구 로드락 챔버(20) 또는 출구 로드락 챔버(30)로의 압력 흐름의 변화가 생기고, 그 결과 미세한 파티클이 발생될 수 있는 소스로 작용하는 문제가 있다.However, in the conventional semiconductor manufacturing apparatus having such a system, there is no function of controlling the pressure in the process chamber 10 when the gate valve 21 or 31 is opened or closed. Thus, the inlet load lock chamber 20 or the outlet load lock chamber 30 from the inlet load lock chamber 20 or the outlet load lock chamber 30 to the process chamber 10, or the A change in the pressure flow from the process chamber 10 to the inlet load lock chamber 20 or the outlet load lock chamber 30 results in a problem that acts as a source from which fine particles can be generated.

본 발명의 목적은 로드락 챔버의 게이트 밸브가 개방 또는 폐쇄될 때 프로세스 챔버에서의 압력의 변화를 최소화할 수 있는 구성을 가지는 반도체 제조 장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing apparatus having a configuration capable of minimizing a change in pressure in a process chamber when a gate valve of a load lock chamber is opened or closed.

도 1은 종래의 반도체 제조 장치에서의 압력 제어 시스템의 일부 구성을 개략적으로 도시한 것이다.1 schematically shows some components of a pressure control system in a conventional semiconductor manufacturing apparatus.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조 장치에서의 압력 제어 시스템의 일부 구성을 개략적으로 도시한 것이다.2 schematically illustrates some components of a pressure control system in a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 반도체 제조를 위한 공정을 행하는 프로세스 챔버와, 상기 프로세스 챔버에서 웨이퍼를 로딩/언로딩하기 위하여 상기 프로세스 챔버에 게이트 밸브를 통하여 연결된 로드락 챔버를 구비한 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 게이트 밸브의 개방 또는 폐쇄 동작에 관계 없이 상기 프로세스 챔버에서의 압력을 일정하게 제어하기 위하여 상기 로드락 챔버에 압력 제어 시스템을 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor manufacturing apparatus including a process chamber performing a process for manufacturing a semiconductor and a load lock chamber connected to the process chamber through a gate valve to load / unload wafers from the process chamber. An apparatus is provided, wherein the load lock chamber is provided with a pressure control system to control the pressure in the process chamber constant regardless of the opening or closing operation of the gate valve.

바람직하게는, 상기 압력 제어 시스템은 상기 로드락 챔버에서의 압력을 제어하기 위한 압력 콘트롤러와, 상기 로드락 챔버에서의 압력을 측정하기 위한 마노미터와, 상기 마노미터에서 측정된 상기 로드락 챔버에서의 압력치에 따라서 상기 압력 콘트롤러에 의하여 상기 로드락 챔버에서의 압력을 조절하기 위한 스로틀 밸브와, 상기 로드랙 챔버 내로 압력 조절용 가스를 유입시키기 위한 가스 유입 라인을 포함한다.Advantageously, said pressure control system comprises a pressure controller for controlling pressure in said load lock chamber, a manometer for measuring pressure in said load lock chamber, and a pressure in said load lock chamber measured at said manometer. And a throttle valve for regulating the pressure in the load lock chamber by the pressure controller and a gas inlet line for introducing a pressure regulating gas into the load rack chamber.

상기 로드락 챔버는 상기 프로세스 챔버에 각각 연결된 입구 로드락 챔버와 출구 로드락 챔버를 포함하고, 상기 가스 유입 라인에는 상기 로드락 챔버로의 가스 유량을 제어하기 위한 MFC가 설치된다.The load lock chamber includes an inlet load lock chamber and an outlet load lock chamber respectively connected to the process chamber, and the gas inlet line is provided with an MFC for controlling a gas flow rate to the load lock chamber.

본 발명에 의하면, 로드락 챔버의 게이트 밸브가 개방 또는 폐쇄될 때 프로세스 챔버에서의 압력의 변화를 최소화할 수 있다.According to the present invention, it is possible to minimize the change in pressure in the process chamber when the gate valve of the load lock chamber is opened or closed.

다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Next, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조 장치에서 압력을 제어하는 시스템의 일부 구성을 개략적으로 도시한 것이다.2 schematically illustrates some components of a system for controlling pressure in a semiconductor manufacturing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 제조 장치, 본 예에서는 건식 식각 장치에서는 입구 로드락 챔버(120)에서 대기 상태로 웨이퍼를 받으면, 라인(122)을 통하여 아이솔레이션 밸브(126) 및 스로틀 밸브(244)를 거쳐서 연결된 로드락 펌프(124)에 의하여 펌핑된다.Referring to FIG. 2, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, and in this example, in the dry etching apparatus, when the wafer is received in the inlet load lock chamber 120 in the standby state, the isolation valve 126 and the throttle valve are provided through the line 122. Pumped by load lock pump 124 connected via 244.

