JP2000015558A - 研磨装置 - Google Patents

研磨装置

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JP2000015558A
JP2000015558A JP18440598A JP18440598A JP2000015558A JP 2000015558 A JP2000015558 A JP 2000015558A JP 18440598 A JP18440598 A JP 18440598A JP 18440598 A JP18440598 A JP 18440598A JP 2000015558 A JP2000015558 A JP 2000015558A
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pressing
mount plate
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Kazutomo Hatano
和智 波田野
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    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 シリコンウエハなどの被研磨材の表面を均一
に研磨することができる研磨装置を提供する。 【解決手段】 下面に被研磨材が固定されたマウントプ
レートと、このマウントプレートの上部に位置するマウ
ントヘッドとの間に、内部に流体が密封された隔膜から
なる中空体を配設し、この中空体は、前記マウントプレ
ートに押圧する部位の形状を、マウントプレートに対し
て略均一に押圧するように平坦面に形成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、シリコンウエハ
などの被研磨材の表面を研磨する研磨装置に関するもの
である。
【0002】
【従来技術およびその問題点】一般に、IC、LSIな
どの半導体の基板材料としては、シリコンウエハが用い
られている。このシリコンウエハは、片面が鏡面研磨さ
れている。従来、このようなシリコンウエハの研磨装置
としては、図3に示すようなものが知られている。
【0003】図3において1は定盤であり、2はマウン
トプレート、3はマウントプレート2の上部に装着され
たマウントヘッドである。
【0004】定盤1は、上面に研磨パットが装着される
とともに、平面から見て円形の回転板である。
【0005】マウントプレート2は、セラミックスやガ
ラス材料からなる円板であり、その両面が研磨されて平
坦な面とされている。このマウントプレート2の片面に
は、図4に示すように、一枚以上複数枚(図4では4
枚)のシリコンウエハ4…が平面から見て等間隔の位置
に固定されている。
【0006】このシリコンウエハ4をマウントプレート
2へ固定する方法としては、シリコンウエハ4の片面に
ワックスを塗布することにより、シリコンウエハ4をマ
ウントプレート2の片面へ貼着して固定するワックス法
と、真空吸着、水貼り等の方法により接着して固定する
ワックスレス法とがある。
【0007】これらの方法によりシリコンウエハ4が片
面に固定されたマウントプレート2は、そのシリコンウ
エハ4が固定されている面を下方に向けた状態で定盤1
の上面に載置されている。
【0008】定盤1の上面に載置されているマウントプ
レート2は、1つの定盤1の上面に1つ以上複数個(図
では1つのみ示す)が配置されている。これらのマウン
トプレート2…は、平面から見て周方向へ等間隔に位置
している。このマウントプレート2は、その上部がマウ
ントヘッド3に嵌合され、その上面がマウントヘッド3
の内平面と密着している。
【0009】マウントヘッド3は、その上部の中央に加
圧軸5が連結され、この加圧軸5に対して首振り自在、
かつ、回転自在となっている。上記のような構成の研磨
装置を用いてシリコンウエハ4を研磨するには、まず、
定盤1の上面にコロイダルシリカのアルカリ性懸濁液な
どの研磨砥粒を分散させる。
【0010】このようにした定盤1の上面に、シリコン
ウエハ4が固定されたマウントプレート2をシリコンウ
エハ4が固定されている面を下方に向けた状態で載置す
る。そして、このマウントプレート2の上方に配置され
ているマウントヘッド3をマウントプレート2の上部に
装着する。
【0011】この後、空気圧シリンダ、油圧シリンダ等
を用いて(デッドウエイト方式もある)、マウントヘッ
ド3の上部に連結されている加圧軸5を下方へ押圧する
