KR19980026092A

KR19980026092A - Wafer Cleaner

Info

Publication number: KR19980026092A
Application number: KR1019960044417A
Authority: KR
Inventors: 박임수; 이강욱
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1996-10-07
Filing date: 1996-10-07
Publication date: 1998-07-15

Abstract

본 발명은 웨이퍼 세정 장치에 대해 기재되어 있다.The present invention is described with respect to a wafer cleaning apparatus.

상기 웨이퍼 세정 장치는 세정조(Bath); 및 상기 세정조의 밑면에서 세정액을 공급하는 다수개의 Y자형 공급관을 구비함으로써, 세정조 내의 모든 웨이퍼에 균일한 유량 및 유속의 세정액을 공급할 수 있으므로 웨이퍼의 세정 효과를 보다 더 증가시킬 수 있다.The wafer cleaning apparatus includes a cleaning bath; And by having a plurality of Y-shaped supply pipe for supplying the cleaning liquid from the bottom of the cleaning tank, it is possible to supply the cleaning liquid of uniform flow rate and flow rate to all the wafers in the cleaning tank can further increase the cleaning effect of the wafer.

Description

Wafer cleaning equipment

본 발명은 반도체 소자의 제조 장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼를 보다 효과적으로 세정하는 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the manufacturing apparatus of a semiconductor element. Specifically, It is related with the wafer cleaning apparatus which wash | cleans a wafer more effectively.

반도체 소자가 고집적화됨에따라 디자인 룰(Design Rule)은 점점 미세화되고 각각의 제조 공정 후 실시하는 습식 세정(Wet Clraning)이 더욱 중요시되고 있다.As semiconductor devices have been highly integrated, design rules have become increasingly finer, and wet clraning performed after each manufacturing process is becoming more important.

일반적인 습식 세정은 산 또는 염기성의 화학 물질을 사용하여 웨이퍼 상의 오염 물질을 제거한 후 웨이퍼 상에 잔존하는 화학 물질을 제거하기 위해 탈 이온수(Di-Water)를 사용하여 린싱(Rinsing)한다.Typical wet cleaning uses acid or basic chemicals to remove contaminants on the wafer and then rinsed with Di-Water to remove the chemicals remaining on the wafer.

이러한 습식 세정을 효과적으로 실시하기 위해서는, 화학 물질이나 탈 이온수를 세정조(Bath)에 일정한 플로우(Flow)로 공급하고 또한 웨이퍼를 세정한 후 오염된 물은 효과적으로 세정조 밖으로 배출해야 한다.In order to effectively carry out such wet cleaning, chemicals or deionized water must be supplied to a bath in a constant flow, and after cleaning the wafer, contaminated water must be effectively discharged out of the bath.

도 1은 종래 기술에 의한 웨이퍼 세정 장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a wafer cleaning apparatus according to the prior art.

도면 참조 번호 1은 세정조(Bath)를, 2는 웨이퍼를, 3은 정류판을, 4는 공급관을 각각 나타낸다.Reference numeral 1 denotes a bath, 2 indicates a wafer, 3 indicates a rectifying plate, and 4 indicates a supply pipe.

세정조(1)의 정류판(3) 상에 웨이퍼(2)를 올려 놓고 상기 웨이퍼(2)를 세정하기 위한 화학 물질이나 탈이온수를 공급하기 위한 공급관(4)이 상기 세정조(1)의 하부에 위치한다.The wafer 2 is placed on the rectifying plate 3 of the cleaning tank 1, and a supply pipe 4 for supplying chemicals or deionized water for cleaning the wafer 2 is provided in the cleaning tank 1. Located at the bottom

상기 공급 관(4)은 관 모양을 하고 상기 세정조(!)의 밑면에 위치한다.The supply pipe 4 is tubular and is located at the bottom of the cleaning tank !!

상기 세정조(1) 바닥에 있는 상기 공급 관(4)을 통해 수직 방향으로 상기 세정조(1) 내에 탈이온수(DI-Water)가 들어올 경우 상기 정류판(3)이 있음에도 불구하고 탈이온수는 상기 웨이퍼(2)들 사이로 균일하게 흐르지 않고 상기 공급관(4) 상부에 위치한 웨이퍼, 즉 상기 웨이퍼(2)들 중 그 중심에 있는 웨이퍼에만 흐르므로 웨이퍼의 세정 효율을 감소시키게된다.When deionized water (DI-Water) enters the washing tank 1 in the vertical direction through the supply pipe 4 at the bottom of the washing tank 1, the deionized water is maintained despite the presence of the rectifying plate 3. It does not evenly flow between the wafers 2 but flows only to the wafer located above the supply pipe 4, that is, the center of the wafers 2, thereby reducing the cleaning efficiency of the wafer.

