KR20000005607A - Burn-in process for semiconductor devices and control system therefor - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 번인 방법 및 번인 장치 제어 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a burn-in method and a burn-in device control system.
반도체 집적 회로 장치, 저항 칩 등의 전자 부품은 일반적으로 번인 장치를 사용하여 내구성의 시험이 이루어지고, 그 내구성 시험을 클리어 한 것이 출하되고 있다. 최근에, 대량으로 생산되는 전자 부품에 관하여 번인 시험을 행하는 경우, 생산 효율을 고려하여 복수개의 번인 장치를 사용하여 행해지고 있다. 이 때, 각 번인 장치에 의해서 시험되는 전자 부품은 그 번인의 조건이 동일한 것이 바람직하다. 즉, 각 번인 장치에 의해서 시험 되더라도 번인의 조건을 같게 하여, 될 수 있는 한 전자 부품의 내구성에 오차가 생기지 않도록 하는 것이 요구되고 있다.In general, electronic components such as semiconductor integrated circuit devices and resistance chips are tested for durability using burn-in devices, and those that have cleared the durability test are shipped. In recent years, when burn-in tests are performed on electronic parts produced in large quantities, a plurality of burn-in devices are used in consideration of production efficiency. At this time, it is preferable that the electronic components tested by each burn-in apparatus have the same conditions of burn-in. That is, even if tested by each burn-in apparatus, it is required to make burn-in conditions the same so that an error may not arise in the durability of an electronic component as much as possible.
종래, 메모리 등의 반도체 집적 회로 장치는 출하 전에 번인 처리가 이루어지고 그 번인 처리를 클리어 한 것이 출하되고 있다. 번인 처리는 어떤 환경(예컨대, 100℃의 분위기로 12시간∼24시간)하에서 반도체 집적 회로 장치를 동작시켜 내구성의 시험을 행하는 처리이다.BACKGROUND ART Conventionally, a semiconductor integrated circuit device such as a memory has been burned-in before shipment, and that which has cleared the burn-in has been shipped. The burn-in process is a process in which a semiconductor integrated circuit device is operated under a certain environment (for example, 12 hours to 24 hours in an atmosphere of 100 ° C.) to test durability.
번인 처리는 번인 장치를 사용하여 행하여진다. 번인 장치는 대량의 반도체 집적 회로 장치를 고온의 분위기로 장시간 동작시킨다. 그리고, 번인 장치는 어떤일정 시간마다 고장나는 반도체 집적 회로 장치의 고장율이 소정의 작은 값을 유지하게 될 때 번인 처리를 종료시킨다. 번인 처리 후, 고장이 발생하지 않고 남은 반도체 집적 회로 장치는 소정의 내구성이 보증된다.Burn-in processing is performed using a burn-in apparatus. The burn-in device operates a large amount of semiconductor integrated circuit device in a high temperature atmosphere for a long time. Then, the burn-in device terminates the burn-in process when the failure rate of the semiconductor integrated circuit device which fails every certain time maintains a predetermined small value. After the burn-in process, the semiconductor integrated circuit device remaining without a failure is guaranteed with a predetermined durability.
도 5는 종래의 번인 장치의 번인 처리 동작을 도시하는 플로우챠트이다. 번인 장치는 100℃의 분위기로 반도체 집적 회로 장치에 대하여 모니터 동작을 개시, 즉 번인을 개시한다(단계1). 번인 장치는 미리 정한 샘플링 시간(예컨대, 1시간)이 되면 각 반도체 집적 회로 장치를 측정하여 고장난 반도체 집적 회로 장치를 검출하여 그 반도체 집적 회로 장치를 특정함과 동시에 그 샘플링 시간에 고장이 발생한 회수(고장회수)를 연산하여 유지한다(단계2). 번인 장치는 최저 번인 시간(예컨대, 12시간)이 경과했는지의 여부에 대해 체크하고(단계3), 경과하지 않았으면 단계 1 및 단계 2의 동작을 반복한다.5 is a flowchart showing the burn-in processing operation of the conventional burn-in apparatus. The burn-in device starts the monitor operation, i.e., burn-in, with respect to the semiconductor integrated circuit device in an atmosphere of 100 ° C (step 1). When the burn-in device reaches a predetermined sampling time (for example, one hour), each of the semiconductor integrated circuit devices is measured to detect a failed semiconductor integrated circuit device, identify the semiconductor integrated circuit device, and at the same time, the number of occurrences of the failure in the sampling time ( The number of failures) is calculated and maintained (step 2). The burn-in apparatus checks whether the lowest burn-in time (e.g., 12 hours) has elapsed (step 3), and if not, repeats the operations of steps 1 and 2.
최저 번인 시간이 경과하면 번인 장치는 번인을 계속한다(단계S4). 번인 장치는 샘플링 시간(1시간)이 경과하면 남은 각 반도체 집적 회로 장치를 측정하여 고장난 반도체 집적 회로 장치를 검출하여 그 반도체 집적 회로 장치를 특정함과 동시에 그 때의 고장회수를 연산한다(단계5).If the minimum burn-in time has elapsed, the burn-in apparatus continues to burn-in (step S4). When the sampling time (1 hour) elapses, the burn-in device measures each remaining semiconductor integrated circuit device, detects a failed semiconductor integrated circuit device, specifies the semiconductor integrated circuit device, and calculates the number of failures at that time (step 5). ).
계속해서 번인 장치는 고장율((고장회수/시험 반도체 집적 회로 장치의 총 수)·100(%))의 계산을 행하고, 그 고장율이 안정기에 들어 갔는지의 여부를 판정한다 (단계6). 이 고장율의 안정기의 판정은, 예컨대 고장율이 미리 정한 작은 기준 고장율에 도달하고, 그 최근의 고장율과 이전의 1시간전 고장율의 편차(변동치)가 미리 정한 기준 변동치 이하(예컨대, 0.1%)로서 그 변동치가 기준 변동치 이하의 상태를 미리 정한 기준 계속 회수(예컨대, 2회) 계속되었는지에 대한 계산이다.Subsequently, the burn-in apparatus calculates a failure rate ((the total number of failures / test semiconductor integrated circuit devices) · 100 (%)) and determines whether the failure rate has entered the ballast (step 6). The determination of the ballast of this failure rate is such that, for example, the failure rate reaches a small reference failure rate predetermined in advance, and the deviation (change value) between the latest failure rate and the previous failure rate one hour ago is equal to or less than the predetermined reference variation value (for example, 0.1%). It is a calculation as to whether the change has continued a predetermined number of times (e.g., two times) for a predetermined state below the reference change.
그리고, 번인 장치는 판정 결과에 따라, 고장율이 안정기에 들어갔는지에 대한 여부를 체크하고(단계7), 들어가지 않았을 경우에는 단계 4로 돌아가 번인을 계속한다. 반대로 안정기에 들어갔을 경우에는 번인 처리를 종료한다.The burn-in apparatus checks whether or not the failure rate has entered the ballast in accordance with the determination result (step 7), and if not, returns to step 4 to continue the burn-in. On the contrary, when it enters a ballast, burn-in process is complete | finished.
도 6은 번인 시간과 고장율의 관계를 도시하는 설명도이다. 번인에 의한 고장율은 번인 초기에는 고장율이 큰 값을 가지며 시간의 경과와 함께 감소된다(초기 고장기). 이어서, 고장율은 임의의 작은 값으로 집중되어 그 값을 유지하게 된다(우발 고장기). 또, 번인을 계속하면 고장율은 어떤 시간에서 급격히 증가하게 된다(마모 고장기).6 is an explanatory diagram showing a relationship between burn-in time and failure rate. The failure rate by burn-in has a large value in the initial stage of burn-in and decreases with time (initial failure). The failure rate is then concentrated at any small value and maintained at that value (an accidental breaker). Also, if burn-in is continued, the failure rate increases rapidly at some time (wear failure).
그리고, 초기 고장기로부터 우발 고장기에 들어 갔을 때(도 6에 있어서 C 점으로 나타내는 번인 시간)가 고장율이 안정기에 들어 간 것으로 하는 것이 이상적이다. 즉, 번인 장치는 초기 고장기의 도 6에 있어서 A점으로 표시된 시간에서, 번인을 종료하면 번인 시간이 충분하지 않아 출하되는 반도체 집적 회로 장치의 고장율이 높고 품질이 나빠진다. 반대로 우발 고장기에 있어서 C점보다 번인 시간이 긴 B점으로 표시된 시간에서 종료하면 번인 시간이 길어져 효율이 나빠짐과 동시에 반도체 집적 회로 장치의 수명이 짧아 진다. 그래서, 번인 장치에 있어서는 도 6의 C 점에서 번인을 종료하도록 고장율의 안정기, 즉 상기 기준 고장율, 기준 변동치 및 기준 계속 회수를 사전에 설정하여 번인 처리을 행하고 있다. 따라서, 번인 장치는 고장율이 안정기가 되면 자동적으로 번인 처리를 종료한다.And when it entered into the accidental breaker from the initial breaker (burn-in time shown by C point in FIG. 6), it is ideal that the failure rate entered the ballast. That is, the burn-in device has a high failure rate and a poor quality of the semiconductor integrated circuit device which is shipped when the burn-in time is not sufficient when the burn-in is finished at the time indicated by the point A in FIG. On the contrary, when the burn-in time ends at the time indicated by the point B which is longer than the point C in the accidental fault, the burn-in time becomes longer, resulting in poor efficiency and shortening the life of the semiconductor integrated circuit device. Therefore, in the burn-in apparatus, the ballast of the failure rate, that is, the reference failure rate, the reference fluctuation value, and the reference continuation number is set in advance so as to terminate burn-in at point C of FIG. Therefore, the burn-in apparatus ends the burn-in process automatically when the failure rate stabilizes.
