KR20000011446A - 알릴화아미드화합물로제조되는회로부품용조성물 - Google Patents

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KR20000011446A
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Abstract

본 발명은 알릴화 아미드 화합물, 경화 개시제, 선택적으로 충전재 및 첨가제, 및 선택적으로 1종 이상의 단일 또는 다작용기(多作用基)를 가지는 비닐 화합물을 함유하는 조성물로부터 제조되는 회로 부품용 조성물을 제공한다. 상기 조성물은 본래 위치에서 경화된다.

Description

알릴화 아미드 화합물로 제조되는 회로 부품용 조성물 {CIRCUIT COMPONENTS PREPARED FROM ALLYLATED AMIDE COMPOUNDS}
본 발명은 인쇄 배선 기판(printed wire board)의 제조에 유용한 알릴화 아미드 화합물(allylated amide compound)로 제조되는 회로 부품용 조성물(circuit component composition)에 관한 것이다.
능동 마이크로일렉트로닉 전도성 회로에 대한 상보적(相補的) 부품들은 수동 부품으로 알려진 저항기(resistor), 커패시터(capacitor) 및 인덕터(inductor)가 있다. 이러한 부품들, 상기 능동 회로 및 상기 수동 부품들은 모두 마이크로일렉트로닉 장치에서 인쇄 배선 기판(PWB) 상에서 지지되고, 상호접속된다.
실리콘 집적회로를 사용한 능동 회로 기능의 집적화가 크게 성공하였지만, 수동 부품들의 집적화는 여전히 개발 단계에 있다. 많은 수동 부품들은 분리된 개별 요소로 잔존하고, 종종 PWB 상에 능동 집적 회로보다 굉장히 많은 수로 증가한다. 이는 PWB의 복잡성을 증가시킨 동시에, 다른 장치에 대한 가용 표면 영역을 감소시켰다. 과거에 이를 해결하기 위한 유일한 대안은 인쇄 배선 기판의 사이즈를 증대시키는 것이었다.
회로 기판 설계에서의 최근의 진보는 다층의 인쇄 배선 기판 위에 형성된 평면형 부품들을 제공하거나, 상기 기판에 형성된 요부(凹部: recess)에 매립되는 부품들을 제공하여, 패키지 효율을 제고시키고 있다. 이 수동 부품들의 집적은 상기 능동 및 수동 부품들 사이에 전기적 접촉 또는 전이(transition) 수를 감소시켜, 결과적으로 전기적 성능을 향상시키고, 이러한 전이점에서 기계적인 응력을 감소시킨다.
집적 수동 부품(integral passive components)의 이용은 특히 박막 패키지에서 이점이 있고, 마이크로일렉트로닉 장치, 특히 박막 패캐지에서 수동 부품으로 신뢰성있게 기능할 유기 물질을 개발하기 위해 산업계에서 많은 노력이 경주되고 있다. 또한, 인쇄 배선 기판을 폐기하는 것이 비싸기 때문에, 재가공이 가능한 유기 물질을 사용한다면 제조 공정에 유용할 것이다.
요구되는 기계적인 성능 및 소망의 재가공성을 얻기 위하여는, 비교적 분자량이 높은 열가소성 물질이 바람직한 조성물일 수 있다. 그러나 이러한 물질들은 높은 점도 또는 심지어 고체 필름 형태를 가지므로, 제조 공정에 부적합하다.
오늘날 반도체 산업 분야에서 1차적 과제는 수동 부품에 적당한 물질, 특히 재가공이 가능한 물질을 개발하는 것이다.
본 발명은 아릴레이티드 아마이드 화합물, 자유 라디칼 개시제 및/또는 광개시제, 선택적으로 하나 이상의 단일 또는 다작용기 비닐 화합물, 및 선택적으로 충전재(filler) 또는 다른 첨가제를 함유하는 조성물로 제조된 회로 부품에 관한 것이다.
다른 실시예에 있어서, 본 발명은 (a) 경화가능한 회로 부품용 조성물을 준비하는 단계; (b) 상기 경화가능한 조성물을 인쇄 배선 기판에 도포하는 단계; 및 (c) 상기 조성물을 그 자리에서(in situ) 경화하는 단계를 포함하는 재가공이 가능한, 경화성 회로 부품용 조성물로 상기 인쇄 배선 기판 상에 전기 회로 부품을 제조하는 방법이다.
회로 부품 제조용 조성물에서 사용되는 아릴레이티드 아마이드 화합물, 및 상기 비닐 화합물은 경화 가능한 화합물이며, 이는 가교 결합되거나 또는 가교 결합되지 않고 중합될 수 있다는 것을 의미한다. 본 명세서에서 사용된 것과 같이, "경화한다는 것"은 가교 결합되거나 또는 가교 결합되지 않고 "중합하는 것"을 의미한다. 당해 분야에서 알려진 것과 같이, 가교 결합이란, 분자 그룹 또는 화합물의 원소 다리에 의해 두 폴리머 사슬이 결합되는 것이며, 일반적으로 가열에 의해 발생된다. 가교 결합 밀도가 증가함에 따라 물질의 성질이 열가소성에서 열경화성으로 변화되어 결과적으로 고분자 강도, 열 및 전기적 저항 및 용매와 다른 화학물질에 대한 내구성이 증가한다.
단일 또는 다작용기를 가지는 화합물의 적절한 선택 및 양에 의해 점착성인, 탄성으로부터 단단한 유리 폴리머까지 광범위한 가교 결합 밀도의 폴리머를 제조하는 것이 가능하다. 반응하는 다작용기의 비율이 증가함에 따라, 가교 결합 밀도가 증가한다. 만약 열가소성 성질을 원한다면, 본 발명의 조성물을 가교 결합 밀도를 제한하기 위하여 다작용기를 가지는 화합물로 제조할 수 있다. 그러나 소량의 다작용기를 가지는 화합물을 상기 조성물에 첨가하여 약간의 가교 결합 및 강도를 제공할 수 있고, 상기 다작용기를 가지는 화합물의 양은 원하는 열가소성 성질을 감소시키지 않는 양으로 제한된다. 이러한 파라미터 내에서, 개개의 회로 부품용 조성물의 강도 및 탄성을 최종 사용 용도로 조절할 수 있다.
가교 결합 밀도를 또한 추후 공정 및 작동 온도를 견디기 위하여, 상기 경화된 회로 부품용 조성물 내에서 광범위한 유리 전이 온도를 부여하도록 조절할 수 있다. 어떠한 회로 부품용 조성물에 대하여, 상기 조성물이 경화 후에 재유동되어, 상기 기판 위에 형성된 회로 부품에 재가공성을 부여하도록 Tg를 선택할 수 있다.
본 발명의 조성물에 있어서, 상기 알릴화 아미드 화합물, 및 상기 알릴화 아미드 화합물과 결합하여 사용한다면 상기 비닐 화합물은 상기 경화성 회로 부품용 조성물에 유기 부품(충전재는 제외)을 기준으로 2 내지 98 중량%의 양으로 존재한다.
상기 조성물은 또한 하나 이상의 비공유 전자(unpaired electron), 높은 반응성 및 일반적으로 짧은 수명을 갖는 분자 단편(molecular fragment)으로 분해하는 화학종으로 정의되며, 연쇄 메카니즘(chain mechanism)에 의해 화학 반응을 개시할 수 있는 자유 라디칼 개시제를 하나 이상 포함한다. 상기 자유 라디칼 개시제는 상기 알릴화 아미드 화합물 또는 알릴화 아미드와 비닐 화합물(충진제는 제외) 중량의 0.1 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 3.0 중량%의 양으로 존재한다. 상기 자유 라디칼 경화 메카니즘은 빠른 경화를 부여하고, 경화 전에 상기 조성물이 긴 보존 기간을 갖도록 한다. 바람직한 자유 라디칼 개시제는 부틸 퍼옥토에이트, 디큐밀 퍼옥사이드와 같은 과산화물, 2,2'-아조비스(2-메틸-프로판니트릴) 및 2,2'-아조비스(2-메틸-부타디엔) 같은 아조 화합물이다.
대안으로서, 상기 회로 부품용 조성물은 Ciba Specialty Chemicals에서 상품명 irgacure로 시판하는 것과 같은 광개시제를 함유할 수 있고, 상기 경화 공정은 UV 조사에 의해 개시될 수 있다. 상기 광개시제는 아릴레이티드 아마이드 또는 비닐 화합물, 또는 아릴레이티드 아마이드 및 비닐 화합물의 혼합물(충진제 제외) 중량의 0.1 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 3.0 중량%의 양으로 존재한다. 경우에 따라서는, 광개시제 및 자유 라디칼 개시제가 모두 적절할 수 있다. 예를 들면, 상기 경화 공정은 UV 조사에 의해 시작될 수 있고, 추후 공정에서, 자유 라디칼 경화가 실행되도록 열을 가하여 경화 공정을 완결할 수 있다.
일반적으로, 이러한 조성물은 50 내지 250℃의 온도 범위 내에서 경화되고, 1분부터 4시간 미만의 시간 범위내에서 경화된다. 이해되는 바와 같이, 각 접착 조성물에 대한 시간 및 온도 경화 프로파일은 변화되고, 특히 산업적인 제조 공정에 적합한 경화 프로파일을 제공하도록 다른 조성물을 제조할 수 있다.
상기 경화 부품에 열가소성 특성이 소망될 경우에도, 비교적 분자량이 적은 반응성 올리고머 또는 예비중합체(pre-polymer)를 사용하고, 회로 부품이 표면에 형성된 기판 위에 상기 물질을 도포한 후, 그 자리에서 이러한 물질을 경화함으로써 적용이 용이하게 된다. 비경화 상태에서 물질을 도포하는 것은 높은 가공성을 부여하고, 결과적으로 얻어지는 경화 조성물은 높은 기계적 성능을 제공한다.
회로 부품은 저항기, 컨덕터, 인덕터, 유전체, 커패시터 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 모든 저항기는 얼마간의 컨덕턴스를 필연적으로 나타내고, 모든 컨덕터는 얼마간의 저항을 필연적으로 나타내며, 저항기 및 컨덕터는 개개의 부품의 특정 특성에 좌우되는 저항 및 컨덕턴스의 연속체(continuum)를 형성한다. 상기 연속체는 또한 유전체 및 커패시터에 대한 경우에도 해당된다. 유전체는 상기 부품에 대한 비유전상수(specific dielectric constant)에 의해 변화되는 진 유전체(true dielectric) 또는 아이솔레이팅 부품(isolating component)으로 작동할 수 있거나, 또는 커패시터로 작동할 수 있다. 충전재를 적절히 선택함에 따라, 특별한 회로 부품에 요구되는 광범위한 저항성, 도전성, 커패시턴스 또는 유전성을 부여하도록 이러한 조성물이 제형화될 수 있다.
특별한 최종 사용 분야에 적절한 전기적 특성을 얻기 위하여 충전재의 정확한 종류와 양을 제공하는 것은 당업자에게 알려져 있다. 대표적인 도전성 충전재는 은, 구리, 금, 백금, 팔라듐이다. 대표적인 저항성 충진제는 카본 블랙, 탄소섬유 및 흑연이다. 대표적인 커패시터 충진제는 바륨 티타네이트 및 티타늄 디옥사이드이다. 상기 충진제는 일반적으로 전체 회로 부품용 조성물 중량의 20 내지 90 중량%의 양으로 존재한다.
예로써, ASTM-D-257에 의해 측정된, 도전 물질에 대한 상업적으로 가능한 저항 값은 1 스퀘어 당 0.2 옴 이하이고, 저항 물질에 대한 저항 값은 1 스퀘어 당 0.005 내지 10M 옴이다.
