KR19990065302A - 전계 방출 소자 - Google Patents
전계 방출 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19990065302A KR19990065302A KR1019980000546A KR19980000546A KR19990065302A KR 19990065302 A KR19990065302 A KR 19990065302A KR 1019980000546 A KR1019980000546 A KR 1019980000546A KR 19980000546 A KR19980000546 A KR 19980000546A KR 19990065302 A KR19990065302 A KR 19990065302A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- tip
- spacer
- field emission
- electron beam
- fed
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
- H01J1/3044—Point emitters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/86—Vessels; Containers; Vacuum locks
- H01J29/863—Vessels or containers characterised by the material thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
- H01J2329/02—Electrodes other than control electrodes
- H01J2329/04—Cathode electrodes
- H01J2329/0407—Field emission cathodes
- H01J2329/0439—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2329/0444—Carbon types
- H01J2329/0447—Diamond
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
본 발명에 따른 FED는, 그 내면부에 형광체가 코팅되어 있으며 애노우드 기능을 갖는 일측 유리 기판과, 그 내면부에 전자방출을 위한 팁이 형성되어 있으며 캐소우드 기능을 갖는 타측 유리기판을 구비하는 FED에 있어서, 상기 양측 기판 사이에는 상기 팁으로부터 방출된 전자빔의 휨현상을 방지하기 위한 스페이서가 마련되되, 상기 스페이서는 멀티 포커싱 전극층, 전자빔 증폭층 및 게터층의 복수층 구조로 되어 있고, 상기 팁은 다이아몬드 팁으로 되어 있는 점에 그 특징이 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 고강도의 스페이서를 애노우드 플레이트와 캐소우드 플레이트 간에 용이하게 위치시킬 수 있고, 멀티 포커싱 전극의 사용에 의해 전자빔의 포커싱이 용이하며, 전자증폭기의 사용에 의해 저전류방출에서 고휘도를 달성할 수 있다. 또한, 다이아몬드 팁을 사용함으로써 낮은 구동전압과 고온안정성, 높은 열전도성을 얻을 수 있는 장점이 있다.
Description
본 발명은 전계 방출 소자(field emission display:이하 FED)에 관한 것으로서, 특히 스페이서가 절연물질과 전극물질을 사용한 다층 기판 구조로 되어 있는 FED에 관한 것이다.
FED는 평판표시소자의 하나로 양극과 음극사이의 강한 전계에 의해 각 픽셀의 전자총으로부터 방출된 전자가 형광체에 충돌하여 형광체에서 빛을 발하는 현상을 이용한 표시소자이다. 이와 같은 FED는 넓은 시야각, 우수한 해상도, 낮은 구동전압, 온도에 대한 안정성 등 기존의 CRT에 비해 많은 장점을 가지고 있다. 따라서 FED는 현재 군사용 장비, 비디오 카메라용 뷰 파인더(view finder) 등에 이용되고 있으며, 향후 자동차 운행 시스템(car navigation system), 노트북 컴퓨터, HDTV (high definition television) 등에도 널리 사용될 전망이다. 이상과 같은 FED를 구현하기 위한 핵심 기술은 고성능 FEA 기술, 저전압 형광체 기술, 고진공 실장기술로 분류된다.
도 1은 종래 FED의 구성을 개략적으로 나타내 보인 수직 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래 FED는 하나의 밀폐용기를 구성하는 것으로 상,하부에는 ITO(Indium Tin oxide) 유리판(11)(12)이, 측면에는 프릿(frit) 유리(미도시)가 각각 마련되어 있다. 상부 ITO 유리판(11)의 내면에는 ITO 유리를 소정 형태로 패터닝(patterning)하여 형성한 애노우드(anode)(미도시)가 마련되어 있고, 그 애노우드 위에는 적(R),녹(G),청(B) 형광체(14)가 도포되어 있다. 하부 ITO 유리판(12)의 상면에는 역시 ITO 유리를 소정 형태로 패터닝하여 형성한 캐소우드(cathode) 라인(15)이 마련되어 있으며, 그 캐소우드 라인(15) 위에는 전자를 방출하기 위한 몰리브덴(Mo) 팁(16)과 그 몰리브덴 팁(16)으로부터 전자가 방출할 수 있도록 정전압을 걸어주기 위한 게이트(gate)(17)가 교번으로 배치되어 있다.
