KR19980067982A - Phase Detection Output Circuit of Phase Synchronous Loop - Google Patents

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KR19980067982A KR1019970004377A KR19970004377A KR19980067982A KR 19980067982 A KR19980067982 A KR 19980067982A KR 1019970004377 A KR1019970004377 A KR 1019970004377A KR 19970004377 A KR19970004377 A KR 19970004377A KR 19980067982 A KR19980067982 A KR 19980067982A
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Abstract

본 발명은 위상동기루프(Phase Locked Loop)에 관한 것으로서, 구체적으로는 위상동기루프내의 위상검출 출력부에 관한 것으로서, 제 1 노드로 전달되는 위상검출신호를 인가받고 상기 신호를 지연시켜 지연신호를 출력하는 지연부와; 제 2 노드로 전달되는 위상검출신호를 인가받고 상기 신호를 반전시켜 반전신호를 출력하는 반전부와; 상기 지연신호와 반전신호를 인가받아 제 1 위상출력신호를 출력하는 제 1 위상출력부와; 상기 지연신호와 반전신호를 인가받아 제 2 위상출력신호를 출력하는 제 2 위상출력부를 포함한다. 이와 같은 장치에 의해서 종래보다 샤프(Sharp)하게 접지전압레벨로 방전되는 위상출력신호를 얻을수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phase locked loop, and more particularly, to a phase detection output unit in a phase locked loop. The present invention relates to a phase locked loop, which receives a phase detection signal transmitted to a first node, delays the signal, A delay unit for outputting; An inversion unit receiving a phase detection signal transmitted to a second node and inverting the signal to output an inversion signal; A first phase output unit receiving the delay signal and the inverted signal and outputting a first phase output signal; And a second phase output unit configured to receive the delay signal and the inverted signal and output a second phase output signal. By such a device, a phase output signal discharged to a ground voltage level sharply can be obtained.

Description

위상동기루프의 위상검출 출력회로.Phase detection output circuit of phase synchronization loop.

본 발명은 위상동기루프(Phase Locked Loop)에 관한 것으로서, 구체적으로는 위상동기루프내의 위상검출 출력회로에 관한것이다.The present invention relates to a phase locked loop, and more particularly, to a phase detection output circuit in a phase locked loop.

도 1에는 위상동기루프의 블록도가 개략적으로 도시되어 있다.1 is a schematic block diagram of a phase locked loop.

도 1을 참조하면 상기 위상동기루프는 기본적인 구성만을 지닌것으로 전압제어발진부(10), 위상검출부(20), 위상검출 출력부(30), 루프필터(40)를 포함한다. 상기 전압제어발진부(10)는 소정신호를 인가받아 발진신호(fT)를 출력한다. 그리고 상기 위상검출부(20)는 기준신호(fi)와 상기 발진신호(fT)를 인가받아 상기 신호들의 위상차를 검출하고, 상기 검출된 결과에 따른 위상차에 의해 상기 신호가 지연되어 위상검출신호들이 출력된다. 상기 위상검출 출력부(20)는 상기 위상검출신호들을 인가받아 위상출력신호들을 출력한다. 상기 루프필터(40)는 상기 위상출력신호를 인가받아 교류성분을 제외한 직류레벨성분을 출력한다.Referring to FIG. 1, the phase synchronization loop has only a basic configuration, and includes a voltage controlled oscillator 10, a phase detector 20, a phase detector output unit 30, and a loop filter 40. The voltage controlled oscillator 10 receives a predetermined signal and outputs an oscillation signal f T. The phase detection unit 20 receives a reference signal fi and the oscillation signal f T to detect phase differences of the signals, and delays the signals by the phase difference according to the detected result to detect phase detection signals. Is output. The phase detection output unit 20 receives the phase detection signals and outputs phase output signals. The loop filter 40 receives the phase output signal and outputs a DC level component except for an AC component.

도 1을 참조하면, 상기 위상동기루프내의 상기 위상검출 출력부(30)는 제 1 반전부(50), 제 2 반전부(60), 제 1 위상출력부(70), 그리고 제 2 위상출력부(80)를 포함하는 구성을 갖는다.Referring to FIG. 1, the phase detection output unit 30 in the phase synchronization loop may include a first inversion unit 50, a second inversion unit 60, a first phase output unit 70, and a second phase output. It has the structure containing the part 80.

