KR19980060696A - Semiconductor leadframe - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속 소재의 기판, 상기 기판상에 형성된 중간박막층 및 상기 중간박막층위에 형성된 최외곽도금층을 포함하여 된 반도체 리드프레임에 있어서, 상기 중간박막층이 다층 니켈 도금층인 것을 특징으로 하는 리드프레임을 제공한다. 본 발명에 따르면, 외부의 부식인자가 도금층 내부로 확산(또는 침투)되는 것을 억제하여 리드프레임의 내부식성이 크게 개선된다.The present invention provides a lead frame comprising a metal material substrate, an intermediate thin film layer formed on the substrate, and an outermost plating layer formed on the intermediate thin film layer, wherein the intermediate thin film layer is a multilayer nickel plating layer. do. According to the present invention, corrosion resistance of the lead frame is greatly improved by suppressing diffusion (or penetration) of external corrosion factors into the plating layer.
Description
본 발명은 반도체 리드프레임에 관한 것으로서, 상세하기로는 외부로부터의 부식인자가 도금층 내부로 침투하는 것을 효과적으로 방지하여 내부식성이 크게 향상된 반도체 리드프레임에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor lead frame, and more particularly, to a semiconductor lead frame in which corrosion resistance from the outside is effectively prevented from penetrating into the plating layer, thereby greatly improving corrosion resistance.
반도체 리드프레임은 반도체 칩과 함께 반도체 팩키지를 이루는 핵심구성요소의 하나로서 반도체 팩키지의 내부와 외부를 연결하는 도선의 역할과 반도체 칩을 지지해주는 지지체의 역할을 동시에 수행힌다. 이러한 반도체 리드프레임은 반도체 칩의 고밀도화, 고집적화 및 기판 실장의 방법 등에 따라 다양한 형상으로 존재할 수 있다.The semiconductor lead frame is one of the core components of the semiconductor package together with the semiconductor chip, and simultaneously serves as a conductor connecting the inside and the outside of the semiconductor package and a support for supporting the semiconductor chip. Such a semiconductor lead frame may exist in various shapes according to a method of densification, high integration, and substrate mounting of a semiconductor chip.
반도체 리드프레임은 통상 스탬핑 공정 또는 에칭공정에 의하여 제조된다. 여기에서 스탬핑공적은 순차적으로 이송되는 프레스 금형장치를 이용하여 박판의 소재를 소정형상으로 타발하여 성형하는 공정으로서, 리드프레임을 대량생산하는 경우 널리 사용하는 방법이다.The semiconductor leadframe is usually manufactured by a stamping process or an etching process. Here, the stamping achievement is a process of punching and forming a thin material into a predetermined shape by using a press mold apparatus which is sequentially transferred, and is widely used when mass producing lead frames.
에칭공정은 화학약품을 사용하여 소재의 국소 부위를 부식시킴으로써 제품을 형성하는 화학적 식각공정으로 소량생산하는 경우에 주로 사용되는 방법이다.Etching is a chemical etching process that uses chemicals to corrode local parts of a material to form a product.
통상적으로, 상기 두가지 공정을 이용하여 제조되는 반도체 리드프레임은 다른 부품, 예를 들어 기억소자인 침 등과의 조립과정을 거쳐 반도체 팩키지를 이루게 된다. 이러한 반도체 팩키지 과정중 반도체 칩과 리드프레임의 내부리드와의 와이어본딩성과 다이패드의 다이특성을 양호한 상태로 유지하기 위하여 다이 패드부와 리드프레임의 내부리드에 은 등의 금속 소재를 도금한다. 또한 수지 보호막 몰딩후 기판 실잘을 위한 납땜성 향상을 위하여 외부리드와 소정영역에 솔더(solder) 즉, 주석-납(Sn-Pb) 도금을 실시한다. 그런데 이러한 공정을 실시하면 보호막 몰딩후 습식처리과정을 반드시 거쳐야 하고 이로 인하여 완성된 제품의 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있다.Typically, a semiconductor lead frame manufactured using the above two processes forms a semiconductor package by assembling other components, for example, a needle, which is a memory device. A metal material such as silver is plated on the die pad portion and the inner lead of the lead frame in order to maintain the wire bonding between the semiconductor chip and the inner lead of the lead frame and the die characteristics of the die pad during the semiconductor package process. In addition, after molding the resin protective film, solder, that is, tin-lead (Sn-Pb) plating, is applied to the external lead and a predetermined region in order to improve solderability for substrate sills. However, if this process is carried out, after the protective film molding must be subjected to a wet treatment process, there is a problem that reduces the reliability of the finished product.
