KR20000015203U - 이피롬의 읽기 회로 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 이피롬의 읽기 회로에 관한 것으로, 종래 기준셀의 문턱전압을 사용하여 메인셀의 문턱전압을 비교하여 그 차를 출력함에 있어서 상기 기준셀을 사용함으로써 설계면적이 커지고, 비트라인의 기생 커패시턴스값이 커져 고속동작 및 저전압 동작 특성이 나빠지는 문제점이 있었다. 따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 저전압검출부를 통해 이피롬 내부에 공급되는 전원전압이 저전압이 되면, 승압회로를 통해 승압전압을 워드라인 및 비트라인 디코더에 공급하여 비교기만으로 메인셀의 데이터를 억세스함으로써, 저전압 동작 특성을 향상시켜 센싱 속도를 향상시킴과 아울러 설계 면적을 최소화한 효과가 있다.
Description
본 고안은 이피롬의 읽기 회로에 관한 것으로, 특히 이피롬에 있어서 저전원전압을 감지하여 이를 내부 승압회로를 통해 워드라인 및 비트라인 디코더의 전압 레벨을 상승시킴으로써 저전압 동작 특성을 향상시킨 이피롬의 읽기 회로에 관한 것이다.
도 1은 종래 이피롬의 읽기 회로의 구성을 보인 개략도로서, 이에 도시된 바와 같이 각각의 단위셀에 데이터를 저장하는 메인셀 어레이부(10)와; 기준전압을 저장하는 기준셀 어레이부(20)와; 상기 메인셀 어레이부(10)의 비트라인을 초기화시키는 비트라인 방전회로(30)와; 상기 메인셀 어레이부(10)의 비트라인을 구동하는 비트라인 디코더(40)와; 상기 메인셀 어레이부(10)의 워드라인을 구동하는 워드라인 디코더(50)와; 상기 기준셀(20)의 기준전압과 상기 비트라인 디코더(40)의 출력전압을 비교하여 그 차를 출력하는 비교기(60)와; 클럭에 동기되어 상기 비교기(60)의 출력신호를 증폭하여 데이터 버스에 싣는 출력버퍼(70)로 구성되며, 이와 같이 구성된 종래 기술에 따른 동작과정을 상세히 설명한다.
우선, 비트라인 방전회로(30)는 기준셀 어레이부(20)의 비트라인 및 메인셀 어레이부(10)의 비트라인을 방전시켜 상기 메인셀 어레이부(10) 및 기준셀 어레이부(20)의 비트라인을 균등화하게 된다.
그리고, 어드레스가 입력되면, 워드라인 디코더(50) 및 비트라인 디코더(40)는 상기 메인셀 어레이부(10)에서 해당되는 단위셀의 워드라인 및 비트라인을 선택하게 된다.
그리고, 비교기(60)는 상기 메인셀 어레이부(10)의 선택된 셀의 전압과 상기 기준셀 어레이부(20)의 전압을 비교하게 된다.
여기서, 상기 메인셀 어레이부(10)의 전압이 기준셀 어레이부(20)의 문턱전압보다 높은 경우, 상기 비교기(60)는 저전위를 출력하게 되나, 상기 기준셀 어레이부(20)의 문턱전압보다 낮은 경우, 상기 비교기(60)는 고전위를 출력하게 된다.
따라서, 상기 비교기(60)의 출력을 입력받은 출력버퍼(70)는 기준클럭에 동기되어 상기 비교기(60)의 출력신호를 증폭하여 데이터 버스에 싣게 된다.
상기와 같이 종래 기준셀의 문턱전압을 사용하여 메인셀의 문턱전압을 비교하여 그 차를 출력함에 있어서 상기 기준셀을 사용함으로써 설계면적이 커지고, 비트라인의 기생 커패시턴스값이 커져 고속동작 및 저전압 동작 특성이 나빠지는 문제점이 있었다.