상기 위상검출 출력부(30)는 상기 위상검출부(20)로부터 출력되어 제 1 노드(n1)와 제 2 노드(n2)로 전달되는 위상검출신호들을 인가받는다. 상기 제 1 반전부(20)는 제 1 노드(n1)에 전달된 위상검출신호를 인가받아 이를 반전시켜 제 3 노드(n3)로 전달한다. 그리고 상기 제 1 반전부(50)는 제 1 인버터(52)를 포함한다. 상기 제 2 반전부(60)는 제 2 노드(n2)에 전달된 위상검출신호를 인가받아 이를 반전시켜 제 4 노드(n4)로 전달한다. 그리고 상기 제 2 반전부(60)는 제 2 인버터(62)를 포함한다.The phase detection output unit 30 receives the phase detection signals output from the phase detection unit 20 and transmitted to the first node n1 and the second node n2. The first inverting unit 20 receives the phase detection signal transmitted to the first node n1, inverts it, and transmits the inverted signal to the third node n3. The first inverting unit 50 includes a first inverter 52. The second inverting unit 60 receives the phase detection signal transmitted to the second node n2 and inverts it to be transmitted to the fourth node n4. In addition, the second inverting unit 60 includes a second inverter 62.

상기 제 1 위상출력부(70)는 제 2 노드(n2)와 제 3 노드(n3)에 전달된 반전신호들을 인가받아 제 1 위상출력신호(DOP1)를 출력한다. 그리고 상기 제 1 위상출력부(70)는 제 3 인버터(72), 제 4 인버터(74), 제 5 인버터(76), 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1), 그리고 제 1 NMOS 트랜지스터(MN1)를 포함한다. 동시에 상기 제 2 위상출력부(80)는 제 2 노드(n2)와 제 3 노드(n3)에 전달된 반전신호들을 인가받아 제 2 위상출력신호(DOA1)를 출력한다. 상기 제 2 위상출력부(80)는 제 6 인버터(82), 제 7 인버터(84), 제 8 인버터(86), 제 2 PMOS 트랜지스터(MP2), 그리고 제 2 NMOS 트랜지스터(MN2)를 포함한다.The first phase output unit 70 receives the inverted signals transmitted to the second node n2 and the third node n3 and outputs the first phase output signal DOP1. The first phase output unit 70 includes a third inverter 72, a fourth inverter 74, a fifth inverter 76, a first PMOS transistor MP1, and a first NMOS transistor MN1. do. At the same time, the second phase output unit 80 receives the inverted signals transmitted to the second node n2 and the third node n3 and outputs the second phase output signal DOA1. The second phase output unit 80 includes a sixth inverter 82, a seventh inverter 84, an eighth inverter 86, a second PMOS transistor MP2, and a second NMOS transistor MN2. .

도 1을 참조하면, 상술한 바와 같은 구성을 갖는 위상검출 출력회로의 동작은 다음과 같다.Referring to Fig. 1, the operation of the phase detection output circuit having the above configuration is as follows.

상기 위상검출 출력부(30)는 제 1 반전부(50), 제 2 반전부(60), 제 1 위상출력부(70), 그리고 제 2 위상출력부(80)를 포함한다. 상기 제 1 노드(n1)에 전달된 위상검출신호는 제 1 반전부(50)에 인가되며, 상기 제 1 반전부(50)는 상기 신호를 반전시켜 제 3 노드(n3)로 전달한다. 그리고 제 2 노드(n2)에 전달된 위상검출신호는 제 2 반전부(60)에 인가되며, 상기 제 2 반전부(60)는 상기 신호를 반전시켜 제 4 노드(n4)로 전달한다. 상기 제 3 노드(n3)와 제 4 노드(n4)에 전달된 신호들은 제 1 위상출력부(70)와, 제 2 위상출력부(80)에 동시에 인가된다.The phase detection output unit 30 includes a first inversion unit 50, a second inversion unit 60, a first phase output unit 70, and a second phase output unit 80. The phase detection signal transmitted to the first node n1 is applied to the first inverting unit 50, and the first inverting unit 50 inverts the signal and transfers the signal to the third node n3. The phase detection signal transmitted to the second node n2 is applied to the second inverting unit 60, and the second inverting unit 60 inverts the signal and transfers the signal to the fourth node n4. The signals transmitted to the third node n3 and the fourth node n4 are simultaneously applied to the first phase output unit 70 and the second phase output unit 80.

