KR19990032741A - 전자렌지의 전자파 차폐 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전자파 차폐장치에 관한 것으로, 특히 전자렌지에서 방출되는 각종 전자파(전기장, 자기장 및 전력밀도)를 발생원인 마그네트론에서 근본적으로 차폐하여 전자파가 외부로 누설되는 것을 방지하는 전자렌지의 전자파 차폐장치에 관한 것이다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전자렌지의 전자파 차폐장치는, 전자렌지의 트랜스 주변을 감싸도록 설치되어 이로부터 발생되는 저주파의 전자파를 차폐하는 강자성체의 고투자율 물질로 이루어지는 제1차폐 커버; 상기 마그네트론 및 도파관의 주변을 감싸도록 설치되어 이로부터 발생되는 고주파의 전자파를 차단하는 고전도성 물질로 이루어지는 제2차폐 커버; 및 상기 제1 및 제2차폐 커버에 연결되어 전자파를 바이패스시키는 접지 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

전자렌지의 전자파 차폐장치

본 발명은 전자파 차폐장치에 관한 것으로, 특히 전자렌지에서 방출되는 각종 전자파(전기장, 자기장 및 전력밀도)를 그 발생원(즉 트랜스 및 마그네트론)에서 근본적으로 차폐할 수 있는 전자렌지의 전자파 차폐장치에 관한 것이다.

일반적으로, 일상 생활에서 사용하는 전기용품 특히, 고주파를 이용하여 음식물을 가열, 조리하는 전자렌지는 인체에 유해한 많은 전자파를 발생시킨다.

전자렌지는 도1에 나타낸 바와 같이, 조리실과 전장실을 구비하고 있으며, 전장실에는 도파관(100), 마그네트론(110) 및 상기 마그네트론에 고전압을 안정적으로 공급해 주는 전원부의 트랜스(120) 등이 설치되어 있다. 이 전원부의 트랜스(120)로부터 마그네트론(110)에 고전압이 공급되어 고주파가 발생되고, 이 고주파가 도파관(100)을 통해 조리실(130)로 유도되어 음식물을 조리하게 된다.

상기와 같은 조리 과정에서 고주파를 발생하는 마그네트론(110) 및 트랜스(120)로부터 각종의 전자파가 발생되는데, 이와 같이 발생되는 전자파는 인체에 유해할 뿐만 아니라 다른 전기, 전자제품에도 나쁜 영향(노이즈 및 소음을 발생시킴)을 주므로 외부로 누설되지 않도록 차폐할 필요가 있다.

종래에는 전자렌지에서 발생되는 저·고주파의 전자파가 외부로 누설되는 것을 방지하기 위하여, 전자렌지의 본체와 도어 사이에 도전성 물질을 삽입하거나 전파 흡수체를 개재시켜 전자파를 차폐시키고 있었다.

그러나, 상기한 바와 같은 종래의 전자파 차폐장치는, 전자렌지 본체와 도어 사이에 개재되어 있는 도전성 물질 또는 전파 흡수체가 열 또는 본체와 도어 사이에 낀 이물질 등으로 인하여 변형되는 경우 전자파의 외부 누설을 피할 수 없는 등 충분한 차폐를 이룰 수 없다는 문제가 있었다. 더욱이 트랜스로부터 발생되는 저주파의 전자파는 전자렌지의 본체를 이루는 케이스 등을 통과하여 누설되므로 상기한 바와 같은 종래의 전자파 차폐장치로는 외부로 누설되는 전자파를 충분히 차폐하기 어렵다.

본 발명은 상기와 같은 문제를 감안하여 안출한 것으로, 전자렌지의 트랜스에서 발생되는 저주파의 전자파는 물론 마그네트론에서 발생되는 고주파의 전자파(여기서 말하는 전자파란 전기장, 자기장 및 전력밀도를 말함)를 완전히 차폐하여 소멸시킬 수 있는 전자렌지의 전자파 차폐장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

도1은 전자렌지의 내부 구성을 간략하게 나타내는 일부 절개 사시도.

도2a는 본 발명에 따른 전자파 차폐장치의 구성을 보인 전자렌지의 일부 절개 사시도.