따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 저전압검출부를 통해 이피롬 내부에 공급되는 전원전압이 저전압이 되면, 승압회로를 통해 승압전압을 워드라인 및 비트라인 디코더에 공급하여 비교기만으로 메인셀의 데이터를 억세스함으로써, 저전압 동작 특성을 향상시킨 이피롬의 읽기 회로를 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 종래 이피롬의 읽기 회로의 구성을 보인 개략도.
도 2는 본 고안 이피롬의 읽기 회로의 구성을 보인 개략도.
***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명***
100 : 메인셀 어레이부 110 : 비트라인 방전회로
120 : 비트라인 디코더 130 : 워드라인 디코더
140 : 저전압 검출회로 150 : 승압회로
160 : 기준전압 발생기 170 : 비교기
180 : 출력버퍼
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안의 구성은 각각의 단위 셀에 데이터를 저장하는 메인셀 어레이부와; 상기 메인셀 어레이부의 비트라인을 초기화시키는 비트라인 방전회로와; 상기 메인셀 어레이부의 비트라인을 구동하는 비트라인 디코더와; 상기 메인셀 어레이부의 워드라인을 구동하는 워드라인 디코더와; 인가되는 전원전압의 저전압 여부를 감지하는 저전압 검출회로와; 상기 저전압 검출회로에서 저전원전압을 검출하면 상기 비트라인 디코더 및 워드라인 디코더의 게이트 전압을 상승시키는 승압회로와; 기준전압을 발생하는 기준전압 발생기와; 상기 기준전압 발생기의 기준전압과 상기 비트라인 디코더의 출력전압을 비교하여 그 차를 출력하는 비교기와; 클럭에 동기되어 상기 비교기의 출력신호를 증폭하여 데이터 버스에 싣는 출력버퍼로 구성하여 된 것을 특징으로 한다.
이하, 본 고안에 따른 일실시예에 대한 동작과 작용효과를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 고안 이피롬의 읽기 회로의 구성을 보인 개략도로서, 이에 도시한 바와 같이 각각의 단위 셀에 데이터를 저장하는 메인셀 어레이부(100)와; 상기 메인셀 어레이부(100)의 비트라인을 초기화시키는 비트라인 방전회로(110)와; 상기 메인셀 어레이부(100)의 비트라인을 구동하는 비트라인 디코더(120)와; 상기 메인셀 어레이부(100)의 워드라인을 구동하는 워드라인 디코더(130)와; 인가되는 전원전압(VCC)의 저전압 여부를 감지하는 저전압 검출회로(140)와; 상기 저전압 검출회로(140)에서 저전원전압을 검출하면 상기 비트라인 디코더(120) 및 워드라인 디코더(130)의 게이트 전압을 상승시키는 승압회로(150)와; 기준전압을 발생하는 기준전압 발생기(160)와; 상기 기준전압 발생기(160)의 기준전압과 상기 비트라인 디코더(120)의 출력전압을 비교하여 그 차를 출력하는 비교기(170)와; 클럭에 동기되어 상기 비교기(170)의 출력신호를 증폭하여 데이터 버스에 싣는 출력버퍼(180)로 구성하며, 이와 같이 구성한 본 고안에 따른 동작과정을 상세히 설명한다.
우선, 저전압 검출회로는 항상 전원전압의 레벨을 검출하여 그 전압이 특정 전압 이하인지를 판단하고, 이에 상기 전원전압이 특정전압 이상이면, 본 발명의 동작은 종래 도 1과 동일하게 동작한다.
이때, 비트라인 디코더(120)는 기준전압 발생기(160)에서 발생한 기준전압을 이용하여 메인셀 어레이부(100)내 단위 셀을 구동하고, 이에 어드레스가 입력되면 비교기(170)는 상기 기준전압 및 비트라인 디코더(120)를 통해 출력되는 메인셀 어레이부(100)의 선택된 단위 셀의 전압과 비교하여 이를 출력버퍼(180)를 통해 외부 버스로 출력한다.