최근에 반도체 집적 회로 장치의 생산성이 향상하고, 동일 처리 단위(로트)의 반도체 집적 회로 장치가 대량으로 생산되고 있다. 따라서, 동일 처리 단위의 모든 반도체 집적 회로 장치를 함께 1개의 번인 장치로 번인 처리를 행할 수 없다. 따라서, 번인 처리 효율을 고려하여 복수개의 번인 장치를 사용하여 번인 처리를 하지 않으면 안된다.In recent years, the productivity of semiconductor integrated circuit devices has improved, and semiconductor integrated circuit devices of the same processing unit (lot) have been mass produced. Therefore, burn-in processing cannot be performed together with all the semiconductor integrated circuit devices of the same processing unit by one burn-in device. Therefore, in consideration of burn-in processing efficiency, burn-in processing must be performed using a plurality of burn-in devices.
그런데, 동일 처리 단위의 반도체 집적 회로 장치에 있어서, 제조 초기, 제조 중기 및 제조 후기에 각각 제조된 반도체 집적 회로 장치는 그 제조에 오차가 있다. 일반적으로 제조 초기에 제조된 반도체 집적 회로 장치는 제조 후기에 제조된 반도체 집적 회로 장치보다 제조가 안정적이지 않아 고장율이 높은 것으로 알려져 있다.By the way, in the semiconductor integrated circuit device of the same processing unit, the semiconductor integrated circuit device manufactured at the manufacturing initial stage, the intermediate stage, and the late stage of manufacture has an error in the manufacture. In general, semiconductor integrated circuit devices manufactured at the beginning of manufacturing are known to have a higher failure rate since they are not manufactured more stable than semiconductor integrated circuit devices manufactured at a later stage of manufacture.
따라서, 동일 처리 단위의 반도체 집적 회로 장치를 복수의 조(group)으로 분할하고 각각의 조의 반도체 집적 회로 장치를 각각의 각 번인 장치로 번인 처리를 행하는 경우 이하의 문제가 생긴다. 즉, 상기한 바와 같이 각 번인 장치는 고장율이 안정기가 되면 자동적으로 번인 처리를 종료한다. 따라서, 초기시에 제조된 조의 반도체 집적 회로 장치를 번인 처리하는 번인 장치와 후반시에 제조된 조의 반도체 집적 회로 장치를 번인 처리하는 번인 장치에서는 번인 시간이 상이하다. 즉, 제조 후기에 제조한 조의 반도체 집적 회로 장치를 번인 처리하는 번인 장치는, 제조 초기에 제조한 조의 반도체 집적 회로 장치를 번인 처리하는 번인 장치보다 그 번인 시간이 짧아진다.Therefore, the following problems arise when dividing a semiconductor integrated circuit device of the same processing unit into a plurality of groups and performing burn-in processing of each group of semiconductor integrated circuit devices with each burn-in device. That is, as described above, each burn-in device automatically terminates the burn-in process when the failure rate stabilizes. Therefore, the burn-in time differs from the burn-in apparatus which burns-in the group of semiconductor integrated circuit devices manufactured at the beginning, and the burn-in apparatus which burns-in the group of semiconductor integrated circuit devices manufactured at the later half. That is, the burn-in apparatus which burns-in the group of semiconductor integrated circuit devices manufactured by the manufacture later is shorter than the burn-in apparatus which burns-in the group of semiconductor integrated circuit devices manufactured at the beginning of manufacture.
상세히 기술하면, 각 번인 장치에서 번인 조건(번인 시간)이 상이하다. 그결과, 이 번인 조건은 제품 출하 후에 발생하는 장애에 대하여 아무런 보증도 되지 않게 된다. 또한, 번인 조건의 상이는 제품 수명의 격차로 연결된다.In detail, the burn-in conditions (burn-in times) are different in each burn-in apparatus. As a result, this burn-in condition does not provide any warranty against failures that occur after shipment of the product. In addition, different burn-in conditions lead to gaps in product life.
또한, 동일 처리 단위가 변할 때마다 번인 조건이 변하므로 동일 처리 단위가 변할 때마다 각 번인 장치에 대하여 번인 프로그램을 교체하여야 하고 생산성의 저하를 초래한다는 문제를 가지고 있다.In addition, since the burn-in conditions change whenever the same processing unit changes, the burn-in program needs to be replaced for each burn-in apparatus whenever the same processing unit changes, resulting in a decrease in productivity.
본 발명은 상기 문제점을 해소하기 위해서 이루어진 것으로 그 목적은 품질의 안정과 생산성의 향상을 도모할 수 있는 번인 방법과 번인 장치 제어 시스템을 제공하는 데에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a burn-in method and a burn-in apparatus control system capable of achieving stable quality and improved productivity.
도 1은 번인 장치 제어 시스템의 시스템 구성도.1 is a system configuration diagram of a burn-in device control system.
도 2는 번인 장치의 동작을 도시하는 플로우챠트.2 is a flowchart showing the operation of the burn-in apparatus.
도 3은 측정 결과 처리 장치의 동작을 도시하는 플로우챠트.3 is a flowchart showing the operation of the measurement result processing apparatus.
도 4는 구별 예를 설명하기 위한 번인 장치의 동작을 도시하는 플로우챠트.4 is a flowchart showing the operation of the burn-in apparatus for explaining the discriminating example.
도 5는 종래의 번인 장치의 동작을 도시하는 플로우챠트.5 is a flowchart showing the operation of the conventional burn-in apparatus.
도 6은 번인 시간과 고장율의 관계를 도시하는 설명도.6 is an explanatory diagram showing a relationship between burn-in time and failure rate;
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
11 : 제1 번인 장치11: first burn-in device
12 : 제2 번인 장치12: second burn-in device
13 : 제3 번인 장치13: third burn-in device
14 : 네트워크14: network
15 : 측정 결과 처리 장치15: measurement result processing device
Tl : 최저 번인 시간Tl: Lowest Burn-in Time
T2 : 최대 번인 시간T2: maximum burn-in time
Q : 기준 고장율Q: standard failure rate
K : 기준 변동치K: reference value
N : 기준 계속 회수N: standard continuation
TS : 샘플링 시간TS: sampling time
청구항 1 기재의 발명은 다수개의 전자 부품을 복수의 번인 장치로 배분하고 각각의 번인 장치에서 그 배분된 전자 부품을 번인하는 번인 방법에 있어서, 각 번인 장치 중에서 전자 부품의 고장율이 안정기에 들어가기까지 요하는 시간이 가장 긴 번인 장치에 맞추어 그 가장 긴 시간에 모든 번인 장치의 번인을 종료시키도록 하였다.The invention described in claim 1 is a burn-in method of distributing a plurality of electronic components to a plurality of burn-in devices and burn-in the distributed electronic parts in each burn-in device, until the failure rate of the electronic parts in each burn-in device enters the ballast. The burn-in time of all burn-in devices was terminated in the longest time in accordance with the longest burn-in device.
청구항 2 기재의 발명은 청구항 1 기재의 번인 방법에 있어서, 각 번인 장치는 모두 동시에 번인이 개시되고, 각 번인 장치 중에서 전자부품의 고장율의 안정기가 다른 번인 장치보다 일찍 도달한 번인 장치는, 안정기에 들어가기까지 소요되는 시간이 가장 긴 번인 장치가 안정기에 들어가기까지 번인을 속행하도록 하였다.In the burn-in method according to claim 1, in the burn-in method according to claim 1, the burn-in of each burn-in device is started at the same time, and among the burn-in devices, the burn-in device in which the failure rate of the electronic component has reached earlier than other burn-in devices is The burn-in device with the longest time to enter was allowed to continue burn-in until entering the ballast.
청구항 3 기재의 발명은 청구항 1 기재의 번인 방법에 있어서, 각 번인 장치는 상이한 시점에서 번인이 개시되고, 각 번인 장치 중에서 전자 부품의 고장율의안정기가 다른 번인 장치보다 빨리 도달한 번인 장치는, 안정기에 들어가기까지 소요되는 시간이 가장 긴 번인 장치가 안정기에 들어가기까지 다른 번인 장치의 번인을 계속 동기시키면서 번인을 속행하도록 하였다.In the burn-in method of Claim 1, burn-in of each burn-in apparatus is started in a different time, and the burn-in apparatus in which the failure rate of the failure rate of an electronic component reached faster than another burn-in apparatus among each burn-in apparatus is a ballast. The burn-in device with the longest time to enter is continued while the burn-in of other burn-in devices is continued until the burn-in device enters the ballast.
청구항 4 기재의 발명은 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항 기재의 번인 방법에 있어서, 상기 다수개의 전자 부품은 단일 처리의 전자 부품이다.The invention according to claim 4 is the burn-in method according to any one of claims 1 to 3, wherein the plurality of electronic components is a single processing electronic component.