즉, HF를 사용하여 식각 공정을 진행한 웨이퍼를 세정하기 위해 상기 세정조(1)에서 세정하면 웨이퍼마다 식각 정도가 다르게 나타나는데, 이는 상기 세정조(1)에서 각각의 웨이퍼에 탈이온수가 균일한 유량 및 유속으로 공급되지 않아 완전하게 세정된 웨이퍼와 그렇지 못한 웨이퍼가 존재하기 때문이다.That is, when the wafer is cleaned by using the HF in the cleaning bath 1 to clean the wafer, the etching degree is different for each wafer, which means that the deionized water is uniform in each wafer in the cleaning bath 1. This is because there are wafers that are not cleaned at the flow rate and flow rate, and wafers that are not completely cleaned.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 웨이퍼를 보다 효과적으로 세정하는 웨이퍼 세정 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a wafer cleaning apparatus for more effectively cleaning a wafer.

도 2는 본 발명에 의한 웨이퍼 세정 장치를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a wafer cleaning apparatus according to the present invention.

상기 과제를 이루기 위하여 본 발명은, 세정조(Bath); 및 상기 세정조의 밑면에서 세정액을 공급하는 다수개의 Y자형 공급관을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, the washing tank (Bath); And a plurality of Y-shaped supply pipes for supplying a cleaning liquid from a bottom surface of the cleaning tank.

본 발명에 의한 웨이퍼 세정 장치는 세정조 밑면에 위치하는 공급관을 Y자형으로 디자인하여 세정조 내의 모든 웨이퍼에 균일한 유량 및 유속의 세정액을 공급할 수 있으므로 웨이퍼의 세정 효과를 보다 더 증가시킬 수 있다.In the wafer cleaning apparatus according to the present invention, the supply pipe located at the bottom of the cleaning tank is designed in a Y-shape to supply cleaning liquids of uniform flow rate and flow rate to all wafers in the cleaning tank, thereby further increasing the cleaning effect of the wafer.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2은 본 발명에 의한 웨이퍼 세정 장치를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a wafer cleaning apparatus according to the present invention.

도면 참조 번호 21은 세정조(Bath)를, 22는 웨이퍼를, 23은 정류판을, 24는 공급관을 각각 나타낸다.Reference numeral 21 denotes a bath, 22 indicates a wafer, 23 indicates a rectifying plate, and 24 indicates a supply pipe.

세정조(21)의 정류판(23) 상에 웨이퍼(22)를 올려 놓고 상기 웨이퍼(22)를 세정하기 위한 화학 물질이나 탈이온수를 공급하기 위한 공급관(24)이 상기 세정조(21)의 하부에 위치한다.The wafer 22 is placed on the rectifying plate 23 of the cleaning tank 21, and a supply pipe 24 for supplying chemicals or deionized water for cleaning the wafer 22 is provided in the cleaning tank 21. Located at the bottom

상기 공급 관(24)은 Y자형의 관으로 이루어지고 상기 세정조(2!)로 유입되는 관 사이의 각도(θ)는 상기 정류판(23)이 없을 경우 상기 세정조(21) 밑면과 상기 웨이퍼(22) 사이의 간격, 상기 정류판(23)이 있을 경우 상기 세정조(21)밑면과 상기 정류판(23)사이의 간격을 고려하여 변화를 줄수 있는데, 보통 15。 θ 180。 로 이루어지고 상기 공급관(24)은 다수개의 Y자형 관으로 형성할 수 있다.The supply pipe 24 is made of a Y-shaped pipe and the angle θ between the pipes flowing into the cleaning tank 2! Is lower than the bottom of the cleaning tank 21 when the rectifying plate 23 is not present. In the case of the gap between the wafers 22 and the rectifying plate 23, a change can be made in consideration of the distance between the bottom surface of the cleaning tank 21 and the rectifying plate 23, and is usually 15 ° θ 180 °. The supply pipe 24 may be formed of a plurality of Y-shaped pipes.

상기 Y자형 공급관(24)은 상기 세정조(21) 내에 탈이온수(DI-Water)를 공급할 경우 수직 방향 및 수평 방향의 유속을 가지게 하기 위한 것으로서, 탈이온수는 상기 웨이퍼(22)들 사이로 균일하게 흘러 상기 웨이퍼(22)들의 세정 효과를 향상시킨다.The Y-shaped supply pipe 24 is to have a flow rate in the vertical direction and the horizontal direction when DI water is supplied into the cleaning tank 21, and the deionized water is uniformly distributed between the wafers 22. The flow improves the cleaning effect of the wafers 22.

본 발명은 이에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to this, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical idea of the present invention.

이상, 설명된 바와 같이 본 발명에 의한 웨이퍼 세정 장치는 세정조 밑면에 위치하는 공급관을 Y자형으로 디자인하여 세정조 내의 모든 웨이퍼에 균일한 유량 및 유속의 세정액을 공급할 수 있으므로 웨이퍼의 세정 효과를 보다 더 증가시킬 수 있다.As described above, the wafer cleaning apparatus according to the present invention has a Y-shaped supply pipe located at the bottom of the cleaning tank, so that the cleaning liquid at a uniform flow rate and flow rate can be supplied to all the wafers in the cleaning tank. Can be increased further.

Claims

Bath; And

And a plurality of Y-shaped supply pipes for supplying a cleaning liquid from the bottom surface of the cleaning tank.