KR19980046950A - 반도체설비의 배관 평가시스템 및 그 방법 - Google Patents

Abstract

공정소스 공급부와 각 생산라인 사이에 다수개 연결된 배관을 통해 유동하는 공정소스를 추출하여 평가함으로써 배관의 오염에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하도록 배관의 세정 및 교체 주기를 용이하게 설정하기 위한 반도체설비의 배관 평가시스템 및 그 방법에 관한 것이다.

본 발명은 공정소스 공급부측 배관에 분리 가능하게 연결되는 메인 주입구와 상기 메인 주입구로부터 복수개 분기되는 분기 배출구로 이루어진 주입부와; 상기 주입부와 대향하는 형상으로 제조설비측 배관에 분리 가능하게 연결되는 메인 배출구와 이 메인 배출구로부터 복수개 분기되는 분기 주입구로 이루어진 배출부와; 상기 복수개의 분기 배출구와 분기 주입구 사이를 각각 분리 가능하게 설치되는 실험용배관 및 각 연결 부위의 양측에 각각 설치되어 공정소스의 흐름을 제어하는 밸브를 포함한 구성으로 이루어 진다.

따라서, 배관의 세정 주기와 교체 주기 및 적절한 재질의 배관을 설정 설치할 수 있고, 설비 복원시간의 단축 및 불필요한 교체를 방지하게 되는 경제적인 이점이 있다.

Description

반도체설비의 배관 평가시스템 및 그 방법

본 발명은 반도체설비의 배관 평가시스템 및 그 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정소스 공급부와 각 생산라인 사이에 다수개 연결된 배관을 통해 유동하는 공정소스를 추출하여 평가함으로써 배관의 오염에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하도록 배관의 세정 및 교체 주기를 용이하게 설정하기 위한 반도체설비의 배관 평가시스템 및 그 방법에 관한 것이다.

통상적으로 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 화학기상증착 및 금속증착 등의 공정이 반복 수행됨에 따라 반도체장치로 제작된다.

이들 반도체장치는 극히 정교한 장치로서, 그 제조를 위해서는 엄격한 공정조건과 정밀한 제조기술 및 높은 수준의 청정도가 요구되고 있다.

상술한 청정도는 반도체장치로 제작되는 웨이퍼의 오염을 방지하기 위해 다양한 방법으로 관리되고 있다.

여기서, 공정 진행 중 초순수를 비롯한 각종 케미컬류 및 질소 가스를 포함한 각종 가스류 등의 공정소스는 반도체장치 제조 과정 중 계속적으로 공급되는 것으로 이들 공정소스가 오염된 상태로 공급되면 웨이퍼에 직접적인 영향을 주게 됨에 따라 이들 공정소스의 오염을 방지하기 위한 방법이 요구되고 있다.

통상 공급되는 공정소스의 오염은 자체의 오염과 공정소스의 유동 통로를 이루는 배관의 오염 및 다른 이물질의 유입 등이 있을 수 있으며, 이들 중 배관의 오염에 대하여 설명하기로 한다.

상술한 배관은 각종 공정소스를 공급하는 공급부에서 각 제조설비까지 다수개가 연결 설치되어 있다.

이렇게 설치된 배관을 장시간 사용하게 되면 배관 내부의 노후화 및 생성 축적되는 박테리아 등의 오염원이 유동하는 공정소스와 함께 배출됨에 따라 이것을 방지하도록 일정 시기를 정하여 배관을 세정 또는 교체하여 사용하게 된다.

상술한 배관의 세정 및 교체 시기를 설정함에 있어서 종래는 각 생산 설비로 연결된 배관의 단부를 통해 소정량의 공정소스를 일정 시간별로 추출하여 각 추출된 공정소스의 오염 정도를 측정함으로써 배관의 세정 주기 및 교체 주기를 설정하여 왔다.

