KR20000006474A - 연마장치 - Google Patents

연마장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20000006474A
KR20000006474A KR1019990024271A KR19990024271A KR20000006474A KR 20000006474 A KR20000006474 A KR 20000006474A KR 1019990024271 A KR1019990024271 A KR 1019990024271A KR 19990024271 A KR19990024271 A KR 19990024271A KR 20000006474 A KR20000006474 A KR 20000006474A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plate
mount
hollow body
pressing
polishing apparatus
Prior art date
Application number
KR1019990024271A
Other languages
English (en)
Inventor
하타노가즈토모
Original Assignee
오바라 히로시
스피드팜 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오바라 히로시, 스피드팜 가부시키가이샤 filed Critical 오바라 히로시
Publication of KR20000006474A publication Critical patent/KR20000006474A/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

실리콘웨이퍼 등의 피연마재의 표면을 균일하게 연마할 수 있는 연마장치를 제공한다.
아랫면에 피연마재가 고정된 마운트 플레이트와, 이 마운트 플레이트의 상부에 위치하는 마운트 헤드의 사이에, 내부에 유체가 밀봉된 격막으로 이루어지는 중공체를 배설하고, 이 중공체는 상기 마운트 플레이트에 누르는 부위의 형상을 마운트 플레이트에 대하여 거의 균일하게 누르도록 평탄면으로 형성하였다.

Description

연마장치{POLISHING APPARATUS}
본 발명은, 실리콘웨이퍼 등의 피연마재의 표면을 연마하는 연마장치에 관한 것이다.
일반적으로, IC, LSI 등의 반도체 기판재료로서는 실리콘웨이퍼가 사용되고 있다. 이 실리콘웨이퍼는 한쪽 면이 거울면으로 연마되어 있다.
종래에, 이러한 실리콘웨이퍼의 연마장치로서는 도 3에 나타낸 바와 같은 것이 알려져 있다.
도 3에 있어서, (1)은 정반이며, (2)는 마운트 플레이트, (3)은 마운트 플레이트(2)의 상부에 장착된 마운트 헤드이다.
정반(1)은 윗면에 연마패드가 장착됨과 동시에, 평면에서 보아 원형의 회전판이다.
마운트 플레이트(2)는 세라믹스나 유리재료로 이루어지는 원판이며, 그 양면이 연마되어 평탄한 면으로 되어 있다. 이 마운트플레이트(2)의 한 쪽 면에는, 도 4에 나타낸 바와 같이 1매 이상의 복수매(도 4에서는 4매)의 실리콘웨이퍼(4…)가 평면에서 보아 같은 간격의 위치에 고정되어 있다.
이 실리콘웨이퍼(4)를 마운트 플레이트(2)에 고정하는 방법으로서는, 실리콘웨이퍼(4)의 한 면에 왁스를 도포함으로써, 실리콘웨이퍼(4)를 마운트 플레이트 (2)의 한 면에 접착하여 고정하는 왁스법과, 진공흡착, 물로 접착하는 등의 방법에 의해 접착하여 고정하는 왁스 없이 하는 방법이 있다.
이들 방법에 의해 실리콘웨이퍼(4)가 한 면에 고정된 마운트 플레이트(2)는, 그 실리콘웨이퍼(4)가 고정되어 있는 면이 아래쪽으로 향한 상태로 정반(1)의 윗면에 놓여 있다.
정반(1)의 윗면에 놓여 있는 마운트 플레이트(2)는, 하나의 정반(1)의 윗면에 1개 이상의 복수개(도면에서는 1개만 나타냄)가 배치되어 있다. 이들 마운트 플레이트(2…)는, 평면에서 보아 둘레방향으로 등간격으로 위치하고 있다. 이 마운트 플레이트(2)는 그 상부가 마운트 헤드(3)에 끼워맞춤되어, 그 윗면이 마운트 헤드 (3)의 내부 평면에 밀착하고 있다.
마운트 헤드(3)는 그 상부의 중앙에 가압축(5)이 연결되고, 이 가압축(5)에 대하여 흔들림이 자유롭게, 또 회전이 자유롭게 되어 있다.
