KR19990002351A - 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 장치는, M×N 개의 트랜지스터가 내장되며 일측 상부에 드레인 패드가 형성된 액티브 매트릭스, 상기 액티브 매트릭스의 상부에 형성된 액츄에이터, 그리고 지지층의 식각 공정을 체크하기 위하여 상기 액티브 매트릭스의 외곽 부에 형성되며 식각 종료층을 갖는 식각 모니터링 박스를 포함한다. 상기 액츄에이터는, 액티브 매트릭스의 상부에 형성된 지지층, 지지층의 상부에 형성된 하부 전극, 하부 전극의 상부에 형성된 변형층, 및 변형층의 상부에 형성된 상부 전극을 포함한다. 따라서, 식각 종료층을 포함하는 식각 모니터링 박스를 통하여 지지층의 식각율을 확인할 수 있어 정확한 식각 종료 시간을 확립할 수 있으므로, 지지층의 식각시 발생할 수 있는 불충분 식각이나 과도 식각을 방지할 수 있으며, 그 결과 박막형 광로 조절 장치의 손상을 최소화하고 공정 수율을 향상시킬 수 있다.

Description

박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법

본 발명은 AMA(Actuated Mirror Array)를 이용한 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액티브 매트릭스의 외곽 부에 지지층의 식각을 확인할 수 있도록 식각 종료층을 포함하는 모니터링 박스(monitoring box)를 만들어 지지층의 정확한 식각 종료 시간을 체크할 수 있는 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

광학 에너지(optical energy)를 스크린 상에 투영하기 위한 광로 조절 장치 또는 공간적 광 변조기(spatial light modulator)는 광통신, 화상 처리, 그리고 정보 디스플레이 장치와 같은 다양한 분야에 응용될 수 있다. 통상적으로 이러한 장치들은 광학 에너지를 스크린 상에 표시하는 방법에 따라 직시형 화상 표시 장치(direct-view image display device)와 투사형 화상 표시 장치(projection-type image display device)로 구분된다.

직시형 화상 표시 장치의 예로서는 CRT(Cathode Ray Tube)를 들 수 있는데, 이러한 CRT 장치는 소위 브라운관으로 불리는 것으로서 화질은 우수하나 화면의 대형화에 따라 그 중량과 용적이 증가하여 제조 비용이 상승하게 되는 문제가 있다. 투사형 화상 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display : LCD), DMD(Deformable Mirror Device) 및 AMA를 들 수 있다. 이러한 투사형 화상 표시 장치는 다시 그들의 광학적 특성에 따라 2개의 그룹으로 나뉠 수 있다. 즉, LCD와 같은 장치는 전송 광 변조기(transmissive spatial light modulators)로 분류될 수 있는데 반하여, DMD 및 AMA는 반사 광 변조기(reflective spatial light modulators)로 분류될 수 있다.

LCD와 같은 전송 광 변조기는 광학적 구조가 매우 간단하므로, 얇게 형성하여 중량을 가볍게 할 수 있으며 용적을 줄이는 것이 가능하다. 그러나, 빛의 극성으로 인하여 광효율이 낮으며, 액정 재료에 고유하게 존재하는 문제, 예를 들면 응답 속도가 느리고 그 내부가 과열되기 쉬운 단점이 있다. 또한, 현존하는 전송 광 변조기의 최대 광효율은 1 내지 2 % 범위로 한정되며, 수용 가능한 디스플레이 품질을 제공하기 위해서 암실 조건을 필요로 한다. 따라서, 상술한 문제점들을 해결하기 위하여 DMD 및 AMA와 같은 광 변조기가 개발되었다.

DMD는 5％ 정도의 비교적 양호한 광효율을 나타내지만, DMD에 채용된 힌지 구조물에 의해서 심각한 피로 문제가 발생할 뿐만 아니라, 매우 복잡하고 값비싼 구동 회로가 요구된다는 단점이 있다. AMA는 그 내부에 설치된 각각의 거울들이 광원으로부터 입사되는 빛을 소정의 각도로 반사하고, 상기 반사된 빛이 슬릿(slit)이나 핀홀(pinhole)과 같은 개구(aperture)를 통과하여 스크린에 투영되어 화상을 맺도록 광속을 조절할 수 있는 장치이다. 따라서, 그 구조와 동작 원리가 간단하며, LCD나 DMD에 비해 높은 광효율(10% 이상의 광효율)을 얻을 수 있다. 또한, 콘트라스트(contrast)가 향상되어 밝고 선명한 화상을 얻을 수 있다.

AMA의 각 액츄에이터는 인가되는 전기적인 화상 신호 및 바이어스 신호에 의하여 발생되는 전기장에 따라 변형을 일으킨다. 상기 액츄에이터가 변형을 일으킬 때 그 상부에 장착된 각각의 거울들이 경사지게 된다. 따라서, 상기 경사진 거울들은 광원으로부터 입사된 빛을 소정의 각도로 반사시켜 스크린 상에 화상을 맺을 수 있도록 한다. 상기 각각의 거울들을 구동하는 액츄에이터로서 PZT(Pb(Zr, Ti)O₃) 또는 PLZT((Pb, La)(Zr, Ti)O₃) 등의 압전 물질이 이용된다. 또한, PMN(Pb(Mg, Nb)O₃) 등의 전왜 물질로서 상기 액츄에이터를 구성할 수도 있다.