그러나, 각각의 배관이 설치되는 각 부위의 온도 상태, 압력 상태 등에 따른 환경과 내부를 유동하는 케미컬의 종류 등에 따라 오염되는 시간과 정도 및 현상이 다르게 나타나며, 통상 배관을 세정하기 위해 공급되는 가열된 초순수에 의해서도 내부의 코팅층이 손상되거나 배관을 구성하는 성분이 용해 용출되어 오염 정도를 가속화하는 문제가 있었다.

또한, 소스 공급부에서 각 제조설비로 복잡하게 연결되어 있어 측정시간에 따른 각 부위의 오염 정도를 확인하기 어렵고, 연결된 배관을 전부 세정 또는 교체하게 되므로 설비 복원에 따른 시간 손실 및 설치 부위에 따른 적정 수준의 배관 재질을 설정할 수 없음에 따라 불필요하게 교체하게 되어 설비 비용이 많이 소요되는 비경제적인 문제가 있었다.

본 발명의 목적은 각각의 배관이 설치되는 각 부위의 환경 및 유동하는 공정소스의 종류에 따라 오염되는 시간과 정도 및 현상을 측정 평가하여 웨이퍼의 오염을 방지하도록 하는 반도체설비의 배관 평가시스템 및 그 방법을 제공함에 있다.

또한, 생산라인에 복잡하게 연결된 배관의 각 부위의 환경에 대하여 배관의 오염 정도를 측정 확인하도록 하여 오염 정도가 심하게 나타나는 부위만을 세정 또는 교체하게 되어 설비 복원은 따른 시간 손실을 줄이고, 각 부위에 맞는 재질의 배관을 설정하도록 함으로써 불필요한 교체가 없도록 하는 반도체설비의 배관 평가시스템 및 그 방법을 제공함에 있다.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체설비의 배관 평가시스템을 나타낸 평면도이다.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 상태 유지 순환부의 구성을 나타낸 개략도이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

10: 배관 평가시스템 12a, 12b: 배관

14: 메인 주입구 15a, 15b, 15c, 15d: 분기 배출구

16: 메인 배출구 17a, 17b, 17c, 17d: 분기 주입구

18: 주입부 20: 배출부

22a, 22b, 22c: 실험용배관 24: 밸브

26: 상태 유지 순환부 28: 연결관

30: 순환펌프 32: 히터

34: 냉각기 36: 온도 측정기

38: 게이지

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 공정소스 공급부로부터 배관을 통해 각 제조설비로 공급되는 공정소스를 추출하여 오염 정도를 측정 검사함으로써 상기 배관의 세정 주기 및 교체 주기를 설정하기 위한 반도체설비의 배관 평가시스템에 있어서, 상기 공정소스 공급부측 배관에 분리 가능하게 연결되는 메인 주입구와 상기 메인 주입구로부터 복수개 분기되어 형성된 분기 배출구로 이루어진 주입부와, 상기 주입부와 대향하는 형상으로 상기 제조설비측 배관에 분리 가능하게 연결되는 메인 배출구와 상기 메인 배출구로부터 복수개로 분기되어 형성된 분기 주입구로 이루어진 배출부와, 상기 분기 배출구와 상기 분기 주입구 사이를 각각 분리 가능하게 연결 설치되는 실험용배관 및 각 연결 부위의 양측에 각각 설치되어 유체의 흐름을 제어하는 밸브를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.