상기 제 1 위상출력부(70)는 제 1 노드(n1)의 위상검출신호가 제 1 인버터(52), 제 4 인버터(74), 제 5 인버터(76)를 통과함으로써 상기 신호는 지연되어 제 1 NMOS 트랜지스터(MN1)의 게이트에 인가된다. 그리고 제 2 노드(n2)의 위상검출신호는 제 2 인버터(62), 제 3 인버터(72)를 통과함으로써 신호가 지연되어 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1)의 게이트에 인가된다. 상기 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1)와 제 1 NMOS 트랜지스터(MN1)는 상기 게이트에 인가된 지연신호들에 의해 턴-온, 턴-오프되어 제 1 위상출력신호(DOP1)가 출력된다.In the first phase output unit 70, the phase detection signal of the first node n1 passes through the first inverter 52, the fourth inverter 74, and the fifth inverter 76, thereby delaying the signal. 1 is applied to the gate of the NMOS transistor MN1. The phase detection signal of the second node n2 passes through the second inverter 62 and the third inverter 72 so that the signal is delayed and applied to the gate of the first PMOS transistor MP1. The first PMOS transistor MP1 and the first NMOS transistor MN1 are turned on and turned off by delay signals applied to the gate to output the first phase output signal DOP1.

제 2 위상출력부(80)는 상기 제 1 위상출력부(70)와 동일한 구성을 갖고, 단 제 2 노드(n2)의 신호와 제 3 노드(n3)의 신호가 상기 제 1 위상출력부(70)와는 반대의 입력단에 인가되기 때문에 약간의 신호지연의 차이는 있지만 상기 제 1 위상출력부(70)와 반대의 위상을 갖는 제 2 위상출력신호(DOA1)가 출력된다.The second phase output unit 80 has the same configuration as the first phase output unit 70, except that the signal of the second node n2 and the signal of the third node n3 are the first phase output unit ( The second phase output signal DOA1 having a phase opposite to that of the first phase output unit 70 is output, although there is a slight difference in signal delay since it is applied to the input terminal opposite to 70).

상기 위상검출 출력부(30)의 제 1 위상출력신호(DOP1)의 출력파형은 도 4에 도시되어 있다.An output waveform of the first phase output signal DOP1 of the phase detection output unit 30 is shown in FIG. 4.

그러나, 상술한 바와 같은 종래의 위상검출 출력부(30)에 의하면, 상기 위상동기루프의 필터내 커패시터 성분에 의해 상기 위상출력신호는 전원전압(Vdd)레벨에서 접지전압레벨로 빠른 시간내에 방전되지 않기 때문에 상기 루프필터로부터 정확한 직류레벨성분이 출력되지 않는 문제점이 생기게 된다.However, according to the conventional phase detection output unit 30 as described above, the phase output signal is not discharged quickly from the power supply voltage Vdd level to the ground voltage level by the capacitor component in the filter of the phase synchronization loop. This causes a problem that the correct DC level component is not output from the loop filter.

따라서 본 발명의 목적은 상술한 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 위상출력신호들이 전원전압레벨에서 접지전압레벨로 빠른시간내에 방전되는 위상검출 출력부를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a phase detection output unit in which phase output signals are discharged in a short time from a power supply voltage level to a ground voltage level.

도 1은 위상동기루프의 구성을 개략적으로 보여주는 블럭도.1 is a block diagram schematically showing the configuration of a phase locked loop;

도 2는 도 1의 위상동기루프의 종래 위상검출 출력부를 보여주는 회로도.2 is a circuit diagram showing a conventional phase detection output of the phase locked loop of FIG.

도 3은 도 1의 위상동기루프내의 본 발명의 실시예에 따른 위상검출 출력부를 상세히 보여주는 회로도.3 is a circuit diagram showing in detail the phase detection output unit according to the embodiment of the present invention in the phase synchronization loop of FIG.

도 4는 도 3의 위상검출 출력부의 각 노드 출력타이밍도.4 is an output timing diagram of each node of the phase detection output unit of FIG. 3;

*도면의 주요부분에 대한 부호 설명* Explanation of symbols on main parts of the drawings

400 : 지연부 500 : 반전부400: delay unit 500: inverting unit

600 : 제 1 위상출력부 700 : 제 2 위상출력부600: first phase output unit 700: second phase output unit

(구성)(Configuration)

상술한 바와같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일특징에 의하면, 제 1 노드로 전달되는 위상검출신호를 인가 받고, 상기 신호를 지연시켜 제 3 노드로 지연신호를 전달하는 지연수단과; 제 2 노드로 전달되는 위상검출신호를 인가받고, 상기 신호를 반전시켜 제 4 노드로 반전신호를 전달하는 반전수단과; 상기 지연신호와 상기 반전신호를 인가받아 제 1 위상출력신호를 출력하는 제 1 위상출력수단과; 상기 지연신호와 반전신호를 인가받아 제 2 위상출력신호를 출력하는 제 2 위상출력수단을 포함하는 위상검출 출력회로이다.According to one aspect of the present invention for achieving the above object, a delay means for receiving a phase detection signal transmitted to the first node, delaying the signal to deliver a delay signal to a third node; Inversion means for receiving a phase detection signal transmitted to a second node, inverting the signal, and transferring an inversion signal to a fourth node; First phase output means for receiving the delay signal and the inverted signal and outputting a first phase output signal; And a second phase output means for receiving the delay signal and the inverted signal and outputting a second phase output signal.

