KR19980073955A - Cleaning tank of semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents
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Abstract
반도체 제조 장치의 세정조에 대해 기재되어 있다. 이는, 그릇 모양의 베스와, 베스의 하단부에 설치되며 상부 구멍들과 하부 구멍들 또는 상부 구멍들과 하부 이격부들이 서로 정렬되도록 배치된 두 개이상의 정류판들, 및 상부 구멍 또는 상부 이격부의 정확히 한가운데에 위치하는 웨이퍼들을 구비한다. 이때, 구멍의 크기와 구멍과 이격부의 크기는 각각 3㎜이하이다. 따라서, 본 발명에 의하면, 웨이퍼들 사이로 통과하는 탈이온수의 양을 늘릴 수 있으므로 웨이퍼의 세정효율을 높일 수 있다.It describes about the washing tank of a semiconductor manufacturing apparatus. This includes a bowl-shaped bath, two or more rectifying plates installed at the lower end of the bath and arranged so that the upper holes and the lower holes or the upper holes and the lower spacers are aligned with each other, and the upper hole or the upper spacer is exactly the same. Wafers are located in the middle. At this time, the size of the hole and the size of the hole and the spaced apart portion is each 3mm or less. Therefore, according to the present invention, since the amount of deionized water passing between the wafers can be increased, the cleaning efficiency of the wafer can be improved.
Description
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 세정효율을 높일 수 있는 반도체 제조 장치의 세정조에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a cleaning tank of a semiconductor manufacturing apparatus capable of increasing the cleaning efficiency of a wafer.
반도체 제조 공정 중, 특히 세정 공정에서는 보다 효율적인 세정을 위해서 만족되어야 할 조건으로는 웨이퍼 사이로 많은 양의 탈이온수가 흘러야 한다는 것과 각 웨이퍼들 사이의 유동이 균일해야 한다는 것을 들 수 있다.Conditions that must be met for more efficient cleaning in the semiconductor manufacturing process, particularly in the cleaning process, include a large amount of deionized water flowing between wafers and a uniform flow between the wafers.
실제 세정조 내에서의 세정의 효율성에 대해서는 여러 가지 문제점이 보고되고 있는데, 특히, 웨이퍼의 세정을 위해 세정조 내부로 유입되는 탈이온수의 대부분인 90% 정도가 웨이퍼들 사이로 흐르지 못하고 그냥 세정조 밖으로 빠져 나가버리므로 세정 효율이 떨어진다는 문제점이 있다.Various problems have been reported about the efficiency of cleaning in the cleaning tank. In particular, about 90% of the deionized water flowing into the cleaning bath for cleaning the wafer does not flow between the wafers, and it simply falls out of the cleaning tank. There is a problem that the cleaning efficiency is lowered because it goes out.
세정조로 유입된 탈이온수의 유동에 영향을 미치는 것에는 여러 가지가 있는데, 그 중에서도 웨이퍼의 위치나, 예컨대 탈이온수의 정류를 위해 설치된 정류판과 같은 세정조 내의 여러 구조물의 위치나 형상에 의해 탈이온수의 유동이 변형되는 경우가 많다.There are a number of things that affect the flow of deionized water introduced into the cleaning bath, among other things, depending on the position of the wafer and the location or shape of various structures in the cleaning bath, such as a rectifying plate installed for rectifying the deionized water. The flow of ionized water is often deformed.
본 발명의 목적은 예컨대 상기한 정류판과 같은 세정조 내의 구조물의 설치 위치와 형상 및 웨이퍼의 위치를 여러 가지로 변형시켜 최상의 세정 효율을 얻을 수 있는 세정조를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a cleaning tank capable of obtaining the best cleaning efficiency by variously modifying the installation position and shape of the structure in the cleaning tank such as the above-mentioned rectifying plate and the position of the wafer in various ways.