또한, 어느 하나의 상기 분기 배출구와 상기 분기 배출구와 대응하는 상기 분기 주입구 사이에 연결관을 연결 설치하고, 상기 연결관상에 상태 유지 순환부를 연결 설치함이 효과적이다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 공정소스 공급부로부터 배관을 통해 각 제조설비로 공급되는 공정소스를 추출하여 오염 정도를 측정 검사함으로써 상기 배관의 세정 주기 및 교체 주기를 설정하기 위한 반도체설비의 배관 평가 방법에 있어서, 상기 공정소스 공급부측의 배관과 상기 제조설비측의 배관 사이에 복수개의 실험용배관을 갖는 평가시스템을 연결하여 각 실험용배관에 공정소스가 흐르도록 하는 단계와, 일정 시간의 경과후 임의의 실험용배관의 양측을 차단하여 공정소스의 흐름을 중단시키는 단계와, 상기 평가시스템으로부터 상기 임의의 실험용배관을 분리하여 상기 임의의 실험용배관 내의 공정소스를 추출하는 단계 및 상기 추출된 공정소스의 성분을 검사하는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 다른 발명은 공정소스 공급부로부터 배관을 통해 각 제조설비로 공급되는 공정소스를 추출하여 오염 정도를 측정 검사함으로써 상기 배관의 세정 주기와 교체 주기 및 적정 수준의 배관 재질을 설정하기 위한 반도체설비의 배관 평가 방법에 있어서, 복수개의 실험용배관과 상태유지 순환부를 갖는 배관 평가시스템 내의 상기 각 실험용배관과 상기 상태 유지 순환부에 소정의 공정소스를 충전시키는 단계와, 상기 배관 평가시스템 내의 상기 각 실험용배관 내에 소정의 환경 조건으로 상기 공정소스가 흐르도록 강제 순환시키는 단계와, 일정 시간의 경과후 임의의 상기 실험용배관의 양측을 차단하여 공정소스의 흐름을 중단시키는 단계와, 상기 평가시스템으로부터 양측 부위가 차단된 상기 실험용배관을 분리하여 상기 임의의 실험용배관 내의 공정소스를 추출하는 단계 및 상기 추출된 공정소스의 성분을 검사하는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체설비의 배관 평가시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도2는 도1의 상태 유지 순환부의 구성을 나타낸 개략도이다.

도1과 도2를 참조하여 설명하면, 배관 평가시스템(10)은 공정소스를 공급하는 공정소스 공급부(도시 안됨)와 제조설비(도시 안됨) 사이에 다수개 연결 설치되는 배관(12a, 12b) 사이에 기존배관(도시 안됨)을 누수가 없도록 분리하고 그 위치의 배관(12a, 12b) 사이에 연결 설치된다.

이렇게 설치되는 배관 평가시스템(10)의 구성은 도1에 도시된 바와 같이 공정소스 공급부측의 배관(12a) 단부에 분리 가능하게 연결되는 메인 주입구(14)와 이 메인 주입구(14)로부터 복수개로 분기되어 형성된 분기 배출구(15a, 15b, 15c, 15d)로 이루어진 주입부(18)와, 이 주입부(18)와 대향하는 형상으로 제조설비(도시 안됨)측과 배관(12b)의 단부에 분리 가능하게 연결되는 메인 배출구(16)와 이 메인 배출구(16)에 연장되어 복수개 분기된 형상으로 형성된 분기 주입구(17a, 17b, 17c, 17d)로 이루어진 배출부(20)와, 상술한 주입부(18)의 분기 배출구(15a, 15b, 15c, 15d)와 배출부(20)의 분기 주입구(17a, 17b, 17c, 17d) 사이에 각각 분리 가능하게 연결 설치되는 복수개의 실험용배관(22a, 22b, 22c) 및 상술한 각 연결 부위의 양측에 각각 설치되어 유체의 흐름을 제어하는 밸브(24)를 포함하여 구성된다.

또한, 상호 대응하는 어느 하나의 분기 배출구(15a, 15b, 15c, 15d)와 분기 주입구(17a, 17b, 17c, 17d) 사이에 상태 유지 순환부(26)를 갖는 연결관(28)이 선택적으로 연결 설치된다.

이렇게 설치되는 상태 유지 순환부(26)의 구성은 내부에 충전된 공정소스를 강제 순환시키도록 형성된 순환펌프(30)와, 순환하는 공정소스를 소정의 온도로 가열하는 히터(32)와, 순환하는 공정소스를 소정의 온도로 냉각시키는 냉각기(34)와, 순환하는 공정소스의 온도를 측정하도록 형성된 온도 측정기(36) 및 공정소스의 순환상태를 확인하기 위한 순환 게이지(38)을 포함하여 이루어진다.