청구항 5 기재의 발명은 복수의 번인 장치와 그 복수의 번인 장치로부터 그 때마다의 측정 결과를 입력하고, 그 측정 결과로부터 번인 장치에 있어서의 전자 부품의 고장율이 안정기에 들어갔는지의 여부를 각 번인 장치마다 판정하며, 각 번인 장치 중에서 전자 부품의 고장율이 안정기에 들어가기까지 요소되는 시간이 가장 긴 번인 장치에 맞추어 그 가장 긴 시간에 모든 번인 장치의 번인을 종료시키는 제어장치로 이루어지는 번인 장치 제어 시스템이다.According to the invention of claim 5, a plurality of burn-in devices and a plurality of burn-in devices are inputted each time, and each burn-in determines whether or not the failure rate of the electronic component in the burn-in device has entered the ballast from the measured results. It is a burn-in device control system which consists of a control device which judges every device and terminates burn-in of all burn-in devices in the longest time according to the burn-in device which has the longest time until the failure rate of an electronic component enters a ballast among each burn-in device. .
청구항 6 기재의 발명은 청구항 5 기재의 번인 장치 제어 시스템에 있어서, 각 번인 장치의 측정 결과는 전자 부품의 고장회수이고, 제어 장치의 고장율이 안정기에 들어 갔는지의 여부에 대한 판정은 상기 고장회수에 기초하여 고장율을 연산하여 그 고장율의 변동이 미리 정한 값 이하로 되었을 때에 상기 안정기에 들어갔다고 판정하는 번인 장치 제어 시스템이다.According to the invention of claim 6, in the burn-in device control system according to claim 5, the measurement result of each burn-in device is a failure count of an electronic component, and a determination as to whether or not the failure rate of the control device has entered the ballast is determined in the failure count. It is a burn-in apparatus control system which calculates a failure rate based on it, and determines that it entered into the said ballast when the fluctuation of the failure rate became below a predetermined value.
청구항 1 발명에 의하면 각 번인 장치는 고장율이 안정기에 들어 갈 때까지 소요되는 시간이 가장 긴 번인 장치가 번인을 종료함과 동시에 종료된다. 즉, 각 번인 장치의 전자 부품에 대한 번인 조건(번인 시간)은 같아진다. 그 결과 번인 조건(번인 시간)이 동일하게 되므로 제품 수명의 격차가 감소되어 품질의 안정이도모된다.According to the invention, each burn-in device is terminated at the same time as the burn-in device having the longest time until the failure rate enters the ballast ends burn-in. That is, the burn-in condition (burn-in time) for the electronic component of each burn-in apparatus becomes the same. As a result, the burn-in conditions (burn-in times) are the same, so the gap of product life is reduced and quality is stabilized.
청구항 2 발명에 의하면, 함께 번인이 개시되는 각 번인 장치는 고장율이 안정기에 들어가기까지 소요되는 시간이 가장 긴 번인 장치가 번인을 종료함과 동시에 종료된다. 즉, 각 번인 장치의 전자 부품에 대한 번인 조건(번인 시간)이 같게 된다. 그 결과, 번인 조건(번인 시간)이 동일하게 되므로 제품 수명의 격차가 감소되어 품질의 안정이 도모된다.According to the second aspect of the present invention, each burn-in device in which burn-in is started is terminated at the same time as the burn-in device having the longest time until the failure rate enters the ballast ends burn-in. In other words, the burn-in conditions (burn-in time) for the electronic components of each burn-in apparatus are the same. As a result, the burn-in condition (burn-in time) becomes the same, so that the gap of product life is reduced and quality is stabilized.
청구항 3 발명에 의하면 각 번인 장치가 상이한 시점에서 번인을 개시하더라도 다른 번인 장치보다 빨리 안정기에 도달한 번인 장치는, 안정기에 들어가기까지 소요되는 시간이 가장 긴 번인 장치가 안정기에 들어가기까지 다른 번인 장치의 번인과 동기시키면서 번인을 속행시키므로서 각 번인 장치는 번인 조건(번인 시간)이 동일하게 된다. 그 결과, 제품 수명의 격차가 감소되어 품질의 안정이 도모된다.According to the invention, even if each burn-in device starts burn-in at a different point in time, the burn-in device that reaches the ballast faster than the other burn-in device has the longest time to enter the ballast until the burn-in device reaches the ballast. By continuing the burn-in while synchronizing with the burn-in, each burn-in apparatus has the same burn-in condition (burn-in time). As a result, the gap of product life is reduced and quality is stabilized.
청구항 4 기재의 발명에 의하면 동일 처리 단위의 전자 부품, 예컨대 동일 제조 공정으로 제조된 전자 부품으로서 제조 초기, 제조 중기 및 제조 후기에 제조된 것으로 제조에 격차가 생기는 전자 부품은 각 번인 장치에 있어서 같은 번인 조건(번인 시간)으로 번인된다. 그 결과 제품 수명의 격차가 감소되어 품질의 안정이 도모된다.According to the invention of claim 4, electronic components of the same processing unit, for example, electronic components manufactured by the same manufacturing process, manufactured at the beginning, middle, and later stages of manufacture, and the electronic components having gaps in manufacturing are the same in each burn-in apparatus. Burn-in with burn-in condition (burn-in time). As a result, the gap in product life is reduced and quality is stabilized.
청구항 5 및 6 기재의 발명에 의하면 제어 장치는 고장율이 안정기에 들어가기까지 요하는 시간이 가장 긴 번인 장치와 같은 가장 긴 시간으로 각 번인 장치를 종료시킨다. 즉, 각 번인 장치의 전자 부품에 대한 번인 조건(번인 시간)은 같아진다. 그 결과, 번인 조건(번인 시간)이 동일하게 되므로 제품 수명의 격차가 감소되어 품질의 안정이 도모된다.According to the invention of claims 5 and 6, the control device terminates each burn-in device with the longest time, such as the burn-in device with the longest time required for the failure rate to enter the ballast. That is, the burn-in condition (burn-in time) for the electronic component of each burn-in apparatus becomes the same. As a result, the burn-in condition (burn-in time) becomes the same, so that the gap of product life is reduced and quality is stabilized.
이하, 본 발명을 구체화한 일실시 형태를 도면에 따라서 설명한다. 도 1은 번인 장치 제어 시스템의 시스템 구성도이다. 제1∼제3 번인 장치(11∼13)는 각각 전자부품으로서의 반도체 기억 장치(이하, 반도체 디바이스(전자 디바이스)라고 함)를 번인 처리하는 장치이다. 각 번인 장치(11∼13)는 본 실시 형태에서는 5000∼9000개의 반도체 디바이스를 한번에 번인 처리할 수 있다. 본 실시 형태에서는 제1∼제3 번인 장치(11∼13)는 동일 처리 단위의 반도체 디바이스의 번인 처리를 행한다. 즉, 동일 제조 공정으로 제조된 예컨대, 27000개의 반도체 디바이스를 3조(1조 9000개)로 나눠 각 조의 반도체 디바이스를 각각의 제1∼제3 번인 장치(11)로 배분하여 번인 처리를 일제히 행하도록 되어 있다. 각 번인 장치(11∼13)는 마이크로 컴퓨터를 구비하고, 마이크로 컴퓨터에 구비한 번인 처리를 위한 제어 프로그램에 따라서 동작하도록 되어 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one Embodiment which actualized this invention is described according to drawing. 1 is a system configuration diagram of a burn-in device control system. The first to third burn-in devices 11 to 13 are apparatuses for burn-in processing semiconductor memory devices (hereinafter referred to as semiconductor devices (electronic devices)) as electronic components, respectively. Each burn-in apparatus 11-13 can burn-in 5000-9000 semiconductor devices at once in this embodiment. In the present embodiment, the first to third burn-in devices 11 to 13 perform burn-in processing of semiconductor devices in the same processing unit. That is, for example, 27000 semiconductor devices manufactured by the same manufacturing process are divided into three sets (one set and 9000 sets), and each group of semiconductor devices is distributed to each of the first to third burn-in devices 11 to perform burn-in processing simultaneously. It is supposed to. Each burn-in apparatus 11-13 is equipped with a microcomputer, and is operated in accordance with the control program for the burn-in process provided in the microcomputer.
각 번인 장치(11∼13)는 네트워크(14)를 통해 제어 장치로서의 측정 결과 처리 장치(15)와 접속되어 있다. 그리고, 각 번인 장치(11∼13)는 네트워크(14)를 통해 측정 결과 처리 장치(15)의 사이에서 데이터의 입출력을 행하도록 되어 있다. 측정 결과 처리 장치(15)는 각 번인 장치(11∼13)에 대하여 동일 처리 단위의 반도체 디바이스에 따른 번인 조건의 번인 프로그램이 미리 설정되어 있다. 번인 조건은 번인 기준 시간, 고장율의 판정치 및 샘플링 주기 등이 포함된다.Each burn-in apparatus 11-13 is connected with the measurement result processing apparatus 15 as a control apparatus via the network 14. As shown in FIG. Each of the burn-in devices 11 to 13 performs input and output of data between the measurement result processing devices 15 via the network 14. As for the measurement result processing apparatus 15, the burn-in program of the burn-in conditions based on the semiconductor device of the same process unit is preset with respect to each burn-in apparatus 11-13. Burn-in conditions include burn-in reference time, determination of failure rate and sampling period.
