KR19990075495A - Pressure sensor and manufacturing method - Google Patents
Pressure sensor and manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- KR19990075495A KR19990075495A KR1019980009726A KR19980009726A KR19990075495A KR 19990075495 A KR19990075495 A KR 19990075495A KR 1019980009726 A KR1019980009726 A KR 1019980009726A KR 19980009726 A KR19980009726 A KR 19980009726A KR 19990075495 A KR19990075495 A KR 19990075495A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- pressure sensor
- forming
- nitride film
- silicon wafer
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 34
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 18
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
본 발명에 의한 압력센서 및 그 제조방법은, 실리콘 웨이퍼 상에 에피층을 형성하는 공정과, 불순물 이온주입 공정을 통해 상기 웨이퍼 내부의 양 가장 자리부에 제 1 저항 단자를 형성하는 공정과, 상기 에피층 상에 산화막과 질화막을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 제 1 저항 단자 사이의 상기 질화막 표면이 소정 부분 노출되도록 임의막을 형성하는 공정과, 상기 질화막의 표면 노출부를 포함한 상기 임의막의 소정 부분에 걸쳐 폴리실리콘막을 형성하는 공정과, 불순물 이온주입 공정을 통해 상기 임의막 상의 상기 질화막 내부 소정 부분에 제 2 저항 단자를 형성하는 공정 및, 상기 임의막을 제거하는 공정으로 이루어져, 1) 실리콘 웨이퍼의 식각 공정없이도 압력센서를 제조할 수 있게 되므로 압력센서의 재현성있는 설계가 가능하게 되고, 2) 센서 자체의 정확도를 향상시킬 수 있게 되므로 고신뢰성의 압력센서를 구현할 수 있게 되며, 3) 전체적인 공정 시간을 단축할 수 있게 되므로 생산성 향상을 기할 수 있게 된다.A pressure sensor and a method of manufacturing the same according to the present invention include a process of forming an epitaxial layer on a silicon wafer, a process of forming first resistance terminals at both edges of the wafer through an impurity ion implantation process, and Sequentially forming an oxide film and a nitride film on the epitaxial layer, forming a random film so as to expose a predetermined portion of the surface of the nitride film between the first resistance terminal, and a predetermined portion of the random film including a surface exposed portion of the nitride film. A process of forming a polysilicon film over, a process of forming a second resistance terminal in a predetermined portion inside the nitride film on the arbitrary film through an impurity ion implantation process, and removing the random film, 1) etching a silicon wafer Since the pressure sensor can be manufactured without a process, a reproducible design of the pressure sensor is possible. It is possible to realize high reliability pressure sensor because it can improve its accuracy.
Description
본 발명은 압력센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정 변경을 통하여 압력센서의 재현성 있는 설계가 가능하도록 한 압력센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pressure sensor and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a pressure sensor and a method of manufacturing the same to enable a reproducible design of the pressure sensor through a process change.
종래 일반적으로 사용되어 오던 압력센서는 크게, 실리콘 웨이퍼의 백면(back side)에는 각 모서리 부분을 제외한 네 측면이 모두 오픈되도록 요홈부가 형성되고, 프론트면(front side)면의 소정 부분에는 저항 단자(예컨대, 기준 저항 단자 및 가변 저항 단자)가 형성되며, 각 모서리부의 내측에는 상기 저항 단자에서 발생되는 저항값을 검출하기 위한 신호 검출부가 형성되도록 이루어져, 외부로부터 실리콘 웨이퍼의 프론트면에 외압이 가해질 때 상기 저항 단자에서 발생되는 저항값 변화를 신호 검출부를 통해 검출해 주는 방식으로 압력을 측정하고 있다.The pressure sensor, which has been generally used in the related art, is largely formed in the back side of the silicon wafer so that all four sides except for the corner portions are opened, and a predetermined portion of the front side surface includes a resistance terminal ( For example, a reference resistance terminal and a variable resistance terminal) are formed, and a signal detector for detecting a resistance value generated at each of the resistance terminals is formed inside each corner, so that an external pressure is applied to the front surface of the silicon wafer from the outside. The pressure is measured by detecting a change in the resistance value generated at the resistance terminal through the signal detector.
도 1 내지 도 4에는 상기 구조를 갖는 종래의 압력센서 제조방법을 도시한 공정수순도가 제시되어 있다. 상기 공정수순도를 참조하여 그 제조방법을 제 4 단계로 구분하여 살펴보면 다음과 같다.1 to 4 show a process flowchart showing a conventional pressure sensor manufacturing method having the above structure. Referring to the process flow chart and looking at the manufacturing method divided into a fourth step as follows.
제 1 단계로서, 도 1에 도시된 바와 같이 실리콘 웨이퍼(10)의 프론트면에 소정 두께의 단결정 실리콘 에피층(12)을 형성한다.As a first step, as shown in FIG. 1, a single crystal silicon epitaxial layer 12 having a predetermined thickness is formed on the front surface of the silicon wafer 10.
제 2 단계로서, 도 2에 도시된 바와 같이 실리콘 웨이퍼(10)의 백면 중앙부가 노출되도록 상기 웨이퍼(10)의 백면 각 모서리부에 감광막 패턴(14)을 형성하고, 이를 마스크로 이용하여 실리콘 웨이퍼(10)를 소정 두께 식각하여 실리콘 웨이퍼(10) 내부에 요홈부(h)를 형성한다. 이때, 실리콘 웨이퍼(10)의 식각 공정은 상기 웨이퍼의 총 두께가 500 ~ 550㎛ 정도의 두께를 가진다는 점을 감안하여 요홈부(h) 하측의 실리콘 웨이퍼(10)가 약 10 ~ 30㎛의 두께(d)를 가지도록 진행된다. 바람직한 두께(d)는 20㎛이다.As a second step, as shown in FIG. 2, a photosensitive film pattern 14 is formed at each corner of the back surface of the wafer 10 so that the center of the back surface of the silicon wafer 10 is exposed, and the silicon wafer is used as a mask. The groove 10 is formed in the silicon wafer 10 by etching the thickness 10. In this case, in the etching process of the silicon wafer 10, the total thickness of the wafer has a thickness of about 500 to 550 μm, so that the silicon wafer 10 under the recess h is about 10 to 30 μm. It proceeds to have thickness d. Preferred thickness d is 20 mu m.
제 3 단계로서, 도 3에 도시된 바와 같이 감광막 패턴(14)을 제거하고, 저항 단자 형성부의 에피층(12) 표면이 소정 부분 노출되도록 그 위에 감광막 패턴(14)을 형성한 다음, 이를 마스크로 이용하여 에피층(12) 상으로 불순물을 이온주입한 뒤 어닐링하여 실리콘 웨이퍼(10) 내에 제 1 및 제 2 저항 단자(16a),(16b)로 사용되어질 불순물 주입 영역을 형성한다. 여기서, 참조번호 16a로 표시된 제 1 저항 단자는 외부로부터 실리콘 웨이퍼(10) 표면에 외압이 가해지더라도 그 하단의 실리콘 웨이퍼(10)로 인해 지지되어져 저항값의 변화가 없게 되므로 기준 저항 단자로 사용되고, 참조번호 16b로 표시된 제 2 저항 단자는 외부로터 외압이 가해질 경우 이 부분의 실리콘 웨이퍼 두께(d)가 상대적으로 얇아 연직 하방향으로 소량의 휨이 발생하게 되어 저항값이 다소 변화하게 되므로 가변 저항 단자로 사용된다.As a third step, as shown in FIG. 3, the photoresist pattern 14 is removed, and the photoresist pattern 14 is formed thereon such that the surface of the epitaxial layer 12 of the resistance terminal forming portion is exposed to a predetermined portion, and then masked. Impurity ions are implanted onto the epitaxial layer 12 and then annealed to form an impurity implantation region to be used as the first and second resistance terminals 16a and 16b in the silicon wafer 10. Here, the first resistive terminal indicated by reference numeral 16a is used as a reference resistive terminal because it is supported by the silicon wafer 10 at the bottom thereof so that there is no change in resistance value even when an external pressure is applied to the surface of the silicon wafer 10 from the outside. The second resistance terminal indicated by reference numeral 16b has a relatively thin silicon wafer thickness d when the external rotor external pressure is applied, so that a small amount of warpage occurs in the vertical downward direction, and thus the resistance value changes slightly. Used as
이와 같이 저항 단자(16a),(106b)를 형성해 준 것은 외부로부터 실리콘 웨이퍼(10) 상으로 외압이 가해지게 되면 기준 저항 단자의 저항값은 변화되지 않으나 가변 저항 단자의 저항값은 변화되게 되므로, 이 저항값 차이를 실리콘 웨이퍼(10)의 내측벽 소정 부분에 형성된 신호 검출부를 통해 검출해 주는 방식으로 압력의 크기를 측정하기 위함이다.The resistance terminals 16a and 106b are formed in this way, when an external pressure is applied from the outside onto the silicon wafer 10, the resistance value of the reference resistance terminal does not change, but the resistance value of the variable resistance terminal changes. This is to measure the magnitude of the pressure in such a way that the difference in resistance is detected through a signal detector formed in a predetermined portion of the inner wall of the silicon wafer 10.