ことにより、シリコンウエハ4を定盤1の上面に押圧す
る。このような状態で定盤1を回転させる。この場合、
この定盤1とシリコンウエハ4との接触面における相対
速度は、そのシリコンウエハ4が定盤1の外側において
接触している場合に、より大きくなるので、同一のマウ
ントプレート2に固定されているシリコンウエハ4…の
うち、定盤1と外側で接触しているシリコンウエハ4が
定盤1の回転に引きずられることにより、マウントプレ
ート2がその上部に装着されているマウントヘッド3と
ともに定盤1と同一方向に回転する。
【0012】このようにして、シリコンウエハ4の下面
が、定盤1の上面に分散された研磨砥粒により研磨され
る。ところが、上記のような研磨装置によりシリコンウ
エハ4を研磨する場合には、シリコンウエハ4の下面の
研磨抵抗が定盤1の回転の進入側において、より大きく
なるので、マウントプレート2の下面に固定されたシリ
コンウエハ4の下面がマウントプレート2の回転中心か
ら外側に向けて傾斜する。
【0013】この状態のマウントプレート2は、マウン
トヘッド3と加圧軸5との連結部を支点としてマウント
ヘッド3ごと定盤1の回転の進入側に前傾している。こ
のような状態になると、シリコンウエハ4の下面に加わ
る圧力は、定盤1の回転の進入側において最大となるよ
うな分布をとる。こうなると、シリコンウエハ4の下面
がさらに傾斜していく。このため、上記のようにして研
磨されたシリコンウエハ4には、各部分の厚さが均一に
ならなかった。
【0014】このために、図5に示すような研磨装置が
存在している。この研磨装置は、隔膜8によって流体1
0が密封されている中空体11を用いてマウントプレー
ト2を下方へ押圧するような構成となっている。すなわ
ち、この研磨装置においては、マウントプレート2とマ
ウントヘッド3との間に、隔膜8によって内部に流体1
0が密封されている円板状の中空体11が装着され、前
記マウントヘッド3が円柱状の加圧軸5に固定されてい
る。
【0015】前記中空体11は、リテーナ9によりマウ
ントヘッド3の凹部7に固定され、その上面が凹部7の
内平面に密着しており、この中空体11自体は、弾性材
からなる隔膜8により構成されている。
【0016】このような研磨装置を用いてシリコンウエ
ハ4を研磨するには、まず、加圧軸5を下方へ押圧す
る。このようにすると、マウントヘッド3は、その内側
の平面が隔膜8を通して前記中空体の内部の流体10を
押圧する。このため、流体10が加圧され、この流体1
0が隔膜8を通してマウントプレート2の上面を押圧す
る。
【0017】この研磨装置によれば、マウントヘッド3
の下部に、隔膜8により構成され内部に流体10が充填
されている中空体11を装着し、前記隔膜8の外周部を
リング状のリテーナ9により前記マウントヘッド3に固
定し、前記隔膜8をマウントプレート2の上面に密着さ
せ、流体10の圧力によりマウントプレート2の上面を
押圧するように構成したが、隔膜8が均一にマウントプ
レート2の上面を押圧することがないので、この研磨装
置を用いてシリコンウエハ4を研磨した場合に、シリコ
ンウエハ4の均一な研磨が行えないという問題点を有し
ていた。
【0018】すなわち、中空体11である隔膜8の内部
に空気を入れると隔膜8自体がほぼ一定の厚みで構成さ
れているので一般的には風船のように膨張し、これによ
り、マウントプレート2の上面に均一に押圧することが
ないからである。
【0019】この発明の目的は、内部に空気を封入した
中空体がマウントプレートの全面に対して略一定の押圧
力を作用させるようにしてシリコンウエハの全面を略一
定の力で押圧できるようにした研磨装置を提供すること
にある。この発明の他の目的は、マウントプレートに作
用する押圧力を調整できるようにし、これによってシリ
コンウエハを押圧する力を調整できるようにした研磨装
置を提供することにある。
【0020】
【問題点を解決するための手段】上記の目的を達成する
ためにこの発明は、下面に被研磨材が固定されたマウン
トプレートを、このマウントプレートの上方に設けたマ
ウントヘッドによって下方に位置する定盤に押圧した状
態で前記被研磨材の下面を研磨する研磨装置であって、
前記マウントヘッドの内部に、内部に流体が密封される
とともに、断面が下側を肉厚に形成した中空体を配設
し、この中空体は前記マウントプレートと当接する部位
が略均一に押圧する手段を採用したものである。また、
前記マウントヘッドの内部に、前記中空体を押圧する押
圧板と、調整部材とを配設し、この調整部材は前記押圧
板に対して変位可能であるとともに、調整部材による調
整で前記マウントプレートと接触する中空体の全面が略