그리고, 상술한 내용 중 실험용배관(22a, 22b, 22c)의 재질은 배관(12A, 12B) 사이에 설치되었던 기존배관의 재질과 동일한 재질로 제작된 것을 사용하여 기존배관이 설치된 환경과 동일한 조건을 이루도록 설치된다.

이러한 구성으로 설치된 배관 평가시스템(10)의 사용 관계에 대하여 설명하기로 한다.

먼저, 생산라인의 소정 부위에 설치된 배관(12a, 12b) 사이의 기존 배관을 분리하고, 공정소스 공급부측의 배관(12a)에 배관 평가시스템(10)의 메인 주입구(14)를 분리 가능하게 연결 설치하고, 제조설비측의 배관(12b)에 메인 배출구(16)을 연결 설치한다.

이후 배관 평가시스템(10)의 양측 연결 부위와 배관 평가시스템(10) 내에 설치된 각 밸브(24)를 모두 개방하여 상술한 배관 평가시스템(10)의 각 실험용배관(22a, 22b, 22c) 내부에 충전시켜 유동하도록 하여 기존에 설치되었던 기존 배관의 설치 환경과 동일한 조건으로 공정소스가 흐르도록 형성한다.

이렇게 설치된 상태에서 정해진 측정시간이 경과하게 되면 상술한 실험용배관(22a, 22b, 22c) 중 어느 하나의 실험용배관(22a) 양측 연결 부위에 설치된 밸브(24)를 차단하여 실험용배관(22a) 내부에 공정소스의 흐름을 중단시킨다.

그리고, 상술한 실험용배관(22a)을 배관 평가시스템(10)으로부터 분리하고, 이어 분리된 실험용배관(22a) 내의 공정소스를 추출하여 성분 검사장치(도시 안됨)에 넣어 성분을 측정 검사하도록 함으로써 상술한 측정시간 동안의 실험용배관(22a)을 통과하는 공정소스의 오염 정도를 측정하도록 한다.

이후, 다시 측정시간이 경과하게 되면, 다음 실험용배관(22b)을 상술한 바와 같이 분리하여 내부의 공정소스의 성분을 측정 검사하도록 하고, 공정소스의 성분 검사를 먼저 시행한 공정소스의 성분 검사와 비교 평가하도록 한다.

상술한 과정을 측정시간에 따라 계속적으로 측정 검사하여 각각에 대한 오염 정도를 평가함으로써 설치될 배관의 세정 주기와 교체 주기를 설정할 수 있게 된다.

한편, 상태 유지 순환부(26)는 상술한 배관 평가시스템(10)의 내부에 공정소스를 충전한 상태에서 배관 평가시스템(10)의 양측 연결 부위 즉, 메인 주입구(14)와 메인 배출구(16)의 연결 부위의 밸브(24)를 차단하여 공정소스의 흐름을 차단하고, 상기 배관(12a, 12b)로부터 분리한다.

이렇게 배관 평가시스템(10)은 분리되어 독립된 상태에서 상태 유지 순환부(26)의 순환펌프(30)를 구동시켜 내부에 충전된 공정소스를 강제 순환시킨다.

또한, 히터(32)와 냉각기(34)를 이용하여 상술한 바와 같이 순환하는 공정소스를 소정 온도로 형성하고, 온도 측정기(36)와 게이지(38)를 이용하여 순환하는 공정소스의 온도 상태와 순환 상태를 확인하게 된다.

그리고, 소정의 측정시간이 흐른 뒤에 배관 평가시스템(10) 내에 설치된 임의 실험용배관(22a)의 양측 밸브(24)를 차단하여 공정소스의 흐름을 중단시켜 분리하고, 상기 실험용배관(22a) 내의 공정소스를 추출한다.

이렇게 추출한 공정소스를 성분 검사장치에 투입하여 성분을 검사하도록 하고, 측정시간이 경과함에 따라 상술한 실험용배관(22a, 22b, 22c) 중 어느 하나를 선택적으로 분리하여 상술한 방법과 동일하게 공정소스의 성분을 검사하여 각각에 대한 오염 정도를 측정 평가하도록 한다.

그리고, 상술한 내용에 대하여 실험용배관(22a, 22b, 22c)을 동일한 재질로 구비하고, 측정시간별로 순차적으로 분리 측정하는 방법과 실험용배관(22a, 22b, 22c)을 각기 다른 재질로 구비하여 일정 시간이 경과한 후 동시에 분리하여 측정 평가하도록 함으로써 각 부위의 환경에 따른 가장 적당한 재질의 배관을 설정하고, 또 설정된 재질로 제작된 배관의 세정 주기와 교체 주기를 설정하는 방법이 있다.

그리고, 상술한 배관 평가시스템(10)을 구성하는 주입부(18), 배출부(20), 연결관(28) 및 밸브(24)의 재질은 실험용배관(22a, 22b, 22c)에 오염의 정도를 측정함에 있어 영향을 최소화하도록 석영 재질이나 청정 불소수지 또는 스테인레스 스틸 재질의 것을 사용하여 제작함이 바람직하다.

또한, 상술한 측정시간의 단위는 공정소스의 종류가 유독성 또는 부식성 및 오염 정도가 심한 가스나 케미컬 종류일 경우 약 5∼10일 단위로 설정하고, 초순수를 포함한 비교적 오염 정도가 약한 케미컬 종류나 가스 등은 약 20∼40일 단위로 설정하여 측정 검사하도록 함이 바람직하다.

그리고, 상술한 배관 평가시스템(10)을 생산라인 각 부위에 설치하여 평가함으로써 각 부위의 설치 환경에 따른 배관의 오염 정도를 평가함이 바람직하다.

또한, 상술한 내용 중 상태 유지 순환부(26)는 일반적으로 배관을 세정시 사용되는 가열된 초순수가 배관에 끼치는 영향 또는 특정 온도와 환경에 대한 배관의 영향 정도를 평가하도록 유동하는 공정소스를 상기 환경으로 형성하여 순환하도록 함이 효과적이다.

따라서, 본 발명에 의하면 각각의 배관이 설치되는 각 부위의 환경 및 유동하는 공정소스의 종류에 따라 배관의 오염되는 시간과 정도 및 현상 등을 효율적으로 측정하여 평가할 수 있다.

또한, 생산라인에 복잡하게 연결된 배관의 각 부위의 환경에 대하여 배관의 오염 정도를 측정 확인하도록 하여 오염 정도가 심하게 나타나는 부위만을 세정 또는 교체하게 됨으로써 설비 복원은 따른 시간 손실이 줄어들고, 불필요한 교체가 없으며, 설치 부위별로 사용 가능한 적정 수준의 재질로 제작된 배관을 설정 설치하여 사용하게 됨에 따라 경제적인 효과가 있다.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (13)

1. 공정소스 공급부로부터 배관을 통해 각 제조설비로 공급되는 공정소스를 추출하여 오염 정도를 측정 검사함으로써 상기 배관의 세정 주기 및 교체 주기를 설정하기 위한 반도체설비의 배관 평가시스템에 있어서,

   상기 공정소스 공급부측 배관에 분리 가능하게 연결되는 메인 주입구와 상기 메인 주입구로부터 복수개 분기되어 형성된 분기 배출구로 이루어진 주입부와;

   상기 주입부와 대향하는 형상으로 상기 제조설비측 배관에 분리 가능하게 연결되는 메인 배출구와 상기 메인 배출구로부터 복수개로 분기되어 형성된 분기 주입구로 이루어진 배출부와;

   상기 분기 배출구와 상기 분기 주입구 사이를 각각 분리 가능하게 연결 설치되는 실험용배관; 및

   각 연결 부위의 양측에 각각 설치되어 유체의 흐름을 제어하는 밸브;

   를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체설비의 배관 평가시스템.
2. 제 1 항에 있어서,

   어느 하나의 상기 분기 배출구와 상기 분기 배출구와 대응하는 상기 분기 주입구 사이에 연결관을 연결 설치하고, 상기 연결관상에 상태 유지 순환부가 연결 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가시스템.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 상태 유지 순환부는 내부의 공정소스가 충전되고 상기 메인 주입구와 상기 메인 배출구가 차단된 상태에서 공정소스를 순환시키도록 형성된 순환펌프와;

   순환하는 공정소스를 소정 온도로 가열하는 히터와;

   순환하는 공정소스를 소정 온도로 냉각하는 냉각기와;

   순환하는 공정소스의 온도를 측정하도록 형성된 온도 측정기; 및

   공정소스의 순환 상태를 확인하도록 형성된 게이지;

   를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가시스템.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 주입부와 상기 배출부 및 상기 밸브의 재질은 석영 재질임을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가시스템.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 주입부와 상기 배출부 및 상기 밸브의 재질은 청정 불소수지 재질임을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가시스템.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 주입부와 상기 배출부 및 상기 밸브의 재질은 스테인레스 스틸임을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가시스템.
7. 공정소스 공급부로부터 배관을 통해 각 제조설비로 공급되는 공정소스를 추출하여 오염 정도를 측정 검사함으로써 상기 배관의 세정 주기 및 교체 주기를 설정하기 위한 반도체설비의 배관 평가 방법에 있어서,

   상기 공정소스 공급부측의 배관과 상기 제조설비측의 배관 사이에 복수개의 실험용배관을 갖는 평가시스템을 연결하여 각 실험용배관에 공정소스가 흐르도록 하는 단계;

   일정 시간의 경과후 임의의 실험용배관의 양측을 차단하여 공정소스의 흐름을 중단시키는 단계;

   상기 평가시스템으로부터 상기 임의의 실험용배관을 분리하여 상기 임의의 실험용배관 내의 공정소스를 추출하는 단계; 및

   상기 추출된 공정소스의 성분을 검사하는 단계;

   를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체설비의 배관 평가 방법.
8. 제 7 항에 있어서,

   상기 복수개의 실험용배관을 동일한 재질로 구비하고, 측정시간별로 순차적으로 분리하여 공정소스를 추출하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가 방법.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 측정시간은 공정소스의 부식성 정도에 따라 5∼40일 단위임을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가 방법.
10. 배관 내부를 유동하는 소정의 공정소스를 추출하여 오염 정도를 측정 검사함으로써 상기 배관 재질에 따른 세정 주기와 교체 주기 및 적정 수준의 배관 재질을 설정하기 위한 반도체설비의 배관 평가 방법에 있어서,

    복수개의 실험용배관과 상태유지 순환부를 갖는 배관 평가시스템 내의 상기 각 실험용배관과 상기 상태 유지 순환부에 소정의 공정소스를 충전시키는 단계;

    상기 배관 평가시스템 내의 상기 각 실험용배관 내에 소정의 환경 조건으로 상기 공정소스가 흐르도록 강제 순환시키는 단계;

    일정 시간의 경과후 임의의 상기 실험용배관의 양측을 차단하여 공정소스의 흐름을 중단시키는 단계;

    상기 평가시스템으로부터 양측 부위가 차단된 상기 실험용배관을 분리하여 상기 임의의 실험용배관 내의 공정소스를 추출하는 단계; 및

    상기 추출된 공정소스의 성분을 검사하는 단계;

    를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체설비의 배관 평가 방법.
11. 제 10 항에 있어서,

    상기 공정소스의 강제 순환시 측정조건에 따라 공정소스의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체설비의 배관 평가 방법.
12. 제 10 항에 있어서,

    상기 복수개의 실험용배관은 동일한 재질로 구비하고, 측정시간별로 순차적으로 분리하여 공정소스를 추출하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가 방법.
13. 제 10 항에 있어서,

    상기 복수개의 실험용배관은 각기 다른 재질로 구비하고, 동시에 분리하여 공정소스를 추출하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체설비의 배관 평가 방법.