KR19980032629U - 수직,수평 싱크 프로세서의 서지 전압 보호 회로 - Google Patents

수직,수평 싱크 프로세서의 서지 전압 보호 회로 Download PDF

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KR19980032629U
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박웅기
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김영환
현대전자산업 주식회사
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    • H04N5/00—Details of television systems
    • H04N5/63—Generation or supply of power specially adapted for television receivers

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Abstract

본 고안은 수직.수평 싱크 프로세서의 16번 단자인 X선 인 단자에 서지 전압이 공급되는 것을 방지한 서지 전압 보호 회로에 관한 것으로서,
수직.수평 싱크 프로세서와, 상기 수직.수평 싱크 프로세서의 16번 단자인 X선 입력단자에 접속된 비드 코일(B1)과, 상기 비드 코일(B1)에 접속된 저항(R1)과, 상기 저항(R1) 및 비드 코일(B1)에 그 애노드가 접속된 제노 다이오드(D1)와, 상기 제노 다이오드(D1)의 캐소드측에 접속된 저항(R2-R4)과, 상기 비드 코일(B1)과 접속된 콘덴서(C1, C2)로 구성된 프로텍트 테스트 회로에 있어서,
상기 콘덴서(C1, C2)와 그라운드 사이에 비드 코일(B2)을 더 포함시키는 것을 특징으로 한다.
이것에 의해, 그라운드에서 발생한 서지 전압이 비드 코일(B2)에 의해 감소된다.

Description

수직.수평 싱크 프로세서의 서지 전압 보호 회로
본 고안은 모니터의 수직.수평 싱크 프로세서의 서지 전압 보호 회로에 관한 것이며, 보다 상세히는 수직.수평 싱크 프로세서의 16번 단자인 X선 인 단자에 서지 전압이 공급되는 것을 방지한 서지 전압 보호 회로에 관한 것이다.
종래의 경우를 도 1 를 참조하여 설명하기로 한다.
종래의 수직.수평 싱크 프로세서의 프로텍트 테스트 회로는 수직.수평 싱크 프로세서와, 상기 수직.수평 싱크 프로세서의 16번 단자인 X선 입력단자에 접속된 비드 코일(B1)과, 상기 비드 코일(B1)에 접속된 저항(R1)과, 상기 저항(R1) 및 비드 코일(B1)에 그 애노드가 접속된 제노 다이오드(D1)와, 상기 제노 다이오드(D1)의 캐소드측에 접속된 저항(R2-R4)과, 상기 비드 코일(B1)과 접속된 콘덴서(C1, C2)로 구성된다.
상기 16번 핀은 서지 전압이 발생하여 수직.수평 싱크 프로세서가 파손되는 가를 테스트하기 위한 것이다.
이러한 종래의 프로텍트 테스트에서 콘덴서(C1, C2)측의 그라운드에서 서지가 발생되어, 이 때 발생한 서지 전압이 아무런 보호 회로없이 수직.수평 싱크 프로세서에 전달됨으로서 이 프로세서가 데드되는 경우가 있었다.
따라서, 본 고안은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 고안의 목적은 프로텍트 테스트에서 그라운드에서 발생한 서지 전압을 흡수시켜 낮은 서지 전압이 수직.수평 싱크 프로세서에 전달됨으로서 이 프로세서가 안전하게 되도록하는 수직.수평 싱크 프로세서의 서지 전압 보호 회로를 제공하는데 있다.
상기 본 고안의 목적을 달성하기 위한 수직.수평 싱크 프로세서의 서지 전압 보호 회로의 일예로서, 수직.수평 싱크 프로세서와, 상기 수직.수평 싱크 프로세서의 16번 단자인 X선 입력단자에 접속된 비드 코일(B1)과, 상기 비드 코일(B1)에 접속된 저항(R1)과, 상기 저항(R1) 및 비드 코일(B1)에 그 애노드가 접속된 제노 다이오드(D1)와, 상기 제노 다이오드(D1)의 캐소드측에 접속된 저항(R2-R4)과, 상기 비드 코일(B1)과 접속된 콘덴서(C1, C2)로 구성된 프로텍트 테스트 회로에 있어서,
상기 콘덴서(C1, C2)와 그라운드 사이에 비드 코일(B2)을 더 포함시키는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 의해, 그라운드에서 발생한 서지 전압이 비드 코일(B2)에 의해 감소된다.
도 1은 종래의 수직.수평 싱크 프로세서의 프로텍트 테스트 회로도
도 2는 본 고안에 따른 수직.수평 싱크 프로세서의 서지 전압 보호 회로도
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
R1-R4 : 저항 D1 : 제노 다이오드
B1, B2 : 비드 코일 C1, C2 : 콘덴서
이하, 본 고안의 실시예를 도 2를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2를 참조하면, 본 고안에 따른 수직.수평 싱크 프로세서의 서지 전압 보호 회로는 제품명 STV7778인 수직.수평 싱크 프로세서에 서지 전압이 입력되는 지를 X선 입력부인 16번 단자를 통하여 테스트하는 것이다.
상기 수직.수평 싱크 프로세서의 16번 단자인 X선 입력단자에 비드 코일(B1)이 접속되고, 상기 비드 코일(B1)에 저항(R1)이 접속되고, 상기 저항(R1) 및 비드 코일(B1)에 제노 다이오드(D1)의 애노드가 접속된다.
상기 제노 다이오드(D1)의 캐소드측에 저항(R2, R3, R4)가 접속된다.
상기 비드 코일(B1)측에 콘덴서(C1, C2)가 접속되고, 상기 콘덴서(C1, C2)와 그라운드 사이에 비드 코일(B2)이 구비된다.
상기와 같은 구성에 의해 본 고안의 수직.수평 싱크 프로세서의 서지 전압 보호 회로는 프로텍트 테스트시 단락 저항(R2)이 단락 되면, 그라운드에서 발생된 서지 전압을 비드 코일(B2)에서 흡수하여 16번 단자로 공급되는 서지 전압의 레벨이 낮게 된다.
상술한 바와 같이 본 고안에 따른 수직.수평 싱크 프로세서의 서지 전압 보호 회로는 저항(R2)이 단락될 때 발생한 그라운드 서지 전압이 비드 코일(B2)에 의해 감소되어 수직.수평 싱크 프로세서가 보호된다.
이상에서 설명한 것은 본 고안에 따른 수직.수평 싱크 프로세서의 서지 전압 보호 회로를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 고안은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 실용신안등록청구의 범위에서 청구하는 본 고안의 요지를 벗어남이 없이 당해 고안이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.

Claims (1)

  1. 수직.수평 싱크 프로세서와, 상기 수직.수평 싱크 프로세서의 16번 단자인 X선 입력단자에 접속된 비드 코일(B1)과, 상기 비드 코일(B1)에 접속된 저항(R1)과, 상기 저항(R1) 및 비드 코일(B1)에 그 애노드가 접속된 제노 다이오드(D1)와, 상기 제노 다이오드(D1)의 캐소드측에 접속된 저항(R2-R4)과, 상기 비드 코일(B1)과 접속된 콘덴서(C1, C2)로 구성된 프로텍트 테스트 회로에 있어서,
    상기 콘덴서(C1, C2)와 그라운드 사이에 비드 코일(B2)을 더 포함시키는 것을 특징으로 하는 수직.수평 싱크 프로세서의 서지 전압 보호 회로.
KR2019960045514U 1996-12-04 1996-12-04 수직,수평 싱크 프로세서의 서지 전압 보호 회로 KR19980032629U (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100464451B1 (ko) * 2002-02-20 2005-01-03 삼성전자주식회사 프로세서의 누설 전류 감소 회로

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