KR19980069168A - 가스 분사장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 가스 분사장치에 관한 것으로, 웨이퍼를 가공하는 챔버의 사방면에 노즐을 분리 설치하여, 한 개의 노즐에 이상현상이 발생할 경우 교체 사용할 수 있도록 하는 가스 분사장치에 관한 것이다.

이를 위한 본 발명에 따른 가스 분사장치는, 내부에 웨이퍼를 위치시키고 노즐을 통해 소정 가스를 주입하여, 화학적 반응에 의해 반도체 웨이퍼위에 박막이나 에피층을 형성하도록 챔버가 구비된 가스 분사장치에 있어서, 상기 챔버의 사방면에 형성되어 각 방향에서 소정 가스가 주입되게 하는 노즐과, 상기 노즐과 대향되게 상기 챔버에 형성되어 상기 노즐을 통해 분사되는 가스가 분산되도록 하는 안내부를 구비한다.

Description

가스 분사장치

본 발명은 가스 분사장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼를 가공하는 챔버의 사방면에 노즐을 분리 설치하여, 한 개의 노즐에 이상현상이 발생할 경우 교체 사용할 수 있도록 하는 가스 분사장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 제조공정에 이용되는 화학기상증착(이하, 0bCVD0c라 약칭한다)이란 것은, 기체 상태의 화합물을 분해한 후 화학적 반응에 의해 반도체 기판위에 박막이나 에피층을 형성하는 것이다. 박막을 형성하는 과정은 실리콘 웨이퍼에 있는 물질을 이용하지 않고 주로 가스를 외부로부터 반응실로 인입하여 이루어지기 때문에, CVD는 다른 반도체 공정과는 구별된다.

인입된 반응 가스를 분해하는 데는 열, RF 전력에 의한 플라즈마 에너지, 레이저 또는 자외선의 광 에너지가 이용되며, 기판의 가열에 의하여 분해된 원자나 분자의 반응을 촉진하거나 형성된 박막의 물리적 성질을 조절하기도 한다. CVD는 공정중의 반응실의 진공도에 따라 대기압 화학기상증착(APCVD)과 저압 화학기상증착(LPCVD)으로 나뉘어지며, 본 발명에서 다루고자하는 것은, 저압 화학기상증착의 챔버 내부에서 실리콘 증착공정으로 사용되는 가스노즐 고정장치의 분산 설치에 관한 것이다.

도 1은, 전술한 가스 노즐이 챔버의 일 측부에 설치되어 있는 상태를 개략적으로 나타낸 단면도로서, 챔버(10)의 내부에 웨이퍼(도시하지 않았음)가 위치되는 안착부(20)와, 이 안착부(20)에 위치된 웨이퍼로 소정 가스를 주입할 수 있도록 챔버(10)의 일 측부에 고정되는 노즐(30)로 구성된다.

이와 같이 구성된 상태에서, 노즐을 통해 소정 가스를 웨이퍼 상부로 분사하는 경우에, 노즐 단부의 막힘으로 인한 이상 현상이 발생하게 되면, 노즐 전체를 교체해야 되는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은, 노즐 단부에서 막힘으로 인한 이상 현상이 발생할 경우에 노즐을 교환할 수 있도록 하는 가스 분사장치를 제공하는 것에 있다.

도 1은 종래의 웨이퍼를 가공하는 챔버의 일 측부에 장착된 노즐을 개략적으로 나타낸 단면도,

도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 노즐이 챔버에 장착된 상태를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

*도면의 주요부분에 사용된 부호의 설명*

100: 챔버200: 노즐

300: 안내부

전술한 본 발명의 목적은, 내부에 웨이퍼를 위치시키고 노즐을 통해 소정 가스를 주입하여, 화학적 반응에 의해 반도체 웨이퍼위에 박막이나 에피층을 형성하도록 챔버가 구비된 가스 분사장치에 있어서, 상기 챔버의 사방면에 형성되어 각 방향에서 소정 가스가 주입되게 하는 노즐과, 상기 노즐과 대향되게 상기 챔버에 형성되어 상기 노즐을 통해 분사되는 가스가 분산되도록 하는 안내부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 분사장치를 제공함에 의해 달성된다.

본 발명의 바람직한 특징에 의하면, 상기 노즐은, 상기 챔버에 장착되어 수평방향으로 이동이 가능하도록 형성한다.

본 발명의 다른 바람직한 특징에 의하면, 상기 안내부는 원주를 중심으로 소정 각도로 곡률 되도록 형성한다.

본 발명의 다른 특징과 효과는, 이하 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명할 본 발명의 바람직한 실시 예에 의해 더욱 명확해질 것이다.

도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 노즐이 챔버에 장착된 상태를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

본 실시예에 의한 가스 분사장치는, 도 2에 도시된 바와 같이, 외주연이 정사각형 형상의 챔버(100)와, 이 챔버(100)의 각 외주면 중심에 형성된 노즐(200)과, 이 노즐(200)과 대향되도록 챔버(100)의 내측부에 안내부(300)를 구비한다.

전술한 노즐(200)은, 각각의 챔버(100) 면과 수평으로 이동이 가능하여, 챔버(100)와 장착/탈착이 가능하며, 노즐(200)의 단부에 구비되는 안내부(300)는 노즐(200)을 통해 분사되는 가스를 웨이퍼로 완전하게 분산되면서 분사되도록 지원한다.

또한, 안내부(300)는 원주를 중심으로 소정 각도로 곡률 되도록 형성하여, 노즐(200) 단부의 방향성을 유도한다.

이하, 이와 같이 구성된 본 실시예의 작용을 설명한다.

먼저, 챔버(100)의 각 외주면에 장착된 노즐(200) 중, 하나의 노즐(200)을 이용하여 챔버(100)의 내측으로 소정 가스를 분사하는 과정에서, 노즐(200) 단부가 막힘으로 이상 현상이 발생하게 되면, 다른 노즐(200)을 통하여 가스를 주입하게 된다.

여기서, 노즐(200)을 교체할 경우에는, 노즐(200) 몸체가 챔버(100)와 분리되므로 화살표 방향으로 이동시켜 교체하면 된다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 가스 분사장치에 의하면, 노즐 단부의 막힘으로 인한 이상 현상이 발생하게 되면, 노즐을 챔버와 분리시켜 편리하게 교체하면 되고, 다른 노즐을 통해 가스를 분사하면 되는 효과가 있다.

Claims (3)

1. 내부에 웨이퍼를 위치시키고 노즐을 통해 소정 가스를 주입하여, 화학적 반응에 의해 반도체 웨이퍼위에 박막이나 에피층을 형성하도록 챔버가 구비된 가스 분사장치에 있어서:

   상기 챔버의 사방면에 형성되어 각 방향에서 소정 가스가 주입되게 하는 노즐;

   상기 노즐과 대향되게 상기 챔버에 형성되어 상기 노즐을 통해 분사되는 가스가 분산되도록 하는 안내부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 분사장치.
2. 제 1항에 있어서, 상기 노즐은, 상기 챔버에 장착되어 수평방향으로 이동이 가능하도록 형성된 것을 특징으로 하는 가스 분사장치.
3. 제 1항에 있어서, 상기 안내부는 원주를 중심으로 소정 각도로 곡률 되도록 형성된 것을 특징으로 하는 가스 분사장치.