한편, 이상과 같은 구성을 가지는 FED는 몰리브덴 팁(16)에서 방출된 전자들의 평균 자유행정을 늘리기 위해 고진공 상태에서 동작되어야 하는 바, 스크린의 면적이 증가하게 되면 그와 같은 고진공하에서 휨현상이 발생되므로 일정한 거리마다 스페이서를 위치시켜야 한다. 종래 FED에서는 고진공을 유지하기 위하여 상기 상부 ITO 유리판(11)과 하부 ITO 유리판(12) 간에 스페이서를 별도로 제작하여 상부 ITO 유리판(11) 또는 하부 ITO 유리판(12) 상에 접착하였다. 따라서, 스페이서의 제작비용이 많이 들고, 접착공정이 어려웠다. 또한, 몰리브덴 팁(16)을 사용하였기 때문에 고온 공정인 프릿 글래스 파이어링(frit glass firing) 중에 몰리브덴 팁(16)의 산화로 전자방출 효율이 좋지 않았다. 그리고, 게이트(17)와 캐소우드 라인(15) 사이에 1㎛ 두께의 SiO2막을 사용하였기 때문에, 고전압 인가 시 누설전류가 발생하는 경우가 많았다. 또한, 종래의 FED는 고진공을 얻기 위하여 증발성 게터 튜브를 사용하여 부피가 커지고 취급이 불편하며, 몰리브덴 팁(16)에서 방출된 전자의 퍼짐이 심하여 크로스-토크(cross-talk)가 발생하고 형광체(14)의 휘도가 낮은 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점들을 감안하여 창출된 것으로서, 스페이서를 절연물질과 전극물질을 이용하여 다층 기판 구조로 형성함으로써 전자빔의 증폭 및 포커싱 기능을 향상시킬 수 있는 FED를 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 종래 FED의 구성을 개략적으로 나타내 보인 수직 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 FED의 구성을 개략적으로 나타내 보인 수직 단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
11,12,21,22...ITO 유리판 14,24...R,G,B 형광체
15,25...캐소우드 라인 16...몰리브덴 팁
17...게이트 26...다이아몬드 팁
27...스페이서 27a...멀티-포커싱 전극
27b...전자증폭장치 27c...in-situ 게터
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 FED는, 그 내면부에 형광체가 코팅되어 있으며 애노우드 기능을 갖는 일측 유리 기판과, 그 내면부에 전자방출을 위한 팁이 형성되어 있으며 캐소우드 기능을 갖는 타측 유리기판을 구비하는 FED에 있어서, 상기 양측 기판 사이에는 상기 팁으로부터 방출된 전자빔의 휨현상을 방지하기 위한 스페이서가 마련되되, 상기 스페이서는 멀티 포커싱 전극층, 전자빔 증폭층 및 게터층의 복수층 구조로 되어 있고, 상기 팁은 다이아몬드 팁으로 되어 있는 점에 그 특징이 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 고강도의 스페이서를 애노우드 플레이트와 캐소우드 플레이트 간에 용이하게 위치시킬 수 있고, 멀티 포커싱 전극의 사용에 의해 전자빔의 포커싱이 용이하며, 전자증폭기의 사용에 의해 저전류방출에서 고휘도를 달성할 수 있다. 또한, 다이아몬드 팁을 사용함으로써 낮은 구동전압과 고온안정성, 높은 열전도성을 얻을 수 있는 장점이 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 FED의 구성을 개략적으로 나타내 보인 수직 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 FED는 밀폐용기를 구성하는 것으로 상,하부에는 ITO 유리판(21)(22)이, 측면에는 프릿 유리(미도시)가 각각 마련된다. 상부 ITO 유리판(21)의 내면에는 ITO 유리를 소정 형태로 패터닝하여 형성한 애노우드(미도시)가 마련되고, 그 애노우드 위에는 적(R),녹(G),청(B) 형광체(24)가 도포된다. 이때, 형광체(24)는 전해도금방법에 의해 스크리닝된다.