번인 기준 시간은 최저 번인 시간 T1과 최대 번인 시간 T2가 있다. 최저 번인 시간 T1은 번인 처리의 개시로부터 고장율이 안정기에 들어갔는지의 여부에 대해 계산하면서 번인 처리를 실행할 때까지의 시간으로서, 이 시간 T1이 경과할 때까지는 고장율이 안정기에 들어갔는지의 여부를 판정하지 않고 번인처리가 행하여진다. 최대 번인 시간 T2는 번인 처리를 강제적으로 종료시키기 위한 시간으로서 이 이상 번인 처리를 하면 반도체 디바이스의 수명에 영향이 미치기 직전의 시간이다.The burn-in reference time has a minimum burn-in time T1 and a maximum burn-in time T2. The minimum burn-in time T1 is the time from the start of the burn-in process until the burn-in process is executed while calculating whether or not the failure rate has entered the ballast, and it is determined whether the failure rate has entered the ballast until this time T1 has elapsed. Burn-in processing is performed without. The maximum burn-in time T2 is a time for forcibly terminating the burn-in process. If the burn-in process is longer than this, the time just before the life of the semiconductor device is affected.
고장율의 판정치는 기준 고장율 Q, 기준 변동치 K 및 기준 계속 회수 N으로 이루어진다. 기준 고장율 Q는 상기 도 6에 도시된 바와 같이 고장율의 추이가 초기 고장기에서 우발 고장기로 들어가는 C점으로 도시할 때의 고장율로 하고 있다. 그리고, 고장율이 기준 고장율 Q 이하가 되면 고장율은 안정기에 들어갔다고 추정하도록 하고 있다.The determination of the failure rate is made up of the reference failure rate Q, the reference variation value K and the reference duration number N. As shown in FIG. 6, the reference failure rate Q is a failure rate when the trend of the failure rate is shown as point C which enters the accidental breaker from the initial breaker. When the failure rate is less than or equal to the reference failure rate Q, the failure rate is estimated to have entered the ballast phase.
기준 변동치 K는 최근의 고장율과 1개 전에 구한 고장율의 변동치가 일정한 작은 값에 접근하고 고장율의 변동이 작게 되어 안정기(도 6에 있어서 우발고장기)에 들어갔는지의 대한 여부를 정하기 위한 값이다. 그리고 상기 변동치가 기준 변동치 K 이하가 되면 고장율은 안정기에 들어갔다고 추정하도록 하고 있다.The reference change value K is a value for determining whether the change in the recent failure rate and the previously obtained failure rate approaches a constant small value and the change in the failure rate is small, thus entering the ballast (contingency failure in FIG. 6). When the variation value is equal to or less than the reference variation value K, the failure rate is estimated to have entered the plateau state.
기준 계속 회수 N은 상기 추정한 상태를 안정기에 들어갔는지의 여부를 확정하는 값이다. 상세히 기술하면, 상기 변동치와 기준 변동치 K를 비교하여 변동치가 기준 변동치 K 이하가 된 회수가 연속하여 기준 계속 회수 N이 되었을 때 안정기에 들어갔다고 판정한다The reference continuous number N is a value for determining whether the estimated state has entered the ballast. In detail, it compares the said fluctuation value with the reference | standard fluctuation value K, and determines that it entered into ballast when the number of times when the fluctuation value became below the reference fluctuation value K became the reference continuous collection number N continuously.
샘플링 주기는 번인 중에 각 반도체 디바이스를 측정하여 고장이 발생한 반도체 디바이스를 검출하는 주기(샘플링 시간 TS )이고, 이 시간 TS가 경과하면 측정이 개시되도록 되어 있다.The sampling period is a period (sampling time TS) for measuring each semiconductor device during burn-in to detect a failed semiconductor device, and the measurement is started when this time TS elapses.
그리고 본 실시형태에서 측정 결과 처리 장치(15)는 각 번인 장치(11∼13)에 대하여 번인 조건 중 최저 번인 시간 T1, 최대 번인 시간 T2 및 샘플링 시간 TS를 송신한다. 각 번인 장치(11∼13)는 상기 최저 번인 시간 T1, 최대 번인시간 T2 및 샘플링 시간 TS에 기초하여 번인 처리를 행하고 그 때마다의 측정 결과를 각각 측정 결과 처리 장치(15)에 송신하도록 되어 있다.In the present embodiment, the measurement result processing device 15 transmits to each burn-in device 11 to 13 the lowest burn-in time T1, the maximum burn-in time T2 and the sampling time TS among burn-in conditions. Each burn-in device 11-13 performs burn-in processing based on the said minimum burn-in time T1, the maximum burn-in time T2, and the sampling time TS, and transmits the measurement result for each time to the measurement result processing apparatus 15, respectively. .
측정 결과 처리 장치(15)는 그 각 번인 장치(11∼13)의 측정 결과에 기초하여 각 번인 장치(11∼13)에 있어서 번인 처리가 고장율의 안정기에 들어 갔는지에 대한 여부를 판정한다. 판정은 미리 준비된 동일 처리 단위의 반도체 디바이스에 따른 상기 기준 고장율 Q, 기준 변동치 K 및 기준 계속 회수 N에 기초하여 행하여진다. 측정 결과 처리 장치(15)는 그 판정 결과에 관하여 각 번인 장치(11∼13)에 송신함과 함께 모든 번인 장치가 안정기에 들어 갔을 때, 각 번인 장치(11∼13)의 번인 처리를 종료시키기 위한 데이터를 송신하도록 되어 있다.The measurement result processing device 15 determines whether or not the burn-in process has entered the ballast of the failure rate in each burn-in device 11 to 13 based on the measurement result of each burn-in device 11 to 13. The determination is made based on the reference failure rate Q, the reference variation value K, and the reference continuation number N according to the semiconductor devices of the same processing unit prepared in advance. The measurement result processing device 15 transmits to the burn-in devices 11 to 13 with respect to the determination result and terminates the burn-in processing of the burn-in devices 11 to 13 when all the burn-in devices enter the ballast. It is intended to transmit the data.
즉, 측정 결과 처리 장치(15)는 마이크로 컴퓨터를 구비하고, 마이크로 컴퓨터에 구비한 각 번인 장치(11∼13)를 제어하기 위한 제어 프로그램에 따라서 동작하도록 되어 있다.That is, the measurement result processing apparatus 15 is equipped with a microcomputer, and is operated according to the control program for controlling each burn-in apparatus 11-13 with which the microcomputer was equipped.
다음으로, 상기한 바와 같이 구성한 번인 장치 제어 시스템의 작용을 설명한다. 설명의 편의상, 도 2의 제1 번인 장치(11)의 동작을 도시하는 플로우챠트 및 도 3의 측정 결과 처리 장치(15)의 동작을 도시하는 플로우챠트 따라서 설명한다.Next, the operation of the burn-in device control system configured as described above will be described. For convenience of explanation, a flowchart showing the operation of the first burn-in device 11 of FIG. 2 and a flowchart showing the operation of the measurement result processing device 15 of FIG. 3 will be described.
현재, 제1∼제3 번인 장치(11∼13)에 동일 제조 공정으로 제조된 즉, 동일처리 단위의 반도체 디바이스가 각각 세트되어 있다. 이 상태에서 각 번인 장치(11∼13)를 일제히 기동시킨다.Currently, the first to third burn-in devices 11 to 13 are set in the same manufacturing process, that is, semiconductor devices of the same processing unit are set respectively. In this state, each burn-in apparatus 11-13 is started simultaneously.
제1 번인 장치(11)는 기동과 함께 측정 결과 처리 장치(15)에 대하여 번인 조건의 요구을 행한다(단계11). 이 요구에 응답하여 측정 결과 처리 장치(15)는 번인 조건(최저 번인 시간 T1, 최대 번인 시간 T2 및 샘플링 시간 TS) 을 송신한다 (단계51∼53). 이 송신으로 제1 번인 장치(11)는 그 번인 조건을 취득하고 번인을 개시한다(단계12, 13).The first burn-in device 11 starts and requests burn-in conditions to the measurement result processing device 15 (step 11). In response to this request, the measurement result processing apparatus 15 transmits the burn-in conditions (lowest burn-in time T1, maximum burn-in time T2 and sampling time TS) (steps 51 to 53). By this transmission, the first burn-in apparatus 11 acquires the burn-in condition and starts burn-in (steps 12 and 13).
이 때, 다른 제2 및 제3 번인 장치(12,13)도 같은 동작이 측정 결과 처리 장치(15)의 사이에서 행해져 번인을 개시한다.At this time, the other operations of the second and third burn-in devices 12 and 13 are also performed between the measurement result processing devices 15 to start burn-in.
제1 번인 장치(11)는 번인의 개시로부터 샘플링 시간 TS가 경과하면 세트한 반도체 디바이스를 측정한다(단계 S14). 측정은 고장난 반도체 디바이스를 검출하여 그 반도체 디바이스를 특정함과 함께 그 때의 측정으로 얻어진 고장회수와 그 때까지의 고장 총 수를 연산하여 유지한다.The first burn-in apparatus 11 measures the set semiconductor device when the sampling time TS elapses from the start of burn-in (step S14). The measurement detects the failed semiconductor device, specifies the semiconductor device, calculates and holds the number of failures obtained by the measurement at that time and the total number of failures up to that time.
측정이 종료되면 번인을 개시하고 나서 최저 번인 시간 T1 이 경과하였는지에 대해 체크한다(단계15). 그리고, 최저 번인 시간 T1을 경과할 때까지 제1 번인 장치(11)는 상기 단계 13 및 단계 14의 동작을 반복한다. 그리고, 이 동작이 반복됨으로써 그 때마다 발생하는 고장회수 및 고장 총 수가 갱신된다.When the measurement is finished, it is checked whether the lowest burn-in time T1 has passed since the start of burn-in (step 15). Then, the first burn-in apparatus 11 repeats the operations of steps 13 and 14 until the minimum burn-in time T1 has elapsed. By repeating this operation, the number of failures and the total number of failures generated each time are updated.
