KR20000016964U - Mold for manufacturing the IC chip - Google Patents
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Abstract
본 고안은 IC칩 제조용 콤파운드 용착 성형장치에 장착되는 상부금형과 하부금형에 있어서의 하부금형 구조에 대한 것으로 종래 하부금형의 용융 콤파운드 공급로를 단열(單列)로 함에 따른 불량율을 줄이기 위하여 안출한 하부금형의 구조에 대한 고안이다.The present invention relates to a lower mold structure in an upper mold and a lower mold mounted on a compound welding molding apparatus for manufacturing an IC chip, and a lower portion formed to reduce a defective rate by insulating a molten compound supply path of a conventional lower mold. It is devised for the structure of the mold.
Description
본 고안은 IC칩(integrated circuit chip)을 제조하기 위하여 먼저 리드프레임을 전단성형하고 이 리드프레임의 필요위치(머리부)에 용융된 콤파운드를 충전 용착하여 IC칩을 제조하게 되는 바 본 고안은 이러한 IC칩을 제조하기 위한 필수적인 장치로서 장착되는 IC칩의 콤파운드 용착용 금형의 구조에 대한 것으로서 이 IC칩 제조용 금형은 상부금형과 하부금형으로 구성되는 바 통상 IC칩은 그 단위 크기가 매우 소형이기 때문에 1 회 충전 용착하여 많은 수의 IC칩을 동시에 성형하게 되는데, 종래에는 일정한 면적을 가진 하부 금형의 면판 중앙에 용융 콤파운드를 공급하는 포트가 하부금형 하면쪽으로 상하 2개소 구비되고 이 포트로 부터 실린더의 압력으로 용융 콤파운드를 금형에 마련된 콤파운드 공급로로 압압하여 공급하면 이 공급로 좌우에 구비된 콤파운드 주입로를 통하여 IC칩이 성형될 캐비티 내로 용융 콤파운드가 주입 충전되도록 금형이 구성되어 있는 것으로 이러한 구조는 본 출원인이 1998년 실용신안등록 출원번호 제 98-23857 호 "IC칩 제조용 콤파운드 용착 성형장치"에서 실시한 하부금형 구조이다.In order to manufacture an integrated circuit chip, the present invention first shears a lead frame and manufactures an IC chip by charging and welding molten compound at a required position (head) of the lead frame. The structure of IC chip compound welding mold mounted as an essential device for manufacturing IC chip. The IC chip manufacturing die is composed of upper and lower molds. A large number of IC chips are formed at the same time by single charge welding. Conventionally, two ports for supplying molten compound in the center of the face plate of a lower mold having a predetermined area are provided at the upper and lower sides of the lower mold. When the melt compound is pressed into the compound supply path provided in the mold under pressure, the compound is provided on the left and right sides of the supply path. The mold is configured such that the molten compound is injected and filled into the cavity in which the IC chip is to be formed through the wound injection path. This structure is described in the Utility Model Registration Application No. 98-23857 by the applicant. "Is the bottom mold structure.
상기와 같이 종래의 IC칩의 제조용 하부금형(1)의 평면구조는 금형(1) 평면 중앙에 2개의 콤파운드 용융액(C)이 충전된 수직 포트(2)가 구비되고 하나의 포트(2)와 평면적으로 콤파운드 용융액이 공급되는 3개의 가지로 용융 콤파운드 공급로(3)가 일정한 길이로 함입형성되고 이 용융 콤파운드 공급로(3)를 중심으로 공급로(3)의 직각 방향의 상부와 하부에 다수개의 콤파운드 용융액 주입로(3a)가 연결되고 이 콤파운드 용융액 주입로(3a) 선단은 IC칩의 두부가 성형될 다수개의 캐비티(4)와 연결되도록 각부가 요입형성된 구조로 되어 있는 바 먼저 본원 고안 금형이 장착되는 콤파운드 용착 성형장치(P)의 구조 개요를 설명하면 첨부한 도면 도 1 과 도면 도 2 에 도시한 바와 같이 2개의 콤파운드 포트(2)를 하부 금형(10)중도부 전후에 일정거리를 이격하여 구비하고 이 포트(2)가 실린더 역할을 수행하도록 포트(2) 내주면에 피스톤(11)이 내설되게 하고 이 피스톤은 공지한 실린더(12)의 로드(13)에 의하여 상하운동을 할 수 있게 되어 있고, 이 본원 고안의 대상이 되는 하부금형(10) 상부에는 하부금형(10)과 합형 또는 이형되는 상부금형(14)이 콤파운드 용착성형장치(1)의 상면에 고정적으로 척설되어 있어 피스톤(11)이 실린더로드 (13)의 몰입에 의하여 포트(2) 하부로 위치이동되어 포트(2) 내에 공간부가 마련되면 이 포트(2)내의 공간부에 콤파운드(c)를 장입하고 하부금형(10)을 공지한 방법으로 상승시켜 상부금형(14)과 긴밀하게 대접한 상태에서 이 상부금형(14)과 하부금형(10)사이에 금속판재로 된 리드프레임(도면 도 5에서의 (R))을 개재시킨 상태에서 피스톤(11)을 상승시켜 포트(2)내에 장입된 용융 콤파운드(C)를 상부로 강압하면 용융 콤파운드(C)는 콤파운드 용융액 공급로(3)를 따라 공급되어 용융액 주입로(5)를 경유하여 금형내의 캐비티(4)로 공급 충전되고 일정한 시간이 경과하므로서 콤파운드가 경화되어 IC칩이 1회에 다수개 (통상 1200개)의 IC칩이 성형되도록 콤파운드 용착성형장치(1) 및 하부금형(10)의 구조로 이루어져 있다. 