KR19980054229U - 무선 통신용 고주파 전력 증폭기 - Google Patents
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
본 고안은 역전압 방지회로를 포함하여 증폭소자인 전계효과 트랜지스터의 손상을 방지할 수 있는 무선 통신용 고주파 전력 증폭기에 관한 것으로서, 입력신호를 증폭하기 위한 전계효과 트랜지스터와, 입력단자와 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자 사이에 연결되어 입력신호를 상기 전계효과 트랜지스터와 정합시키는 입력단 정합회로와, 상기 전계효과 트랜지스터의 동작 바이어스(bais)를 공급하는 바이어스 회로부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 소오스 단자에 애노드(anode) 단자가 연결되고 접지에는 캐소드(cathode) 단자가 연결되어 역전압 보호기능을 갖는 다이오드와, 상기 전계효과 트랜지스터에서 증폭된 신호를 출력단자까지 최대로 전달하는 출력단 정합회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 고안은 무선 통신용 고주파 전력 증폭기에 관한 것으로서, 특히 역전압 방지회로를 포함하여 증폭소자인 전계효과 트랜지스터의 손상을 방지할 수 있는 무선 통신용 고주파 전력 증폭기에 관한 것이다.
도 1은 종래 기술에 의한 무선 통신용 고주파 전력 증폭기의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 1을 참조하면, 입력신호를 증폭하기 위한 전계효과 트랜지스터(FET)와, 입력단자와 상기 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트 단자 사이에 연결되어 입력신호를 상기 전계효과 트랜지스터(FET)와 정합시키는 입력단 정합회로(10)와, 상기 전계효과 트랜지스터(FET)의 동작 바이어스(bais)를 공급하는 바이어스 회로부(20)와, 상기 전계효과 트랜지스터(FET)의 소오스 단자와 접지사이에 연결되어 역전압 보호기능을 갖는 저항(R)과, 상기 전계효과 트랜지스터(FET)에서 증폭된 신호를 출력단자까지 최대로 전달하는 출력단 정합회로(30)를 포함하여 구성된다.
상기 바이어스 회로부(20)는 상기 전계효과 트랜지스터(FET)의 드레인 단자와 (+)전원 사이에 연결되는 인덕터(L)와, 상기 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트 단자와 접지 사이에 연결된 제1 저항(R1)과, 상기 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트 단자와 (-)전원 사이에 연결된 제2 저항(R2)으로 이루어진다.
상기와 같은 구성을 갖는 종래의 무선 통신용 고주파 전력 증폭기는 상기 입력단 정합회로(10)에 의해 입력신호가 상기 전계효과 트랜지스터(FET)에 최대로 전달되고, 상기 전계효과 트랜지스터(FET)에서 신호가 증폭되면, 상기 출력단 정합회로(30)에 의해 전계효과 트랜지스터(FET)에서 증폭된 신호가 출력단자까지 최대로 전달된다.
이때, 상기 저항(R)은 전력증폭기의 외부에서 접지를 통해 역전압이 발생하는 경우에 상기 전계효과 트랜지스터(FET)에 직접적으로 손상을 주지 못하도록 상기 전계효과 트랜지스터(FET)의 소오스 단자와 접지사이에 연결되어 역전압 보호기능을 갖는다.
상기와 같은 구성을 갖는 종래의 무선 통신용 고주파 전력 증폭기는 상기 저항이 역전압 보호기능을 수행하고 있으나 완전히 차단하지 못하고, 그 세력을 감쇠시키는 기능만을 수행하기 때문에 역전압이 발생된 경우에 상기 전계효과 트랜지스터가 손상을 입게 되는 문제점을 해결할 수 없었다.
본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 증폭소자인 전계효과 트랜지스터의 소오스 단자에 다이오드를 연결하여 역전압에 의한 손상을 방지할 수 있는 무선 통신용 고주파 전력 증폭기를 제공하는데 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 무선 통신용 고주파 전력 증폭기의 구성을 나타내는 회로도,
도 2는 본 고안에 의한 무선 통신용 고주파 전력 증폭기의 구성을 나타내는 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 입력단 정합회로 120 : 바이어스 회로부
130 : 출력단 정합회로
FET : 전계효과 트랜지스터 D : 다이오드
L : 인덕터 R1,R2 : 저항
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안은 입력신호를 증폭하기 위한 전계효과 트랜지스터와, 입력단자와 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자 사이에 연결되어 입력신호를 상기 전계효과 트랜지스터와 정합시키는 입력단 정합회로와, 상기 전계효과 트랜지스터의 동작 바이어스(bais)를 공급하는 바이어스 회로부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 소오스 단자에 애노드(anode) 단자가 연결되고 접지에는 캐소드(cathode) 단자가 연결되어 역전압 보호기능을 갖는 다이오드와, 상기 전계효과 트랜지스터에서 증폭된 신호를 출력단자까지 최대로 전달하는 출력단 정합회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 통신용 고주파 전력 증폭기를 제공한다.
이하, 본 고안에 의한 무선 통신용 고주파 전력 증폭기의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 고안의 실시예에 의한 구성을 나타내는 회로도이다.
도 2를 참조하면, 본 고안의 무선 통신용 고주파 전력 증폭기는 입력신호를 증폭하기 위한 전계효과 트랜지스터(FET)와, 입력단자와 상기 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트 단자 사이에 연결되어 입력신호를 상기 전계효과 트랜지스터(FET)와 정합시키는 입력단 정합회로(110)와, 상기 전계효과 트랜지스터(FET)가 신호를 증폭하도록 동작 바이어스(bais)를 공급하는 바이어스 회로부(120)와, 상기 전계효과 트랜지스터(FET)의 소오스 단자에 애노드(anode) 단자가 연결되고 접지에는 캐소드(cathode) 단자가 연결되어 역전압 보호기능을 갖는 다이오드(D)와, 상기 전계효과 트랜지스터(FET)에서 증폭된 신호를 출력단자까지 최대로 전달하는 출력단 정합회로(130)를 포함하여 구성된다.
상기 바이어스 회로부(120)는 상기 전계효과 트랜지스터(FET)의 드레인 단자와 (+)전원 사이에 연결되는 인덕터(L)와, 상기 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트 단자와 (-)전원 사이에 연결된 제1 저항(R1)과, 상기 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트 단자와 접지 사이에 연결된 제2 저항(R2)으로 이루어진다.
상기와 같은 구성을 갖는 본 고안의 무선 통신용 고주파 전력 증폭기는 상기 입력단 정합회로(110)에 의해 입력신호가 상기 전계효과 트랜지스터(FET)에 최대로 전달되면, 상기 전계효과 트랜지스터(FET)에서는 상기 바이어스 회로부(120)에서 공급되는 바이어스에 따라 신호를 증폭한다.
그후, 상기 출력단 정합회로(130)에 의해 전계효과 트랜지스터(FET)에서 증폭된 신호가 출력단자까지 최대로 전달된다.
이때, 상기 다이오드(D)는 외부에서 발생된 역전압이 접지를 통해 전계효과 트랜지스터(FET)의 소오스 단자로 입력되는 것을 방지한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 고안에 의한 무선 통신용 고주파 전력 증폭기는 역전압을 방지하기 위한 수단으로서 다이오드를 사용하기 때문에 소자의 특성상 저항을 사용하는 것에 비하여 역전압을 완전히 방지할 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 입력신호를 증폭하기 위한 전계효과 트랜지스터와, 입력단자와 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자 사이에 연결되어 입력신호를 상기 전계효과 트랜지스터와 정합시키는 입력단 정합회로와, 상기 전계효과 트랜지스터의 동작 바이어스(bais)를 공급하는 바이어스 회로부와, 상기 전계효과 트랜지스터의 소오스 단자에 애노드(anode) 단자가 연결되고 접지에는 캐소드(cathode) 단자가 연결되어 역전압 보호기능을 갖는 다이오드와, 상기 전계효과 트랜지스터에서 증폭된 신호를 출력단자까지 최대로 전달하는 출력단 정합회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 무선 통신용 고주파 전력 증폭기.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR2019960067421U KR19980054229U (ko) | 1996-12-31 | 1996-12-31 | 무선 통신용 고주파 전력 증폭기 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019960067421U KR19980054229U (ko) | 1996-12-31 | 1996-12-31 | 무선 통신용 고주파 전력 증폭기 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980054229U true KR19980054229U (ko) | 1998-10-07 |
Family
ID=54005026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2019960067421U KR19980054229U (ko) | 1996-12-31 | 1996-12-31 | 무선 통신용 고주파 전력 증폭기 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR19980054229U (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980085583A (ko) * | 1997-05-29 | 1998-12-05 | 이형도 | 휴대폰용 파워증폭기의 안정화회로 |
-
1996
- 1996-12-31 KR KR2019960067421U patent/KR19980054229U/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980085583A (ko) * | 1997-05-29 | 1998-12-05 | 이형도 | 휴대폰용 파워증폭기의 안정화회로 |
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