이어서, 최저 번인 시간 T1이 경과하면 제1 번인 장치(11)는 번인을 속행한다(단계16). 그리고, 제1 번인 장치(11)는 단계(16)로 옮기고 나서 샘플링 시간 TS가 경과하면 반도체 디바이스를 측정하여 새로 고장난 반도체 디바이스를 검출하여 그 새로운 반도체 디바이스를 특정함과 함께 그 때의 측정에 새롭게 얻어진 고장회수와 고장 총 수를 갱신하여 유지한다(단계17).Subsequently, when the lowest burn-in time T1 has elapsed, the first burn-in apparatus 11 continues burn-in (step 16). After the first burn-in apparatus 11 moves to step 16, when the sampling time TS has elapsed, the semiconductor device is measured, the semiconductor device is detected, a newly-failed semiconductor device is specified, and the new semiconductor device is specified and newly measured at that time. The obtained number of failures and the total number of failures are updated and maintained (step 17).
계속해서 제1 번인 장치(11)는 그 측정 결과, 즉 고장회수와 고장 총 수를 측정 결과 처리 장치(15)에 송신한다(단계18). 또한, 다른 제2 및 제3 번인 장치(12, 13)에 있어서도 각각 최저 번인 시간(Tl)이 경과하면 제1 번인 장치(11)와 같이 측정이 행해져 그 측정 결과가 각각 측정 결과 처리 장치(15)에 송신되어 있다.Subsequently, the first burn-in device 11 transmits the measurement result, that is, the number of failures and the total number of failures, to the measurement result processing device 15 (step 18). In addition, also in the other 2nd and 3rd burn-in apparatuses 12 and 13, when the minimum burn-in time Tl passes, measurement is performed similarly to the 1st burn-in apparatus 11, and the measurement result is respectively measured result processing apparatus 15 ) Is sent.
측정 결과 처리 장치(15)는 제1 번인 장치(11)로부터 그 때에 측정하여 새롭게 얻어진 고장회수에 기초하여 고장율((고장수/시험되는 반도체 디바이스의 총수)100%)의 계산을 행한다(단계 54, 55). 계속해서, 측정 결과 처리 장치(15)는 구한 고장율로부터 고장율이 안정기에 들어 갔는지를 판정한다(단계 56).The measurement result processing device 15 calculates the failure rate (100% of the total number of the failure / tested semiconductor devices) based on the number of failures newly obtained by measuring at that time from the first burn-in device 11 (step 54 , 55). Subsequently, the measurement result processing apparatus 15 determines whether the failure rate has entered the ballast from the obtained failure rate (step 56).
이 고장율의 안정기의 판정은 먼저 구한 고장율이 기준 고장율 Q 이하인지의 여부를 비교한다. 그리고, 고장율이 기준 고장율 Q 이하면 안정기에 들어 갔다고 추정한다. 고장율이 기준 고장율 Q를 넘는 값이면 아직 안정기가 아니라고 판정한다.The determination of the ballast of this failure rate compares whether the previously obtained failure rate is equal to or less than the reference failure rate Q. If the failure rate is less than or equal to the reference failure rate Q, it is assumed that the ballast has entered the plateau. If the failure rate exceeds the standard failure rate Q, it is determined that it is not yet a ballast.
기준 고장율 Q에 기초하여 안정기에 들어갔다고 추정되면 구한 고장율과 1개 전에 구한 고장율의 변동치가 기준 변동치 K 이하인지의 여부를 비교한다. 그리고, 변동치가 기준 변동치 K 이하면, 안정기에 들어갔다고 추정한다. 변동치가 기준 변동치 K를 넘는 값이면 아직 안정기가 아니라고 판정한다.If it is estimated that the ballast has entered the ballast period based on the standard failure rate Q, then the comparison between the calculated failure rate and the previous failure rate is less than or equal to the reference variation K. And when the fluctuation value is less than the reference fluctuation value K, it is estimated that it entered the stabilized period. If the fluctuation value exceeds the reference fluctuation value K, it is determined that it is not yet a ballast.
기준 변동치 K에 기초하여 안정기에 들어갔다고 추정되면, 기준 변동치 K 이하의 상태가 연속되어 기준 계속 회수 N 계속되었는지의 여부를 연산한다. 그리고, 기준 계속 회수 N 연속하여 계속된 경우, 측정 결과 처리 장치(15)는 제1 번인 장치(11)에서의 반도체 디바이스의 고장율이 안정기에 들어갔다고 판정한다. 반대로 기준 계속 회수 N 연속하여 계속되고 있지 않은 경우, 아직 안정기에 들어가 있지 않다고 판정한다.If it is estimated that the ballast has entered into the ballast based on the reference change value K, it is calculated whether the state below the reference change value K continues and the reference continuation number N continues. And when the reference number of times N continues continuously, the measurement result processing apparatus 15 determines that the failure rate of the semiconductor device in the 1st burn-in apparatus 11 entered the ballast. On the contrary, when it is not continuing continuously N consecutive times, it is determined that it is not into a ballast yet.
그리고, 측정 결과 처리 장치(15)는 그 판정 결과를 제1 번인 장치(11)에 송신한다(단계57). 이 때, 측정 결과 처리 장치(15)는 다른 제2 및 제3 번인 장치(12, 13)에 대한 최신의 판정결과가 얻어지는 경우에는 그 결과도 더불어 제1번인 장치(11)에 송신하도록 되어 있다. 따라서 제2 번인 장치(12)에 있어서는 제1 및 제3 번인 장치(11, 13)에 대한 최신의 판정 결과가 송신된다. 또한, 제3 번인 장치(13)에 있어서는 제1 및 제2 번인 장치(11, 12)에 대한 최신의 판정결과가 송신된다. 그리고 측정 결과 처리 장치(15)는 제1∼제3 번인 장치(11∼13)의 전부가 안정기에 들어갔다고 판정될 때, 각 번인 장치(11∼13)의 제어를 종료한다(단계58).And the measurement result processing apparatus 15 transmits the determination result to the 1st burn-in apparatus 11 (step 57). At this time, when the latest determination result about the other 2nd and 3rd burn-in apparatuses 12 and 13 is obtained, the measurement result processing apparatus 15 is also sent to the 1st apparatus 11 with the result. . Therefore, in the 2nd burn-in apparatus 12, the latest determination result about the 1st and 3rd burn-in apparatuses 11 and 13 is transmitted. In addition, in the 3rd burn-in apparatus 13, the latest determination result about the 1st and 2nd burn-in apparatuses 11 and 12 is transmitted. When it is determined that all of the first to third burn-in devices 11 to 13 have entered the ballast, the measurement result processing device 15 ends the control of each burn-in device 11 to 13 (step 58).
지금, 이 시점에서는, 측정 결과 처리 장치(15)는 제1 번인 장치(11)로부터의 측정 결과가 최초이기 때문에 고장율은 구해지더라도 변동치를 구할 수는 없다. 따라서, 측정 결과 처리 장치(15)는 안정기에 들어가 있지 않은 것으로 하고 그 판정 결과를 제1 번인 장치(11)에 송신한다.At this point in time, the measurement result processing device 15 cannot obtain the fluctuation value even if the failure rate is obtained because the measurement result from the first burn-in device 11 is the first. Therefore, it is assumed that the measurement result processing device 15 does not enter the ballast and transmits the determination result to the first burn-in device 11.
제1 번인 장치(11)는 측정 결과 처리 장치(15)로부터의 판정 결과를 수신하고 그 판정 결과를 체크한다(단계 19, 20). 그리고, 이 경우, 안정기에 들어가 있지 않은 판정 결과이므로 제1 번인 장치(11)는 상기 단계 16∼단계 19의 동작을 다시 행하게 된다. 즉, 제1 번인 장치(11)는 동일 장치(11)에 있어서의 고장율이 안정기에 들어갈 때까지 이 단계16∼단계19의 동작을 반복한다.The first burn-in apparatus 11 receives the determination result from the measurement result processing apparatus 15 and checks the determination result (steps 19 and 20). In this case, since the determination result does not enter the ballast, the first burn-in apparatus 11 performs the operations of the above steps 16 to 19 again. In other words, the first burn-in apparatus 11 repeats the operations of steps 16 to 19 until the failure rate in the same apparatus 11 enters the ballast.
이어서, 측정 결과 처리 장치(11)에서 제1 번인 장치(11)에 있어서의 고장율이 안정기에 들어갔다고 판정되면 제1 번인 장치(11)는 상기 동일 장치(11)의 판정 결과와 함께 더불어 송신되는 제2 및 제3 번인 장치(12, 13)에 대한 판정 결과를 체크한다(단계 21).Subsequently, when the measurement result processing device 11 determines that the failure rate in the first burn-in device 11 has entered the ballast, the first burn-in device 11 is transmitted together with the determination result of the same device 11. The determination result for the 2nd and 3rd burn-in devices 12 and 13 is checked (step 21).