상기 인쇄 회로 기판 위에 형성된 본 발명의 물질로 제조된 부품들은 당해 분야에 공지된 회로 부품 및 인쇄 회로 기판을 제조하는 기술을 사용하여 제조된다. 이해될 수 있는 것과 같이, 이러한 부품들은 평면형 또는 매립형 부품들과 같이 당해 분야에서 설계된 것일 수 있다. 본 명세서에서, 본 발명은 비교적 낮은 분자량 반응성 올리고머 또는 예비중합체를 사용하고, 표면에 회로 부품이 형성될 기판 위에 상기 물질을 도포한 후, 그 자리에서 경화하여 형성된다.
일반적으로, 상기 회로 부품들은 Z 방향이고, 상호접속 표면 장치 또는 인쇄 회로 기판의 위 또는 내부에 도전층을 갖는 부품에 존재하는 홀을 통하여 결합되어 형성된다. 회로 부품은 상기 인쇄 회로 기판 내에서 도전층과 도전적으로 상호접속된 기하학적 배열로서 형성된다. 상기 경화성 회로 부품용 조성물은 종래 기술에 의한 형상으로 퇴적되고, 그 자리에서 경화된다.
알릴화 아미드 화합물(allylated amide compound)
본 발명의 조성물에 사용되기에 적합한 알릴화 아미드 화합물은 다음과 같이 표현되는 식 A 및 B로 나타내는 구조를 가진다:
(A) (B)
또는
본 명세서 전체에 걸쳐 사용되는 C(O) 표기는 카르보닐기를 나타낸다. 상기 특정의 식에 있어서, 아래첨자 "n"은 정수 1이고, 상기 화합물은 단일 작용기를 가지는 화합물이며, 아래첨자 "n"은 정수 2 내지 6이고, 상기 화합물은 다작용기를 가지는 화합물이다.
상기 식 A는
R9이 H, 탄소수가 1 내지 18개인 알킬 또는 알킬렌옥시기, 알릴, 아릴, 또는 다음의 구조를 가지는 치환된 아릴이고;
(상기 식에서 R10, R11, 및 R12는 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 18개인 알킬 또는 알킬렌옥시기임)
각각의 X는 독립적으로 다음의 구조 (I) 내지 (V)를 가지는 방향족 군에서 선택되는 방향족기이고;
Q는 체인 내에 약 100개 이하의 원자를 가지는 직쇄상(linear) 또는 분지상(branched) 사슬 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드류―여기서 Q는 체인으로부터 또는 체인에서의 주쇄(backbone)의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트(pendant)를 함유할 수 있고, 존재하는 어느 이종 원자(heteroatom)든지 X에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있음―;
또는 Q는 다음의 구조를 가지는 우레탄이고;
(상기 식에서 R2는 독립적으로 탄소수가 1 내지 18개인 알킬, 아릴, 또는 아릴알킬기; R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인; X는 O, S, N, 또는 P; 및 n은 0 내지 50임);
또는 Q는 다음 구조를 가지는 에스테르이고;
(상기 식에서 R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인임)
또는 Q는 다음 구조를 가지는 실록산이고;
(상기 식에서 R1치환제는 각 위치에 대하여 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 및 R4치환체는 각 위치에 대하여 독립적으로 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, 및 e와 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임);
m은 0 또는 1이고, n은 1 내지 6인 화합물을 나타낸다.
상기 식 B는
R9이 H, 또는 탄소수가 1 내지 18개인 알킬 또는 알킬렌옥시기, 또는 알릴기, 또는 다음의 구조를 가지는 아릴 또는 치환된 아릴이고;
(상기 식에서 R10, R11, 및 R12는 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 18개인 알킬 또는 알킬렌옥시기임);
Z는 체인 내에 약 100개 이하의 원자를 가지는 직쇄상 또는 분지상 사슬 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드류―여기서 Z는 체인으로부터 또는 체인에서의 주쇄의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트를 함유할 수 있고, 존재하는 어느 이종 원자나 K에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있음―;
또는 Z는 다음의 구조를 가지는 우레탄이고;
(상기 식에서 R2는 독립적으로 탄소수가 1 내지 18개인 알킬, 아릴, 또는 아릴알킬기; R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인; X는 O, S, N, 또는 P; 및 n은 0 내지 50임);
또는 Z는 다음 구조를 가지는 에스테르이고;
(상기 식에서 R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인임);
또는 Z는 다음 구조를 가지는 실록산이고;
(상기 식에서 R1치환제는 각 위치에 대하여 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 및 R4치환체는 각 위치에 대하여 독립적으로 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, 및 e와 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임).
K는 다음의 구조 (VI) 내지 (XIII)(방향족기 K에는 단 하나의 결합만이 연결되는 것으로 나타나 있으나, n에 의해 정의되고 설명된 바와 같이 임의의 추가 결합을 나타낼 수 있는 것으로 간주될 것임)를 가지는 방향족 군 중에서 선택되는 방향족기이고;
(상기 식에서 p는 1 내지 100임);
(상기 식에서 p는 1 내지 100임);
상기 식에서 R5, R6, 및 R7은 체인 내에 약 100개 이하의 원자를 가지는 직쇄상 또는 분지상 체인 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드류―여기서 R5, R6, 및 R7은 체인으로부터 또는 체인에서의 주쇄의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트를 함유할 수 있고, 존재하는 어느 이종 원자든 상기 방향족 링에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있음―; 또는
R5, R6, 및 R7은 다음 구조를 가지는 실록산이고;
(상기 식에서 R1치환제는 각 위치에 대하여 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 및 R4치환체는 각 위치에 대하여 독립적으로 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, 및 e는 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임);
및
m은 0 또는 1 이고 n은 1 내지 6인 화합물이다.
비닐 화합물(vinyl compound)
본 발명의 접착제 조성물에 사용하기에 적당한 화합물은 다음의 식중 하나로 표현되는 구조를 가진다.
[M-Xm]n-Q 또는 [M-Zm]n-K
상기에서 m은 0 또는 1이고 n은 1 내지 6이다.
M은 비닐기를 나타내는 것으로 다음의 구조를 가지는 말레이미드 작용기(moiety);
―상기에서 R1은 H 또는 C1내지 C5알킬―; 또는
다음의 식을 가지는 비닐 작용기일 수 있다
―상기에서 R1및 R2는 H 또는 1 내지 5개의 탄소원자를 가지는 알킬, 또는 함께 5원소 내지 9원소 고리화합물을 형성할 수 있고; B는 C, S, N, O, C(O), O-C(O), C(O)-O, C(O)NH 또는 C(O)N(R8)로, R8은 C1내지 C5알킬임―. 상기에서 바람직하게 B는 O, C(O), O-C(O), C(O)-O, C(O)NH 또는 C(O)N(R8)이고 더욱 바람직하게는 B는 O, C(O), O-C(O), C(O)-O 또는 C(O)N(R8)이다.
X는 독립적으로 다음의 구조(Ⅰ) 내지 (Ⅴ)를 가지는 방향족에서 선택된 방향족이다.
바람직하게 X는 구조식 (Ⅱ), (Ⅲ), (Ⅳ) 또는 (Ⅴ)으로 표현되는 방향족이고 더욱 바람직하게는 구조식 (Ⅱ)로 표현되는 방향족이다.
Q 및 Z는 독립적으로 선상 또는 분지상 체인의 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드 기로 상기 체인에 약 100개 이하의 원자를 가지는 것으로, 체인에 펜던트기 또는 체인의 주쇄의 일부로서 포화 또는 불포화 사이클릭 또는 헤테로사이클릭 치환기를 함유할 수 있고, 어떠한 상기 헤테로원자도 X에 직접 부착되거나 부착될 수 없고;
또는 Q 및 Z는 독립적으로 다음의 구조를 가지는 우레탄:
상기 식에서, 각 R2는 독립적으로 1 내지 18개의 탄소원자를 가지는 알킬, 아릴, 또는 아릴알킬기이고; R3은 체인에서 100 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인이고, 이 체인은 아릴 치환기를 함유할 수 있고; X는 O, S, N, 또는 P; 또한 n은 0 내지 50;
또는 Q 및 Z는 독립적으로 다음의 구조를 가지는 에스테르;
상기에서, R3은 체인에서 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인로, 이 체인은 아릴 치환기를 함유할 수 있고;
또는 Q 및 Z는 독립적으로 다음의 구조를 가지는 실록산일 수 있다.
-(CR1 2)e-[SiR4-O]f-SiR4 2-(DR1 2)g
상기에서 R1치환기는 각 위치에서 독립적으로 H 또는 1 내지 5개의 탄소원자를 가지는 알킬기이고, R4치환기는 각 위치에서 독립적으로 1 내지 5개의 탄소원자를 가지는 알킬기 또는 아릴기이고, 또한 e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고, f는 1 내지 50이다.
바람직하게, Q 및 Z는 직쇄상 또는 분지상 체인의 알킬, 알킬옥시, 알킬렌, 알킬렌옥시 작용기로 상기 체인에 약 100개 이하의 원자를 가지고 체인의 펜던트기로서 포화 또는 불포화 사이클릭 또는 헤테로사이클릭 치환기를 함유하는 것이거나, 상기 정의한 바의 실록산이고, 더욱 바람직하게는 상기 설명된 바와 같은 직쇄형 또는 분지상 알킬 작용기 또는 실록산이다.
K는 구조식 (Ⅵ) 내지 (ⅩⅢ)을 가지는 방향족 군에서 선택되는 방향족기이다(비록 방향족기 K에서 결합을 표현하기 위해서 단일 결합이 도시되어 있지만, 부가적인 결합의 수는 상기에서 설명된 바와 같이 n으로 정의된 것이다).
상기에서, R5, R6, 및 R7은 직쇄상 또는 분지상 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드 작용기로 상기 체인에 약 100개 이하의 원자를 가지고, 체인의 펜던트로서 또는 체인의 주쇄의 일부로서 포화 또는 불포화 사이클릭 또는 헤테로사이클릭 치환기를 함유할 수 있고, 상기 헤테로원자는 방향족환에 직접 부착되거나 부착될 수 없고;
또는 R5, R6, 및 R7은 다음의 구조식을 가지는 실록산이다.
-(CR1 2)e-[SiR4 2-O]f-SiR4 2-(CH3)g
상기에서 R1치환기는 각 위치에서 독립적으로 H 또는 1 내지 5개의 탄소원자를 가지는 알킬기이고, R4치환기는 각 위치에서 독립적으로 1 내지 5개의 탄소원자를 가지는 알킬기 또는 아릴기이고, 또한 e는 독립적으로 1 내지 10이고, f는 1 내지 50임;
바람직하게, K는 구조식 (Ⅷ), (Ⅹ) 또는 (ⅩⅠ)으로 표현되는 방향족이고 더욱 바람직하게는 구조식 (Ⅹ) 또는 (ⅩⅠ)으로 표현되는 구조식이고 가장 바람직하게는 구조식 (Ⅹ)으로 표현되는 방향족이다.