이러한 AMA 장치는 크게 벌크형(bulk type)과 박막형(thin film type)으로 구분된다. 상기 벌크형 광로 조절 장치는 Gregory Um 등에게 허여된 미합중국 특허 제5,085,497호에 개시되어 있다. 벌크형 광로 조절 장치는 다층 세라믹을 얇게 절단하여 내부에 금속 전극이 형성된 세라믹 웨이퍼를 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(active matrix)에 장착한 후, 쏘잉 방법으로 가공하고 그 상부에 거울을 설치함으로써 이루어진다. 그러나, 벌크형 광로 조절 장치는 설계 및 제조에 있어서 매우 높은 정밀도가 요구되며, 변형층의 응답이 느리다는 단점이 있다.

이에 따라, 반도체 제조 공정을 이용하여 제조할 수 있는 박막형 광로 조절 장치가 개발되었다. 상기 박막형 광로 조절 장치는 본 출원인이 1996년 9월 24일 대한민국 특허청에 특허 출원한 특허 출원 제96-42197호(발명의 명칭: 멤브레인의 스트레스를 조절할 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법)에 개시되어 있다.

도 1은 상기 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치의 단면도이다. 도 1을 참조하면, 상기 박막형 광로 조절 장치는 액티브 매트릭스(1)와 액츄에이터(60)를 포함한다. 그 내부에 M×N(M, N은 정수) 개의 MOS 트랜지스터(도시되지 않음)가 내장되고 일측 표면에 드레인 패드(5)가 형성된 액티브 매트릭스(1)는, 상기 액티브 매트릭스(1) 및 드레인 패드(5)의 상부에 형성된 보호층(10)과 보호층(10)의 상부에 형성된 식각 방지층(15)을 포함한다.

상기 액츄에이터(60)는, 상기 식각 방지층(15) 중에서 그 아래에 드레인 패드(5)가 형성된 부분에 일측이 접촉되며 타측이 에어 갭(25)을 개재하여 상기 식각 방지층(15)과 평행하게 형성된 단면을 갖는 멤브레인(30), 멤브레인(30)의 상부에 형성된 하부 전극(35), 하부 전극(35)의 상부에 형성된 변형층(40), 변형층(40)의 상부에 형성된 상부 전극(45), 그리고 변형층(40)의 일측으로부터 하부 전극(35), 멤브레인(30), 그리고 식각 방지층(15) 및 보호층(10)을 통하여 상기 드레인 패드(5)까지 수직하게 형성된 비어 홀(50)의 내부에 내에 하부 전극(35)과 드레인 패드(5)가 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 비어 컨택(55)을 포함한다. 상기 상부 전극(45)의 일측에는 스트라이프(46)가 형성된다. 스트라이프(46)는 상부 전극(45)을 균일하게 작동시켜 광원으로부터 입사되는 빛의 난반사를 방지한다.

이하, 상기 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 도 2a 내지 2e를 참조하여 설명한다.

도 2a를 참조하면, M×N 개의 MOS 트랜지스터(도시되지 않음)가 내장되고 그 일측 표면에 드레인 패드(5)가 형성된 액티브 매트릭스(1) 상에 인 실리케이트 유리(PSG)로 구성된 보호층(10)을 형성한다. 보호층(10)은 화학 기상 증착(CVD) 방법을 이용하여 1．0㎛ 정도의 두께를 갖도록 형성한다. 상기 보호층(10)은 후속하는 공정 동안 액티브 매트릭스(1)를 보호한다.

상기 보호층(10) 상에는 질화물로 이루어진 식각 방지층(15)이 형성된다. 식각 방지층(15)은 저압 화학 기상 증착(Low Pressure CVD : LPCVD) 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 갖도록 형성한다. 상기 식각 방지층(15)은 후속하는 식각 공정 동안 보호층(10) 및 액티브 매트릭스(1)가 식각되는 것을 방지한다.

상기 식각 방지층(15) 상에는 희생층(20)이 형성된다. 희생층(20)은 인(P)의 농도가 높은 인 실리케이트 유리를 대기압 화학 기상 증착(Atmospheric Pressure CVD : APCVD) 방법을 이용하여 1．0∼3．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이 경우, 희생층(20)은 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(1)의 상부를 덮고 있으므로, 그 표면의 평탄도가 매우 불량하다. 따라서, 희생층(20)의 표면을 스핀 온 글래스(SOG)를 사용하는 방법 또는 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing : CMP) 방법을 이용하여 평탄화시킨다. 이어서, 상기 희생층(20) 중 그 아래에 드레인 패드(5)가 형성되어 있는 부분을 식각하여 상기 식각 방지층(15)의 일부를 노출시킴으로써 액츄에이터(60)의 지지부가 형성될 위치를 만든다.