그리고, 제2 및 제3 번인 장치(12, 13)가 함께 고장율이 안정기에 들어가 있는 것으로 판정될 때에는 제1 번인 장치(11)는 번인 처리를 종료한다. 반대로, 제2 및 제3 번인 장치(12, 13)중 적어도 어느 한 쪽이 안정기에 들어가 있지 않은 경우에는 제1 번인 장치(11)는 번인을 속행한다(단계22). 그리고, 제1 번인 장치(11)는 단계(22)로 옮기고 나서 샘플링 시간 TS가 경과하면 반도체 디바이스를 측정하여 새롭게 고장난 반도체 디바이스를 검출하여 그 새로운 반도체 디바이스를 특정함과 함께 그 때의 측정하여 새롭게 얻어진 고장회수를 갱신하여 유지한다(단계23). 계속해서, 제1 번인 장치(11)는 그 때의 측정 결과를 측정 결과 처리 장치(15)에 송신한다(단계24).And when the 2nd and 3rd burn-in apparatuses 12 and 13 together determine that the failure rate enters the ballast, the 1st burn-in apparatus 11 complete | finishes a burn-in process. In contrast, when at least one of the second and third burn-in devices 12 and 13 does not enter the ballast, the first burn-in device 11 continues burn-in (step 22). Then, the first burn-in apparatus 11 moves to step 22, and when the sampling time TS elapses, the semiconductor device is measured, the newly failed semiconductor device is detected, the new semiconductor device is specified and the measurement is made at that time. The obtained number of failures is updated and maintained (step 23). Subsequently, the first burn-in apparatus 11 transmits the measurement result at that time to the measurement result processing apparatus 15 (step 24).
측정 결과 처리 장치(15)는 단계 54∼58의 처리를 실행하지만 제1 번인 장치(11)로부터의 측정 결과(고장회수)에 기초하여 고장율이 안정기에 들어갔는지의 판정은 행하지 않는다. 이것은, 이미 고장율이 안정기에 들어간 것을 판정하고 있으므로 행하지 않는다. 측정 결과 처리 장치(15)는 그 판정을 하지 않는 대신에다른 제2 및 제3 번인 장치(12, 13)에 대한 최신의 판정 결과를 제1 번인 장치(11)에 송신한다.The measurement result processing device 15 executes the processing of steps 54 to 58, but does not determine whether the failure rate has entered the ballast phase based on the measurement result (failure frequency) from the first burn-in device 11. This is not done because it has already determined that the failure rate has entered the ballast. Instead of making the determination, the measurement result processing device 15 transmits the latest determination result for the other second and third burn-in devices 12 and 13 to the first burn-in device 11.
제1 번인 장치(11)는 제2 및 제3 번인 장치(12, 13)에 대한 최신의 판정 결과를 수신하고(단계 25), 제2 및 제3 번인 장치(12, 13)에 대한 판정결과를 체크한다(단계 21).The first burn-in device 11 receives the latest determination result for the second and third burn-in devices 12 and 13 (step 25), and the determination result for the second and third burn-in devices 12 and 13. Check (step 21).
따라서, 제2 및 제3 번인 장치(12, 13)가 모두 안정기에 들어 갔다고 판정될 때까지는 제1 번인 장치(11)는 단계 21∼25의 동작을 반복하게 된다. 또한, 제2 번인 장치(12)에 있어서도, 동일 장치(12)가 안정기에 들어 갔다고 판정되더라도 제1 및 제3 번인 장치(11, 13)가 모두 안정기에 들어 갔다고 판정될 때까지는 제1 번인 장치(11)와 같은 단계 21∼25의 동작을 반복한다. 또한, 제3 번인 장치(13)에 있어서도, 동일 장치(13)가 안정기에 들어갔다고 판정되더라도, 제1 및 제2 번인 장치(11,12)와 함께 안정기에 들어 갔다고 판정될 때까지는 제1 번인 장치(11)와 같은 단계 21∼25의 동작을 반복한다.Accordingly, the first burn-in device 11 repeats the operations of steps 21 to 25 until it is determined that both the second and third burn-in devices 12 and 13 have entered the ballast. Also in the second burn-in device 12, even if it is determined that the same device 12 has entered the ballast, the first burn-in device until it is determined that both the first and third burn-in devices 11, 13 have entered the ballast. The operation of steps 21 to 25 as in (11) is repeated. Also in the third burn-in device 13, even if it is determined that the same device 13 has entered the ballast, the first burn-in device is determined until it is determined that the ballast has entered the ballast together with the first and second burn-in devices 11, 12. The operation of steps 21 to 25 as in (11) is repeated.
즉, 제1∼제3 번인 장치(11∼13)는 다른 번인 장치보다 아무리 빨리 고장율이 안정기에 들어 가더라도 번인이 종료되는 일은 없이 가장 늦게 고장율이 안정기에 들어 간 번인 장치와 함께 종료한다. 상세히 기술하면, 제1∼제3 번인 장치(11)는 각각의 번인 장치에 있어서의 고장율의 안정기가 빠르고 느린것에 관계없이 모두 번인 시간(즉, 번인 조건)이 같게 된다.That is, the first to third burn-in devices 11 to 13 are terminated together with the burn-in device in which the failure rate has entered the ballast at the latest, even if the failure rate enters the ballast faster than the other burn-in devices. In detail, the first to third burn-in devices 11 have the same burn-in time (that is, burn-in condition) regardless of whether the stabilizer of the failure rate in each burn-in device is fast and slow.
또한, 본 실시 형태에서는 제1∼제3 번인 장치(11∼13)중 어느 1대가 안정기에 들어가지 않고 번인을 계속해서 속행하는 경우, 그 번인 시간이 번인 개시로부터 상기 최대 번인 시간 T2가 경과하였을 때, 제1∼제3 번인 장치(11∼13)는 종료하도록 되어 있다. 이 종료의 판단은 도 2에 나타내는 단계(21)으로 행하여지도록 되어 있다. 즉, 제1∼제3 번인 장치(11∼13)는 단계(21)에 있어서 다른 번인 장치가 모두 안정기에 들어갔는지 또는 최대 번인 시간 T2 경과하였는지의 판단에 기초하여 행하여진다.In addition, in this embodiment, when any one of the 1st-3rd burn-in apparatuses 11-13 continues to burn-in without entering into a ballast, the said maximum burn-in time T2 has passed from the start of burn-in. At that time, the first to third burn-in devices 11 to 13 are to be finished. This termination is determined in step 21 shown in FIG. In other words, the first to third burn-in devices 11 to 13 are performed in step 21 on the basis of whether the other burn-in devices have entered the ballast or whether the maximum burn-in time T2 has elapsed.
다음으로 상기 실시 형태의 특징을 이하에 서술한다.Next, the characteristic of the said embodiment is described below.
(1) 본 실시 형태에 있어서, 각 번인 장치(11∼13)는 측정 결과 처리 장치(15)로부터 샘플링 시간 TS를 입력하고, 그 샘플링 시간 TS 마다 번인의 측정을 행하며 그 때 마다의 측정 결과를 각각 측정 결과 처리 장치(15)에 전송하도록 하였다. 측정 결과 처리 장치(15)는 각 번인 장치(11∼13)로부터의 측정 결과에 기초하여 각 번인 장치(11∼13)의 반도체 디바이스의 고장율이 안정기에 들어갔는지에 대해 판정한다. 그리고, 측정 결과 처리 장치(15)는 모든 번인 장치(11∼ 13)에 관해서 반도체 디바이스의 고장율이 안정기에 들어갔을 때, 모든 번인 장치(11∼13)의 번인을 종료시키도록 하였다.(1) In this embodiment, each burn-in apparatus 11-13 inputs sampling time TS from the measurement result processing apparatus 15, measures burn-in for every sampling time TS, and measures the measurement result every time. Each measurement result was sent to the processing apparatus 15. The measurement result processing apparatus 15 determines whether the failure rate of the semiconductor device of each burn-in apparatus 11-13 entered the ballast based on the measurement result from each burn-in apparatus 11-13. And the measurement result processing apparatus 15 was made to complete the burn-in of all the burn-in apparatuses 11-13, when the failure rate of a semiconductor device entered the ballast for all the burn-in apparatuses 11-13.
즉, 각 번인 장치(11∼13)가 각각 고장율이 안정기에 들어갔는지에 대해 판정하고, 각각 번인을 종료시키지 않고, 측정 결과 처리 장치(15)가 각 번인 장치(11∼13)를 일제히 종료시키도록 하였다.In other words, each burn-in device 11 to 13 determines whether the failure rate has entered the ballast, respectively, and the measurement result processing device 15 causes the burn-in devices 11 to 13 to be terminated in unison, respectively. It was made.
따라서, 각 번인 장치(11∼13)로 각각 번인되는 단일 처리의 각 반도체 디바이스는 동일 번인 조건(번인 시간)으로 번인되게 된다. 그 결과, 번인 조건(번인 시간)이 같아지므로 제품 수명의 격차가 감소됨과 함께 제품 출하 후에 발생하는장해에 대하여 이 번인 조건은 보증된 것이 되어 품질의 안정을 도모할수 있다Therefore, each semiconductor device of a single process burned into each burn-in device 11 to 13 is burned in under the same burn-in condition (burn-in time). As a result, the burn-in condition (burn-in time) is the same, so that the gap of product life is reduced, and this burn-in condition is guaranteed against the trouble occurring after the product is shipped, and the quality can be stabilized.