상기 입구 로드락 챔버(120)에서 프로그램상에 짜여진 소정의 진공도까지 펌핑된 후, 상기 입구 로드락 챔버(120)측의 게이트 밸브(121)가 개방되고, 상기 입구 로드락 챔버(120)로부터 프로세스 챔버(110)로 웨이퍼가 들어가서 식각 공정이 진행된다. 이 때, 상기 프로세스 챔버(110) 내의 압력은 라인(142)을 통하여 아이솔레이션 밸브(146)를 거쳐서 연결된 프로세스 챔버(148)에 의한 펌핑에 의하여 진공 상태로 조절된다. 상기 프로세스 챔버(110) 내의 압력은 라인(152)을 통해 밸브(154)를 거쳐서 연결된 마노미터(156)를 이용하여 측정된 압력치에 따라서 압력 콘트롤러(150) 및 스로틀 밸브(144)를 이용하여 미세하게 조정된다. 이 때, 상기 프로세스 챔버(110) 내의 압력을 설정치대로 맞추기 위하여, 라인(112)을 통하여 가스, 예를 들면 Ar 또는 N2가스가 MFC(114) 및 밸브(116)를 거쳐서 상기 프로세스 챔버(110)로 유입된다.After the pump is pumped to a predetermined degree of vacuum in the inlet load lock chamber 120, the gate valve 121 on the side of the inlet load lock chamber 120 is opened, and the process from the inlet load lock chamber 120 is performed. The wafer enters the chamber 110 and an etching process is performed. At this time, the pressure in the process chamber 110 is adjusted to a vacuum state by pumping by the process chamber 148 connected via the isolation valve 146 via the line 142. The pressure in the process chamber 110 is fine using the pressure controller 150 and the throttle valve 144 in accordance with the pressure value measured using the manometer 156 connected via the valve 154 via the line 152. To be adjusted. At this time, to adjust the pressure in the process chamber 110 to a set value, a gas, for example Ar or N 2 gas, is passed through the line 112 via the MFC 114 and the valve 116 through the process chamber 110. Flows into).

상기 프로세스 챔버(110) 내에서 해당 식각 공정이 완료된 후, 출구 로드락 챔버(130)에서는 상기 입구 로드락 챔버(120)에서와 동일한 방법으로 라인(132)을 통하여 아이솔레이션 밸브(136)를 거쳐서 연결된 로드락 펌프(124)에 의하여 펌핑된다.After the corresponding etching process is completed in the process chamber 110, the outlet load lock chamber 130 is connected via the isolation valve 136 through the line 132 in the same manner as the inlet load lock chamber 120. Pumped by load lock pump 124.

상기 출구 로드락 챔버(130)가 펌핑되면, 상기 출구 로드락 챔버(130)측의 게이트 밸브(131)가 개방되고, 웨이퍼가 상기 프로세스 챔버(110)로부터 상기 출구 로드락 챔버(130)로 언로딩된다.When the outlet load lock chamber 130 is pumped, the gate valve 131 on the side of the outlet load lock chamber 130 is opened, and the wafer is frozen from the process chamber 110 into the outlet load lock chamber 130. Loaded.

여기서, 본 발명에 따른 구성에서는 상기 게이트 밸브(121 또는 131)가 개방 또는 폐쇄될 때 상기 프로세스 챔버(110) 내의 압력을 설정치로 제어하기 위하여 상기 입구 로드락 챔버(120) 및 출구 로드락 챔버(130)에서의 압력도 동일하게 제어한다. 이를 위하여, 상기 입구 로드락 챔버(120) 및 출구 로드락 챔버(130) 내의 압력은 라인(252)을 통해 밸브(254)를 거쳐서 연결된 마노미터(256)를 이용하여 측정된 압력치에 따라서 압력 콘트롤러(250) 및 스로틀 밸브(244)를 이용하여 미세하게 조정된다. 이 때, 상기 입구 로드락 챔버(120) 및 출구 로드락 챔버(130) 내의 압력을 설정치대로 맞추기 위하여, 라인(212)을 통하여 가스, 예를 들면 Ar 또는 N2가스가 MFC(214) 및 밸브(216)를 거쳐서 상기 입구 로드락 챔버(120) 및 출구 로드락 챔버(130)로 유입된다.Here, in the configuration according to the present invention, the inlet load lock chamber 120 and the outlet load lock chamber (in order to control the pressure in the process chamber 110 to a set value when the gate valve 121 or 131 is opened or closed). The pressure in 130 is also controlled in the same way. To this end, the pressure in the inlet load lock chamber 120 and the outlet load lock chamber 130 is controlled in accordance with the pressure value measured using the manometer 256 connected via the valve 254 via the line 252. Fine adjustment is made using 250 and throttle valve 244. At this time, a gas, for example Ar or N 2 gas, is passed through the line 212 to the MFC 214 and the valve through the line 212 to adjust the pressure in the inlet load lock chamber 120 and the outlet load lock chamber 130 to a set value. The inlet load lock chamber 120 and the outlet load lock chamber 130 are introduced through the 216.