상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 선도금방법(Pre-Plated Frame)이 제안되었다. 이 방법은 반도체 팩키지 공정이전에 납땜 젖음성(solder wettability)이 우수한 소재를 미리 도포하여 리드프레임을 형성하는 방법이다.In order to solve the above problems, a pre-plated frame has been proposed. This method is a method of forming a lead frame by applying a material having excellent solder wettability in advance before the semiconductor package process.
도 1은 통상적인 리드프레임의 도금층의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a plating layer of a conventional lead frame.
이를 참조하면, 기판(11)위에 중간층인 니켈박막층(12)과 최외곽층인 팔라듐 박막층 또는 팔라듐합금 박막층(13)이 순차적으로 적층되어 있다. 이러한 선도금구조는 기저 금속 하면으로도 상술한 바와 같이 대칭적으로 층이 형성되어 있다.Referring to this, the nickel thin film layer 12 as the intermediate layer and the palladium thin film layer or the palladium alloy thin film layer 13 as the outermost layer are sequentially stacked on the substrate 11. This lead metal structure is symmetrically formed as described above also on the base metal lower surface.
상술한 바와 같이 구성된 리드프레임은 기판(11)의 상면에 도포된 니켈 박막층(12)은 기판을 구성하는 구리 성분이 표면까지 확산되어 구리 산화물이나 황화물 등을 생성하는 것을 방지하는 역할을 한다. 그리고 팔라듐 박막층(13)은 니켈 박막층(12) 표면의 산화를 방지하는 역할을 수행한다.In the lead frame configured as described above, the nickel thin film layer 12 coated on the upper surface of the substrate 11 serves to prevent the copper component constituting the substrate from diffusing to the surface to generate copper oxide or sulfide. The palladium thin film layer 13 serves to prevent oxidation of the surface of the nickel thin film layer 12.
상술한 바와 같이 구성된 리드프레임은 기판위에 니켈으로 오버플로우 도금을 행하고 그 위에 팔라듐 또는 팔라듐 합금을 이용하여 오버플로우 도금을 행함으로써 제조된다. 여기에서 오버플로우 도금방법은 전해방식과 무전해방식으로 구별되는데 주로 전해방식을 이용한 전해도금방법이 사용된다.The lead frame constructed as described above is manufactured by performing overflow plating with nickel on a substrate and overflow plating using palladium or a palladium alloy thereon. Here, the overflow plating method is classified into an electrolytic method and an electroless method. An electroplating method using an electrolytic method is mainly used.
이러한 도금과정에서, 도금층에 기체나 기포들이 유입되게 된다. 이러한 기포들을 통하여 부식을 촉진시키는 인자, 예를 들어 염소이온(Cl-) 등이 도금층 내부로 침투하는 것이 용이해진다. 이러한 부식현상은 특히 기판이 니켈-철 합금 소재인 알로이(alloy) 42로 이루어져 있고, 최외곽도금층로 귀금속을 이용하여 도금하는 경우에는 더욱 심해진다.In this plating process, gas or bubbles are introduced into the plating layer. Through these bubbles, factors that promote corrosion, such as chlorine ions (Cl − ), are easily penetrated into the plating layer. This corrosion phenomenon is particularly severe when the substrate is made of alloy (alloy) 42, a nickel-iron alloy material, and plated using the precious metal as the outermost plating layer.
이렇게 도금층의 부식이 심해지면 리드프레임의 부식 및 전기 전도도 저하를 초래하여 리드프레임의 특성에 치명적인 영향을 미친다.As the corrosion of the plating layer becomes severe, the corrosion of the lead frame and the degradation of electrical conductivity are caused, which has a fatal effect on the characteristics of the lead frame.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기 문제점을 해결하여 내부식성이 크게 향상된 반도체 리드프레임을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to solve the above problems to provide a semiconductor lead frame greatly improved corrosion resistance.
