KR19990010591U

KR19990010591U - Band Switching Circuit of High Frequency Amplifier in Fully Tuned Tuner

Info

Publication number: KR19990010591U
Application number: KR2019970023964U
Authority: KR
Inventors: 김동원
Original assignee: 이형도; 삼성전기 주식회사
Priority date: 1997-08-29
Filing date: 1997-08-29
Publication date: 1999-03-15

Abstract

본 고안은 전자동조 튜너에서의 고주파 증폭기의 밴드 스위칭 회로에 관한 것으로, 특히 종래 드레인(D) 스위칭 방식에서 게이트2(G2)를 이용한 스위칭 방식으로 변경하여 저전류에 의한 스위칭을 실현하고, 아이솔레이션(isolation)을 개선하고, 믹서(Mixer), 발진기(Oscillator), 위상동기루프(PLL)의 단일 칩(MOPLL)화가 용이한 전자동조 튜너에서의 고주파 증폭기의 밴드 스위칭 회로에 관한 것이다. 본 고안에 의한 전자동조 튜너에서의 고주파 증폭기의 밴드 스위칭 회로는 AGC전압을 바이패스하며 접지와 연결된 커패시터 및 직렬 연결된 저항을 통하여 AGC 전압입력단자와 연결된 게이트2와, 상기 저항 사이의 노드와 PLL의 밴드 B1단자 사이에 연결된 저항과, 저항이 접지와 연결되고, 커패시터를 통하여 고주파 입력단자와 연결되는 게이트1과, 상기 게이트1으로 입력된 고주파 신호가 전계효과트랜지스터에서 증폭되어 커패시터를 통하여 출력되고, 코일을 통하여 B+로부터 구동전압을 받는 드레인과, 접지로 직접 연결된 소스를 구비하여, 저전류에 의한 스위칭을 실현하고, 아이솔레이션(isolation)을 개선하고, 믹서, 발진기, 위상동기루프의 단일 칩(MOPLL)화가 용이하다.The present invention relates to a band switching circuit of a high frequency amplifier in a fully tuned tuner, and in particular, switching from a conventional drain (D) switching method to a switching method using a gate 2 (G2) to realize switching by a low current, and isolation ( The present invention relates to a band switching circuit of a high frequency amplifier in a fully tuned tuner that improves isolation, and is easy to form a single chip (MOPLL) of a mixer, an oscillator, and a phase locked loop (PLL). The band switching circuit of the high frequency amplifier in the self-tuning tuner according to the present invention bypasses the AGC voltage and connects the gate 2 connected to the AGC voltage input terminal through a capacitor connected in series with a resistor connected in series, and the node between the resistor and the PLL. A resistor connected between the band B1 terminals, a resistor 1 connected to ground, a gate 1 connected to a high frequency input terminal through a capacitor, and a high frequency signal input to the gate 1 are amplified by a field effect transistor and output through a capacitor. It has a drain that receives the driving voltage from B + through the coil and a source connected directly to ground to achieve low current switching, to improve isolation, and to provide a single chip of mixer, oscillator, phase-locked loop (MOPLL). ) It is easy to make.

Description

Band Switching Circuit of High Frequency Amplifier in Fully Tuned Tuner

본 고안은 전자동조 튜너에서의 고주파 증폭기의 밴드 스위칭 회로에 관한 것으로, 특히 종래 드레인(D) 스위칭 방식에서 게이트2(G2)를 이용한 스위칭 방식으로 변경하여 저전류에 의한 스위칭을 실현하고, 아이솔레이션(isolation)을 개선하고, 믹서(Mixer), 발진기(Oscillator), 위상동기루프(PLL)의 단일 칩(MOPLL)화가 용이한 전자동조 튜너에서의 고주파 증폭기의 밴드 스위칭 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a band switching circuit of a high frequency amplifier in a fully tuned tuner, and in particular, switching from a conventional drain (D) switching method to a switching method using a gate 2 (G2) to realize switching by a low current, and isolation ( The present invention relates to a band switching circuit of a high frequency amplifier in a fully tuned tuner that improves isolation, and is easy to form a single chip (MOPLL) of a mixer, an oscillator, and a phase locked loop (PLL).

일반적인 기술에 관련되는 종래 기술에 의한 전자동조 튜너에서의 고주파 증폭기의 밴드 스위칭 회로는 도 1에 도시되어 있으며, 도 1은 종래의 전자동조 튜너에서의 고주파 증폭기의 밴드 스위칭 회로도이다.The band switching circuit of the high frequency amplifier in the conventional tuned tuner according to the related art is shown in Fig. 1, which is a band switching circuit diagram of the high frequency amplifier in the conventional fully tuned tuner.

도 1를 참조하면, 종래 기술에 의한 전자동조 튜너에서의 고주파 증폭기의 밴드 스위칭 회로는 AGC전압을 바이패스하며 접지와 연결된 커패시터(C12,C13) 및 직렬 연결된 저항(R12)을 통하여 AGC 전압입력단자와 연결된 게이트2(G2)와, 저항(R11)이 접지와 연결되고, 커패시터(C11)를 통하여 고주파 입력단자와 연결되는 게이트1(G1)과, 상기 게이트1(G1)으로 입력된 고주파 신호가 전계효과트랜지스터(FET)에서 증폭되어 커패시터(C15)를 통하여 출력되고, 코일(L11)을 통하여 B1 밴드 단자로부터 전압을 받아 상기 전계효과트랜지스터(FET)를 스위칭하는 드레인(D)과, 접지로 바이패스용 커패시터(C14)와 전압 및 전류조절용 저항(R13)을 통하여 연결된 소스(S)로 구성된다.Referring to FIG. 1, a band switching circuit of a high frequency amplifier in a conventional tuned tuner bypasses an AGC voltage and passes an AGC voltage input terminal through capacitors C12 and C13 connected to ground and a resistor R12 connected in series. The gate 2 (G2) connected to the gate, the resistor (R11) is connected to the ground, the gate 1 (G1) connected to the high frequency input terminal through the capacitor (C11), and the high frequency signal input to the gate 1 (G1) Amplified by the field effect transistor (FET) is output through the capacitor (C15), the drain (D) for switching the field effect transistor (FET) receives the voltage from the B1 band terminal through the coil (L11), and to the ground And a source S connected through a pass capacitor C14 and a voltage and current regulating resistor R13.

여기서, 도면중 미설명 부호인 B+는 PLL의 구동전압(9V~12V)을 표시한다.Here, B +, which is not described in the drawing, indicates the driving voltage (9V to 12V) of the PLL.

이와같이 구성된 종래의 전자동조 튜너에서의 고주파 증폭기의 밴드 스위칭 회로에서는 믹서, 발진기, 위상동기루프를 단일 칩(MOPLL)화하기 위해서 전류의 최소화 가 요구되며 따라서 저전압(5V, 3V, 1.5V)에 의한 드레인 방식의 스위칭에서는 아이솔레이션(isolation)이 저하된다.In the band switching circuit of the high-frequency amplifier in the conventional fully tuned tuner configured as described above, minimization of current is required to make the mixer, oscillator and phase-locked loop into a single chip (MOPLL). Therefore, the low voltage (5V, 3V, 1.5V) is required. Isolation is reduced in the drain type switching.

이와같은 종래기술에서는 5V, 3V, 1.5V와 같이 저전압에 의한 회로 구성으로는 아이솔레이션(isolation)이 저하된다. 드레인 전류는 기본적으로 10㎃이상이 소모되어 고주파 3개의 증폭기 구성시 30㎃의 전류가 필요하여 단일 칩 집적회로 구성이 어려운 문제가 있고, 소비 전력이 커짐에 의한 방열판(heat sink)이 필요하여 비용 상승의 문제점이 있다.In such a prior art, isolation is reduced in a circuit configuration by low voltage, such as 5V, 3V, 1.5V. Since drain current is consumed more than 10㎃ basically, it requires 30㎃ current when constructing three high frequency amplifiers, making it difficult to construct a single chip integrated circuit, and requires a heat sink due to the increased power consumption. There is a problem of ascension.

본 고안은 상기한 문제점을 해결하고 개선점을 달성하기 위해 안출한 것이다. 따라서, 본 고안의 목적은 저전류에 의한 스위칭을 실현하고, 아이솔레이션(isolation)을 개선하고, 믹서, 발진기, 위상동기루프의 단일 칩(MOPLL)화가 용이한 전자동조 튜너에서의 고주파 증폭기의 밴드 스위칭 회로를 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve the above problems and to achieve an improvement. Accordingly, an object of the present invention is to achieve low current switching, improve isolation, and to easily switch mixers, oscillators, and phase-lock loops into single-chip (MOPLL) band-switching of high-frequency amplifiers. To provide a circuit.

도 1은 종래의 전자동조 튜너에서의 고주파 증폭기의 밴드 스위칭 회로도이다.1 is a band switching circuit diagram of a high frequency amplifier in a conventional fully tuned tuner.

도 2는 본 고안에 의한 전자동조 튜너에서의 고주파 증폭기의 밴드 스위칭 회로도이다.2 is a band switching circuit diagram of a high frequency amplifier in the fully tuned tuner according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

C21~C26:커패시터 R21~R24:저항C21 to C26: Capacitors R21 to R24: Resistance

L21:코일 G1:게이트1L21: Coil G1: Gate 1

G2:게이트2 D:드레인G2: Gate 2 D: Drain

S:소스 PLL:위상동기루프S: Source PLL: Phase Synchronous Loop

FET:전계효과트랜지스터FET: Field Effect Transistor

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 기술적인 수단으로써, 본 고안에 의한 전자동조 튜너에서의 고주파 증폭기의 밴드 스위칭 회로는 AGC전압을 바이패스하며 접지와 연결된 커패시터 및 직렬 연결된 저항을 통하여 AGC 전압입력단자와 연결된 게이트2와, 상기 저항 사이의 노드와 PLL의 밴드 B1단자 사이에 연결된 저항과, 저항이 접지와 연결되고, 커패시터를 통하여 고주파 입력단자와 연결되는 게이트1과, 상기 게이트1으로 입력된 고주파 신호가 전계효과트랜지스터에서 증폭되어 커패시터를 통하여 출력되고, 코일을 통하여 B+로부터 구동전압을 받는 드레인과, 접지로 직접 연결된 소스를 구비하여, 저전류에 의한 스위칭을 실현하고, 아이솔레이션(isolation)을 개선하고, 믹서, 발진기, 위상동기루프의 단일 칩(MOPLL)화가 용이하다.As a technical means for achieving the above object of the present invention, the band switching circuit of the high frequency amplifier in the fully tuned tuner according to the present invention bypasses the AGC voltage and inputs the AGC voltage through a capacitor connected to ground and a series connected resistor. A gate connected to the terminal, a resistor connected between the node between the resistor and the band B1 terminal of the PLL, a gate connected to the ground, a resistor connected to a high frequency input terminal through a capacitor, and inputted to the gate 1 A high frequency signal is amplified by the field effect transistor and output through a capacitor, and has a drain that receives a driving voltage from B + through a coil, and a source connected directly to ground to realize switching by low current, and to isolate isolation. It is easy to improve and make a single chip (MOPLL) of a mixer, an oscillator and a phase locked loop.

이하, 본 고안에 의한 전자동조 튜너에서의 고주파 증폭기의 밴드 스위칭 회로의 구성을 첨부한 도면 도 2를 참조하여 설명한다.Hereinafter, the configuration of the band switching circuit of the high frequency amplifier in the fully tuned tuner according to the present invention will be described with reference to FIG.

본 고안에 의한 전자동조 튜너에서의 고주파 증폭기의 밴드 스위칭 회로는 AGC전압을 바이패스하며 접지와 연결된 커패시터(C21,C22,C23) 및 직렬 연결된 저항(R21,R22)을 통하여 AGC 전압입력단자와 연결된 게이트2(G2)와, 상기 저항(R21,R22) 사이의 노드(A)와 PLL의 밴드 B1단자 사이에 연결된 저항(R24)과, 저항(R23)이 접지와 연결되고, 커패시터(C26)를 통하여 고주파 입력단자와 연결되는 게이트1(G1)과, 상기 게이트1(G1)으로 입력된 고주파 신호가 전계효과트랜지스터에서 증폭되어 커패시터(C25)를 통하여 출력되고, 코일(L21)을 통하여 B+로부터 구동전압을 받는 드레인(D)과, 접지로 직접 연결된 소스(S)로 구성된다.The band switching circuit of the high frequency amplifier in the self-tuning tuner according to the present invention bypasses the AGC voltage and is connected to the AGC voltage input terminal through the capacitors C21, C22 and C23 connected to the ground and the resistors R21 and R22 connected in series. The resistor R24 connected between the gate 2 G2, the node A between the resistors R21 and R22, and the band B1 terminal of the PLL, and the resistor R23 are connected to ground, and the capacitor C26 is connected to the ground. Gate 1 (G1) connected to the high-frequency input terminal through, and the high-frequency signal input to the gate 1 (G1) is amplified by the field effect transistor and output through the capacitor (C25), driven from B + through the coil (L21) It consists of a drain (D) receiving a voltage and a source (S) directly connected to ground.

이와같이 구성된 본 고안에 의한 전자동조 튜너에서의 고주파 증폭기의 밴드 스위칭 회로에 따른 동작을 첨부도면 도 2에 의거하여 하기에 상세히 설명한다.The operation according to the band switching circuit of the high frequency amplifier in the fully tuned tuner according to the present invention configured as described above will be described in detail below with reference to FIG.

일반적으로 게이트2(G2)의 전위가 제로(zero)가 되었을 때 가장 좋은 아이솔레이션(isolation)을 얻을 수 있기 때문에 게이트2(G2)를 스위칭한다. 또한 단일 칩 집적회로 실현을 위해 PLL 집적회로는 종래의 PNP 버퍼(buffer) 스위칭 트랜지스터에서 트랜지스터 하나가 없는 오픈 콜렉터 스위칭 트랜지스터가 필요하다. 도 2의 밴드 B1의 전계효과트랜지스터(FET)의 스위칭 온을 위해서 상기 전계효과트랜지스터(FET)의 게이트2(G2)의 전위가 제로(zero)가 되도록한다. 즉, 마이콤(도시되지 않음)에서 튜너에 밴드 B1 신호가 입력된 것을 인식하고 PLL의 밴드 B1의 단자에 B1이 제로가 되는 밴드 데이터를 보내면 게이트2(G2)의 전위도 AGC 전압과 관계없이 제로 전위가 되어 노드A에서 저항(R24)을 통하여 밴드 B1 단자에 수 ㎂의 전류가 흘러 전계효과트랜지스터(FET)가 동작한다. 한편 다른 밴드 단자 B2에는 밴드 데이터가 하이(high)가 되어 다른 밴드의 증폭기는 동작하지 않는다. 본 고안에서는 저전압 저전류이므로 종래와 같이 소스(S)에 바이패스용 커패시터나 소스 전압 전류 조절용 저항을 설치하지 않았다.In general, when the potential of the gate 2 (G2) becomes zero, the best isolation is obtained, so the gate 2 (G2) is switched. In addition, to realize a single chip integrated circuit, a PLL integrated circuit requires an open collector switching transistor without a single transistor in the conventional PNP buffer switching transistor. In order to switch on the field effect transistor FET of the band B1 of FIG. 2, the potential of the gate 2 G2 of the field effect transistor FET is zero. That is, when the microcomputer (not shown) recognizes that the band B1 signal is input to the tuner and sends band data such that B1 becomes zero to the terminal of the band B1 of the PLL, the potential of the gate 2 (G2) is also zero regardless of the AGC voltage. At the potential of node A, a few 수 current flows through the resistor R24 to the terminal of the band B1 to operate the field effect transistor (FET). On the other hand, the band data is high at the other band terminal B2, and the amplifier of the other band does not operate. In the present invention, since the low voltage and low current, a bypass capacitor or a source voltage current control resistor is not installed in the source S as in the related art.

상술한 바와같은 본 고안에 따르면, 종래 드레인(D) 스위칭 방식에서 게이트2(G2)를 이용한 스위칭 방식으로 변경함으로써, 저전류에 의한 스위칭을 실현하고, 아이솔레이션(isolation)을 개선하고, 믹서, 발진기, 위상동기루프의 단일 칩(MOPLL)화가 용이하다.According to the present invention as described above, by switching from the conventional drain (D) switching method to the switching method using the gate 2 (G2), realization of switching by low current, to improve the isolation (isolation), mixer, oscillator It is easy to form a single chip (MOPLL) of the phase-locked loop.

또한, 본 고안에 의한 다른 효과는 저전압화에 따라 방열판(heat sink)이 불필요하여 비용 절감의 효과가 있다.In addition, another effect of the present invention is that the heat sink is unnecessary due to the low voltage, thereby reducing the cost.

이상의 설명은 단지 본 고안의 일실시예에 대한 설명에 불과하며, 본 고안은 그 구성과 기술적 사상의 범위내에서 다양한 변경 및 개조가 가능하다.The above description is merely a description of one embodiment of the present invention, and the present invention is capable of various changes and modifications within the scope of its construction and technical idea.

Claims

In a band switching circuit of a high frequency amplifier in a fully tuned tuner,

A gate 2 (G2) connected to the AGC voltage input terminal through a capacitor C21, C22, C23 connected to ground and a series connected resistor R21, R22, bypassing the AGC voltage,

A resistor R24 connected between the node A between the resistors R21 and R22 and a terminal B1 of the band B1 of the PLL,

A resistor R23 is connected to ground and gate 1 G1 connected to the high frequency input terminal through a capacitor C26,

A high frequency signal input to the gate 1 (G1) is amplified by the field effect transistor (FET) and output through the capacitor C25, and receives a driving voltage from B + through the coil L21, and

A band switching circuit of a high frequency amplifier in an autotuning tuner, characterized in that it comprises a source (S) connected directly to ground.