그런데 1회 성형작업시 다수개의 IC칩을 제조하기 위하여 하부금형(10) 평면상에 다수개의 용융 콤파운드 공급로(3)와 주입로(5)가 형성되어 있고 공급로(3)의 길이가 길며 이 공급로(3)와 직각방향으로 전후로 연설된 주입로(5) 또한 비교적 캐비티(4)와 이격된 거리에 있어 주입 압력이 저하되어 용융 콤파운드가 공급로(3) 선단부까지 공급되지 못하거나 공급로(3)를 따라 공급되다가 온도가 떨어져 중도에서 응고 되는 등의 불량이 발생하는 경우가 있었다.As described above, the planar structure of the lower mold 1 for manufacturing a conventional IC chip includes a vertical port 2 filled with two compound melts C in the center of the mold 1 plane, and one port 2 and The melt compound feed passage 3 is formed into a predetermined length by three branches to which a compound melt is supplied planarly, and the molten compound feed passage 3 is formed in a plurality of upper and lower portions at right angles of the feed passage 3 with respect to the melt compound supply passage 3. The two compound melt injection paths 3a are connected, and the tip of the compound melt injection paths 3a has a structure in which each part is indented so that the head of the IC chip is connected to a plurality of cavities 4 to be molded. The structure outline of the compound welding molding apparatus P to be mounted will be described. As shown in the accompanying drawings, FIGS. 1 and 2, the two compound ports 2 are fixed at a predetermined distance before and after the lower mold 10. Spaced apart The piston 11 is installed in the inner peripheral surface of the port 2 so that the port 2 functions as a cylinder, and the piston is capable of vertical movement by the rod 13 of the known cylinder 12. On top of the lower mold 10, which is the subject of the present invention, the lower mold 10 and the upper mold 14, which are combined or released, are fixedly mounted on the upper surface of the compound welding molding apparatus 1, thereby providing a piston (11). When the cylinder rod 13 is moved to the lower part of the port 2 by the immersion of the cylinder rod 13, the space part is provided in the port 2, and the compound c is charged into the space part of the port 2 and the lower mold 10 is opened. Interposed between the upper mold 14 and the lower mold 10 by a lead frame (R in FIG. 5) between the upper mold 14 and the lower mold 10 in a state in which the upper mold 14 is in close contact with the upper mold 14. The piston 11 is lifted up to melt the molten compound C charged in the port 2. The melt compound (C) is supplied along the compound melt supply path (3) when supplied to the bottom, and supplied to the cavity (4) in the mold via the melt injection path (5). It consists of the structure of the compound welding shaping | molding apparatus 1 and the lower mold 10 so that many (usually 1200) IC chips may be shape | molded at this time. However, in order to manufacture a plurality of IC chips in one molding operation, a plurality of melt compound supply paths 3 and injection paths 5 are formed on the lower mold 10 plane, and the length of the supply path 3 is long. The injection path 5 which is extended back and forth in a direction perpendicular to the supply path 3 also has a relatively low distance from the cavity 4 so that the injection pressure is lowered so that the molten compound cannot be supplied to the front end of the supply path 3 or supplied. While supplying along the furnace 3, the temperature may fall, and defects, such as solidification in the middle, may arise.
도 1 은 본 고안 상으로 실시되는 상,하부 금형이 이형된 상태의 IC 칩 제조용 콤파운드 용착성형장치 사시도1 is a perspective view of a compound welding molding apparatus for manufacturing an IC chip in the upper and lower molds are released according to the present invention
도 2 는 IC칩 제조용 콤파운드 용착성형장치의 일부 종단면도2 is a partial longitudinal sectional view of a compound welding molding apparatus for manufacturing an IC chip;
도 3 은 종래 용융콤파운드 공급로가 단열로 된 하부금형의 평면 예시도Figure 3 is a plan view of the lower mold of the conventional molten compound supply path insulated
도 4 는 본 고안상으로 실시되는 용융 콤파운드 공급로가 2열로 된 하부금형의 평면예시도Figure 4 is a plan view of a lower mold of two rows of melt compound supply path implemented in accordance with the present invention
도 5 는 도 4 에서의 A-A선 단면도5 is a cross-sectional view taken along the line A-A in FIG.
(도면의 주요부분에 대한 부호설명)(Code description of main parts of drawing)
P.IC 칩 제조용 콤파운드 용착성형장치 1,10. 하부금형Compound welding molding machine for P.IC chip manufacturing 1,10. Bottom mold
2,11,11a. 포트 3,3a,3b,3c 용융 콤파운드 공급로 4.캐비티 5,16,16a.용융 콤파운드 주입로2,11,11a. 4, 16, 16 a. Melt compound inlet. 4, 16, 16 a. Melt compound inlet.
11.피스톤 12.실린더11.Piston 12.Cylinder
13.실린더로드 14.상부금형13.cylinder rod 14.upper mold
15,15a. 분기로 R. 리드프레임15,15a. R. Leadframe to Branch
C.용융 콤파운드C. Melt Compound
본 고안은 상기와 같은 본 출원인의 선 출원고안의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 고안으로서 더욱 자세하게는 하부금형의 구조에 대하여 안출한 고안인 바 이를 첨부한 도면 도 4 및 도 5 에 의하여 설명하면 본 고안상으로 실시되는 하부금형(10)의 상부평면 중앙 상하부에 공지한 용융콤파운드가 충전되는 2개의 포드(11)(11a)를 구비하고 이 각각의 포트(11)(11a)에 좌우(첨부한 도면 상으로는 좌우 대칭적이므로 우측면만 도시하였음)에 3개의 용융 콤파운드 공급로(3a)(3b) (3c)를 요입형성하고 이 각각의 용융 콤파운드 공급로(3a)(3b)(3c)는 다시 각각 2개의 용융 콤파운드 공급로의 분기로(15)(15a)로 분기하고 이 각각의 분기로 (15)(15a)와 직각되게 IC칩의 두부가 성형될 다수개(하나의 분기로에 대략 50개)의 캐비티(4)의 용융 콤파운드 주입로(16)(16a)로 연통되게 하되 주입로(16)(16a)의 길이를 종래 하부금형(1)의 공급로 보다 현저하게 짧은 길이로 연통되게 하여서 본 고안상의 하부금형(10)이 구성된다.The present invention is a design devised to solve the problems of the applicant's prior application as described above in more detail the design devised for the structure of the lower mold bar described with reference to Figures 4 and 5 Two pods 11 and 11a filled with a known melting compound in the upper and lower centers of the upper plane of the lower mold 10, which are designed and designed, are attached to each of the ports 11 and 11a. In the drawing, three fusion compound feed passages 3a, 3b, and 3c are recessed in the right and left symmetry, so that each of the melt compound supply passages 3a, 3b, and 3c is again 2 Branches of the IC chip to be branched to the branch furnaces 15 and 15a of the two melt compound supply passages and perpendicular to the respective branch furnaces 15 and 15a (approximately 50 in one branch furnace). In communication with the melt compound injection paths 16 and 16a of the cavity 4 of the But is introduced into 16 hayeoseo be communicated to a significantly shorter length than supplying the lower die 10 on the design of (16a) a conventional lower mold (1) consists of a length.
상기와 같이 구성된 본 고안상으로 실시되는 하부금형(10)은 종래 본 출원인의 선출원 고안에서 실시된 하부금형(1)에 형성된 주입로(3a)의 길이보다 본 고안상의 하부금형(10)의 주입로(16)(16a)의 길이가 현저하게 짧기 때문에 용융 콤파운드를 압압하는 압력이 종래와 동일할 경우 그 압력이 손실되는 량이 그만큼 줄어들어 캐비티 내로 용융콤파운드를 압압하는 힘이 종래 하부금형에 미치는 압력보다 훨씬 크므로 하부금형(10)의 포트(11)(11a)로 부터 현저히 멀리 위치한 미단부의 캐비티에도 용융 콤파운드를 압압하여 공급할 수 있어 불량률이 현저히 줄어들고 또한 주입로(16)(16a)의 길이가 현저히 짧고 따라서 용융 콤파운드의 충전시간이 단축되므로 용융콤파운드의 온도 저하가 그 만큼 줄어들므로 불량률을 줄이는 부차적인 효과가있다.The lower mold 10 is implemented in accordance with the present invention configured as described above is the injection of the lower mold 10 of the present invention than the length of the injection path (3a) formed in the lower mold 1 carried out in the prior application of the present applicant Since the length of the furnace 16 and 16a is remarkably short, when the pressure for pressing the melt compound is the same as before, the amount of pressure loss is reduced by that, and the force for pressing the melt compound into the cavity is lower than that of the conventional lower mold. Since it is much larger, the molten compound can be supplied to the end of the lower mold 10 from the ports 11 and 11a of the lower mold 10 by pressing, so that the defect rate is significantly reduced and the length of the injection path 16 and 16a is significantly reduced. Since the filling time of the molten compound is short, and thus the melting time of the molten compound is shortened, there is a secondary effect of reducing the defective rate.
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