상기와 같은 구성의 연마장치를 사용하여 실리콘웨이퍼(4)를 연마하는 경우에는, 우선 정반(1)의 윗면에 콜로이드 실리카의 알카리성 현탁액 등의 연마숫돌가루를 분산시킨다.
이와 같은 정반(1)의 윗면에 실리콘웨이퍼(4)가 고정된 마운트 플레이트(2)를 실리콘웨이퍼(4)가 고정되어 있는 면을 아래쪽으로 향한 상태로 얹어 놓는다. 그리고 이 마운트 플레이트(2)의 윗쪽에 배치되어 있는 마운트 헤드(3)를 마운트 플레이트(2)의 상부에 장착한다.
그 후에, 공기압력 실린더, 유압 실린더 등을 사용하여(데드 웨이트 방식도 있슴), 마운트 헤드(3)의 상부에 연결되어 있는 가압축(5)을 아래쪽으로 가압함으로써, 실리콘웨이퍼(4)를 정반(1)의 윗면에 누른다.
이러한 상태로 정반(1)을 회전시킨다. 이 경우 이 정반(1)과 실리콘웨이퍼 (4)의 접촉면에 있어서의 상대속도는, 그 실리콘웨이퍼(4)가 정반(1)의 바깥쪽에서 접촉하고 있는 경우에 보다 커지므로, 동일한 마운트 플레이트(2)에 고정되어 있는 실리콘웨이퍼(4…)중, 정반(1)과 바깥쪽에서 접촉하고 있는 실리콘웨이퍼(4)가 정반(1)의 회전에 끌려감으로써, 마운트플레이트(2)가 그 상부에 장착되어 있는 마운트 헤드(3)와 함께 정반(1)과 동일방향으로 회전한다.
이렇게 하여, 실리콘웨이퍼(4)의 아랫면이 정반(1)의 윗면에 분산된 연마숫돌가루에 의해 연마된다.
그런데, 상기와 같은 연마장치에 의해 실리콘웨이퍼(4)를 연마하는 경우에는, 실리콘 웨이퍼(4)의 아랫면의 연마저항이 정반(1)의 회전의 진입측에서 보다 커지므로, 마운트 플레이트(2)의 아랫면에 고정된 실리콘웨이퍼(4)의 아랫면이 마운트 플레이트(2)의 회전중심에서 바깥쪽을 향하여 경사진다.
이 상태의 마운트 플레이트(2)는 마운트 헤드(3)와 가압축(5)과의 연결부를지지점으로 하여 마운트 헤드(3)마다 정반(1)의 회전의 진입측을 앞으로 경사져 있다. 이러한 상태가 되면 실리콘웨이퍼(4)의 아랫면에 가해지는 압력은, 정반(1)의 회전의 진입측에서 최대가 되는 분포를 취한다. 이렇게 되면 실리콘웨이퍼(4)의 아랫면이 더욱 경사져 버린다. 이 때문에 상기한 바와 같이 하여 연마된 실리콘웨이퍼(4)는 각 부분의 두께가 균일하게 되지 않았다.
이 때문에, 도 5에 나타낸 바와 같은 연마장치가 존재한다.
이 연마장치는 격막(8)에 의해 유체(10)가 밀봉되어 있는 중공체(11)를 사용하여 마운트 플레이트(2)를 아래쪽으로 누르도록 하는 구성으로 되어 있다. 즉 이 연마장치에 있어서는, 마운트 플레이트(2)와 마운트 헤드(3)의 사이에 격막(8)에 의해 내부에 유체(10)가 밀봉되어 있는 원판형상의 중공체(11)가 장착되고, 상기 마운트 헤드(3)가 원기둥형상의 가압축(5)에 고정되어 있다.
상기 중공체(11)는 리테이너(9)에 의해 마운트 헤드(3)의 오목부(7)에 고정되어, 그 윗면이 오목부(7)의 안쪽 평면에 밀착하고 있으며, 이 중공체(11) 자체는 탄성재로 이루어진 격막(8)에 의해 구성되어 있다.
