KR20000008251A - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

Abstract

본 발명은 방전관의 양광주영역을 활용할 수 있는 PDP에 관한 것이다.

본 발명의 PDP는 화상의 표시면인 상부기판과, 상부기판과 평행하게 배치된 하부기판과, 하부기판 상에서 수직방향으로 신장되어 셀의 내부에 방전공간을 마련하는 격벽과, 하부기판 상에 교차하도록 배치된 어드레스전극 및 제1 서스테인전극과, 상부기판 상에 형성된 형성된 제1 전극과 제2 전극으로부터 격벽을 따라 신장된 제1 전극으로 이루어지는 제2 서스테인전극을 구비한다.

본 발명에 의하면, 방전공간을 크게하여 양광주영역을 이용함으로써 방전효율과 휘도를 향상시킬 수 있게 된다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)

본 발명은 평판 디스플레이 장치 중의 하나인 플라즈마 디스플레이 장치(Plasma Display Panel; 이하, PDP라 한다)에 관한 것으로, 특히 방전관의 양광주영역을 활용할 수 있는 PDP에 관한 것이다.

최근들어 대형 평판표시장치가 요구됨에 따라 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; 이하, PDP라 한다)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. PDP는 통상 가스 방전 현상을 이용하여 화상을 표시하는 디스플레이 장치로서 방전방식에 따라 직류(DC) 방식과 교류(AC) 방식으로 크게 대별되고 있다.

도 1을 참조하면, 통상적으로 많이 사용되고 있는 3전극 교류(AC) 방식의 PDP의 셀 구조가 도시되어 있다. 여기서, 도 1의 (A)는 PDP의 셀을 가로축을 따라 절단한 단면도를 나타내고, (B)는 세로축을 따라 절단한 단면도를 나타낸다.

도 1에 도시된 PDP의 셀은 화상의 표시면인 상부기판(10)과, 격벽(14)에 의해 상부기판(10)과 평행하게 배치된 하부기판(12)을 구비한다. 이 격벽(14)은 셀 사이를 격리시켜 셀 내부에 방전공간(30)을 마련하게 된다. 상부기판(10) 상에는 서스테인전극쌍, 즉 주사 및 서스테인 전극(이하, Y 서스테인전극이라 한다)(16)과 서스테인 전극(이하, Z 서스테인전극이라 한다)(18)이 나란하게 배치된다. 이 Y 및 Z 서스테인전극들(16,18)은 (B)에 도시된 바와 같이 빛을 투과시키기 위한 투명전극(ITO)(16a, 18a)과, 이 투명전극(16a, 18a)의 도전성을 향상시키기 위한 버스전극(16b, 18b)으로 구성되어진다. 하부기판(12) 상에는 Y 및 Z 서스테인전극들(16, 18)과 방전을 일으키기 위한 어드레스 전극(20)이 배치되게 된다. 이 Y 및 Z 서스테인전극(16, 18)과 어드레스 전극(20)에는 방전을 유지시켜 주기 위해 극성이 계속적으로 반전되는 교류(AC) 전압이 인가된다. 그리고, Y 및 Z 서스테인전극(16,18)이 배치된 상부기판(10) 상에는 전하축적을 위한 상부 유전체층(22)이 평탄하게 형성되어 있고, 이 상부 유전체층(22) 표면에는 보호막(24)이 형성되어 있다. 이 보호막(24)은 플라즈마 입자들의 스퍼터링 현상으로부터 상부 유전체층(22)을 보호하여 수명을 연장시켜 줄 뿐만 아니라 이차전자의 방출 효율을 높여주고 내화 금속의 산화물 오염으로 인한 방전 특성의 변화를 줄여주는 역할을 하는 것으로서 주로 산화마그네슘(MgO) 막이 사용되어 진다. 어드레스 전극(20)이 배치된 하부기판(12) 상에는 역시 전하축적을 위한 하부 유전체층(26)이 평탄하게 형성되어 있고, 하부 유전체층(26) 상에는 고유색의 가시광선(R,G,B)을 발생하기 위한 형광체층(28)이 격벽(14)을 포획하도록 도포되어 있다. 이 형광체층(28)은 가스방전시 발생되는 짧은 파장의 자외선(Vacuum Ultraviolet;VUV)에 의해 여기되어 적, 녹, 청(R,G,B)의 가시광을 발생하게 된다. 셀 내부에 마련되는 방전공간(30)은 자외선 방출 효율을 높여주기 위해 주로 네온(Ne)과 제논(Xe)의 혼합가스로 충진되어진다. 이러한 구성을 갖는 PDP의 셀에 있어서, 어드레스전극(20)과 Y 서스테인전극(16) 사이에 방전이 일어나 셀 내부의 유전체에 벽전하를 형성하게 된다. 그 다음, Y 및 Z 서스테인전극(16, 18) 사이에 전압을 인가하면 벽전하가 형성된 셀에서만 방전이 계속해서 일어나서 진공 자외선을 방출하게 된다. 이 진공 자외선이 형광체(28)를 여기시켜 가시광이 발생되게 된다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 셀(32) 내부의 방전공간(30)에서 발광현상이 발생하는 영역과 그 방전공간(30)에서 방전이 일어난 경우의 전압 분포도가 구분되어 도시되어 있다.