(2) 본 실시 형태에서는 각 번인 장치(11∼13)를 일제히 종료시키는 경우, 최후의 번인 장치가 고장율이 안정기에 들어갔다고 판정될 때까지는 종료시키지 않도록 하였다. 따라서, 각 번인 장치(11∼13)로 각각 번인 되는 단일 처리의 각 반도체 디바이스는 도 6에 있어서의 초기 고장기에서 번인이 종료되어 버리는 일은 없고 확실히 우발 고장기에서 번인이 종료된다. 그 결과, 제품 수명의 격차가 감소되어 품질의 안정을 도모할 수 있다.(2) In this embodiment, when each burn-in apparatus 11-13 is terminated simultaneously, it is not made to end until the last burn-in apparatus judged that the failure rate entered the ballast. Therefore, the burn-in does not end at the initial breaker in FIG. 6, but the burn-in is certainly terminated at the initial breaker in FIG. As a result, the gap of product life can be reduced and quality can be stabilized.
(3) 본 실시 형태에서 번인은 최대 번인 시간 T2 (이 이상 번인을 행하면 수명에 영향이 미치기 직전의 시간) 경과하면 강제적으로 종료하도록 하고 있다. 따라서, 과도하게 번인 처리가 되어 제품의 수명을 극단적으로 짧게 해버리는 일은 없다.(3) In the present embodiment, the burn-in is forcibly terminated when the maximum burn-in time T2 (the time immediately before the life is effected if this abnormal burn-in is performed) has elapsed. Therefore, excessive burn-in treatment does not cause the life of the product to be extremely short.
(4) 본 실시 형태에서는 각 번인 장치(11∼13)는 측정 결과 처리 장치(15)로부터 번인 조건(샘플링 시간 TS)을 입력하고, 그 샘플링 시간 TS 마다 번인의 측정을 행하며, 그 때마다의 측정 결과를 각각 측정 결과 처리 장치(15)에 전송하기만 한다. 즉, 측정 결과 처리 장치(15)로부터 각 번인 장치(11∼13)에 대하여 번인 조건이 일제히 설정된다. 따라서, 동일 처리 단위가 변할 때마다 새로운 번인 조건의 번인 프로그램은 측정 결과 처리 장치(15)에 설정하는 것 만으로 좋고, 각번인 장치(11∼13)에 대하여 이 프로그램을 교체한다고 하는 번거로운 작업이 없어지게 된다.(4) In this embodiment, each burn-in apparatus 11-13 inputs a burn-in condition (sampling time TS) from the measurement result processing apparatus 15, and measures burn-in for every sampling time TS, and every time Each measurement result is simply transmitted to the measurement result processing device 15. In other words, the burn-in conditions are simultaneously set for each of the burn-in devices 11 to 13 from the measurement result processing device 15. Therefore, each time the same processing unit is changed, the burn-in program of the new burn-in condition is simply set in the measurement result processing device 15, and there is no troublesome task of replacing this program for the burn-in devices 11 to 13. You lose.
또한, 실시의 형태는 상기 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 이하와 같이하여 실시하여도 좋다.In addition, embodiment is not limited to the said embodiment, You may implement as follows.
상기 실시 형태에서는, 제1∼제3 번인 장치(11∼13)에 대하여 번인 처리를 함께 개시시키도록 하였다. 이것을 다른 시각에서 번인 처리를 개시시키도록 하여 실시하여도 좋다. 즉, 제1 번인 장치(11)에 대하여 번인을 개시시킨 후, 제2 번인 장치(12)에 반도체 디바이스를 세트하고, 세트가 완료한 후에 제2 번인 장치(12)에 대하여 번인을 개시시킨다. 계속해서, 제3 번인 장치(13)에 반도체 디바이스를 세트하고, 세트가 완료한 후에 제3 번인 장치(13)에 대하여 번인을 개시시키도록 한 방법이다.In the said embodiment, burn-in process was started together with the 1st-3rd burn-in apparatuses 11-13. This may be done by starting the burn-in process at different times. That is, after the burn-in is started for the first burn-in device 11, the semiconductor device is set in the second burn-in device 12, and burn-in is started for the second burn-in device 12 after the set is completed. Subsequently, the semiconductor device is set in the third burn-in apparatus 13 and burn-in is started for the third burn-in apparatus 13 after the set is completed.
도 4는 이 경우의 각 번인 장치(11∼13)의 동작을 설명하기 위한 플로우챠트를 도시한다. 또한, 단계 61∼71은 도 2에 도시하는 상기 실시 형태의 단계 11∼21과 같은 동작을 행하고 단계(72)이후의 처리가 약간 상이하다. 따라서, 그 상이 한 부분에 관해서 상세히 기술한다.Fig. 4 shows a flowchart for explaining the operation of each burn-in device 11 to 13 in this case. In addition, the steps 61 to 71 perform the same operations as the steps 11 to 21 of the above embodiment shown in FIG. 2, and the processing after the step 72 is slightly different. Therefore, the different parts are described in detail.
또한, 설명의 편의상, 이 제1 번인 장치(11)가 최초로 안정기에 들어가고, 다음에 제2 번인 장치(12)가 안정기에 들어가며 최후에 제3 번인 장치(13)가 안정기에 들어 가게 한다. 또한, 각 번인 장치(11∼13)의 개시 시간 차를 샘플링 시간 TS 미만으로 한다.Incidentally, for convenience of description, the first burn-in device 11 first enters the ballast, then the second burn-in device 12 enters the ballast and finally the third burn-in device 13 enters the ballast. In addition, the start time difference of each burn-in apparatus 11-13 is made into less than sampling time TS.
제1 번인 장치(11)는 고장율이 안정기에 들어 갔다고 판정되면 단계(72)에 있어서, 제2 및 제3 번인 장치(12, 13)가 번인의 계속을 개시하는지를 판단한다. 이 판단은 측정 결과 처리 장치(15)로 부터의 제2 및 제3 번인 장치(12, 13)중 적어도 어느 한편의 번인의 속행을 나타내는 판정 결과를 이 제2 및 제3 번인장치(12, 13)에 송신할 때에 그 판정 결과를 수신하여 판단한다.If it is determined that the failure rate has entered the ballast, the first burn-in device 11 determines in step 72 whether the second and third burn-in devices 12, 13 start continuation of burn-in. This determination is based on the determination result indicating the continuation of at least one of the second and third burn-in devices 12, 13 from the measurement result processing device 15. The second and third burn-in devices 12, 13 In the case of transmission to the above), the judgment result is received and judged.
그리고, 제2 제3 번인 장치(12, 13)중 어느 하나가 앞의 측정 결과에 기초하는 번인 중이므로, 제1 번인 장치(11)는 대기 상태가 된다(단계 73).Then, since either one of the second third burn-in devices 12 and 13 is burn-in based on the previous measurement result, the first burn-in device 11 is in a standby state (step 73).
이윽고, 제2 번인 장치(12)의 측정 결과가 송신되고, 그 측정 결과에 기초하여 고장율이 안정기에 들어갔는지의 판정 결과가 제2 번인 장치(12)로 송신된다. 이 때, 아직 안정기에 들어가 있지 않다고 판정 결과가 나올 경우, 제2 번인 장치(12)는 번인을 계속한다. 이것과 함께 동기하여 대기하고 있던 제1 번인 장치(11)는 번인을 재개한다. 따라서, 이 시점에서 제1 번인 장치(11)와 제2 번인 장치(12)는 번인 시간(번인 조건)은 같게 된다. 그리고, 제1 번인 장치(11)는 상기 실시 형태의 단계 22∼25의 동작과 같은 처리 동작을 한다(단계 74∼77). 한편, 제2 번인 장치(12)는 상기 실시 형태의 단계 16∼19의 동작과 같은 처리 동작을 한다(66∼69).Then, the measurement result of the 2nd burn-in apparatus 12 is transmitted, and the determination result of whether the failure rate entered the ballast is transmitted to the 2nd burn-in apparatus 12 based on the measurement result. At this time, when the determination result has not yet entered into the ballast, the second burn-in apparatus 12 continues the burn-in. The 1st burn-in apparatus 11 which waited synchronously with this restarts burn-in. Therefore, at this time, the burn-in time (burn-in condition) of the first burn-in device 11 and the second burn-in device 12 becomes equal. And the 1st burn-in apparatus 11 performs the process operation similar to the operation | movement of step 22-25 of the said embodiment (step 74-77). On the other hand, the second burn-in apparatus 12 performs the processing operation similar to the operation of steps 16 to 19 of the above embodiment (66 to 69).
제1 및 제2 번인 장치(11∼12)가 상기 동작을 하고 있는 사이에 제3 번인 장치(13)는 판정 결과에 기초하여 번인이 계속된다.While the first and second burn-in devices 11 to 12 are performing the above operation, the third burn-in device 13 continues to burn in based on the determination result.
이어서, 제1 및 제2 번인 장치(11, 12)는 각각 샘플링 시간 TS가 경과하여 측정 결과를 측정 결과 처리 장치(15)로 송신한다(단계 76, 단계 68). 그리고, 측정 결과 처리 장치(15)가 제2 번인 장치(12)에 대하여 고장율이 안정기에 들어 갔다고 판정되면 제2 번인 장치(12)는 그 취지를 수신하고(단계 69), 제3 번인 장치(13)가 번인을 계속하고 있는 것을 확인하여 대기 상태가 된다(단계 70, 71, 72, 73).Subsequently, the first and second burn-in devices 11 and 12 respectively transmit the measurement result to the measurement result processing device 15 after the sampling time TS has elapsed (step 76, step 68). When the measurement result processing device 15 determines that the failure rate has entered the ballast with respect to the second burn-in device 12, the second burn-in device 12 receives the effect (step 69) and the third burn-in device ( It is confirmed that 13) continues the burn-in, and the standby state is reached (steps 70, 71, 72, 73).