同一の押圧状態とした手段を採用したものである。そし
て、前記調整部材は空気圧によって調整可能である手段
を採用したものである。さらに、下面に被研磨材が固定
されたマウントプレートを、このマウントプレートの上
方に設けたマウントヘッドによって下方に位置する定盤
に押圧した状態で前記被研磨材の下面を研磨する研磨装
置であって、前記マウントヘッドの内部に、内部に流体
が密封されるとともに、断面が下側を肉厚に形成した中
空体を配設し、前記マウントヘッドの内部に前記中空体
と当接する押圧板と調整部材とを配設し、前記中空体を
押圧板で押圧して所定の押圧状態で前記マウントプレー
トに押圧するとともに、前記調整部材を調整して前記中
空体のうちの前記マウントプレートと当接する部位が略
均一に押圧するようにし、さらに、前記押圧部材を押圧
するばね部材を配設し、このばね部材によって前記マウ
ントプレートを均一に押圧した状態で押圧力を変化させ
る手段を採用したものである。そして、前記調整部材は
空気圧によって調整可能である手段を採用したものであ
る。
【0021】
【作用】この発明は上記の手段を採用したことにより、
シリコンウエハを押圧するマウントプレートは中空体に
よって均一に押圧されているので、シリコンウエハを均
一に押圧することになる。また、中空体の一部を調整部
材で押圧可能としたので、この調整部材によって中空体
の各部位がマウントプレートに均一に押圧することがで
き、これによってシリコンウエハの各部位に略均一な押
圧力を与えることができる。さらに、経時変化によって
中空体の内部の圧力が変化した場合には中空体の全体を
押圧板で押圧することによりシリコンウエハに対する均
一な押圧力を保持した状態で最適な押圧力を与えること
ができる。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、図面に示すこの発明の実施
の形態について説明する。図1にはこの発明による研磨
装置の一実施の形態が示されていて、1、2は従来の研
磨装置に用いられているものと同様な定盤、およびマウ
ントプレートである。
【0023】前記マウントプレート2は、下面にシリコ
ンウエハ4が固定された状態で定盤1の上面に載置され
ている。このマウントプレート2の上方には中空状の軸
体20が配置され、この中空状の軸体20の下端に連続
して下面が開口しているマウントヘッド3が取付けられ
ている。
【0024】このマウントヘッド3の内部には、弾性体
の隔膜8からなり、かつ、内部に流体10が密封されて
いる中空体11が位置するとともに、この中空体11の
上面には押圧板21が配設され、一方、開口縁部にはリ
テーナ9が設けられるとともに前記マウントプレート2
が取付けられている。
【0025】また、前記押圧板21はその上面に中空状
の第2支持体22がマウントヘッド3の上部を貫通した
状態で配設され、一方、前記軸体20の内部に上方から
延びている第1支持体23は前記第2支持体22との間
が軸受け24によって回転可能に連結されている。この
場合、前記第1支持体23は、その上端がばね部材25
によって弾発的に下方に押圧された状態で前記第2支持
体22との間を軸受け24で連結されている。
【0026】したがって、第2支持体22は第1支持体
23と一緒に上下方向に弾発的に変位可能であるととも
に、第1支持体23に対して回転可能となっている。
【0027】一方、内部に空気が密封されている中空体
11は、その隔膜8の厚みが一定ではなく、上側よりも
下側の方が、すなわち、前記マウントプレート2に当接
する側の肉厚が大きくなっている。言い換えれば、ラジ
アルタイヤのように接触面が平坦になるように隔膜8の
肉厚を変化させている。
【0028】図2には前記中空体11の概略説明図が示
されていて、図2に示すように上側、両側の隔膜8の肉
厚に対して下側の隔膜8の肉厚を大きくし、しかも、両
側と下側との境目28、29をマウントプレート2と接
触した際に接触変形が生じないような肉厚に変化させて
ある。
【0029】次に前記のように構成された研磨装置を用
いてシリコンウエハ4を研磨するには、まず、定盤1の
上面に、コロイドシリカルのアルカリ性懸濁液などの研
磨砥粒を分散させ、このようにしてから、この研磨装置
を図1に示すように各部材を設置する。
【0030】次に、前記軸体20を固定した状態で軸体
20の下部に設けられているマウントヘッド3に配設さ
れた中空体11の上面に当接している押圧板21を押圧
することにより、マウントプレート2を介してシリコン
ウエハ4を所望の圧力で定盤1の上面に押圧する。