이러한 연마장치를 사용하여 실리콘웨이퍼(4)를 연마하기 위해서는, 먼저 가압축(5)을 아래쪽으로 누른다. 이와 같이 하면 마운트 헤드(3)는 그 안쪽의 평면이 격막(8)을 통해 상기 중공체의 내부의 유체(10)를 누른다. 이 때문에 유체(10)가 가압되고, 이 유체(10)가 격막(8)을 통해 마운트 플레이트(2)의 윗면을 누른다.
이 연마장치에 의하면, 마운트 헤드(3)의 하부에, 격막(8)에 의해 구성되어 내부에 유체(10)가 충전되어 있는 중공체(11)를 장착하고, 상기 격막(8)의 바깥둘레부를 링형상의 리테이너(9)에 의해 상기 마운트 헤드(3)에 고정하여, 상기 격막 (8)을 마운트 플레이트(2)의 윗면에 밀착시켜, 유체(10)의 압력에 의해 마운트 플레이트(2)의 윗면을 누르도록 구성하였으나, 격막(8)이 균일하게 마운트 플레이트 (2)의 윗면을 가압하지 않기 때문에, 이 연마장치를 사용하여 실리콘웨이퍼(4)를 연마한 경우에, 실리콘웨이퍼(4)의 균일한 연마를 행할 수 없다고 하는 문제점을 가지고 있었다.
즉, 중공체(11)인 격막(8)의 내부에 공기를 넣으면 격막(8) 자체가 거의 일정한 두께로 구성되어 있으므로 일반적으로 풍선과 같이 팽창하고, 이에 따라 마운트 플레이트(2)의 윗면을 균일하게 가압하지 않기 때문이다.
본 발명의 목적은, 내부에 공기를 봉입한 중공체가 마운트 플레이트의 전체면에 대하여 거의 일정한 가압력을 작용시키도록 하여 실리콘웨이퍼의 전체면을 거의 일정한 힘으로 가압할 수 있도록 한 연마장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 마운트 플레이트에 작용하는 가압력을 조정할 수 있도록 하고, 이에 따라 실리콘웨이퍼를 누르는 힘을 조정할 수 있도록 한 연마장치를 제공하는 데에 있다.
도 1은 본 발명에 의한 연마장치를 나타낸 전체 개략단면도,
도 2는 도 1에 도시된 연마장치에 사용하고 있는 중공체를 나타낸 개략단면도,
도 3은 종래의 연마장치를 나타낸 전체 개략단면도,
도 4는 도 3에 도시된 연마장치의 마운트 플레이트와 실리콘웨이퍼의 관계를 나타낸 개략도,
도 5는, 다른 종래의 연마장치를 나타낸 전체 개략단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 정반 2 : 마운트 플레이트
3 : 마운트 헤드 4 : 실리콘웨이퍼
5 : 가압축 7 : 오목부
8 : 격막 9 : 리테이너
10 : 유체 11 : 중공체
20 : 축체 21 : 가압판
22 : 제 2 지지체 23 : 제 1 지지체
24 : 축받이 25 : 스프링부재
26 : 절결부 27 : 조정부재
28,29 : 경계선
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 아랫면에 피연마재가 고정된 마운트 플레이트를, 이 마운트 플레이트의 윗쪽에 설치한 마운트 헤드에 의해 아래쪽에 위치하는 정반에 누른 상태에서 상기 피연마재의 아랫면을 연마하는 연마장치로서, 상기 마운트 헤드의 내부에, 내부에 유체가 밀봉됨과 동시에, 단면이 아래쪽을 두껍게 형성한 중공체를 배설하고, 이 중공체는 상기 마운트 플레이트와 접촉하는 부위를 거의 균일하게 누르는 수단을 채용한 것이다.
또한, 상기 마운트 헤드의 내부에 상기 중공체를 누르는 가압판과, 조정부재를 배설하고, 이 조정부재는 상기 가압판에 대하여 변위가 가능함과 동시에, 조정부재에 의한 조정으로 상기 마운트 플레이트와 접촉하는 중공체의 전체면을 거의 동일한 가압상태로 하는 수단을 채용한 것이다.