도 2에 있어서, 이온의 음극 충돌에 의해서 생성되어 방출된 2차 전자들이 전계에 의해 가속을 받아서 중성입자와의 충돌로 새로운 전자를 생성시키게 된다. 2차 전자는 전압의 변화가 큼에 따라 전계의 크기가 상대적으로 큰 도 3의 A 부분에서 강하게 가속받는다. 이러한 전자는 이온화를 진행하면서 에너지를 계속 얻어 B영역에 도달한다. B영역에서는 더 이상 에너지를 얻지 못하고 에너지를 충돌에 의해 중성입자에 전달하는데 이과정에서 여기된 입자들이 바닥상태로 떨어지면서 가시광선과 진공자외선을 발생하는데 이 영역이 도 2에 도시된 부글로우(Negative Glow) 영역(30a)이라 일컫는다. 이 부글로우 영역(30a)을 지난 전자들은 에너지가 매우 약하여 전체적으로 균일한 플라즈마 상태를 나타내는데 이 부분을 양광주(Positice Column) 영역(30b)이라 일컫는다. 이 양광주 영역(30b)에서는 전계에 의한 에너지가 아니라 전체에서 에너지가 높은 전자들만 기체를 여기시켜서 발광을 하게된다. 이 양광주영역(30b)에서는 이온화는 거의 일어나지 않고 여기에 의한 발광이 많이 일어나서 전체적으로 에너지가 빛으로 많이 변환되어 효율이 좋다고 알려져 있다. 이러한 방전공간의 발광분포에서 전극의 간격을 줄이면 양광주영역(30b)은 크기가 줄어드는 반면에 부글로우 영역(30a)의 크기에는 영향을 주지 않는다.

현재의 PDP는 셀의 크기, 즉 전극의 간격이 너무 작아 양광주영역은 거의 없고 부글로우 영역에 의한 발광에 의존하고 있는 형편이다. 따라서, PDP에서 양광주영역을 사용하는 경우 밝기 및 효율은 충분히 개선될 수 있으므로 발광효율이 좋은 양광주영역을 이용하기 위하여 PDP의 압력을 높이거나 방전이 되는 길이를 늘이고자 하는 연구가 활발하게 진행되고 있다. 그런데, 이 양광주영역을 이용하기 위해서는 셀의 크기를 증가시켜야 하지만 셀의 크기에 따른 주사선의 증가와 해상도를 만족해야 하기 때문에 무한정 크게 할 수는 없다는 문제점이 있다. 이에 따라, 양광주영역을 이용할 수 있는 PDP가 요구되고 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 두 서스테인전극의 간격을 늘려 양광주영역을 활용함으로써 방전효율 및 휘도를 향상시킬 수 있는 PDP를 제공하는 것이다.