기타 조성물 성분
기판의 상태에 따라 조성물은 커플링제(coupling agent)를 함유할 수 있다. 본 명세서에 사용되는 커플링제는 말레이미드와 다른 비닐 화합물과 반응하는 중합가능한 작용기를 함유하는 화학 물질 및 기판의 표면에 존재하는 메탈 하이드록시와 축합될 수 있는 작용기이다. 특정 기판에 적당한 커플링제의 종류 및 특정 기판에 적당한 바람직한 함량은 본 기술 분야에서 공지된 것이다. 적당한 커플링제는 실란, 실리케이트 에스테르, 메탈 아크릴레이트, 또는 메타크릴레이트, 티타네이트 및 포스핀, 메르캅탄, 및 아세토아세테이트와 같은 킬레이팅 리간드(chelating ligand)를 함유한 화합물이다. 커플링제가 존재하는 경우에, 통상적으로 커플링제는 알릴화 아미드 화합물 및 비닐 화합물의 중량에 대해서 10 중량% 이하의 함량이고 바람직하게는 0.1 내지 3.0 중량%의 함량으로 존재한다.
또한, 조성물은 부가적인 가요성 및 인성(toughness)을 결과의 경화된 조성물에 부여하는 화합물을 함유할 수 있다. 이러한 화합물은 50℃ 이하의 Tg를 가지는 열경화성 또는 열가소성 물질로, 통상 화학적 결합에 대해서 자유롭게 회전되는 것을 특징으로 하는, 예를 들면 탄소-탄소 단일 결합의 인접하는 탄소-탄소 이중 결합의 존재, 에스테르와 에테르 기의 존재 및 링 구조의 부재로 얻어질 수 있는 것과 같은 폴리머 물질일 것이다. 적절한 개질제로는 폴리아크릴레이트, 폴리(부타디엔), 폴리 THF(중합된 테트라하이드로푸란), CTBN(카르복시-말단 부티로니트릴) 러버, 및 폴리프로필렌 글리콜을 포함한다. 개질제가 존재하는 경우, 인성 화합물은 말레이미드 및 다른 단일 작용기를 가진 비닐 화합물의 중량을 기준으로 약 15 중량% 이하의 함량일 수 있다.
실록산은 탄성을 부여하기 위해서 조성물에 첨가될 수 있다. 적절한 실록산은 United Chemical Technologies사로부터 구입 가능한 메타크릴옥시프로필 말단 폴리디메틸 실록산 및 아미노프로필-말단 폴리디메틸실록산이다.
상기 조성물은 레올로지를 조정하는 폴리머와 같은 유기 충전제를 함유할 수도 있다. 부착성 촉진제와 같은 본 기술 분야에서 알려지고 사용된 다른 첨가제가 특정 목적을 위해 사용될 수도 있다. 적절한 종류와 함량은 당업자의 전문적 지식에 따른다.
실시예 1
비스 페놀 F-비스(디알릴아미드)의 제조
비스페놀 F(200.3g, 1 mol)를 기계식 교반기, 환류 응축기가 장착된 2ℓ의 3구 플라스크에서, 테트라하이드로푸란(THF)(500 ㎖)에 용해시켰다. 이 용액에 1,2-에폭시-9-데켄(308.5g, 2 mol) 및 벤질디메틸아민(0.67g, 5 mmol)을 첨가하였다. 이 용액은 80℃에서 7시간 가열한 후 실온으로 냉각되었다. 진공하에서 용매를 제거하여 오일을 수득하였다.
상기에서 분리된 중간체(508.8g, 1mol)는 기계식 교반기, 환류 응축기, 및 내부 온도 탐침이 장착된 3ℓ의 3구 플라스크에서, 질소 분위기에서 THF(1ℓ) 및 H2O(1ℓ)에 용해되었다. 이 용액에 KMnO4(316g, 2 mol)을 첨가하고 생성된 혼합물은 80℃에서 5시간동안 가열하였다. 반응물을 실온으로 냉각하고 벌크 용매는 진공에서 제거하였다. 생성된 물질을 CH2Cl2(1ℓ)에 용해하고 여과한 후 H2O(3×1ℓ)로 세척하였다. 분리된 유기물은 MgSO4에 의해서 건조되고 용매는 진공에서 제거되어 이산 중간체(diacid intermediate)를 수득하였다.
상기 이산(544.8g, 1 mol)은 기계식 교반기, 첨가용 깔때기, 및 내부 온도 탐침이 장착된 3ℓ의 3구 플라스크에서, 질소 분위기에서 디알릴아민(194.3g, 2 mol) 및 CH2Cl2(1ℓ)에 혼합되었다. 이 용액은 아이스 배스(ice bath)에서 4℃로 냉각되었다. 첨가용 깔때기에 CH2Cl2(300 ㎖)에 용해된 디사이클로헥실 카보디이미드(DCC)(412.7g, 2 mol)을 부가하여, 이 용액을 교반된 아민 용액에 60분에 걸쳐서 첨가하였다. 반응은 아이스 배스에서 추가 30분간 교반되었다. 혼합물을 실온으로 가열하고 4시간동안 추가로 교반하였다. 용액을 여과하여 침전된 디사이클로헥실우레아(DCU)를 제거하였다. 분리된 유기물을 MgSO4무수물 위에서 건조하고 여과한 후 진공에서 용매를 제거하여 비스(디알릴아미드) 산물을 수득하였다.
실시예 2
폴리(부타디엔)비스(디알릴아미드)의 제조
디알릴아민(97.15g, 1mol)을 기계식 교반기, 첨가용 깔때기, 및 내부 온도 탐침이 장착된 2ℓ의 3구 플라스크에서, 질소 분위기에서 아세톤(500㎖)에 용해시켰다. 이 용액은 아이스 배스(ice bath)에서 냉각되었다. 아세톤(500 ㎖)에 용해된 말레인화된 폴리(부타디엔)(Ricon 131MA5, Ricon Resins Inc., 1766g)을 첨가용 깔때기에 채우고 냉각된 아민 용액에 내부 온도를 〈10℃를 유지하면서 60분에 걸쳐서 첨가하였다. 이 용액은 얼음에서 추가로 60분간 교반되고 이어서 실온으로 가열되고 추가 2시간동안 교반되었다. 용매 및 잔류 디알릴아민은 진공하에서 제거되어서 폴리(디알릴아미드)를 얻었다.
실시예 3
다이머 비스(디알릴아미드) 또는 10,11-디옥틸-1,20-에이코실 비스(디알릴아미드)의 제조
다이머산(Unichema사의 상품명 Empol 1024로 시판됨, 20.5g, 35.7 mmol)이 환류 응축기, 첨가용 깔때기, 및 자석식 교반기를 가진 500㎖의 4구 플라스크에서, 질소 분위기에서 무수 톨루엔에 의해 용해되었다. 이 용액은 80℃로 가열되고 옥살릴 클로라이드 (12.5㎖, 143mmol)가 60분에 걸쳐서 수적으로 첨가되었다. CO2, CO 및 HCl의 발생은 즉시 발생되었다. 반응은 첨가가 완결된 후 부가적인 3시간동안 교반되어서 실온으로 냉각되었고, 진공하에서 용매가 제거되어서 오렌지색의 오일이 수득되었다. IR 및1H NMR 스펙트럼의 데이터는 바람직한 비스(산성 클로라이드) 산물과 동일하였다.
디알릴 아민(10.0㎖)을 기계식 교반기, 첨가용 깔때기, 및 내부 온도 탐침이 장착된 500㎖의 4구 플라스크에서, 질소 분위기하에서 디에틸 에테르(Et2O)(200㎖)에 용해시켰다. 이 용액은 아이스 배스(ice bath)에서 4℃로 냉각되었다. Et2O(20 ㎖)에 용해된 상기 비스(산염화물)을 첨가용 깔때기에 채우고 교반되는 아민 용액에 내부 온도를 〈10℃를 유지하면서 30분에 걸쳐서 첨가하였다. 이 용액은 1시간 더 얼음에서 교반되고 이어서 실온으로 가열되고 추가 4시간동안 교반되었다. 유기층은 분리되고 5% HClaq(200㎖) 및 H2O(2×200㎖)로 세척되었다, 분리된 유기층은 MgSO4무수물로 건조되고 여과되고, 진공하에서 용매를 제거하여 바람직한 비스(디알릴아미드)와 동일한 IR 및1H NMR 스펙트럼 데이터를 보이는 오렌지색의 오일을 수득하였다(87%).
실시예 4
팔미토일 알릴아미드의 제조
모노알릴아미드를 실시예 3의 합성에서 설명된 Schotten-Baumenn 조건을 사용하여 알릴 아민(57.1 g, 1mol), 팔미토일 클로라이드(274.9g, 1mol) 및 NaOH(40g, 1 mol)으로부터 제조하였다.
실시예 5
알릴아미드/BMI 다이 부착용 접착제
다음의 성분을 섞고 수작업으로 혼합하여 균일한 다이 부착용 조성물을 수득하였다.
아젤로일비스(디알릴아미드) 0.521 g
(실시예 3과 동일한 일반 공정으로 아젤로일
디클로라이드 및 디알릴아민으로부터 제조됨)
비스말레이미드(Henkel사의 Versalink P-650으로 시판됨) 1.678 g
t-부틸-2-에틸헥사노에이트 0.043 g
메탈 디아크릴레이트 0.023 g
(Sartomer사의 제조 번호 633으로 시판됨)
γ-메타크릴옥시프로필-트리메톡시실란 0.024 g
실버 분말(Chemet Corporation 사의 RA-0081) 5.148 g
접착제는 이하에 나타난 바(Ag/Alloy 42는 은 코팅된 Alloy 42―Fe/Ni 합금―를 지시하는 것이고, Fe/Ni 합금; Ag/Cu는 은 코팅된 구리를 지시하는 것이다)와 같이 80×80 mil의 실리콘 다이를 다양한 메탈 리드 프레임에 접착하는데 사용되었다. 다이 전단 강도는 digital force gauge DFI 50(체틸론)을 가진 HMP Model 1750 다이 전단 테스터를 사용하여 200℃ 핫플레이트에서 60초간 경화한 후(조건 1), 그리고 175℃ 오븐에서 4시간 경화하고 200℃ 핫플레이트에서 60초간 경화한 후 (조건 2), 실온(RDSS, room die shear strength)과 240℃(HDSS, hot die shear strength)에서 측정되었다. 다음의 표에 나타난 결과는 상업적으로 수용할 수 있는 다이 전단 값을 보였다.
리드 프레임 경화 조건 1 경화 조건 2
RDSS HDSS RDSS HDSS
Ag/Alloy 42 1.72 0.87 5.65 0.92
Ag/Cu 2.15 0.58 4.65 0.74
Cu 1.76 0.48 3.60 0.85
Pd 1.94 1.18 4.56 1.25
실시예 6
벤즈아미드-endcapped 디아민 다이머비스말레이미드의 제조
디아민 다이머(Henkel사의 Versamine 552로 시판됨, 20.0 g, 37 mmol)가 첨가용 깔때기, 자석식 교반기, 내부 온도 탐침 및 질소 입구/출구가 장착된 500㎖의 3구 플라스크에서, 디에틸 에테르(Et2O)(200 ㎖)에 의해서 용해되었다. NaOHaq(100 ㎖의 H2O로 희석된 6.25 M 용액 11.7 ㎖, 73 mmol)이 빠른 교반으로 첨가되었다. 이 용액은 지속적으로 질소의 유동하에서 아이스 배스(ice bath)에 위치시켜서 교반하면서 3℃로 냉각시켰다. Et2O(50 ㎖)에서 p-니트로벤조일 클로라이드(13.6g, 73 mmol)를 첨가용 깔때기를 통해서 내부 온도 〈10℃을 유지하면서 반응관에 첨가되었다. 반응은 첨가가 완료된 후 추가의 60분동안 -3℃에서 교반되고 실온으로 가열되고 추가의 4시간동안 교반되었다. 용액은 분액 깔때기에 이송되어서 유기층이 분리되어서 증류수(300 ㎖), 5% HClaq(300 ㎖), NaClaq(250 ㎖) 및 증류수(2×250㎖)로 세척되었다. 유기물은 분리되고, 무수 MgSO4에 의해서 건조되어서 여과되고 진공하에서 용매를 제거하여 디니트로 화합물이 수용가능한1H NMR 및 IR 스펙트럼 (30.0 g, 96%)을 보여주는 점성이 있는 황색 오일로 수득되었다.