그리고, 상기 조정부재는 공기압력에 의해 조정이 가능한 수단을 채용한 것이다.
또한, 아랫면에 피연마재가 고정된 마운트 플레이트를, 이 마운트 플레이트의 윗쪽에 설치한 마운트 헤드에 의해 아래쪽에 위치하는 정반에 누른 상태에서 상기 피연마재의 아랫면을 연마하는 연마장치로서, 상기 마운트 헤드의 내부에, 내부에 유체가 밀봉된 동시에 단면이 아래쪽을 두껍게 형성한 중공체를 배설하고, 상기 마운트 헤드의 내부에 상기 중공체와 접촉하는 가압판과 조정부재를 배설하여, 상기 중공체를 가압판으로 눌러 소정의 가압상태로 상기 마운트 플레이트에 누름과 동시에, 상기 조정부재를 조정하여 상기 중공체중의 상기 마운트 플레이트와 접촉하는 부위를 거의 균일하게 누르도록 하며, 또 상기 가압부재를 누르는 스프링부재를 배설하여, 이 스프링부재에 의해 상기 마운트 플레이트를 균일하게 누르는 상태에서 가압력을 변화시키는 수단을 채용한 것이다.
그리고, 상기 조정부재는 공기압력에 의해 조정가능한 수단을 채용한 것이다.
본 발명은 상기의 수단을 채용함으로써, 실리콘웨이퍼를 누르는 마운트 플레이트는 중공체에 의해 균일하게 가압되어 있기 때문에, 실리콘 웨이퍼를 균일하게 가압하게 된다. 또한 중공체의 일부를 조정부재로 가압가능하게 하였기 때문에, 이 조정부재에 의해 중공체의 각 부위를 마운트 플레이트에 균일하게 가압할 수 있으며, 이에 따라 실리콘웨이퍼의 각 부위에 거의 균일한 가압력을 줄 수 있다. 또한 시간 경과변화에 의해 중공체의 내부의 압력이 변화한 경우에는 중공체의 전체를 가압판으로 가압함으로써 실리콘웨이퍼에 대한 균일한 가압력을 유지한 상태로 최적의 가압력을 부여할 수 있다.
(실시형태)
이하, 도면에 나타낸 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.
도 1에는 본 발명에 의한 연마장치의 일 실시형태를 나타내고 있으며, (1,2)는 종래의 연마장치에 사용되고 있는 것과 동일한 정반 및 마운트 플레이트이다.
상기 마운트 플레이트(2)는, 아랫면에 실리콘웨이퍼(4)가 고정된 상태로 정반(1)의 윗면에 놓여 있다. 이 마운트 플레이트(2)의 윗쪽에는 중공형상의 축체 (20)가 배치되며, 이 중공형상의 축체(20)의 하단에 연속하여 아랫면이 개구하고 있는 마운트 헤드(3)가 부착되어 있다.
이 마운트 헤드(3)의 내부는, 탄성체의 격막(8)으로 이루어지고, 또한 내부에 유체(10)가 밀봉되어 있는 중공체(11)가 위치함과 동시에, 이 중공체(11)의 윗면에는 가압판(21)이 배설되며, 한편 개구 가장자리부에는 리테이너(9)가 설치됨과 동시에 상기 마운트 플레이트(2)가 장착되어 있다.
또한, 상기 가압판(21)은 그 윗면에 중공형상의 제 2 지지체(22)가 마운트 헤드(3)의 상부를 관통한 상태로 배설되고, 한편 상기 축체(20)의 내부에 윗쪽으로부터 연이어져 있는 제 1 지지체(23)는 상기 제 2 지지체(22)와의 사이가 축받이 (24)에 의해 회전가능하도록 연결되어 있다.
이 경우, 상기 제 1 지지체(23)는 그 상단이 스프링부재(25)에 의해 탄력있게 아래쪽으로 가압된 상태에서 상기 제 2 지지체(22)와의 사이가 축받이(24)로 연결되어 있다.
