KR19990030653A - Optical waveguide manufacturing method - Google Patents
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Abstract
광도파로(light wave guide) 제조 방법을 개시한다. 본 발명은, 기판 상에 하위 클래딩층(cladding layer) 및 코아층(core layer)을 형성한다. 다음에, 코아층 상에 마스크 패턴(mask pattern)형성한다. 다음에, 노출되는 코아층을, 제1RF 파워(first Radio Frequency power)가 인가되는 음극 전극, ICP 코일(Inductively Coupled Plasma coil) 및 챔버(chamber)를 포함하는 ICP 장치를 이용하는 식각 방법으로 패터닝(patterning)하여, 도파로를 형성한다. 이때, ICP 장치를 이용하는 식각 방법은 다음과 같은 방법으로 수행된다. 먼저, 마스크 패턴이 형성된 기판을 음극 전극 상에 도입한다. 다음에, 음극 전극에 제1RF 파워를 인가하고, ICP 코일에 제2RF 파워를 인가하며, 챔버에 CF4가스를 포함하는 반응 가스를 공급하여 플라즈마(plasma)를 발생시켜, 노출되는 코아층을 식각한다. 다음에, 도파로를 뒤덮는 상위 클래딩층을 형성한다.Disclosed is a method of manufacturing a light wave guide. The present invention forms a lower cladding layer and a core layer on the substrate. Next, a mask pattern is formed on the core layer. Next, the exposed core layer is patterned by an etching method using an ICP device including a cathode electrode, an ICP coil (Inductively Coupled Plasma coil), and a chamber to which a first Radio Frequency power is applied. ) To form a waveguide. At this time, the etching method using the ICP device is performed by the following method. First, a substrate on which a mask pattern is formed is introduced onto a cathode electrode. Next, a first RF power is applied to the cathode electrode, a second RF power is applied to the ICP coil, a reactant gas containing CF 4 gas is supplied to the chamber to generate a plasma, and the exposed core layer is etched. do. Next, an upper cladding layer covering the waveguide is formed.
Description
본 발명은 광통신용 소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 광도파로(optical waveguide) 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical communication device, and more particularly to a method for manufacturing an optical waveguide.
광도파로는 광회로(lightwave circuit)를 구성하는 여러 광학 소자 가운데에서 광신호를 전달하는 기본적인 광전송 소자이다.An optical waveguide is a basic optical transmission element that transmits an optical signal among various optical elements forming an optical wave circuit.
도 1은 종래의 광도파로 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 공정 흐름도이다.1 is a flowchart illustrating a conventional method for manufacturing an optical waveguide.
구체적으로, 평탄한 기판 상에 하위 클래딩층(cladding layer) 및 코아층(core layer)을 형성한다(10). 이후에, 상기 코아층을 패터닝하여 광이 도파되는 통로인 도파로를 형성한다(20). 다음에, 상기 도파로를 뒤덮는 상위 클래딩층(30)을 형성한다.Specifically, a lower cladding layer and a core layer are formed on the flat substrate 10. Thereafter, the core layer is patterned to form a waveguide, which is a passage through which light is guided (20). Next, an upper cladding layer 30 covering the waveguide is formed.
이때, 도파로를 형성하는 단계(20)는 다음과 같이 수행된다. 먼저, 상기 코아층 상에 상기 코아층의 소정 영역을 노출시키는 마스크 패턴(mask pattern)을 형성한다(21). 이후에, 상기 마스크 패턴이 형성된 기판을 반응성 이온 식각 장치(Reactive Ion Etching system;이하 "RIE 장치"라 한다)에 인입하여, 식각 공정을 진행한다(23). 이와 같이, 코아층을 패터닝하여 광신호가 전송되는 도파로를 형성한다. 다음에, 마스크 패턴을 제거한다(25).At this time, the step 20 of forming the waveguide is performed as follows. First, a mask pattern for exposing a predetermined region of the core layer is formed on the core layer (21). Subsequently, the substrate on which the mask pattern is formed is introduced into a reactive ion etching system (hereinafter referred to as a “RIE device”), and an etching process is performed (23). In this way, the core layer is patterned to form a waveguide through which an optical signal is transmitted. Next, the mask pattern is removed (25).