도 1은 통상적인 교류방식의 PDP 셀의 구조를 나타내는 단면도.

도 2는 도 1의 내부에서 서스테인 방전이 발생하는 경우 발광영역을 구분하여 나타내는 도면.

도 3은 방전시 발광영역에 따른 전압 분포도.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 PDP 셀의 전극 구조를 나타내는 도면.

도 5는 도 4의 셀을 B-B'선을 따라 절단한 단면도.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 PDP의 하판에 배치된 전극 구조를 나타내는 도면.

도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 PDP 상판의 구조를 나타내는 단면도.

도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 PDP에 배치된 전극을 전체적으로 나타낸 도면.

도 9는 도 4에 도시된 셀에서 발생한 어드레스 방전현상을 단계적으로 나타내는 단면도.

도 10은 도 4에 도시된 셀에서 발생한 서스테인 방전현상을 단계적으로 나타내는 단면도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명>

10, 34 : 상부기판 12, 36 : 하부기판

14, 38 : 격벽 16, 36 : Y 서스테인전극

18 : Z 서스테인전극 20, 40 : 어드레스전극

22 : 상부 유전체층 24, 50 : 보호막

26 : 하부 유전체층 28, 52 : 형광체

30, 54 : 방전공간 30A : 부글루우 영역

30B : 양광주 영역 32, 56 : 셀

42 : 제1 서스테인전극 44 : 제2 서스테인전극

44A : 제1 전극 44B : 제2 전극

46 : 제1 유전체층 48 : 제2 유전체층

58 : 투명전극 60 : PDP

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 PDP는 화상의 표시면인 상부기판과, 상부기판과 평행하게 배치된 하부기판과, 하부기판 상에서 수직방향으로 신장되어 셀의 내부에 방전공간을 마련하는 격벽과, 하부기판 상에 교차하도록 배치된 어드레스전극 및 제1 서스테인전극과, 상부기판 상에 형성된 형성된 제1 전극과 제1 전극으로부터 격벽을 따라 신장된 제2 전극으로 이루어지는 제2 서스테인전극을 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 PDP는 매트릭스 구조로 배열된 셀과, 셀 각각에 포함되며 열을 이루도록 배치된 어드레스전극라인과, 셀 각각에 포함되며 상기 어드레스전극라인과 교차하도록 형성된 제1 서스테인전극라인과, 셀 각각에 대응하는 격자무늬 구조로 형성된 제2 서스테인전극라인을 구비하는 것을 특징으로 한다.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 PDP에 구성되는 한 셀의 단면을 도시한 것으로서, 도 4에 도시된 PDP의 셀은 화상의 표시면인 상부기판(34)과, 격벽(38)에 의해 상부기판(34)과 평행하게 배치된 하부기판(36)과, 하부기판(36) 상에 형성된 어드레스전극(40) 및 제1 서스테인전극(42)과, 상부기판(34) 상에 형성된 제1 전극(44A)과 격벽을 따라 신장된 제2 전극(44A)으로 이루어진 제2 서스테인 전극(44)을 구비한다.