따라서, 제 2 지지체(22)는 제 1 지지체(23)와 함께 상하방향으로 탄력있게 변위가 가능함과 동시에, 제 1 지지체(23)에 대하여 회전가능하게 되어 있다.
한편, 내부에 공기가 밀봉되어 있는 중공체(11)는, 그 격막(8)의 두께가 일정하지 않고, 위쪽보다 아래쪽이, 즉 상기 마운트 플레이트(2)에 접촉하는 쪽의 두께가 커지고 있다.
바꾸어 말하면, 레이디얼 타이어와 같이 접촉면이 평탄하게 되도록 격막(8)의 두께를 변화시키고 있다.
도 2에는 상기 중공체(11)의 개략 설명도를 나타내고 있으며, 도 2에 나타낸 바와 같이 위쪽, 양쪽 격막(8)의 두께에 대하여 아래쪽 격막(8)의 두께를 크게 하고, 또한 양쪽과 아래쪽의 경계선(28,29)을 마운트 플레이트(2)와 접촉시켰을 때에접촉변형이 생기지 않도록 두껍게 변화시키고 있다.
다음에, 상기와 같이 구성된 연마장치를 사용하여 실리콘웨이퍼(4)를 연마하기 위해서는, 우선 정반(1)의 윗면에 콜로이드 실리카의 알카리성 현탁액 등의 연마숫돌가루를 분산시키고 나서, 상기 연마장치를 도 1에 나타낸 바와 같이 각 부재에 설치한다.
이어서, 상기 축체(20)를 고정한 상태에서 축체(20)의 하부에 설치되어 있는 마운트 헤드(3)에 배설된 중공체(11)의 윗면에 접촉하고 있는 가압판(21)을 가압함으로써, 마운트 플레이트(2)를 통해 실리콘웨이퍼(4)를 원하는 압력으로 정반(1)의 윗면에 누른다.
이 경우, 상기 중공체(11)는 상기한 바와 같이 격막(8)은 위쪽보다도 아래쪽의 두께가 크게 구성되어 있음과 동시에, 양쪽과 아래쪽의 경계선(28,29)의 부분은 마운트 플레이트(2)와 접촉하였을 때에 접촉변형이 생기지 않도록 그 두께가 형성되어 있기 때문에, 중공체(11)는 레이디얼 타이어와 같이 변형하여 마운트 플레이트(2)에 거의 균일한 가압력으로 접촉하게 된다.
또한, 가압판(21)의 일부는 절결되어 절결부(26)가 형성되고, 이 절결부(26)의 내부에 중공체(11)의 윗면에 접촉하는 조정부재(27)가 배설되어 있기 때문에, 이 조정부재(27)의 중공체(11)에 대한 가압상태를 변화시키는 것으로, 중공체(11)의 팽창상태를 조정할 수 있으며, 이 조정에 의해 상기 중공체의 아래쪽이 레이디얼 타이어와 같이 구성되는 동시에 마운트 플레이트(2)에 대한 가압은, 어떠한 부위라도 거의 균일하게 할 수 있다.
또, 조정부재는 공기압력에 의해 변위가 가능하도록 되어 있다.
따라서, 내부에 유체(10)를 봉입한 중공체(11)가 마운트 플레이트(2)의 전체면에 대하여 거의 일정한 가압력을 작용시키도록 하여 실리콘웨이퍼(4)의 전체면을 거의 일정한 힘으로 가압할 수 있게 된다.
이렇게 하여, 중공체(11)가 마운트 플레이트(2)의 윗면을 누르고, 이에 따라 마운트 플레이트(2)의 아랫면에 고정되어 있는 실리콘웨이퍼(4)가 정반(1)의 윗면에 눌려진다. 이 상태에서 상기 정반(1)을 회전시키면 종래의 연마장치와 마찬가지로, 마운트 플레이트(2)가 정반(1)과 동일방향으로 회전하여 실리콘웨이퍼(4)의 아랫면을 연마한다.