도 1은 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 세정조를 도시한 개략도이다.1 is a schematic view showing a cleaning tank of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
도 2는 상부 정류판의 구멍 (또는 이격부)들과 하부 정류판의 이격부 (또는 구멍)들이 일직선 상에 놓이도록 상,하부 정류판들이 정렬되어 있고, 상부 정류판의 구멍 한가운데에 웨이퍼가 놓여져 있는 세정조를 도시한 개략도이다.FIG. 2 shows the upper and lower rectifying plates aligned so that the holes (or spacings) of the upper rectifying plate and the spacings (or holes) of the lower rectifying plate are aligned, and the wafer is placed in the middle of the hole of the upper rectifying plate. It is a schematic diagram which shows the washing tank put.
도 3은 상부 정류판의 구멍 (또는 이격부)들과 하부 정류판의 이격부 (또는 구멍)들이 일직선 상에 놓이도록 상,하부 정류판들이 정렬되어 있고, 상부 정류판의 이격부 한가운데에 웨이퍼가 놓여져 있는 세정조를 도시한 개략도이다.Figure 3 shows the upper and lower rectifying plates are aligned so that the holes (or spacing) of the upper rectifying plate and the spacing (or holes) of the lower rectifying plate are aligned, and the wafer is placed in the middle of the spacing of the upper rectifying plate. It is a schematic diagram which shows the washing tank in which is placed.
도 4는 상부 정류판의 구멍 (또는 이격부)들과 하부 정류판의 구멍 (또는 이격부)들이 일직선 상에 놓이도록 상,하부 정류판들이 정렬되어 있고, 상부 정류판의 구멍 한가운데에 웨이퍼가 놓여져 있는 세정조를 도시한 개략도이다.4 shows that the upper and lower rectifying plates are aligned so that the holes (or spacing portions) of the upper rectifying plate and the holes (or spacing portions) of the lower rectifying plate are aligned, and the wafer is placed in the middle of the hole of the upper rectifying plate. It is a schematic diagram which shows the washing tank put.
도 5는 상부 정류판의 구멍 (또는 이격부)들과 하부 정류판의 구멍 (또는 이격부)들이 일직선 상에 놓이도록 상,하부 정류판들의 정렬되어 있고, 상부 정류판의 이격부 한가운데에 웨이퍼가 놓여져 있는 세정조를 도시한 개략도이다.5 is aligned with the upper and lower rectifying plates so that the holes (or spacing portions) of the upper rectifying plate and the holes (or spacing portions) of the lower rectifying plate lie in a straight line, and the wafer is placed in the middle of the spacing of the upper rectifying plate. It is a schematic diagram which shows the washing tank in which is placed.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 세정조는, 그릇 모양의 베스와; 상기 베스의 하단부에 설치되며, 상부 구멍들 (또는 이격부들)과 하부 구멍들 (또는 이격부들)이 서로 정렬되도록 배치된 두 개이상의 정류판들; 및 상기 상부 구멍 또는 상부 이격부의 정확히 한가운데에 위치하는 웨이퍼들을 구비하는 것을 특징으로 한다.The cleaning bath of the semiconductor manufacturing apparatus by this invention for achieving the said objective is a bowl-shaped vessel; Two or more rectifying plates installed at the lower end of the bath and arranged such that upper holes (or spacers) and lower holes (or spacers) are aligned with each other; And wafers positioned exactly in the middle of the upper hole or the upper separation portion.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 세정조는, 또한, 그릇 모양의 베스와; 상기 베스의 하단부에 설치되며, 상부 구멍들 (또는 이격부들)과 하부 이격부들 (또는 하부 구멍들)이 서로 정렬되도록 배치된 두 개이상의 정류판들; 및 상기 상부 구멍 또는 상부 이격부의 정확히 한가운데에 위치하는 웨이퍼들을 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the cleaning bath of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention further includes a vessel in a vessel shape; Two or more rectifying plates installed at a lower end of the bath and arranged to align upper holes (or spacers) and lower spacers (or lower holes) with each other; And wafers positioned exactly in the middle of the upper hole or the upper separation portion.