하부 ITO 유리판(22)의 상면에는 역시 ITO 유리를 소정 형태로 패터닝하여 형성한 캐소우드 라인(25)이 마련되고, 그 캐소우드 라인(25) 위에는 전자를 방출하기 위한 다이아몬드 팁(26)이 설치된다. 또한, 상기 상,하부 ITO 유리판(21)(22) 사이에는 상기 다이아몬드 팁(26)으로부터 방출된 전자빔의 휨현상을 방지하기 위한 스페이서(27)가 마련된다. 여기서, 이 스페이서(27)는 절연물질인 3장의 그린시트(greensheet)를 접합하여 구성된다. 즉, 먼저 제1 그린시트 상에 텅스텐을 인쇄하여 멀티-포커싱(multi-focusing) 전극(27a)을 제작한다. 그리고, 제2 그린시트 상에 비어홀(viahole)을 만든 후 마찬가지로 텅스텐을 인쇄하여 전극을 형성하고, 비어홀 내부에 전자증폭물질(예컨대, CdS)을 증착하여 전자증폭장치(27b)를 제작한다. 이상과 같은 제1,제2 그린시트와 베어(bare) 상태의 제3 그린시트를 접합한 후 소성(燒成)하여 다층 스페이서를 제작한 다음, 전자빔 증착기를 사용하여 게터 물질인 티타늄(Ti)을 상기 제3 그린시트 표면에 증착하여 in-situ 게터(27c)를 형성한다.
이상과 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 FED에 있어서, 상기 다이아몬드 팁(26)으로부터 방출된 전자들은 보다 강한 정전압이 걸려있는 형광체(24) 쪽으로 가속되어 충돌된다. 그에 따라 형광체(24)로부터 빛이 발산된다. 이와 같은 과정에 있어서, 상기 다이아몬드 팁(26)으로부터 방출된 전자들은 도시된 바와 같이 스페이서(27)의 전자증폭장치(27b)에 의해 증폭되어 더욱 가속된다. 그에 따라 형광체(24)와 충돌되는 전자의 속도는 더욱 커지고, 충돌되는 전자의 수량도 많아지게 된다. 그 결과, 형광체(24)에서의 광발산이 더욱 활발해져 휘도가 한층 향상된다.
이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 FED는 고강도의 스페이서를 애노우드 플레이트와 캐소우드 플레이트 간에 용이하게 위치시킬 수 있고, 멀티 포커싱 전극의 사용에 의해 전자빔의 포커싱이 용이하며, 전자증폭기의 사용에 의해 저전류방출에서 고휘도를 달성할 수 있다. 또한, 다이아몬드 팁을 사용함으로써 낮은 구동전압과 고온안정성, 높은 열전도성을 얻을 수 있다. 뿐만 아니라, 박막으로 된 in-situ 게터를 사용하므로 고진공을 유지할 수 있고, 게터 부착 공간을 최소화할 수 있으며, 세라믹으로 된 절연막을 사용하므로 전극간의 누설전류를 제거할 수 있다. 그리고, 본 발명의 구조에 의하면 저전압 및 고전압 형광체를 모두 사용할 수 있고, 정전용량을 최저화하여 고속 스위칭에 적합한 장점이 있다.
Claims (4)
- 그 내면부에 형광체가 코팅되어 있으며 애노우드 기능을 갖는 일측 유리 기판과, 그 내면부에 전자방출을 위한 팁이 형성되어 있으며 캐소우드 기능을 갖는 타측 유리기판을 구비하는 전계 방출 소자에 있어서,상기 양측 기판 사이에는 상기 팁으로부터 방출된 전자빔의 휨현상을 방지하기 위한 스페이서가 마련되되, 상기 스페이서는 멀티 포커싱 전극층, 전자빔 증폭층 및 게터층의 복수층 구조로 되어 있고, 상기 팁은 다이아몬드 팁으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 스페이서는 절연물질인 3장의 그린시트를 접합하여 구성된 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자.