【0031】この場合、前記中空体11は前記したよう
に隔膜8は上側よりも下側の方が肉厚が大きく構成され
ているとともに、両側と下側との境目28、29の部分
はマウントプレート2と接触した際に接触変形が生じな
いように、その肉厚が形成されているので、中空体11
は、ラジアルタイヤのように変形してマウントプレート
2に略均一の押圧力で接触することになる。
【0032】さらに、押圧板21の一部は切欠されて切
欠部26が形成され、この切欠部26の内部に中空体1
1の上面に当接する調整部材27が配設されているの
で、この調整部材27の中空体11に対する押圧状態を
変化させることで、中空体11の膨らみ状態を調整する
ことができ、この調整によって、前記中空体の下側がラ
ジアルタイヤのように構成されたことと相俟ってマウン
トプレート2に対する押圧は、どの部位であっても略均
一にすることができる。なお、調整部材は空気圧によっ
て変位可能となっている。
【0033】したがって、内部に流体10を封入した中
空体11がマウントプレート2の全面に対して略一定の
押圧力を作用させるようにしてシリコンウエハ4の全面
を略一定の力で押圧できるようになる。
【0034】このようにして、中空体11がマウントプ
レート2の上面を押圧し、これにより、マウントプレー
ト2の下面に固定されているシリコンウエハ4が定盤1
の上面に押圧される。この状態で前記定盤1を回転させ
ると、従来の研磨装置と同様に、マウントプレート2が
定盤1と同一方向に回転し、シリコンウエハ4の下面を
研磨する。
【0035】したがって、この発明による研磨装置によ
れば、マウントプレート2のうちの中空体11と接触す
る部分は中空体11から略均一の押圧力を受けるのでシ
リコンウエハ4の研磨面の変形がなくなる。すなわち、
シリコンウエハ4は定盤1の上面に略均一に押圧される
ことになるので研磨むらが生じる恐れがないものであ
る。
【0036】また、経時変化によって中空体11の内部
に流体10が減少し、マウントプレート2を介してのシ
リコンウエハ4の押圧力が最適でなくなる場合が生じ
る。この場合には、ばね部材25を加圧して第1支持体
23を介して前記第2支持体22を押圧すると、この押
圧力は押圧板21を下降させて中空体11をそれまで以
上に押圧することになる。これによって、押圧力を調整
して最適な押圧力を確保することができる。
【0037】すなわち、中空体11の各部位は中空体1
1自体の構成と、調整部材27が中空体11の一部を押
圧することとによって、マウントプレート2との接触部
を略均一の押圧力とすることができる。これによってシ
リコンウエハ4に略均一の押圧状態として研磨むらが生
じるのを防止することができる。また、略均一の押圧状
態を保持したままで押圧力を変化させることもできるの
で、シリコンウエハに対する押圧力の調整も容易であ
る。
【0038】
【発明の効果】この発明は前記のように中空体の肉厚を
変化させて構成したことにより、中空体がマウントプレ
ートに対して接触する部位を略均一に押圧するようにで
き、これによって、マウントプレートがシリコンウエハ
を定盤に対して略均一に押圧し、シリコンウエハの研磨
むらが生じることなく均一な研磨をすることができる。
この場合、中空体のうちの前記マウントプレートに接触
しない部位を調整部材によって押圧可能に構成したこと
により、特に、中空体の下面と、この下面の両側の部位
とがマウントプレートに対して略均一に押圧するように
調整可能とすることができるとともに、最適な押圧状態
を得ることができてシリコンウエハの研磨むらを確実に
防止できる。また、マウントプレートに対して均一な押
圧状態を保持したままで押圧板によって中空体を押圧可
能とすることができるので、押圧力を強めたり、あるい
は弱めたりすることが容易にできて、押圧力の調整が可
能であるという効果を有している。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明による研磨装置を示す全体概略断面図
である。
【図2】図1に示す研磨装置に用いられている中空体を
示す概略断面図である。
【図3】従来の研磨装置を示す全体概略断面図である。
【図4】図3に示す研磨装置のマウントプレートとシリ
コンウエハとの関係を示す概略図である。
【図5】他の従来の研磨装置を示す全体概略断面図であ
る。
【符号の説明】
1……定盤 2……マウントプレート 3……マウントヘッド 4……シリコンウエハ 5……加圧軸 7……凹部 8……隔膜 9……リテーナ 10……流体 11……中空体 20……軸体 21……押圧板 22……第2支持体 23……第1支持体 24……軸受け 25……ばね部材 26……切欠部 27……調整部材 28、29……境目