도 4에 도시된 PDP의 셀에서 하부기판(36) 상에 어드레스전극(40)이 형성되고, 어드레스전극(40) 상에는 어드레스전극(40)과 수직한 방향으로 제1 서스테인전극(42)이 형성된다. 어드레스전극(40)과 제1 서스테인전극(42)의 사이에는 하부 유전체층(48)이 형성되는데, 이 하부 유전체층(48)은 제1 서스테인전극(42)의 일부표면만을 도포하도록 형성된다. 이 제1 서스테인전극(42)에서 유전체층(48)로 덮히지 않은 부분은 서스테인방전시 유전체층(48)에 축적된 벽전하에 의한 전압강하가 일어나지 않으므로 효율적인 방전이 일어나도록 한다. 하부 유전체층(48) 상에 수직으로 신장된 격벽(38)은 셀 사이를 격리시켜 셀 내부에 방전공간(54)을 마련하게 된다. 상부기판(34) 상에는 제2 서스테인전극(44)이 형성되는데, 이 제2 서스테인전극(44)은 상부기판(34) 상에 형성된 제1 전극(44A)과 제1 전극(44A)에 접속되어 격벽(38)을 따라 하부기판(36) 쪽으로 신장된 제2 전극(44B)을 구비한다. 이 제2 전극(44B)은 하부의 제1 서스테인전극(42)과 가깝도록 형성되어 제1 및 제2 서스테인전극(42, 44)이 멀리 이격되어 있어도 두 서스테인전극(42, 44) 간의 서스테인방전이 잘 일어나도록 한다. 여기서, 제1 서스테인전극(42)과 제2 서스테인전극(44)의 간격을 길게할 수 있음에 따라 서스테인 방전시 양광주영역을 이용할 수 있게 된다. 제2 서스테인전극(44) 상에는 전하축적을 위한 상부 유전체층(46)이 제1 전극(44A)과 제2 전극(44B)를 도포하도록 형성된다. 제1 전극(44A)에 대응하는 상부 유전체층(46)의 표면에는 보호막(50)이 형성되어 있다. 이 보호막(60)은 방전시 플라즈마 입자들의 스퍼터링 현상으로부터 상부 유전체층(46)을 보호하여 수명을 연장시켜 줄 뿐만 아니라 이차전자의 방출 효율을 높여주고 내화 금속의 산화물 오염으로 인한 방전 특성의 변화를 줄여주는 역할을 하는 것으로서, 주로 산화마그네슘(MgO) 막이 사용되어 진다. 제2 전극(44B)을 제외한 격벽(38)의 표면에는 고유색의 가시광선(R,G,B)을 발생하기 위한 형광체층(52)이 도포되어 있다. 이 형광체층(52)은 셀 내부에서 가스방전시 발생되는 짧은 파장의 자외선(Vacuum Ultraviolet ;VUV)에 의해 여기되어 적, 녹, 청(R,G,B) 중 하나의 가시광을 발생하게 된다. 셀 내부에 마련되는 방전공간(54)은 자외선 방출 효율을 높여주기 위해 주로 네온(Ne)과 제논(Xe)의 혼합가스로 충진되어진다.

도 5를 참조하면, 도 4에 도시된 셀에서 B-B' 선을 따라 절단한 단면도가 도시되어 있다. 도 5에서 격벽(38)의 내부 대부분은 형광체(52)가 도포되어 있어 휘도를 향상시키게 된다. 여기서, 격벽(38)은 종래에는 도 1에 도시된 바와 같이 어드레스전극과 평행하게만 형성된 반면에 본 발명에 따른 PDP에서는 격자구조로 형성됨을 알 수 있다. 또한, 제2 서스테인전극의 제2 전극(44B)에 대응하는 상부 유전체층(46) 상에는 방전을 용이하게 일으키도록 형광체를 도포하지 않음을 알 수 있다.

도 6은 도 4의 하부기판(36)에 배치된 전극 구조를 나타낸 것으로서, 본 발명에 따른 PDP의 하부기판(36) 상에는 어드레스전극(40)과 제1 서스테인전극(42)이 서로 직교하도록 배치되어 있다. 이 어드레스전극(40)과 제1 서스테인전극(42)이 교차지점에는 각각의 셀(56A, 56B)가 형성된다. 제1 서스테인전극(42)이 어드레스전극(40)의 위에 위치하여 두 전극(40, 42) 사이에 방전이 일어나는 경우 제1 서스테인전극(42)에 벽전하가 형성되어 상하판의 제1 및 제2 서스테인전극(42, 44) 사이에 서스테인 전압을 인가하면 서스테인 방전이 개시되게 된다.