도 1은 종래기술에 따른 리드프레임의 도금층 구조를 나타낸 도면이고,1 is a view showing a plated layer structure of a lead frame according to the prior art,
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 리드프레임의 도금층 구조를 나타낸 도면이고,2 is a view showing a plating layer structure of a lead frame according to an embodiment of the present invention,
도 3은 본 발명의 다른 바람직한 일실시예에 따른 리드프레임의 도금층 구조를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a plating layer structure of a lead frame according to another preferred embodiment of the present invention.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings
11, 21, 31. 기판11, 21, 31. Substrate
12. 중간박막층(니켈 도금층)12. Intermediate thin film layer (nickel plating layer)
13, 25, 35. 최외곽도금층(팔라듐 또는 팔라듐 합금 도금층)13, 25, 35. Outer plating layer (palladium or palladium alloy plating layer)
22, 32. 반광택 니켈 도금층22, 32. Semi-gloss nickel plated layer
23, 33. 광택 니켈 도금층23, 33. Bright nickel plated layer
24. 2중 니켈 도금층24. Double Nickel Plating Layer
34. 3중 니켈 도금층34. Triple Nickel Plating Layer
36. 니켈 스트라이크 도금층36. Nickel Strike Plating Layer
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명에서는 금속 소재의 기판, 상기 기판상에 형성된 중간박막층 및 상기 중간박막층위에 형성된 최외곽도금층을 포함하여 된 반도체 리드프레임에 있어서, 상기 중간박막층이 다층 니켈 도금층인 것을 특징으로 하는 리드프레임을 제공한다.In the present invention to achieve the above object in the semiconductor lead frame comprising a metal material substrate, an intermediate thin film layer formed on the substrate and the outermost plating layer formed on the intermediate thin film layer, the intermediate thin film layer is a multi-layer nickel plating layer, A lead frame is provided.
상기 중간박막층은 다층 니켈 도금층이며, 그중에서도 2중 니켈 도금층 또는 3중 니켈 도금층인 것이 바람직하다. 그리고 최외곽 도금층은 팔라듐 또는 팔라듐 합금층이다.The intermediate thin film layer is a multilayer nickel plating layer, and among them, a double nickel plating layer or a triple nickel plating layer is preferable. The outermost plating layer is a palladium or palladium alloy layer.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2에는 중간박막층으로서 2중 니켈 도금층(24)이 형성된 리드프레임의 구조를 나타낸 것이다.2 shows a structure of a lead frame in which a double nickel plating layer 24 is formed as an intermediate thin film layer.
이를 참조하면, 2중 니켈 도금층(24)은 반광택 니켈 도금층(22)과 광택 니켈 도금층(23)으로 이루어져 있으며, 이러한 2중 니켈 도금층(24)을 형성하는 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.Referring to this, the double nickel plated layer 24 is composed of a semi-gloss nickel plated layer 22 and a glossy nickel plated layer 23. A method of forming the double nickel plated layer 24 will be described below.
먼저, 온도 40 내지 65℃, 전류밀도 2 내지 10A/dm2의 조건에서도금액으로서 황산니켈, 염화니켈, 붕산 및 광택제를 포함하는 와트액을 사용하여 도금을 실시하여 반광택 니켈 도금층을 형성한다. 여기에서 광택제로는 황성분이 없는 유기물질을 이용한다.First, plating is performed using a watt liquid containing nickel sulfate, nickel chloride, boric acid, and a brightener as a liquid even under conditions of a temperature of 40 to 65 ° C and a current density of 2 to 10 A / dm 2 to form a semi-gloss nickel plating layer. Here, as the polish, an organic material having no sulfur component is used.
그리고 나서 상기 반광택 니켈 도금층 상부에 광택 니켈 도금층을 형성한다. 이 때 도금액으로는 광택제로서 황성분이 있는 유기물질을 사용하는 것을 제외하고는 상기 와트액과 동일한 조성을 갖는 도금액을 사용한다. 여기에서 광택제의 구체적인 예로는 (1,4-부탄디올(1,4-butanediol), 포르말린(formalin), 쿠마린(coumarin), 티오요소(thiourea), 카본산(carbonic acid), 알릴알데히드, 프로파르길 알콜(propargyl alcohol), 아세틸렌 유도체, 에틸렌 등을 사용한다.Then, a glossy nickel plating layer is formed on the semi-gloss nickel plating layer. In this case, a plating liquid having the same composition as that of the watt liquid is used as a plating liquid, except that an organic substance having a sulfur component is used as the polishing agent. Specific examples of the brightening agent herein include (1,4-butanediol), formalin, coumarin, thiourea, carbonic acid, allylaldehyde, and propargyl. Propargyl alcohol, acetylene derivatives, ethylene and the like are used.