상기와 같이 구성되었으므로, 상기 게이트 밸브(121 또는 131)가 개방 또는 폐쇄될 때 상기 입구 로드락 챔버(120) 또는 출구 로드락 챔버(130)의 압력 정도에 따라서 상기 입구 로드락 챔버(120) 또는 출구 로드락 챔버(130)로부터 상기 프로세스 챔버(110)로, 또는 상기 프로세스 챔버(110)로부터 상기 입구 로드락 챔버(120) 또는 출구 로드락 챔버(130)로의 압력 흐름의 변화가 생기는 것을 방지할 수 있다.Since the configuration as described above, the inlet load lock chamber 120 or according to the degree of pressure of the inlet load lock chamber 120 or the outlet load lock chamber 130 when the gate valve 121 or 131 is opened or closed. Changes in pressure flow from the exit load lock chamber 130 to the process chamber 110 or from the process chamber 110 to the inlet load lock chamber 120 or the exit load lock chamber 130 can be prevented from occurring. Can be.

상기한 바와 같이, 본 발명에 의하면 로드락 챔버의 게이트 밸브가 개방 또는 폐쇄될 때 프로세스 챔버에서의 압력의 변화를 최소화할 수 있다.As described above, the present invention can minimize the change in pressure in the process chamber when the gate valve of the load lock chamber is opened or closed.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.The present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made by those skilled in the art within the scope of the technical idea of the present invention. Do.

Claims (4)

반도체 제조를 위한 공정을 행하는 프로세스 챔버와,A process chamber for performing a process for semiconductor manufacturing; 상기 프로세스 챔버에서 웨이퍼를 로딩/언로딩하기 위하여 상기 프로세스 챔버에 게이트 밸브를 통하여 연결된 로드락 챔버를 구비한 반도체 제조 장치에 있어서,In the semiconductor manufacturing apparatus having a load lock chamber connected to the process chamber through a gate valve for loading / unloading a wafer in the process chamber, 상기 게이트 밸브의 개방 또는 폐쇄 동작에 관계 없이 상기 프로세스 챔버에서의 압력을 일정하게 제어하기 위하여 상기 로드락 챔버에 압력 제어 시스템을 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.And a pressure control system in the load lock chamber to constantly control the pressure in the process chamber regardless of the opening or closing operation of the gate valve. 제1항에 있어서, 상기 압력 제어 시스템은The system of claim 1, wherein the pressure control system is 상기 로드락 챔버에서의 압력을 제어하기 위한 압력 콘트롤러와,A pressure controller for controlling pressure in the load lock chamber; 상기 로드락 챔버에서의 압력을 측정하기 위한 마노미터와,A manometer for measuring the pressure in the load lock chamber; 상기 마노미터에서 측정된 상기 로드락 챔버에서의 압력치에 따라서 상기 압력 콘트롤러에 의하여 상기 로드락 챔버에서의 압력을 조절하기 위한 스로틀 밸브와,A throttle valve for adjusting the pressure in the load lock chamber by the pressure controller according to the pressure value in the load lock chamber measured by the manometer; 상기 로드랙 챔버 내로 압력 조절용 가스를 유입시키기 위한 가스 유입 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.And a gas inlet line for introducing a pressure regulating gas into the load rack chamber. 제2항에 있어서, 상기 로드락 챔버는 상기 프로세스 챔버에 각각 연결된 입구 로드락 챔버와 출구 로드락 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The semiconductor manufacturing apparatus of claim 2, wherein the load lock chamber comprises an inlet load lock chamber and an outlet load lock chamber respectively connected to the process chamber. 제2항에 있어서, 상기 가스 유입 라인에는 상기 로드락 챔버로의 가스 유량을 제어하기 위한 MFC가 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, wherein the gas inflow line is provided with an MFC for controlling a gas flow rate to the load lock chamber.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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