KR19990013719U

KR19990013719U - Furnace for Semiconductor Wafer Manufacturing

Info

Publication number: KR19990013719U
Application number: KR2019970026987U
Authority: KR
Inventors: 송명호
Original assignee: 구본준; 엘지반도체 주식회사
Priority date: 1997-09-29
Filing date: 1997-09-29
Publication date: 1999-04-26

Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼 제조용 노에 관한 것으로, 종래에는 보트의 이송시에 웨이퍼에 이물질이 부착되어 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 웨이퍼 제조용 노는 보트(16)가 고정되고, 내,외측 튜브(11)(12)가 내설되어 있는 반응부(14)가 승강되도록 함으로써, 종래와 같이 보트의 이송시 웨이퍼에 이물질이 발생되는 것을 방지하게 되는 효과가 있다.The present invention relates to a furnace for manufacturing a semiconductor wafer, and in the related art, foreign matter adheres to the wafer during transport of a boat, thereby contaminating the wafer. The furnace for semiconductor wafer manufacturing according to the present invention is fixed by the boat 16, and the reaction part 14 having the inner and outer tubes 11 and 12 installed therein is lifted, so that foreign matters are generated on the wafer during transfer of the boat as in the prior art. There is an effect that is prevented.

Description

Furnace for Semiconductor Wafer Manufacturing

본 고안은 반도체 웨이퍼 제조용 노에 관한 것으로, 특히 웨이퍼들을 탑재한 보트를 이동하지 않는 상태에서 공정을 진행할 수 있도록 함으로써 이동시 웨이퍼에 이물질이 발생하는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 제조용 노에 관한 것이다.The present invention relates to a furnace for manufacturing a semiconductor wafer, and more particularly to a furnace for manufacturing a semiconductor wafer suitable for preventing the generation of foreign matter on the wafer by allowing the process to proceed without moving the boat on which the wafers are mounted.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 제조용 노의 구성을 보인 종단면도로써, 도시된 바와 같이, 종래 반도체 웨이퍼 제조용 노는 내,외측 튜브(1)(2) 및 히터(3)가 내설되어 있는 반응부(4)와, 그 반응부(4)의 하측에 설치되며 웨이퍼들을 탑재하기 위한 보트(5)와, 그 보트(5)의 측면에 설치되며 보트(5)를 승강시키기 위한 엘리베이터(6)와, 그 엘리베이터(6)의 주변에 설치되며 웨이퍼를 보트(5)에 탑재하기 위한 이재기(7)로 구성되어 있다.1 is a longitudinal cross-sectional view showing a configuration of a furnace for manufacturing a semiconductor wafer according to the related art. As illustrated, the furnace for manufacturing a semiconductor wafer according to the related art has a reaction unit 4 in which inner and outer tubes 1 and 2 and a heater 3 are installed. And a boat 5 mounted below the reaction section 4 for mounting wafers, an elevator 6 mounted on the side of the boat 5 to lift the boat 5, and an elevator thereof. It is provided in the periphery of (6), and is comprised by the transfer machine 7 for mounting a wafer in the boat 5. As shown in FIG.

도면중 미설명 부호 8은 가스주입구이고, 9는 배기라인이다.In the figure, reference numeral 8 is a gas inlet, and 9 is an exhaust line.

상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 웨이퍼 제조용 노의 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the conventional semiconductor wafer manufacturing furnace configured as described above is as follows.

먼저, 이재기(7)를 이용하여 웨이퍼들을 보트(5)에 탑재한다. 그런 다음, 엘리베이터(6)를 이용하여 보트(5)를 상측으로 이동하여 내,외측튜브(1)(2)의 내측으로 로딩시킨다. 그런 다음, 히터(3)에 의하여 내,외측튜브(1)(2)의 내측이 일정온도로 유지되는 상태에서 가스주입구(8)를 통하여 공정가스를 주입하며 웨이퍼에 일정두께의 증착막을 형성하게 된다.First, wafers are mounted on the boat 5 using the transfer machine 7. Then, the boat 5 is moved upward by using the elevator 6 to be loaded into the inner and outer tubes 1 and 2. Then, the process gas is injected through the gas inlet 8 while the inside of the inner and outer tubes 1 and 2 are maintained at a constant temperature by the heater 3 to form a deposition film having a predetermined thickness on the wafer. do.

그러나, 상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 웨이퍼 제조용 노는 공정을 진행하기 위하여 웨이퍼들이 탑재되어 있는 보트(5)를 승강시켜야 되는데, 이때 보트(5)의 진동에 의하여 보트(5)에 묻어 있던 이물질들이 웨이퍼에 묻어서 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다.However, in order to proceed with the conventional semiconductor wafer manufacturing furnace configured as described above, the boat 5 on which the wafers are mounted must be lifted, and foreign matters buried in the boat 5 due to the vibration of the boat 5 There was a problem of contaminating the wafer by burying the wafer.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 공정진행시 보트가 이동하지 않는 상태에서 공정을 진행할 수 있도록 함으로써 웨이퍼에 이물질이 발생하지 않도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 제조용 노를 제공함에 있다.The object of the present invention devised in view of the above problems is to provide a furnace for manufacturing a semiconductor wafer suitable for preventing foreign matter from occurring on the wafer by allowing the process to proceed in a state in which the boat does not move during the process.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 제조용 노의 구성을 보인 종단면도.1 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a furnace for manufacturing a conventional semiconductor wafer.

도 2는 본 고안 반도체 웨이퍼 제조용 노의 구성을 보인 종단면도.Figure 2 is a longitudinal sectional view showing the configuration of a furnace for producing a semiconductor wafer of the present invention.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **** Description of symbols for the main parts of the drawing **

14 : 반응부 15 : 승강수단14: reaction unit 15: lifting means

16 : 보트 17 : 이재기16: boat 17: Lee Jae Gi

18 : 스프링18: spring

상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 이재기로 웨이퍼들을 보트에 탑재하고, 보트를 반응부에 로딩한 상태에서 증착을 실시할 수 있도록 구성되어 있는 반도체 웨이퍼 제조용 노에 있어서, 상기 반응부에 측면에 반응부를 승강시키기 위한 승강수단을 설치하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조용 노가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention as described above, in a furnace for manufacturing a semiconductor wafer, which is configured to mount wafers on a boat as a transfer machine and to carry out deposition while the boat is loaded in a reaction section, There is provided a furnace for manufacturing a semiconductor wafer, which is constituted by providing elevating means for elevating the reaction section.

이하, 상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 웨이퍼 제조용 노를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the embodiment of the accompanying drawings, a furnace for fabricating a semiconductor wafer of the present invention, which is configured as described above, is described in more detail as follows.

도 2는 본 고안 반도체 웨이퍼 제조용 노의 구성을 보인 종단면도로써, 도시된 바와 같이, 본 고안 반도체 웨이퍼 제조용 노는 내,외측 튜브(11)(12) 및 히터(13)가 구비된 반응부(14)와, 그 반응부(14)의 측면에 설치되며 반응부(14)를 승강시키기 위한 엘리베이터와 같은 승강수단(15)과, 상기 반응부(14)의 하부에 설치되며 웨이퍼들이 탑재되는 보트(16)와, 그 보트(16)의 주변에 설치되며 웨이퍼들을 보트(16)에 탑재하기 위한 이재기(17)로 구성되어 있다.2 is a longitudinal cross-sectional view showing the configuration of a furnace for manufacturing a semiconductor wafer according to the present invention, and as shown, the furnace for manufacturing a semiconductor wafer according to the present invention includes an inner and outer tubes 11 and 12 and a reaction unit 14 including a heater 13. ), A lifting means 15 such as an elevator for lifting the reaction part 14 up and down, and a boat on the lower part of the reaction part 14 and mounted with wafers 16 and a transfer machine 17 provided around the boat 16 to mount wafers on the boat 16.

즉, 종래에는 보트(5)의 주변에 보트(5)를 승강시키기 위한 엘리베이터(6)가 설치되어 있었으나, 본 고안에서는 내,외측 튜브(11)(12)가 내설되어 있는 반응부(14)의 주변에 반응부(14)를 승강시키기 위한 엘리베이터와 같은 승강수단(15)을 설치한 것이다.That is, in the related art, an elevator 6 for elevating the boat 5 is provided in the periphery of the boat 5, but in the present invention, the reaction unit 14 in which the inner and outer tubes 11 and 12 are installed is installed. Lifting means 15, such as an elevator for raising and lowering the reaction unit 14 in the vicinity of the.

한편, 상기 보트(16)의 하부에는 스프링(18)을 설치하여, 반응부(14)의 하강시 실링이 용이하도록 하는 것이 바람직하다.On the other hand, it is preferable to install a spring 18 in the lower portion of the boat 16, to facilitate the sealing when the reaction unit 14 is lowered.

도면중 미설명 부호 19는 가스주입구이고, 20은 배기라인이다.In the figure, reference numeral 19 is a gas inlet, and 20 is an exhaust line.

상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 웨이퍼 제조용 노의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the furnace for producing a semiconductor wafer of the present invention configured as described above are as follows.

먼저, 이재기(17)를 이용하여 보트(16)에 공정을 진행하고자 하는 웨이퍼들을 탑재한다. 그런 다음, 내,외측 튜브(11)(12)가 내설되어 있는 반응부(14)를 승강수단(15)을 이용하여 하강시켜서 내,외측 튜브(11)(12)의 내측에 보트(16)가 로딩되도록 한다. 그런 다음, 히터(13)의 가열에 의하여 내,외측 튜브(11)(12)의 내측이 일정온도로 유지되는 상태에서 가스주입구(19)를 통하여 공정가스를 주입하여 웨이퍼에 증착막이 형성되도록 한다. 그런 다음, 증착공정이 끝나면 승강수단(15)을 이용하여 반응부(14)를 상승시키고, 이재기(17)를 이용하여 보트(16)에 탑재되어 있는 웨이퍼들을 차기공정으로 이동할 수 있도록 이송한다.First, the wafers to be processed on the boat 16 are mounted using the transfer machine 17. Then, the reaction unit 14 in which the inner and outer tubes 11 and 12 are installed is lowered by the elevating means 15, and the boat 16 is disposed inside the inner and outer tubes 11 and 12. To load. Then, the process gas is injected through the gas inlet 19 while the inside of the inner and outer tubes 11 and 12 are maintained at a constant temperature by heating the heater 13 to form a deposition film on the wafer. . Then, after the deposition process is completed, the reaction unit 14 is lifted up using the lifting means 15, and the wafers mounted on the boat 16 are transferred to the next process by using the transfer machine 17.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 고안 반도체 웨이퍼 제조용 노는 보트가 고정되고, 내,외측 튜브가 내설되어 있는 반응부가 승강되도록 함으로써, 종래와 같이 보트의 이송시 웨이퍼에 이물질이 발생되는 것을 방지하게 되는 효과가 있다.As described in detail above, the furnace for fabricating the semiconductor wafer of the present invention is fixed to the boat, and the reaction part in which the inner and outer tubes are installed is lifted, thereby preventing foreign matters from being generated on the wafer during transport of the boat as in the prior art. have.

Claims

In a furnace for manufacturing a semiconductor wafer, which is configured to mount wafers on a boat to a transfer machine and to perform deposition in a state where the boat is loaded in a reaction unit,

A furnace for manufacturing a semiconductor wafer, comprising: elevating means for elevating the reaction section on the side of the reaction section.

The furnace according to claim 1, wherein the elevating means is an elevator.

The furnace according to claim 1, wherein a spring is provided below the boat.