이 회로의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 지연수단은 입력단이 제 1 노드에 연결되는 제 1 인버터, 입력단이 상기 제 1 인버터의 출력단과 연결된 제 2 인버터, 그리고 입력단이 상기 제 2 인버터의 출력단에 연결되고 출력단이 제 3 노드에 연결된 제 3 인버터를 포함한다.In a preferred embodiment of the circuit, the delay means comprises a first inverter having an input terminal connected to the first node, a second inverter having an input terminal connected to the output terminal of the first inverter, and an input terminal connected to the output terminal of the second inverter. And an output terminal connected to the third node.

이 회로의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 반전수단은 입력단이 제 2 노드에 연결되고 출력단이 제 4 노드에 연결된 제 4 인버터를 포함한다.In a preferred embodiment of this circuit, the inverting means comprises a fourth inverter having an input terminal connected to the second node and an output terminal connected to the fourth node.

이 회로의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 1 위상출력수단은 입력단이 제 4 노드에 연결된 제 5 인버터, 소스에 전원전압이 인가되고 게이트가 상기 제 5 인버터의 출력단에 연결되고 드레인이 제 1 위상출력신호가 출력되는 출력단에 연결되는 제 1 PMOS 트랜지스터, 입력단이 제 3 노드에 연결되는 제 6 인버터, 입력단이 상기 제 6 인버터의 출력단과 연결된 제 7 인버터, 그리고 드레인이 상기 제 1 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고 게이트가 상기 제 7 인버터(406)의 출력단에 연결되고 소스가 접지된 제 1 NMOS 트랜지스터를 포함한다.In a preferred embodiment of the circuit, the first phase output means includes a fifth inverter having an input terminal connected to a fourth node, a power supply voltage being applied to a source, a gate connected to an output terminal of the fifth inverter, and a drain having a first phase. A first PMOS transistor connected to an output terminal to which an output signal is output, a sixth inverter connected to an input terminal of the third node, a seventh inverter connected to an output terminal of the sixth inverter, and a drain of the first PMOS transistor And a first NMOS transistor connected at a gate thereof to a output terminal of the seventh inverter 406 and having a source grounded.

이 회로의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제 2 위상 출력수단은 입력단이 제 3 노드에 연결된 제 8 인버터, 소스에 전원전압이 인가되고 게이트가 상기 제 8 인버터의 출력단과 연결되고 드레인이 제 2 위상출력신호가 출력되는 출력단에 연결된 제 2 PMOS 트랜지스터, 입력단이 제 4 노드에 연결된 제 9 인버터, 입력단이 상기 제 9 인버터(504)의 출력단에 연결된 제 10 인버터, 그리고 드레인이 상기 제 2 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고 게이트가 상기 제 10 인버터의 출력단에 연결되고 소스가 접지된 제 2 NMOS 트랜지스터를 포함한다.In a preferred embodiment of the circuit, the second phase output means includes an eighth inverter having an input terminal connected to a third node, a power supply voltage being applied to a source, a gate connected to an output terminal of the eighth inverter, and a drain having a second phase. A second PMOS transistor connected to an output terminal to which an output signal is output, a ninth inverter connected to an input terminal of the fourth node, a tenth inverter connected to an output terminal of the ninth inverter 504, and a drain of the second PMOS transistor; And a second NMOS transistor connected to a drain, a gate connected to an output terminal of the tenth inverter, and a source grounded.

(작용)(Action)

이와 같은 장치에 의해서 위상출력신호가 짧은 시간동안 접지전압레벨로 방전되기 때문에 종전보다 샤프한 위상출력신호가 출력되고, 상기 샤프한 위상출력신호는 위상동기루프내의 루프필터에 인가되어 정확한 직류레벨성분을 얻을수 있다.Since the phase output signal is discharged to the ground voltage level for a short time by such a device, a sharper phase output signal is output than before, and the sharp phase output signal is applied to a loop filter in the phase synchronization loop to obtain an accurate DC level component. have.

(실시예)(Example)

이하 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 참조도면 도 3내지, 도 4에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, reference will be made in detail with reference to FIGS. 3 to 4 according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3에는 위상동기루프내의 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 위상검출 출력부(300)의 회로가 도시되어 있다.3 shows a circuit of a phase detection output 300 according to a preferred embodiment of the present invention in a phase locked loop.