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下面に被研磨材が固定されたマウントプ
    レートを、このマウントプレートの上方に設けたマウン
    トヘッドによって下方に位置する定盤に押圧した状態で
    前記被研磨材の下面を研磨する研磨装置であって、前記
    マウントヘッドの内部に、内部に流体が密封されるとと
    もに、断面が下側を肉厚に形成した中空体を配設し、こ
    の中空体は前記マウントプレートと当接する部位が略均
    一に押圧することを特徴とする研磨装置。
  2. 【請求項2】 前記マウントヘッドの内部に、前記中空
    体を押圧する押圧板と、調整部材とを配設し、この調整
    部材は前記押圧板に対して変位可能であるとともに、調
    整部材による調整で前記マウントプレートと接触する中
    空体の全面が略同一の押圧状態となることを特徴とする
    研磨装置。
  3. 【請求項3】 前記調整部材は空気圧によって調整可能
    である請求項2記載の研磨装置。
  4. 【請求項4】 下面に被研磨材が固定されたマウントプ
    レートを、このマウントプレートの上方に設けたマウン
    トヘッドによって下方に位置する定盤に押圧した状態で
    前記被研磨材の下面を研磨する研磨装置であって、前記
    マウントヘッドの内部に、内部に流体が密封されるとと
    もに、断面が下側を肉厚に形成した中空体を配設し、前
    記マウントヘッドの内部に前記中空体と当接する押圧板
    と調整部材とを配設し、前記中空体を押圧板で押圧して
    所定の押圧状態で前記マウントプレートに押圧するとと
    もに、前記調整部材を調整して前記中空体のうちの前記
    マウントプレートと当接する部位が略均一に押圧するよ
    うにし、さらに、前記押圧部材を押圧するばね部材を配
    設し、このばね部材によって前記マウントプレートを均
    一に押圧した状態で押圧力を変化させることを特徴とす
    る研磨装置。
  5. 【請求項5】 前記調整部材は空気圧によって調整可能
    である請求項4記載の研磨装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110142686A (zh) * 2019-06-18 2019-08-20 肇庆金马领科智能科技有限公司 防尘恒力装置及控制方法、机械臂、研磨设备及机器人

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI462784B (zh) * 2008-09-05 2014-12-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 清洗裝置
CN113070802B (zh) * 2021-04-06 2022-03-11 安徽禾臣新材料有限公司 一种用于半导体抛光加工的无蜡垫及生产方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5643053A (en) * 1993-12-27 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control
US5643061A (en) * 1995-07-20 1997-07-01 Integrated Process Equipment Corporation Pneumatic polishing head for CMP apparatus
JP3566430B2 (ja) * 1995-12-20 2004-09-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP3106418B2 (ja) * 1996-07-30 2000-11-06 株式会社東京精密 研磨装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110142686A (zh) * 2019-06-18 2019-08-20 肇庆金马领科智能科技有限公司 防尘恒力装置及控制方法、机械臂、研磨设备及机器人
CN110142686B (zh) * 2019-06-18 2023-08-15 肇庆金马领科智能科技有限公司 防尘恒力装置及控制方法、机械臂、研磨设备及机器人

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