상기 반광택 니켈 도금과정과 광택니켈 도금과정사이에는 수세 1회과정을 거치거나 이러한 수세과정을 생략하여도 무방하다. 그리고 도금시간이 양분되므로 실제적으로 도금 탱크 두 개가 있으면 도금액은 전 광택 니켈의 양을 도금의 두께 비율로 분할한 액을 사용하면 된다.The semi-gloss nickel plating process and the polished nickel plating process may be performed one time washing process or the washing process may be omitted. Since the plating time is divided into two parts, if there are actually two plating tanks, the plating solution may use a liquid obtained by dividing the amount of pre-gloss nickel by the thickness ratio of the plating.
상기 반광택 니켈 도금층(22)과 광택 니켈 도금층(23)의 두께 비율은 7:3 내지 6:4가 적당하다.The thickness ratio of the semi-gloss nickel plating layer 22 and the gloss nickel plating layer 23 is preferably 7: 3 to 6: 4.
상기한 방법에 따라 형성된 2중 니켈 도금층(24)은 내식성이 매우 우수한데, 이는 다음과 같이 설명할 수 있다.The double nickel plating layer 24 formed according to the above method is very excellent in corrosion resistance, which can be explained as follows.
첫째, 반광택 니켈 도금층(22)은 전기화학적으로 상층의 광택 니켈 도금층(23)보다는 높은 전위를 가지고 있으므로 광택 니켈 도금층에 부식이 생기면 부식은 반광택 니켈 도금층(22)에서 저지된다.First, since the semi-gloss nickel plating layer 22 has a higher electric potential than the gloss nickel plating layer 23 of the upper layer, corrosion is prevented in the semi-gloss nickel plating layer 22 when corrosion occurs in the gloss nickel plating layer.
둘째, 황이 들어있지 않은 니켈은 황이 함유되어 있는 니켈보다 화학적 용해도가 적다. 이러한 현상은 광택 니켈 도금층의 두께가 얇은 경우 옥외노출 시험 또는 가속 부식시험에서 핀홀이 대단히 많아진다는 것과 현미경 측정을 하기 위한 에칭처리후 광택 니켈 도금층이 매우 빨리 부식된다는 것으로부터 알 수 있다.Second, nickel containing no sulfur has less chemical solubility than nickel containing sulfur. This phenomenon can be seen from the fact that when the thickness of the polished nickel plated layer is thin, the pinholes are greatly increased in the outdoor exposure test or the accelerated corrosion test, and the polished nickel plated layer corrodes very quickly after the etching treatment for microscopic measurement.
셋째, 2중 니켈 도금층(24)은 별도의 부식성 전위가 있어서 한 개의 핀홀이 소지에 달하면 이 주위에는 다른 핀홀이 발생하는 비율이 적다.Third, the double nickel plated layer 24 has a separate corrosive potential, so that when one pinhole reaches the base, another pinhole is less likely to be generated around it.
도 3는 중간박막층으로서 3중 니켈 도금층(34)이 형성된 리드프레임의 구조를 나타낸 것으로서, 이 도면에서 알 수 있는 바와 같이 3중 니켈 도금층(34)은 반광택 니켈 도금층(32)과 광택 니켈 도금층(33)중간에 니켈 스트라이크 도금층(36)이 형성되어 있다. 여기에서 상기 니켈 스트라이크 도금층(36)의 바람직한 두께는 0.3 내지 0.8μm이며, 이 층의 역할은 반광택 니켈 도금층(32)과 광택 니켈 도금층 (33)간의 밀착성을 향상시키는 것이다.3 shows a structure of a lead frame in which a triple nickel plating layer 34 is formed as an intermediate thin film layer. As shown in this figure, the triple nickel plating layer 34 is a semi-gloss nickel plating layer 32 and a glossy nickel plating layer. (33) A nickel strike plating layer 36 is formed in the middle. The thickness of the nickel strike plating layer 36 is preferably 0.3 to 0.8 m, and the role of the layer is to improve the adhesion between the semi-gloss nickel plating layer 32 and the glossy nickel plating layer 33.
이하, 본 발명을 실시예를 들어 상세히 설명하기로 하되, 본 발명이 반드시 하기 실시예로만 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples, but the present invention is not necessarily limited to the following Examples.