한편, 제1 번인 장치(11)는 제2 번인 장치(12)가 안정기에 들어간 취지의 판정 결과 및 제3 번인 장치(13)가 번인을 계속하고 있는 것을 확인하여 대기 상태가 된다(단계 77, 71, 72, 73).On the other hand, the first burn-in apparatus 11 enters the standby state by confirming that the second burn-in apparatus 12 has entered the ballast and confirming that the third burn-in apparatus 13 continues to burn-in (step 77, 71, 72, 73).
제1 및 제2 번인 장치(11, 12)가 대기 상태에 있는 동안, 제3 번인 장치(13)는 번인이 계속된다(단계 66). 이어서, 제3 번인 장치(13)는 샘플링 시간 TS가 경과하여 측정 결과를 측정 결과 처리 장치(15)로 송신한다(단계68). 그리고 측정 결과 처리 장치(15)가 제3 번인 장치(13)에 대하여 고장율이 안정기에 들어 갔다고 판정되면, 제3 번인 장치(13)는 그 취지와 다른 제1 및 제2 번인 장치(11, 12)도 안정기에 들어가 대기 상태인 취지를 수신하고 번인을 종료한다 (단계69∼71).While the first and second burn-in devices 11 and 12 are in the standby state, the third burn-in device 13 continues to burn in (step 66). Subsequently, the third burn-in apparatus 13 transmits the measurement result to the measurement result processing apparatus 15 after the sampling time TS has elapsed (step 68). And if it is determined that the failure rate has entered the ballast with respect to the 3rd apparatus 13 as a result of a measurement, the 3rd apparatus 13 is the 1st and 2nd apparatus which are different from the meaning 11, 12 ) Also enters the ballast and receives the effect of waiting, and terminates the burn-in (steps 69 to 71).
한편, 대기 상태에 있는 제1 및 제2 번인 장치(11, 12)도 제3 번인 장치(13)가 안정기에 들어갔다는 것을 측정 결과 처리 장치(15)로부터 확인하고(단계71) 번인 처리를 종료한다.On the other hand, the first and second burn-in devices 11 and 12 in the standby state also confirm from the measurement result processing device 15 that the third burn-in device 13 has entered the ballast (step 71) and finishes the burn-in process. do.
따라서, 대기 상태에 있는 제1 및 제2 번인 장치(11, 12)는 제3 번인 장치(13)가 번인을 종료하면 다시 번인을 하지 않고 종료된다. 따라서, 제1 및 제2 번인 장치(11,12)는 제3 번인 장치(13)의 번인 시간(번인 조건)과 같게 된다.Accordingly, the first and second burn-in devices 11 and 12 in the standby state are terminated without burn-in again when the third burn-in device 13 ends burn-in. Thus, the first and second burn-in devices 11 and 12 are equal to the burn-in time (burn-in condition) of the third burn-in device 13.
따라서, 이와 같이 다른 시각에서 번인 처리를 개시시키도록 하여 실시하더라도 상기 실시 형태와 같은 효과를 가진다. 또한, 각 번인 장치(11∼13)에 세트하는 반도체 디바이스가 대량으로 그 세트 작업에 시간을 요하는 경우, 세트 작업이 완료된 장치로부터 순서대로 번인 처리를 행하여 작업 효율의 향상을 도모 할 수 있다.Therefore, even if it is made to start a burn-in process in another time in this way, it has the same effect as the said embodiment. Moreover, when the semiconductor device set to each burn-in apparatus 11-13 requires time for a large set work, burn-in process can be performed in order from the apparatus which set work was completed, and work efficiency can be improved.
상기 실시 형태로서는 고장율의 안정기의 판정 방법은 고장율이 기준 고장율 Q 이하로서, 그 때의 변동치가 기준 변동치 K 이하의 상태가 연속하여 기준 계속 회수 N 계속된 때에 안정기에 들어 갔다고 판정하고 있다. 그러나, 이에 한정되는 것이 아니고 이 것 이외의 판정 방법으로 판정하여도 좋다. 즉, 도 6에 도시하는 C점 부근, 즉 우발 고장기의 초기에 들어간 것을 판정할 수 있으면 어떤 방법이라도 좋다.In the above embodiment, the method for determining the ballast of failure rate determines that the failure rate has entered the ballast when the failure rate is equal to or less than the standard failure rate Q, and the change value at that time is equal to or less than the reference change value K continuously. However, the present invention is not limited thereto and may be determined by a determination method other than this. That is, any method may be used as long as it can be determined that the point C is shown in FIG.
예컨대, 그 때 마다의 측정 결과에 있어서, 새롭게 고장난 반도체 디바이스의 수가 미리 정한 수로 저하했을 때, 또는, 그 미리 정한 수로 저하하여 그 상태가 미리 정한 회수 계속된 때, 고장율이 안정기에 들어 갔다고 판정하도록 하여도 좋다. 이 경우, 측정 결과 처리 장치(15)는 고장율의 연산등을 하지 않고 끝나므로 부하가 작게 된다. 물론, 상기 실시 형태에 있어서, 예컨대 기준 계속 회수 N을 연속하지 않으면 안되는 요건을 생략하여 실시하여도 좋다.For example, in the measurement result at that time, when the number of newly failed semiconductor devices has dropped to a predetermined number, or when the number has decreased to a predetermined number and the state continues for a predetermined number of times, it is determined that the failure rate has entered the ballast. You may also do it. In this case, since the measurement result processing apparatus 15 ends without calculating a failure rate etc., a load becomes small. Of course, in the said embodiment, you may abbreviate | omit and implement the requirement which must continue reference | standard continuation number N, for example.
상기 실시 형태에서, 측정 결과 처리 장치(15)는 각각 고장율의 연산을 한 후, 고장율이 안정기에 들어갔는지의 여부를 행하도록 하였으나, 이것을 고장율의 연산을 각 번인 장치로 연산시켜 측정 결과 처리 장치(15)에 출력시키도록 하여도 좋다. 이 경우, 측정 결과 처리 장치(15)의 부하가 경감된다.In the above embodiment, the measurement result processing device 15 calculates the failure rate, and then calculates whether the failure rate has entered the ballast, but calculates the failure rate with each burn-in device to determine the measurement result processing device ( 15) may be output. In this case, the load of the measurement result processing apparatus 15 is reduced.
상기 실시 형태에서, 측정 결과 처리 장치(15)가 고장율이 안정기에 들어갔는지의 판정 처리를 하도록 하였다. 이것을 각 번인 장치에서 고장율이 안정기에 들어 갔는지를 판정시켜 그 판정 결과를 측정 결과 처리 장치(15)로 출력시킨다. 그리고, 측정 결과 처리 장치(15)는 각 번인 장치로부터의 판정 결과에 기초하여각번인 장치의 번인의 계속을 제어한다. 이 경우, 각 번인 장치의 부하는 커지지만 상기 실시 형태와 같이 제품 수명의 격차가 감소하여 품질의 안정을 도모할 수 있음과 함께 번인이 지나쳐 제품의 수명을 극단적으로 짧게 하여 버리는 일은 없다.In the said embodiment, the measurement result processing apparatus 15 was made to perform the determination process of the failure rate entering into the ballast. It is determined whether or not the failure rate enters the ballast in each burn-in device, and the result of the determination is output to the measurement result processing device 15. And the measurement result processing apparatus 15 controls the continuation of the burn-in of each burn-in apparatus based on the determination result from each burn-in apparatus. In this case, although the load of each burn-in apparatus becomes large, like the said embodiment, the gap of a product life can be reduced and stability of quality can be aimed at, and the burn-in does not become excessively short and the lifetime of a product is not made short.
상기 실시 형태의 번인 방법은 측정 결과 처리 장치(15)가 각 번인 장치(11∼13)를 제어하는 구성이었다. 이것을, 예컨대, 제1 번인 장치(11)에 측정 결과 처리 장치(15)의 기능을 덧붙이고 자신과 그 밖의 제2 및 제3 번인 장치(12, 13)를 제어하여 번인하는 것과 같이 실시하여도 좋다.The burn-in method of the said embodiment was the structure which the measurement result processing apparatus 15 controls each burn-in apparatus 11-13. This may be done, for example, by adding the function of the measurement result processing device 15 to the first burn-in device 11 and controlling itself and the other second and third burn-in devices 12 and 13 to burn-in. .
상기 실시 형태에서 3대의 번인 장치를 사용하여 번인 방법으로 구체화하였으나, 대 수에 한정되지 않고 2대 이하 또는 4대 이상의 번인 장치를 사용한 번인 방법으로 구체화하여도 좋다.In the above embodiment, three burn-in devices are used for the burn-in method. However, the burn-in method is not limited to the number, but may be embodied by burn-in using two or more burn-in devices.
청구항1∼6 기재의 발명에 의하면 다수의 전자 부품을 복수의 번인 장치로 배분하여 번인을 행할 때, 그 각 번인 장치마다 번인되는 전자 부품에 있어서의 제품 수명의 격차가 감소할 수 있고 품질의 안정을 도모할 수 있다.According to the invention of claims 1 to 6, when distributing a plurality of electronic components to a plurality of burn-in devices to burn-in, the gap of product life in the electronic parts burned in for each burn-in device can be reduced and the quality is stable. Can be planned.
Claims (6)
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