도 2b를 참조하면, 상기 노출된 식각 방지층(15)과 희생층(20)의 상부에 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께로 멤브레인(30)을 형성한다. 멤브레인(30)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 형성한다. 이때, 저압의 반응 용기 내에서 반응 가스의 비(ratio)를 변화시키면서 멤브레인(30)을 형성함으로써, 멤브레인(30) 내의 응력(stress)을 조절한다.

상기 멤브레인(30) 상에는 백금(Pt) 또는 백금-탄탈륨(Pt-Ta) 등의 금속으로 구성된 하부 전극(35)이 형성된다. 하부 전극(35)은 스퍼터링 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 갖도록 형성한다. 이어서, 상기 하부 전극(35)을 각 화소별로 분리시키기 위하여 Iso-Cutting한다.

상기 하부 전극(35) 상에는 PZT 또는 PLZT로 구성된 변형층(40)이 형성된다. 변형층(40)은 졸-겔(sol-gel)법을 이용하여 0．1∼1．0㎛, 바람직하게는 0．4㎛ 정도의 두께를 갖도록 형성한 후, 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing : RTA) 방법으로써 상변이시킨다. 상기 변형층(40)은 상부 전극(45)과 하부 전극(35) 사이에 발생하는 전기장에 의하여 변형을 일으킨다.

상부 전극(45)은 변형층(40)의 상부에 형성된다. 상부 전극(45)은 알루미늄 또는 백금 등의 전기 전도성 및 반사성이 우수한 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 갖도록 형성한다. 상부 전극(45)에는 외부로부터 공통 전극선(도시되지 않음)을 통하여 제2 신호(바이어스 신호)가 인가된다. 또한, 상기 상부 전극(45)은 광원으로부터 입사되는 빛을 반사하는 거울의 기능도 함께 수행한다.

도 2c를 참조하면, 상기 상부 전극(45)을 소정의 화소 형상으로 패터닝한다. 이때, 상기 상부 전극(45)의 일측에는 스트라이프(46)가 형성된다. 계속해서, 상기 변형층(40) 및 하부 전극(35)을 순차적으로 소정의 화소 형상으로 패터닝한 후, 변형층(40)의 일측 상부로부터 드레인 패드(5)의 상부까지 변형층(40), 하부 전극(35), 멤브레인(30), 식각 방지층(15) 및 보호층(10)을 순차적으로 식각함으로써 비어 홀(50)을 형성한다. 이어서, 텅스텐, 백금 또는 티타늄 등의 금속을 리프트-오프(lift-off) 방법으로 증착하여 상기 드레인 패드(5)와 하부 전극(35)을 전기적으로 연결시키는 비어 컨택(55)을 형성한다. 따라서, 상기 비어 컨택(55)은 비어 홀(50) 내에서 하부 전극(35)으로부터 드레인 패드(5)의 상부까지 수직하게 형성된다. 그러므로, 외부로부터 인가된 제1 신호(화상 신호)는 액티브 매트릭스(1)에 내장된 트랜지스터, 드레인 패드(5) 및 비어 컨택(55)을 통하여 하부 전극(10)에 인가된다.

도 2d를 참조하면, 상기 비어 컨택(55)이 형성된 결과물 전면에 포토 레지스트층(57)을 도포하고 이를 패터닝하여 상기 멤브레인(30)을 노출시킨다. 이어서, 상기 포토 레지스트층(57)을 식각 마스크로 사용하여 상기 멤브레인(30)을 식각함으로써 소정의 화소 형상으로 패터닝한다.

도 2e를 참조하면, 상기 포토레지스트(57)를 식각 마스크로 사용하여 49% 플루오르화 수소(HF) 증기에 의해 상기 희생층(20)을 식각함으로써 에어 갭(59)을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트(57)를 제거하고 세정 및 건조 공정을 실시함으로써 AMA 소자를 완성한다.

상술한 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 제1 신호(화상 신호)는 액티브 매트릭스(1)에 내장된 MOS 트랜지스터, 드레인 패드(5) 및 비어 컨택(55)을 통하여 하부 전극(35)에 인가된다. 또한, 상부 전극(45)에는 외부로부터 공통 전극선을 통하여 제2 신호(바이어스 신호)가 인가되어 상부 전극(45)과 하부 전극(35) 사이에 전기장이 발생한다. 이 전기장에 의하여 상부 전극(45)과 하부 전극(35) 사이에 적층되어 있는 변형층(40)이 변형을 일으킨다. 변형층(40)은 전기장에 대하여 직교하는 방향으로 수축하며, 변형층(40)을 포함하는 액츄에이터(60)는 멤브레인(30)이 형성되어 있는 방향의 반대 방향으로 휘어진다. 따라서, 액츄에이터(60) 상부의 상부 전극(45)도 같은 방향으로 경사진다. 광원으로부터 입사되는 빛은 상부 전극(45)에 의해 소정의 각도로 반사된 후, 스크린에 투영되어 화상을 맺는다.