도 4에는 상기 위상검출 출력부(300)의 각 노드 출력타이밍도가 도시되어 있다.4, each node output timing diagram of the phase detection output unit 300 is shown.

도 1에 도시된 상기 위상동기루프내의 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 위상검출 출력부(300)를 설명하면 다음과 같다.Referring to the phase detection output unit 300 according to the preferred embodiment of the present invention in the phase synchronization loop shown in FIG.

도 3를 참조하면, 상기 위상검출 출력부(300)는 지연부(500), 반전부(600), 제 1 위상출력부(700), 그리고 제 2 위상출력부(800)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the phase detection output unit 300 includes a delay unit 500, an inversion unit 600, a first phase output unit 700, and a second phase output unit 800.

상기 위상검출 출력부(300)는 상기 위상검출부(200)로부터 출력되는 위상검출신호들을 제 1 노드(n1)와 제 2 노드(n2)를 통해 전달받는다. 상기 지연부(500)는 상기 제 1 노드(n1)에 전달된 위상검출신호를 인가받고, 일정시간 상기 신호를 지연시켜 제 3 노드(n3)로 전달한다. 상기 지연부(500)는 제 1 노드(n1)부터 제 3 노드(n3)까지 일렬로 연결된 제 1 인버터(502), 제 2 인버터(504), 그리고 제 3 인버터(506)를 포함한다. 그리고 반전부(600)는 제 2 노드(n2)에 전달된 위상검출신호를 인가받고, 상기 신호를 반전시켜 제 4 노드(n4)로 전달하며 상기 반전부(600)는 제 4 인버터(602)를 포함한다.The phase detection output unit 300 receives the phase detection signals output from the phase detection unit 200 through the first node n1 and the second node n2. The delay unit 500 receives the phase detection signal transmitted to the first node n1, delays the signal for a predetermined time, and delivers the signal to the third node n3. The delay unit 500 includes a first inverter 502, a second inverter 504, and a third inverter 506 connected in series from the first node n1 to the third node n3. The inverter 600 receives the phase detection signal transmitted to the second node n2, inverts the signal, and transmits the inverted signal to the fourth node n4. The inverter 600 is the fourth inverter 602. It includes.

상기 제 1 위상출력부(700)는 제 3 노드(n3)에 전달된 지연신호를 인가받고, 제 4 노드(n4)에 전달된 반전신호를 인가받아 제 1 위상출력신호(DOP)를 출력한다. 그리고 상기 제 1 위상출력부(700)는 제 5 인버터(702), 제 6 인버터(704), 제 7 인버터(706), 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1), 그리고 제 2 NMOS 트랜지스터(MN1)를 포함한다. 동시에 상기 제 2 위상출력부(800)는 상기 제 3 노드(n3)에 전달된 지연신호와, 제 4 노드(n4)에 전달된 반전신호를 인가받아 제 2 위상출력신호(DOA)를 출력한다. 그리고 상기 제 2 위상출력부(800)는 제 8 인버터(802), 제 9 인버터(804), 제 10 인버터(806), 제 2 PMOS 트랜지스터(MP2), 그리고 제 2 NMOS 트랜지스터(MN2)를 포함한다.The first phase output unit 700 receives the delay signal transmitted to the third node n3 and receives the inverted signal transmitted to the fourth node n4 and outputs the first phase output signal DOP. . The first phase output unit 700 includes a fifth inverter 702, a sixth inverter 704, a seventh inverter 706, a first PMOS transistor MP1, and a second NMOS transistor MN1. do. At the same time, the second phase output unit 800 receives the delay signal transmitted to the third node n3 and the inverted signal transmitted to the fourth node n4 to output the second phase output signal DOA. . The second phase output unit 800 includes an eighth inverter 802, a ninth inverter 804, a tenth inverter 806, a second PMOS transistor MP2, and a second NMOS transistor MN2. do.

도 3내지 도 4을 참조하면 상술한 바와 같은 구성을 갖는 위상검출 출력회로의 동작은 다음과 같다.3 to 4, the operation of the phase detection output circuit having the configuration as described above is as follows.