본 발명에 있어서, 상기 정류판은 상기 구멍의 크기와 상기 이격부의 크기가 각각 3㎜이하인 것이 바람직하다.In the present invention, the rectifying plate is preferably the size of the hole and the size of the separation portion of each 3mm or less.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 세정조에 대해 상세하게 설명하고자 한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, with reference to an accompanying drawing, it demonstrates in detail about the washing tank of the semiconductor manufacturing apparatus by this invention.
먼저, 도 1은 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 세정조를 도시한 개략도로서, 도면부호 10은 그릇 모양의 베스를, 12는 탈이온수 유입구를, 20은 하부 정류판을, 22는 상부 정류판을, 그리고 30은 웨이퍼들을 나타낸다.First, Figure 1 is a schematic diagram showing a cleaning tank of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, 10 is a bowl-shaped bath, 12 is deionized water inlet, 20 is the lower rectifying plate, 22 is the upper rectifying plate And 30 represent wafers.
탈이온수 유입구(12)를 통해 베스(10)로 유입된 탈이온수는 상기 하부 정류판(20) 및 상부 정류판(22)을 통과하면서 정류된 후, 상기 상부 정류판(22) 상에 놓여진 웨이퍼들(30) 사이 및 그 외측을 지나면서 상기 웨이퍼들(30)을 세정한다. 이후, 세정 작업이 끝난 탈이온수는 베스(10) 외부로 오버플로우(overflow)된다.Deionized water introduced into the bath 10 through the deionized water inlet 12 is rectified while passing through the lower rectifying plate 20 and the upper rectifying plate 22, and then placed on the upper rectifying plate 22. The wafers 30 are cleaned between and through the outside 30. Thereafter, the deionized water that has been cleaned is overflowed to the outside of the bath 10.
이때, 상기 상부 및 하부 정류판(22 및 20)은 상기 베스(10) 하단부에 설치되며, 여러개의 구멍들이 있어 이들 구멍들을 통과하는 탈이온수를 정류한다. 또한, 상기 웨이퍼들(30)은 상기 상부 정류판(22)에 대해 수직으로 놓여진다.At this time, the upper and lower rectifying plates 22 and 20 are installed at the lower end of the bath 10, there are a plurality of holes to rectify the deionized water passing through these holes. In addition, the wafers 30 are placed perpendicular to the upper rectifying plate 22.
세정조 내부에서의 유동에 영향을 주는 요인으로는 탈이온수 유입구(12)에서의 탈이온수의 유입 속도와 세정조 내부의 구조 및 세정조 자체의 형상 등이 있다. 본 발명에서는 이 중에서 특히 세정조 내부의 구조에 초점을 맞추어서 원하는 유동을 얻고자 한다. 즉, 웨이퍼들 사이로 균일하고 많은 양의 탈이온수가 흐르도록 함으로써 웨이퍼의 세정효율을 높이고자 한다.Factors affecting the flow in the washing tank include the inflow rate of deionized water at the deionized water inlet 12, the structure inside the washing tank, and the shape of the washing tank itself. In the present invention, among these, in particular, to focus on the structure of the cleaning tank to obtain the desired flow. That is, it is intended to increase the cleaning efficiency of the wafer by allowing a uniform and large amount of deionized water to flow between the wafers.
이를 위하여, 먼저 균일한 유동을 발생시키기 위하여 작은 구멍들이 조밀하게 분포되어 있는 상부 및 하부 정류판(22 및 20)을 상기 베스(10)의 하단부에 설치한 후, 웨이퍼들을 정류판 구멍의 정확히 한가운데에 위치시키거나 구멍들 사이의 간격부 (이하, 이격부라 칭함)의 정확히 한가운데에 위치시킨다.To this end, first, the upper and lower rectifying plates 22 and 20 having densely distributed small holes are installed at the lower end of the bath 10 so as to generate a uniform flow, and then the wafers are placed exactly in the middle of the rectifying plate hole. Or in the exact middle of the gap between the holes (hereinafter referred to as the gap).