도 7은 도 4에 도시된 상부기판(34)의 단면도를 도시한 것이다.

도 7에서 상부기판(34) 상에 형성된 제2 서스테인전극 중 제1 전극(44A)은 방전공간으로부터 발생된 가시광선을 통과시키기 위한 투명전극(58)과 이 투명전극(58)의 전도도를 높이기 위한 금속전극(44A)을 구비한다. 여기서, 금속전극(44A)은 빛을 통과시키기 못하므로 셀 사이를 나누는 격벽의 모양과 같은 격자 구조로 형성되게 된다.

도 8을 참조하면, PDP 전체의 전극 구조가 도시되어 있다.

도 8에 도시된 PDP는 하부기판에 열을 이루며 배치된 어드레스전극(X)과, 하부기판의 어드레스전극(40)과 교차하도록 배치된 제1 서스테인전극(Y)과, 상부기판에 배치된 제2 서스테인전극(Z)은 격자구조로 형성된다. 여기서, 제1 서스테인전극(Y)과 어드레스전극(X)은 라인별로 구동되는 반면에 격자구조의 제2 서스테인전극(44)은 공통적으로 구동되게 된다.

도 9는 도 4에 도시된 셀의 내부에서 일어나는 어드레스 방전현상을 단계적으로 나타내고 있다.

도 9에 도시된 셀(56)에서 어드레스 방전은 어드레스전극(40)과 제1 서스테인전극(42) 사이에서 일어나서 제1 서스테인전극(42)의 유전체층(48)에 벽전하가 형성된다. 이때, 제1 서스테인전극(42)에 높은(High) 전압을 인가하고 어드레스전극(40)에는 낮은(Low)을 인가하여 (A)에 도시된 바와 같이 어드레스 방전이 일어나도록 한다. 이 어드레스방전이 일어나고 셀의 내부에 벽전하가 형성되면 방전은 점점 감소하여 없어지고 (B)에 도시된 바와 같이 하부 유전체층(48)에 벽전하만 남게 된다.

도 10은 도 4에 도시된 셀의 내부에서 일어나는 서스테인 방전현상을 단계적으로 나타내고 있다.

도 10에 도시된 셀(56)에서의 서스테인방전은 도 9에 도시된 바와 같이 어드레스방전이 일어나서 제1 서스테인전극(42) 측에 벽전하가 형성된 셀에서만 일어난다. 이때, 서스테인방전은 (A)에 도시된 바와 같이 제1 서스테인전극(42)의 표면에 벽전하가 쌓인 부분과 제2 서스테인전극(44) 중 격벽을 따라 신장된 제2 전극(44B)의 끝부분의 사이에서 개시되게 된다. 이는 임의의 압력에서 방전은 전계의 세기가 가장 강한 가까운 부분부터 개시되기 때문이다. 서스테인 방전이 개시되면 격벽의 유전체층(46)과 제1 서스테인전극(42)의 표면에 벽전하가 형성되어 더이상 방전이 일어나지 않고 (B)에 도시된 바와 같이 벽전하가 형성되지 않은 제2 전극(44B)의 위쪽으로 방전이 이동하게 되고, 결국에는 방전현상이 일어나는 부위가 (C)에 도시된 바와 같이 셀 전체로 확대되게 된다. 제1 서스테인전극(42)의 유전체층(48) 위에 벽전하가 쌓이면 셀 전체에서 벽전하에 의한 역전압 때문에 방전은 더 이상 유지되지 못하고 (D)에 도시된 바와 같이 방전은 없어지게 된다. 여기서, 제1 서스테인전극(42)의 일부만을 유전체층(48)으로 도포한 것은 이 제1 서스테인전극(42)의 전체가 유전체층(48)으로 덮혀 있는 경우 방전이 시작되고 얼마후 벽전하가 유전층(48)을 덮으면 방전이 유지되지 못하고 소멸되어버리기 때문이다. 다시 말하여, 제1 서스테인전극(42)의 일부분은 유전체층(48)으로 덮고 다른 일부분은 방전공간에 노출시켜 서스테인방전시 벽전하가 쌓이지 않도록하여 벽전하에 의한 전압강하가 없음에 따라 방전현상이 상판의 제2 서스테인전극(44)의 제1 전극(44A)까지 발전되도록 하고 있다. 결국은 제2 서스테인전극(44) 측에 전하가 맣이 쌍여서 방전이 멈추게 된다.