그러나, 상기 RIE 장치를 이용하는 식각 방법은 식각 속도가 낮다. 예를 들어, 상기 코아층으로 실리카층(silica layer)을 이용하는 경우에는 대략 300Å/min 내지 500Å/min 정도의 낮은 식각 속도를 나타낸다. 따라서, 대략 8㎛ 이상의 높이를 가지는 도파로를 형성하기 위해서는, 대략 3시간 내지 5시간 정도의 장시간의 식각 공정 시간이 요구된다. 이에 따라, 광도파로를 제조하는 데 있어서, 생산성 저하의 요인이 된다.However, the etching method using the RIE apparatus has a low etching rate. For example, when the silica layer is used as the core layer, a low etching rate of about 300 kW / min to 500 kW / min is shown. Therefore, in order to form a waveguide having a height of about 8 μm or more, a long etching process time of about 3 hours to about 5 hours is required. Thereby, in manufacturing an optical waveguide, it becomes a factor of productivity fall.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 코아층을 보다 빠른 속도로 식각할 수 있어 생산성의 증대를 구현할 수 있는 광도파로 제조 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an optical waveguide that can etch the core layer at a faster speed to implement an increase in productivity.
도 1은 종래의 광도파로 제조 방법을 설명하기 위해서 도시한 공정 흐름도이다.1 is a flowchart showing a conventional method for manufacturing an optical waveguide.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 광도파로 제조 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.2 to 5 are cross-sectional views for explaining the optical waveguide manufacturing method of the present invention.
도 6은 본 발명의 광도파로 제조 방법에 이용되는 유도 결합 플라즈마 장치(inductively coupled plasma system)를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 6 is a diagram schematically illustrating an inductively coupled plasma system used in the optical waveguide manufacturing method of the present invention.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 기판 상에 하위 클래딩층 및 코아층을 형성한다. 이때, 상기 코아층으로는 실리카층을 이용한다. 다음에 상기 코아층 상에 상기 코아층의 소정 영역을 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 이때, 상기 마스크 패턴으로는 크롬층 등과 같은 금속층, 포토레지스트층, 비정질 실리콘층 또는 실리사이드층으로 등을 이용한다. 다음에, 상기 노출되는 코아층을, 제1RF 파워가 인가되는 음극 전극, 유도 결합 플라즈마 코일 및 챔버를 포함하는 유도 결합 플라즈마 장치를 이용하는 식각 방법으로 패터닝하여, 도파로를 형성한다. 이때, 상기 유도 결합 플라즈마 장치를 이용하는 식각 방법은 다음과 같은 방법으로 수행된다. 먼저, 상기 마스크 패턴이 형성된 기판을 상기 음극 전극에 도입한다. 다음에, 상기 음극 전극에 제1RF 파워를 인가하고, 상기 유도 결합 플라즈마 코일에 제2RF 파워를 인가하며, 상기 챔버에 반응 가스를 공급하여 플라즈마를 발생시켜, 상기 노출되는 코아층을 식각한다. 이때, 상기 플라즈마를 이용하는 식각은 다음과 같은 공정 조건으로 수행된다. 즉, 상기 플라즈마는 불화 탄소 이온을 포함하고 있으며, 상기 불화 탄소 이온은 사불화 탄소 가스를 포함하는 반응 가스로부터 생성된다. 이때, 상기 사불화 탄소 가스는 상기 챔버에 대략 10sccm 내지 50sccm의 흐름량 조건으로 공급된다. 더하여, 상기 챔버 내의 기압은 대략 3mTorr 내지 30mTorr의 압력으로 유지되며, 상기 음극 전극에는 대략 10W 내지 400W의 제1RF 파워가 인가되고, 상기 유도 결합 플라즈마 코일에는 대략 100W 내지 1500W의 제2RF 파워가 인가된다. 이와 같이, 상기 코아층을 패터닝하여 도파로를 형성한다. 다음에, 상기 도파로를 뒤덮는 상위 클래딩층을 형성한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention forms a lower cladding layer and a core layer on a substrate. In this case, a silica layer is used as the core layer. Next, a mask pattern is formed on the core layer to expose a predetermined region of the core layer. In this case, a metal layer such as a chromium layer, a photoresist layer, an amorphous silicon layer, or a silicide layer may be used as the mask pattern. Next, the exposed core layer is patterned by an etching method using an inductively coupled plasma apparatus including a cathode electrode, an inductively coupled plasma coil, and a chamber to which the first