제 1 위상출력부(700)와 제 2 위상출력부(800)는 동일한 구성을 갖고 입력단에 인가되는 신호만이 서로 바뀌어, 위상만 서로 반대인 위상출력신호들이 발생되므로 제 1 위상출력신호(DOP)가 출력되는 동작만 설명하고자 한다. 제 2 노드(n2)에 전달된 위상검출신호가 로우레벨인동안 즉, 위상검출신호가 로우레벨에서 하이레벨로 바뀌기 전까지의 구간을 예로 들어 보자. 상기 구간에서 제 2 노드(n2)의 로우레벨 신호는 반전부(600)의 제 4 인버터(602)와 제 1 위상출력부(700)의 제 5 인버터(702)를 거쳐 로우레벨의 지연신호(DPP)를 상기 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1)의 게이트에 인가한다. 상기 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1)는 상기 로우레벨의 지연신호(DPP)로 인해 턴-온되어 전원전압(Vdd)레벨까지 상승하는 제 1 위상출력신호(DOP)를 출력한다.Since the first phase output unit 700 and the second phase output unit 800 have the same configuration and only signals applied to the input terminal are changed from each other, phase output signals having only opposite phases are generated. Will only be described. As an example, a section is provided while the phase detection signal transmitted to the second node n2 is at a low level, that is, before the phase detection signal is changed from a low level to a high level. In this section, the low level signal of the second node n2 passes through the fourth inverter 602 of the inverter 600 and the fifth inverter 702 of the first phase output unit 700. DPP is applied to the gate of the first PMOS transistor MP1. The first PMOS transistor MP1 outputs a first phase output signal DOP that is turned on due to the low level delay signal DPP and rises to a power supply voltage Vdd level.

상기 구간에서 제 1 노드(n1)의 위상검출신호는 제 2 노드(n2)의 위상검출신호가 로우레벨인동안 일정시간 하이레벨을 유지하다가 로우레벨로 떨어지게 된다. 상기 구간에서 제 1 노드(n1)의 제 1 위상검출신호는 지연부(500)의 제 1 인버터(502), 제 2 인버터(504), 제 3 인버터(506)와, 상기 제 1 위상출력부(700)의 제 6 인버터(704), 제 7 인버터(706)를 통과함으로써 상기 신호가 지연되어 상기 제 1 NMOS 트랜지스터 (MN1)의 게이트에 인가된다. 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(MN1)의 게이트에 하이레벨의 지연신호(DPN)가 인가되면 전원전압레벨에서 접지전압레벨로 방전되는 제 1 위상출력신호(DOP)를 출력한다.In this period, the phase detection signal of the first node n1 is maintained at a high level for a predetermined time while the phase detection signal of the second node n2 is at a low level, and then drops to a low level. The first phase detection signal of the first node n1 in the section includes the first inverter 502, the second inverter 504, the third inverter 506 of the delay unit 500, and the first phase output unit. The signal is delayed and applied to the gate of the first NMOS transistor MN1 by passing through the sixth inverter 704 and the seventh inverter 706 of 700. When the high level delay signal DPN is applied to the gate of the first NMOS transistor MN1, the first phase output signal DOP is discharged from the power supply voltage level to the ground voltage level.

상기 지연부(500)로 인해 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1)와, 제 1 NMOS 트랜지스터(MN1)는 서로 다른 타이밍에 턴-온된다. 그러므로 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1)가 턴-온될때는 제 1 NMOS 트랜지스터(MN1)가 턴-오프되고, 상기 제 1 PMOS(MP1)가 턴-오프될때는 제 1NMOS(MN1)가 턴-온된다. 그러므로 상기 지연신호(DPP)가 논리 ″0″인 동안에는 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1)가 턴-온되어 전원전압(Vdd) 레벨까지 상승하는 제 1 위상출력신호(DOP)가 출력되고, 상기 지연신호(DPN)가 논리 ″1″인 동안에는 제 1 NMOS 트랜지스터(MN1)가 턴-온됨으로써 전원전압레벨에서 접지전압레벨로 방전되는 제 1 위상출력신호(DOP)가 출력된다. 상기 제 1 NMOS 트랜지스터(NM1)가 턴-온되어 접지전압레벨로 방전됨에 따라 상기 제 1 위상출력신호(DOP)는 종래보다 더 샤프한 출력파형을 갖게 된다. 그러나 상기 제 1 위상출력신호(DOP)는 저항과 커패시터로 구성된 루프필터에 인가되기 때문에, 상기 커패시터 성분에 의해 상기 제 1 위상출력신호(DOP)가 바로 접지로 떨어지지 않고 완만한 기울기를 갖고 떨어지게 된다.Due to the delay unit 500, the first PMOS transistor MP1 and the first NMOS transistor MN1 are turned on at different timings. Therefore, when the first PMOS transistor MP1 is turned on, the first NMOS transistor MN1 is turned off, and when the first PMOS MP1 is turned off, the first NMOS MN1 is turned on. . Therefore, while the delay signal DPP is logic ″ 0 ″, the first phase output signal DOP is outputted in which the first PMOS transistor MP1 is turned on and rises to the power supply voltage Vdd level. While the DPN is logic ″ 1 ″, the first NMOS transistor MN1 is turned on to output the first phase output signal DOP discharged from the power supply voltage level to the ground voltage level. As the first NMOS transistor NM1 is turned on and discharged to the ground voltage level, the first phase output signal DOP has a sharper output waveform than before. However, since the first phase output signal DOP is applied to a loop filter composed of a resistor and a capacitor, the first phase output signal DOP does not directly fall to ground but falls with a gentle slope due to the capacitor component. .