결과적으로, 본 발명에 따른 PDP에서는 방전공간의 길이가 증가되어 효율이 좋은 양광주영역을 활용할 수 있게 된다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 PDP 및 그 구동방법에 의하면, 두 서스테인전극의 간격을 크게하여 발광영역을 확대시킴에 따라 양광주영역을 이용하게 됨으로써 방전효율과 휘도를 향상시킬 수 있게 된다. 더불어, 본 발명에 따른 PDP 및 그 구동방법에 의하면, 격벽을 따라 신장된 보조전극을 이용하여 서스테인전극 간의 간격이 큰 반면에도 방전개시가 용이하게 일어날 수 있게 된다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (12)

1. 플라즈마 디스플레이 패널에 구성되는 임의의 셀에 있어서,

   화상의 표시면인 상부기판과,

   상기 상부기판과 평행하게 배치된 하부기판과,

   상기 하부기판 상에서 수직방향으로 신장되어 상기 셀의 내부에 방전공간을 마련하는 격벽과,

   상기 하부기판 상에 교차하도록 배치된 어드레스전극 및 제1 서스테인전극과,

   상기 상부기판 상에 형성된 형성된 제1 전극과 상기 제1 전극으로부터 격벽을 따라 신장된 제2 전극으로 이루어지는 제2 서스테인전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 어드레스전극과 제1 서스테인전극 사이에 형성된 제1 유전체층과,

   상기 제2 서스테인 전극 상에 형성된 제2 유전체층과,

   상기 제2 유전체층 중 상부기판 측의 표면에 형성된 보호막과,

   상기 격벽의 표면과 상기 제2 유전체층 중 격벽 측의 표면에 도포된 형광체층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 제1 유전체층은 상기 제1 서스테인전극의 일부분을 도포하도록 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 방전공간에는 비활성가스가 충진된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 어드레스전극과 제1 서스테인전극 간에 인가되는 구동전압에 의해 어드레스방전이 일어나는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 제1 및 제2 서스테인전극 간에 인가되는 구동전압에 의해 서스테인방전이 일어나는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 서스테인 방전은 상기 제1 서스테인전극과 상기 제2 서스테인전극 중 상기 제1 전극의 끝부분 사이에서 개시되어 상기 제2 전극 쪽으로 성장되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레인 패널.
8. 제 1 항에 있어서,

   상기 제1 서스테인전극과 제2 서스테인전극 중 제1 전극의 간격은 상기 서스테인방전시 양광주영역을 이용할 수 있도록 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
9. 제 1 항에 있어서,

   상기 제1 서스테인전극 중 제1 전극은 가시광을 투과시키기 위한 투명전극과,

   상기 투명전극의 전도도를 높이기 위한 금속전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
10. 제 1 항에 있어서,

    상기 격벽은 격자구조로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
11. 매트릭스 구조로 배열된 화소셀들과,

    상기 화소셀 각각에 포함되며 열을 이루도록 배치된 어드레스전극라인과,

    상기 화소셀 각각에 포함되며 상기 어드레스전극라인과 교차하도록 형성된 제1 서스테인전극라인과,

    상기 화소셀 각각에 대응하는 격자무늬 구조로 형성된 제2 서스테인전극라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
12. 제 11 항에 있어서,

    상기 제2 서스테인전극라인은 공통적으로 접속된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.