RF power is applied to form a waveguide. In this case, the etching method using the inductively coupled plasma apparatus is performed by the following method. First, the substrate on which the mask pattern is formed is introduced into the cathode electrode. Next, a first RF power is applied to the cathode electrode, a second RF power is applied to the inductively coupled plasma coil, and a reactive gas is supplied to the chamber to generate plasma to etch the exposed core layer. In this case, etching using the plasma is performed under the following process conditions. That is, the plasma contains fluorinated carbon ions, and the fluorinated carbon ions are generated from a reaction gas containing carbon tetrafluoride gas. At this time, the carbon tetrafluoride gas is supplied to the chamber under a flow rate of approximately 10 sccm to 50 sccm. In addition, the atmospheric pressure in the chamber is maintained at a pressure of approximately 3mTorr to 30mTorr, the first RF power of approximately 10W to 400W is applied to the cathode electrode, and the second RF power of approximately 100W to 1500W is applied to the inductively coupled plasma coil. . As such, the core layer is patterned to form a waveguide. Next, an upper cladding layer covering the waveguide is formed.
본 발명에 따르면, 코아층을 보다 빠른 식각 속도로 패터닝하여 도파로를 형성할 수 있어, 광도파로 제조에 있어서의 생산성의 증대를 구현할 수 있다.According to the present invention, the core layer can be patterned at a faster etching rate to form a waveguide, thereby realizing an increase in productivity in manufacturing an optical waveguide.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 의한 광도파로 제조 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.2 to 5 are cross-sectional views illustrating an optical waveguide manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 실시예에 이용되는 유도 결합 플라즈마 장치를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 6 is a diagram schematically illustrating an inductively coupled plasma apparatus used in an embodiment of the present invention.
도 2는 기판(100) 상에 하위 클래딩층(cladding layer;200) 및 코아층(core;300)을 형성하는 단계를 나타낸다.2 illustrates a step of forming a lower cladding layer 200 and a core layer 300 on a substrate 100.
구체적으로, 평탄한 기판(100) 상에 하위 클래딩층(200) 및 코아층(300)을 형성한다. 이때, 상기 코아층(300)은 이후에 패터닝되어 광도파로로 형성된다. 따라서, 광이 도파될 수 있는 물질로 형성된다. 또한, 상기 하위 클래딩층(200)에 비해 굴절률이 큰 재질로 형성된다. 예를 들어 실리카(silica) 광도파로의 경우에는, 주성분이 산화 실리콘(SiO2)인 실리카층을 상기 코아층(300)으로 이용한다. 이후, 본 실시예에서는 실리카 광도파로를 형성하는 경우를 예를 들어 설명하지만, 상기 실리카 광도파로를 형성하는 경우에만 본 발명이 한정되는 것은 아니다.Specifically, the lower cladding layer 200 and the core layer 300 are formed on the flat substrate 100. At this time, the core layer 300 is then patterned to form an optical waveguide. Thus, light is formed of a material that can be guided. In addition, the lower cladding layer 200 is formed of a material having a larger refractive index. For example, in the case of a silica optical waveguide, a silica layer whose main component is silicon oxide (SiO 2 ) is used as the core layer 300. Hereinafter, in this embodiment, a case of forming a silica optical waveguide is described by way of example, but the present invention is not limited only to the case of forming the silica optical waveguide.