그러나, 상술한 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 멤브레인을 식각할 때, 멤브레인은 그 식각 종료점을 정확히 파악하기 어려워 멤브레인이 과도하게 식각되거나 또는 불충분하게 식각되는 문제점이 있다. 즉, 희생층을 연마하는 공정으로 인하여 희생층이 그 상부의 멤브레인과 유사한 색상을 갖게 됨으로써 멤브레인과 희생층은 색상으로 구별하기 어렵기 때문에 상기 멤브레인이 식각되는 정도를 육안으로 관찰하기 어려워 정확한 식각 종료 시간(etch stop time)을 확립할 수 없다. 그러므로, 상기 멤브레인 식각이 불충분(under-etch)하게 되거나 과도(over-etch)하게 되어, 공정 불량(failure)의 원인이 된다.

따라서, 본 발명의 목적은 지지층 패터닝시 식각 종료층을 포함하는 식각 모니터링 박스를 통하여 그 식각의 정확한 식각 종료 시간을 확립할 수 있는 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.

도 1은 본 출원인의 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치의 단면도이다.

도 2a 내지 도 2e는 도 1에 도시한 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 3은 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 평면도이다.

도 4는 도 3에 도시한 장치를 A-A' 선으로 자른 단면도이다.

도 5는 도 3에 도시한 장치가 형성되어 있는 웨이퍼의 평면도이다.

도 6a 내지 도 6e는 도 4에 도시한 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 7은 도 5에 도시한 장치 중 식각 모니터링 박스의 단면도이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

131 : 액티브 매트릭스133 : 액츄에이터

135 : 드레인 패드137 : 보호층

139 : 식각 방지층141 : 희생층

143 : 지지층145 : 하부 전극

147 : 변형층149 : 상부 전극

151 : 스트라이프153 : 비어 홀

155 : 비어 컨택157 : 에어 갭

180 : 식각 종료층210 : 식각 모니터링 박스

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 스위칭 동작을 수행하는 M×N(M, N은 정수) 개의 트랜지스터가 내장되며 일측 상부에 드레인 패드가 형성된 액티브 매트릭스, 상기 액티브 매트릭스의 상부에 형성된 액츄에이터, 그리고 지지층의 식각 공정을 체크하기 위하여 상기 액티브 매트릭스의 외곽 부에 형성되며 식각 종료층을 갖는 식각 모니터링 박스를 포함하는 박막형 광로 조절 장치를 제공한다. 상기 액츄에이터는, i) 상기 액티브 매트릭스의 상부에 형성된 지지층, ⅱ) 상기 지지층의 상부에 형성된 하부 전극, ⅲ) 상기 하부 전극의 상부에 형성된 변형층, 및 ⅳ) 상기 변형층의 상부에 형성된 상부 전극을 포함한다.

또한, 상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, M×N(M, N은 정수) 개의 트랜지스터가 내장되고 일측 상부에 드레인 패드가 형성된 액티브 매트릭스를 제공하는 단계; 상기 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층의 상부에 식각 종료층을 형성한 후 패터닝하여 상기 액티브 매트릭스의 외곽부에 상기 희생층 및 상기 식각 종료층을 포함하는 식각 모니터링 박스를 형성하는 단계; 상기 희생층 및 상기 식각 종료층의 상부에 지지층, 하부 전극, 변형층 및 상부 전극을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하는 액츄에이터를 형성하는 단계; 그리고 상기 식각 모니터링 박스를 통해 상기 지지층의 식각율을 확인하면서 상기 지지층을 식각하는 단계를 포함하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공한다.

상술한 본 발명의 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 외부로부터 전달된 제1 신호는 액티브 매트릭스에 내장된 MOS 트랜지스터, 드레인 패드 및 비어 컨택을 통하여 하부 전극에 인가된다. 동시에, 상부 전극에는 외부로부터 공통 전극선을 통하여 제2 신호가 인가되어 상부 전극과 하부 전극 사이에 전위차에 따른 전기장이 발생한다. 이러한 전기장에 의하여 상부 전극과 하부 전극 사이에 형성된 변형층이 변형을 일으킨다. 변형층은 상기 전기장에 대하여 직교하는 방향으로 수축하며, 변형층을 포함하는 액츄에이터는 지지층이 형성되어 있는 방향의 반대 방향으로 휘어진다. 따라서, 상기 액츄에이터 상부에서 거울의 기능도 수행하는 상부 전극도 같은 방향으로 경사진다. 이에 따라, 광원으로부터 입사되는 빛은 경사진 상부 전극에 의해 소정의 각도로 반사된 후, 슬릿을 통과하여 스크린에 투영됨으로써 화상을 맺게 된다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법에 의하면, 액티브 매트릭스의 외곽부에 지지층의 식각을 체크할 수 있도록 식각 종료층을 포함하는 식각 모니터링 박스를 형성한다. 상기 식각 모니터링 박스로 이용되는 패턴은 상부 전극, 변형층 및 하부 전극을 화소 형상으로 식각할 때는 함께 식각되고, 지지층을 화소 형상으로 패터닝할 때 희생층 상에 소정의 형상을 갖는 식각 종료층이 남아 있는 구조를 갖는다. 상기 식각 모니터링 박스 내의 지지층은 육안 관찰시 투명한 질화물로 이루어지기 때문에 그 하부의 금속으로 이루어진 식각 종료층과 쉽게 구별되어 식각 공정시 식각되는 지지층을 육안으로 확인할 수 있다. 따라서, 본 발명은 식각 종료층을 포함하는 식각 모니터링 박스를 통하여 지지층의 식각 율을 확인할 수 있으므로 정확한 식각 종료 시간을 확립할 수 있다. 그러므로, 지지층 식각시 발생할 수 있는 불충분 식각이나 과도 식각을 방지할 수 있어, 박막형 광로 조절 장치의 손상을 최소화하고 공정 수율을 향상시킬 수 있다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

