KR19990043617A - Manufacturing Method of Plasma Display Device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 PDP를 제조하는 개선된 방법을 개시한다.The present invention discloses an improved method of making PDPs.
종래에는 PDP 패널의 봉합과 배기 및 충전이 별도의 공정으로 이루어져, 제조설비가 별도이고 제조원가 및 전력의 소모가 크며 제조시간이 크게 소요되는 문제가 있다.Conventionally, sealing and exhausting and charging of the PDP panel are performed in separate processes, and thus, manufacturing facilities are separate, manufacturing cost and power consumption are large, and manufacturing time is large.
본 발명에서는 배기 및 충전장치상에서 패널을 소성온도로 가열하여 소성봉합한 뒤 이를 배기온도로 냉각시켜 고온배기를 수행하도록 함으로써 종래의 문제를 해결하였다.The present invention solves the conventional problem by heating the panel to a firing temperature on the exhaust and filling device to seal the firing and then cooling it to the exhaust temperature to perform high temperature exhaust.
Description
본 발명은 플라즈마 표시소자(Plasma Disply Panel ; PDP)의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a plasma display panel (PDP).
도 1에서, 기체방전현상을 화상표시에 이용하는 PDP의 기본적 구성은 교차대향하는 전극(E1, E2)이 배열된 두 기판(P1, P2) 사이에 방전기체를 충전하고 선택화소간의 간섭을 방지하기 위해 격벽(B)으로 구획한 직류(DC)형 PDP이다.In Fig. 1, the basic configuration of the PDP using the gas discharge phenomenon for image display is to charge the discharge gas between the two substrates P1 and P2 on which the opposite electrodes E1 and E2 are arranged, and to prevent the interference between the selected pixels. It is a direct current (DC) type PDP partitioned by barrier ribs (B).
그러나 이러한 DC형 PDP는 듀티 사이클(duty cycle)이 제한되어 고해상도 동화상의 표시가 불가능하므로 어느 일측전극(E1, E2)상에 유전층(D)을 형성하여 벽전하(wall charge)를 형성함으로써 발광휘도를 향상시키는 교류(AC)형 PDP가 주로 사용되고 있다.However, since the DC type PDP has a limited duty cycle, display of a high resolution moving image is impossible, so that a dielectric layer D is formed on one of the electrodes E1 and E2 to form wall charge. AC (P) type PDPs are mainly used to improve the performance.
여기서 유전층(D)은 형광층(F)의 대향측에 형성되는 바, 형광층(F)이 전면기판(P1)에 형성되어야 하는 경우 얇고 균일한 형광층(F)의 형성이 곤란하므로 형광층(F)은 일반적으로 배면기판(P2)측에 대략 U자형의 단면 거어스(girth)를 가지도록 형성되고, 이에 따라 유전층(D)은 전면기판(P1)측에 형성된다.Here, the dielectric layer D is formed on the opposite side of the fluorescent layer F. When the fluorescent layer F is to be formed on the front substrate P1, a thin and uniform fluorescent layer F is difficult to form. (F) is generally formed to have a substantially U-shaped cross section girth on the back substrate P2 side, whereby the dielectric layer D is formed on the front substrate P1 side.
도시된 구성은 특히 면(面) 방전형 PDP인바, 유전층(D) 하부의 전면전극(E1)을 복수의 평행전극(E1a, E1b)들로 구성하여 대향측의 배면전극(E2)과 개시방전을 일으킨 뒤 평행전극(E1a, E1b)간에 유지방전을 일으켜 발광휘도를 더욱 높이도록 하고 있다.In particular, the configuration shown is a surface discharge type PDP, and the front electrode E1 under the dielectric layer D is composed of a plurality of parallel electrodes E1a and E1b, so that the back electrode E2 on the opposite side and the start discharge are formed. After the above, the sustain discharge is caused between the parallel electrodes E1a and E1b to further increase the luminance of light emitted.
한편 유전층(D) 등은 일반적으로 인쇄 등 후막(厚膜) 방법에 의해 형성되는 바, 이 경우 치밀하지 못한 유전층(D)의 틈새로 플라즈마가 침투하여 전극(E1)을 손상시키는 소위 이온 봄바드먼트(ion bombardment) 현상이 발생되므로, 그 방지를 위해 유전층(D)상에는 박막(薄膜)에 의해 보호층(T)이 형성된다.On the other hand, the dielectric layer (D) or the like is generally formed by a thick film method such as printing, in which case a so-called ion bombard in which plasma penetrates into the gap between the dense dielectric layer (D) and damages the electrode (E1). Since an ion bombardment phenomenon occurs, the protective layer T is formed on the dielectric layer D by a thin film to prevent the ion bombardment.
이와 같은 PDP의 제조과정은 각 기판(P1, P2)에 전극(E1, E2)과 격벽(B)등 소요 기능층들을 형성한 뒤, 양 기판(P1, P2)을 봉합(sealing)하여 패널(panel)을 형성하고, 패널의 캐비티(cavity)를 배기한 뒤 소요 방전기체를 주입하여 밀봉하는 과정을 거쳐 완성된다.In the manufacturing process of the PDP, the required functional layers such as the electrodes E1 and E2 and the partition walls B are formed on each of the substrates P1 and P2, and then the both substrates P1 and P2 are sealed to seal the panel ( After the panel is formed, the cavity of the panel is exhausted, and the required discharge gas is injected and sealed.
도 2에는 먼저 PDP의 봉합과정을 도시하고 있는데, (A)와 같이 어느 한 기판(P2)의 외주에 봉합재(S)를 도포한 뒤 다른 기판(P1)을 이에 얹고, (B)와 같은 가열 스케쥴(heating schedule)로 봉합재(S)를 소성(燒成)함으로써 이루어진다.Figure 2 shows the sealing process of the PDP first, as shown in (A) is coated with the sealing material (S) on the outer periphery of one of the substrates (P2) and then placed on the other substrate (P1), such as (B) It is achieved by firing the encapsulant S on a heating schedule.
여기서 패널의 소성은 주로 터널(tunnel) 형태의 소성로내를 통과하며 이루어지는 바, 유리제 패널의 열충격 손상을 방지하기 위해 서열(徐熱)과 서냉(徐冷)이 필요하므로, 소성시의 가열스케쥴은 도시된 바와 같이 소성온도(T1)까지의 승온대(heating zone ; 0∼t1')와, 소성온도(T1)에서의 유지대(keeping zone ; t1'∼t2'), 그리고 다시 상온까지의 냉각대(cooling zone ; t2'∼t3')를 가져 대략 사다리골의 형태를 가지게 된다.Here, the firing of the panel is mainly carried out through a tunnel-type firing furnace, and thus, sequence and slow cooling are required to prevent thermal shock damage of the glass panel. As shown, a heating zone (0 to t1 ') to the firing temperature (T1), a holding zone (t1' to t2 ') at the firing temperature (T1), and cooling back to room temperature It has a cooling zone (t2 'to t3') to have a roughly trapezoidal shape.
한편 이와 같이 봉합된 패널은 도 3와 같이 배기 및 충전되는 바, 하나 또는 복수(점선표시)의 패널(P)의 캐비티에 연결되는 배기헤드(10)에는 진공펌프(20)와, 세정용 가스공급원(40), 그리고 충전용 가스공급원(30)이 각각 연결된다.Meanwhile, the enclosed panel is exhausted and filled as shown in FIG. 3, and a vacuum pump 20 and a cleaning gas are provided on the exhaust head 10 connected to the cavity of the panel P of one or more (dotted lines). The supply source 40 and the filling gas supply source 30 are respectively connected.
이러한 방전기체의 충전과정은 세정용 가스의 주입과 배기를 반복하여 패널(P)의 캐비티를 청정화한 뒤 방전기체를 주입 충전하는 과정으로 이루어진다.The charging process of the discharge gas is a process of injecting and filling the discharge gas after cleaning the cavity of the panel P by repeatedly injecting and evacuating the cleaning gas.
그런데 전술한 바와 같이 기판(P1, P2)상의 기능층(E1, E2, B)들은 주로 인쇄방법으로 이루어지는 바, 인쇄를 위한 페이스트(paste)의 조성을 위해 사용된 유기용제는 소성과정에서 대부분 배출되나 일부 잔류하게 되므로, 이의 제거, 소위 아웃가싱(out-gassing)을 촉진하기 위해 패널(P)을 고온상태로 가열한 상태로 배기하는 고온배기 과정이 주로 채택되고 있다.However, as described above, the functional layers E1, E2, and B on the substrates P1 and P2 are mainly made of a printing method, and most of the organic solvents used for the composition of the paste for printing are discharged during the firing process. In order to facilitate its removal, so-called out-gassing, a high temperature exhaust process in which the panel P is heated while heated to a high temperature state is mainly adopted.
고온배기는 또한 캐비티내의 잔류기체의 부피를 팽창시켜 배기를 촉진하는 역할도 수행하는 바, 그 가열과정은 도 3(B)와 같이 배기온도(T2)까지의 승온대(0∼t1"), 유지대(t1"∼t2"), 그리고 냉각대(t2"∼t3")로 구성되어 온도 및 시간의 차이는 있으나 봉합과정과 유사한 형태의 가열스케쥴을 가지게 된다.The high temperature exhaust also serves to promote the exhaust by expanding the volume of residual gas in the cavity, and the heating process includes a temperature range (0 to t1 ") up to the exhaust temperature T2 as shown in FIG. It consists of a holding table (t1 "to t2") and a cooling table (t2 "to t3"), the temperature and time difference, but has a heating schedule similar to the sealing process.
이러한 고온배기의 과정은 배기 및 충전장치의 구성상 주로 배치(batch) 처리장치로 구성되어 처리되고 있다.The process of the high temperature exhaust is mainly composed of a batch processing device in the configuration of the exhaust and filling device is processed.
이와 같이 종래의 PDP 제조과정은 봉합공정과 고온배기공정이 별도로 이루어지는 바, 전술한 바와 같이 유리제 패널(P)의 열충격에 의한 파손의 방지를 위해 각 공정은 서열과 서냉이 필요하므로 각각 수십분을 소요하게 되어 전체적 가열전력과 제조시간을 상당히 소모하게 된다.As described above, in the conventional PDP manufacturing process, a sealing process and a high temperature exhaust process are performed separately. As described above, in order to prevent breakage due to thermal shock of the glass panel P, each process requires sequence and slow cooling, and thus takes several tens of minutes. This significantly consumes the overall heating power and manufacturing time.
뿐만아니라 열에 취약한 형광층(F)이 반복적인 가열 사이클을 겪게 되어 열화(劣化)되기 쉬울뿐아니라, 패널(P) 자체가 크리프(creep)등 변형이 큰 고용체(固溶體)인 유리제이므로 반복적 가열에 의해 상당한 변형을 가지게 된다.In addition, the fluorescent layer F, which is susceptible to heat, undergoes repeated heating cycles and is easily deteriorated. Furthermore, the panel P itself is made of glass, which is a solid solution having a large deformation such as creep. There is considerable deformation by heating.
특히 AC형 PDP의 경우 유전층(D)상에 적층되는 보호층(T)은 그 열팽창계수에 큰 차이가 있어, 이와 같은 반복적 가열에 의해 크랙(crack)이 발생되고 백탁화(白濁化)되는 등의 불량도 초래하게 된다.Particularly, in the case of AC type PDP, the protective layer T stacked on the dielectric layer D has a large difference in coefficient of thermal expansion, so that cracks are generated and whitened due to such repeated heating. It will also lead to a failure.
이와 같은 종래의 여러 가지 문제점들을 감안하여 본 발명의 목적은 패널과 기능층들의 열화를 방지하고 PDP 제조시간과 소모전력을 크게 절감할 수 있는 PDP 제조방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION In view of the various problems of the related art, an object of the present invention is to provide a PDP manufacturing method which can prevent degradation of panels and functional layers and greatly reduce PDP manufacturing time and power consumption.
제 1도는 PDP의 일례로서 AC형 PDP의 단면도,1 is a cross-sectional view of an AC type PDP as an example of the PDP;
제 2(A) 및 (B)는 PDP의 봉합과정을 설명하는 개략 단면도 및 가열스케쥴,The second (A) and (B) is a schematic cross-sectional view and a heating schedule for explaining the sealing process of the PDP,
제 3(A)도 및 (B)는 PDP의 배기과정을 설명하는 시스템도 및 가열스케쥴,3 (A) and (B) is a system diagram and a heating schedule for explaining the exhaust process of the PDP,
제 4도는 본 발명 방법을 설명하는 시스템도,4 is a system diagram illustrating the method of the present invention;
제 5도는 그 가열스케쥴이다.5 is the heating schedule.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
P : (PDP) 패널(panel) P1, P2 : 기판P: (PDP) panel P1, P2: substrate
S : 봉합재(sealant) T1 : (봉합재의) 소성(燒成) 온도S: sealant T1: firing temperature (of the sealant)
T2 : (패널의) 배기온도T2: Exhaust temperature (of panel)
상술한 목적의 달성을 위해 본 발명에 의한 PDP 제조방법은 봉합재가 도포된 가(假)조립상태의 패널을 배기 및 충전장치상에 설치하여, 패널의 소성온도까지 승온 및 유지하여 봉합재를 소성함으로써 패널을 봉합한 뒤, 패널을 배기온도가지 냉각 및 유지하여 그 캐비티를 배기한 뒤 방전기체를 충전하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the PDP manufacturing method according to the present invention installs a panel of a pre-assembled state in which an encapsulant is applied on an exhaust and filling device, and raises and maintains the encapsulant by raising and maintaining it to the firing temperature of the panel. Thus, the panel is sealed, the panel is cooled and maintained at an exhaust temperature, the cavity is evacuated, and the discharge gas is charged.
이러한 구성에 의하면 PDP 패널의 봉합과 배기 및 충전이 단 1회의 가열사이클로 완료되므로 그 시간이 현저히 단축되고 가열전력도 절감될 뿐아니라 소성장치와 배기장치를 하나로 단일화할 수 있어 설비원가도 절감된다.According to this configuration, the sealing, evacuation, and filling of the PDP panel is completed in only one heating cycle, which significantly shortens the time, reduces the heating power, and reduces the cost of equipment by unifying the firing apparatus and the exhaust apparatus into one.
그 뿐아니라 패널의 기판과 기능층들이 단 1회의 가열사이클을 겪게 되므로 그 변형이나 열화도 감소 및 방지될 수 있게 된다.In addition, since the substrate and functional layers of the panel undergo only one heating cycle, the deformation and deterioration can be reduced and prevented.
이에 따라 본 발명은 고품질의 PDP를 낮은 제조원가로 신속히 구현할 수 있는 큰 장점이 있다.Accordingly, the present invention has a big advantage that can quickly implement high quality PDP at low manufacturing cost.
(실시예)(Example)
이와 같은 본 발명의 구체적 특징과 이점들은 첨부된 도면을 참조한 이하의 바람직한 실시예들의 설명으로 더욱 명확해질 것이다.Such specific features and advantages of the present invention will become more apparent from the following description of the preferred embodiments with reference to the accompanying drawings.
도 4에서 배기 및 충전장치는 종래와 같이 배기헤드(10)에 진공펌프(20)와, 세정용 및 충전용 가스공급원(40, 30)이 연결되어 구성된다.In FIG. 4, the exhaust and filling device is constructed by connecting a vacuum pump 20 and a cleaning and filling gas supply source 40, 30 to the exhaust head 10 as in the related art.
이와 같이 배기 및 충전장치 자체는 종래구성과 유사하나 본 발명 특징에 따라 이 배기 및 충전장치에는 봉합재(S)가 두 기판(P1, P2)간에 도포되어 아직 소성되지 않은 가조립상태의 패널(P), 예를들어 봉합재(S)가 건조만으로 두 기판(P1, P2)간을 유지하고 있는 패널(P)이 설치될 것이므로 패널(P)의 유동등을 방지하기 위한 적절한 지그(jig)등이 필요할 것이다.Thus, the exhaust and charging device itself is similar to the conventional configuration, but according to the characteristics of the present invention, in the exhaust and charging device, the encapsulant (S) is applied between the two substrates (P1, P2) and the panel (P) of the preassembled state which has not yet been fired. ), For example, a panel (P) holding the two substrates (P1, P2) only by drying the suture (S) will be installed, so a suitable jig for preventing the flow of the panel (P), etc. Will be needed.
이와는 달리 배면기판(P2)을 먼저 배기 및 충전장치상에 설치하여 이에 봉합재(S)를 도포한 뒤, 전면기판(P1)을 얹어 패널(P)을 구성하는 방법도 생각될 수 있을 것이나, 공정의 난이도상 전술한 가조립상태의 패널(P) 설치가 더욱 바람직할 것이다.Alternatively, a method of constructing the panel P by installing the back substrate P2 on the exhaust and filling device first, applying the encapsulant S thereto, and then placing the front substrate P1 thereon may be considered. In view of the difficulty of the process, it is more preferable to install the panel P in the preassembled state as described above.
가조립상태의 패널(P)이 설치되면 먼저 패널(P)을 봉합시키게 되는데, 이를 위해 도 5에 도시된 바와 같이 패널(P)의 온도를 소성온도(T1)까지 승온(승온대 ; 0∼t1)시켜 유지(제1유지대; t1∼t2)시켜 주게 된다. 그러면 봉합재(S)가 소성되어 두 기판(P1, P2)을 견고히 봉합하게 되는데, 이 과정에서 기능층들에 잔류하는 잔류 유기물질등의 불순물이 함께 배출, 즉 아웃가싱된다.When the panel P in the temporarily assembled state is installed, the panel P is first sealed. To this end, as shown in FIG. 5, the temperature of the panel P is raised to a firing temperature T1 (temperature rising zone; 0 to t1). The first holding zone (t1 to t2). Then, the encapsulant S is fired to tightly seal the two substrates P1 and P2. In this process, impurities such as residual organic materials remaining in the functional layers are discharged together, that is, outgassed.
바람직하기로 승온대(0∼t1)의 승온속도는 0.7°∼2.0°C/min이며, 제1유지대(t1∼t2)에서 유지되는 소성온도(T1)는 410∼450℃ 정도로 약 20 내지 40분 정도 유지된다. 여기서 0은 0℃가 아니라 상온(일반적으로 20℃)을 의미하므로 승온에 소요되는 시간은 약 3시간 내지 10시간 정도 소요된다.Preferably, the temperature increase rate of the temperature rising zone (0 to t1) is 0.7 ° to 2.0 ° C / min, and the firing temperature (T1) maintained at the first holding zone (t1 to t2) is about 20 to about 410 to 450 ° C. It lasts 40 minutes. Here, 0 means room temperature (generally 20 ° C.), not 0 ° C., therefore, the time required for the temperature rise is about 3 hours to 10 hours.
제1유지대((t1∼t2)에서의 봉합이 완료되면 배기온도(T2)로 패널(P)의 온도를 하강시키게 되는데, 이 제1냉각대(t2∼t3)의 냉각속도는 바람직하기로 0.5 내지 1℃/min 정도가 된다.When the sealing is completed in the first holding zone (t1 to t2), the temperature of the panel P is lowered to the exhaust temperature T2, and the cooling rate of the first cooling zones t2 to t3 is preferably It becomes about 0.5-1 degree-C / min.
제2유지대(t3∼t4)에서의 배기온도(T2)는 바람직하게는 340 내지 370℃가 되며, 그 유지시간은 약 3∼4시간 정도가 된다. 이에 따라 제1냉각대((t2∼t3)의 냉각시간은 약 20분 내지 140분이 소요된다.The exhaust temperature T2 in the second holding zones t3 to t4 is preferably 340 to 370 ° C, and the holding time is about 3 to 4 hours. Accordingly, the cooling time of the first cooling zone (t2 to t3) takes about 20 to 140 minutes.
배기과정에 있어서는 먼저 진공펌프(20)를 가동시켜 패널(P)의 캐비티내의 공기를 잔류 불순물과 함께 제거한 뒤 이 진공상태를 유지하고, 바람직하기로 약 60 내지 90분 간격으로 세정용 가스공급원(40)으로부터 N2등의 세정용가스를 주입한 뒤 배기하는 공정을 반복하여 패널(P)을 청정하게 배기하게 된다.In the exhaust process, first, the vacuum pump 20 is operated to remove air in the cavity of the panel P together with residual impurities, and then maintain the vacuum state. The panel P is cleanly exhausted by repeating the process of injecting a cleaning gas such as N 2 from the gas 40 and evacuating the same.
방전기체의 주입 충전은 패널(P)의 상온에 가까운 온도에서 이루어져야 하므로 배기가 종료되면 제2유지대(t3∼t4)의 종점으로부터 패널(P)을 상온으로 냉각시키는 제2냉각대(t4∼t5)가 개시된다. 이때 제2냉각대(t4∼t5)의 종점이 방전기체의 주입 시점이 되는 바, 이때의 온도는 상온 일수도 있으나 방전기체의 충전 압력이 대기압보다 낮으므로 주입의 편의를 위해 상온보다 높은 온도에서 이루어질 수 있다.Since the charging and discharging of the discharge gas should be performed at a temperature close to the room temperature of the panel P, when the exhaust is finished, the second cooling zone t4 to cool the panel P to room temperature from the end point of the second holding zone t3 to t4. t5) is disclosed. At this time, the end point of the second cooling zone (t4 ~ t5) is the injection point of the discharge gas, the temperature at this time may be room temperature, but since the charging pressure of the discharge gas is lower than the atmospheric pressure at a temperature higher than the room temperature for convenience of injection Can be done.
이때 제2냉각대(t4∼t5)의 냉각속도는 바람직하기로 1.0 내지 2.0℃/min가 되어 약 3 내지 7시간 정도가 소요된다.At this time, the cooling rate of the second cooling zone (t4 ~ t5) is preferably 1.0 to 2.0 ℃ / min takes about 3 to 7 hours.
이에 따라 방전기체의 주입 충전까지 소요되는 전체 소요시간은 약 12시간 40분 내지 25시간 40분 정도가 소요된다.Accordingly, the total time required for injection charging of the discharge gas is about 12 hours 40 minutes to 25 hours 40 minutes.
이와 같은 본 발명 방법을 도 2 및 도 3의 종래 방법과 비교할 때, 제조공정상 절감되는 시간은 상온에서 배기온도(T2 ; 340℃∼370℃)까지의 승온과 소성온도(T1 ; 390∼430℃)에서 상온까지의 냉각에 소요되는 시간인 바, 비교의 편의를 위해 승온 및 냉각속도를 각가 1℃/min이라 가정하면 본 발명에 의한 공정시간의 절감을 약 13시간 10분 내지 16시간 20분 정도가 되어, 최소 약 40%까지의 공정시간의 단축이 가능하게 된다.Compared with the method of the present invention as compared with the conventional method of Figs. 2 and 3, the time saved in the manufacturing process is increased from the room temperature to the exhaust temperature (T2; 340 ℃ ~ 370 ℃) and the firing temperature (T1; 390 ~ 430 ℃) ) Is a time required for cooling from room temperature to a bar. For convenience of comparison, assuming that the temperature and cooling rate are 1 ° C./min, the process time reduction according to the present invention is about 13 hours 10 minutes to 16 hours 20 minutes. It is possible to reduce the process time by at least about 40%.
또한 패널(P)이 전체적으로 단일한 가열사이클을 겪게 되는 바, 특히 열에 취약한 형광층(Y)이나 보호층(T)들의 열화나 손상이 방지되고 유리계 기판(P1, P2)의 변형도 감소될 수 있다.In addition, since the panel P is subjected to a single heating cycle as a whole, deterioration or damage of the fluorescent layer Y or the protective layer T, which is particularly susceptible to heat, is prevented and the deformation of the glass substrates P1 and P2 is reduced. Can be.
본 발명은 또한 봉합을 위한 소성로와 배기를 위한 가열로와 단일해지므로 그 설치원가 및 점유공간, 그리고 공정이동설비 및 공수등이 절감되며, 소모전력도 크게 절감될 수 있다.The present invention is also unified with the firing furnace for sealing and the heating furnace for exhaust, the installation cost and space occupied, process moving equipment and man-hours, etc. can be reduced, power consumption can be greatly reduced.
이에 따라 본 발명은 고품질의 PDP를 낮은 제조원가와 높은 생산성으로 신속히 제조할 수 있는 큰 효과가 있다.Accordingly, the present invention has a great effect of quickly manufacturing high quality PDP with low production cost and high productivity.
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970064641A KR19990043617A (en) | 1997-11-29 | 1997-11-29 | Manufacturing Method of Plasma Display Device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970064641A KR19990043617A (en) | 1997-11-29 | 1997-11-29 | Manufacturing Method of Plasma Display Device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990043617A true KR19990043617A (en) | 1999-06-15 |
Family
ID=66095315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970064641A KR19990043617A (en) | 1997-11-29 | 1997-11-29 | Manufacturing Method of Plasma Display Device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR19990043617A (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05234512A (en) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Nec Corp | Manufacture of gas electric discharge display panel |
JPH0636688A (en) * | 1992-07-14 | 1994-02-10 | Hitachi Ltd | Manufacture of glass-sealed device and manufacturing device for gas electric discharge display panel |
JPH09251839A (en) * | 1996-01-11 | 1997-09-22 | Chugai Ro Co Ltd | Manufacture of plasma display panel |
JPH09306346A (en) * | 1996-05-13 | 1997-11-28 | Fujitsu Ltd | Plasma display panel manufacturing device |
-
1997
- 1997-11-29 KR KR1019970064641A patent/KR19990043617A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05234512A (en) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Nec Corp | Manufacture of gas electric discharge display panel |
JPH0636688A (en) * | 1992-07-14 | 1994-02-10 | Hitachi Ltd | Manufacture of glass-sealed device and manufacturing device for gas electric discharge display panel |
JPH09251839A (en) * | 1996-01-11 | 1997-09-22 | Chugai Ro Co Ltd | Manufacture of plasma display panel |
JPH09306346A (en) * | 1996-05-13 | 1997-11-28 | Fujitsu Ltd | Plasma display panel manufacturing device |
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