제 4 단계로서, 도 4에 도시된 바와 같이 감광막 패턴(14)과 단결정 실리콘 에피층(12)을 제거해 주므로써, 본 공정 진행을 완료한다.As a fourth step, the process of the present process is completed by removing the photosensitive film pattern 14 and the single crystal silicon epitaxial layer 12 as shown in FIG.
그러나, 상기 공정을 거쳐 압력센서를 제조할 경우에는 공정 진행 과정에서 다음과 같은 몇가지의 문제점이 발생하게 된다.However, when manufacturing the pressure sensor through the above process, the following several problems occur during the process.
첫째, 실리콘 웨이퍼(10)의 백면에 요홈부(h) 형성시, 실리콘 웨이퍼의 중앙부 두께(d)가 수십 ㎛(예컨대, 10 ~ 30㎛) 정도 잔존되도록 식각 공정을 진행해 주어야 하는데, 이 과정에서 식각 종료점을 정확하게 검출하기 어려운 관계로 인해 과식각(over etch)나 식각부족(under etch) 현상이 빈번하게 발생하게 된다. 이와 같이 과식각이나 식각부족 현상이 발생될 경우, 압력 센서의 재현성있는 설계가 어려울 뿐 아니라 센서 자체의 정확도가 떨어지는 현상이 초래되므로 압력센서의 전체적인 신뢰성이 저하되는 문제가 발생하게 된다.First, when the recess h is formed on the back surface of the silicon wafer 10, the etching process should be performed such that the center thickness d of the silicon wafer remains for several tens of micrometers (for example, 10 to 30 micrometers). Due to the difficulty in accurately detecting the end point of etching, overetch or underetch may occur frequently. As such, when over-etching or lack of etching occurs, not only the reproducible design of the pressure sensor is difficult, but also the accuracy of the sensor itself decreases, which causes a problem that the overall reliability of the pressure sensor is degraded.
둘째, 500 ~ 550㎛ 두께의 실리콘 웨이퍼를 수십 ㎛ 정도만이 남겨지도록 식각하는데 소요되는 시간이 긴 관계로 인해, 전체적인 공정 진행 시간이 길어질 수밖에 없으므로 생산성이 저하되는 단점이 발생된다.Second, due to the long time required to etch a silicon wafer having a thickness of 500 to 550 μm so that only about several tens of μm is left, the overall process progress time is inevitably long, resulting in a decrease in productivity.
이에 본 발명의 목적은, 이종의 물질(예컨대, 산화막과 질화막 및 폴리실리콘막 등)을 도입하여 실리콘 웨이퍼의 식각 공정없이도 압력센서를 제조할 수 있도록 공정을 변경해 주므로써, 압력센서의 재현성있는 설계 및 공정 시간 단축에 기인한 생산성 향상이 가능하도록 한 압력센서를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to introduce a heterogeneous material (eg, an oxide film, a nitride film, a polysilicon film, etc.), thereby changing the process so that the pressure sensor can be manufactured without etching the silicon wafer, thereby reproducing the design of the pressure sensor. And it provides a pressure sensor to enable the productivity improvement due to the reduction of the process time.
본 발명의 다른 목적은 상기 압력센서의 효과적인 제조방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide an effective method for manufacturing the pressure sensor.
도 1 내지 도 4는 종래의 압력센서 제조방법을 도시한 공정수순도,1 to 4 is a process flowchart showing a conventional pressure sensor manufacturing method,
도 5 내지 도 9은 본 발명에 의한 압력센서 제조방법을 도시한 공정수순도이다.5 to 9 is a process flowchart showing the pressure sensor manufacturing method according to the present invention.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 실리콘 웨이퍼와; 상기 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 에피층과; 상기 에피층 하단의 상기 실리콘 웨이퍼 내부 양 가장자리부에 형성된 제 1 저항 단자와; 상기 에피층 상에 형성된 산화막과; 상기 산화막 상에 형성된 질화막과; 상기 제 1 저항 단자 사이의 상기 질화막 상에 형성되며, 중앙부는 상기 질화막과 접촉되고 그 양 에지측은 상기 질화막과 소정 간격 이격되도록 샹향 절곡된 폴리실리콘막; 및 상기 폴리실리콘막의 양 에지측 내부 소정 부분에 형성된 제 2 저항 단자로 이루어진 압력센서가 제공된다.In the present invention to achieve the above object; An epitaxial layer formed on the silicon wafer; First resistance terminals formed at both edges of the silicon wafer at the bottom of the epitaxial layer; An oxide film formed on the epi layer; A nitride film formed on the oxide film; A polysilicon film formed on the nitride film between the first resistance terminals, a center portion of which is in contact with the nitride film, and both edges of which are bent toward the nitride film at a predetermined interval; And a second resistance terminal formed at a predetermined portion inside both edges of the polysilicon film.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는, 실리콘 웨이퍼 상에 에피층을 형성하는 공정과; 불순물 이온주입 공정을 통해 상기 웨이퍼 내부의 양 가장 자리부에 제 1 저항 단자를 형성하는 공정과; 상기 에피층 상에 산화막과 질화막을 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 제 1 저항 단자 사이의 상기 질화막 표면이 소정 부분 노출되도록 임의막을 형성하는 공정과; 상기 질화막의 표면 노출부를 포함한 상기 임의막의 소정 부분에 걸쳐 폴리실리콘막을 형성하는 공정과; 불순물 이온주입 공정을 통해 상기 임의막 상의 상기 질화막 내부 소정 부분에 제 2 저항 단자를 형성하는 공정; 및 상기 임의막을 제거하는 공정으로 이루어진 압력센서 제조방법이 제공된다.In order to achieve the above another object, the present invention, the step of forming an epi layer on a silicon wafer; Forming a first resistance terminal at both edges of the wafer through an impurity ion implantation process; Sequentially forming an oxide film and a nitride film on the epi layer; Forming an arbitrary film such that the surface of the nitride film between the first resistance terminal is partially exposed; Forming a polysilicon film over a predetermined portion of the arbitrary film including a surface exposed portion of the nitride film; Forming a second resistance terminal in a predetermined portion inside the nitride film on the arbitrary film through an impurity ion implantation process; And it provides a pressure sensor manufacturing method consisting of a step of removing the arbitrary film.
상기 구조를 가지도록 압력센서를 제조할 경우, 이종의 물질 도입으로 인해 압력센서 제조시 실리콘 웨이퍼의 식각 공정이 필요없게 되므로, 식각 공정의 한계로 인해 야기되던 과식각이나 식각부족 현상을 제거할 수 있게 되어 압력센서의 재현성있는 설계가 가능하게 된다. 또한, 이로 인해 전체적인 공정 진행 시간을 단축할 수 있게 된다.When the pressure sensor is manufactured to have the above structure, the etching process of the silicon wafer is unnecessary when the pressure sensor is manufactured due to the introduction of heterogeneous materials, thereby eliminating the overetching or the lack of etching caused by the limitation of the etching process. This allows for a reproducible design of the pressure sensor. This also shortens the overall process run time.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
도 5 내지 도 9는 본 발명에 의한 압력센서의 제조방법을 도시한 공정수순도를 나타낸 것으로, 이를 참조하여 그 제조방법을 크게 제 5 단계로 구분하여 살펴보면 다음과 같다.5 to 9 show a process flowchart showing the manufacturing method of the pressure sensor according to the present invention. Referring to this, the manufacturing method is divided into five steps.
제 1 단계로서, 도 5에 도시된 바와 같이 실리콘 웨이퍼(100) 상에 9 ~ 11㎛ 두께의 에피층(102)을 형성한 다음, 저항 단자 형성부에만 선택적으로 불순물을 이온주입하고 어닐링하여 상기 웨이퍼(100) 내부의 양 가장자리부에 제 1 저항 단자(104a)로 사용될 불순물 주입 영역을 형성한다.As a first step, as shown in FIG. 5, an epitaxial layer 102 having a thickness of 9 to 11 μm is formed on the silicon wafer 100, and then ion implantation and annealing are selectively performed on the resistance terminal forming unit. Impurity implantation regions to be used as the first resistance terminal 104a are formed at both edges of the wafer 100.
제 2 단계로서, 도 6에 도시된 바와 같이 열산화 공정을 이용하여 에피층(102) 상에 0.3 ~ 0.5㎛ 두께의 산화막(106)을 형성하고, 그 위에 소정 두께의 질화막(108)과 임의막(110)을 순차적으로 형성한다. 이때, 상기 임의막(110)은 CVD 산화막으로 형성된다.As a second step, as shown in FIG. 6, an oxide film 106 having a thickness of 0.3 to 0.5 µm is formed on the epi layer 102 using a thermal oxidation process, and a nitride film 108 having a predetermined thickness thereon and optionally The film 110 is formed sequentially. In this case, the arbitrary film 110 is formed of a CVD oxide film.
제 3 단계로서, 도 7에 도시된 바와 같이 제 1 저항 단자(104a) 사이의 웨이퍼(100) 상측에 위치한 임의막(110) 표면이 소정 부분 노출되도록 감광막 패턴(112)을 형성하고, 이를 마스크로 이용하여 질화막(108)의 표면이 소정 부분 노출되도록 임의막(110)을 식각한다.As a third step, as shown in FIG. 7, the photoresist pattern 112 is formed to expose a predetermined portion of the surface of the arbitrary film 110 positioned above the wafer 100 between the first resistance terminals 104a and mask the mask. The random film 110 is etched so that the surface of the nitride film 108 is partially exposed.
제 4 단계로서, 도 8에 도시된 바와 같이 감광막 패턴(112)을 제거하고, 질화막(108)의 표면 노출부와 그 주변의 임의막(110) 상의 소정 부분에 걸쳐 폴리실리콘막(114)을 형성한 다음, 저항 단자 형성부에만 선택적으로 불순물을 이온주입하고 어닐링하여 상기 임의막(110) 상의 폴리실리콘막(114) 내부 소정 부분에 제 2 저항 단자(104b)로 사용될 불순물 주입 영역을 형성한다.As a fourth step, the photosensitive film pattern 112 is removed as shown in FIG. 8, and the polysilicon film 114 is applied over a surface exposed portion of the nitride film 108 and a predetermined portion on the optional film 110 in the vicinity thereof. After the formation, an impurity implantation region is selectively implanted into the resistance terminal forming portion and annealed to form an impurity implantation region to be used as the second resistance terminal 104b in a predetermined portion of the polysilicon film 114 on the arbitrary film 110. .
제 5 단계로서, 도 9에 도시된 바와 같이 습식식각 공정을 이용하여 폴리실리콘막(114)과 질화막(108) 사이의 임의막(110)을 제거해 주므로써, 본 공정 진행을 완료한다.As a fifth step, the process of the present process is completed by removing the arbitrary film 110 between the polysilicon film 114 and the nitride film 108 using a wet etching process as shown in FIG. 9.
그 결과, 도 9에서 알 수 있듯이 실리콘 웨이퍼(100) 상에는 에피층(102)이 형성되고, 에피층(102) 하단의 실리콘 웨이퍼(100) 내부 양 가장자리부에는 제 1 저항 단자(104a)가 형성되며, 에피층(102) 상에는 산화막(106)과 질화막(108)이 순차적으로 형성되고, 제 1 저항 단자(104a) 사이의 실리콘 웨이퍼(100) 상측에 위치한 질화막(108) 상에는 중앙부는 질화막(108)과 접촉되는 반면 그 양 에지측은 질화막(108)과 소정 간격 이격되도록 샹향 절곡된 구조의 폴리실리콘막(114)이 형성되며, 폴리실리콘막(114)의 양 에지측 내부 소정 부분에는 제 2 저항 단자(104b)가 형성된 구조의 압력센서가 완성된다.As a result, as shown in FIG. 9, an epitaxial layer 102 is formed on the silicon wafer 100, and first resistance terminals 104a are formed on both edge portions of the silicon wafer 100 at the lower end of the epitaxial layer 102. The oxide film 106 and the nitride film 108 are sequentially formed on the epi layer 102, and the center portion of the nitride film 108 is disposed on the nitride film 108 positioned above the silicon wafer 100 between the first resistance terminal 104a. While being in contact with both sides of the polysilicon film 114, the polysilicon film 114 having a curved shape is formed so as to be spaced apart from the nitride film 108 by a predetermined distance. The pressure sensor of the structure in which the terminal 104b was formed is completed.