- 제 2항에 있어서,상기 스페이서는 상기 3장의 그린시트 중 제1 그린시트 상에 텅스텐을 인쇄하여 멀티-포커싱전극을 제작하고, 제2 그린시트 상에 비어홀을 만든 후 텅스텐을 인쇄하여 전극을 형성하고, 비어홀 내부에 전자증폭물질을 증착하여 전자증폭장치를 제작하며, 상기제1,제2 그린시트와 베어 상태의 제3 그린시트를 접합하여 구성된 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자.
- 제 3항에 있어서,상기 스페이서는 상기 접합 후 소성하고 제3 그린시트 표면에 티타늄을 증착하여 in-situ 게터를 형성하여 구성된 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980000546A KR100464293B1 (ko) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 전계방출소자 |
US09/197,512 US6249083B1 (en) | 1998-01-12 | 1998-11-23 | Electric field emission display (FED) and method of manufacturing spacer thereof |
US09/847,354 US6354898B2 (en) | 1998-01-12 | 2001-05-03 | Electric field emission display (FED) and method of manufacturing spacer thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980000546A KR100464293B1 (ko) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 전계방출소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990065302A true KR19990065302A (ko) | 1999-08-05 |
KR100464293B1 KR100464293B1 (ko) | 2005-04-08 |
Family
ID=37301990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019980000546A KR100464293B1 (ko) | 1998-01-12 | 1998-01-12 | 전계방출소자 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100464293B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100740829B1 (ko) * | 2000-10-13 | 2007-07-20 | 엘지전자 주식회사 | 전계 방출 표시장치의 게터와 그 제조방법 |
-
1998
- 1998-01-12 KR KR1019980000546A patent/KR100464293B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100740829B1 (ko) * | 2000-10-13 | 2007-07-20 | 엘지전자 주식회사 | 전계 방출 표시장치의 게터와 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100464293B1 (ko) | 2005-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6249083B1 (en) | Electric field emission display (FED) and method of manufacturing spacer thereof | |
US7064493B2 (en) | Cold cathode electric field electron emission display device | |
US5543691A (en) | Field emission display with focus grid and method of operating same | |
US20090137179A1 (en) | Field emission display and method of manufacturing the same | |
US20070290602A1 (en) | Image display device and manufacturing method of the same | |
JP2006164835A (ja) | 微小電子源装置及び平面型表示装置 | |
KR100464293B1 (ko) | 전계방출소자 | |
US20060197435A1 (en) | Emissive flat panel display device | |
JP4494301B2 (ja) | 画像表示装置 | |
EP1345250A2 (en) | Display | |
KR100704801B1 (ko) | 화상 표시 장치 및 화상 표시 장치의 제조 방법 | |
US20080024052A1 (en) | Display device | |
JP2009037856A (ja) | 画像形成装置及び発光体基板 | |
KR20050096536A (ko) | 그리드 전극을 갖는 전자 방출 표시장치 | |
US20070273268A1 (en) | Planar Image Display Device and Manufacturing Method Thereof | |
JP2566155B2 (ja) | 平板型画像表示装置 | |
JP2005317534A (ja) | 電子放出表示装置 | |
JP2004241292A (ja) | 冷陰極電界電子放出表示装置 | |
JP2007070127A (ja) | 導電部材および画像表示装置 | |
US7477011B2 (en) | Cathode substrate for electron emission device and electron emission device with the same | |
JP2000268703A (ja) | 電界放出デバイス | |
JP2003016919A (ja) | 電子放出素子、電子源、電子源集合体および画像形成装置 | |
US7880383B2 (en) | Electron emission display | |
JP5097572B2 (ja) | スペーサの取付け方法及び平面型表示装置の製造方法 | |
JP2005141926A (ja) | 冷陰極電界電子放出表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20111125 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |