KR19990041171U - 웨이퍼의 디펙트감지시스템 - Google Patents

Abstract

본 고안은 웨이퍼를 디펙트하는 장치에 관한 것으로서, 특히, 외측으로 일정한 측면부를 갖는 다각형 형상으로 형성되어 외부와 서로 격리되어 있는 격리실과; 상기 격리실의 측면부에 웨이퍼를 장착하여 조정하도록 설치된 카세트장착부 및 조정부와; 상기 카세트장착부와 조정부의 맞은편 격리실의 외주면에 웨이퍼의 가공에 따른 프로세스를 진행하도록 형성된 다수의 프로세스챔버와; 상기 프로세스챔버에서 가공공정이 이루어진 웨이퍼에 이물질 포함여부를 검사하도록 격리실의 외측면에 설치된 검사장치로 구성된 웨이퍼의 디펙트감지시스템인 바, 디펙트를 검사할 수 있는 검사장치를 프로세스챔버와 같이 설치하므로 웨이퍼의 디펙트를 용이하게 점검하여 대처하므로 웨이퍼의 수율을 향상시키도록 하는 매우 유용하고 효과적인 고안이다.

Description

웨이퍼의 디펙트감지시스템

본 고안은 웨이퍼의 디펙트(Defect)를 검사하기 위한 시스템에 관한 것으로, 특히, 격리실의 외측에 인접하여 다수의 프로세스챔버와 카세트장착부, 조정부 및 웨이퍼의 디펙트를 검사할 수 있는 검사장치를 같이 설치하여 웨이퍼의 디펙트를 용이하게 점검하여 대처하므로 웨이퍼의 수율을 향상시키도록 하는 웨이퍼의 디펙트감지시스템에 관한 것이다.

일반적으로, 웨이퍼는 규소를 얇은 박판으로 형성한 것으로서, 규소(Si)를 고순도로 정제하여 결정시킨 후에 얇게 잘라내어서 반도체소자를 만드는 기본재료로 사용하게 된다. 웨이퍼는 통상적으로 여러 가지의 반도체 공정을 통하여 상부면에 무수한 패턴을 형성한다,

그리고, 이 패턴이 형성된 웨이퍼의 칩을 척(Chuck)에 안치된 상태에서 제조가 제대로 이루어졌는지 여부를 테스트공정시에 미세하고 정교한 다수의 잔자를 갖는 커넥터를 웨이퍼칩의 패턴에 도전시켜 각종의 전기적 특성을 측정하여 웨이퍼의 불량여부를 판정하게 되는 데 웨이퍼를 가공하는 과정에서 미세한 이물질이 이입되어 반도체소자의 성능을 저하시키거나 불량을 유발하는 경우가 빈발하고 있다.

이와 같이, 점차적으로 반도체소자가 고집적화됨에 따라 미세한 크기의 디펙트(Defect) 및 파티클(Patical)의 조절은 공정 및 설계기술의 개발과 함께 중용한 과제로 떠오르고 있다.

그런데, 현재의 기술은 웨이퍼 상에 파티클이 발생한다고 하여도 어느 장비에서 발생하였는 지를 판단하기가 어려운 실정이며, 이를 추적하기 위하여 재차 시간과 인력을 투입하여 단계별로 다시 검사를 철저하게 하여야 한다.

또한, 검사장비와 프로세스장비가 별개로 존재하는 이유로 웨이퍼를 스캐닝하여 어떤 장비에서 실제적으로 오류가 발생하였는 지를 발견하여 판단하는 것이 쉬운일이 아니며, 일정기간, 일정한 사항에 대하여서만 모니터링하여 공정간에 발생한 이물질을 컨트롤하기가 매우 어려운 문제점이 있었다.

본 고안은 이러한 점을 감안하여 안출한 것으로서, 격리실의 외측에 인접하여 다수의 프로세스챔버와 카세트장착부, 조정부 및 웨이퍼의 디펙트를 검사할 수 있는 검사장치를 같이 설치하여 웨이퍼의 디펙트를 용이하게 점검하여 대처하므로 웨이퍼의 수율을 향상시키는 것이 목적이다.

도 1은 본 고안에 따른 반도체소자의 디펙트감지장치의 구성을 보인 도면.

-도면의 주요부분에 대한 부호의 설명-

2 : 카세트장착부 5 : 조정부

10 : 격리실 20 : 제1프로세스챔버

22 : 제2프로세스챔버 24 : 제3프로세스챔버

40 : 검사장치 45 : 모니터

이러한 목적은 외측으로 일정한 측면부를 갖는 다각형 형상으로 형성되어 외부와 서로 격리되어 있는 격리실과; 상기 격리실의 측면부에 웨이퍼를 장착하여 조정하도록 설치된 카세트장착부 및 조정부와; 상기 카세트장착부와 조정부의 맞은편 격리실의 외주면에 웨이퍼의 가공에 따른 프로세스를 진행하도록 형성된 다수의 프로세스챔버와; 상기 프로세스챔버에서 가공공정이 이루어진 웨이퍼에 이물질 포함여부를 검사하도록 격리실의 외측면에 설치된 검사장치로 구성된 웨이퍼의 디펙트감지시스템을 제공함으로써 달성된다.

이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 고안의 구성에 대하여 상세히 설명한다.

도 1은 본 고안에 따른 반도체소자의 디펙트감지장치의 구성을 보인 도면이다.

본 고안의 구성은 외측으로 일정한 측면부를 갖는 다각형 형상으로 형성되어 외부와 서로 격리되어 있는 격리실(10)과; 상기 격리실(10)의 측면부에 웨이퍼를 장착하여 조정하도록 설치된 카세트장착부(2) 및 조정부(5)와; 상기 카세트장착부(2)와 조정부(5)의 맞은편 격리실(10)의 외주면에 웨이퍼의 가공에 따른 프로세스를 진행하도록 형성된 다수의 제1,제2,제3프로세스챔버(20)(22)(24)와; 상기 프로세스챔버(20)(22)(24)에서 가공공정이 이루어진 웨이퍼에 이물질 포함여부를 검사하도록 격리실(10)의 외측면에 설치된 검사장치(40)로 구성된다.

그리고, 상기 검사장치(40)의 일측면에는 검사되는 웨이퍼의 모니터링(Monitoring)을 위한 CRT모니터(45)가 장착되어서 웨이퍼의 디펙트와 파티클을 검사하는 검사장치(40)로 측정된 신호를 검사자에게 나타내도록 한다.

한편, 상기한 시스템으로 웨이퍼의 디펙트와 파티클을 점검하는 데 있어 테스트용으로 사용되고 패턴을 형성하지 않는 Bare(Dummy)웨이퍼와, 패턴을 형성하여 반도체소자를 제조하는 칩으로 이용되는 Pattern(Real)웨이퍼 양자 모두의 파티클 및 디펙트 점검이 가능하다.

그리고, 상기 검사장치(40)에서 표시되는 디펙트 및 파티클에 관한 정보는 이 파티클이 기준치 이상이 되면, 검사자에게 알람(Alarm)등의 경고 표시로 알려주고 작업의 진행을 자동적으로 중단할 수 있다.

그리고, 상기 검사장치(40)는 레이저 스캐터링(Laser Scatter)방식을 이용하는 다크 필드 인스펙션 시스템(Dark Field Inspection System)을 적용하도록 한다.

이와 같이 구성된 본 고안의 사용 상태를 살펴 보도록 한다.

도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼를 격리실(10)에 인접한 카세트장착부(2)에 장착시킨 상태에서 조정부(Pre-Aligner)(5)에서 적절한 위치를 조절한 후에 격리실(10)을 통하여 반대편에 인접하여 설치된는 다수의 제1,제2,제3프로세스챔버(20)(22)(24)중에 선택된 어떤 프로세스챔버(30)를 통하여 웨이퍼를 이동시켜 패턴을 형성하는 공정을 진행하도록 한다.

이때, 프로세스공정을 진행하기 전에 웨이퍼에 파티클이 묻어 있는 지 여부를 파악하고서 프로세스공정을 진행 할 수 있다.

그리고, 상기에서 프로세스 공정이 진행된 웨이퍼를 격리실(10)의 측면부에 인접하여 있는 검사장치(40)로 이동시켜서 프로세스공정을 거치면서 웨이퍼에 파티클이 어느 정도 이입되었는 지를 모니터(45)로 살피도록 하여 공정을 진행하기 전과 공정을 진행한후의 파티클의 증가량을 파악 할 수 있다.

이때, 상기 웨이퍼에 묻어 있는 파티클이 기준치 이상이면 알람등을 통하여 경보하여 작업을 중단하여서 후속조처를 취하도록 한다.

따라서, 상기한 바와 같이 본 고안에 따른 웨이퍼의 디펙트감지시스템을 사용하게 되면, 격리실의 외측에 인접하여 다수의 프로세스챔버와 카세트장착부, 조정부 및 웨이퍼의 디펙트를 검사할 수 있는 검사장치를 같이 설치하므로 웨이퍼의 디펙트 및 파티클을 용이하게 점검하여 대처하므로 웨이퍼의 수율을 향상시키도록 하는 매우 유용하고 효과적인 고안이다.

Claims (2)

1. 외측으로 일정한 측면부를 갖는 다각형 형상으로 형성되어 외부와 서로 격리되어 있는 격리실과;

   상기 격리실의 측면부에 웨이퍼를 장착하여 조정하도록 설치된 카세트장착부 및 조정부와;

   상기 카세트장착부와 조정부의 맞은편 격리실의 외주면에 웨이퍼의 가공에 따른 프로세스를 진행하도록 형성된 다수의 프로세스챔버와;

   상기 프로세스챔버에서 가공공정이 이루어진 웨이퍼에 이물질 포함여부를 검사하도록 격리실의 외측면에 설치된 검사장치로 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 디펙트감지시스템.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 검사장치의 일측면에는 검사되는 웨이퍼의 모니터링을 위한 CRT모니터가 장착되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 디펙트감지시스템.