도 3은 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 평면도를 도시한 것이고, 도 4는 도 3에 도시한 장치를 A-A' 선으로 자른 단면도를 도시한 것이다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치는, 액티브 매트릭스(131)와 상기 액티브 매트릭스(131)의 상부에 형성된 액츄에이터(133)를 포함한다. 그 내부에 M×N(M, N은 정수) 개의 MOS 트랜지스터(도시되지 않음)가 내장되고 일측 표면에 드레인 패드(135)가 형성된 액티브 매트릭스(131)는, 상기 액티브 매트릭스(131) 및 드레인 패드(135)의 상부에 형성된 보호층(137), 그리고 보호층(137)의 상부에 형성된 식각 방지층(139)을 포함한다.

상기 액츄에이터(133)는, 상기 식각 방지층(139) 중 그 아래에 드레인 패드(135)가 형성된 부분에 일측이 접촉되며 타측이 에어 갭(157)을 개재하여 상기 식각 방지층(139)과 평행하게 형성된 단면을 갖는 지지층(143), 지지층(143)의 상부에 형성된 하부 전극(145), 하부 전극(145)의 상부에 형성된 변형층(147), 변형층(147)의 상부에 형성된 상부 전극(149), 그리고 상기 변형층(147)의 일측으로부터 하부 전극(145), 지지층(143), 식각 방지층(139) 및 보호층(137)을 통하여 상기 드레인 패드(135)까지 수직하게 형성된 비어 홀(153) 내에 하부 전극(145)과 드레인 패드(135)가 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 비어 컨택(155)을 포함한다.

또한, 도 3을 참조하면 상기 지지층(143)의 평면은 그 일측이 중앙부에 사각형 형상의 오목한 부분을 가지며 이러한 오목한 부분이 양쪽 가장자리로 갈수록 계단형으로 넓어지는 형상으로 형성된다. 상기 지지층(143)의 타측은 상기 오목한 부분에 대응하여 중앙부로 갈수록 계단형으로 좁아지는 사각형 형상의 돌출부를 갖는다. 그러므로, 상기 지지층(143)의 오목한 부분에 인접한 액츄에이터의 지지층의 돌출부가 끼워지고, 상기 사각형 형상의 돌출부가 인접한 액츄에이터의 지지층의 오목한 부분에 끼워지게 된다. 상기 지지층(143)은 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치 중 액츄에이터를 지지하는 멤브레인의 역할을 수행한다.

상기 상부 전극(149)의 일부에는 스트라이프(151)가 형성된다. 스트라이프(151)는 상부 전극(149)을 균일하게 작동시켜 광원으로부터 입사되는 빛이 난반사되는 것을 방지한다.

도 5는 도 3에 도시한 장치가 형성되어 있는 웨이퍼(wafer)의 평면도를 도시한 것이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 액티브 매트릭스(131)의 외곽 부에는 지지층(143)을 소정의 화소 형상으로 패터닝하기 위한 식각 공정을 체크할 수 있는 식각 모니터링 박스(210)가 형성된다. 상기 식각 모니터링 박스(210)는 상부 전극(149), 변형층(147) 및 하부 전극(145)을 소정의 화소 형상으로 식각하는 공정시 함께 식각 되고, 지지층(143)을 화소 형상으로 식각할 때는 그 하부의 소정 형상을 갖는 식각 종료층(180)이 노출된다. 따라서, 상기 식각 모니터링 박스(210)는 희생층(141) 상에 소정의 형상을 갖는 식각 종료층(180)이 적층된 구조로 형성된다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

도 6a 내지 도 6e는 도 4에 도시한 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 6a 내지 도 6e에 있어서, 도 4와 동일한 부재들에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용한다.

도 6a를 참조하면, M×N(M, N은 정수) 개의 MOS 트랜지스터(도시되지 않음)가 내장되고 그 일측 상부에 드레인 패드(135)가 형성된 액티브 매트릭스(131)의 상부에 보호층(137)을 형성한다. 상기 액티브 매트릭스(131)는 실리콘 등의 반도체로 이루어지거나 유리 또는 알루미나(Al₂O₃) 등의 절연 물질로 구성된다. 상기 보호층(137)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 화학 기상 증착(CVD) 방법을 이용하여 1．0∼2．0㎛ 정도의 두께를 갖도록 형성한다. 상기 보호층(137)은 후속하는 공정 동안 액티브 매트릭스(131)에 내장된 트랜지스터가 손상되는 것을 방지한다.

상기 보호층(137) 상에는 식각 방지층(139)이 형성된다. 식각 방지층(139)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 갖도록 형성한다. 상기 식각 방지층(139)은 후속하는 식각 공정 동안에 보호층(137) 및 액티브 매트릭스(131)가 식각되는 것을 방지한다.

상기 식각 방지층(139) 상에 희생층(141)이 형성된다. 희생층(141)은 인(P)의 농도가 높은 인 실리케이트 유리를 대기압 화학 기상 증착(APCVD) 방법을 이용하여 1．0∼3．0㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이 경우, 희생층(141)은 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(131)의 상부를 덮고 있으므로, 그 표면의 평탄도가 매우 불량하다. 따라서, 희생층(141)의 표면을 스핀 온 글래스(SOG)를 사용하는 방법 또는 화학 기계적 연마(CMP) 방법을 이용하여 평탄화시킨다. 이어서, 상기 희생층(141) 중 그 아래에 드레인 패드(135)가 형성되어 있는 부분을 식각하여 상기 식각 방지층(139)의 일부를 노출시킴으로써 액츄에이터(133)의 지지부가 형성될 위치를 만든다. 계속하여, 상기 희생층(141)의 상부에 은, 알루미늄, 백금, 또는 탄탈륨 등의 질화물과 반사율이 크게 다른 금속층을 스퍼터링 방법 또는 화학 기상 증착 방법을 사용하여 적층한다. 그리고, 도 5에 도시한 바와 같이, 액티브 매트릭스(131) 외곽부 상의 식각 모니터링 박스(210)의 형상을 고려하여 상기 적층된 금속층을 사각형의 형상 또는 원형의 형상을 갖도록 패터닝함으로써 식각 종료층(180)을 형성한다. 따라서, 상기 식각 모니터링 박스(210)는 도 7에 도시한 바와 같이, 희생층(141) 상에 사각형 또는 원형의 식각 종료층(180)이 적층된 형상을 갖는다. 상기에서는 희생층(141)의 일부를 식각한 후, 식각 종료층(180)을 형성하였으나 희생층(141)의 일부를 식각 하기 전에 금속층을 희생층(141)의 상부에 적층한 후, 희생층(141)의 일부를 식각함과 동시에 상기 금속층을 패터닝하여 식각 종료층(180)을 형성하여 식각 종료층(180)을 형성하는 공정을 단축할 수 있다..

도 6b를 참조하면, 상기 노출된 식각 방지층(139), 희생층(141) 및 식각 종료층(180) 상에 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 갖는 제1 층(142)을 형성한다. 제1 층(142)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 형성한다. 이때, 저압의 반응 용기 내에서 반응 가스의 비를 변화시키면서 제1 층(142)을 형성함으로써, 지지층(143) 내의 응력을 조절한다. 상기 제1 층(142)은 후에 액츄에이터(133)를 지지하는 지지층(143)으로 패터닝된다.

상기 제1 층(142)의 상부에는 백금(Pt) 또는 백금-탄탈륨(Pt-Ta) 등의 금속으로 구성된 하부 전극층(144)이 형성된다. 하부 전극층(144)은 스퍼터링 방법 또는 화학 기상 증착 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 갖도록 형성한다. 이어서, 하부 전극층(144)을 각각의 화소별로 분리시키기 위하여 Iso-Cutting한다. 하부 전극층(144)은 후에 하부 전극(145)으로 패터닝되며, 하부 전극(145)에는 외부로부터 제1 신호(화상 신호)가 액티브 매트릭스(131)에 내장된 트랜지스터와 드레인 패드(135) 및 비어 컨택(155)을 통하여 인가된다.

상기 하부 전극층(144)의 상부에는 PZT 또는 PLZT 등의 압전 물질로 구성된 제2 층(146)이 형성된다. 제2 층(146)은 졸-겔(sol-gel)법, 스퍼터링 방법, 또는 화학 기상 증착 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛, 바람직하게는 PZT를 졸-겔법을 이용하여 0．4㎛ 정도의 두께를 갖도록 형성한 후, 급속 열처리(RTA) 방법을 이용하여 제2 층(146)을 구성하는 압전 물질을 상변이시키고 분극(poling)시킨다. 상기 제2 층(146)은 후에 변형층(147)으로 패터닝되며, 변형층(147)은 상부 전극(149)과 하부 전극(145) 사이에 발생하는 전기장에 따라 변형을 일으킨다.