상기 디니트로 화합물(5.0 g, 5.9 mmol)은 자석식 교반기, 환류 응축기 및 질소 입구/출구가 장착된 250 ㎖의 3구 플라스크에서, 메탄올(MeOH)(25 ㎖)에 및 테트라하이드로푸란(THF)(5 ㎖)에 의해서 용해되었다. 용액은 질소 분위기에서 5% PdC(0.96 g)이 교반하면서 첨가되었다. 포름산 암모늄(3.4 g, 55 mmol)이 첨가되고 반응물은 2시간동안 실온에서 교반되었다. 이산화탄소의 발생은 즉시 관찰되었다. 이 반응 용액은 여과되고 벌크 여과 용액은 회전식 증발기에 의해서 제거되었다. 결과의 점질의 오일은 Et2O(150 ㎖)에서 용해되고 증류수(150 ㎖)에 세척되고 분리되어서 무수 MgSO4에 의해서 건조되었다. 용매는 진공하에서 제거하여 수용가능한1H NMR 및 IR 스펙트럼(3.9 g, 84%)을 보이는 점성이 있는 황갈색 오일의 디아민을 수득하였다.
말레산 무수물 (0.5 g, 5.1 mmol)은 자석식 교반기, 첨가용 깔때기 및 질소 입구/출구가 장착된 250㎖의 3구 플라스크에서, 아세톤(10 ㎖)에 의해서 용해되었다. 용액은 아이스 배스에서 냉각되고 질소 분위기 하에 위치시켰다. 상기 설명된 디아민(2.0g, 2.60 mmol)의 아세톤(10㎖) 용액은 첨가용 깔때기를 통하여 30분동안 수적으로 첨가되었다. 반응물은 아이스 배스에서 추가의 30분동안 교반되고 실온으로 가열되고 추가의 4시간동안 교반되었다. 결과의 슬러리에 무수 초산(Ac2O)(1.54㎖, 160 mmol), 트리에틸 아민(Et3N)(0.23㎖, 1.63 mmol) 및 초산 나트륨(NaOAc)(0.16g, 1.9 mmol)이 첨가되었다. 결과의 슬러리는 5시간 동안 온화한 환류가 되도록 가열되었다. 반응은 실온으로 냉각되고 용매는 회전 증발기에 의해서 제거되어 갈색의 오일이 수득되었다. 이 물질은 CH2Cl2(250㎖)에 용해되고 증류수(200㎖), 포화 NaHCO3(200㎖) 및 증류수(200㎖)으로 세척되었다. 에멀젼은 필요하다면 추가의 NaCl이 첨가되어 붕괴되었다. 유기층은 분리되고 무수 MgSO4에 의해서 건조되고 용매는 진공하에서 제거되어 갈색의 고체인 비스말레이미드(2.0g, 83%)를 수득하였다. 수지는 초산으로 약간 오염됨을 지시하는 만족스러운1H NMR,13C NMR 및 IR 스펙트럼 데이터를 보였다.
실시예 7
20-비스말레이미도-10,11-디옥틸-데이코삼(및 이성체)의 제조
건조용 튜브, 온도기, 지연성 첨가용 깔때기, 기계식 교반기가 장착된 5ℓ의 다구 플라스크에서, 질소 정화된 말레산 무수물(98.06g, -NH2에 대해서 1.02당량)이 500㎖ 테트라하이드로푸란(THF)에 용해되었다. 교반이 시작되고 용액은 드라이 아이스/워터 배스로 냉각되었다. 250 ㎖의 THF에서 디아민 다이머(Henkel사의 Versamine 552, 245.03 g, 0.4477 mol)이 서서히 첨가되었다. 첨가되는 1시간에 걸쳐서 수행되었다. 첨가가 완료된 후에, 아이스 배스(ice bath)는 제거되고 THF 375 ㎖은 서서히 첨가용 깔때기를 통해서 고체화된 디아민에 혼입되었다. 한시간 후, 아이스 배스(ice bath)를 상기 플라스크의 주변에 설치하였다. 1-하이드록시-벤조트리아졸(96.79g, -NH2에 대해 0.80 당량)이 50㎖ THF로 플라스크를 헹구면서 첨가되었다. 온도가 5℃에 도달하면, 200㎖ THF에서 디사이클로헥실카보디이미드(DCC)(188.43 g, -NH2에 대해 1.02 당량)를 서서히 첨가하기 시작하였다. 첨가동안 온도는 10℃ 이하로 유지되었다. DCC 첨가가 완료된 후, 지연식 첨가용 깔때기는 80㎖의 THF로 헹구어졌다. 아이스 배스(ice bath)는 제거되었다. 반응은 IR에 의해서 감시되었다. 이소이미드가 말레이미드로 전환되는 경우(DCC 첨가가 완결된 약 4시간 후), 상기 혼합물은 여과되고 THF로 상기 고체를 헹구었다. 오렌지색의 용액은 냉동기에 철야 정치시켰다.
용액은 냉동기에서 제거되었고 실온으로 가열되었다. 하이드로퀴논(0.0513 g)이 용액에 첨가되었다. 회전식 증발기에서 온도를 28℃미만으로 유지시키면서 THF의 부분적 스트립이 수행되었다. 용액은 약 800㎖로 농축되었다. 많은 미립자가 보였다. 용액은 냉동기에서 철야 정치시켰다.
혼합물을 냉동기에서 꺼내어 가온시켰다. 고체는 여과되고 THF로 헹구어졌다. 여과물은 기계식 교반기, 트랩과 연결된 진공선 및 건조 튜브까지 튜브에 의해서 부착된 글라스 튜브가 장착된 2ℓ의 다구 플라스크로 이송되었다. 남은 THF를 교반하면서 물질에 진공을 하고 기포를 발생시켜 실온에서 스트립시켰다. 결과의 진한 크림상의 황갈색 반고체는 냉동기에서 철야 정치 시켰다.
상기 반고체는 냉동고에서 꺼내어 가열되었다. 상기 반고체는 각각 450㎖의 메탄올 및 헥산에서 용해되어서 50% 메탄올/물(4×250㎖)로 세척되어서 1-하이드록시벤조트라아졸(HOBT)을 제거하였다. 헥산으로 산물을 추출하고자 하였다. 헥산 300㎖을 첨가한 후에 분액은 관찰되지 않았다. 혼합물에 추가의 물(3×250 ㎖)을 첨가하여 세척하였다. 유기상은 냉동고에서 철야 정치시켰다.
상기 물질이 냉동고에서 꺼내졌을 때, 2개의 층이 나타났다. 상층은 투명한 노란색이었고 바닥층은 혼탁한 오렌지색이었다. 상기 물질은 분액 깔때기에 부가되었다. 상층은 헥산으로 소망하던 산물이었다. 바닥층은 헥산으로 추출(6×200 ㎖)되고 분리가 용이하게 일어났다. 혼합된 추출물은 무수 황산 마그네슘에 의해서 건조되고 여과되었고 고체는 헥산으로 헹구어졌다. 용매는 24℃를 넘지 않는 온도에서 회전식 증발기에서 약 750 ㎖의 용량으로 스트립되었다. 남은 용매는 실온에서 67% 수율로 바람직한 산물을 제공하도록 설정된 진공/기포기를 사용하여 스트립되었다.
실시예 8
부타디엔-아크릴로니트릴 비스말레이미드
아민-말단 부타디엔-아크릴로니트릴(BF Goodrich사의 Hycar 수지 1300 X42 ATBN으로 시판되는 것으로, 상기 구조식에서 m 및 n은 평균 분자량 3600을 제공하는 정수를 나타냄)(450g, 아민당량 AEM =450 g을 기준으로 500 mmol)이 첨가용 깔때기, 기계식 교반기, 내부 온도 탐침, 및 질소 입구/출구가 장착된 3ℓ의 4구 플라스크에서, CHCl3(1000㎖)에 의해서 용해되었다. 교반된 용액은 질소 분위기에 정치시키고 아이스 배스(ice bath)에서 냉각시킨다. 첨가용 깔때기에는 말레산 CHCl3(50 ㎖)에 용해된 말레산 무수물(98.1 g, 1 mol)이 부가되어 첨가동안 내부 온도를 〈10℃으로 유지하면서 30분에 걸쳐서 첨가되었다. 혼합물은 얼음에서 추가 30분동안 더 교반되어서 실온으로 가열되고 추가의 4시간 동안 더욱 교반되었다. 결과로 얻어지는 슬러리에 무수초산(Ac2O)(653.4g, 6mol)이 첨가되고, 트리에틸 아민(Et3N)(64.8g, 0.64 mol) 및 아세트산나트륨(NaOAc)(62.3g, 0.76 mol)이 첨가되었다. 반응물은 5시간동안 온화한 환류가 되도록 가열되어서 실온으로 냉각하고 이어서 H2O(1ℓ), 포화 NaHCO3(1ℓ) 및 H2O(2×1ℓ)로 세척되었다. 용매는 진공하에서 제거되어 말레이미드 말단의 부타디엔 아크릴로니트릴이 수득되었다
실시예 9
트리스(에폭시프로필)이소시아누레이트로부터 유도된 트리스(말레이미드)의 제조
트리스(에폭시프로필)이소시아누레이트(99.0g, 0.33mol)는 기계식 교반기, 내부 온도 탐침 및 질소 입구/출구가 장착된 2 ℓ의 3구 플라스크에서, THF (500㎖)에 의해서 용해되었다. 이 용액에 하이드록시페닐말레이미드(189.2g, 1 mol) 및 벤질디메틸아민(1.4g, 0.05중량%)이 첨가되었다. 용액은 80℃에서 7시간 가열되었다. 이후 반응은 실온으로 냉각되고 여과되어서 여과물은 5% HClaq(500㎖) 및 증류 H2O(1ℓ)로 세척되었다. 결과의 고체인 트리아진트리스(말레이미드)가 실온에서 진공 건조되었다.
실시예 10
말레이미도에틸팔미테이트의 제조
팔미토일 클로라이드(274.9g, 1 mol)를 기계식 교반기, 내부 온도 탐침, 첨가용 깔때기 및 질소 입구/출구가 장착된 2ℓ의 3구 플라스크에서, Et2O(500㎖) 중에 용해하였다. 증류수(500㎖)에 용해된 NaHCO3(84.0g, 1 mol)을 강하게 교반하면서 첨가하였고 이 용액을 질소 분위기에서 아이스 배스로 냉각시켰다. 첨가용 깔때기에는 Et2O(100㎖)에 용해된 하이드록시에틸말레이미드(141g, 1 mol)가 부가되어 첨가동안 내부 온도를 〈10℃으로 유지하면서 30분에 걸쳐서 첨가되었다. 반응물은 아이스에서 추가 30분동안 더 교반되어서 실온으로 가열되고 4시간 교반되었다. 반응물은 분액 깔때기로 이송되고 분리된 유기층은 남은 증류수(500㎖), 5% HClaq(500㎖) 및 증류수(2×500㎖)로 세척되었다. 유기물이 분리되고 무수 MgSO4에 의해서 건조되고 여과되고 용매는 진공하에서 제거되어 지방족 말레이미드를 수득하였다.