도 2 내지 도 5는 세정조의 하단부에 설치된 상,하부 정류판들의 구멍들 (또는 이격부)과 웨이퍼의 위치 관계를 도시한 개략도들로서, 상기 도면들에 있어서, 도면부호 40은 하부 정류판의 구멍들을, 42는 상부 정류판의 구멍들을, 그리고 50은 웨이퍼들을 나타내며, 점선은 상기 웨이퍼(50)의 축을 나타낸다.2 to 5 are schematic views showing the positional relationship between the holes (or the spaced part) of the upper and lower rectifying plates installed on the lower end of the cleaning tank and the wafer, in which the reference numeral 40 is a hole of the lower rectifying plate. For example, 42 represents holes of the upper rectifying plate, and 50 represents wafers, and the dotted line represents the axis of the wafer 50.
이 중, 도 2는 상부 정류판의 구멍(42) (또는 이격부)들과 하부 정류판의 이격부 (또는 구멍(40))들이 일직선 상에 놓이도록 상,하부 정류판들이 정렬되어 있고, 상부 정류판의 구멍(42) 한가운데에 웨이퍼(50)가 놓여져 있는 세정조를 도시하고, 도 3은 상부 정류판의 구멍(42) (또는 이격부)들과 하부 정류판의 이격부 (또는 구멍(40))들이 일직선 상에 놓이도록 상,하부 정류판들이 정렬되어 있고, 상부 정류판의 이격부 한가운데에 웨이퍼(50)가 놓여져 있는 세정조를 도시하며, 도 4는 상부 정류판의 구멍(42) (또는 이격부)들과 하부 정류판의 구멍(40) (또는 이격부)들이 일직선 상에 놓이도록 상,하부 정류판들이 정렬되어 있고, 상부 정류판의 구멍(42) 한가운데에 웨이퍼(50)가 놓여져 있는 세정조를 도시하고, 도 5는 상부 정류판의 구멍(42) (또는 이격부)들과 하부 정류판의 구멍(40) (또는 이격부)들이 일직선 상에 놓이도록 상,하부 정류판들의 정렬되어 있고, 상부 정류판의 이격부 한가운데에 웨이퍼(50)가 놓여져 있는 세정조를 도시한다.2, the upper and lower rectifying plates are aligned so that the holes 42 (or the spacing portions) of the upper rectifying plate and the spacing portions (or the holes 40) of the lower rectifying plate lie in a straight line. 3 shows a cleaning tank in which a wafer 50 is placed in the middle of the holes 42 of the upper rectifying plate, and FIG. 3 shows the gaps (or holes) of the holes 42 (or spacing portions) of the upper rectifying plate and the lower rectifying plate. The upper and lower rectifying plates are aligned so that the upper and lower rectifying plates are aligned, and the wafer 50 is placed in the middle of the separation part of the upper rectifying plate, and FIG. 42) The upper and lower rectifying plates are aligned so that the (or the separating parts) and the holes 40 (or the separating parts) of the lower rectifying plate are in a straight line, and the wafer (in the middle of the holes 42 of the upper rectifying plate) is aligned. 50 shows the cleaning bath in which 50 is placed, and FIG. 5 shows the holes 42 (or spacing) of the upper rectifying plate and the lower one. Of the current plate hole 40 (or the spacing portion) it is aligned from the upper and lower current plate to be placed in a straight line, and shows a cleaning tank with the wafer 50 in the middle portion spaced apart from the upper current plate is put.