상부 전극층은 상기 제2 층(146)의 상부에 형성된다. 상부 전극층은 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 백금(Pt) 등의 전기 전도성 및 반사성을 갖는 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 0．1∼1．0㎛ 정도의 두께를 갖도록 형성한다. 이어서, 상부 전극층을 패터닝하여 소정의 화소 형상을 갖는 상부 전극(149)을 형성한다. 이 때, 상부 전극(149)의 일측에는 변형층(147)이 변형을 일으킬 때 상부 전극(149)을 균일하게 동작하게 하여 광원으로부터 입사되는 광이 난반사되는 것을 방지하는 스트라이프(151)가 형성된다. 상기 상부 전극(149)에는 외부로부터 공통 전극선(도시되지 않음)을 통하여 제2 신호(바이어스 신호)가 인가되며, 동시에 상부 전극(149)은 광원으로부터 입사되는 빛을 반사하는 거울의 기능도 함께 수행한다. 상기와 같이 상부 전극층을 상부 전극(149)으로 패터닝할 때, 상부 전극층의 하부에는 제2 층(139)이 형성되어 있으므로 금속과 압전 물질의 반사율에 따른 색상의 차이가 크므로 상부 전극층의 식각 종료점을 육안으로 확인할 수 있어 정확히 패터닝할 수 있다.

도 6c를 참조하면, 상기 제2 층(146) 및 하부 전극층(144)을 순차적으로 패터닝하여 각기 소정의 화소 형상을 갖는 변형층(147) 및 하부 전극(145)을 형성한다. 이 때, 상기 변형층(147)은 상기 상부 전극(149)보다 약간 넓은 면적을 가지며, 하부 전극(145)은 상기 변형층(147)보다 약간 넓은 면적을 갖는다. 상기 제2 층(146) 및 하부 전극(144)을 패터닝하는 과정에 있어서도, 각각의 구성 물질이 다르므로 그 식각 종료점을 용이하게 확인할 수 있다. 여기서, 상술한 상부 전극층, 제2 층(146) 및 하부 전극층(144)의 식각 공정시 후속의 제1 층(142)의 식각 공정을 체크하기 위한 식각 모니터링 박스(210)로 이용될 패턴이 함께 식각된다.

도 6d를 참조하면, 사진 식각 공정을 이용하여 상기 변형층(147) 중에서 그 아래에 드레인 패드(135)가 형성되어 있는 부분으로부터 상기 드레인 패드(135)의 상부까지 변형층(147), 하부 전극(145), 제1 층(142), 식각 방지층(139) 및 보호층(137)을 순차적으로 식각함으로써 비어 홀(153)을 형성한다. 이어서, 텅스텐(W), 백금(Pt) 또는 티타늄(Ti) 등의 금속을 증착하여 상기 드레인 패드(135)와 하부 전극(145)을 전기적으로 연결시키는 비어 컨택(155)을 형성한다. 따라서, 상기 비어 컨택(155)은 비어 홀(153) 내에서 하부 전극(145)으로부터 드레인 패드(135)의 상부까지 수직하게 형성된다. 그러므로, 외부로부터 전달된 제1 신호는 액티브 매트릭스(131)에 내장된 트랜지스터, 드레인 패드(135) 및 비어 컨택(155)을 통하여 하부 전극(145)에 인가된다.

이어서, 상기 비어 컨택(155)이 형성된 결과물 전면에 포토레지스트(150)를 도포한 후, 상기 포토레지스트(150)를 상부 전극(149)의 노출된 상부 및 측면과 변형층(147) 및 하부 전극(145)의 노출된 측면을 완전히 덮도록 패터닝한다. 다음에, 상기 포토레지스트(150)를 식각 마스크로 사용하여 상기 제1 층(142)을 식각하여 소정의 화소 형상을 갖는 지지층(143)을 형성한다. 이 때, 지지층(143)의 식각 공정을 체크하기 위한 식각 모니터링 박스(210) 내의 식각 종료층(180) 상의 제1 층(142)이 함께 식각되어 식각 종료층(180)이 노출된다. 즉, 상기와 같이 제1 층(142)을 소정의 화소 형상으로 식각할 때, 식각 모니터링 박스(210) 내의 제1 층(142)의 하부에는 질화물과 그 반사율이 크게 다른 금속으로 구성된 식각 종료층(180) 형성되어 있으므로, 식각 모니터링 박스(210)를 통하여 제1 층(142)의 정확한 식각 종료점을 확립할 수 있다.

도 6e를 참조하면, 상기 포토레지스트(150)를 액츄에이터(133)의 보호층으로 사용하여 플루오르화 수소(HF) 증기에 의해 상기 희생층(141)을 식각함으로써 에어 갭(157)을 형성한다. 계속해서, 상기 포토레지스트(150)를 제거하고 헹굼 및 건조 처리를 수행하여 AMA 소자를 완성한다.