실시예 11
5-이소시아네이토-1-(이소시아네이토메틸)-1,3,3-트리메틸사이클로헥산으로부터 유도된 비스말레이미드의 제조
5-이소시아네이토-1-(이소시아네이토메틸)-1,3,3-트리메틸사이클로헥산(111.15g, 0.5 mol)이 기계식 교반기, 첨가용 깔때기 및 질소 입구/출구가 장착된 1ℓ의 3구 플라스크에서, THF(500㎖)에 의해서 용해되었다. 반응물은 질소 분위기에서 정치시키고, 디부틸틴 디라우레이트(cat. Sn")(6.13g, 10 mmol) 및 하이드록시에틸말레이미드(141g, 1mol)이 교반하면서 첨가되었고 결과의 혼합물은 70℃에서 4시간 동안 가열되었다. 첨가용 깔때기에는 THF(100㎖)에 용해된 하이드록시에틸말레이미드(141g, 1 mol)가 부가되었다. 이 용액은 이소시아네이트 용액에 30분에 걸쳐서 첨가되고, 결과 혼합물은 70℃에서 4시간 더 가열되었다. 반응물은 실온으로 냉각되고 용매는 진공에서 제거되었다. 남은 오일은 CH2Cl2(1ℓ)에서 용해되고 10% HClaq(1ℓ) 및 증류수(2×1ℓ)로 세척되었다. 분리된 유기물은 MgSO4에 의해서 건조되고 여과되고 용매는 진공하에서 제거되어 말레이미드를 수득하였다.
실시예 12
Pripol 2033에서 유도된 디비닐 에테르 다이머의 제조
"디비닐 에테르 다이머"( 및 사이클릭 이성체들)
비스(1,10-페난트롤린)Pd(OAc)2(0.21g, 0.54 mmol)이 기계식 교반기를 가진 2ℓ의 3구 플라스크에서, 질소 분위기하에 부틸 비닐 에테르(8.18g, 81.7 mmol), 헵탄(100㎖) 및 "다이머 디올(Unichema사의 Pripol 2033으로 시판됨, 15.4g, 27.2 mmol)의 혼합물 중에 용해되었다. 이 용액은 6시간 동안 가볍게 환류되도록 가열되고 실온으로 냉각시켰다. 이어서 활성 탄소(20g)에 부가되고 1시간 동안 교반되었다. 결과의 슬러리는 여과되고 과잉의 부틸 비닐 에테르 및 헵탄은 진공하에서 제거되어서 오렌지색 오일의 디비닐 에테르가 수득되었다. 이 산물은 수용할 만한1H NMR, FT-IR 및13C NMR 스펙트럼의 데이터는 보여주었다. 점도∼100 cPs.
실시예 13
디올 다이머(Pripol 2033)에서 유도된 디아크릴레이트 다이머의 제조
디올 다이머(Unichema사의 Pripol 2033으로 시판됨, 500 mmol)가 기계식 교반기, 첨가용 깔때기 및 내부 온도 탐침이 장착된 1ℓ의 3구 플라스크에서, 질소 분위기하에 농축 아세톤(500㎖) 중에 용해되었다. 이 용액에 트리에틸아민(101.2g, 1mol)이 첨가되고 용액은 아이스 배스에서 4℃로 냉각되었다. 농축 아세톤(100 ㎖)에 용해된 아크릴로일 클로라이드(90.5g, 1mol)는 첨가용 깔때기에 부가되어서 내부온도를 〈10℃를 유지하면서 60분에 걸쳐서 교반된 반응 용액에 첨가되었다. 이 용액은 얼음에서 추가 2시간동안 교반되고 실온으로 가열되고 4시간동안 교반되었다. 벌크 용매는 회전식 증발기에서 제거되고, 남은 잔류물은 CH2Cl2(1ℓ)에서 용해되었다. 이 용액은 5% HClaq(800㎖) 및 H2O(2×800㎖)로 세척되었다. 분리된 유기물은 무수 MgSO4에 의해서 건조되고 여과되고 용매는 진공하에서 제거되어 오일상의 디아크릴레이트가 수득되었다.
실시예 14
N-에틸페닐 말레이미드의 제조
4-에틸 아닐린(12.12g)이 50㎖의 무수 에틸에테르에 용해되어서 아이스 배스(ice bath)에서 냉각된 무수 에틸 에테르 100㎖에서 말레산 무수물 9.81g의 교반된 용액에 서서히 첨가되었다. 첨가가 완료된 후, 반응 혼합물은 30분동안 교반되었다. 밝은 노란색의 결정이 여과되고 건조되었다. 무수 초산(200㎖)이 말레아믹산 및 20g의 아세트산나트륨을 용해하기 위해서 사용되었다. 반응 혼합물은 오일 배스에서 160℃로 가열되었다. 3시간의 환류 후에, 용액은 실온으로 냉각되고 얼음물에 있는 1ℓ의 비이커에 위치시켜서 1시간동안 강하게 교반시켰다. 산물은 흡입여과되고 헥산에서 재결정화되었다. 수득된 결정 물질은 50℃의 진공 오븐에서 철야 건조되었다. FTIR 및 NMR 분석은 에틸 말레이미드의 특징을 보여주었다.
실시예 15
비스(알케닐설파이드)의 제조
다이머 산(Unichema사의 상표명 Empol 1024으로 시판됨)(574.6g, 1mol) 및 프로파길 알콜(112.1g, 2 mol)이 기계식 교반기 및 Dean-Stark 증류장치기 장착된 3ℓ의 3구 플라스크에서, 톨루엔(1ℓ)에 의해서 용해되었다. 농축 H2SO4(6 ㎖)가 첨가되고 H2O 36㎖이 공비 증류될 때까지 6시간동안 환류되었다. 상기 용액은 실온으로 냉각되어서 H2O(2×1ℓ)로 세척되고 무수 MgSO4로 건조되었다. 용매는 진공하에서 건조되어 오일상의 프로파길 에스테르 중간체가 수득되었다.
이 에스테르 중간체(650.7g, 1mol)는 환류 응축기, 기계식 교반기 및 내부 온도 탐침이 장착된 1ℓ 3구 플라스크에서, 질소 분위기에서 THF(200 ㎖)에 의해서 용해되었다. 라우릴 메르캅탄(404.8g, 2 mol) 및 2,2'-아조비스(2,4-디메틸펜탄니트릴)(DuPont사의 상품명 Vazo 52로 시판됨)(11g)가 첨가되고 결과 혼합물은 오일 배스에서 70℃까지 가열되어서 7시간동안 교반되었다. 반응물은 실온으로 냉각되고 진공에서 용매를 제거하여 오일상의 알케닐 설파이드가 수득되었다.
실시예 A
6-말레이미도카프로산(6-maleimidocaproic acid)의 제조
6-말레이미도카프로산
산 작용기를 가지는 말레이미드인 6-말레이미도카프로산을 공지의 방법으로 합성하였다. 아미노카프로산(aminocaproic acid)(100g, 7.6x10-1몰)을 기계식 교반기, 내부 온도 검지기 및 보조 깔때기가 장착된 500㎖ 4구 플라스크에서 빙초산(50㎖) 중에 용해하였다. 상기 보조 깔때기를 아세토니트릴(75㎖)에 용해된 무수 말레산(74.8g, 7.6x10-1몰)의 용액으로 채웠다. 이 용액을 내부 반응온도를 35℃ 이하로 유지하면서 실온에서 1시간에 걸쳐 적하(滴下)하여 아미노카프로산에 첨가하였다. 상기 첨가가 완료된 후 3시간 동안 반응물을 교반하였다. 반응 슬러리(slurry)를 여과하고, 분리된 여과물을 70℃의 진공 오븐(P-25T) 내에서 철야 건조하여 166g의 회백색(off white) 고형물(95%)을 얻었다. 생성물인 아미드산(amic acid)은 문헌의 데이터와 일치하는 FT-IR 및1H NMR 분광 특성을 나타냈다.
전술한 아미드산(166g, 7.2x10-1몰)을 기계식 교반기 및 Dean-Stark 트랩이 장착된 1리터 3구 플라스크에 넣고 질소 분위기에서 톨루엔(200㎖), 벤젠(200㎖) 및 트리에틸아민(211㎖, 1.51몰)의 용액 중에서 용매화(solvation)하였다. 이 용액을 가열하여 4시간 환류시키고 생성된 물을 Dean-Stark 트랩에 포집하였다. 상기 반응 플라스크에 증류수(400㎖)를 가하여 생성물 중의 트리에틸암모늄 염―반응중에 벌크 용액으로부터 대부분 분리된 것임―을 용해시켰다. 이 수층을 분리하고, 50% HCl를 사용하여 pH∼1로 산성화한 후 에틸아세테이트(600㎖)로 추출하였다. 이 유기층을 증류수(400㎖)로 세척하였다. 분리된 유기층을 MgSO4위에서 건조시킨 후 진공하에 용매를 제거하여 회백색 고형물(76.2g, 50%)을 얻었다. 생성물인 6-말레이미도카프로산은 FT-IR 및1H NMR에 의한 분광 데이터가 문헌과 동일하였다.
실시예 B
"다이머 디에스테르 비스말레이미드(dimer diester bismaleimide)"의 제조
"다이머 디에스테르 비스말레이미드"(및 고리형 이성체)
프리폴(Pripol) 2033("다이머 디올", Uniqema, 92.4g, 1.69x10-1몰), 6-말레이미도카프로산(75.0g, 3.55x10-1몰) 및 H2SO4(0.50㎖, ∼8.5x10-1몰)을 기계식 교반기, Dean-Stark 트랩 및 내부 온도계가 장착된 1리터 4구 플라스크를 사용하여 질소 분위기에서 톨루엔(300㎖) 중에 혼합하였다. 반응물을 약한 환류상태로 2시간 가열하고 생성되는 물을 Dean-Stark 트랩으로 포집하였다. 트랩을 비우고 반응물로부터 미량의 물을 제거하기 위해 ∼50㎖의 톨루엔 용매를 증류해내고 에스테르화 반응을 평형상태로 만들어 완결시켰다. 반응물을 실온까지 냉각한 후 추가의 톨루엔(100㎖)을 가하고(실험실적으로는 여기서 톨루엔 대신에 디에틸에텔을 가하는 것이 바람직하다), 용액을 포화 NaHCO3수용액(300㎖) 및 증류수(300㎖)로 세척하였다. 유기층을 분리하고 무수 MgSO4위에서 건조시키고 진공에서 용매를 제거하여 오렌지색의 오일(107.2g, 68%)을 얻었다. 상기 물질은 실리카 또는 알루미나로 만든 짧은 플러그를 통해 수지의 톨루엔 용액을 용리(elution)함으로써 추가로 정제될 수 있다. 이 액상의 비스말레이미드 수지는 받아들일 수 있는 FT-IR 및1H NMR 및13C NMR 데이터를 나타냈다. 전형적인 η는 ∼2500 cPs이다.
실시예 C
"데칸 디올 디에스테르 비스말레이미드"의 제조
"데칸 디올 디에스테르 비스말레이미드"
프리폴 2033 대신에 데칸 디올(decane diol)(29.5g, 1.69x10-1몰)로 대체하고 실시예 B에서 설명한 일반적 순서를 적용하였다. 이 방법으로 보통의 용해도를 가지는 고형의 비스말레이미드(54.9g, 58%)를 얻었다. 생성물은 만족스러운 FT-IR 및1H NMR 데이터를 나타냈다.
실시예 D
"글리세롤 트리에스테르 트리스(말레이미드)"의 제조
프리폴 2033을 글리세롤(10.4g, 1.13x10-1몰)로 대체하고 실시예 B에서 약술한 프로토콜이 활용되었다. 생성물은 받아들일 수 있는 FT-IR 및1H NMR 데이터를 나타내는 점성 액체였다.