제 2 위상출력부(800)는 상기 제 1 위상출력부(800)와 동일한 구성을 갖고 제 1 노드(n1)와 제 2 노드(n2)의 신호가 제 1 위상출력부(700)와는 반대로 인가되어 상기 제 1 위상출력부(700)와 반대의 위상을 갖는 제 2 위상출력신호(DOA)를 출력한다. 상기 제 1 위상출력신호(DOP)와 제 2 위상출력신호(DOA)는 두신호가 동시에 루프필터(40)에 인가되는 것이 아니라 선택적으로 한 신호만 루프필터(40)에 인가된다.The second phase output unit 800 has the same configuration as that of the first phase output unit 800, and the signals of the first node n1 and the second node n2 are applied opposite to the first phase output unit 700. And outputs a second phase output signal DOA having a phase opposite to that of the first phase output unit 700. The first phase output signal DOP and the second phase output signal DOA do not have two signals simultaneously applied to the loop filter 40, but only one signal is selectively applied to the loop filter 40.

상기 위상검출 출력부(300)에서 지연부(500)를 이용하여 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1)와 제 1 NMOS 트랜지스터(MN1)가 동시에 온이 되지 않도록 하는 이유는, 만일 상기 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1)와 제 1 NMOS 트랜지스터(MN1)가 동시에 온되면 짧은 시간동안 많은양의 전류가 접지로 빠져 나가기 때문에 더욱 뚜렷한 위상출력신호의 출력파형을 얻을 수 있지만 그에 반해, 누설전류(leakeage current)가 발생하는 문제점이 발생하여 직류레벨성분을 출력하는 상기 루프필터(40)의 출력파형에 약간의 오차가 생기게 된다. 그에 따라 상기 지연부(500)를 이용하여 상기 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1)와 제 1 NMOS 트랜지스터(MN1)가 서로 다른 타이밍에 턴-온이 되도록하면, 상기 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1)와 제 1 NMOS 트랜지스터(MN1)가 둘 다 온 되었을 때보다 위상출력신호의 파형은 덜 뚜렷하지만 누설전류(Leakage Cuerrent)로 인한 오차를 줄일수 있으면서, 종래보다는 약간 샤프(Sharp)한 출력파형을 얻을수 있다.The phase detection output unit 300 uses the delay unit 500 to prevent the first PMOS transistor MP1 and the first NMOS transistor MN1 from being turned on at the same time. ) And the first NMOS transistor MN1 are turned on at the same time, a large amount of current is drawn to the ground for a short time to obtain a more distinct output waveform of the phase output signal, while the leakage current (leakeage current) A problem occurs and a slight error occurs in the output waveform of the loop filter 40 outputting the DC level component. Accordingly, when the first PMOS transistor MP1 and the first NMOS transistor MN1 are turned on at different timings using the delay unit 500, the first PMOS transistor MP1 and the first PMOS transistor MP1 are turned on. The waveform of the phase output signal is less pronounced than when both the NMOS transistors MN1 are turned on, but the error caused by leakage current can be reduced, and a slightly sharper output waveform can be obtained.

상기한 바와 같이, 상기 위상검출 출력부는 전류가 짧은 시간동안 접지로 빠지기 때문에 종전보다 샤프한 위상출력신호를 얻을수 있고, 상기 샤프한 위상출력신호는 루프필터에 인가되어 정확한 직류레벨성분을 얻을수 있는 효과가 있다.As described above, the phase detection output unit can obtain a sharper phase output signal than before because the current falls to ground for a short time, and the sharp phase output signal is applied to the loop filter to obtain an accurate DC level component. .