도 3은 코아층(300) 상에 마스크 패턴(450)을 형성하는 단계를 나타낸다.3 illustrates forming a mask pattern 450 on the core layer 300.
구체적으로, 상기 코아층(300) 상에 상기 코아층(300)의 소정 영역을 노출시키는 마스크 패턴(450)을 형성한다. 상기 마스크 패턴(450)은, 이후에 패터닝될 상기 코아층(300)의 재질에 따라 그 재질이 달라질 수 있다. 예컨대, 크롬(Cr)층 등과 같은 금속층, 포토레지스트층 등과 같은 폴리머층(polymer layer), 산화 실리콘층 등과 같은 산화물층, 비정질 실리콘층(amorphous silicon layer) 등과 같은 유전체층 또는 실리사이드층(silicide layer) 등을 이용한다. 실리카 광도파로를 형성하는 경우에는 크롬층 등과 같은 금속층으로 상기 마스크 패턴으로 이용하는 것이 바람직하다.Specifically, a mask pattern 450 is formed on the core layer 300 to expose a predetermined region of the core layer 300. The material of the mask pattern 450 may vary depending on a material of the core layer 300 to be patterned later. For example, a metal layer such as a chromium (Cr) layer, a polymer layer such as a photoresist layer, an oxide layer such as a silicon oxide layer, a dielectric layer such as an amorphous silicon layer, or a silicide layer, etc. Use In the case of forming the silica optical waveguide, it is preferable to use a metal layer such as a chromium layer as the mask pattern.
도 4는 코아층(300)을 패터닝하여 도파로(350)를 형성하는 단계를 나타낸다.4 illustrates a step of forming the waveguide 350 by patterning the core layer 300.
구체적으로, 상기 마스크 패턴(450) 형성된 기판(100)을, 도 6에 개략적으로 도시한 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma;이하 "ICP"라 한다) 장치의 음극 전극(600)에 인입한다. 상기 ICP 장치는, 챔버(chamber;도시되지 않음), RF 파워(Radio Frequency power) 발생 장치(800)에서 발생된 제1RF 파워가 인가되는 음극 전극(600), 상기 음극 전극(600)에 대향되게 도입되고 DC 바이어스(Direct current bias)가 인가되는 상부 전극(700) 및 제2RF 파워가 인가되는 ICP 코일(ICP coil;900) 등으로 이루어진다. 전체적인 구성은 종래의 RIE 장치와 유사하지만, 상기 ICP 코일(900)이 도입되는 점이 특징적이다.Specifically, the substrate 100 on which the mask pattern 450 is formed is introduced into the cathode electrode 600 of the inductively coupled plasma (ICP) device schematically illustrated in FIG. 6. The ICP device may face the cathode electrode 600 to which the first RF power generated by the chamber (not shown), the RF power generating device 800 is applied, and the cathode electrode 600. The upper electrode 700 is introduced and the DC bias is applied, and the ICP coil 900 is applied. The overall configuration is similar to a conventional RIE apparatus, but is characterized by the introduction of the ICP coil 900.
본 실시예에서는 상기 챔버에 불화 탄소 이온(carbon fluoride ion;CFX +) 및 불소 래디컬(fluorine radical)을 발생시킬 수 있는 불화물계 가스(fluoride base gas)를 반응 가스로 공급한다. 예컨대, 사불화 탄소 가스(CF4)를 반응 가스로 공급한다. 공급되는 반응 가스의 원소들은, 상기 음극 전극(600)에 인가되는 제1RF 파워와 상기 ICP 코일(900)에 인가되는 제2RF 파워에 의해서 플라즈마 상(phase)으로 여기된다. 이때, 발생하는 플라즈마 내에는 CFX, CFX +, FX, F-, F 및 전자(e-) 등과 같은 원소, 이온 상태 및 F*와 같은 반응성 래디컬(reactive radical)이 발생한다. 이때, 상기 CFX +와 같은 불화 탄소 이온은, 상기 음극 전극(600)에 인가되는 제1RF 파워에 의해서 가속되어 상기 기판(100) 상에 충돌한다. 이에 따라, 코아층(300)의 식각은 주로, 상기 CFX +와 같은 불화 탄소 이온에 의한 이온 폭격(ion-bombarding)에 의해서 수행된다.In this embodiment, a fluoride base gas capable of generating carbon fluoride ions (CF X + ) and fluorine radicals is supplied to the chamber as a reaction gas. For example, carbon tetrafluoride gas (CF 4 ) is supplied as the reaction gas. Elements of the reactant gas supplied are excited to the plasma phase by the first RF power applied to the cathode electrode 600 and the second RF power applied to the ICP coil 900. At this time, the generated plasma generates elements such as CF X , CF X + , F X , F − , F and electrons (e − ), an ionic state, and reactive radicals such as F *. In this case, fluorinated carbon ions such as CF X + are accelerated by the first RF power applied to the cathode electrode 600 and collide on the substrate 100. Accordingly, etching of the core layer 300 is mainly performed by ion bombarding by fluorinated carbon ions such as CF X + .
이때, ICP 코일(900)에 인가되는 제2RF 파워에 의해서, 상기 플라즈마 내의 전자(electron;e-) 운동은 변형된다. 즉, 상기 ICP 코일(900)에 의해서, 상기 플라즈마 내의 전자는, 직선 운동뿐 아니라 나선 운동도 나타내게 된다. 따라서, 상기 전자와 반응 가스의 원소 또는 상기 전자와 플라즈마 내의 이온들과의 충돌 확률은 보다 증가한다. 이에 따라 플라즈마로의 여기 현상이 용이해지며, 따라서 발생되는 플라즈마의 농도는 증가하게 된다. 이와 같이 플라즈마의 농도가 증가하게 됨에 따라, 이온들의 농도 또한 증가한다. 따라서, 기판(100) 상에 다다르는 이온, 즉, CFX +와 같은 불화 탄소 이온의 수는 증가하게 되며, 따라서 상기 이온 폭격 효과 또한 높아진다. 이에 따라, 상기 기판(100) 상의 마스크 패턴(450)에 의해서 노출되는 코아층(300)의 일부분은 보다 빠른 속도로 식각된다.At this time, the electron (e − ) movement in the plasma is deformed by the second RF power applied to the ICP coil 900. That is, by the ICP coil 900, the electrons in the plasma exhibit not only linear motion but also spiral motion. Thus, the probability of collision between the electrons and the elements of the reactant gas or the electrons and ions in the plasma is increased. This facilitates the excitation phenomenon to the plasma, thus increasing the concentration of the generated plasma. As the concentration of the plasma increases in this way, the concentration of ions also increases. Therefore, the number of ions that arrive on the substrate 100, that is, the number of fluoride carbon ions such as CF X + increases, so that the ion bombardment effect also increases. Accordingly, a portion of the core layer 300 exposed by the mask pattern 450 on the substrate 100 is etched at a higher speed.
본 실시예에서는 다음에 예시한 식각 조건을 이용하여 대략 8㎛ 두께 이상의 도파로(350)를 형성한다. 그러나, 이와 같은 식각 조건에 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 먼저, 대략 10sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute) 내지 50sccm의 CF4가스를 상기 챔버에 공급한다. 이때, 상기 챔버는 대략 3mTorr 내지 30mTorr 정도의 압력으로 유지된다. 또한, 상기 음극 전극(600)에 인가되는 제1RF 파워는 대략 10W 내지 400W 정도이며, 상기 ICP 코일(900)에 인가되는 RF 파워는 대략 100W 내지 1500W 정도이다.In the present embodiment, the waveguide 350 having a thickness of about 8 μm or more is formed using the etching conditions illustrated below. However, the present invention is not limited to such etching conditions. First, CF 4 gas of approximately 10 sccm (Standard Cubic Centimeter per Minute) to 50 sccm is supplied to the chamber. At this time, the chamber is maintained at a pressure of approximately 3mTorr to 30mTorr. In addition, the first RF power applied to the cathode electrode 600 is about 10W to about 400W, and the RF power applied to the ICP coil 900 is about 100W to about 1500W.
상기한 식각 조건으로 본 실시예에서는 대략 3000Å/min 정도 이상의 식각 속도로 상기 코아층(300)을 식각할 수 있다. 이때, 상기 마스크 패턴(450)으로 크롬층을 이용하고, 상기 코아층(300)으로 실리카층을 이용하는 경우에는, 대략 1:30 정도의 식각 선택비를 구현할 수 있다. 즉, 마스크 패턴(450)으로 사용되는 크롬층이 1정도 소모될 때, 상기 코아층(300)으로 이용되는 실리카층은 30정도가 식각되어 제거된다. 이에 따라, 상기 마스크 패턴(450)은 보다 얇은 두께로 도입될 수 있다. 따라서, 마스크 패턴(450)을 형성하는 패터닝 공정에서의 특성의 향상을 구현할 수 있어, 보다 정밀한 패턴의 마스크 패턴(450)을 얻을 수 있다.Under the above etching conditions, in the present embodiment, the core layer 300 may be etched at an etching rate of about 3000 mW / min or more. In this case, when the chromium layer is used as the mask pattern 450 and the silica layer is used as the core layer 300, an etching selectivity of about 1:30 may be realized. That is, when the chromium layer used as the mask pattern 450 is consumed by about 1 degree, the silica layer used as the core layer 300 is removed by etching about 30 degrees. Accordingly, the mask pattern 450 may be introduced to a thinner thickness. Therefore, the improvement of the characteristic in the patterning process of forming the mask pattern 450 can be implemented, and the mask pattern 450 of a more precise pattern can be obtained.
또한, 상기한 식각 조건으로 수행되는 식각 방법은 높은 이방성 식각 특성을 나타낸다. 따라서, 형성되는 도파로(350)의 측벽은 상기 기판(100)의 표면에 대해 수직에 매우 가까운 각도로 형성되며, 보다 균일한 측벽면 특성을 나타낸다. 따라서, 보다 정밀한 패턴을 가지며 8㎛ 이상의 높이를 가지는 도파로(350)를 보다 용이하게 구현할 수 있다.In addition, the etching method performed under the etching conditions exhibits high anisotropic etching characteristics. Therefore, the sidewalls of the waveguide 350 formed are formed at an angle very close to the perpendicular to the surface of the substrate 100, and exhibit more uniform sidewall surface characteristics. Therefore, the waveguide 350 having a more precise pattern and having a height of 8 μm or more can be more easily implemented.
도 5는 도파로(350)를 뒤덮는 상위 클래딩층(500)을 형성하는 단계를 나타낸다.5 illustrates a step of forming the upper cladding layer 500 covering the waveguide 350.
구체적으로, 상기 도파로(350) 상에 잔류하는 마스크 패턴(450)을 제거한 후, 상기 도파로(350)를 뒤덮는 상위 클래딩층(500)을 형성한다. 상기 상위 클래딩층(500)은 상기 도파로(350)에 이용되는 물질에 비해 낮은 굴절률을 가지는 물질로 이루어진다. 예컨대, 상기 하위 클래딩층(200)에 이용되는 물질을 이용한다.Specifically, after removing the mask pattern 450 remaining on the waveguide 350, the upper cladding layer 500 covering the waveguide 350 is formed. The upper cladding layer 500 is made of a material having a lower refractive index than the material used for the waveguide 350. For example, a material used for the lower cladding layer 200 is used.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통해서 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail through the specific Example, this invention is not limited to this, It is clear that the deformation | transformation and improvement are possible by the person of ordinary skill in the art within the technical idea of this invention.
상술한 본 발명에 따르면, CF4와 같이 불화 탄소 이온을 발생시킬 수 있는 반응 가스 및 ICP 장치를 이용하는 식각 방법을 이용하여 보다 빠른 식각 속도로 코아층을 식각할 수 있다. 또한, 마스크 패턴과의 높은 식각 선택비를 구현할 수 있어, 보다 작은 두께의 마스크 패턴을 도입할 수 있어, 보다 정밀한 패턴의 도파로를 구현할 수 있다. 더하여, 높은 이방성 식각 특성을 구현할 수 있어, 형성되는 도파로는 수직에 가까우며, 보다 균일한 표면의 측벽을 가질 수 있다.According to the present invention described above, the core layer can be etched at a faster etching rate by using an etching method using a reaction gas capable of generating carbon fluoride ions and an ICP device such as CF 4 . In addition, it is possible to implement a high etching selectivity with the mask pattern, it is possible to introduce a mask pattern of a smaller thickness, it is possible to implement a waveguide of a more precise pattern. In addition, high anisotropic etching characteristics can be realized, so that the waveguide formed can be close to vertical and have sidewalls of a more uniform surface.
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Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970050964A KR19990030653A (en) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | Optical waveguide manufacturing method |
| CN 98120207 CN1213782A (en) | 1997-10-02 | 1998-09-30 | Method of manufacturing optical waveguide device using inductively coupled plasma system |
| JP10277548A JPH11167037A (en) | 1997-10-02 | 1998-09-30 | Production of optical waveguide element utilizing induction coupling plasma apparatus |
| CA002249094A CA2249094A1 (en) | 1997-10-02 | 1998-09-30 | Method of manufacturing optical waveguide device using inductively coupled plasma system |
| FR9812305A FR2769376A1 (en) | 1997-10-02 | 1998-10-01 | METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTICAL WAVEGUIDED DEVICE USING AN INDUCTIVELY TORQUE PLASMA SYSTEM |
| GB9821310A GB2329873B (en) | 1997-10-02 | 1998-10-02 | Method of manufacturing optical waveguide device using inductively coupled plasma system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970050964A KR19990030653A (en) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | Optical waveguide manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990030653A true KR19990030653A (en) | 1999-05-06 |
Family
ID=66045336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970050964A KR19990030653A (en) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | Optical waveguide manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990030653A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100439749B1 (en) * | 2002-07-29 | 2004-07-12 | 우리로광통신주식회사 | Method for fabricating optical waveguide on fused silica substrates using inductively coupled plasma etcher |
| WO2021015379A1 (en) * | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 주식회사 휘라포토닉스 | Awg device module for optical transceiver, and manufacturing method |
| KR20210068339A (en) * | 2019-07-19 | 2021-06-09 | 주식회사 휘라포토닉스 | AWG device module and their fabrication method for optical transceiver |
-
1997
- 1997-10-02 KR KR1019970050964A patent/KR19990030653A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100439749B1 (en) * | 2002-07-29 | 2004-07-12 | 우리로광통신주식회사 | Method for fabricating optical waveguide on fused silica substrates using inductively coupled plasma etcher |
| WO2021015379A1 (en) * | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 주식회사 휘라포토닉스 | Awg device module for optical transceiver, and manufacturing method |
| KR20210068339A (en) * | 2019-07-19 | 2021-06-09 | 주식회사 휘라포토닉스 | AWG device module and their fabrication method for optical transceiver |
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