실시예 E
"IPDI의 비스(m-니트로벤질 카바메이트)"의 제조
"IPDI의 비스(m-니트로벤질 카바메이트)"
이소포론 디이소시아네이트("IPDI", 100.0g, 4.5x10-1몰), m-니트로벤질 알코올(137.8g, 9.0x10-1몰) 및 디부틸 틴 디라우레이트(2.8g, 4.5x10-1몰)을 기계식 교반기, 환류 응축기 및 내부 온도계가 장착된 2리터 3구 플라스크를 사용하여 질소 분위기에서 건조 톨루엔(1500㎖) 중에 용해시켰다. 얻어지는 용액을 90℃에서 4시간 가열하였다. 시료의 고형분에 대한 IR에서 이소시아네이트 대역이 관찰되지 않았다. 상기 용액을 실온까지 냉각시킨 후 증류수(100㎖)로 세척하였다. 유기층을 분리하고 진공하에 용매를 제거하여 황색 액체를 얻었으며, 이 액은 받아들일 수 있는 FT-IR 및1H NMR 특성을 나타냈다.
실시예 F
"IPDI의 비스(m-아미노벤질 카바메이트)"의 제조
"IPDI의 비스(m-아미노벤질 카바메이트)"
실시예 E에서 얻은 디니트로 화합물(8.28g, 1.57x10-2몰)을 자석식 교반기가 장착된 500㎖ 용량의 3구 구형밑면 플라스크를 사용하여 질소 분위기에서 에탄올(100㎖) 중에 용해하였다. 사이클로헥산(28.6㎖, 2.82x10-1몰)을 첨가한 후 5% Pd/C(4.14g)을 첨가하였다. 얻어진 슬러리를 6.5 시간동안 약하게 환류시켰다. 이 용액의 여과된 분취물은 1529cm-1및 1352cm-1에서 니트로 스트레칭 밴드를 나타내지 않았다. 벌크 용액을 실온까지 냉각되도록 하고 여과하였다. 진공에서 용매를 제거하고 황색의 반고체(6.6g, 90%)를 얻었는데, 이것은 허용가능한 FT-IR 및1H NMR 분광특성을 나타냈다.
실시예 G
"IPDI의 비스(m-말레이미도벤질 카바메이트)"의 제조
"IPDI의 비스(m-말레이미도벤질 카바메이트)"
실시예 E에서 얻은 디아민(6.6g, 1.41x10-2몰)을 자석식 교반기 및 보조 깔때기가 장착된 250㎖ 용량의 4구 플라스크를 사용하여 질소 분위기에서 아세톤(60㎖) 중에 용해하고 4℃로 냉각하였다. 아세톤(20㎖)에 용해된 무수 말레산(2.76g, 2.82x10-2몰)을 30분에 걸쳐 첨가하였다. 얻어진 용액을 4℃에서 1시간 교반하고, 이어서 실온까지 승온시키고 철야 교반하였다. FT-IR 분석 결과 ∼1810cm-1에서 무수물 스트레칭 밴드가 없는 것으로 판단할 때 무수 말레산이 잔류하지 않는 것으로 나타났다.
상기 아민산 용액에 무수 초산(8.5ml, 9.0x10-2몰), 트리에틸아민(1.26ml, 9.0x10-3몰) 및 초산나트륨(0.88g, 1.1x10-2몰)을 첨가하였다. 얻어진 용액을 질소 분위기에서 약하게 4시간 환류시켰다. 반응물을 실온까지 냉각되도록 한 후 진공하에 벌크 용매를 제거하였다. 얻어진 점성 액체를 메틸렌클로라이드(200ml)에 재용매화(resolvate)하고 증류수(3x200ml)로 추출하였다. 다음에, 얻어진 유기물을 무수 MgSO4위에서 건조시키고 여과한 후 진공하에 용매를 제거하여 연한 갈색 고형물(6.75g, 76%)을 얻었다. 이 물질은 허용가능한 FT-IR 및1H NMR 분광특성을 나타냈다.
실시예 H
"DDI 1410의 비스(m-니트로벤질 카바메이트)"의 제조
"DDI 1410의 비스(m-니트로벤질 카바메이트)"(및 고리형 이성체)
기계식 교반기, 환류 응축기 및 내부 온도계가 장착된 1리터 용량의 4구 플라스크를 사용하여 DDI 1410(Henkel, "다이머 디이소시아네이트", 99.77g, 13.96% NCO 기준 1.65x10-1몰), m-니트로벤질 알코올(50.8g, 3.32x10-1몰) 및 디부틸틴 디라우레이트(0.5ml, 8.3x10-4몰)을 질소 분위기에서 톨루엔(150ml) 중에 용매화하였다. 반응물을 2.5시간동안 85℃로 가열하였다. 반응물의 분취물에 대한 FT-IR 분석 결과 2272cm-1에서 밴드가 없는 것으로 판단할 때 이소시아네이트 작용기가 완전히 소진되었음을 나타냈다. 진공하에 반응물에서 용매를 제거하여 황색의 오일을 얻었는데, 이것은 실온에서 방치할 때 응고하였다(152.4g, 102%(미량의 톨루엔)). 이 고형물은 만족할 만한 FT-IR 및1H NMR 분광특성을 나타냈다.
실시예 I
"DDI 1410의 비스(m-아미노벤질 카바메이트)"의 제조
"DDI 1410의 비스(m-아미노벤질 카바메이트)" (및 고리형 이성체)
기계식 교반기 및 환류 응축기가 장착된 1리터 용량의 3구 플라스크를 사용하여 실시예 H의 디아민 생성물(39.6g, 4.32x10-2몰) 및 염화주석 2수화물(97.55g, 4.32x10-1몰)을 질소 분위기하에서 에틸아세테이트(300ml) 중에 혼합하였다. 반응물을 약하게 환류하도록 가열하고 3시간동안 강하게 교반하였다. 용액을 실온까지 냉각시킨 후 포화 중탄산소다의 용액으로 pH를 7∼8로 만들었다. 혼합물을 25마이크론 필터로 여과하여 탁한 수층과 보통으로 투명한 유기층으로 분리되는 혼합물을 얻었다. 상기 수층을 분리하여 에틸아세테이트(100ml)로 세척하였다. 유기층을 홉친 후 증류수(300ml)로 세척하고 무수 MgSO4위에서 건조시켰다. 슬러리를 여과하고 진공하에서 여과하여 용매를 제거하고 황색의 점착성 고형물(33.8g, 92%)을 얻었다.
실시예 J
"DDI 1410의 비스(m-말레이미도벤질 카바메이트)"의 제조
"DDI 1410의 비스(m-말레이미도벤질 카바메이트)" (및 고리형 이성체)
기계식 교반기, 내부 온도계 및 보조 깔때기가 장착된 2리터 용량의 4구 플라스크를 사용하여 무수 말레산(15.4g, 1.57x10-2몰)을 질소 분위기에서 아세톤(300ml) 중에 용해하였다. 이 용액을 아이스 배스(ice bath)에서 약 4℃로 냉각하였다. 실시예 I에서 제조된 디아민의 아세톤(70ml) 중의 용액(63.4g, 7.48x10-2몰)을 보조 깔때기에 채우고 내부 온도를 〈10℃로 유지하면서 30분에 걸쳐 무수 말레산 용액에 첨가하였다. 얻어진 용액을 1시간 교반하고 이어서 실온으로 냉각되도록 하고 2시간 교반하였다.
상기 아민산 용액에 무수 초산(24.7ml, 2.62x10-1몰), 트리에틸아민(6.25ml, 4.48x10-2몰) 및 초산 망간 4수화물(0.37g, 1.50x10-3몰)을 첨가하였다. 이 용액을 6.5시간 동안 약하게 환류하도록 가열한 후 실온까지 냉각되도록 하였다. 진공하에서 벌크 용매를 제거하고, 얻어진 어두운 색의 액체를 디에틸에테르(500ml)에 용해하였다. 이 용액을 증류수(500ml)로 세척하였다. 다음에 분리된 유기층을 포화 NaHCO3수용액(500ml)으로 세척하고 다시 증류수(500ml)로 세척하였다. 유기물을 분리하고 무수 MgSO4위에서 건조시키고 진공하에 용매를 제거하여 점성의 오렌지색의 오일을 얻었다. 이 물질은 예상되었던 비스말레이미드 제품과 일치하는 FT-IR,1H NMR 및13C NMR 분광특성을 나타냈다.
본 발명의 또 다른 실시예는 전술한 바와 같이 다음의 구조를 가지는 알릴화 아미드 화합물을 함유하는 회로 부품용 조성물을 포함한다:
또는
상기 식에서 Q 및 Z는 다음의 구조
또는 다음의 구조
를 가지는 에스테르일 수 있다(상기 식에서 p는 1 내지 100이고,
각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는 다음의 구조
를 가지는 실록산(상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임)일 수 있음).
본 발명의 또 다른 실시예는 여기에서 기술된 바와 같이 식 [M-Xm]n-Q 및 [M-Zm]n-K을 가지는 말레이미드를 포함하며, 상기 식에서 Q 및 Z는 다음의 구조
또는 다음의 구조
를 가지는 에스테르일 수 있다(상기 식에서 p는 1 내지 100이고,
각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는 다음의 구조
를 가지는 실록산(상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임)일 수 있음).
본 발명의 또 다른 실시예는 여기에서 기술되는 다음의 구조
및
를 가지는 비닐 화합물을 포함하고, 상기 식에서 B는 C,S,N,O,C(O)NH 또는 C(O)N(R8)이고, R8은 C1∼C5알킬이다.
본 발명의 또 다른 실시예는 여기에서 기술되는 다음의 구조
및
를 가지는 비닐 화합물을 포함하고, 상기 식에서 Q 및 Z는 다음의 구조
또는 다음의 구조
를 가지는 에스테르일 수 있다(상기 식에서 p는 1 내지 100이고,
각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는 다음의 구조
를 가지는 실록산(상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임)일 수 있음).
본 발명의 또 다른 실시예는 여기에서 기술되는 바와 같이 양이온 또는 음이온 경화 개시제를 함유하는 회로 부품용 조성물이 포함된다. 그러한 개시제의 형태 및 유용한 양은 당업자에게 잘 알려져 있다.
본 발명의 다른 실시예는 이하에서 숫자 표기된 항목의 물질을 포함한다:
1. 알릴화 아미드 화합물; 자유 라디칼 개시제, 광개시제, 및 그의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 경화개시제; 선택적으로 1종 이상의 충전재; 선택적으로 1종 이상의 접착 촉진제를 포함하는 회로 부품용 조성물(circuit component composition):
상기 알릴화 아미드 화합물은 다음 식을 가진다:
상기 식에서 m은 0 또는 1, n은 1 내지 6이고,
(a) R9이 H, 탄소수가 1 내지 18개인 알킬 또는 알킬렌옥시기, 알릴, 아릴, 또는 다음의 구조를 가지는 치환된 아릴이고;
(상기 식에서 R10, R11, 및 R12는 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 18개인 알킬 또는 알킬렌옥시기임)
(b) X는 다음의 구조를 가지는 방향족 군에서 선택되는 방향족기이고;
(c) Q는 체인 내에 약 100개 이하의 원자를 가지는 직쇄상 또는 분지상 체인 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드류로서, 체인으로부터 또는 체인에서의 주쇄의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트(pendant)를 함유할 수 있고, 존재하는 어느 이종(異種) 원자나 X에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있다.