따라서, 본 발명에 의한 연마장치에 의하면, 마운트 플레이트(2)중의 중공체 (11)와 접촉하는 부분은 중공체(11)로부터 거의 균일한 가압력을 받기 때문에 실리콘웨이퍼(4)의 연마면의 변형이 없어진다.
즉, 실리콘웨이퍼(4)는 정반(1)의 윗면에 거의 균일하게 가압되도록 되므로 연마의 불균일이 생길 우려가 없는 것이다.
또, 시간 경과의 변화에 의해 중공체(11)의 내부에 유체(10)가 감소하여, 마운트 플레이트(2)를 통한 실리콘웨이퍼(4)의 가압력이 최적이지 못하게 되는 경우가 생긴다.
이 경우에는 스프링부재(25)를 가압하여 제 1 지지체(23)를 통해 상기 제 2 지지체(22)를 누르면, 이 가압력은 가압판(21)을 하강시켜 중공체(11)를 그 이상으로 가압하게 된다.
이에 따라, 가압력을 조정하여 최적의 가압력을 확보할 수 있다.
즉, 중공체(11)의 각 부위는 중공체(11)자체의 구성과, 조정부재(27)가 중공체(11)의 일부를 가압함으로써, 마운트 플레이트(2)와의 접촉부를 거의 균일한 가압력으로 할 수 있다. 이에 따라 실리콘웨이퍼(4)에 거의 균일한 가압상태로 하여 연마의 불균일이 생기는 것을 방지할 수 있다.
또한, 거의 균일한 가압상태를 유지한 채로 가압력을 변화시킬 수도 있으므로, 실리콘웨이퍼에 대한 가압력의 조정도 용이하다.
본 발명은 상기한 바와 같이 중공체의 두께를 변화시켜 구성함으로써, 중공체가 마운트 플레이트에 대하여 접촉하는 부위를 거의 균일하게 누르도록 할 수 있으며, 이에 따라 마운트 플레이트가 실리콘웨이퍼를 정반에 대하여 거의 균일하게 눌러서, 실리콘웨이퍼의 연마의 불균일이 생기는 일 없이 균일한 연마를 행할 수 있다.
이 경우, 중공체중의 상기 마운트 플레이트에 접촉하지 않는 부위를 조정부재에 의해 가압이 가능하도록 구성함으로써, 특히 중공체의 아랫면과, 이 아랫면의 양쪽 부위가 마운트 플레이트에 대하여 거의 균일하게 누르도록 조정을 가능하게 할 수 있는 동시에, 최적의 가압상태를 얻을 수 있어 실리콘웨이퍼의 연마의 불균일을 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 마운트 플레이트에 대하여 균일한 가압상태를 유지한 채로 가압판에의해 중공체를 가압가능하게 할 수 있으므로, 가압력을 강화하거나, 혹은 약하게 하는 것을 용이하게 할 수 있어, 가압력의 조정이 가능하다고 하는 효과를 가지고 있다.

Claims (5)

  1. 아랫면에 피연마재가 고정된 마운트 플레이트를, 이 마운트 플레이트의 윗쪽에 설치된 마운트 헤드에 의해 아래쪽에 위치하는 정반에 누른 상태로 상기 피연마재의 아랫면을 연마하는 연마장치로서, 상기 마운트 헤드의 내부에, 내부에 유체가 밀봉됨과 동시에 단면이 아래쪽을 두껍게 형성한 중공체를 배설하고, 이 중공체는 상기 마운트 플레이트와 접촉하는 부위를 거의 균일하게 가압하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 마운트 헤드의 내부에, 상기 중공체를 누르는 가압판과 조정부재를 배설하고, 이 조정부재는 상기 가압판에 대하여 변위가 가능함과 동시에, 조정부재에 의한 조정으로 상기 마운트 플레이트와 접촉하는 중공체의 전체면이 거의 동일한 가압상태로 되는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 조정부재는 공기압력에 의해 조정이 가능한 연마장치.