상술한 본 발명의 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 외부로부터 전달된 제1 신호는 액티브 매트릭스(131)에 내장된 MOS 트랜지스터, 드레인 패드(135) 및 비어 컨택(155)을 통하여 하부 전극(145)에 인가된다. 동시에, 상부 전극(149)에는 외부로부터 공통 전극선을 통하여 제2 신호가 인가되어 상부 전극(149)과 하부 전극(145) 사이에 전위차에 따른 전기장이 발생한다. 이러한 전기장에 의하여 상부 전극(149)과 하부 전극(145) 사이에 형성된 변형층(147)이 변형을 일으킨다. 변형층(147)은 상기 전기장에 대하여 직교하는 방향으로 수축하며, 변형층(147)을 포함하는 액츄에이터(133)는 지지층(143)이 형성되어 있는 방향의 반대 방향으로 휘어진다. 따라서, 상기 액츄에이터(133) 상부에서 거울의 기능도 수행하는 상부 전극(149)도 같은 방향으로 경사진다. 이에 따라, 광원으로부터 입사되는 빛은 경사진 상부 전극(149)에 의해 소정의 각도로 반사된 후, 슬릿을 통과하여 스크린에 투영됨으로써 화상을 맺게 된다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법에 의하면, 액티브 매트릭스의 외곽부에 지지층의 식각을 체크할 수 있도록 식각 종료층을 포함하는 식각 모니터링 박스를 형성한다. 상기 식각 모니터링 박스로 이용되는 패턴은 상부 전극, 변형층 및 하부 전극을 화소 형상으로 식각할 때는 함께 식각되고, 지지층을 화소 형상으로 패터닝할 때 희생층 상에 소정의 형상을 갖는 식각 종료층이 남아 있는 구조를 갖는다. 상기 식각 모니터링 박스 내의 지지층은 육안 관찰시 투명한 질화물로 이루어지기 때문에 그 하부의 금속으로 이루어진 식각 종료층과 쉽게 구별되어 식각 공정시 식각되는 지지층을 육안으로 확인할 수 있다. 따라서, 본 발명은 식각 종료층을 포함하는 식각 모니터링 박스를 통하여 지지층의 식각율을 확인할 수 있으므로 정확한 식각 종료 시간을 확립할 수 있다. 그러므로, 지지층 식각시 발생할 수 있는 불충분 식각이나 과도 식각을 방지할 수 있어, 박막형 광로 조절 장치의 손상을 최소화하고 공정 수율을 향상시킬 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (6)

1. 스위칭 동작을 수행하는 M×N(M, N은 정수) 개의 트랜지스터가 내장되며 일측 상부에 드레인 패드(135)가 형성된 액티브 매트릭스(131);

   i) 상기 액티브 매트릭스의 상부에 형성된 지지층(143), ⅱ) 상기 지지층(143)의 상부에 형성된 하부 전극(145), ⅲ) 상기 하부 전극(145)의 상부에 형성된 변형층(147), 및 ⅳ) 상기 변형층(147)의 상부에 형성된 상부 전극(149)을 포함하는 액츄에이터(133); 그리고

   상기 지지층(143)의 식각 공정을 체크하기 위하여 상기 액티브 매트릭스(131)의 외곽 부에 형성되며 식각 종료층(180)을 갖는 식각 모니터링 박스(210)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 식각 모니터링 박스(210)는, 상기 액티브 매트릭스(131) 상에 형성된 희생층(141)의 상부에 사각형의 형상을 갖는 식각 종료층(180)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 식각 종료층(180)은 알루미늄, 은, 백금, 그리고 탄탈륨으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.
4. M×N(M, N은 정수) 개의 트랜지스터가 내장되고 일측 상부에 드레인 패드가 형성된 액티브 매트릭스를 제공하는 단계;

   상기 액티브 매트릭스의 상부에 희생층을 형성하는 단계;

   상기 희생층의 상부에 식각 종료층을 형성한 후 패터닝하여 상기 액티브 매트릭스의 외곽부에 상기 희생층 및 상기 식각 종료층을 포함하는 식각 모니터링 박스를 형성하는 단계;

   상기 희생층 및 상기 식각 종료층의 상부에 지지층, 하부 전극, 변형층 및 상부 전극을 순차적으로 적층하는 단계를 포함하는 액츄에이터를 형성하는 단계; 그리고

   상기 식각 모니터링 박스를 통해 상기 지지층의 식각율을 확인하면서 상기 지지층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 식각 모니터링 박스를 형성하는 단계는, 상기 상부 전극, 변형층 및 하부 전극을 패터닝할 때 식각 모니터링 박스로 사용할 패턴을 함께 식각하는 단계, 그리고 상기 지지층을 패터닝할 때 상기 식각 모니터링 박스 내의 상기 식각 종료층을 노출되게함으로써 상기 식각 종료층과 상기 희생층으로 이루어진 식각 모니터링 박스를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
6. 제4항에 있어서, 상기 식각 종료층은 금속을 스퍼터링 방법을 사용하여 증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.