실시예Example
알로이 42 소재 위에 황산니켈 330g/ℓ, 염화니켈 45g/ℓ 및 붕산 38g/ℓ을 함유한 도금액(와트액)을 pH 약 4.0, 온도 55℃, 음극 전류밀도 5dm2의 조건에서 도금을 실시하여 반광택 니켈 도금층을 형성하였다. 그 후, 황산니켈 260g/ℓ, 염화니켈 45g/ℓ, 붕산 45g/ℓ, 부탄디올 0.2g/ℓ, 프로파르길 알콜 0.03g/ℓ, 1,3,6-DNS 7g/ℓ을 함유하는 도금액을 pH 4.2, 온도 52℃, 음극 전류밀도 5dm2의 조건에서 도금을 실시하여 상기 반광택 니켈 도금층위에 광택 니켈 도금층을 형성하여 2중 니켈 도금층을 형성하였다.Plating solution (Wat) containing nickel 330g / l, nickel chloride 45g / l and boric acid 38g / l was coated on alloy 42 at pH 4.0, temperature 55 ℃ and cathode current density 5dm 2 . A bright nickel plated layer was formed. Then, a plating solution containing 260 g / l nickel sulfate, 45 g / l nickel chloride, 45 g / l boric acid, 0.2 g / l butanediol, 0.03 g / l propargyl alcohol, and 7 g / l 1,3,6-DNS was prepared. Plating was performed under the conditions of pH 4.2, temperature 52 ° C., and cathode current density of 5 dm 2 to form a bright nickel plating layer on the semi-gloss nickel plating layer to form a double nickel plating layer.
그 후, 상기 2중 니켈 도금층 상부에 팔라듐-니켈 합금으로 도금을 행하였다.Thereafter, plating was performed on the double nickel plating layer with a palladium-nickel alloy.
비교예Comparative example
알로이 42 소재 위에 황산니켈 330g/ℓ, 염화니켈 45g/ℓ 및 붕산 38g/ℓ을 함유한 도금액(와트액)을 pH 4.0, 온도 50℃, 음극 전류밀도 5dm2의 조건에서 도금을 실시하여 니켈 도금층을 형성하였다. 그 후, 상기 니켈 도금층 상부에 팔라듐-니켈 합금으로 도금을 행하였다.A nickel plating layer was plated on an alloy 42 material at a pH of 4.0, a temperature of 50 ° C., and a cathode current density of 5 dm 2 at a plating solution containing 330 g / l nickel sulfate, 45 g / l nickel chloride, and 38 g / l boric acid. Formed. Thereafter, plating was performed on the nickel plated layer with a palladium-nickel alloy.
상기 방법에 따라 형성된 도금층이 형성된 리드프레임의 내부식성을 테스트하기 위하여 염수분무시험을 실시하였다.A salt spray test was conducted to test the corrosion resistance of the lead frame on which the plating layer formed according to the above method was formed.
이 때 시험조건은 20℃, 5중량%의 염수에 상기 실시예 및 비교예에 따라 얻어진 리드프레임을 침적시켰다. 그 후, 도금 부위에 발생한 점부식의 개수를 측정하였다.At this time, the test conditions were immersed in the lead frame obtained according to the above Examples and Comparative Examples in 20 ℃, 5% by weight saline. Then, the number of the point corrosion which generate | occur | produced in the plating site | part was measured.
측정결과, 실시에에 따라 제조된 라드프레임은 비교예의 경우보다 점부식수가 현저하게 줄어듬을 알 수 있었다.As a result of the measurement, the rod frame manufactured according to the embodiment was found to significantly reduce the number of point corrosion than in the comparative example.
이상에서 살펴본 바와 같이, 중간박막층으로서 각 층마다 서로 다른 결정배향성을 갖는 니켈 도금층, 즉 상술한 바와 같은 다층 니켈 도금층을 이용하면 외부의 부식인자가 도금층 내부로 확산(또는 침투)되는 것을 억제하여 리드프레임의 내부식성이 크게 개선된다.As described above, when the nickel plating layer having a different crystal orientation for each layer is used as the intermediate thin film layer, that is, the multilayer nickel plating layer as described above, the external corrosion factor is prevented from diffusing (or penetrating) into the plating layer. The corrosion resistance of the frame is greatly improved.
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|---|---|---|---|---|
| KR100708299B1 (en) * | 2005-04-12 | 2007-04-17 | 주식회사 아큐텍반도체기술 | Multi-layer Metallic Substrate for fabricating Electronic Device |
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|---|---|---|---|---|
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1996
- 1996-12-31 KR KR1019960080059A patent/KR100231825B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100708299B1 (en) * | 2005-04-12 | 2007-04-17 | 주식회사 아큐텍반도체기술 | Multi-layer Metallic Substrate for fabricating Electronic Device |
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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Payment date: 20080901 Year of fee payment: 10 |
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