도2b는 도2a에서 저주파 전자파의 발생원인 트랜스와 이 트랜스를 둘러싸는 본 발명에 따른 차폐 커버를 나타내는 단면도.

도2c는 도2b에서 본 발명에 따른 차폐 커버를 분리하여 확대한 분해도.

도2d는 도2a에서 고주파 전자파의 발생원인 마그네트론과 이 전자파의 전송 통로인 도파관 부분을 확대하여 보인 부분 사시도.

도3a 내지 도7은 본 발명의 원리를 설명하기 위한 도면으로써,

도3a 및 도3b는 실드판에 의한 전자파의 차폐 효과를 나타내는 도면 이고,

도4는 자속 변화에 따른 실드판 내에서의 작용을 나타내는 도면 이며,

도5는 진행 중인 전자파가 실드판에 부딪혔을 때 발생되는 현상을 나타내는 도면 이고,

도6a 및 도6b는 실드판내로 전파하는 전자파의 깊이에 따른 강도 변화를 나타내는 그래프 이며,

도7은 전자파의 침투 깊이에 대한 두께의 변화에 따른 재반사 보정의 변화를 나타내는 그래프이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100, 230 : 도파관 110, 220 : 마그네트론

120, 200 : 전원부의 트랜스 130 : 조리실

210 : 제1차폐 커버 240 : 제2차폐 커버

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전자렌지의 전자파 차폐장치는, 전자렌지의 전원부 트랜스를 고투자율 물질로 이루어지는 차폐 커버로 감싸 이로부터 발생되는 저주파의 전자파를 차폐함과 동시에 마그네트론과 도파관의 주변을 고전도성 물질로 이루어지는 또 하나의 차폐 커버로 감싸 이로부터 발생되는 고주파의 전자파를 차폐하며, 상기 제1 및 제2차폐 커버에 접지 단자를 설치하여 접지 시킴으로써 전자파의 누설을 차폐하도록 구성한 것을 특징으로 한다.

[실시예]

이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다.

도2a는 본 발명에 따른 전자파 차폐장치의 구성을 보인 전자렌지의 일부 절개 사시도이다.

도2b는 도2a에서 저주파 전자파의 발생원인 트랜스와 이 트랜스를 둘러싸는 본 발명에 따른 차폐 커버를 나타내는 단면도이다.

도2c는 도2b에서 본 발명에 따른 차폐 커버를 분리하여 확대한 분해도이다.

도2d는 도2a에서 고주파 전자파의 발생원인 마그네트론과 도파관 주변에 설치된 차폐 커버를 나타낸 사시도이다.

도면에서 참조 부호 200은 트랜스, 210은 제1차폐 커버, 220은 마그네트론, 230은 도파관, 240은 제2차폐 커버이다.

도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 전자렌지의 전자파 차폐장치는 전원부의 트랜스(200) 주변에 강자성체의 고투자율 물질로 이루어지는 제1차폐 커버(210)가 트랜스를 감싸도록 설치되어 있고, 마그네트론(220) 및 도파관(230)의 주변에는 고전도성 물질로 이루어지는 제2차폐 커버(240)가 마그네트론을 감싸도록 설치되어 있다.

또한, 상기 제1 및 제2차폐 커버(210)(240)에는 접지 단자(도시되지 않음)가 각각 설치되어 있고, 이 접지 단자는 접지 수단에 연결되어 전자파 및 전기장을 바이패스 시키도록 구성되어 있다.

여기서, 상기한 접지 수단은 예를 들면, 특허 출원 번호 97-15142에 제시된 바와 같은 자동 접지 회로를 이용할 수 있다.

상기 제1 및 제2차폐 커버는 전자파를 효율적으로 차폐하기 위하여 전자파 근원의 형태에 따라 함체, 원통형, 혼(Horn)형 또는 결합 부재 등 여러 가지 형태를 취할 수 있다.

상기 제1차폐 커버(210)를 형성하는 강자성체의 고투자율 물질은 전자 연철(Soft Iron), 니켈, 퍼멀로이, 뮤메탈, 몰리브덴 또는 이들의 합금 물질으로써, 저주파수 대역의 전자파 차폐에 탁월한 효과를 발휘하는 것으로 알려지고 있다. 이와 같은 강자성체의 고투자율 물질로 만들어지는 제1차폐 커버(210)의 두께는 0.1㎜ 이상으로 함이 바람직하다.

또한, 상기 제2차폐 커버(240)를 형성하는 고전도성 물질은 구리, 알루미늄 또는 이들의 합금 물질로서, 고주파수 대역의 전자파 차폐에 탁월한 효과를 발휘하는 것으로 알려지고 있다. 이와 같은 고전도성의 물질로 만들어지는 제2차폐 커버(240)의 두께 또한 0.1㎜ 이상으로 함이 좋다.

상기한 제1 및 제2차폐 커버(210)(240)는 도전성 물질이므로 주위의 도전성 물질과 절연시키기 위하여 표면에 절연 물질을 라미네이트함이 좋다.

한편, 본 발명에 의한 전자렌지의 전자파 차폐장치는 상술한 바와 같이, 전원부의 트랜스 주변과 마그네트론 및 도파관의 주변을 고투자율 물질 및/또는 고전도성 물질로 이루어지는 차폐 커버로 감싸는 구성외에도, 트랜스와 마그네트론 및 도파관의 외벽면에 상기한 바와 같은 고투자율 물질 및/또는 고전도성 물질을 코팅하여 구성할 수도 있는 바, 이와 같은 본 발명의 다른 실시예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.

즉, 본 발명의 다른 실시예에 의한 전자렌지의 전자파 차폐장치는 저주파의 전자파를 발생하는 트랜스의 외벽면에 강자성체의 고투자율 물질(예컨대 전자 연철, 니켈, 퍼멀로이, 뮤메탈, 몰리브덴 또는 이들의 합금)을 코팅하여 저주파 차폐막을 형성함과 아울러 고주파의 전자파를 발생하는 마그네트론 및 도파관의 외벽면에는 고전도성 물질(예컨대, 구리, 알루미늄 또는 이들의 합금)을 코팅하여 고주파 차폐막을 형성하고, 상기 차폐막이 코팅된 트랜스와 마그네트론 및 도파관를 접지시켜 전자파를 바이패스시키도록 구성되어 있다.

여기에서도 접지는 통상의 접지시설이 있는 경우에는 접지시설을 이용하나, 그렇지 못한 곳에서는 자동접지회로를 이용하여 접지시킨다.

전자렌지에서 방출되는 인체에 유해한 전자파의 국제 안전 기준 수치는, 전기장의 경우 25V/m, 자기장의 경우 3mG, 전력 밀도는 1.5mW/Cm²이하이다.

상기와 같은 안전 기준 수치에 의거하여 본 발명에 따른 차폐 장치를 전자렌지에 적용하였을 때, 외부로 누설 되는 전자파를 트리-필드 미터기(Tri-Field Meter)로 측정해 본 결과 종래에 비하여 전자파의 누설이 현저하게 감소하였음을 알 수 있었다. 이를 다음 표에 나타낸다. 여기서, 제1 및 제2차폐 커버의 두께는 0.35㎜이다.

[표]

상기한 바와 같이 본 발명의 차폐장치에 의해 전기장 및 자기장의 누설이 현저하게 감소되는 기본적인 원리를 첨부한 도3a 내지 도7를 참조하여 설명한다.

먼저, 금속관 형태의 전자파 차폐장치의 차폐 효과를 설명하기 위하여, 공간을 진행해 온 전자파가 충분히 크면서 두께가 균일한 매체인 실드판에 부딪혔다고 가정한다.

일반적으로, 도3a와 같이, 자석과 같은 자기장 근원(300)에서 발생되는 자기장 내에 철이나 니켈 등의 자성체(310)를 두게 되면, 이 자성체의 투자율이 높기 때문에 자속(M)은 자성체 안을 보다 많이 통과하게 된다. 따라서, 자성체(310)는 자화된다.

그러나, 이 자성체가 자화되어서는 곤란한 경우, 도3b와 같이 자기장 근원(300)과 자성체(310) 사이를 고투자율의 실드판(320)으로 차단하면, 자속(M)은 상기 고투자율 실드판(320)의 내부를 통과하게 되고 자성체(310)가 자화되는 것을 방지할 수 있다. 여기서, 상기 실드판의 두께가 얇거나 투자율이 낮은 경우, 자속의 일부는 상기 실드판을 통과하여 주변의 자성체(310)에 영향을 주게 되므로 어느 정도 이상의 두께가 요구된다.

전자 기기 등의 잡음의 원인이 되는 자기장은 자석과 같이 자력이 일정한 영구 자석에 의한 것이 아니고, 변압기 등과 같이 자속이 변하는 누설 자속에 의한 것이다.

따라서, 실드판의 두께가 어느 정도 유지되면, 도4에 나타낸 바와 같이, 실드판(320)에는 자속(M)의 변화에 따른 와류 전류(I_M)가 흐르게 되고, 전자 기기는 이에 영향을 받는다고 여겨진다. 이와 같은 와류 전류는 실드판 내에서 에너지 소비를 발생하며, 대전력 고주파 장치에서는 발열하는 것도 있다.

그러나, 상기 와류 전류(I_M)는 실드판(320)을 통과하는 자속과 반대 방향의 자속을 발생하기 때문에 서로 상쇄되어 차폐 효과를 갖는다. 따라서, 전자 기기나 전기용품의 전자파 발생원 주변에 고투자율의 강자성체 물질이나 퍼멀로이 등의 실드판을 설치하여, 상기와 같은 원리를 이용하여 자기장을 차폐할 수 있다.

상기 실드판에 부딪힌 전자파의 형태는 도5에 나타낸 바와 같이, 세 가지 형태로 정의할 수 있다.

첫째는, 진행된 전자파(EM)가 실드판(320)의 경계에서 반사(r)되는 성분으로 이것을 반사 손실(R)이라고 한다.

둘째는, 전자파가 실드판(320) 내부로 들어가 열로 흡수(a)되는 성분으로 흡수 손실(A)이라 한다.

셋째는, 실드판(320)내로 들어간 전자파가 실드판의 경계에 부딪혀서 다시 반사를 일으켜, 실드판 내에서 반복적으로 반사되다가 실드판을 빠져나가는 성분으로 재반사 보정 성분(B)이라 한다.

여기서, 재반사 보정 성분과 반사 손실은 그 합계를 반사 손실로 간주라는 것이 편리하다. 그리고, 도5에 나타낸 바와 같이 재반사 보정 성분은 실드판을 관통하는 성분을 구하고 있으므로, 이것은 마이너스 손실, 즉 손실이 아니고 이득이 된다.

따라서, 상기 실드판에 의한 전자파의 차폐 효과(SE)는 다음과 같다.

SE = A+R+B ··········(1)

여기서, 상기 식의 모든 단위는 dB이다.

(흡수 손실)

흡수 손실(A)은, 전자파가 실드판과 같은 매체로 진행하게 되면 주변에 전류가 발생되고, 이는 매체의 전기 저항에 의해서 열로 바뀌어 형성된다. 따라서, 이와 같이 매체에 흡수되어 열로 바뀐 손실분만큼 전자파의 강도는 약해진다. 또한, 매체가 균일하고 가정하는 경우, 상기 흡수 손실은 단위 두께에 대해 일정한 비율로 일어나므로, 도6a와 같이, 전자파의 강도는 전파하는 거리, 또는 깊이에 대해 지수 함수적으로 감쇠한다. 여기서, 초기 전자파 강도의 (1/e)만큼 감쇠되는 두께를 s로 정의한다.

따라서, 매체의 두께 t와 전기장 E 및 자기장 H의 강도 관계는 다음과 같다.

여기서, E₀, H₀: 매체 내로 들어가기 전의 초기 전기장과 자기강의 강도이다.

침투 깊이 s에서 전자파의 강도는 초기의 (1/e), 즉 37%로 약 9dB만큼 감쇠 된다. 따라서, 도6b에서와 같이, 침투 깊이 s의 2배인 2s는 약 18dB로 86.3%, 3s는 26dB로 95.0% 감쇠된다.

따라서, 전자파를 충분히 차폐하기 위해서는 다음 이 조건을 만족해야 한다.

구체적으로, 침투 깊이 s는 다음과 같다.

여기서, f : 전자파의 주파수 (MHz),

μ_r: 공기를 1로한 비투자율,

σ_r: 구리를 1로한 비전도도이다.

상기 식을 보면, 전자파의 흡수체로서의 실드 효과는 매체의 재료가 같으면 주파수의 평방근에 반비례하고, 일정 주파수에서는 매체의 투자율과 전도도의 곱의 평방근에 반비례한다.

따라서, 침투 깊이를 사용하여 흡수 손실 A를 나타내면 다음과 같다.

상기 식에 (2.4)식을 대입하면,

가 된다.

(반사 손실)

다음으로, 반사 손실(R)에 대해 고려해 보자.

진행해 가는 전자파가 매체의 경계에 도달하는 경우, 예를 들어 전자파가 공기 중에서 구리판으로 들어가는 경우 두 매체에 임피던스 차가 존재하면, 그 경계에서 일부의 전자파가 반사된다. 즉, 전자파의 일부가 매체 내로 들어오지 않기 때문에 전자파의 손실이 발생한다. 따라서, 매체에 의한 반사 손실(R)을 구하려면 매체 바깥쪽 공간의 임피던스와 실드판과 같은 매체의 임피던스를 알아야 한다. 공간 임피던스는 전자파의 발생원 근처에서는 발생원의 임피던스에 근접하고, 발생원으로 멀어짐에 따라 공간의 임피던스(Z_n)인 120π (377 Ω)를 갖는다.

이를 좀더 정량적으로 수식화하여 보면,

여기서, μ : 매질의 투자율 (=μ₀·μ_r)

μ₀: 공기 또는 구리의 투자율 4π·10^-7henrys/m

ε : 매질의 유전율 (= ε₀·ε_r)

ε0 : 공기의 유전율 1/36·10⁹farad/m

일반적으로, 전자파의 발생원으로부터 영향을 받지 않을 정도로 떨어진 곳의 매체의 임피던스(Z_i)는 다음과 같다.

여기서,: 각주파수 rad/sec (2f),

σ : 매질의 전도도.

공기나 절연물의 전도도(σ)는 0에 가까우며, 특히 σ《ε인 경우 상기식 (3.1)을 얻을 수 있다.

차폐 수단으로 사용되는 매체가 금속인 경우, 도전율이 크므로 σ》ε이고, 두께가 충분히 유지(t>3s)된다면 매체의 임피던스(Z_m)는 하기식과 같다.

여기에, 상기식 (3.1)을 이용하면,

따라서, 반사 손실(R)은 공간의 임피던스(Zi)와 매체의 임피던스(Z_m)를 이용하여, 평면파의 경우 하기식과 같다.

상기식으로부터, 주파수 f (MHz)이고 거리 R (m)인 곳에서의 니어 필드(Near field)에서의 전기장의 반사 손실(R_E)과 자기장의 반사 손실(R_M)은 다음과 같다.

따라서, 평면파에 대한 반사 손실은,

로 나타낼 수 있다.

(재반사 보정 성분)

다음은, 실드판과 같은 매체를 통과하여 나오는 성분을 대상으로 한 재반사 보정 성분(B)에 대해서 고려해 보자.

도5에 도시된 바와 같이, 전자파의 재반사(R_B) 성분은 항상 존재한다. 그러나, 매체 내부의 흡수 손실(A)이 큰 경우 재반사 성분은 무시될 수 있다. 또한, 전기장에 대해서는 최초의 반사 손실이 상당히 커서 매체로 들어오는 양이 적기 때문에 재반사 성분을 무시할 수 있다.

따라서, 재반사 보정 성분(B)은 매체의 두께(t)가 침투 깊이(s)보다 충분히 두껍지 않은 경우의 저주파의 자기장만 계산하면 된다. 이와 같은 조건하에서 재반사 보정 성분(B)은 차폐 효과(SE)를 뺄셈하는 모양으로 되어,

이 된다. 계산 결과는 도7에 나타나 있다.

(매체의 선택)

전자파를 차폐하기 위한 매체의 설계시 구멍이나 이은 부분을 최소화하도록 설계하는 것이 중요하다.

매체는 전자파의 특성에 따라 자성재나 비자성재를 선택한다. 예를 들어, 차폐해야할 대상이 전기장이나 고주파의 평면파인 경우, 구리나 알루미늄과 같이 전도도가 큰 비자성재를 사용한다. 이 경우, 반사 손실이 매우 크므로 반사 손실만으로도 충분히 차폐 효과를 갖는다. 반사 손실은 두 매체의 임피던스 차가 클수록 증가하므로, 전도도가 큰 재료는 임피던스를 낮게 할 수 있어 유리하다. 매체의 두께를 증가시킴에 따라 차폐 효과도 증가하지만, 구리의 경우 1/1000 ㎜ 두께에서 -80dB나 되므로 박판으로도 충분한 차폐 효과를 얻을 수 있다.

그러나, 차폐해야할 주요 대상이 자기장인 경우, 저주파에서 자기장의 반사 손실은 무시해도 좋을만큼 작지만 흡수 손실은 주요한 요소이다. 흡수 손실은 상기에서 언급한 식(2.6)에서 알 수 있듯이, 같은 두께에 대해 투자율과 전도도의 곱이 큰 재료일수록 효과적으로 차폐할 수 있다.

예를 들어, 100㎐의 자기장에 대해 구리나 알루미늄보다 철이 동일 두께에 대해 100배나 효과가 있고, 퍼멀로이는 철에 대해 10배의 효과가 있다.

일반적으로, 자성재의 투자율은 고주파의 경우 감소한다. 따라서, 저주파의 자기장을 차폐하기 위해서는 고투자율의 자성재가 효과적이지만, 고주파의 경우 구리나 알루미늄과 같은 고전도도의 재료를 사용하여 이들을 효과적으로 차폐할 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 저주파 전자파의 발생원인 전자레인지의 트랜스와 고주파 전자파의 발생원인 마그네트론 및 도파관을 각각 강자성체 고투자율 물질로 된 제1차폐 커버와, 고전도성 물질로 된 제2차폐 커버로 감싸줌으로써, 외부로 누설되는 전자파를 흡수 또는 차단하여 완전히 소멸시킬 수 있다.

또한, 각각의 차폐 커버에 설치된 접지 단자로 차폐 커버를 접지시킴으로써, 효과적으로 전자렌지에서 방출되는 전자파를 차단할 수 있다.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (7)

1. 전자렌지의 트랜스, 마그네트론 및 도파관으로부터 발생하는 각종 전자파를 흡수 및 차단하는 장치로서, 상기 전원부의 트랜스 주변을 감싸도록 설치되어 이로부터 발생되는 저주파의 전자파를 차폐하는 강자성체의 고투자율 물질로 이루어지는 제1차폐 커버; 상기 마그네트론 및 도파관의 주변을 감싸도록 설치되어 이로부터 발생되는 고주파의 전자파를 차단하는 고전도성 물질로 이루어지는 제2차폐 커버; 및 상기 제1 및 제2차폐 커버에 연결되어 전자파를 바이패스시키는 접지 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자렌지의 전자파 차폐장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2차폐 커버는 절연 물질로 라미네이트 된 것을 특징으로 하는 전자렌지의 전자파 차폐장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 제1차폐 커버를 이루는 고투자율 물질은 전자 연철, 퍼멀로이, 뮤메탈, 몰리브덴 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 전자렌지의 전자파 차폐장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 제1차폐 커버의 두께는 0.1㎜ 이상인 것을 특징으로 하는 전자렌지의 전자파 차폐장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 제2차폐 커버를 이루는 고전도성 물질은 구리, 알루미늄 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 전자렌지의 전자파 차폐장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 제2차폐 커버의 두께는 0.1㎜ 이상인 것을 특징으로 하는 전자렌지의 전자파 차폐장치.
7. 전자렌지의 트랜스, 마그네트론 및 도파관으로부터 발생하는 각종 전자파를 흡수 및 차단하는 장치로서, 저주파의 전자파가 발생되는 트랜스의 외벽면에 강자성체의 고투자율 물질을 코팅하여 저주파 차폐막을 형성함과 아울러 고주파의 전자파가 발생되는 마그네트론 및 도판관의 외벽면에는 고전도성 물질을 코팅하여 고주파 차폐막을 형성하고, 차폐막이 형성된 트랜스와 마그네트론 및 도파관을 접지시켜 전자파를 바이패스시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 전자렌지의 전자파 차폐장치.