그러나, 상기 저전압 검출회로(140)는 상기 전원전압(VCC)이 특정전압이하이면 저전원전압으로 판단하고, 상기 저전압 검출회로(140)의 저전압 검출신호를 입력받은 승압회로(150)는 상기 비트라인 디코더(120) 및 워드라인 디코더(130)를 통해 상기 메인셀 어레이부(100)의 게이트에 입력되는 전압을 상승시킨다.
따라서, 어드레스가 입력되면, 상기 승압전압을 입력받은 비트라인 디코더(120) 및 워드라인 디코더(130)는 상기 메인셀 어레이부(100)의 워드라인 및 비트라인을 디코딩하여 해당되는 단위셀을 억세스하고, 상기 워드라인의 전압레벨을 상기 비트라인 디코더(120)를 통해 비교기(170)로 입력한다.
그리고, 상기 비교기(170)는 읽기 신호가 인에이블되면 상기 기준전압 발생기(160)의 기준전압과 워드라인의 전압 레벨을 비교하여 그 전압차를 감지하여 상기 두 전압의 전압차가 작으면 고전위를 출력하고, 상기 두 전압의 전압차가 크면 저전위를 출력한다.
따라서, 상기 비교기(60)의 출력을 입력받은 출력버퍼(70)는 기준클럭에 동기되어 상기 비교기(60)의 출력신호를 증폭하여 데이터 버스에 싣는다
상기에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 고안은 저전압검출부를 통해 이피롬 내부에 공급되는 전원전압이 저전압이 되면, 승압회로를 통해 승압전압을 워드라인 및 비트라인 디코더에 공급하여 비교기만으로 메인셀의 데이터를 억세스함으로써, 저전압 동작 특성을 향상시켜 센싱 속도를 향상시킴과 아울러 설계 면적을 최소화한 효과가 있다.
Claims (1)
- 각각의 단위 셀에 데이터를 저장하는 메인셀 어레이부와; 상기 메인셀 어레이부의 비트라인을 초기화시키는 비트라인 방전회로와; 상기 메인셀 어레이부의 비트라인을 구동하는 비트라인 디코더와; 상기 메인셀 어레이부의 워드라인을 구동하는 워드라인 디코더와; 인가되는 전원전압의 저전압 여부를 감지하는 저전압 검출회로와; 상기 저전압 검출회로에서 저전원전압을 검출하면 상기 비트라인 디코더 및 워드라인 디코더의 게이트 전압을 상승시키는 승압회로와; 기준전압을 발생하는 기준전압 발생기와; 상기 기준전압 발생기의 기준전압과 상기 비트라인 디코더의 출력전압을 비교하여 그 차를 출력하는 비교기와; 클럭에 동기되어 상기 비교기의 출력신호를 증폭하여 데이터 버스에 싣는 출력버퍼로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 이피롬의 읽기 회로.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR2019980028595U KR200222602Y1 (ko) | 1998-12-31 | 1998-12-31 | 이피롬의 읽기 회로 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR2019980028595U KR200222602Y1 (ko) | 1998-12-31 | 1998-12-31 | 이피롬의 읽기 회로 |
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| KR20000015203U true KR20000015203U (ko) | 2000-07-25 |
| KR200222602Y1 KR200222602Y1 (ko) | 2001-05-15 |
Family
ID=69506981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019980028595U KR200222602Y1 (ko) | 1998-12-31 | 1998-12-31 | 이피롬의 읽기 회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200222602Y1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111386907A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-07-10 | 徐晨傲 | 一种自动补液型展示花盆 |
-
1998
- 1998-12-31 KR KR2019980028595U patent/KR200222602Y1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111386907A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-07-10 | 徐晨傲 | 一种自动补液型展示花盆 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR200222602Y1 (ko) | 2001-05-15 |
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