2. 상기 1항에 따른 알릴화 아미드 화합물을 포함하는 회로 부품용 조성물에 있어서, Q가 체인 내에 약 100개 이하의 원자를 가지는 직쇄상 또는 분지상 알킬류류로서, 체인으로부터 또는 체인의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트(pendant)를 함유할 수 있고, 존재하는 어느 이종 원자나 X에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있는 회로 부품용 조성물.
3. Q가 다음의 구조를 가지는 우레탄인 상기 1항에 따른 알릴화 아미드 화합물을 포함하는 회로 부품용 조성물:
(상기 식에서 각각의 R2는 독립적으로 탄소수가 1 내지 18개인 알킬, 아릴, 또는 아릴알킬기; R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인; X는 O, S, N, 또는 P; 및 v는 0 내지 50임)
4. Q가 다음 구조를 가지는 실록산인 상기 1항에 따른 알릴화 아미드 화합물을 포함하는 회로 부품용 조성물:
(상기 식에서 R1치환제는 각 위치에 대하여 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 및 R4치환체는 각 위치에 대하여 독립적으로 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, 및 e와 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임)
5. Q가 다음의 구조를 가지는 에스테르인 상기 1항에 따른 알릴화 아미드 화합물을 포함하는 회로 부품용 조성물:
(상기 식에서 R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인임).
6. Q가 다음의 구조를 가지는 에스테르인 상기 1항에 따른 알릴화 아미드 화합물을 포함하는 회로 부품용 조성물:
(상기 식에서 p는 1 내지 100이고,
각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는 다음의 구조
를 가지는 실록산―상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임―일 수 있음).
7. Q가 다음의 구조를 가지는 에스테르인 상기 1항에 따른 알릴화 아미드 화합물을 포함하는 회로 부품용 조성물:
(상기 식에서 p는 1 내지 100이고,
각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는 다음의 구조
를 가지는 실록산(상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임)일 수 있음).
8. 알릴화 아미드 화합물; 자유 라디칼 개시제, 광개시제, 및 그의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 경화개시제; 선택적으로 1종 이상의 충전재; 선택적으로 1종 이상의 접착 촉진제를 포함하는 회로 부품용 조성물:
상기 알릴화 아미드 화합물은 다음 식을 가진다:
상기 식에서 m은 0 또는 1, n은 1 내지 6이고,
(a) R9이 H, 탄소수가 1 내지 18개인 알킬 또는 알킬렌옥시기, 알릴, 아릴, 또는 다음의 구조를 가지는 치환된 아릴이고;
(상기 식에서 R10, R11, 및 R12는 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 18개인 알킬 또는 알킬렌옥시기임);
(b) K는 다음의 구조를 가지는 방향족 군에서 선택되는 방향족기이고;
(상기 식에서 p는 1 내지 100임);
(상기 식에서 p는 1 내지 100임);
상기 식에서 R5, R6, 및 R7은 체인 내에 약 100개 이하의 원자를 가지는 직쇄상 또는 분지상 체인 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드류―여기서 R5, R6, 및 R7은 체인으로부터 또는 체인에서의 주쇄의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트이고, 존재하는 어느 이종 원자든 상기 방향족 링에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있음―; 또는
R5, R6, 및 R7은 다음 구조를 가지는 실록산이고;
(상기 식에서 R1치환제는 각 위치에 대하여 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 및 R4치환체는 각 위치에 대하여 독립적으로 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, 및 e는 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임)
및
(c) Z는 체인 내에 약 100개 이하의 원자를 가지는 직쇄상 또는 분지상 체인 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드류―여기서 Z는 체인으로부터 또는 체인에서의 주쇄의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트를 함유할 수 있고, 존재하는 어느 이종 원자나 K에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있음―.
9. 상기 8항에 따른 알릴화 아미드 화합물을 포함하는 회로 부품용 조성물에 있어서, Z가 체인 내에 약 100개 이하의 원자를 가지는 직쇄상 또는 분지상 알킬류류로서, 체인으로부터 또는 체인의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트를 함유할 수 있고, 존재하는 어느 이종 원자나 K에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있는 회로 부품용 조성물.
10. Z가 다음의 구조를 가지는 우레탄인 상기 8항에 따른 알릴화 아미드 화합물을 포함하는 회로 부품용 조성물:
(상기 식에서 각각의 R2는 독립적으로 탄소수가 1 내지 18개인 알킬, 아릴, 또는 아릴알킬기; R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인; X는 O, S, N, 또는 P; 및 v는 0 내지 50임)
11. Z가 다음 구조를 가지는 실록산인 상기 8항에 따른 알릴화 아미드 화합물을 포함하는 회로 부품용 조성물:
(상기 식에서 R1치환제는 각 위치에 대하여 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 및 R4치환체는 각 위치에 대하여 독립적으로 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, 및 e와 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임).
12. Z가 다음의 구조를 가지는 에스테르인 상기 8항에 따른 알릴화 아미드 화합물을 포함하는 회로 부품용 조성물:
(상기 식에서 R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인임).
13. Z가 다음의 구조를 가지는 에스테르인 상기 8항에 따른 알릴화 아미드 화합물을 포함하는 회로 부품용 조성물:
(상기 식에서 p는 1 내지 100이고,
각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는 다음의 구조
를 가지는 실록산―상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임―일 수 있음).
14. Z가 다음의 구조를 가지는 에스테르인 상기 8항에 따른 알릴화 아미드 화합물을 포함하는 회로 부품용 조성물:
(상기 식에서 p는 1 내지 100이고,
각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는 다음의 구조
를 가지는 실록산―상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임―일 수 있음).
15. K가 다음의 구조를 가지는 상기 8항 내지 14항 중 어느 한 항에 따른 알릴화 아미드 화합물을 포함하는 회로 부품용 조성물:
(상기 식에서 p는 1 내지 100임).
16. K가 다음의 구조를 가지는 상기 8항 내지 14항 중 어느 한 항에 따른 알릴화 아미드 화합물을 포함하는 회로 부품용 조성물:
(상기 식에서 R5, R6, 및 R7은 체인 내에 약 100개 이하의 원자를 가지는 직쇄상 또는 분지상 체인 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드류―여기서 R5, R6, 및 R7은 체인으로부터 또는 체인에서의 주쇄의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트를 함유할 수 있고, 존재하는 어느 이종 원자든 상기 방향족 링에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있음).
17. K가 다음의 구조를 가지는 상기 8항 내지 14항 중 어느 한 항에 따른 알릴화 아미드 화합물을 포함하는 회로 부품용 조성물:
18. 상기 1항 내지 17항 중 어느 한 항에 따른 회로 부품용 조성물에 있어서, 경화 개시제가 양이온 개시제 및 음이온 개시제로 이루어지는 군에서 선택되는 회로 부품용 조성물.
19. 상기 1항 내지 17항 중 어느 한 항에 있어서,
다음의 구조를 가지는 화합물을 추가로 포함하는 회로 부품용 조성물:
또는
(상기 식에서 m은 0 또는 1이고 n은 1 내지 6이고;
(a) R1및 R2는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 또는 비닐기를 형성하는 탄소와 함께 5원소 내지 9원소 고리화합물을 형성하고;
(b) B는 C, S, N, 0, C(O), C(O)NH 또는 C(O)N(R8)―여기서 R8은 탄소수 1 내지 5개인 알킬기임―이고;
(c) X는 다음의 구조를 가지는 방향족기의 군에서 선택되는 방향족기이고;
및
(d) Q는 직쇄상 또는 분지상 체인 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드류로서, 체인으로부터 또는 체인에서의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트를 함유할 수 있고, 존재하는 어느 이종 원자나 X에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있고; 또는
(e) Q는 다음의 구조를 가지는 우레탄이고;
(상기 식에서 R2는 독립적으로 탄소수가 1 내지 18개인 알킬, 아릴, 또는 아릴알킬기; R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인; X는 O, S, N, 또는 P; 및 v는 0 내지 50임); 또는
(f) Q는 다음 구조를 가지는 실록산이고;
(상기 식에서 R1치환제는 각 위치에 대하여 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 및 R4치환체는 각 위치에 대하여 독립적으로 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, 및 e와 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임).
20. 상기 19항에 있어서,
Q가 다음의 구조를 가지는 에스테르;
또는
Q가 다음의 구조를 가지는 에스테르인 회로 부품용 조성물:
(상기 식에서 p는 1 내지 100이고,
각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는
각각의 R3는 독립적으로 다음의 구조
를 가지는 실록산―상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임―일 수 있음).
21. 상기 1항 내지 18항 중 어느 한 항에 있어서,
다음의 구조를 가지는 화합물을 추가로 포함하는 회로 부품용 조성물:
또는
(상기 식에서 m은 0 또는 1이고 n은 1 내지 6이고;
(a) R1및 R2는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 또는 비닐기를 형성하는 탄소와 함께 5원소 내지 9원소 고리화합물을 형성하고;
(b) B는 C, S, N, 0, C(O), C(O)NH 또는 C(O)N(R8)―여기서 R8은 탄소수 1 내지 5개인 알킬기임―이고;
(c) K는 다음의 구조를 가지는 방향족 군에서 선택되는 방향족기이고;
,
(상기 식에서 p는 1 내지 100임);
(상기 식에서 p는 1 내지 100임);
상기 식에서 R5, R6, 및 R7은 직쇄상 또는 분지상 체인 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드류로서, 체인으로부터 또는 체인의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트를 함유할 수 있고, 존재하는 어느이종 원자든 상기 방향족 링에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있고, 또는
R5, R6, 및 R7은 다음 구조를 가지는 실록산이고;
(상기 식에서 R1치환제는 각 위치에 대하여 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 및 R4치환체는 각 위치에 대하여 독립적으로 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, 및 e는 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임)
및
(d) Z는 직쇄상 또는 분지상 체인 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드류로서, 체인으로부터 또는 체인에서의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트를 함유할 수 있고, 존재하는 어느 이종 원자나 K에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있고; 또는
(e) Z는 다음의 구조를 가지는 우레탄이고;
(상기 식에서 R2는 독립적으로 탄소수가 1 내지 18개인 알킬, 아릴, 또는 아릴알킬기; R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인; X는 O, S, N, 또는 P; 및 v는 0 내지 50임); 또는
(f) Z는 다음 구조를 가지는 실록산이고;
(상기 식에서 R1치환제는 각 위치에 대하여 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 및 R4치환체는 각 위치에 대하여 독립적으로 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, 및 e와 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임); 또는
(g) Z는 다음 구조를 가지는 에스테르이고;
(상기 식에서 R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인임).
22. 상기 21항에 있어서,
Z가 다음의 구조를 가지는 에스테르;
또는
Z가 다음의 구조를 가지는 에스테르인 회로 부품용 조성물:
(상기 식에서 p는 1 내지 100이고,
각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는
각각의 R3는 독립적으로 다음의 구조
를 가지는 실록산(상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임)일 수 있음).
23. 상기 1항 내지 22항 중 어느 한 항에 따른 경화 조성물에 의해 제조되는 회로 부품용 조성물 조성물을 포함하는 인쇄 배선 기판의 제조 방법에 있어서,
(a) 경화성 회로 부품용 조성물을 인쇄 배선 기판 상에 퇴적시키는 단계; 및
(b) 상기 조성물을 그 자리에서 경화시키는 단계
를 포함하는 인쇄 배선 기판의 제조 방법.
24. 상기 23항에 따른 방법으로 제조되는 전자 어셈블리.
본 발명에 따라 산업적으로 요구되는 기계적인 성능 및 재가공성을 가지는 회로 부품용 조성물이 제공된다.

Claims (6)

  1. 하기 화학식으로 나타내어지는 알릴화 아미드 화합물(allylated amide compound); 자유 라디칼 개시제(free-radical initiator), 광개시제(photoinitiator), 및 그것들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 경화개시제(curing initiator); 선택적으로 1종 이상의 충전재filler); 선택적으로 1종 이상의 접착 촉진제를 포함하는 회로 부품용 조성물(circuit component composition):
    상기 알릴화 아미드 화합물은 다음 식을 가지고;
    상기 식에서
    m은 0 또는 1, n은 1 내지 6이고,
    (a) R9은 H, 탄소수가 1 내지 18개인 알킬 또는 알킬렌옥시기, 알릴, 아릴, 또는 다음의 구조를 가지는 치환된 아릴이고;
    (상기 식에서 R10, R11, 및 R12는 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 18개인 알킬 또는 알킬렌옥시기임);
    (b) X는 다음의 구조를 가지는 방향족 군에서 선택되는 방향족기이고;
    (c) Q는 체인 내에 약 100개 이하의 원자를 가지는 직쇄상(linear) 또는 분지상(branched) 사슬 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드류―여기서 Q는 체인으로부터 또는 체인에서의 주쇄의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트(pendant)를 함유할 수 있고, 존재하는 어느 이종(異種) 원자나 X에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있음―; 또는
    (d) Q는 다음의 구조를 가지는 우레탄;
    (상기 식에서 각각의 R2는 독립적으로 탄소수가 1 내지 18개인 알킬, 아릴, 또는 아릴알킬기; R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인; X는 O, S, N, 또는 P; 및 v는 0 내지 50임); 또는
    (e) Q는 다음 구조를 가지는 실록산;
    (상기 식에서 R1치환제는 각 위치에 대하여 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 및 R4치환체는 각 위치에 대하여 독립적으로 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, 및 e와 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임); 또는
    (f) Q는 다음의 구조를 가지는 에스테르;
    (상기 식에서 R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인임); 또는
    (g) Q는 다음의 구조를 가지는 에스테르;
    (상기 식에서
    p는 1 내지 100이고,
    각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는
    다음의 구조
    를 가지는 실록산―상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임)일 수 있음―; 또는
    (h) Q는 다음의 구조를 가지는 에스테르임;
    (상기 식에서
    p는 1 내지 100이고,
    각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는
    다음의 구조
    를 가지는 실록산―상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임―일 수 있음).
  2. 하기 화학식으로 나타내어지는 알릴화 아미드 화합물; 자유 라디칼 개시제, 광개시제, 및 그의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 경화개시제; 선택적으로 1종 이상의 충전재; 선택적으로 1종 이상의 접착 촉진제를 포함하는 회로 부품용 조성물:
    상기 알릴화 아미드 화합물은 다음 식을 가지고;
    상기 식에서
    m은 0 또는 1, n은 1 내지 6이고,
    (a) R9이 H, 탄소수가 1 내지 18개인 알킬 또는 알킬렌옥시기, 알릴, 아릴, 또는 다음의 구조를 가지는 치환된 아릴이고;
    (상기 식에서 R10, R11, 및 R12는 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 18개인 알킬 또는 알킬렌옥시기임);
    (b) K는 다음의 구조를 가지는 방향족 군에서 선택되는 방향족기이고;
    (상기 식에서 p는 1 내지 100임);
    (상기 식에서 p는 1 내지 100임);
    상기 식에서 R5, R6, 및 R7은 체인 내에 약 100개 이하의 원자를 가지는 직쇄상 또는 분지상 사슬 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드류―여기서 R5, R6, 및 R7은 체인으로부터 또는 체인에서의 주쇄의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트를 함유할 수 있고, 존재하는 어느 이종 원자나 상기 방향족 링에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있음―; 또는
    R5, R6, 및 R7은 다음 구조를 가지는 실록산이고;
    (상기 식에서 R1치환제는 각 위치에 대하여 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 및 R4치환체는 각 위치에 대하여 독립적으로 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, 및 e는 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임)
    및
    (c) Z는 체인 내에 약 100개 이하의 원자를 가지는 직쇄상 또는 분지상 사슬 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드류―여기서 Z는 체인으로부터 또는 체인에서의 주쇄의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트(pendant)를 함유할 수 있고, 존재하는 어느 이종 원자나 K에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있음―; 또는
    (d) Z는 다음의 구조를 가지는 우레탄;
    (상기 식에서 각각의 R2는 독립적으로 탄소수가 1 내지 18개인 알킬, 아릴, 또는 아릴알킬기; R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인; X는 O, S, N, 또는 P; 및 v는 0 내지 50임); 또는
    (e) Z는 다음 구조를 가지는 실록산;
    (상기 식에서 R1치환제는 각 위치에 대하여 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 및 R4치환체는 각 위치에 대하여 독립적으로 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, 및 e와 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임); 또는
    (f) Z는 다음의 구조를 가지는 에스테르;
    (상기 식에서 R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인임); 또는
    (g) Z는 다음의 구조를 가지는 에스테르;
    (상기 식에서
    p는 1 내지 100이고,
    각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는
    다음의 구조
    를 가지는 실록산―상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임―일 수 있음); 또는
    (h) Z는 다음의 구조를 가지는 에스테르임;
    (상기 식에서
    p는 1 내지 100이고,
    각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는
    다음의 구조
    를 가지는 실록산―상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임―일 수 있음).
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 경화 개시제가 양이온 개시제 및 음이온 개시제로 이루어지는 군에서 선택되는 회로 부품용 조성물.
  4. 제 1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    다음의 구조를 가지는 화합물을 추가로 포함하는 회로 부품용 조성물:
    또는
    (상기 식에서
    m은 0 또는 1이고 n은 1 내지 6이고;
    (a) R1및 R2는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 또는 비닐기를 형성하는 탄소와 함께 5원소 내지 9원소 고리화합물을 형성하고;
    (b) B는 C, S, N, 0, C(O), C(O)NH 또는 C(O)N(R8)―여기서 R8은 탄소수 1 내지 5개인 알킬기임―이고;
    (c) X는 다음의 구조를 가지는 방향족기의 군에서 선택되는 방향족기이고;
    (d) Q는 직쇄상 또는 분지상 체인 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드류―여기서 Q는 체인으로부터 또는 체인에서의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트를 함유할 수 있고, 존재하는 어느 이종 원자나 X에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있음―; 또는
    (e) Q는 다음의 구조를 가지는 우레탄;
    (상기 식에서 R2는 독립적으로 탄소수가 1 내지 18개인 알킬, 아릴, 또는 아릴알킬기; R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인; X는 O, S, N, 또는 P; 및 v는 0 내지 50임); 또는
    (f) Q는 다음 구조를 가지는 실록산;
    (상기 식에서 R1치환제는 각 위치에 대하여 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 및 R4치환체는 각 위치에 대하여 독립적으로 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, 및 e와 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임); 또는
    (g) Q는 다음 구조를 가지는 에스테르;
    (상기 식에서 R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인임); 또는
    (h) Q는 다음의 구조를 가지는 에스테르;
    (상기 식에서
    p는 1 내지 100이고,
    각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는
    각각의 R3는 독립적으로 다음의 구조
    를 가지는 실록산―상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임―일 수 있음); 또는
    (i) Q는 다음의 구조를 가지는 에스테르임;
    (상기 식에서
    p는 1 내지 100이고,
    각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는
    각각의 R3는 독립적으로 다음의 구조
    를 가지는 실록산―상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임―일 수 있음).
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    다음의 구조를 가지는 화합물을 추가로 포함하는 회로 부품용 조성물:
    또는
    (상기 식에서
    m은 0 또는 1이고 n은 1 내지 6이고;
    (a) R1및 R2는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 또는 비닐기를 형성하는 탄소와 함께 5원소 내지 9원소 고리화합물을 형성하고;
    (b) B는 C, S, N, 0, C(O), C(O)NH 또는 C(O)N(R8)―여기서 R8은 탄소수 1 내지 5개인 알킬기임―이고;
    (c) K는 다음의 구조를 가지는 방향족 군에서 선택되는 방향족기이고;
    ,
    (상기 식에서 p는 1 내지 100임);
    (상기 식에서 p는 1 내지 100임);
    상기 식에서 R5, R6, 및 R7은 직쇄상 또는 분지상 체인 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드류―여기서 R5, R6, 및 R7은 체인으로부터 또는 체인의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트를 함유할 수 있고, 존재하는 어느 이종 원자든 상기 방향족 링에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있음―; 또는
    R5, R6, 및 R7은 다음 구조를 가지는 실록산이고;
    (상기 식에서 R1치환제는 각 위치에 대하여 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 및 R4치환체는 각 위치에 대하여 독립적으로 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, 및 e는 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임)
    (d) Z는 직쇄상 또는 분지상 체인 알킬, 알킬옥시, 알킬 아민, 알킬 설파이드, 알킬렌, 알킬렌옥시, 알킬렌 아민, 알킬렌 설파이드, 아릴, 아릴옥시, 또는 아릴 설파이드류―여기서 Z는 체인으로부터 또는 체인에서의 부분으로서 포화 또는 불포화 고리형 또는 헤테로고리형 치환체 펜던트를 함유할 수 있고, 존재하는 어느 이종 원자나 K에 직접 부착되거나 부착되지 않을 수 있음―; 또는
    (e) Z는 다음의 구조를 가지는 우레탄;
    (상기 식에서 R2는 독립적으로 탄소수가 1 내지 18개인 알킬, 아릴, 또는 아릴알킬기; R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인; X는 O, S, N, 또는 P; 및 v는 0 내지 50임); 또는
    (f) Z는 다음 구조를 가지는 실록산;
    (상기 식에서 R1치환제는 각 위치에 대하여 독립적으로 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 및 R4치환체는 각 위치에 대하여 독립적으로 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, 및 e와 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임); 또는
    (g) Z는 다음 구조를 가지는 에스테르;
    (상기 식에서 R3는 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로서 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인임).
    (h) Z는 다음의 구조를 가지는 에스테르;
    (상기 식에서
    p는 1 내지 100이고,
    각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는
    각각의 R3는 독립적으로 다음의 구조
    를 가지는 실록산―상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임)일 수 있음―; 또는
    (i) Z는 다음의 구조를 가지는 에스테르임:
    (상기 식에서
    p는 1 내지 100이고,
    각각의 R3는 독립적으로 체인 내에 100개 이하의 원자를 가지는 알킬 또는 알킬옥시 체인으로 아릴 치환체를 함유할 수 있는 체인, 또는
    각각의 R3는 독립적으로 다음의 구조
    를 가지는 실록산―상기 식에서 독립적으로 각 위치에 대한 R1치환체는 H 또는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기, 각 위치에 대한 R4치환체는 탄소수가 1 내지 5개인 알킬기 또는 아릴기, e 및 g는 독립적으로 1 내지 10이고 f는 1 내지 50임―일 수 있음).
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 따른 경화 조성물에 의해 제조되는 회로 부품용 조성물 조성물을 포함하는 인쇄 배선 기판의 제조 방법에 있어서,
    (a) 경화성 회로 부품용 조성물을 인쇄 배선 기판 상에 퇴적시키는 단계; 및
    (b) 상기 조성물을 그 자리에서 경화시키는 단계
    를 포함하는 인쇄 배선 기판의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100591976B1 (ko) * 1998-07-02 2006-06-20 내쇼날 스타치 앤드 케미칼 인베스트멘트 홀딩 코포레이션 알릴화 아미드 화합물로부터 제조되는 언더필 밀봉제

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