  4. 아랫면에 피연마재가 고정된 마운트 플레이트를, 이 마운트 플레이트의 윗쪽에 설치한 마운트 헤드에 의해 아래쪽에 위치하는 정반에 누른 상태로 상기 피연마재의 아랫면을 연마하는 연마장치로서, 상기 마운트 헤드의 내부에, 내부에 유체가밀봉됨과 동시에 단면이 아래쪽을 두껍게 형성한 중공체를 배설하고, 상기 마운트 헤드의 내부에 상기 중공체와 접촉하는 가압판과 조정부재를 배설하여, 상기 중공체를 가압판으로 눌러 소정의 가압상태로 상기 마운트 플레이트에 누름과 동시에, 상기 조정부재를 조정하여 상기 중공체중의 상기 마운트 플레이트와 접촉하는 부위를 거의 균일하게 누르도록 하며, 또 상기 가압부재를 누르는 스프링부재를 배설하여, 이 스프링부재에 의해 상기 마운트 플레이트를 균일하게 누르는 상태에서 가압력을 변화시키는 것을 특징으로 하는 연마장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 조정부재는 공기압력에 의해 조정이 가능한 연마장치.
KR1019990024271A 1998-06-30 1999-06-25 연마장치 KR20000006474A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP184405 1998-06-30
JP18440598A JP2000015558A (ja) 1998-06-30 1998-06-30 研磨装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000006474A true KR20000006474A (ko) 2000-01-25

Family

ID=16152602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990024271A KR20000006474A (ko) 1998-06-30 1999-06-25 연마장치

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0976497A3 (ko)
JP (1) JP2000015558A (ko)
KR (1) KR20000006474A (ko)
TW (1) TW402546B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI462784B (zh) * 2008-09-05 2014-12-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 清洗裝置
CN110142686B (zh) * 2019-06-18 2023-08-15 肇庆金马领科智能科技有限公司 防尘恒力装置及控制方法、机械臂、研磨设备及机器人
CN113070802B (zh) * 2021-04-06 2022-03-11 安徽禾臣新材料有限公司 一种用于半导体抛光加工的无蜡垫及生产方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5643053A (en) * 1993-12-27 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control
US5643061A (en) * 1995-07-20 1997-07-01 Integrated Process Equipment Corporation Pneumatic polishing head for CMP apparatus
JP3566430B2 (ja) * 1995-12-20 2004-09-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP3106418B2 (ja) * 1996-07-30 2000-11-06 株式会社東京精密 研磨装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0976497A3 (en) 2003-01-15
JP2000015558A (ja) 2000-01-18
EP0976497A2 (en) 2000-02-02
TW402546B (en) 2000-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910009320B1 (ko) 연마장치
US7897007B2 (en) Substrate holding apparatus and substrate polishing apparatus
US5885135A (en) CMP wafer carrier for preferential polishing of a wafer
US7131892B2 (en) Wafer carrier with pressurized membrane and retaining ring actuator
US4194324A (en) Semiconductor wafer polishing machine and wafer carrier therefor
US5716258A (en) Semiconductor wafer polishing machine and method
US7108592B2 (en) Substrate holding apparatus and polishing apparatus
US5860851A (en) Polishing apparatus and polishing method using the same
US3977130A (en) Removal-compensating polishing apparatus
US20030079836A1 (en) Carrier head for chemical mechanical polishing
EP0860238B1 (en) Polishing apparatus
US6132295A (en) Apparatus and method for grinding a semiconductor wafer surface
JP3218572B2 (ja) ウェーハ加圧用ポリッシングプレート
KR100807046B1 (ko) 화학기계적 연마장치
KR20000006474A (ko) 연마장치
KR101346995B1 (ko) 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드
USRE38854E1 (en) Apparatus for and method for polishing workpiece
JP7219009B2 (ja) 基板保持装置およびドライブリングの製造方法
JP3902715B2 (ja) ポリッシング装置
JP2612012B2 (ja) 研磨装置
US20240082983A1 (en) Polishing head, and polishing treatment device
KR20050022726A (ko) 웨이퍼의 배치 연마장치
JPH03270870A (ja) 研磨装置
JP2000233360A (ja) ポリッシング装置
JP2001047354A (ja) ウェーハの研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid