KR19990006379A - Substrate Heat Treatment Equipment - Google Patents

Substrate Heat Treatment Equipment Download PDF

Info

Publication number
KR19990006379A
KR19990006379A KR1019980011475A KR19980011475A KR19990006379A KR 19990006379 A KR19990006379 A KR 19990006379A KR 1019980011475 A KR1019980011475 A KR 1019980011475A KR 19980011475 A KR19980011475 A KR 19980011475A KR 19990006379 A KR19990006379 A KR 19990006379A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
temperature
heat
plate
heating
Prior art date
Application number
KR1019980011475A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
아키히로 히사이
미노부 마쯔나가
히로시 코바야시
Original Assignee
이시다 아키라
다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이시다 아키라, 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 filed Critical 이시다 아키라
Publication of KR19990006379A publication Critical patent/KR19990006379A/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

기판에 대한 열처리 설정온도의 변경이 용이한 기판 열처리장치를 제공한다.Provided is a substrate heat treatment apparatus that can easily change a heat treatment set temperature for a substrate.

기판 가열장치의 가열 플레이트(1)는 기판을 지지하는 기판 지지 플레이트(31)와, 보조가열부(32) 및 주가열부(61)와, 전열 플레이트(60)와, 수냉자켓(36)을 구비한다. 보조가열부(32) 및 주가열부(61)는 펠티에 소자로 구성되는 기판(W)의 가열시에는 수냉자켓(36)측의 열을 주가열부(61), 전열 플레이트(60) 및 보조가열부(32)를 통해서 기판 지지 플레이트(31)로 전달하여 기판(W)을 가열한다. 기판 지지 플레이트(31)의 온도를 저하시키는 경우에는, 기판 지지 플레이트(31)의 열을 보조가열부(32), 전열 플레이트(60) 및 주가열부(61)를 통해서 수냉자켓(36)으로 안내하고, 냉각수에 의해 외부로 방출한다.The heating plate 1 of the substrate heating apparatus includes a substrate support plate 31 for supporting a substrate, an auxiliary heating unit 32 and a main heating unit 61, a heat transfer plate 60, and a water cooling jacket 36. do. The auxiliary heating part 32 and the main heating part 61 heat the water on the side of the water cooling jacket 36 at the time of heating the substrate W composed of the Peltier element, the main heating part 61, the heat transfer plate 60, and the auxiliary heating part. It transfers to the board | substrate support plate 31 through 32, and heats the board | substrate W. As shown in FIG. When the temperature of the substrate support plate 31 is lowered, the heat of the substrate support plate 31 is guided to the water cooling jacket 36 through the auxiliary heating unit 32, the heat transfer plate 60, and the main heating unit 61. It is discharged to the outside by cooling water.

Description

기판 열처리장치Substrate Heat Treatment Equipment

본 발명은 기판을 소정의 온도에서 처리하는 기판 열처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate heat treatment apparatus for processing a substrate at a predetermined temperature.

반도체 웨이퍼, 포토마스크용 유리기판, 액정표시장치용 유리기판, 광디스크용 기판 등의 기판처리 공정에서는, 기판 열처리장치, 예컨대 레지스트막이 형성된 기판을 소정의 온도로 가열하는 기판 가열장치 및 가열후의 기판을 소정의 온도까지 냉각하는 기판 냉각장치가 사용된다.In substrate processing processes such as semiconductor wafers, glass substrates for photomasks, glass substrates for liquid crystal display devices, and substrates for optical disks, substrate heating apparatuses such as substrate heating apparatuses for heating substrates on which resist films are formed to a predetermined temperature and substrates after heating A substrate cooler that cools to a predetermined temperature is used.

도 6은 종래의 기판 가열장치의 주요부의 구성을 나타내는 모식도이다. 도 6에 있어서, 기판 가열장치는 기판(W)을 소정의 온도로 가열하기 위한 가열 플레이트(1)를 구비한다. 가열 플레이트(1)의 내부에는 마이커(mica) 히터 등의 열원이 묻혀 있다. 또한, 가열 플레이트(1)의 상면에는 기판(W)의 하면을 지지하는 복수의 구(球) 형상의 스페이서(5)가 배치되어 있다.It is a schematic diagram which shows the structure of the principal part of the conventional board | substrate heating apparatus. In Fig. 6, the substrate heating apparatus includes a heating plate 1 for heating the substrate W to a predetermined temperature. The heat source, such as a mica heater, is buried inside the heating plate 1. Moreover, the some spherical spacer 5 which supports the lower surface of the board | substrate W is arrange | positioned at the upper surface of the heating plate 1.

가열 플레이트(1)의 하방에는 3개의 승강핀(3) 및 이것들에 연결된 승강 플레이트(6)가 배치되어 있다. 승강 플레이트(6)의 일단에는 실린더(7)가 연결되어 있고, 실린더(7)의 로드의 신축동작에 따라서 기판(W)이 3개의 승강핀(3)에 의해 승강 이동된다.Below the heating plate 1, three lifting pins 3 and a lifting plate 6 connected to them are arranged. A cylinder 7 is connected to one end of the elevating plate 6, and the substrate W is moved up and down by three lifting pins 3 in accordance with the expansion and contraction operation of the rod of the cylinder 7.

상기 기판 가열장치는, 예컨대 기판상의 레지스트막에 대한 노광처리 전의 가열처리(프리 베이크 처리), 노광처리 후의 가열처리(PEB:Post Exposure Bake) 및 현상 후의 가열처리(포스트 베이크 처리) 등에 사용된다. 기판 가열장치에는 외부에 설치된 기판 반송장치에 의해 기판(W)이 일정한 시간 간격으로 차례대로 공급된다.The substrate heating apparatus is used, for example, for heat treatment before exposure to a resist film on a substrate (pre-baking), for heat treatment after exposure (PEB: Post Exposure Bake), for heat treatment after development (post-baking), and the like. The substrate W is sequentially supplied to the substrate heating apparatus at regular time intervals by a substrate transfer apparatus provided outside.

도 7은 도 6의 기판 가열장치에서의 기판의 열이력(熱履歷)을 나타내는 도면이다. 도 7에 있어서, 레지스트막이 형성된 기판(W)이 기판 가열장치내의 가열 플레이트(1)상에 얹혀지면, 기판(W)의 온도가 실온(室溫) 근방에서 소정 온도 T1, 예컨대 110℃까지 상승된다. 그리고, 기판(W)은 소정의 가열처리 기간중, 설정온도 T1으로 유지되고, 일정한 대기시간을 거쳐서 외부로 배출된다.FIG. 7 is a diagram showing a thermal history of a substrate in the substrate heating apparatus of FIG. 6. In FIG. 7, when the substrate W on which the resist film is formed is placed on the heating plate 1 in the substrate heating apparatus, the temperature of the substrate W rises from room temperature to a predetermined temperature T1, for example, 110 ° C. do. Subsequently, the substrate W is maintained at the set temperature T1 during the predetermined heat treatment period and discharged to the outside through a predetermined waiting time.

최근에는, 기판(W)상에 형성되는 패턴의 특성에 따라서 여러 종류의 레지스트가 사용되고 있다. 기판 가열장치에서의 기판(W)의 가열처리의 설정온도 T1은 레지스트의 종류에 따라 다르다. 따라서, 다른 종류의 레지스트가 도포된 기판(W)이 연속해서 공급되는 경우, 기판(W)의 설정온도 T1을 공급되는 기판(W)의 레지스트 종류에 따라서 즉시 변경하여 기판(W)의 가열처리를 행하는 것이 요망된다.In recent years, various types of resists have been used in accordance with the characteristics of patterns formed on the substrate W. As shown in FIG. The set temperature T1 of the heat treatment of the substrate W in the substrate heating apparatus depends on the type of resist. Therefore, when the substrate W coated with different kinds of resists is continuously supplied, the set temperature T1 of the substrate W is immediately changed in accordance with the type of resist of the substrate W to be supplied, and the substrate W is heated. It is desired to do this.

종래의 기판 가열장치에서는, 가열 플레이트(1)내의 마이커 히터 등의 열원의 출력을 제어해서 설정온도 T1을 조정하고 있다. 따라서, 다음 처리대상인 기판(W)의 설정온도 T1이 직전에 처리가 끝난 기판(W)의 설정온도 T1보다도 낮은 경우에는, 가열 플레이트(1)의 열원의 출력을 억제해서 가열 플레이트(1)의 표면온도를 저하시킬 필요가 있다.In the conventional board | substrate heating apparatus, the output of heat sources, such as a miter heater in the heating plate 1, is controlled and the set temperature T1 is adjusted. Therefore, when the set temperature T1 of the substrate W to be processed next is lower than the set temperature T1 of the immediately processed substrate W, the output of the heat source of the heating plate 1 is suppressed to It is necessary to lower the surface temperature.

그러나, 가열 플레이트(1)에는 냉각수단이 설치되어 있지 않다. 이 때문에, 가열 플레이트(1)의 온도를 저하시키기 위해서는 자연 방열(放熱)에 의존하지 않을 수 없다. 그런데, 기판 가열장치의 내부는 고온 분위기로 유지되어 있고, 자연 방열에 의한 냉각효과는 극히 작다. 따라서, 가열 플레이트(1)의 표면온도는 용이하게 저하하지 않고, 그러므로 설정온도 T1이 다른 기판(W)을 연속해서 처리하는 것은 곤란하였다.However, the cooling plate is not provided with the heating plate 1. For this reason, in order to lower the temperature of the heating plate 1, it is inevitable to rely on natural heat radiation. By the way, the inside of a board | substrate heating apparatus is maintained in high temperature atmosphere, and the cooling effect by natural heat dissipation is extremely small. Therefore, the surface temperature of the heating plate 1 does not fall easily, and therefore it was difficult to continuously process the board | substrate W in which the preset temperature T1 differs.

따라서, 종래에는 기판(W)의 설정온도 T1의 종류마다 복수의 기판 가열장치를 설치해서 가열처리를 행하고 있었다. 이 때문에, 다수의 기판 가열장치가 필요하게 되고, 설비 비용이 증대한다.Therefore, in the past, a plurality of substrate heating apparatuses were provided for each type of the set temperature T1 of the substrate W to perform heat treatment. For this reason, many board | substrate heating apparatus is needed and installation cost increases.

본 발명의 목적은, 기판에 대한 열처리의 설정온도의 변경이 용이한 기판 열처리 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate heat treatment apparatus in which the set temperature of heat treatment on a substrate can be easily changed.

도 1은 본 발명에 의한 기판 가열장치의 단면도,1 is a cross-sectional view of a substrate heating apparatus according to the present invention,

도 2는 본 발명의 실시예에 의한 가열 플레이트의 단면도,2 is a cross-sectional view of a heating plate according to an embodiment of the present invention;

도 3은 도 2의 가열 플레이트를 가지는 기판 가열장치의 온도설정 동작의 플로 챠트,3 is a flow chart of the temperature setting operation of the substrate heating apparatus having the heating plate of FIG.

도 4는 고속 온도상승 동작의 플로 챠트,4 is a flow chart of a high temperature rise operation,

도 5는 도 4의 고속 온도상승 동작에서의 기판의 온도변화를 나타내는 도면,FIG. 5 is a diagram illustrating a temperature change of a substrate in the high temperature rising operation of FIG. 4;

도 6은 종래의 기판 가열장치의 주요부의 구성을 나타내는 모식도,6 is a schematic diagram showing the configuration of main parts of a conventional substrate heating apparatus;

도 7은 기판 가열장치에서의 기판의 열이력을 나타내는 도면이다.7 is a diagram showing a thermal history of a substrate in the substrate heating apparatus.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1 가열 플레이트, 31 기판 지지 플레이트,1 heating plate, 31 substrate support plates,

32 보조가열부, 36 수냉자켓,32 sub-heaters, 36 water cooling jackets,

37 냉각수 통로, 53 공냉자켓,37 cooling water passage, 53 air cooling jacket,

54 공기 통로, 60 전열 플레이트,54 air passages, 60 heat transfer plates,

61 주가열부.61 Main heating part.

제1의 발명에 관한 기판 열처리장치는, 기판을 소정의 온도에서 처리하는 기판열처리장치에 있어서, 기판을 지지하는 기판 지지대와, 기판 지지대의 하방에 배치된 전열부재와, 전열부재의 하방에 배치된 냉각부와, 기판 지지대와 전열부재와의 사이에 배치되어 기판 지지대와 전열부재 사이의 열교환을 행하는 제1 열교환수단과, 전열부재와 냉각부와의 사이에 배치되어 전열부재와 냉각부 사이의 열교환을 행하는 제2 열교환수단을 구비한 것이다.The substrate heat treatment apparatus according to the first invention is a substrate heat treatment apparatus for treating a substrate at a predetermined temperature, the substrate heat treatment apparatus supporting a substrate, a heat transfer member disposed below the substrate support, and a heat transfer member disposed below the substrate support. The first heat exchange means disposed between the cooled portion, the substrate support and the heat transfer member to perform heat exchange between the substrate support and the heat transfer member, and between the heat transfer member and the cooling portion, It is provided with the 2nd heat exchange means which heat-exchanges.

제1의 발명에 관한 기판 열처리장치에 있어서는, 제2 열교환수단이 전열부재측으로 열을 이동시키는 것에 의해 전열부재의 온도를 상승시키고, 또 제1 열교환수단이 전열부재로부터 기판 지지대측으로 열을 이동시키는 것에 의해 기판 지지대를 소정의 온도로 상승시킨다. 이것에 의해, 기판 지지대상에 지지된 기판의 온도를 소정의 온도로 정확히 설정할 수 있다.In the substrate heat treatment apparatus according to the first invention, the second heat exchange means moves the heat to the heat transfer member side to raise the temperature of the heat transfer member, and the first heat exchange means moves the heat from the heat transfer member to the substrate support side. This raises the substrate support to a predetermined temperature. Thereby, the temperature of the board | substrate supported by the board | substrate support object can be correctly set to predetermined temperature.

또한, 기판의 설정온도를 저하시키는 경우에는, 제1 열교환수단이 기판 지지대로부터 전열부재측으로 열을 이동시키고, 또 제2 열교환수단이 전열부재로부터 냉각부측으로 열을 이동시킨다. 냉각부는 전달된 열을 외부로 방출한다. 이와 같은 작용에 의해 기판 지지대의 온도를 신속하게 저하시킬수 있다. 이것에 의해, 가열시 설정온도가 높은 기판과 낮은 기판과를 동일한 기판 열처리장치에 의해 연속해서 처리하는 것이 가능하게 되고, 가열처리에서의 설비의 저(低)코스트화가 도모됨과 동시에 가열처리의 효율을 향상할 수 있다.In addition, when lowering the set temperature of the substrate, the first heat exchange means moves heat from the substrate support to the heat transfer member side, and the second heat exchange means moves heat from the heat transfer member to the cooling section. The cooling unit releases the transferred heat to the outside. By this action, the temperature of the substrate support can be lowered quickly. As a result, it is possible to continuously process a substrate having a high set temperature during heating and a substrate having a low temperature by the same substrate heat treatment apparatus, thereby reducing the cost of equipment in the heat treatment and at the same time increasing the efficiency of the heat treatment. Can improve.

제2의 발명에 관한 기판 열처리장치는, 제1의 발명에 관한 기판 열처리장치의 구성에 있어서, 제1 및 제2 열교환수단이 펠티에 소자이다.In the substrate heat treatment apparatus according to the second invention, in the configuration of the substrate heat treatment apparatus according to the first invention, the first and second heat exchange means are Peltier elements.

펠티에 소자는 열전효과에 의해 열을 이동시키는 동작을 행하고, 공급되는 전류의 방향을 전환함으로써 열의 이동방향을 전환할 수 있다. 이것에 의해, 기판 지지대의 온도를 상승시키는 경우에는 열을 기판 지지대측으로 이동시키고, 기판 지지대의 온도를 저하시키는 경우에는 기판 지지대로부터 냉각부측으로 열을 이동시킨다. 이것에 의해, 기판 지지대의 온도를 소정의 온도로 정확히 설정할 수 있다.The Peltier element can change the moving direction of heat by performing an operation of moving heat by the thermoelectric effect, and switching the direction of the supplied electric current. As a result, heat is moved to the substrate support side when the temperature of the substrate support is increased, and heat is moved from the substrate support to the cooling unit side when the temperature of the substrate support is decreased. Thereby, the temperature of a board | substrate support stand can be correctly set to predetermined temperature.

제3의 발명에 관한 기판 열처리장치는, 제1 또는 제2의 발명에 관한 기판 열처리장치의 구성에 있어서, 냉각부가 제2 열교환수단의 하면에 접해서 배치되고, 또 내부에 냉각수를 통과시키는 통로가 형성된 냉각부재로 구성되는 것이다.In the board | substrate heat treatment apparatus which concerns on 3rd invention, in the structure of the board | substrate heat treatment apparatus which concerns on 1st or 2nd invention, the cooling part is arrange | positioned in contact with the lower surface of a 2nd heat exchange means, and the channel | path which lets cooling water pass inside It is composed of a cooling member formed.

냉각부재내를 통과하는 냉각수에 의해 제2 열교환수단으로 안내된 열이 외부로 방출된다. 이것에 의해, 기판 지지대의 열을 강제적으로 방출하여 온도를 저하시킬수 있다.The heat guided to the second heat exchange means is released to the outside by the cooling water passing through the cooling member. As a result, the heat of the substrate support can be forcibly released to lower the temperature.

(발명의 실시형태)Embodiment of the Invention

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 기판 가열장치의 단면도이다. 기판 가열장치는 케이스(10)의 내부에 기판(W)을 가열하는 가열 플레이트(1)를 구비한다. 가열 플레이트(1)의 상면에는 기판(W)의 하면을 지지하는 3개의 구(球) 형상 스페이서(5)가 정삼각 형태로 배치되어 있다. 또한, 가열 플레이트(1)에는 기판(W)을 승강 이동시키는 3개의 승강핀(3)을 통과시키기 위한 3개의 관통구멍(4)이 형성되어 있다.1 is a cross-sectional view of a substrate heating apparatus according to an embodiment of the present invention. The substrate heating apparatus includes a heating plate 1 for heating the substrate W inside the case 10. On the upper surface of the heating plate 1, three spherical spacers 5 supporting the lower surface of the substrate W are arranged in an equilateral triangle shape. The heating plate 1 is also provided with three through holes 4 for passing three lifting pins 3 for moving the substrate W up and down.

가열 플레이트(1)의 상방에는 가열 플레이트(1)의 상면을 덮는 상부 커버(2)가 케이스(10)의 상면 내측에 부착되어 있다. 또한, 가열 플레이트(1)의 하부에는 기판(W)의 하면을 지지하여 승강 이동하는 3개의 승강핀(3) 및 이것들에 연결되는 승강 플레이트(6)가 배치되어 있다. 승강 플레이트(6)의 일단에는 실린더(7)가 케이스(10)의 외부에서 연결되어 있다. 그리고, 실린더(7)의 로드의 신축에 의해 승강 플레이트(6) 및 승강핀(3)이 승강 이동한다. 승강 플레이트(6) 및 승강핀(3)이 상승한 때에 기판(W)이 가열 플레이트(1)의 상방에서 대기되고, 하강한 때에 기판(W)이 가열 플레이트(1)상의 구(球) 형상 스페이서(5)상에 얹혀진다.Above the heating plate 1, an upper cover 2 covering the upper surface of the heating plate 1 is attached inside the upper surface of the case 10. As shown in FIG. In addition, three lifting pins 3 which support the lower surface of the substrate W and move up and down are disposed under the heating plate 1 and the lifting plate 6 connected to these. The cylinder 7 is connected to the end of the elevating plate 6 from the outside of the case 10. Then, the lifting plate 6 and the lifting pins 3 move up and down by the expansion and contraction of the rod of the cylinder 7. The substrate W waits above the heating plate 1 when the lifting plate 6 and the lifting pins 3 are raised, and the substrate W is a spherical spacer on the heating plate 1 when the lifting plate 6 and the lifting pins 3 are raised. It is put on (5).

케이스(10)의 전면(前面)에는 기판 공급/배출구(11)가 형성되어 있다. 기판 공급/배출구(11)의 내측에는 셔터(9)가 배치되어 있다. 셔터(9)의 하단은 연동부재(8)에 의해 승강 플레이트(6)에 연결되어 있다. 이것에 의해, 실린더(7)의 로드가 신장하면 승강 플레이트(6)가 상승하여 기판(W)을 대기위치로 들어 올림과 동시에, 셔터(9)가 하강하여 기판 공급/배출구(11)를 개방한다. 또한, 실린더(7)의 로드가 수납되면 승강 플레이트(6)가 하강하여 기판(W)을 구(球) 형상 스페이서(5)상에 얹어 놓음과 동시에 셔터(9)가 상승하여 기판 공급/배출구(11)를 폐쇄한다.The substrate supply / discharge port 11 is formed in the front surface of the case 10. The shutter 9 is arranged inside the substrate supply / exhaust port 11. The lower end of the shutter 9 is connected to the elevating plate 6 by an interlocking member 8. As a result, when the rod of the cylinder 7 extends, the elevating plate 6 is raised to lift the substrate W to the standby position, and the shutter 9 is lowered to open the substrate supply / discharge port 11. do. Further, when the rod of the cylinder 7 is accommodated, the elevating plate 6 is lowered to place the substrate W on the spherical spacer 5 and the shutter 9 is raised to raise the substrate supply / discharge port. (11) is closed.

도 2는 가열 플레이트의 단면도이다. 도 2의 가열 플레이트(1)는 기판 지지 플레이트(31)와, 기판 지지 플레이트(31)의 하면에 설치된 보조가열부(32)와, 보조가열부(32)의 하면에 설치된 전열 플레이트(60)와, 전열 플레이트(60)의 하면에 설치된 주가열부(61)와, 주가열부(61)의 하면에 설치된 수냉자켓(36)과의 적층체로 구성된다.2 is a cross-sectional view of the heating plate. The heating plate 1 of FIG. 2 includes a substrate support plate 31, an auxiliary heating unit 32 provided on the lower surface of the substrate support plate 31, and a heat transfer plate 60 provided on the lower surface of the auxiliary heating unit 32. And a main body 61 provided on the lower surface of the heat transfer plate 60 and a water cooling jacket 36 provided on the lower surface of the main heating portion 61.

기판 지지 플레이트(31)는 알루미늄 등의 전열성이 양호한 재료로 구성되고, 그 상면에 기판(W)을 지지하기 위한 3개의 구(球) 형상 스페이서(5)가 정삼각 형태로 배치되어 있다. 이 기판 지지 플레이트(31)의 표면온도가 소정의 온도로 제어되는 것에 의해, 기판 지지 플레이트(31)의 상방으로 약간의 간격을 가지고 지지된 기판(W)의 온도가 소정의 설정온도로 조정된다.The substrate support plate 31 is made of a material having good heat transfer properties such as aluminum, and three spherical spacers 5 for supporting the substrate W on the upper surface thereof are arranged in an equilateral triangle shape. By controlling the surface temperature of this board | substrate support plate 31 to predetermined temperature, the temperature of the board | substrate W supported by the some space | interval above the board | substrate supporting plate 31 at a predetermined interval is adjusted to predetermined | prescribed set temperature. .

보조가열부(32)는 펠티에 소자로 구성된다. 펠티에 소자는 전류가 공급되는 것에 의해 일측면에서 열을 흡수하고, 타측면에서 열을 방출한다. 이것에 의해, 열을 이동시킬수 있다. 열의 이동방향은 공급하는 전류의 방향을 전환하는 것에 의해 전환할 수 있다. 그래서, 기판 지지 플레이트(31)측의 온도를 상승시키는 경우에는 전열 플레이트(60)로부터 기판 지지 플레이트(31)측으로 열을 이동시키고, 또한 기판 지지 플레이트(31)의 온도를 저하시키는 경우에는 기판 지지 플레이트(31)로부터 전열 플레이트(60)측으로 열을 이동시킨다. 이 펠티에 소자를 사용한 보조가열부(32)는 기판 지지 플레이트(31)의 온도를 단시간내에 조정할 수 있다.The auxiliary heating unit 32 is composed of a Peltier element. The Peltier element absorbs heat from one side and releases heat from the other side by supplying current. This can move heat. The moving direction of the heat can be switched by changing the direction of the current to be supplied. Therefore, when raising the temperature on the substrate support plate 31 side, the heat is transferred from the heat transfer plate 60 to the substrate support plate 31 side, and when the temperature of the substrate support plate 31 is lowered, the substrate is supported. Heat is moved from the plate 31 to the heat transfer plate 60 side. The auxiliary heating part 32 using this Peltier element can adjust the temperature of the board | substrate support plate 31 in a short time.

전열 플레이트(60)는 전열성이 양호한 판(板) 형상 부재로 이루어지고, 주가열부(61)로부터의 열을 균일화하여 기판 지지 플레이트(31)로 전달하는 작용을 한다.The heat transfer plate 60 is made of a plate-shaped member having good heat transfer property, and serves to uniformize heat from the main heating portion 61 and transfer it to the substrate support plate 31.

주가열부(61)는 펠티에 소자로 구성된다. 이 펠티에 소자는 가열시에는 수냉자켓(36)측의 열을 전열 플레이트(60)측으로 이동시키고, 또한 기판 지지 플레이트(31)의 온도를 저하시킬 때에는 전열 플레이트(60)측의 열을 수냉자켓(36)으로 이동시킨다.The main heating unit 61 is composed of a Peltier element. The Peltier element moves the heat on the water cooling jacket 36 side to the heat transfer plate 60 side at the time of heating, and transfers the heat on the heat transfer plate 60 side when the temperature of the substrate support plate 31 is lowered. Go to 36).

수냉자켓(36)은 전열성이 양호한 판(板) 형상 부재의 내부에 냉각수를 순환시키기 위한 냉각수 통로(37)가 형성되어 있다. 냉각수 통로(37)는 순환배관(38)을 통해서 외부, 예컨대 기판 가열장치가 배치되는 공장의 냉각수 공급원(51)에 접속되어 있다.The water cooling jacket 36 is provided with a cooling water passage 37 for circulating the cooling water in the plate-shaped member having good heat transfer property. The cooling water passage 37 is connected to the cooling water supply source 51 of the factory where the substrate heating apparatus is arranged, for example, through the circulation pipe 38.

또한, 기판 지지 플레이트(31)에는 기판(W)이 기판 지지 플레이트(31)상에 투입된 것을 검출하는 기판 검출센서(39)가 설치되어 있다. 기판 검출센서(39)의 출력은 메인 콘트롤러(48)로 입력된다. 또, 기판 지지 플레이트(31)에는 온도 검출센서(40)가 설치되어 있고, 이 센서출력은 제1 온도 콘트롤러(T.C.)(45)로 입력된다.Moreover, the board | substrate support plate 31 is provided with the board | substrate detection sensor 39 which detects that the board | substrate W was thrown in on the board | substrate support plate 31. As shown in FIG. The output of the substrate detection sensor 39 is input to the main controller 48. In addition, the substrate support plate 31 is provided with a temperature detection sensor 40, and this sensor output is input to the first temperature controller (T.C.) 45.

전열 플레이트(60)에는 온도 검출센서(41)가 설치되어 있고, 이 센서출력이 제2 온도 콘트롤러(46)로 입력된다. 제1 및 제2 온도 콘트롤러(45, 46)는 전원(50)으로부터 각각 보조가열부(32) 및 주가열부(61)로 공급되는 전류를 제어한다. 제1 및 제2 온도 콘트롤러(45, 46)의 동작은 메인 콘트롤러(48)에 의해 제어된다.The heat transfer plate 60 is provided with a temperature detection sensor 41, and this sensor output is input to the second temperature controller 46. The first and second temperature controllers 45 and 46 control currents supplied from the power source 50 to the auxiliary heating unit 32 and the main heating unit 61, respectively. The operation of the first and second temperature controllers 45, 46 is controlled by the main controller 48.

메인 콘트롤러(48)는 CPU(중앙연산처리장치), RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory), 시간을 계측하기 위한 카운터 등을 가지는 마이크로 컴퓨터를 구비하고 있다. 또, 메인 콘트롤러(48)에는 온도제어 조건을 입력하기 위한 키보드 등으로 이루어지는 입력부(49)가 접속되어 있다.The main controller 48 includes a microcomputer having a CPU (central processing unit), a RAM (Random Access Memory), a ROM (Read Only Memory), a counter for measuring time, and the like. The main controller 48 is also connected with an input unit 49 made of a keyboard or the like for inputting temperature control conditions.

상기 기판 가열장치에 있어서, 기판 지지 플레이트(31)가 본 발명의 기판 지지대에 상당하고, 전열 플레이트(60)가 전열부재에 상당하며, 수냉자켓(36)이 냉각부 및 냉각부재에 상당하고, 보조가열부(32)가 제1 열교환수단에 상당하며, 주가열부(61)가 제2 열교환수단에 상당한다.In the substrate heating apparatus, the substrate support plate 31 corresponds to the substrate support of the present invention, the heat transfer plate 60 corresponds to the heat transfer member, the water cooling jacket 36 corresponds to the cooling section and the cooling member, The auxiliary heating portion 32 corresponds to the first heat exchange means, and the main heating portion 61 corresponds to the second heat exchange means.

다음에, 기판 가열장치의 동작에 대해서 설명한다. 이하에서는, (1) 기판 지지 플레이트의 온도 설정동작, (2) 기판 투입시의 고속 온도상승 동작 및 (3) 설정온도의 변경(온도강하) 동작에 대해서 설명한다.Next, the operation of the substrate heating apparatus will be described. Hereinafter, (1) temperature setting operation | movement of a board | substrate supporting plate, (2) high speed temperature raising operation | movement at the time of board | substrate input, and (3) operation | movement of temperature change (temperature fall) are demonstrated.

(1) 기판 지지 플레이트의 온도 설정동작(1) Temperature setting operation of substrate support plate

도 3은 기판 가열장치의 온도 설정동작의 플로 챠트이다. 여기서는, 지지 플레이트(31)의 상면온도를 110℃로 설정하는 것으로 한다.3 is a flowchart of the temperature setting operation of the substrate heating apparatus. Here, suppose that the upper surface temperature of the support plate 31 is set to 110 degreeC.

도 3에 나타낸 바와 같이, 기판(W)의 반입 전에, 주가열부(61)를 구동하고, 스텝 S1 및 스텝 S2의 처리를 행한다. 동시에, 보조가열부(32)를 구동하고, 스텝 S3 및 스텝 S4의 처리를 행항다.As shown in FIG. 3, before carrying in the board | substrate W, the main heating part 61 is driven and the process of step S1 and step S2 is performed. At the same time, the auxiliary heating unit 32 is driven to perform the processing of step S3 and step S4.

즉, 스텝 S1에 있어서, 제2 온도 콘트롤러(46)는 전원(50)으로부터 주가열부(61)의 펠티에 소자로 전류를 공급하고, 수냉자켓(36)측의 열을 전열 플레이트(60)측으로 이동시킨다. 그리고, 메인 콘트롤러(48)는 온도 검출센서(41)로부터의 출력에 의거해서 전열 플레이트(60)의 온도를 감시하고, 전열 플레이트(60)가 소정의 온도(예컨대 60℃)로 되었는가 아닌가를 판정한다(스텝 S2). 전열 플레이트(60)가 소정의 온도 이하인 경우에는 제2 온도 콘트롤러(46)에 의해 주가열부(61)의 펠티에 소자로의 전류량을 조정하고, 소정의 온도에 도달한 경우에는 주가열부(61)의 펠티에 소자로의 전류방향을 전환한다. 펠티에 소자는 공급되는 전류의 방향을 전환하는 것에 의해 열의 이동방향을 전환할 수 있다. 이 처리를 반복하고, 전열 플레이트(60)의 온도를 60℃로 유지한다.That is, in step S1, the 2nd temperature controller 46 supplies electric current from the power supply 50 to the Peltier element of the main heating part 61, and moves the heat of the water cooling jacket 36 side to the heat transfer plate 60 side. Let's do it. Then, the main controller 48 monitors the temperature of the heat transfer plate 60 based on the output from the temperature detection sensor 41, and determines whether the heat transfer plate 60 has reached a predetermined temperature (for example, 60 ° C). (Step S2). When the heat transfer plate 60 is below a predetermined temperature, the amount of current to the Peltier element of the main heating unit 61 is adjusted by the second temperature controller 46, and when the predetermined temperature is reached, the main heating unit 61 Switch the current direction to the Peltier device. The Peltier element can change the direction of movement of heat by changing the direction of the supplied current. This process is repeated and the temperature of the heat exchanger plate 60 is kept at 60 degreeC.

또한, 상기 동작과 병행해서 스텝 S3에 있어서는, 전원(50)으로부터 보조가열부(32)로 전류가 공급되고, 펠티에 소자의 열이동 작용에 의해 기판 지지 플레이트(31)의 온도가 상승된다. 메인 콘트롤러(48)는 기판 지지 플레이트(31)의 온도 검출센서(40)로부터의 출력에 의거해서 기판 지지 플레이트(31)의 온도가 소정의 온도, 즉 110℃로 되었는가 아닌가를 판단한다(스텝 S4). 110℃가 아닌 경우, 펠티에 소자의 전류 공급방향을 적절히 전환하여 기판 지지 플레이트(31)의 온도가 110℃가 되도록 조정한다.In parallel with the above operation, in step S3, a current is supplied from the power supply 50 to the auxiliary heating unit 32, and the temperature of the substrate support plate 31 is raised by the thermal movement action of the Peltier element. The main controller 48 judges whether or not the temperature of the substrate support plate 31 has reached a predetermined temperature, that is, 110 ° C, based on the output from the temperature detection sensor 40 of the substrate support plate 31 (step S4). ). If it is not 110 ° C, the current supply direction of the Peltier element is appropriately switched to adjust the temperature of the substrate support plate 31 to be 110 ° C.

상기 온도설정 처리에서는 주가열부(61)의 펠티에 소자와 보조가열부(32)의 펠티에 소자에 의해 기판 지지 플레이트(31)의 온도설정이 행해진다. 펠티에 소자에 의한 열이동의 제어는 단시간내에 또 정확히 행할 수 있다. 따라서, 기판 지지 플레이트(31)의 온도조정을 히터를 사용해서 행한 경우에 비해 단시간내에 또 정확히 행할 수 있다.In the temperature setting process, the temperature setting of the substrate support plate 31 is performed by the Peltier element of the main heating unit 61 and the Peltier element of the auxiliary heating unit 32. The heat transfer control by the Peltier element can be performed accurately and in a short time. Therefore, compared with the case where the temperature adjustment of the board | substrate support plate 31 is performed using a heater, it can carry out more correctly within a short time.

(2) 기판 투입시의 고속 온도상승 동작(2) High speed temperature rise operation at substrate input

상기 온도설정 처리에 있어서 소정의 온도, 예컨대 110℃로 설정된 기판 지지 플레이트(31)상에 기판(W)이 투입되면, 투입시의 기판(W)의 온도가 실온(室溫) 정도로 낮기 때문에 기판 지지 플레이트(31)의 표면온도가 급격히 저하한다. 그래서, 이하의 고속 온도상승 동작을 행하고, 기판 지지 플레이트(31)의 표면온도를 보정하여 기판을 소망의 온도로 설정한다.In the temperature setting process, when the substrate W is introduced onto the substrate support plate 31 set to a predetermined temperature, for example, 110 ° C., the substrate W at the time of loading is low as room temperature, so that the substrate The surface temperature of the support plate 31 drops rapidly. Thus, the following high temperature rise operation is performed, and the surface temperature of the substrate support plate 31 is corrected to set the substrate to a desired temperature.

도 4는 기판의 온도를 110±0.3℃로 제어하는 경우의 고속 온도상승 동작의 플로 챠트이다. 또한, 도 5는 기판의 온도변화를 나타내는 도면이다.4 is a flowchart of a high speed temperature increase operation when the temperature of the substrate is controlled to 110 ± 0.3 ° C. 5 is a view showing a temperature change of the substrate.

기판 지지 플레이트(31)가 110℃로 제어되고 있는 상태에 있어서, 예컨대 실온(약 23℃)의 기판(W)이 기판 지지 플레이트(31)상에 투입되면, 도 5에 나타낸 바와 같이, 기판 지지 플레이트(31)의 온도가 급격히 저하한다. 그래서, 우선 기판 지지 플레이트(31)의 온도가 0.5℃ 이상 저하하였는가 아닌가를 온도 검출센서(41)로부터의 출력에 의해 판단한다(스텝 S10).In the state where the substrate support plate 31 is controlled at 110 ° C., for example, when the substrate W at room temperature (about 23 ° C.) is put on the substrate support plate 31, the substrate is supported as shown in FIG. 5. The temperature of the plate 31 drops rapidly. Therefore, first, it is judged by the output from the temperature detection sensor 41 whether the temperature of the board | substrate supporting plate 31 fell more than 0.5 degreeC (step S10).

0.5℃ 이상의 온도저하를 검출하면, 제1 온도 콘트롤러(45)가 제어되고, 최대 허용전류가 보조가열부(32)로 공급된다. 이것에 의해, 소위 풀 파워(full power)로 기판 지지 플레이트(31)의 온도가 상승된다. 메인 콘트롤러(48)는 기판 지지 플레이트(31)의 온도상승 상태를 감시한다. 기판 지지 플레이트(31)의 온도가 110℃에 도달할 때까지 최대 허용전류를 보조가열부(32)로 공급한다(스텝 S11).When the temperature drop of 0.5 ° C. or more is detected, the first temperature controller 45 is controlled, and the maximum allowable current is supplied to the auxiliary heating unit 32. Thereby, the temperature of the board | substrate support plate 31 is raised by what is called full power. The main controller 48 monitors the temperature rise state of the substrate support plate 31. The maximum allowable current is supplied to the auxiliary heating unit 32 until the temperature of the substrate supporting plate 31 reaches 110 ° C (step S11).

기판 지지 플레이트(31)의 온도가 110℃에 도달하면(스텝 S12), 제1 온도 콘트롤러(45)를 PID 제어로 전환하고, 온도상승 동작을 억제한다. 그리고, 보조가열부(32)로 공급하는 전류의 방향을 제어하면서 온도상승 및 온도강하 동작을 행하고, 기판 지지 플레이트(31)의 온도상승을 110℃±0.3℃의 범위로 제어한다(스텝 S13).When the temperature of the board | substrate supporting plate 31 reaches 110 degreeC (step S12), the 1st temperature controller 45 is switched to PID control and the temperature rise operation is suppressed. Then, the temperature raising and the temperature lowering operation are performed while controlling the direction of the current supplied to the auxiliary heating unit 32, and the temperature rising of the substrate supporting plate 31 is controlled in the range of 110 ° C ± 0.3 ° C (step S13). .

상술한 고속 온도상승 동작에 있어서, 보조가열부(32)가 펠티에 소자로 구성되어 있기 때문에, 풀 파워에 의해 온도상승 동작을 행해서 기판(W)의 온도가 오버 슈트(overshoot)한 경우에도 민첩하게 온도강하 처리로 전환하는 것에 의해 단시간내에 또 제어 좋게 기판(W)의 온도를 소망의 설정온도로 조정할 수 있다.In the above-described high speed temperature increase operation, since the auxiliary heating unit 32 is formed of a Peltier element, even when the temperature of the substrate W is overshooted by performing the temperature increase operation at full power, it is agile. By switching to the temperature drop processing, the temperature of the substrate W can be adjusted to a desired set temperature in a short time and in a controlled manner.

(3) 온도설정의 변경(온도강하)동작(3) Change of temperature setting (temperature drop)

다음에, 처리대상의 설정온도가 직전의 기판의 설정온도보다도 낮은 경우의 동작에 대해서 설명한다. 가열처리가 종료한 기판 지지 플레이트(31)의 온도는 직전의 기판의 설정온도, 예컨대 110℃와 거의 같은 상태에 있다. 마찬가지로, 전열 플레이트(60)의 온도는 60℃ 근방에 유지되어 있다.Next, the operation when the set temperature of the object to be processed is lower than the set temperature of the immediately preceding substrate will be described. The temperature of the substrate support plate 31 after the heat treatment is almost in the same state as the set temperature of the immediately preceding substrate, for example, 110 ° C. Similarly, the temperature of the heat transfer plate 60 is maintained near 60 degreeC.

그래서, 메인 콘트롤러(48)는 제1 온도 콘트롤러(45) 및 제2 온도 콘트롤러(46)에 의해 보조가열부(32)의 펠티에 소자 및 주가열부(61)의 펠티에 소자를 구동한다. 보조가열부(32)의 펠티에 소자에는 기판 지지 플레이트(31)의 열을 전열 플레이트(60)측으로 이동시키도록 전류가 공급되고, 주가열부(61)의 펠티에 소자에는 전열 플레이트(60)의 열을 수냉자켓(36)측으로 이동시키도록 전류가 공급된다. 이 것에 의해, 기판 지지 플레이트(31)의 열은 보조가열부(32), 전열 플레이트(60) 및 주가열부(61)의 펠티에 소자를 통해서 수냉자켓(36)으로 전달된다. 전달된 열은 수냉자켓(36)의 냉각수 통로(37)를 순환하는 냉각수에 의해 외부로 방출된다. 이것에 의해, 기판 지지 플레이트(31)의 온도가 급속히 저하된다. 또, 수냉자켓(36)의 냉각수는 항상 순환하게 되어 있어도 된다.Thus, the main controller 48 drives the Peltier element of the auxiliary heating unit 32 and the Peltier element of the main heating unit 61 by the first temperature controller 45 and the second temperature controller 46. A current is supplied to the Peltier element of the auxiliary heating part 32 to move the heat of the substrate support plate 31 toward the heat transfer plate 60 side, and the heat of the heat transfer plate 60 is supplied to the Peltier element of the main heating part 61. Current is supplied to move to the water cooling jacket 36 side. As a result, the heat of the substrate supporting plate 31 is transferred to the water cooling jacket 36 through the Peltier elements of the auxiliary heating unit 32, the heat transfer plate 60, and the main heating unit 61. The transferred heat is discharged to the outside by the cooling water circulating in the cooling water passage 37 of the water cooling jacket 36. Thereby, the temperature of the board | substrate supporting plate 31 falls rapidly. In addition, the cooling water of the water cooling jacket 36 may always be circulated.

이와 같이, 주가열부(61) 및 보조가열부(3)에 펠티에 소자를 사용하는 것에 의해 기판 지지 플레이트(31)를 소정 온도로 상승시키고, 또 신속하게 저하시킬수 있다. 이것에 의해 가열처리의 설정온도가 높은 기판과 낮은 기판이 연속해서 공급되는 경우에도 기판 지지 플레이트(31)의 상면온도를 민첩하게 변환시켜 가열처리를 행할 수 있다.Thus, by using Peltier elements for the main heating part 61 and the auxiliary heating part 3, the board | substrate supporting plate 31 can be raised to predetermined temperature, and it can fall quickly. Thereby, even when the board | substrate with a high set temperature of heat processing and a low board | substrate are supplied continuously, the heat processing can be performed by converting the upper surface temperature of the board | substrate support plate 31 agility.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 기판 지지대상에 지지된 기판의 온도를 소정의 온도로 정확히 설정할 수 있다는 효과가 있다. 또, 기판 지지대의 온도를 신속하게 저하시킬수 있고, 가열시 설정온도가 높은 기판과 낮은 기판과를 동일한 기판 열처리장치에 의해 연속해서 처리하는 것이 가능하며, 가열처리에서의 설비의 저코스트화가 도모됨과 동시에 가열처리의 효율을 향상할 수 있다는 효과가 있다.As explained above, according to this invention, there exists an effect that the temperature of the board | substrate supported by the board | substrate support object can be correctly set to predetermined temperature. In addition, it is possible to rapidly lower the temperature of the substrate support, and it is possible to continuously process a substrate having a high set temperature at the time of heating and a substrate having a low temperature by the same substrate heat treatment apparatus. At the same time, there is an effect that the efficiency of the heat treatment can be improved.

또한, 본 발명에 의하면, 기판 지지대의 열을 강제적으로 방출하여 온도를 저하시킬수 있다는 효과가 있다.Further, according to the present invention, there is an effect that the temperature can be lowered by forcibly releasing the heat of the substrate support.

Claims (3)

기판을 소정의 온도에서 처리하는 기판 열처리장치에 있어서,In the substrate heat treatment apparatus for processing the substrate at a predetermined temperature, 기판을 지지하는 기판 지지대와,A substrate support for supporting a substrate, 상기 기판 지지대의 하방에 배치된 전열부재와,A heat transfer member disposed below the substrate support; 상기 전열부재의 하방에 배치된 냉각부와,A cooling unit disposed below the heat transfer member; 상기 기판 지지대와 상기 전열부재와의 사이에 배치되고, 상기 기판 지지대와 상기 전열부재 사이의 열교환을 행하는 제1 열교환수단과,First heat exchange means disposed between the substrate support and the heat transfer member and performing heat exchange between the substrate support and the heat transfer member; 상기 전열부재와 상기 냉각부와의 사이에 배치되고, 상기 전열부재와 상기 냉각부 사이의 열교환을 행하는 제2 열교환수단과,Second heat exchange means disposed between the heat transfer member and the cooling unit and performing heat exchange between the heat transfer member and the cooling unit; 를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 열처리장치.Substrate heat treatment apparatus comprising a. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 제1 및 제2 열교환수단은 펠티에 소자인 것을 특징으로 하는 기판 열처리장치.And said first and second heat exchange means are Peltier elements. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 냉각부는 상기 제2 열교환수단의 하면에 접해서 배치되고, 또 내부에 냉각수를 통과시키는 통로가 형성된 냉각부재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 열처리장치.And said cooling portion is formed in contact with a lower surface of said second heat exchange means and comprises a cooling member formed therein with a passage through which cooling water passes.
KR1019980011475A 1997-06-10 1998-04-01 Substrate Heat Treatment Equipment KR19990006379A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP97-152164 1997-06-10
JP9152164A JPH10340835A (en) 1997-06-10 1997-06-10 Substrate heat processor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19990006379A true KR19990006379A (en) 1999-01-25

Family

ID=15534432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980011475A KR19990006379A (en) 1997-06-10 1998-04-01 Substrate Heat Treatment Equipment

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH10340835A (en)
KR (1) KR19990006379A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101369289B1 (en) * 2012-06-25 2014-03-06 (주) 예스티 Supporting member of heat treatment apparatus for glass substrate

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101527889B1 (en) * 2014-01-29 2015-06-11 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
JP7070662B2 (en) * 2018-03-19 2022-05-18 日新電機株式会社 Substrate heating system and substrate processing equipment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101369289B1 (en) * 2012-06-25 2014-03-06 (주) 예스티 Supporting member of heat treatment apparatus for glass substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10340835A (en) 1998-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3665826B2 (en) Substrate heat treatment equipment
KR100274127B1 (en) Substrate Temperature Control Method, Substrate Heat Treatment Apparatus and Substrate Support Apparatus
KR100234635B1 (en) Treating apparatus and treating method
US6018616A (en) Thermal cycling module and process using radiant heat
US5522215A (en) Substrate cooling apparatus
US6686571B2 (en) Heat treatment unit, cooling unit and cooling treatment method
US6402509B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR0142808B1 (en) Apparatus for cooling a substrate and heat treatment apparatus
JP2016181665A (en) Thermal treatment device and thermal treatment method
JP3933765B2 (en) Substrate heat treatment method and apparatus
JPH11111823A (en) Heat treatment device for substrate
JPH10189429A (en) Substrate heating apparatus
KR100655528B1 (en) Substrate heat processing apparatus and temperature control method
KR19990006379A (en) Substrate Heat Treatment Equipment
JP4090104B2 (en) Substrate heat treatment equipment
JPH09306978A (en) Temp. control of substrate, substrate heat treating apparatus and substrate supporting apparatus
JP2000180071A (en) Heat-treating device
JP3451166B2 (en) Substrate heat treatment equipment
JPH09289152A (en) Substrate heat treatment apparatus
JPH06283493A (en) Substrate cooling device
KR100793171B1 (en) Bake process apparatus and method for cooling heating plate equipped by the apparatus
JP3648150B2 (en) Cooling processing apparatus and cooling processing method
JP3504018B2 (en) Substrate cooling device
JP2007158110A (en) Substrate treatment apparatus
JP2005150696A (en) Heat treatment apparatus and method therefor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application