Claims (5)

제 1 노드로 전달되는 위상검출신호를 인가받고, 상기 신호를 지연시켜 지연신호를 제 3 노드(n3)로 전달하는 지연수단(500)과;Delay means (500) receiving a phase detection signal transmitted to a first node, delaying the signal, and transmitting a delay signal to a third node (n3); 제 2 노드(n2)로 전달되는 위상검출신호를 인가받고, 상기 신호를 반전시켜 반전신호를 제 4 노드(n4)로 전달하는 반전수단(600)과;Inverting means (600) for receiving the phase detection signal transmitted to the second node (n2), inverting the signal, and transferring the inverted signal to the fourth node (n4); 상기 지연신호와, 상기 반전신호를 인가받아 제 1 위상출력신호(DOP)를 출력하는 제 1 위상출력수단(700)과;First phase output means (700) for receiving the delay signal and the inverted signal and outputting a first phase output signal (DOP); 상기 지연신호와, 반전신호를 인가받아 제 2 위상출력신호(DOA)를 출력하는 제 2 위상출력수단(800)을 포함하는 위상검출 출력부A phase detection output unit including a second phase output means 800 for receiving the delay signal and the inverted signal and outputting a second phase output signal DOA 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 지연수단(500)은,The delay means 500, 입력단이 상기 제 1 노드(n1)와 연결되는 제 1 인버터(502)와;A first inverter (502) having an input terminal connected to the first node (n1); 입력단이 상기 제 1 인버터(502)의 출력단과 연결된 제 2 인버터(504)와;A second inverter 504 whose input terminal is connected to the output terminal of the first inverter 502; 입력단이 상기 제 2 인버터(504)의 출력단과 연결되고, 출력단이 제 3 노드(n3)에 연결된 제 3 인버터(506)를 포함하는 위상검출 출력부.And a third inverter (506) having an input terminal connected to an output terminal of the second inverter (504) and an output terminal connected to a third node (n3). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반전수단(600)은,The inverting means 600, 입력단이 상기 제 2 노드(n2)와 연결되고, 출력단이 제 4 노드(n4)에 연결된 제 4 인버터(602)를 포함하는 위상검출 출력부.And a fourth inverter (602) having an input terminal coupled to the second node (n2) and an output terminal coupled to a fourth node (n4). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 위상출력수단(700)은,The first phase output means 700, 입력단이 제 4 노드(n4)에 연결된 제 5 인버터(702)와;A fifth inverter 702 whose input is connected to the fourth node n4; 소스에 전원전압(Vdd)이 인가되고, 게이트가 상기 제 5 인버터(702)의 출력단에 연결되고, 드레인이 제 1 위상출력신호(DOP)가 출력되는 출력단에 연결된 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1)와;A first PMOS transistor MP1 connected to an output terminal of a source voltage Vdd, a gate connected to an output terminal of the fifth inverter 702, and a drain connected to an output terminal of a first phase output signal DOP; ; 입력단이 제 3 노드(n3)에 연결되는 제 6 인버터(704)와;A sixth inverter 704 whose input is connected to the third node n3; 입력단이 상기 제 6 인버터(704)의 출력단과 연결된 제 7 인버터(706)와;A seventh inverter 706 having an input terminal connected to the output terminal of the sixth inverter 704; 드레인이 상기 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1)의 드레인에 연결되고, 게이트가 상기 제 7 인버터(706)의 출력단에 연결되고, 소스가 접지된 제 1 NMOS 트랜지스터(MN1)를 포함하는 위상검출 출력부.And a drain connected to the drain of the first PMOS transistor (MP1), a gate connected to an output terminal of the seventh inverter (706), and a source-grounded first NMOS transistor (MN1). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 위상 출력수단(800)은,The second phase output means 800, 입력단이 제 3 노드(n3)에 연결된 제 8 인버터(802)와;An eighth inverter 802 whose input terminal is connected to the third node n3; 소스에 전원전압(Vdd)이 인가되고, 게이트가 상기 제 8 인버터(802)의 출력단과 연결되고, 드레인이 제 2 위상출력신호(DOA)가 출력되는 출력단에 연결된 제 2 PMOS 트랜지스터(MP2)와;A second PMOS transistor MP2 connected to an output terminal of a source voltage Vdd, a gate connected to an output terminal of the eighth inverter 802, and a drain connected to an output terminal of a second phase output signal DOA; ; 입력단이 제 4 노드(n4)에 연결된 제 9 인버터(804)와;A ninth inverter 804 whose input is connected to the fourth node n4; 입력단이 상기 제 9 인버터(804)의 출력단에 연결된 제 10 인버터(806)와;A tenth inverter 806 having an input terminal connected to an output terminal of the ninth inverter 804; 드레인이 상기 제 2 PMOS 트랜지스터(MP2)의 드레인에 연결되고, 게이트가 상기 제 10 인버터(806)의 출력단에 연결되고, 소스가 접지된 제 2 NMOS 트랜지스터(MN2)를 포함하는 위상검출 출력회로.And a drain connected to the drain of the second PMOS transistor (MP2), a gate connected to an output terminal of the tenth inverter (806), and a second NMOS transistor (MN2) having a source grounded.
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