언급한 네가지 경우로 탈이온수의 유동을 조사해본 결과, 첫째, 탈이온수의 흐름에 압력체로 작용하는 웨이퍼와 정류판이 규칙적으로 배열되어 있지 못할 경우 (도 2 내지 도 5의 경우 웨이퍼와 정류판이 규칙적으로 배열되어 있는 경우임) 탈이온수의 유동은 더욱 불규칙해지고, 둘째, 정류판의 구멍 상에 위치하는 웨이퍼는 탈이온수의 흐름에 대한 압력체로 작용하여 탈이온수의 흐름을 방해하지만, 웨이퍼들 사이의 간격이 정류판의 구멍 크기보다 클 경우 탈이온수의 흐름이 더욱 균일해진다는 것을 알 수 있다 (웨이퍼가 정류판의 구멍의 정확히 한가운데에 위치할 경우, 탈이온수의 흐름을 정확히 반으로 나누므로 효율이 좋아짐).As a result of investigating the flow of deionized water in the four cases mentioned above, first, when the wafer and the rectifying plate which act as pressure bodies in the flow of deionized water are not regularly arranged (in the case of FIGS. 2 to 5, the wafer and the rectifying plate are regularly Arrangements), the flow of deionized water becomes more irregular, and secondly, the wafers placed on the holes of the rectifying plate act as a pressure body for the flow of deionized water to hinder the flow of deionized water, but the gap between the wafers It can be seen that the flow of deionized water becomes more uniform when the size of the rectifying plate is larger than the hole size. (If the wafer is located in the middle of the hole of the rectifying plate, the deionized water flow is divided in half and the efficiency is improved. ).
이때, 상기 정류판의 구멍들의 크기 및 이격부의 크기가 각각 3㎜이하인 것이 가장 바람직하다.At this time, it is most preferable that the size of the holes of the rectifying plate and the size of the separation portion are each 3 mm or less.
상기 도 5와 같은 구조의 세정조에 대한 2차원 유동 해석을 실시한 결과, 웨이퍼들 사이로 흐르는 탈이온수의 양은 정류판의 구멍들 (또는 이격부들)과 웨이퍼의 위치가 규칙적이지 않은 일반적인 세정조와 비교해 보았을 때 보다 약 5배 정도 증가하는 결과를 보였고 (7% → 35%), 맨 바깥쪽의 웨이퍼들을 제외하고는 전 웨이퍼에 걸쳐 균일한 유동이 형성되는 것을 확인할 수 있었다.As a result of the two-dimensional flow analysis of the cleaning tank having the structure as shown in FIG. 5, the amount of deionized water flowing between the wafers is compared with the general cleaning tank whose holes (or separation parts) of the rectifying plate and the position of the wafer are not regular. The results were increased about 5 times (7% → 35%), and it was confirmed that a uniform flow was formed over the entire wafer except the outermost wafers.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical idea of the present invention.
본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 세정조에 의하면, 상,하부 정류판의 구멍들을 정렬시키거나 상부 정류판의 구멍과 하부 정류판의 이격부를 정렬시키고 웨이퍼를 상기 구멍 또는 이격부의 정확히 한가운데에 위치시켜 웨이퍼들 사이로 통과하는 탈이온수의 양을 늘림으로써 웨이퍼의 세정효율을 높일 수 있다.According to the cleaning tank of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the holes of the upper and lower rectifying plates or the separation of the holes of the upper and lower rectifying plate and the separation of the lower rectifying plate, and place the wafer in the exact middle of the hole or the space of the wafer Increasing the amount of deionized water passing between them can increase the cleaning efficiency of the wafer.
Claims (4)
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019970009556A KR19980073955A (en) | 1997-03-20 | 1997-03-20 | Cleaning tank of semiconductor manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019970009556A KR19980073955A (en) | 1997-03-20 | 1997-03-20 | Cleaning tank of semiconductor manufacturing apparatus |
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ID=65950222
Family Applications (1)
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KR1019970009556A KR19980073955A (en) | 1997-03-20 | 1997-03-20 | Cleaning tank of semiconductor manufacturing apparatus |
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KR (1) | KR19980073955A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030046221A (en) * | 2001-12-05 | 2003-06-12 | 삼성전자주식회사 | Wet etch equipment including final rinse bath |
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1997
- 1997-03-20 KR KR1019970009556A patent/KR19980073955A/en active Application Filing
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20030046221A (en) * | 2001-12-05 | 2003-06-12 | 삼성전자주식회사 | Wet etch equipment including final rinse bath |
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