상기 구조를 가지도록 압력센서를 제조할 경우, 실리콘 웨이퍼 식각 공정이 필요없게 되므로, 이 과정에서 야기되던 과식각이나 식각부족 현상을 제거할 수 잇게 되어 압력센서의 재현성있는 설계가 가능하게 된다.When the pressure sensor is manufactured to have the above structure, the silicon wafer etching process is unnecessary, and thus, the over-etching or lack of etching caused by this process can be eliminated, thereby enabling a reproducible design of the pressure sensor.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 1) 실리콘 웨이퍼의 식각 공정없이도 압력센서를 제조할 수 있게 되므로 상기 웨이퍼 식각시 야기되던 과식각이나 식각부족 현상을 방지할 수 있게 되어 압력센서의 재현성있는 설계가 가능하게 되고, 2) 이로 인해 센서 자체의 정확도를 향상시킬 수 있게 되므로 고신뢰성의 압력센서를 구현할 수 있게 되며, 3) 전체적인 공정 시간을 단축할 수 있게 되므로 생산성 향상을 기할 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, 1) it is possible to manufacture the pressure sensor without the etching process of the silicon wafer, so that it is possible to prevent the over-etching or lack of etching caused by the wafer etching, so that the reproducible design of the pressure sensor 2) This improves the accuracy of the sensor itself, thereby enabling the implementation of a highly reliable pressure sensor, and 3) reducing the overall process time, thereby improving productivity.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980009726A KR100260243B1 (en) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | Pressure sensor and method for fabricating thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980009726A KR100260243B1 (en) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | Pressure sensor and method for fabricating thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990075495A true KR19990075495A (en) | 1999-10-15 |
| KR100260243B1 KR100260243B1 (en) | 2000-07-01 |
Family
ID=19535157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980009726A KR100260243B1 (en) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | Pressure sensor and method for fabricating thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100260243B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100908124B1 (en) * | 2007-07-09 | 2009-07-16 | 삼성전자주식회사 | Pressure sensor for measuring blood pressure and manufacturing method thereof |
-
1998
- 1998-03-20 KR KR1019980009726A patent/KR100260243B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100908124B1 (en) * | 2007-07-09 | 2009-07-16 | 삼성전자주식회사 | Pressure sensor for measuring blood pressure and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100260243B1 (en) | 2000-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4857477A (en) | Process for fabricating a semiconductor device | |
| JP4260396B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP3506932B2 (en) | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing the same | |
| JP4168497B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor dynamic quantity sensor | |
| KR20000028948A (en) | Method for manufacturing an angular rate sensor | |
| KR100260243B1 (en) | Pressure sensor and method for fabricating thereof | |
| JPH06180210A (en) | Method for measuring size of spacer | |
| US7041593B2 (en) | Method for manufacturing thin-film structure | |
| KR100293268B1 (en) | Pressure sensor and method for fabricating the same | |
| US6723250B1 (en) | Method of producing structured wafers | |
| JPH07167725A (en) | Capacitive pressure sensor and its manufacture | |
| CN210559358U (en) | Pressure sensor | |
| CN114823626A (en) | Test structure, forming method thereof and alignment precision detection method | |
| JPS61271839A (en) | Pattern forming method | |
| JP3151791B2 (en) | Monitor pattern of critical dimension control device and method of using the same | |
| JPH04370929A (en) | Dry etching method | |
| JPH0334426A (en) | Forming method of buried oxide film | |
| JP4241406B2 (en) | Semiconductor dynamic quantity sensor | |
| JPH0864579A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| US7030025B2 (en) | Method of manufacturing flotox type eeprom | |
| JPH0430518A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR100215904B1 (en) | Manufacturing method of silicon sensor | |
| JPH04309222A (en) | Semiconductor device | |
| KR100304441B1 (en) | Forming method for a align mark of semiconductor device | |
| JP3292081B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor acceleration sensor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20040331 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |