KR102690133B1 - How to produce rinsing liquid - Google Patents
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Abstract
본 출원은 애노드를 갖는 애노드 챔버 및 캐소드를 갖는 캐소드 챔버를 갖는 전기화학 셀에서 수성 린싱 액체를 생산하는 방법을 개시하고, 애노드 챔버 및 캐소드 챔버는 양이온-선택적인 멤브레인에 의해 분리되고, 방법은 (a) 애노드 챔버로 수성 애노드 챔버 공급 원료를 피딩하는 단계, (b) 캐소드 챔버를 통해 적어도 하나의 전해질을 포함하는 수성 캐소드 챔버 공급 원료를 피딩하는 단계, 및 (c) 캐소드 챔버에서 린싱 액체를 형성하기 위해 애노드 및 캐소드에 전압을 인가하는 단계를 포함하고, 단계 a, 단계 b, 및 단계 c는 적어도 부분적으로 동시에 수행된다. 또한 개시된 것은 이러한 방법들을 수행하기에 적합한 장치이다. The present application discloses a method for producing an aqueous rinsing liquid in an electrochemical cell having an anode chamber with an anode and a cathode chamber with a cathode, the anode chamber and the cathode chamber being separated by a cation-selective membrane, the method comprising: a) feeding an aqueous anode chamber feedstock to an anode chamber, (b) feeding an aqueous cathode chamber feedstock comprising at least one electrolyte through a cathode chamber, and (c) forming a rinsing liquid in the cathode chamber. and applying a voltage to the anode and cathode, wherein step a, step b, and step c are performed at least partially simultaneously. Also disclosed is an apparatus suitable for performing these methods.
Description
본 발명은 린싱 액체를 생산하는 방법에 관한 것이고, 특히, 배타적으로는 아니지만, 품목의 표면에 손상을 방지하는 동안 정적 에너지의 빌드 업을 방지하기 위해, 품목의 표면의 린싱에 사용하기 위해 전기화학 셀에서 린싱 액체를 생산하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of producing a rinsing liquid, particularly, but not exclusively, for use in rinsing the surface of an item, to prevent build-up of static energy while preventing damage to the surface of the item. It relates to a method of producing rinsing liquid in a cell.
반도체 웨이퍼들은 집적 회로들의 제작시, 예를 들어, 웨이퍼의 표면 상에 초미세 (sub-microscopic) 피처들을 생성하도록 프로세싱된다. 프로세싱은 통상적으로 다수의 습식 프로세싱 단계들을 수반하고, 웨이퍼들은 통상적으로 이러한 프로세싱 후 린싱되고 건조된다. 반도체 웨이퍼의 스피닝 (spinning) 은 통상적으로 프로세싱의 스핀-린스-건조 (spin-rinse-dry) 단계에서 발생한다. Semiconductor wafers are processed to create sub-microscopic features on the surface of the wafer, for example, during the fabrication of integrated circuits. Processing typically involves multiple wet processing steps, and wafers are typically rinsed and dried after such processing. Spinning of semiconductor wafers typically occurs during the spin-rinse-dry step of processing.
탈이온수가 전통적으로 프로세싱 후 반도체 웨이퍼들을 린싱하기 위해 사용되었다. 고품질의 탈이온수가 불순물들을 거의 갖지 않고, 따라서 린싱 후 웨이퍼 상에 어떠한 재료도 남기지 않는다. 그러나, 탈이온수는 또한 매우 고 저항성 (즉, 저 전도성) 을 갖는다. 이는 린싱 동안 웨이퍼 상의 정전하를 증가시키는 상당한 위험을 발생시킨다. 정전하가 충분한 레벨로 상승하면, 바람직하지 않은 방전이 발생할 수 있다. 이러한 방전은 웨이퍼 상의 피처들에 손상을 줄 수 있고, 웨이퍼 상에 형성된 집적 회로의 결함들을 발생시킨다. Deionized water has traditionally been used to rinse semiconductor wafers after processing. High quality deionized water has few impurities and therefore leaves no material on the wafer after rinsing. However, deionized water also has a very high resistivity (i.e. low conductivity). This creates a significant risk of increasing static charge on the wafer during rinsing. If the electrostatic charge rises to a sufficient level, undesirable discharges may occur. This discharge can damage features on the wafer and cause defects in integrated circuits formed on the wafer.
US 2006/0115774 A1은 웨이퍼들의 스핀-린스-건조 동안 반도체 웨이퍼들 상의 정전하들의 축적을 제거하거나 감소시키기 위한 방법을 기술한다. 이 방법은 웨이퍼가 회전할 때 웨이퍼 상의 정전하들을 중화하기 위해 린싱 동안 용해된 이산화탄소와 이온 용액 또는 탈이온수를 사용한다. 탈이온수에 용해된 이산화탄소는 정전하들의 축적이 감소되거나 방지되도록, 물의 전도율을 상승시킨다. US 2006/0115774 A1 describes a method for eliminating or reducing the accumulation of electrostatic charges on semiconductor wafers during spin-rinse-drying of the wafers. This method uses a solution of dissolved carbon dioxide and ions or deionized water during rinsing to neutralize static charges on the wafer as it rotates. Carbon dioxide dissolved in deionized water increases the conductivity of the water so that the build-up of static charges is reduced or prevented.
탈이온수에 용해된 이산화탄소를 사용하는 것의 대안으로서, US 9,090,854는 웨이퍼의 린싱을 위한 린싱 액체로 암모니아 또는 아민의 희석된 수용액의 사용을 기술한다. 린싱 용액은 8에서 10의 범위의 pH를 가지고, 따라서 이산화탄소 린싱 액체와 함께 산성 탈이온수의 대안으로 비산성 린싱 용액을 제공한다. As an alternative to using carbon dioxide dissolved in deionized water, US 9,090,854 describes the use of a dilute aqueous solution of ammonia or amine as a rinsing liquid for rinsing wafers. Rinsing solutions have a pH ranging from 8 to 10, thus providing a non-acidic rinsing solution as an alternative to acidic deionized water with carbon dioxide rinsing liquid.
보다 최근에, US 2016/0362310 A1은 특히 반도체 기술에서 표면들의 세정에 “전해수 (electrolyzed water)”가 사용된다는 것을 언급한다. 전해수를 전기화학적으로 생산하는 방법이 기술되었다. 기술된 방법은 캐소드 챔버로부터 이온 교환 멤브레인에 의해 분리된 애노드 챔버를 갖는 전기화학 셀을 사용한다. 물은 캐소드 챔버를 통과하고, 전해질을 포함하는 물은 애노드 챔버를 통과한다. 애노드와 캐소드에 전압이 인가되면, 캐소드 챔버에 전해수가 형성된다. 특히, 암모늄 이온과 같은 전해질은 전해수를 형성하기 위해 애노드 챔버로부터 이온 교환 멤브레인을 통해 캐소드 챔버로 전달된다. More recently, US 2016/0362310 A1 specifically mentions that “electrolyzed water” is used for cleaning surfaces in semiconductor technology. A method for electrochemically producing electrolyzed water has been described. The described method uses an electrochemical cell with an anode chamber separated from the cathode chamber by an ion exchange membrane. Water passes through the cathode chamber, and water containing electrolyte passes through the anode chamber. When voltage is applied to the anode and cathode, electrolyzed water is formed in the cathode chamber. In particular, electrolytes such as ammonium ions are transferred from the anode chamber to the cathode chamber through the ion exchange membrane to form electrolyzed water.
US 6,143,163은 산성수와 알칼리수를 생산하기 위한 물 전기분해 방법을 기술하고, 이는 전극 재료의 용해 방지에 효과적인 것으로 알려져 있다. 출원인은 전기분해 셀에 대한 전력 공급이 차단되면, 애노드 및 캐소드가 각각 애노드 또는 캐소드 챔버의 환경에 따라 전위를 가정하고, 역전류의 생성으로 이어진다는 것을 언급한다. 이 역전류는 애노드 챔버에서 애노드 재료의 환원, 캐소드 챔버의 캐소드 재료 및 집전기 (collector) 의 산화를 유발하고, 금속 용해 및/또는 전극 비활성화로 이어진다 (이와 관련하여, US 6,143,163은 탄소 기반 전극들 대신 금속 기반 전극들을 사용함-6 열, 18 행에서 30 행 참조). 이 문제를 극복하기 위해, 출원인은 전력 공급 차단 상태에서 애노드와 캐소드 사이에 전기분해를 유발하기에 불충분하지만 역전류의 생성을 방지하기 충분한 전압 및/또는 전류를 인가하는 것을 제안한다. 이 문서는 알칼리수가 순수 (pure water) 및/또는 수산화암모늄을 캐소드 챔버에 공급함으로써 알칼리수가 생산될 수 있다는 것을 나타낸다 (7 열, 45 행에서 54 행 참조). US 6,143,163 describes a water electrolysis method to produce acidic and alkaline water, which is known to be effective in preventing dissolution of electrode materials. The applicant notes that when the power supply to the electrolysis cell is cut off, the anode and cathode assume a potential depending on the environment of the anode or cathode chamber respectively, leading to the generation of a reverse current. This reverse current causes reduction of the anode material in the anode chamber, oxidation of the cathode material and collector in the cathode chamber, and leads to metal dissolution and/or electrode deactivation (in this regard, US 6,143,163 refers to carbon-based electrodes Instead, metal-based electrodes were used - see
JPH 10-001794는 알칼리수를 생산하기 위한 전해 셀을 기술하고, 셀은 과불화탄소 양이온 교환 멤브레인에 의해 분리된 애노드 챔버 및 캐소드 챔버를 갖고, 캐소드 격실 (compartment) 은 불소수지로 이루어지고, 캐소드는 백금 및/또는 산화루테늄으로 이루어지고 캐소드 집전기는 지르코늄으로 이루어진다. US 6,143,163과 유사하게, 이 문서는 캐소드 챔버에 순수 및/또는 수산화암모늄을 공급함으로써 알칼리수가 생산될 수 있다는 것을 나타낸다. JPH 10-001794 describes an electrolytic cell for producing alkaline water, the cell having an anode chamber and a cathode chamber separated by a perfluorocarbon cation exchange membrane, the cathode compartment is made of fluoropolymer, and the cathode is platinum. and/or ruthenium oxide and the cathode current collector is made of zirconium. Similar to US 6,143,163, this document indicates that alkaline water can be produced by supplying pure water and/or ammonium hydroxide to the cathode chamber.
그러나, US 6,143,163 및 JPH 10-001794 모두에서 전해질 수산화암모늄을 도입하는 방법이 명시되지 않는다 (예를 들어, 수산화암모늄을 포함하는 캐소드 챔버 공급 원료 (feedstock) 를 사용하는 것의 개시가 없다). 또한, 알칼리수의 생산에서 애노드 챔버에 공급하기 위한 컴포넌트의 세부사항들이 주어지지 않는다. 이와 관련하여, US 6,143,163의 특정한 예들은 애노드 챔버 및 캐소드 챔버 모두의 공급 원료로 순수를 사용하고, JPH 10-001794의 특정한 예들은 모두 캐소드 챔버의 공급 원료로 순수를 사용한다. 또한, 어떤 문서도 수산화암모늄 (또는 보다 일반적으로 전해질) 의 농도나, 수산화암모늄의 효과를 나타내지 않는다. However, in both US 6,143,163 and JPH 10-001794 the method of introducing the electrolyte ammonium hydroxide is not specified (e.g. there is no disclosure of using a cathode chamber feedstock comprising ammonium hydroxide). Additionally, details of the components for supplying the anode chamber in the production of alkaline water are not given. In this regard, certain examples of US 6,143,163 use pure water as a feedstock for both the anode chamber and the cathode chamber, and certain examples of JPH 10-001794 both use pure water as a feedstock for the cathode chamber. Additionally, no document indicates the concentration of ammonium hydroxide (or more generally the electrolyte) or the effects of ammonium hydroxide.
JPH 08-144077, JP 2013/010988, GB 2287719, US 2010/0187129, WO 2017/203007, US 6,527,940 및 US 2007/018638 또한 물을 전기분해하는 방법들을 기술한다. JPH 08-144077, JP 2013/010988, GB 2287719, US 2010/0187129, WO 2017/203007, US 6,527,940 and US 2007/018638 also describe methods for electrolyzing water.
본 발명은 상기 고려사항들을 고려하여 고안되었다. The present invention has been designed taking into account the above considerations.
가장 일반적으로, 본 발명은 캐소드 챔버를 통해 용해된 전해질과 함께 물을 통과시키고 전기화학 셀의 애노드 및 캐소드에 전압을 인가함으로써 전기화학 셀에서 린싱 액체를 생산하기 위한 방법을 제공한다. Most generally, the present invention provides a method for producing rinsing liquid in an electrochemical cell by passing water with dissolved electrolyte through a cathode chamber and applying a voltage to the anode and cathode of the electrochemical cell.
제 1 양태에서, 본 발명은 애노드를 갖는 애노드 챔버 및 캐소드를 갖는 캐소드 챔버를 갖는 전기화학 셀에서 수성 린싱 액체를 생산하는 방법을 제공하고, 애노드 챔버 및 캐소드 챔버는 양이온-선택적인 (cation-selective) 멤브레인에 의해 분리되고, 방법은: a. 애노드 챔버로 수성 애노드 챔버 공급 원료를 피딩하는 (feeding) 단계; b. 캐소드 챔버를 통해 적어도 하나의 전해질을 포함하는 수성 캐소드 챔버 공급 원료를 피딩하는 단계; 및 c. 캐소드 챔버에서 린싱 액체를 형성하기 위해 애노드 및 캐소드에 전압을 인가하는 단계를 포함하고, 단계 a, 단계 b, 및 단계 c는 적어도 부분적으로 동시에 수행된다. In a first aspect, the invention provides a method for producing an aqueous rinsing liquid in an electrochemical cell having an anode chamber having an anode and a cathode chamber having a cathode, wherein the anode chamber and the cathode chamber are cation-selective. ) are separated by a membrane, and the method is: a. feeding an aqueous anode chamber feedstock to the anode chamber; b. Feeding an aqueous cathode chamber feedstock comprising at least one electrolyte through the cathode chamber; and c. and applying a voltage to the anode and cathode to form a rinsing liquid in the cathode chamber, wherein step a, step b, and step c are performed at least partially simultaneously.
제 1 양태의 방법에 의해 생산된 린싱 액체는 물품의 표면, 특히 반도체 웨이퍼의 표면의 린싱에서 린싱 액체로 사용될 수 있다. 이하에 보다 상세히 기술될 바와 같이, 제 1 양태의 방법은 린싱 액체의 산화 환원 전위 (Oxidation Reduction Potential; ORP) 를 제어하는 동안 또한 린싱 액체의 전해질의 농도를 제어할 수도 있다. 이 방식으로, 린싱 액체의 전도율은 정전하의 축적을 방지할 뿐만 아니라, 린싱 액체의 ORP의 제어에 의해 린싱된 물품의 표면 부식을 방지하기에 충분한 레벨로 유지될 수 있다. 전해수의 pH는 또한 독립적으로 선택될 수도 있다. The rinsing liquid produced by the method of the first aspect can be used as a rinsing liquid in rinsing the surface of an article, particularly the surface of a semiconductor wafer. As will be described in more detail below, the method of the first aspect may also control the concentration of electrolyte in the rinsing liquid while controlling the Oxidation Reduction Potential (ORP) of the rinsing liquid. In this way, the conductivity of the rinsing liquid can be maintained at a level sufficient to prevent the accumulation of static charges, as well as to prevent surface corrosion of the rinsed article by control of the ORP of the rinsing liquid. The pH of the electrolyzed water may also be selected independently.
수성 애노드 챔버 공급 원료는 전압이 애노드 및 캐소드에 인가되기 전 그리고 인가되는 동안 애노드 챔버로 피딩되는 액체이다. 이와 같이, 수성 애노드 챔버 공급 원료는 또한 수성 애노드 챔버 피딩 액체 또는 수성 애노드 챔버 유입물 (inflow) 로 지칭될 수도 있다. Aqueous anode chamber feedstock is the liquid that is fed into the anode chamber before and while voltage is applied to the anode and cathode. As such, the aqueous anode chamber feedstock may also be referred to as the aqueous anode chamber feeding liquid or aqueous anode chamber inflow.
유사하게, 수성 캐소드 챔버 공급 원료는 전압이 애노드 및 캐소드에 인가되기 전 및 인가되는 동안 캐소드 챔버로 피딩되는 액체이다. 이와 같이, 수성 캐소드 챔버 공급 원료는 또한 수성 캐소드 챔버 피딩 액체 또는 수성 캐소드 챔버 유입물로 지칭될 수도 있다. Similarly, the aqueous cathode chamber feedstock is a liquid that is fed into the cathode chamber before and while voltage is applied to the anode and cathode. As such, aqueous cathode chamber feedstock may also be referred to as aqueous cathode chamber feeding liquid or aqueous cathode chamber inlet.
애노드 챔버 공급 원료 및 캐소드 챔버 공급 원료는 통상적으로 전압을 인가하는 단계 c의 적용 전에, 애노드 챔버 및 캐소드 챔버로 각각 피딩된다. 이 방식으로, 애노드 챔버 및 캐소드 챔버는 전압이 인가되기 전, 애노드 챔버 공급 원료 및 캐소드 챔버 공급 원료로 각각 충진될 수도 있다. The anode chamber feedstock and cathode chamber feedstock are typically fed to the anode chamber and cathode chamber, respectively, prior to application of step c of applying voltage. In this way, the anode chamber and cathode chamber may be filled with anode chamber feedstock and cathode chamber feedstock, respectively, before voltage is applied.
전압이 단계 c에서 애노드 및 캐소드에 인가될 때, 애노드 챔버 공급 원료 및 캐소드 챔버 공급 원료가 애노드 챔버 및 캐소드 챔버로 각각 들어가면, 통상적으로 캐소드 챔버 및 애노드 챔버를 통한 액체의 흐름이 유발된다. 이러한 액체의 흐름은 통상적으로 액체로 하여금 애노드 및 캐소드 챔버로부터 각각 애노드 챔버 및 캐소드 챔버의 출구 (또는 유출구) 를 빠져나가게 한다. 애노드 챔버 및/또는 캐소드 챔버의 유출구는 전기화학 셀의 상부에 있을 수도 있다. 이 방식으로, 애노드 챔버 및 캐소드 챔버 내에 생성된 모든 가스는 전기화학 셀로부터 제거될 수도 있다. 전기화학 셀에서 가스의 빌드-업은 예를 들어, 가스가 수소 가스일 때 안전상 위험을 발생시킬 수도 있다. When a voltage is applied to the anode and cathode in step c, the anode chamber feedstock and cathode chamber feedstock enter the anode chamber and cathode chamber, respectively, typically causing a flow of liquid through the cathode chamber and the anode chamber. This flow of liquid typically causes the liquid to exit the anode and cathode chambers and exit (or outlets) of the anode and cathode chambers, respectively. The outlets of the anode chamber and/or cathode chamber may be at the top of the electrochemical cell. In this way, all gases generated within the anode chamber and cathode chamber may be removed from the electrochemical cell. Build-up of gases in electrochemical cells may create a safety hazard, for example when the gas is hydrogen gas.
애노드 챔버 공급 원료 및 캐소드 챔버 공급 원료의 피딩은, 각각 애노드 챔버 및 캐소드 챔버 내로의 공급 원료 각각의 투입을 수반한다. 전해질이 물과 같은 극성 용매에 용해될 때 전기적으로 전도성 용액을 생산하는 물질을 의미하는 것으로 공지된다. Feeding of the anode chamber feedstock and cathode chamber feedstock involves the respective introduction of the feedstock into the anode chamber and cathode chamber, respectively. It is known that an electrolyte refers to a substance that produces an electrically conductive solution when dissolved in a polar solvent such as water.
제 2 양태에서, 본 발명은 수성 린싱 액체를 생산하기 위한 장치를 제공하고, 장치는 애노드 챔버에 애노드 및 캐소드 챔버에 캐소드를 갖는 전기화학 셀을 포함하고, 애노드 챔버 및 캐소드 챔버는 양이온-선택적인 멤브레인에 의해 분리되고, 애노드 챔버는 애노드 챔버 공급 원료를 수용하기 위한 애노드 챔버 유입구를 포함하고, 캐소드 챔버는 캐소드 챔버 공급 원료를 수용하기 위한 캐소드 챔버 공급 원료를 포함하고, 수성 캐소드 챔버 공급 원료는 물 및 적어도 하나의 전해질을 포함하며, 장치는 수성 애노드 챔버 공급 원료를 애노드 챔버에 제공하기 위해 애노드 챔버 유입구와 유체로 연통하는 애노드 챔버 공급 원료 소스, 및 수성 캐소드 챔버 공급 원료를 캐소드 챔버에 제공하기 위해 캐소드 챔버 유입구와 유체로 연통하는 캐소드 챔버 공급 원료 소스를 더 포함한다. In a second aspect, the invention provides an apparatus for producing an aqueous rinsing liquid, the apparatus comprising an electrochemical cell having an anode in the anode chamber and a cathode in the cathode chamber, the anode chamber and the cathode chamber having a cation-selective rinsing liquid. Separated by a membrane, the anode chamber includes an anode chamber inlet for receiving an anode chamber feedstock, the cathode chamber includes a cathode chamber feedstock for receiving a cathode chamber feedstock, and the aqueous cathode chamber feedstock is water. and at least one electrolyte, wherein the device includes an anode chamber feedstock source in fluid communication with the anode chamber inlet to provide an aqueous anode chamber feedstock to the anode chamber, and an anode chamber feedstock source to provide an aqueous cathode chamber feedstock to the cathode chamber. and a cathode chamber feedstock source in fluid communication with the cathode chamber inlet.
애노드 챔버 공급 원료 소스는 애노드 챔버 공급 원료를 전기화학 셀에 제공하기 위한 애노드 챔버 공급 원료 공급부이다. 유사하게, 캐소드 챔버 공급 원료 소스는 캐소드 챔버 공급 원료를 전기화학 셀에 제공하기 위한 캐소드 챔버 공급 원료 공급부이다. The anode chamber feedstock source is an anode chamber feedstock supply for providing anode chamber feedstock to the electrochemical cell. Similarly, the cathode chamber feedstock source is a cathode chamber feedstock supply for providing cathode chamber feedstock to the electrochemical cell.
제 3 양태에서, 본 발명은 애노드를 갖는 애노드 챔버 및 캐소드를 갖는 캐소드 챔버를 갖는 전기화학 셀에서 수성 린싱 액체를 생산하는 방법을 제공하고, 애노드 챔버 및 캐소드 챔버는 양이온-선택적인 멤브레인에 의해 분리되고, 방법은: In a third aspect, the invention provides a method for producing an aqueous rinsing liquid in an electrochemical cell having an anode chamber having an anode and a cathode chamber having a cathode, the anode chamber and the cathode chamber being separated by a cation-selective membrane. And here's how:
a. 애노드 챔버로 수성 애노드 챔버 공급 원료 (feedstock) 를 피딩하는 (feeding) 단계; a. feeding an aqueous anode chamber feedstock to the anode chamber;
b. 수성 캐소드 챔버 공급 원료를 피딩하는 단계; b. feeding an aqueous cathode chamber feedstock;
c. 애노드 및 캐소드에 전압을 인가하는 단계를 포함하고, c. It includes applying a voltage to the anode and cathode,
단계 a, 단계 b, 및 단계 c는 적어도 부분적으로 동시에 수행되고, Step a, step b, and step c are performed at least partially simultaneously,
d. 단계 c 동안 및/또는 단계 c 후에 캐소드 챔버로부터 캐소드 챔버 유출구를 통해 캐소드 챔버 출력 액체를 방출하는 단계; 및 d. Discharging the cathode chamber output liquid from the cathode chamber through the cathode chamber outlet during and/or after step c; and
e. 수성 린싱 액체를 형성하기 위해 적어도 하나의 전해질을 캐소드 챔버 출력 액체에 첨가하는 단계를 더 수행한다. e. A further step is to add at least one electrolyte to the cathode chamber output liquid to form an aqueous rinsing liquid.
캐소드 챔버 출력 액체는 캐소드 챔버로부터의 캐소드 챔버 유출물 (outflow) 이다. 이와 같이, 캐소드 챔버 출력 액체는 애노드 및 캐소드로의 전압의 인가 후 캐소드 챔버 공급 원료 (유입물, 피딩 액체) 의 생성물이다. The cathode chamber output liquid is the cathode chamber outflow from the cathode chamber. As such, the cathode chamber output liquid is the product of the cathode chamber feedstock (inlet, feeding liquid) after application of voltage to the anode and cathode.
제 4 양태에서, 본 발명은 수성 린싱 액체를 생산하기 위한 장치를 제공하고, 장치는 애노드 챔버에 애노드를, 캐소드 챔버에 캐소드를 갖는 전기화학 셀을 포함하고, 애노드 챔버 및 캐소드 챔버는 양이온-선택적인 멤브레인에 의해 분리되고, 애노드 챔버는 애노드 챔버 공급 원료를 수용하기 위한 애노드 챔버 유입구를 포함하고, 캐소드 챔버는 캐소드 챔버 공급 원료를 수용하기 위한 캐소드 챔버 공급 원료 유입구를 포함하고, 캐소드 챔버는 캐소드 챔버로부터 액체를 방출하기 위한 캐소드 챔버 유출구를 포함하며, 장치는 수성 애노드 챔버 공급 원료를 애노드 챔버에 제공하기 위한 애노드 챔버 유입구와 유체로 연통하는 애노드 챔버 공급 원료 소스, 수성 캐소드 챔버 공급 원료를 캐소드 챔버에 제공하기 위해 캐소드 챔버 유입구와 유체로 연통하는 캐소드 챔버 공급 원료 소스, 및 캐소드 챔버 유출구를 통해 캐소드 챔버로부터 방출된 캐소드 챔버 출력 액체에 전해질을 전달하기 위한 전해질 소스를 더 포함한다. In a fourth aspect, the invention provides an apparatus for producing an aqueous rinsing liquid, the apparatus comprising an electrochemical cell having an anode in an anode chamber and a cathode in a cathode chamber, wherein the anode chamber and the cathode chamber are cation-selective. Separated by an optical membrane, the anode chamber includes an anode chamber inlet for receiving anode chamber feedstock, the cathode chamber includes a cathode chamber feedstock inlet for receiving cathode chamber feedstock, and the cathode chamber includes a cathode chamber feedstock inlet. an anode chamber feedstock source in fluid communication with the anode chamber inlet for providing aqueous anode chamber feedstock to the anode chamber; a cathode chamber feedstock source in fluid communication with the cathode chamber inlet, and an electrolyte source for delivering electrolyte to the cathode chamber output liquid discharged from the cathode chamber through the cathode chamber outlet.
본 발명은 이러한 조합이 명백히 허용되지 않거나 명확히 방지되는 경우를 제외하고 기술된 양태들 및 바람직한 특징들의 조합을 포함한다. The invention includes combinations of the described aspects and preferred features except where such combinations are clearly not permitted or clearly avoided.
본 발명의 원리들을 예시하는 실시예들이 첨부한 도면들을 참조하여 이제 논의될 것이다.
도 1은 본 발명에 유용한 전기화학 셀의 개략도를 도시한다.
도 2는 본 발명의 제 1 양태 및 제 2 양태에 따른 린싱 액체를 생산하기 위한 장치의 일 예의 개략도를 도시한다.
도 3은 본 발명의 제 3 양태 및 제 4 양태에 따른 린싱 액체를 생산하기 위한 장치의 일 예의 개략도를 도시한다. Embodiments illustrating the principles of the invention will now be discussed with reference to the accompanying drawings.
1 shows a schematic diagram of an electrochemical cell useful in the present invention.
Figure 2 shows a schematic diagram of an example of an apparatus for producing rinsing liquid according to the first and second aspects of the invention.
Figure 3 shows a schematic diagram of an example of an apparatus for producing rinsing liquid according to the third and fourth aspects of the invention.
본 발명의 양태들 및 실시예들은 첨부한 도면들을 참조하여 이제 기술될 것이다. 추가 양태들 및 실시예들이 당업자에게 자명할 것이다. 이 문맥에 언급된 모든 문서들은 참조로서 본 명세서에 인용된다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Aspects and embodiments of the invention will now be described with reference to the accompanying drawings. Additional aspects and embodiments will be apparent to those skilled in the art. All documents mentioned in this context are incorporated herein by reference.
본 발명의 방법 및 장치는 사용 시 반도체 웨이퍼의 표면을 린싱하기에 적합한 수성 린싱 액체를 생산하기 위해 전기화학 셀을 사용한다. 전기화학 셀은 애노드 챔버 및 캐소드 챔버를 갖는다. The method and apparatus of the present invention uses an electrochemical cell to produce an aqueous rinsing liquid suitable for rinsing the surface of a semiconductor wafer in use. The electrochemical cell has an anode chamber and a cathode chamber.
애노드 챔버anode chamber
애노드 챔버는 통상적으로 애노드를 담는 애노드 챔버 캐비티 (cavity) 를 둘러싸는 애노드 챔버 벽들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 애노드는 다이아몬드 전극이다. 다이아몬드 전극의 사용은 백금 및 팔라듐과 같은 금속 오염물질들의 위험을 감소시킨다. 애노드는 50 내지 150 cm2 범위의 활성 표면적을 가질 수도 있다. 예를 들어, 활성 애노드 표면은 140 mm x 100 mm의 치수를 가질 수도 있고, 140 cm2의 활성 표면적을 제공한다. 애노드 활성 표면은 애노드의 주 평면을 형성할 수도 있다. 애노드의 깊이는 1 내지 5 mm의 범위, 예를 들어 약 2 mm일 수도 있다. The anode chamber typically includes anode chamber walls surrounding an anode chamber cavity containing the anode. In some embodiments, the anode is a diamond electrode. The use of diamond electrodes reduces the risk of metal contaminants such as platinum and palladium. The anode may have an active surface area ranging from 50 to 150 cm 2 . For example, the active anode surface may have dimensions of 140 mm x 100 mm, providing an active surface area of 140 cm 2 . The anode active surface may form the main plane of the anode. The depth of the anode may range from 1 to 5 mm, for example about 2 mm.
애노드 챔버는 통상적으로 애노드 챔버 유입구를 갖는다. 애노드 챔버 유입구는 애노드 챔버 공급 원료 소스로부터 수성 애노드 챔버 공급 원료를 수용하기 위한 애노드 챔버 공급 원료 유입구일 수도 있다. The anode chamber typically has an anode chamber inlet. The anode chamber inlet may be an anode chamber feedstock inlet for receiving aqueous anode chamber feedstock from an anode chamber feedstock source.
특정한 실시예에서, 수성 애노드 챔버 공급 원료는 본질적으로 물로 구성된다. 이 방식으로, 애노드 챔버로부터 애노드 챔버로 전기화학 셀의 양이온-선택적인 멤브레인을 통과할 수도 있는 유일한 양이온들은 수소 이온들이다. 수소 이온들은 물을 형성하기 위해 캐소드 챔버에서 수산화 이온들과 결합할 수도 있다. 보다 일반적으로, 본질적으로 물로 구성되는 수성 애노드 챔버 공급 원료를 사용하는 것은 목표되지 않은 종이 애노드 챔버를 통해 캐소드 챔버로 진입하는 것을 방지한다. 이는 pH 값을 제어하고 린싱 액체의 ORP를 제어하는 것을 분리하는 것을 돕는다. In certain embodiments, the aqueous anode chamber feedstock consists essentially of water. In this way, the only positive ions that may pass through the cation-selective membrane of the electrochemical cell from the anode chamber to the anode chamber are hydrogen ions. Hydrogen ions may combine with hydroxide ions in the cathode chamber to form water. More generally, using an aqueous anode chamber feedstock consisting essentially of water prevents non-targeted species from entering the cathode chamber through the anode chamber. This helps separate controlling the pH value and controlling the ORP of the rinsing liquid.
일 대안적인 실시예에서, 수성 애노드 챔버 공급 원료는 물 및 하나 이상의 전해질들로 구성될 수도 있다. 이 실시예에서, 양이온-선택적인 멤브레인은 통상적으로 전해질의 양이온들에 대해 불투과성일 것이다. 이 방식으로, 애노드 챔버의 전해질의 양이온들은 캐소드 챔버로 전기화학 셀의 양이온 선택적인 멤브레인을 통과하지 않을 수도 있다. 캐소드 챔버에서 액체의 전해 조성은 일정하게 남아있을 수도 있다. In one alternative embodiment, the aqueous anode chamber feedstock may consist of water and one or more electrolytes. In this embodiment, the cation-selective membrane would typically be impermeable to cations in the electrolyte. In this way, cations from the electrolyte in the anode chamber may not pass through the cation selective membrane of the electrochemical cell to the cathode chamber. The electrolytic composition of the liquid in the cathode chamber may remain constant.
특정한 실시예들에서, 애노드 챔버 공급 원료의 물은 탈이온수 또는 정제수이다. In certain embodiments, the water in the anode chamber feed is deionized water or purified water.
애노드 챔버 유입구는 통상적으로 수성 애노드 챔버 공급 원료를 제공하기 위해 애노드 챔버 공급 원료 소스와 유체로 연통한다. 애노드 챔버 공급 원료 소스는 예를 들어, 애노드 챔버 공급 원료 탱크일 수도 있다. 애노드 챔버 공급 원료 탱크는, 사용 시 수성 애노드 챔버 공급 원료를 포함할 수도 있다. 애노드 챔버 공급 원료 소스는 통상적으로 불활성 가스를 애노드 챔버 공급 원료 소스에 제공하기 위해 불활성 가스 소스와 유체로 연통하는 불활성 가스 유입구를 포함한다. 이 방식으로, 애노드 챔버 공급 원료는 불활성 대기 하에 있을 수도 있다. 예를 들어, 애노드 챔버 소스는 질소 가스 소스와 유체로 연통하는 불활성 가스 유입구를 포함할 수도 있다. The anode chamber inlet is typically in fluid communication with the anode chamber feedstock source to provide an aqueous anode chamber feedstock. The anode chamber feedstock source may be, for example, an anode chamber feedstock tank. The anode chamber feedstock tank may, when in use, contain aqueous anode chamber feedstock. The anode chamber feedstock source typically includes an inert gas inlet in fluid communication with the inert gas source to provide inert gas to the anode chamber feedstock source. In this way, the anode chamber feedstock may be under an inert atmosphere. For example, the anode chamber source may include an inert gas inlet in fluid communication with the nitrogen gas source.
애노드 챔버 공급 원료가 애노드 챔버 유입구로 피딩되는 압력은 애노드 챔버 유입구로의 애노드 챔버 공급 원료의 목표된 플로우 레이트에 종속될 것이다. 애노드 챔버 유입구의 절대 유입구 압력은 4 bar까지일 수도 있다. 애노드 챔버에서 애노드 챔버 공급 원료의 플로우 레이트는 분 당 0.5 내지 10 리터의 범위일 수도 있다. 일부 실시예들에서, 애노드 챔버에서 애노드 챔버 공급 원료의 플로우 레이트는 분 당 1 내지 5 리터의 범위이다. 특정한 실시예들에서, 애노드 챔버에서 애노드 챔버 공급 원료의 플로우 레이트는 분 당 1.0 내지 2.0 리터의 범위이다. The pressure at which the anode chamber feedstock is fed to the anode chamber inlet will depend on the desired flow rate of the anode chamber feedstock to the anode chamber inlet. The absolute inlet pressure at the anode chamber inlet may be up to 4 bar. The flow rate of anode chamber feedstock in the anode chamber may range from 0.5 to 10 liters per minute. In some embodiments, the flow rate of anode chamber feedstock in the anode chamber ranges from 1 to 5 liters per minute. In certain embodiments, the flow rate of anode chamber feedstock in the anode chamber ranges from 1.0 to 2.0 liters per minute.
일부 실시예들에서, 애노드 챔버 공급 원료는 애노드 챔버에서 혼합된다. 예를 들어, 애노드 챔버 공급 원료는 난류가 될 수도 있다. 애노드 챔버에서 애노드 챔버 공급 원료의 혼합은 전압이 애노드 및 전극에 인가될 때 애노드에서 기포들의 형성에 의해 생산될 수도 있다. 보다 높은 전압에서, 보다 많은 전기분해가 발생할 것이고, 보다 많은 기포들 및 보다 많은 혼합이 생성된다. In some embodiments, the anode chamber feedstock is mixed in the anode chamber. For example, the anode chamber feed may be turbulent. Mixing of the anode chamber feedstock in the anode chamber may be produced by the formation of bubbles in the anode when a voltage is applied to the anode and electrode. At higher voltages, more electrolysis will occur, more bubbles and more mixing will be created.
애노드 챔버는 또한 통상적으로 애노드 챔버로부터 애노드 챔버 출력 액체를 방출하기 위한 애노드 챔버 유출구를 포함한다. 애노드 챔버로부터 애노드 챔버 유출구를 통해 방출된 애노드 챔버 출력 액체는 애노드 챔버 출력 액체로부터 방출된 액체의 처리를 위해 폐기물 유출구로 피딩될 수도 있다. The anode chamber also typically includes an anode chamber outlet for discharging the anode chamber output liquid from the anode chamber. The anode chamber output liquid discharged from the anode chamber through the anode chamber outlet may be fed to a waste outlet for disposal of the liquid discharged from the anode chamber output liquid.
특정한 실시예들에서, 애노드 챔버 출력 액체는 애노드 챔버 공급 원료 소스로 다시 피딩된다. 애노드 챔버 출력 액체는 애노드 챔버 공급 원료와 본질적으로 동일한 조성을 가질 수도 있다. 이 방식으로, 애노드 챔버 출력 액체는 다시 애노드 챔버 공급 원료로 다시 사용되도록 재순환될 수 있다. 애노드 챔버 공급 원료 소스에 애노드 챔버 공급 원료의 재충전은 물과 같은 자원들을 절약하기 위해 또한 최소화될 수도 있다. 애노드 챔버 공급 원료 소스는 애노드 챔버 출력 액체를 수용하기 위해 애노드 챔버 유출구와 유체로 연통하는 애노드 챔버 출력 액체 유입구를 가질 수도 있다. In certain embodiments, the anode chamber output liquid is fed back to the anode chamber feedstock source. The anode chamber output liquid may have essentially the same composition as the anode chamber feedstock. In this way, the anode chamber output liquid can be recycled to be used again as anode chamber feedstock. Refilling of anode chamber feedstock to the anode chamber feedstock source may also be minimized to save resources such as water. The anode chamber feedstock source may have an anode chamber output liquid inlet in fluid communication with the anode chamber outlet to receive the anode chamber output liquid.
오존과 같은 가스가 또한 애노드 챔버 유출구로부터 방출될 수도 있다. 장치는 또한 애노드 챔버 유출구로부터 과잉 가스들을 배기하기 위해 애노드 챔버 출력 배기 포트를 포함할 수도 있다. 애노드 챔버 유출구가 애노드 챔버 공급 원료 소스와 유체로 연통할 때, 애노드 챔버 출력 배기 포트는 애노드 챔버 공급 원료 소스에 위치될 수도 있다. 예를 들어, 애노드 챔버 출력 배기 포트는 애노드 챔버 공급 원료 탱크에 포함된 애노드 챔버 공급 원료 탱크 배기 포트일 수도 있다. 특정한 실시예들에서, 애노드 챔버 공급 원료 소스는 애노드 챔버 출력 배기 포트 및 불활성 가스 소스와 유체로 연통하는 불활성 가스 유입구를 포함한다. 이 방식으로, 불활성 가스는 애노드 챔버 유출구 배기 포트를 통해 애노드 챔버 유출구로부터 방출된 가스의 배기를 도울 수도 있다. Gases such as ozone may also be released from the anode chamber outlet. The device may also include an anode chamber output vent port to vent excess gases from the anode chamber outlet. When the anode chamber outlet is in fluid communication with the anode chamber feedstock source, the anode chamber output exhaust port may be located at the anode chamber feedstock source. For example, the anode chamber output exhaust port may be an anode chamber feedstock tank exhaust port included in the anode chamber feedstock tank. In certain embodiments, the anode chamber feedstock source includes an anode chamber output exhaust port and an inert gas inlet in fluid communication with the inert gas source. In this way, the inert gas may assist exhaust of gases released from the anode chamber outlet through the anode chamber outlet exhaust port.
캐소드 챔버cathode chamber
캐소드 챔버는 통상적으로 캐소드를 담는 캐소드 챔버 캐비티를 둘러싸는 캐소드 챔버 벽들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 캐소드는 다이아몬드 전극이다. 다이아몬드 전극의 사용은 백금 및 팔라듐과 같은 금속 오염물질들의 위험을 감소시킨다. 캐소드는 50 내지 150 cm2 범위의 활성 표면적을 가질 수도 있다. 예를 들어, 활성 캐소드 표면은 140 mm x 100 mm의 크기를 가질 수도 있고, 140 cm2의 활성 표면적을 제공한다. 캐소드 활성 표면은 캐소드의 주 평면을 형성할 수도 있다. 캐소드의 깊이는 1 내지 5 mm의 범위, 예를 들어 약 2 mm일 수도 있다.The cathode chamber typically includes cathode chamber walls surrounding a cathode chamber cavity containing the cathode. In some embodiments, the cathode is a diamond electrode. The use of diamond electrodes reduces the risk of metal contaminants such as platinum and palladium. The cathode may have an active surface area ranging from 50 to 150 cm 2 . For example, the active cathode surface may have a size of 140 mm x 100 mm, providing an active surface area of 140 cm 2 . The cathode active surface may form the main plane of the cathode. The depth of the cathode may range from 1 to 5 mm, for example about 2 mm.
캐소드 챔버는 통상적으로 캐소드 챔버 유입구를 갖는다. 캐소드 챔버 유입구는 캐소드 챔버 공급 원료 소스로부터 수성 캐소드 챔버 공급 원료를 수용하기 위한 캐소드 챔버 공급 원료 유입구일 수도 있다. 수성 캐소드 챔버 공급 원료의 물은 탈이온수 또는 정제수일 수도 있다. The cathode chamber typically has a cathode chamber inlet. The cathode chamber inlet may be a cathode chamber feedstock inlet for receiving aqueous cathode chamber feedstock from a cathode chamber feedstock source. The water in the aqueous cathode chamber feedstock may be deionized or purified water.
캐소드 챔버 공급 원료는 물 및 하나 이상의 전해질들을 포함할 수도 있다. 특정한 실시예들에서, 캐소드 챔버 공급 원료는 물 및 유일한 전해질을 포함한다.The cathode chamber feedstock may include water and one or more electrolytes. In certain embodiments, the cathode chamber feedstock includes water and the only electrolyte.
전해질은 물의 전도율을 상승시키는데 유용한 임의의 전해질일 수도 있다. 특정한 실시예들에서, 전해질은 화학식 NR1R2R3의 아민이고, 여기에서 R1, R2 및 R3은 수소 및 C1-4 알킬로부터 독립적으로 선택된다. 일 특정한 실시예에서, 전해질은 암모니아이다. 수성 암모니아 용액들은 또한 수산화암모늄 용액들로 지칭된다. 일부 실시예들에서, 캐소드 챔버 공급 원료는 암모니아 용액 또는 수산화암모늄 용액이다. The electrolyte may be any electrolyte useful for increasing the conductivity of water. In certain embodiments, the electrolyte is an amine of the formula NR 1 R 2 R 3 , where R 1 , R 2 and R 3 are independently selected from hydrogen and C 1-4 alkyl. In one specific embodiment, the electrolyte is ammonia. Aqueous ammonia solutions are also referred to as ammonium hydroxide solutions. In some embodiments, the cathode chamber feedstock is an ammonia solution or an ammonium hydroxide solution.
수성 캐소드 챔버 공급 원료의 전해질 또는 전해질들의 농도는 30 마이크로몰 (micromolar) 내지 3 밀리몰 (millimolar) 의 범위일 수도 있다. 이 방식으로, 상대적으로 희석된 전해질 용액이 사용된다. 특정한 실시예에서, 수성 캐소드 챔버 공급 원료는 30 마이크로몰 내지 3 밀리몰 범위의 암모니아 농도를 갖는 암모니아 용액이다. The concentration of the electrolyte or electrolytes in the aqueous cathode chamber feedstock may range from 30 micromolar to 3 millimolar. In this way, a relatively dilute electrolyte solution is used. In a specific embodiment, the aqueous cathode chamber feedstock is an ammonia solution having an ammonia concentration ranging from 30 micromolar to 3 millimolar.
유리하게, 상대적으로 희석된 암모니아 농도 (예를 들어, 30 마이크로몰 내지 3 밀리몰 범위) 를 갖는 수성 캐소드 챔버 공급 원료를 사용하는 것은 린싱 액체로 하여금 매우 낮은 부식성을 나타내는 적합한 전도율, pH 및 (독립적으로) ORP를 갖고, 신뢰성 있게 생산되게 한다. 대조적으로, 본 발명자들은 암모니아를 애노드 챔버로 피딩하고, 캐소드 챔버로 양이온 투과성 멤브레인을 통한 암모니아의 확산에 의존함으로써 캐소드 챔버에서 희석된 암모니아 함유 린싱 액체를 신뢰성 있게 생산하는 것이 어렵고, 이와 같이 방법이 획득된 암모니아 농도 및 측정된 ORP의 보다 불량한 제어를 야기한다는 것을 발견하였다. 또한, 애노드 챔버에서 캐소드 챔버로의 암모니아의 전달에 의존하는 것은 상대적으로 보다 농축된 암모니아 용액이 애노드 챔버에 공급되는 것을 필요로 하고, 이는 컴포넌트들 (특히 금속 부품) 의 부식을 발생시켜 불순물들의 위험을 증가시킬 수 있다. Advantageously, using an aqueous cathode chamber feedstock with a relatively dilute ammonia concentration (e.g., in the range of 30 micromolar to 3 millimolar) allows the rinsing liquid to have a suitable conductivity, pH and (independently) very low corrosivity. ) It has an ORP and is produced reliably. In contrast, the inventors found that it is difficult to reliably produce a diluted ammonia-containing rinsing liquid in the cathode chamber by feeding ammonia into the anode chamber and relying on diffusion of ammonia through a cation-permeable membrane into the cathode chamber, and that the method thus obtained It was found that this resulted in poorer control of the measured ammonia concentration and the measured ORP. Additionally, relying on the transfer of ammonia from the anode chamber to the cathode chamber requires that a relatively more concentrated ammonia solution be supplied to the anode chamber, which can lead to corrosion of components (especially metal parts), increasing the risk of impurities. can increase.
일부 실시예들에서, 캐소드 챔버 공급 원료는 7.5 내지 10.5 범위의 pH 값을 갖는다. In some embodiments, the cathode chamber feedstock has a pH value ranging from 7.5 to 10.5.
캐소드 챔버 유입구는 통상적으로 캐소드 챔버 공급 원료 소스와 유체로 연통한다. 캐소드 챔버 소스는 캐소드 챔버 유입구로 캐소드 챔버 공급 원료의 전달을 허용하는 임의의 배열일 수도 있다. 예를 들어, 캐소드 챔버 공급 원료 소스는 캐소드 챔버 공급 원료 또는 캐소드 챔버 공급 원료 농축물 (concentrate) 을 저장하기 위한 캐소드 챔버 공급 원료 탱크를 포함할 수도 있다. The cathode chamber inlet is typically in fluid communication with the cathode chamber feedstock source. The cathode chamber source may be any arrangement that allows delivery of cathode chamber feedstock to the cathode chamber inlet. For example, the cathode chamber feedstock source may include a cathode chamber feedstock tank for storing cathode chamber feedstock or a cathode chamber feedstock concentrate.
캐소드 챔버 공급 원료 농축물은 캐소드 챔버 공급 원료의 보다 농축된 버전이다. 캐소드 챔버 공급 원료 농축물이 존재하면, 캐소드 챔버 내로 도입되기 전 캐소드 챔버 공급 원료를 형성하기 위해 물로 희석된다. 이들 실시예들에서, 장치는 캐소드 챔버 공급 원료 농축물을 담는 캐소드 챔버 공급 원료 탱크와 캐소드 챔버 유입구 사이에 희석 지점을 포함할 수도 있다. 희석 지점은 인-라인 (in-line) 희석 지점일 수도 있다. 즉, 물이 캐소드 챔버 공급 원료를 형성하기 위해 캐소드 챔버 공급 원료 농축물의 플로우로 도입된다. 희석 지점은 캐소드 챔버 공급 원료 농축물을 수용하기 위한 캐소드 챔버 공급 원료 유입구, 물을 수용하기 위한 희석 유입구 및 캐소드 챔버 공급 원료 농축물과 물의 혼합물의 유출물을 위한 캐소드 챔버 공급 원료 유출구를 가질 수도 있다. 일부 실시예들에서, 장치는 2 이상의 희석 지점을 가질 수도 있다. 즉, 캐소드 챔버 농축물은 캐소드 챔버 공급 원료를 형성하기 위해 목표된 전해질 농도에 도달하기 전 몇 회 희석될 수도 있다.Cathode chamber feedstock concentrate is a more concentrated version of the cathode chamber feedstock. If the cathode chamber feedstock concentrate is present, it is diluted with water to form the cathode chamber feedstock before being introduced into the cathode chamber. In these embodiments, the device may include a dilution point between the cathode chamber inlet and a cathode chamber feedstock tank containing the cathode chamber feedstock concentrate. The dilution point may be an in-line dilution point. That is, water is introduced into the flow of cathode chamber feedstock concentrate to form the cathode chamber feedstock. The dilution point may have a cathode chamber feedstock inlet for receiving the cathode chamber feedstock concentrate, a dilution inlet for receiving water, and a cathode chamber feedstock outlet for effluent of a mixture of the cathode chamber feedstock concentrate and water. . In some embodiments, the device may have two or more dilution points. That is, the cathode chamber concentrate may be diluted several times before reaching the desired electrolyte concentration to form the cathode chamber feedstock.
특정한 실시예에서, 캐소드 챔버 공급 원료 소스는 캐소드 챔버 공급 원료 농축물을 형성하기 위해 물 및 전해질 원재료를 수용하기 위한 캐소드 챔버 공급 원료 탱크, 및 캐소드 챔버 공급 원료 탱크로부터 캐소드 챔버로의 통과 동안 캐소드 챔버 공급 원료 농축물의 물로의 희석을 위해 캐소드 챔버 공급 원료 탱크와 캐소드 챔버 사이의 유체 경로를 따라 위치된 희석 지점을 포함한다. 이 실시예에서, 희석 지점은 통상적으로 물 소스와 유체로 연통하는 희석 유입구를 포함한다.In certain embodiments, the cathode chamber feedstock source includes a cathode chamber feedstock tank for receiving water and electrolyte feedstock to form a cathode chamber feedstock concentrate, and a cathode chamber feedstock tank during passage from the cathode chamber feedstock tank to the cathode chamber. and a dilution point located along the fluid path between the cathode chamber feedstock tank and the cathode chamber for dilution of the feedstock concentrate with water. In this embodiment, the dilution point typically includes a dilution inlet in fluid communication with a water source.
이 특정한 실시예에서, 1 pbv (part by volume) 전해질 원재료 (예컨대 농축된 암모니아 용액) 가 물의 99 내지 999 pbv마다 캐소드 챔버 공급 원재료 탱크로 피딩될 수도 있다. 캐소드 챔버 공급 원료 농축물은 캐소드 챔버 공급 원료 농축물의 100 내지 1000 pbv마다 전해질 원료의 1 pbv를 포함할 수도 있다. 캐소드 챔버 공급 원료 농축물은 이후 캐소드 챔버 공급 원료 농축물의 1 pbv 대 물의 49 pbv로부터 캐소드 챔버 공급 원료 농축물의 1 pbv 대 물의 499 pbv의 범위로 희석 지점에서 희석될 수도 있다. 이 방식으로, 캐소드 챔버 공급 원료가 형성될 수도 있다. 캐소드 챔버 공급 원료는 캐소드 챔버 공급 원료의 50 내지 500 pbv마다 캐소드 챔버 공급 원료 농축물의 1 pbv를 포함할 수도 있다. In this particular embodiment, 1 part by volume (pbv) electrolyte raw material (e.g., concentrated ammonia solution) may be fed into the cathode chamber feed raw material tank every 99 to 999 pbv of water. The cathode chamber feed concentrate may include 1 pbv of electrolyte feed for every 100 to 1000 pbv of cathode chamber feed concentrate. The cathode chamber feedstock concentrate may then be diluted at the dilution point ranging from 1 pbv of cathode chamber feedstock concentrate to 49 pbv of water to 1 pbv of cathode chamber feedstock concentrate to 499 pbv of water. In this manner, the cathode chamber feedstock may be formed. The cathode chamber feedstock may include 1 pbv of cathode chamber feedstock concentrate for every 50 to 500 pbv of cathode chamber feedstock.
일부 실시예들에서, 캐소드 챔버 공급 원료 소스는 불활성 가스 분위기를 포함하는 헤드스페이스 (headspace) 를 포함한다. 예를 들어, 캐소드 챔버 공급 원료 탱크의 헤드스페이스는 불활성 가스 분위기를 포함할 수도 있다. 특정한 실시예들에서, 질소 가스가 불활성 가스이다. 존재하면, 불활성 가스는 캐소드 챔버 공급 원료 소스의 불활성 가스 유입구를 통해 도입될 수도 있다. 캐소드 챔버 공급 원료 소스는 또한 캐소드 챔버 공급 원료 소스에서 가스를 환기하기 (venting) 위한 캐소드 챔버 공급 원료 소스 배기 포트를 포함할 수도 있다. 이 방식으로, 캐소드 챔버 공급 원료 소스 내의 압력이 제어될 수도 있다. In some embodiments, the cathode chamber feedstock source includes a headspace containing an inert gas atmosphere. For example, the headspace of the cathode chamber feedstock tank may contain an inert gas atmosphere. In certain embodiments, nitrogen gas is an inert gas. If present, the inert gas may be introduced through the inert gas inlet of the cathode chamber feedstock source. The cathode chamber feedstock source may also include a cathode chamber feedstock source exhaust port for venting gases from the cathode chamber feedstock source. In this way, the pressure within the cathode chamber feedstock source may be controlled.
캐소드 챔버 공급 원료가 캐소드 챔버 유입구 내로 피딩되는 압력은 캐소드 챔버 유입구로의 캐소드 챔버 공급 원료의 목표된 플로우 레이트에 종속될 것이다. 캐소드 챔버 유입구에서 절대 유입구 압력은 최대 4 bar일 수도 있다. 캐소드 챔버에서 캐소드 챔버 공급 원료의 플로우 레이트는 분 당 3 내지 100 리터의 범위일 수도 있다. 일부 실시예들에서, 캐소드 챔버에서 캐소드 챔버 공급 원료의 플로우 레이트는 분 당 4 내지 60 리터의 범위일 수도 있다. 특정한 실시예들에서, 캐소드 챔버에서 캐소드 챔버 공급 원료의 플로우 레이트는 분 당 5 내지 50 리터의 범위일 수도 있다. The pressure at which the cathode chamber feedstock is fed into the cathode chamber inlet will depend on the desired flow rate of the cathode chamber feedstock into the cathode chamber inlet. The absolute inlet pressure at the cathode chamber inlet may be up to 4 bar. The flow rate of cathode chamber feedstock in the cathode chamber may range from 3 to 100 liters per minute. In some embodiments, the flow rate of cathode chamber feedstock in the cathode chamber may range from 4 to 60 liters per minute. In certain embodiments, the flow rate of cathode chamber feedstock in the cathode chamber may range from 5 to 50 liters per minute.
일부 실시예들에서, 캐소드 챔버를 통하는 캐소드 챔버 공급 원료의 플로우 레이트는 애노드 챔버를 통하는 애노드 챔버 공급 원료의 플로우 레이트의 2 배 이상이다. 특정한 실시예들에서, 캐소드 챔버를 통하는 캐소드 챔버 공급 원료의 플로우 레이트는 애노드 챔버를 통하는 애노드 챔버 공급 원료의 플로우 레이트의 3 배 이상이다. 애노드 챔버 유입구와 캐소드 챔버 유입구 사이의 최대 절대 유입구 차압은 0.5 bar일 수도 있다. In some embodiments, the flow rate of the cathode chamber feedstock through the cathode chamber is at least twice the flow rate of the anode chamber feedstock through the anode chamber. In certain embodiments, the flow rate of the cathode chamber feedstock through the cathode chamber is at least three times the flow rate of the anode chamber feedstock through the anode chamber. The maximum absolute inlet differential pressure between the anode chamber inlet and the cathode chamber inlet may be 0.5 bar.
일부 실시예들에서, 본 발명의 방법은 캐소드 챔버 공급 원료가 캐소드 챔버에 진입하기 전 캐소드 챔버 공급 원료의 전도율 및/또는 pH를 측정하는 단계를 포함한다. 일부 실시예들에서, 본 발명의 장치는 캐소드 챔버 공급 원료가 캐소드 챔버에 진입하기 전 캐소드 챔버 공급 원료의 전도율 및/또는 pH를 측정하기 위해 캐소드 챔버 공급 원료 소스와 캐소드 챔버 유입구 사이에 위치된 전도율 미터 (meter) 및/또는 pH 미터를 포함한다. 이 방식으로, 캐소드 챔버 공급 원료의 전해질 농도는 전압이 인가되기 전 모니터링될 수 있다. 특정한 실시예들에서, 캐소드 챔버 공급 원료의 전도율 및 pH는 캐소드 챔버 공급 원료가 캐소드 챔버에 진입하기 전 측정된다. 이 실시예에서, 장치는 캐소드 챔버 공급 원료 소스와 캐소드 챔버 유입구 사이에 위치된 전도율 미터 및 pH 미터를 포함할 수도 있다. In some embodiments, the method of the present invention includes measuring the conductivity and/or pH of the cathode chamber feedstock before the cathode chamber feedstock enters the cathode chamber. In some embodiments, the apparatus of the present invention includes a conductivity device positioned between the cathode chamber feedstock source and the cathode chamber inlet to measure the conductivity and/or pH of the cathode chamber feedstock before the cathode chamber feedstock enters the cathode chamber. Includes a meter and/or pH meter. In this way, the electrolyte concentration of the cathode chamber feed can be monitored before voltage is applied. In certain embodiments, the conductivity and pH of the cathode chamber feedstock are measured before the cathode chamber feedstock enters the cathode chamber. In this embodiment, the device may include a conductivity meter and a pH meter positioned between the cathode chamber feedstock source and the cathode chamber inlet.
제 3 양태 및 제 4 양태의 방법 및 장치 각각에서, 캐소드 챔버 공급 원료는 본질적으로 물로 구성될 수도 있다. 이들 양태들에서, 린싱 액체의 전도율 및/또는 pH가 측정될 수도 있다. 즉, 전도율 및/또는 pH는 전해질이 수성 캐소드 챔버 출력에 첨가된 후 측정될 수도 있다. In each of the third and fourth aspects of the method and apparatus, the cathode chamber feedstock may consist essentially of water. In these aspects, the conductivity and/or pH of the rinsing liquid may be measured. That is, conductivity and/or pH may be measured after electrolyte is added to the aqueous cathode chamber output.
전기화학 셀electrochemical cell
애노드 챔버 및 캐소드 챔버의 내부 벽들은 전해 프로세스를 방해하지 않는 임의의 재료일 수도 있다. 특정한 실시예에서, 애노드 챔버 벽들 및 캐소드 챔버 벽들은 PVDF (polyvinylidene fluoride) 이다. The inner walls of the anode chamber and cathode chamber may be any material that does not interfere with the electrolysis process. In a specific embodiment, the anode chamber walls and cathode chamber walls are polyvinylidene fluoride (PVDF).
전기화학 셀은 양이온들로 하여금 애노드 챔버로부터 캐소드 챔버로 통과하게 하기 위한 양이온-선택적인 멤브레인을 포함한다. 이온-선택적인 멤브레인들은 그 자체로 공지되었다. 예를 들어, 양이온-선택적인 멤브레인은 Nafion®범위의 멤브레인들 (DuPont) 로부터 선택될 수도 있다. 일 실시예에서, 양이온-선택적인 멤브레인은 Nafion®450이다. The electrochemical cell contains a cation-selective membrane to allow cations to pass from the anode chamber to the cathode chamber. Ion-selective membranes are known per se. For example, a cation-selective membrane may be selected from the Nafion® range of membranes (DuPont). In one embodiment, the cation-selective membrane is Nafion®450.
애노드 및 캐소드에 인가된 전압은 최대 48 V일 수도 있다. 일부 실시예들에서, 애노드 및 캐소드에 인가된 전압은 10 내지 30 V의 범위이다. 특정한 실시예들에서, 애노드 및 캐소드에 인가된 전압은 15 내지 25 V의 범위이다. 일 실시예에서, 애노드 및 캐소드에 인가된 전압은 약 20 V이다. 일부 실시예들에서, 전체 전기화학 셀에 걸친 전류는 약 20 A이다. The voltage applied to the anode and cathode may be up to 48 V. In some embodiments, the voltage applied to the anode and cathode ranges from 10 to 30 V. In certain embodiments, the voltage applied to the anode and cathode ranges from 15 to 25 V. In one embodiment, the voltage applied to the anode and cathode is about 20 V. In some embodiments, the current across the entire electrochemical cell is about 20 A.
본 명세서에 기술된 장치는 본 명세서에 기술된 방법에 대한 전류 및 전압을 제공하기 위한 전기적 소스를 포함할 수도 있다. 전기적 소스는 임의의 공지된 전기적 소스, 특히, 전기화학 셀들에 대한 전류 및 전압을 제공하는 것으로 공지된 임의의 전기적 소스일 수도 있다. The devices described herein may include an electrical source to provide current and voltage for the methods described herein. The electrical source may be any known electrical source, especially any electrical source known to provide current and voltage for electrochemical cells.
일부 실시예들에서, 애노드 챔버 유출구 및/또는 캐소드 챔버 유출구는 전기화학 셀의 상부 표면 상에 위치된다. 이 방식으로, 전압이 애노드 및 캐소드에 인가될 때 전해질로부터 생성된 모든 가스는 애노드 챔버 및/또는 캐소드 챔버로부터 각각 환기될 수도 있다. 특정한 실시예에서, 애노드 챔버 유출구 및 캐소드 챔버 유출구는 전기화학 셀의 상부 표면 상에 위치된다. In some embodiments, the anode chamber outlet and/or cathode chamber outlet are located on the upper surface of the electrochemical cell. In this way, any gases generated from the electrolyte when voltage is applied to the anode and cathode may be vented from the anode chamber and/or cathode chamber, respectively. In certain embodiments, the anode chamber outlet and the cathode chamber outlet are located on the upper surface of the electrochemical cell.
특정한 실시예들에서, 전기화학 셀은 US 2016/0362310 A1에 기술된 바와 같고, 이의 내용들은 본 명세서에 명시적으로 인용된다. 예를 들어, 본 발명의 방법 및 장치에 유용한 전기화학 셀은 Condias GmbH (독일) 로부터 입수 가능한 전기화학 셀들 중 하나일 수도 있다. 이들 셀들은 통상적으로 실리콘 기판 상에 붕소 도핑된 다이아몬드 전극들을 사용하고, Condias GmbH로부터 DIACHEM®전극들로서 상업적으로 입수 가능하다. In certain embodiments, the electrochemical cell is as described in US 2016/0362310 A1, the contents of which are expressly incorporated herein. For example, an electrochemical cell useful in the method and device of the present invention may be one of the electrochemical cells available from Condias GmbH (Germany). These cells typically use boron-doped diamond electrodes on a silicon substrate and are commercially available as DIACHEM® electrodes from Condias GmbH.
본 발명의 방법들에서, 전기화학 셀은: In the methods of the present invention, the electrochemical cell:
○ 수성 캐소드 챔버 공급 원료의 pH를 측정하기 위한 pH 미터, ○ pH meter to measure the pH of the aqueous cathode chamber feedstock,
○ 린싱 액체의 ORP를 측정하기 위한 ORP 센서, ○ ORP sensor to measure the ORP of the rinsing liquid,
○ 수성 캐소드 챔버 공급 원료 및 수성 애노드 챔버 공급 원료의 플로우 레이트를 제어하기 위한 액체 플로우 미터들, 및 ○ Liquid flow meters to control the flow rate of the aqueous cathode chamber feedstock and the aqueous anode chamber feedstock, and
○ pH 미터, ORP 센서 및 액체 플로우 미터들과 유체로 연통하는 제어기를 포함하는 장치의 일부일 수도 있고, 제어기는 pH 미터 및/또는 ORP 센서로부터의 데이터에 응답하여 장치의 액체 플로우 미터들 및/또는 다른 파라미터들 (예를 들어, 인가된 전압, 전류 및/또는 펄싱) 을 통해 플로우 레이트를 조정한다. 유리하게, 이 유형의 장치는 pH 및 ORP의 개별적인 동적 제어를 허용한다. ○ may be part of a device that includes a controller in fluid communication with the pH meter, ORP sensor, and liquid flow meters, wherein the controller is responsive to data from the pH meter and/or ORP sensor to control the liquid flow meters and/or liquid flow meters of the device. The flow rate is adjusted via other parameters (e.g., applied voltage, current, and/or pulsing). Advantageously, devices of this type allow separate dynamic control of pH and ORP.
수성 캐소드 챔버 출력Aqueous cathode chamber output
캐소드 챔버는 통상적으로 캐소드 챔버 유출구를 포함한다. 캐소드 챔버 내의 액체는 통상적으로 캐소드 또는 캐소드들 근방의 캐소드 챔버 유입구로부터 (캐소드 챔버 공급 원료로서) 캐소드 챔버 유출구로 전달된다. 캐소드 챔버 유출구로부터 나오는 액체는 수성 캐소드 챔버 출력이다. 캐소드 챔버 공급 원료가 전해질을 포함하면, 수성 캐소드 챔버 출력은 린싱 액체를 형성한다. The cathode chamber typically includes a cathode chamber outlet. Liquid in the cathode chamber is typically transferred from the cathode chamber inlet near the cathode or cathodes (as cathode chamber feedstock) to the cathode chamber outlet. The liquid coming from the cathode chamber outlet is an aqueous cathode chamber output. If the cathode chamber feedstock contains an electrolyte, the aqueous cathode chamber output forms a rinsing liquid.
특정한 실시예들에서, 수성 캐소드 챔버 출력의 산화 환원 전위 (ORP) 는 0 mV 또는 마이너스 (negative) 이다. 즉, 수성 캐소드 챔버 출력은 중성이거나 환원성일 수도 있다. 이 방식으로, 수성 캐소드 챔버 출력은 반도체 웨이퍼를 부식시키지 않을 수도 있다. In certain embodiments, the redox potential (ORP) of the aqueous cathode chamber output is 0 mV or negative. That is, the aqueous cathode chamber output may be neutral or reducing. In this way, the aqueous cathode chamber output may not corrode the semiconductor wafer.
특정한 실시예들에서, 수성 캐소드 챔버 출력의 ORP는 -500 mV 또는 보다 마이너스이다. 보다 특정한 실시예들에서, 수성 캐소드 챔버 출력의 ORP는 -550 mV 또는 보다 마이너스이다. 특정한 실시예들에서, 수성 캐소드 챔버 출력의 ORP는 -550 내지 -900 mV의 범위이다. In certain embodiments, the ORP of the aqueous cathode chamber output is -500 mV or less. In more specific embodiments, the ORP of the aqueous cathode chamber output is -550 mV or less. In certain embodiments, the ORP of the aqueous cathode chamber output ranges from -550 to -900 mV.
일부 실시예들에서, 본 발명의 방법은 캐소드 챔버 출력의 ORP를 측정하는 단계를 포함한다. 이들 실시예들에서, 장치는 캐소드 챔버 출력의 ORP를 측정하기 위한 ORP 센서를 포함할 수도 있다. 캐소드 챔버 출력 액체의 ORP를 측정하는 것은 캐소드 챔버 출력이 예를 들어, 반도체 웨이퍼의 린싱 액체가 되기에 적합하다는 것의 확인을 제공한다. ORP 센서들은 그 자체로 공지되었다. ORP 센서들은 전기화학 센서들이고, 통상적으로 측정 전극 및 기준 전극을 포함하는 센서이다. 측정 전극은 통상적으로 백금 전극 또는 금 전극과 같은 귀금속 전극이다. In some embodiments, the method of the present invention includes measuring the ORP of the cathode chamber output. In these embodiments, the device may include an ORP sensor to measure the ORP of the cathode chamber output. Measuring the ORP of the cathode chamber output liquid provides confirmation that the cathode chamber output is suitable to be a rinsing liquid for, for example, semiconductor wafers. ORP sensors are known per se. ORP sensors are electrochemical sensors, typically sensors that include a measuring electrode and a reference electrode. The measuring electrode is typically a noble metal electrode such as a platinum electrode or a gold electrode.
통상적으로, ORP를 측정하기 위해 캐소드 챔버 출력의 샘플 또는 부분표본 (aliquot) 을 캐소드 챔버 출력으로부터 가져온다. 샘플은 ORP 센서로 ORP를 측정한 후 폐기물로 폐기될 수도 있다. ORP 센서에 의한 캐소드 챔버 출력의 측정은 캐소드 챔버 출력을 오염시켜 캐소드 챔버 출력의 테스트된 샘플을 벌크 캐소드 챔버 출력으로 반환하기 적합하지 않게 할 수도 있다. ORP 센서는 캐소드 챔버 유출구 뒤에 위치된 장치의 분기 라인 (branch line) 에 배치될 수도 있다. 즉, 별도의 ORP 센서 채널이 캐소드 챔버 출력의 샘플을 채널링하기 위해 주 캐소드 챔버 출력 채널로부터 분기될 수도 있다. Typically, a sample or aliquot of the cathode chamber output is taken from the cathode chamber output to measure ORP. Samples may be discarded as waste after measuring ORP with an ORP sensor. Measurement of the cathode chamber output by an ORP sensor may contaminate the cathode chamber output, making the tested sample of the cathode chamber output unsuitable for returning to the bulk cathode chamber output. The ORP sensor may be placed in a branch line of the device located behind the cathode chamber outlet. That is, a separate ORP sensor channel may branch off from the main cathode chamber output channel to channel a sample of the cathode chamber output.
린싱 액체는 수성 캐소드 챔버 출력이 캐소드 챔버 공급 원료가 전해질을 포함하는 캐소드 챔버로부터 나올 때 형성된다. 즉, 린싱 액체는 제 1 양태 및 제 2 양태에서 수성 캐소드 챔버 출력이 캐소드 챔버로부터 나올 때 형성된다. 린싱 액체는 제 3 양태 및 제 4 양태에서 수성 캐소드 챔버 출력이 전해질과 결합할 때 형성된다. The rinsing liquid is formed when the aqueous cathode chamber output exits the cathode chamber where the cathode chamber feedstock contains electrolyte. That is, the rinsing liquid is formed when the aqueous cathode chamber output exits the cathode chamber in the first and second aspects. A rinsing liquid is formed when the aqueous cathode chamber output combines with the electrolyte in the third and fourth aspects.
특정한 실시예에서, 린싱 액체는 반도체 웨이퍼를 린싱하기 위해 사용된다. 일부 실시예들에서, 린싱 액체는 10 μS/cm 이상의 전도율을 갖는다. In certain embodiments, a rinsing liquid is used to rinse semiconductor wafers. In some embodiments, the rinsing liquid has a conductivity of 10 μS/cm or greater.
린싱 액체는 캐소드 챔버로부터 직접 사용될 수도 있고 또는 린싱 액체 저장 탱크에 저장될 수도 있다. Rinsing liquid may be used directly from the cathode chamber or may be stored in a rinsing liquid storage tank.
특정한 실시예들에서, 장치는 린싱 액체의 저장을 위해 캐소드 챔버 유출구와 유체로 연통하는 린싱 액체 저장 탱크를 포함한다. 특정한 실시예들에서, 린싱 액체 저장 탱크의 헤드스페이스는 불활성 가스 분위기를 포함한다. 예를 들어, 린싱 액체 저장 탱크의 헤드스페이스는 질소 가스 분위기를 포함한다. 존재하면, 불활성 가스는 린싱 액체 저장 탱크의 불활성 가스 유입구를 통해 도입될 수도 있다. 린싱 액체 저장 탱크는 또한 린싱 액체 저장 탱크의 가스를 환기하기 위해 린싱 액체 저장 탱크 배기 포트를 포함할 수도 있다. 이 방식으로, 린싱 액체 저장 탱크 내의 압력은 제어될 수도 있고, 특히 캐소드 챔버에서 생성된 모든 수소 가스가 환기될 수도 있다. In certain embodiments, the device includes a rinsing liquid storage tank in fluid communication with the cathode chamber outlet for storage of rinsing liquid. In certain embodiments, the headspace of the rinsing liquid storage tank includes an inert gas atmosphere. For example, the headspace of the rinsing liquid storage tank contains a nitrogen gas atmosphere. If present, the inert gas may be introduced through the inert gas inlet of the rinsing liquid storage tank. The rinsing liquid storage tank may also include a rinsing liquid storage tank exhaust port to vent gases in the rinsing liquid storage tank. In this way, the pressure in the rinsing liquid storage tank may be controlled and, in particular, any hydrogen gas produced in the cathode chamber may be vented.
특정한 실시예들에서, 린싱 액체는 반도체 웨이퍼를 린싱하기 위한 린싱 액체로 사용되기 전에 린싱 액체 저장 탱크 배기 포트를 갖는 린싱 액체 저장 탱크에 저장된다. 린싱 액체는 반도체 웨이퍼를 린싱하기 위한 린싱 액체로 사용되기 전 최대 2 시간 동안 린싱 액체 저장 탱크 내에 저장될 수도 있다. In certain embodiments, the rinsing liquid is stored in a rinsing liquid storage tank having a rinsing liquid storage tank exhaust port before being used as a rinsing liquid for rinsing a semiconductor wafer. The rinsing liquid may be stored in a rinsing liquid storage tank for up to 2 hours before being used as a rinsing liquid for rinsing semiconductor wafers.
일부 실시예들에서, 방법은 린싱 액체로 반도체 웨이퍼를 린싱하는 추가 단계를 포함한다. 특정한 실시예들에서, 반도체 웨이퍼는 린싱 액체로 린싱하는 단계 동안 스피닝한다. 린싱 단계는 웨이퍼 린싱 챔버에서 수행될 수도 있다. 웨이퍼 린싱 챔버는 본 명세서에 기술된 장치의 일부를 형성할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 본 발명의 장치는 복수의 웨이퍼 린싱 챔버들을 포함할 수도 있고, 웨이퍼 린싱 챔버 각각은 전기화학 셀로부터 린싱 액체를 공급받을 수도 있다. In some embodiments, the method includes the additional step of rinsing the semiconductor wafer with a rinsing liquid. In certain embodiments, the semiconductor wafer is spun during the rinsing step with the rinsing liquid. The rinsing step may be performed in a wafer rinsing chamber. A wafer rinsing chamber may form part of the apparatus described herein. In some embodiments, the apparatus of the present invention may include a plurality of wafer rinsing chambers, each of which may be supplied with rinsing liquid from an electrochemical cell.
웨이퍼 린싱 챔버는 린싱 액체 저장 탱크와 유체로 연통하거나 웨이퍼 린싱 챔버 파이프를 통해 캐소드 챔버 유출구와 직접 유체로 연통할 수도 있다. 웨이퍼 린싱 챔버가 캐소드 챔버 유출구와 직접 유체로 연통하면, 웨이퍼 린싱 챔버 파이프는 통상적으로 린싱 액체에 존재하는 수소 가스와 같은 모든 과잉 가스를 환기하기 위해 가스 배기 포트를 포함할 것이다. The wafer rinsing chamber may be in fluid communication with a rinsing liquid storage tank or may be in direct fluid communication with the cathode chamber outlet through a wafer rinsing chamber pipe. If the wafer rinsing chamber is in direct fluid communication with the cathode chamber outlet, the wafer rinsing chamber pipe will typically include a gas exhaust port to vent any excess gas, such as hydrogen gas, present in the rinsing liquid.
본 발명의 장치의 임의의 부분이 장치의 또 다른 부분과 유체로 연통하면, 임의의 적합한 연결부가 사용될 수도 있다. 예를 들어, 적합한 파이프들 및 도관들이 그 자체로 공지되었다. If any part of the device of the present invention is in fluid communication with another part of the device, any suitable connection may be used. For example, suitable pipes and conduits are known per se .
도 1은 본 발명에 유용한 전기화학 셀 (2) 의 개략도를 도시한다. 전기화학 셀은 애노드 (6) 를 포함하는 애노드 챔버 (4) 및 캐소드 (10) 를 포함하는 캐소드 챔버 (8) 로 분할된다. 애노드 챔버 (4) 및 캐소드 챔버 (8) 는 양이온 교환 멤브레인 (12) 에 의해 분리된다. Figure 1 shows a schematic diagram of an
사용 시, 탈이온수의 애노드 챔버 공급 원료는 애노드 챔버 공급 원료 유입구 (14) 를 통해 애노드 챔버 (4) 로 피딩된다. 동시에, 희석된 암모니아 용액의 캐소드 챔버 공급 원료는 캐소드 챔버 공급 원료 유입구 (16) 를 통해 캐소드 챔버 (8) 로 피딩된다. 애노드 챔버 공급 원료 및 캐소드 챔버 공급 원료가 전기화학 셀에 있을 때, 10 내지 12 V의 전압이 애노드 (6) 및 캐소드 (10) 에 걸쳐 인가된다. 전압은 전기 화학 반응의 촉매 작용을 하고, 캐소드 챔버 (8) 에서 희석된 암모니아 용액의 산화 환원 전위를 감소시킬 수도 있다. In use, the anode chamber feedstock of deionized water is fed into the anode chamber (4) through the anode chamber feedstock inlet (14). At the same time, the cathode chamber feedstock of diluted ammonia solution is fed into the cathode chamber (8) through the cathode chamber feedstock inlet (16). When the anode chamber feedstock and cathode chamber feedstock are in the electrochemical cell, a voltage of 10 to 12 V is applied across the anode (6) and cathode (10). The voltage catalyzes the electrochemical reaction and may reduce the redox potential of the diluted ammonia solution in the cathode chamber (8).
애노드 챔버 반응: 3H2O → O3 + 6H+ + 6e- Anode chamber reaction: 3H 2 O → O 3 + 6H + + 6e -
캐소드 챔버 반응: 6H2O + 6e- → 3H2 + 6OH- Cathode chamber reaction: 6H 2 O + 6e - → 3H 2 + 6OH -
애노드 챔버 (4) 에서 생성된 수소 이온들은 물 분자들을 형성하기 위해 캐소드 챔버 (8) 에서 생성된 수산화 이온들과 결합하도록 양이온 교환 멤브레인 (12) 을 가로질러 이동한다. 애노드 챔버 (4) 는 물 및 오존을 생성하고, 애노드 챔버 유출구 (18) 를 통해 애노드 챔버 (4) 로부터 방출된다. Hydrogen ions produced in the
양이온 교환 멤브레인 (12) 을 가로질러 이동하는 캐소드 챔버 (8) 의 암모늄 이온들은 미미하거나 없다. 애노드 챔버 (4) 로부터의 수소 이온들 및 캐소드 챔버 (8) 로부터의 수산화 이온들의 캐소드 챔버 (8) 에서의 결합은 캐소드 챔버 반응에 사용된 물 분자들을 대체하기 위해 캐소드 챔버에서 물 분자들의 생성을 발생시킬 수도 있다. 이와 같이, 캐소드 챔버 (8) 는 산화 환원 전위를 문턱값 레벨 이하로 낮추는 동안 캐소드 챔버 공급 원료와 유사하거나 실질적으로 유사한 암모니아 농도의 전해수를 생성할 수도 있다. 이는 린싱 액체의 전도율이 제어되고 손상을 입히는 부식 효과들이 감소되기 때문에 린싱수 (rinsing water) 로서 유용한 전해수의 생성을 허용한다. 전해수는 캐소드 챔버 유출구 (20) 를 통해 방출된다.There are minimal or no ammonium ions in the cathode chamber (8) moving across the cation exchange membrane (12). The combination of hydrogen ions from the
캐소드 챔버 공급 원료로 희석된 암모니아 용액, 애노드 챔버 공급 원료로 탈이온수, 및 전기화학 셀 내의 양이온 투과성 멤브레인을 사용하는 것은 린싱 액체로 하여금 잘 제어된 (저)농도로 암모니아, 전도율, pH 및 ORP가 생산되게 한다. 저 레벨로 암모니아 농도를 제어하는 능력은 처리될 품목의 표면에 손상 (부식)을 최소화/방지하는 것을 돕는다. 또한, 애노드 챔버 공급 원료에 탈이온수의 사용은 양이온 투과성 멤브레인을 가로질러 캐소드 챔버로 원치 않은 종 (예를 들어, 불순물들) 의 도입을 최소화하는 것을 돕고, 그렇지 않으면 성능에 영향을 줄 수도 있다. 대조적으로, 상기 언급된 바와 같이, 희석된 암모니아 용액을 제공하기 위해 애노드 챔버에 암모니아 용액을 공급하는 것 및 양이온 투과성 멤브레인을 통해 캐소드 챔버로의 암모니아의 전달에 의존하는 것은 암모니아 농도의 변동들로 인해 신뢰할 수 있는 결과들을 제공하지 않고, 전기화학 셀에 상대적으로 보다 높은 농도들의 암모니아 용액의 공급이 필요하다는 것이 밝혀졌다. The use of a diluted ammonia solution as the cathode chamber feedstock, deionized water as the anode chamber feedstock, and a cation-permeable membrane in the electrochemical cell allows the rinsing liquid to have well-controlled (low) concentrations of ammonia, conductivity, pH, and ORP. produce it. The ability to control ammonia concentrations to low levels helps minimize/prevent damage (corrosion) to the surfaces of items being treated. Additionally, the use of deionized water in the anode chamber feedstock helps minimize the introduction of unwanted species (e.g., impurities) across the cation permeable membrane into the cathode chamber, which may otherwise affect performance. In contrast, as mentioned above, feeding an ammonia solution to the anode chamber to provide a diluted ammonia solution and relying on transfer of ammonia to the cathode chamber through a cation-permeable membrane results in fluctuations in ammonia concentration. It was found that the electrochemical cell needed to be supplied with relatively higher concentrations of ammonia solution, without providing reliable results.
도 2는 본 발명의 제 2 양태의 장치의 일 실시예의 개략도를 도시한다. 장치는 도 1의 전기화학 셀 (2), 애노드 챔버 공급 원료 탱크 (52), 캐소드 챔버 공급 원료 (54) 및 린싱 액체 저장 탱크 (56) 를 포함한다. Figure 2 shows a schematic diagram of one embodiment of the device of the second aspect of the invention. The apparatus includes the
애노드 챔버 공급 원료 탱크 (52) 는 애노드 챔버 공급 원료로 탈이온수를 포함한다. 애노드 챔버 공급 원료 탱크 (52) 는 탈이온수 소스로부터 탈이온수로 초기에 충진된다. 그러나, 애노드 챔버 공급 원료 탱크 (52) 는 또한 애노드 챔버 (4) 로부터 생성된 물 및 오존에 의해 (장치가 사용중일 때) 충진된다. 오존 및 물은 애노드 챔버를 통해 애노드 챔버 유출구 파이프 (62) 를 통해 애노드 챔버 공급 원료 탱크 (52) 로 방출된다. 오존 가스는 애노드 챔버 공급 원료 탱크 (52) 에서 애노드 챔버 공급 원료 탱크 배기 포트 (64) 를 통해 방출된다. 질소 가스가 애노드 챔버 공급 원료 탱크 (52) 에 또한 도입된다. Anode
동작 시, 애노드 챔버 공급 원료 탱크 (52) 내의 탈이온수 애노드 챔버 공급 원료는 애노드 챔버 공급 원료 파이프 (66) 를 통해 애노드 챔버 (4) 의 애노드 챔버 공급 원료 유입구 내로 피딩된다. In operation, deionized water anode chamber feedstock in anode
캐소드 챔버 공급 원료 탱크 (54) 는 캐소드 챔버 공급 원료 농축물로서 암모니아 용액을 담는다. 캐소드 챔버 공급 원료 농축물은 대략 15 몰 (molar) 암모니아 용액 및 탈이온수의 희석에 의해 캐소드 챔버 공급 원료 탱크 (54) 에서 형성된다. 15 몰 암모니아 용액 원재료는 100 내지 1000 배 희석된다. 이와 같이, 캐소드 챔버 공급 원료 농축물은 15 내지 150 밀리몰 범위의 농도를 갖는다. 이 실시예에서, 질소 가스는 또한 캐소드 챔버 공급 원료 탱크 (54) 에 첨가된다. 캐소드 챔버 공급 원료 탱크 배기 포트 (68) 가 캐소드 챔버 공급 원료 탱크 (54) 내에 존재한다. 이 방식으로, 캐소드 챔버 공급 원료 탱크 (54) 내의 압력이 제어될 수 있다. The cathode
캐소드 챔버 공급 원료 농축물은 캐소드 챔버 공급 원료 탱크 유출구 (70) 를 통해 캐소드 챔버 공급 원료 탱크 (54) 를 빠져나간다. 캐소드 챔버 공급 원료 농축물은 이후 T-피팅 (T-fitting) (72) 내의 탈이온수로 두 번째로 희석된다. 캐소드 챔버 공급 원료 농축물은 50 내지 500 배 범위로 희석된다. 두 번째 희석은 캐소드 챔버 공급 원료에 제공된다. 캐소드 챔버 공급 원료는 30 마이크로몰 내지 3 밀리몰 범위의 암모니아 농도를 갖는다. 캐소드 챔버 공급 원료는 캐소드 챔버 공급 원료 파이프 (74) 를 통해 캐소드 챔버 내에서 캐소드 챔버 공급 원료 유입구로 피딩된다. The cathode chamber feedstock concentrate exits the cathode
동작 시, 10 내지 12 V의 전압이 도 2의 장치의 전기화학 셀 (2) 에 걸쳐 인가된다. 상기 논의된 바와 같이, 오존 및 물은 애노드 챔버 유출구로부터 방출되고, 애노드 챔버 유출구 파이프 (62) 를 통해 애노드 챔버 공급 원료 탱크 (52) 로 재순환된다. In operation, a voltage of 10 to 12 V is applied across the
린싱 액체와 같은 전해 희석된 암모니아 용액이 캐소드 챔버 유출구로부터 린싱 액체 파이프 (76) 를 통해 린싱 액체 저장 탱크 (56) 로 방출된다. 캐소드 챔버 공급 원료 탱크 (54) 를 사용한 것과 같이, 질소 가스가 린싱 액체 저장 탱크 (56) 에 또한 부가된다. 린싱 액체 저장 탱크 배기 포트 (78) 가 전해수 탱크 (56) 내에 존재한다. 이 방식으로, 린싱 액체 저장 탱크 (56) 내의 압력은 제어될 수 있다. An electrolytically diluted ammonia solution, such as rinsing liquid, is discharged from the cathode chamber outlet through the rinsing
린싱 액체 저장 탱크는 린싱 액체가 하나 이상의 스피닝 반도체 웨이퍼들을 린싱하기 위한 린싱 액체로 사용되도록 하나 이상의 웨이퍼 린싱 챔버들 (82) 에 린싱 액체를 피딩하기 위한 린싱 액체 저장 탱크 유출구 (80) 를 갖는다. The rinsing liquid storage tank has a rinsing liquid
다양한 펌프들 (84) 이 장치 주위의 액체들의 플로우를 돕는다. 또한, 다수의 품질 제어 지점들이 장치 내에 존재한다. 캐소드 챔버 공급 원료의 일부가 캐소드 챔버로 진입하는 대신 전도율 미터 (86) 및 pH 미터 (88) 로 방향전환된다 (diverted). 캐소드 챔버 공급 원료의 전도율 및 pH가 측정되고, 암모니아 용액 원재료 및/또는 캐소드 챔버 공급 원료 농축물의 희석이 필요하다면 조정된다. 이는 제어기에 의해 자동적으로 제어될 수 있다. 또한, ORP 센서 (90) 가 린싱 액체 저장 탱크 (56) 와 웨이퍼 린싱 챔버 (82) 사이에 위치된다. 이 방식으로, 린싱 액체의 ORP는 ORP가 용인 가능한 한계 내에 있다는 것을 확인하기 위해 모니터링될 수도 있다. 이는 또한 제어기에 의해 제어될 수 있다. Various pumps (84) assist the flow of liquids around the device. Additionally, multiple quality control points exist within the device. A portion of the cathode chamber feedstock is diverted to
도 3은 본 발명의 제 3 양태 및 제 4 양태의 대안적인 구성의 일 예를 도시한다. 구성은 도 2의 구성과 대략 동일하다. 전기화학 셀 (102), 애노드 챔버 (104), 캐소드 챔버 (108), 양이온 교환 멤브레인 (112), 애노드 챔버 공급 원료 탱크 (152), 린싱 액체 저장 탱크 (156), 애노드 챔버 유출구 파이프 (162), 애노드 챔버 공급 원료 탱크 배기 포트 (164), 애노드 챔버 공급 원료 파이프 (166), 린싱 액체 파이프 (176), 린싱 액체 저장 탱크 배기 포트 (178), 린싱 액체 저장 탱크 유출구 (180), 웨이퍼 린싱 챔버들 (182), 펌프들 (184), 및 ORP 센서 (190) 는 모두 유사하게 배치된다. 그러나, 캐소드 챔버 공급 원료 파이프 (174) 는 이제 캐소드 탈이온수만의 챔버 공급 원료 소스에 연결된다. 전해질로서 15 몰 암모니아 용액 원재료가 이제 캐소드 챔버 유출구 뒤 린싱 액체 파이프 (176) 에 부가된다. 이 방식으로, 암모니아 전해질이 린싱 액체를 형성하기 위해 첨가된다. 15 몰 암모니아 용액 원재료는 30 마이크로몰 내지 3 밀리몰 범위의 린싱 액체의 암모니아의 농도를 제공하도록 플로우 레이트에 부가된다. Figure 3 shows an example of an alternative configuration of the third and fourth aspects of the invention. The configuration is approximately the same as that in FIG. 2. Electrochemical cell (102), anode chamber (104), cathode chamber (108), cation exchange membrane (112), anode chamber feedstock tank (152), rinsing liquid storage tank (156), anode chamber outlet pipe (162) , anode chamber feedstock
개시된 기능을 수행하기 위한 수단 또는 개시된 결과들을 획득하기 위한 방법 또는 프로세스의 면에서 또는 그들의 특정한 형태들로 적절하게 표현된 전술한 기술, 또는 이하 청구항들, 또는 첨부한 도면들에 개시된 특징들은, 별도로, 또는 이러한 특징들의 임의의 조합들로, 다양한 형태들로 본 발명을 실현하기 위해 활용될 수도 있다. The features disclosed in the foregoing technology, or in the claims below, or in the accompanying drawings, as appropriate expressed in terms of a means for performing the disclosed function or a method or process for obtaining the disclosed results or in specific forms thereof, separately , or any combination of these features may be utilized to implement the present invention in various forms.
본 발명이 상기 기술된 예시적인 실시예들과 함께 기술되었지만, 이 개시가 주어지면 당업자에게 많은 동등한 수정들 및 변형들이 자명할 것이다. 따라서, 상기 제시된 본 발명의 예시적인 실시예들은 예시적이고 제한하지 않는 것으로 간주된다. 기술된 실시예들에 대한 다양한 변경들이 본 발명의 정신 및 범위로부터 벗어나지 않고 이루어질 수도 있다. Although the invention has been described in conjunction with the exemplary embodiments described above, many equivalent modifications and variations will become apparent to those skilled in the art given this disclosure. Accordingly, the exemplary embodiments of the invention presented above are to be considered illustrative and not limiting. Various changes to the described embodiments may be made without departing from the spirit and scope of the invention.
의심의 여지를 회피하기 위해, 본 명세서에 제공된 모든 이론적인 설명들이 독자의 이해를 향상시키는 목적들을 위해 제공된다. 발명자들은 임의의 이들 이론적인 설명들로 구속되기를 원하지 않는다. For the avoidance of doubt, all theoretical explanations provided herein are provided for the purpose of enhancing the reader's understanding. The inventors do not wish to be bound by any of these theoretical explanations.
본 명세서에 사용된 모든 섹션 제목들은 구성상 목적들만을 위한 것이고, 기술된 주제를 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다. All section headings used herein are for organizational purposes only and should not be construed as limiting the subject matter described.
문맥이 달리 요구하지 않는 한 이하의 청구항들을 포함하는 이 명세서를 통틀어, 단어 “포함하다 (comprise)”및 “포함하다 (include)”그리고 “포함하는 (comprises)”“포함하는 (comprising)”및 “포함하는 (including)”과 같은 변형들은, 명시된 정수 또는 단계 또는 정수들 또는 단계들의 그룹의 포함이지만 임의의 다른 정수 또는 단계 또는 정수들 또는 단계들의 그룹의 제외가 아님을 암시하는 것으로 이해될 것이다. Throughout this specification, including the following claims, unless the context otherwise requires, the words “comprise” and “include” and “comprises” “comprising” and Variations such as “including” will be understood to imply inclusion of a specified integer or step or group of integers or steps but not exclusion of any other integer or step or group of integers or steps. .
명세서 및 첨부된 청구항들에 사용된 바와 같이, 단수 형태들 “a”“an”및 “the”는 문맥이 달리 명확하게 지시하지 않는 한 복수 지시대상들 (referents) 을 포함한다는 것에 주의해야 한다. 범위들은 “약 (about)”을 일 특정한 값으로부터, 그리고/또는 “약”을 또 다른 특정한 값까지로 본 명세서에서 표현될 수도 있다. 이러한 범위가 표현되면, 또 다른 실시예는 일 특정한 값으로부터 그리고/또는 다른 특정한 값을 포함한다. 유사하게, 선행 “약”의 사용에 의해, 값들이 근사치들로 표현되면, 특정한 값이 또 다른 실시예를 형성한다는 것이 이해될 것이다. 수치값과 관련하여 용어 “약”은 선택 가능하고, 예를 들어 +/- 10 %를 의미한다. It should be noted that, as used in the specification and the appended claims, the singular forms “a”, “an” and “the” include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. Ranges may be expressed herein as “about” from one particular value, and/or “about” to another particular value. Where such ranges are expressed, other embodiments include from one specific value and/or to another specific value. Similarly, by use of the antecedent “about,” it will be understood that when values are expressed as approximations, a particular value forms another embodiment. The term “about” in relation to numerical values is optional and means, for example, +/- 10 %.
참조문헌References
다수의 출판물들이 본 발명 및 본 발명과 관련되는 종래 기술을 보다 완전하게 기술하고 개시하기 위해 상기 인용되었다. 이들 참조문헌들의 모든 인용들은 이하에 제공된다. 이들 참조문헌들 각각은 전체가 본 명세서에 인용된다. A number of publications are cited above to more completely describe and disclose the present invention and the prior art to which it relates. All citations to these references are provided below. Each of these references is incorporated herein in its entirety.
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US 2007/018638US 2007/018638
Claims (18)
a. 상기 애노드 챔버의 유입구를 통해 상기 애노드 챔버로 본질적으로 물로 구성되는 수성 애노드 챔버 공급 원료 (feedstock) 를 피딩하는 (feeding) 단계;
b. 상기 캐소드 챔버의 유입구를 통해 상기 캐소드 챔버로 본질적으로 암모니아 수용액으로 구성되는 수성 캐소드 챔버 공급 원료를 피딩하는 단계; 및
c. 상기 캐소드 챔버에서 린싱 액체를 형성하기 위해 상기 애노드 및 상기 캐소드에 전압을 인가하는 단계를 포함하고, 그리고
상기 단계 a, 상기 단계 b, 및 상기 단계 c는 적어도 부분적으로 동시에 수행되는, 수성 린싱 액체를 생산하는 방법.1. A method of producing an aqueous rinsing liquid in an electrochemical cell having an anode chamber with an anode and a cathode chamber with a cathode, wherein the anode chamber and the cathode chamber are separated by a cation-selective membrane, The above method is:
a. feeding an aqueous anode chamber feedstock consisting essentially of water into the anode chamber through an inlet of the anode chamber;
b. feeding an aqueous cathode chamber feedstock consisting essentially of an aqueous ammonia solution into the cathode chamber through an inlet of the cathode chamber; and
c. applying a voltage to the anode and the cathode to form a rinsing liquid in the cathode chamber, and
Wherein step a, step b, and step c are performed at least partially simultaneously.
상기 캐소드 챔버 공급 원료는 7.5 내지 10.5 범위의 pH 값을 갖는, 수성 린싱 액체를 생산하는 방법. According to claim 1,
wherein the cathode chamber feedstock has a pH value ranging from 7.5 to 10.5.
상기 캐소드 챔버 공급 원료의 총 전해질 농도는 30 마이크로몰 (micromolar) 내지 3 밀리몰 (millimolar) 의 범위인, 수성 린싱 액체를 생산하는 방법. The method of claim 1 or 2,
A method of producing an aqueous rinsing liquid, wherein the total electrolyte concentration of the cathode chamber feedstock ranges from 30 micromolar to 3 millimolar.
상기 애노드 챔버에서 상기 애노드 챔버 공급 원료의 플로우 레이트는 분 당 0.5 내지 10 리터의 범위인, 수성 린싱 액체를 생산하는 방법. The method of claim 1 or 2,
A method of producing an aqueous rinsing liquid, wherein the flow rate of the anode chamber feedstock in the anode chamber ranges from 0.5 to 10 liters per minute.
상기 캐소드 챔버에서 상기 캐소드 챔버 공급 원료의 플로우 레이트는 분 당 3 내지 100 리터의 범위인, 수성 린싱 액체를 생산하는 방법. The method of claim 1 or 2,
A method of producing an aqueous rinsing liquid, wherein the flow rate of the cathode chamber feedstock in the cathode chamber ranges from 3 to 100 liters per minute.
상기 단계 c에서 발생하는 애노드 챔버 출력 액체는 상기 애노드 챔버 공급 원료로 재순환되는, 수성 린싱 액체를 생산하는 방법. The method of claim 1 or 2,
wherein the anode chamber output liquid from step c is recycled to the anode chamber feedstock.
상기 캐소드 챔버의 전해수의 산화 환원 전위는 -550 mV 또는 보다 마이너스 (negative) 인, 수성 린싱 액체를 생산하는 방법. The method of claim 1 or 2,
The redox potential of the electrolyzed water in the cathode chamber is -550 mV or more negative.
상기 단계 c에서 생성된 상기 캐소드 챔버로부터 상기 린싱 액체로 스피닝 (spinning) 반도체 웨이퍼를 린싱하는 단계를 더 포함하는, 수성 린싱 액체를 생산하는 방법. The method of claim 1 or 2,
rinsing a spinning semiconductor wafer with the rinsing liquid from the cathode chamber produced in step c.
상기 전기화학 셀은,
a. 상기 수성 캐소드 챔버 공급 원료의 pH를 측정하기 위한 pH 미터 (meter),
b. 상기 린싱 액체의 산화 환원 전위 (Oxidation Reduction Potential; ORP) 를 측정하기 위한 ORP 센서,
c. 상기 수성 캐소드 챔버 공급 원료 및 상기 수성 애노드 챔버 공급 원료의 플로우 레이트를 제어하기 위한 액체 플로우 미터들, 및
d. 상기 pH 미터, 상기 ORP 센서 및 상기 액체 플로우 미터들과 통신하는 제어기를 포함하는 장치의 일부이고, 그리고
상기 제어기는 상기 pH 미터 및/또는 상기 ORP 센서로부터의 데이터에 응답하여 상기 장치의 상기 액체 플로우 미터들 및/또는 다른 파라미터들을 통해 상기 플로우 레이트를 조정하는, 수성 린싱 액체를 생산하는 방법. The method of claim 1 or 2,
The electrochemical cell is,
a. A pH meter for measuring the pH of the aqueous cathode chamber feedstock,
b. ORP sensor for measuring the oxidation reduction potential (ORP) of the rinsing liquid,
c. liquid flow meters for controlling the flow rate of the aqueous cathode chamber feedstock and the aqueous anode chamber feedstock, and
d. is part of a device that includes a controller in communication with the pH meter, the ORP sensor, and the liquid flow meters, and
wherein the controller adjusts the flow rate through the liquid flow meters and/or other parameters of the device in response to data from the pH meter and/or the ORP sensor.
상기 장치는 애노드 챔버에 애노드 및 캐소드 챔버에 캐소드를 갖는 전기화학 셀을 포함하고, 상기 애노드 챔버 및 상기 캐소드 챔버는 양이온-선택적인 멤브레인에 의해 분리되고,
상기 애노드 챔버는 본질적으로 물로 구성되는 애노드 챔버 공급 원료를 수용하기 위한 애노드 챔버 유입구를 포함하고, 상기 캐소드 챔버는 캐소드 챔버 공급 원료를 수용하기 위한 캐소드 챔버 공급 원료 유입구를 포함하고, 수성 캐소드 챔버 공급 원료는 본질적으로 암모니아 수용액으로 구성되고, 그리고
상기 장치는 상기 애노드 챔버에 수성 애노드 챔버 공급 원료를 제공하기 위한 상기 애노드 챔버 유입구와 유체로 연통하는 애노드 챔버 공급 원료 소스, 및 상기 캐소드 챔버에 상기 수성 캐소드 챔버 공급 원료를 제공하기 위한 상기 캐소드 챔버 유입구와 유체로 연통하는 캐소드 챔버 공급 원료 소스를 더 포함하는, 수성 린싱 액체를 생산하기 위한 장치. In an apparatus for producing an aqueous rinsing liquid,
The device comprises an electrochemical cell having an anode in an anode chamber and a cathode in a cathode chamber, the anode chamber and the cathode chamber being separated by a cation-selective membrane,
The anode chamber includes an anode chamber inlet for receiving an anode chamber feedstock consisting essentially of water, and the cathode chamber includes a cathode chamber feedstock inlet for receiving an aqueous cathode chamber feedstock. consists essentially of an aqueous solution of ammonia, and
The apparatus includes an anode chamber feedstock source in fluid communication with the anode chamber inlet to provide an aqueous anode chamber feedstock to the anode chamber, and an anode chamber inlet to provide the aqueous cathode chamber feedstock to the cathode chamber. An apparatus for producing an aqueous rinsing liquid, further comprising a cathode chamber feedstock source in fluid communication with.
상기 장치는 상기 캐소드 챔버에서 생성된 린싱 액체를 수용하기 위해, 그리고 상기 린싱 액체로 반도체 웨이퍼를 린싱하기 위해 상기 캐소드 챔버의 캐소드 챔버 유출구와 유체로 연통하는 웨이퍼 린싱 챔버를 더 포함하는, 수성 린싱 액체를 생산하기 위한 장치. According to claim 10,
The apparatus further comprises a wafer rinsing chamber in fluid communication with a cathode chamber outlet of the cathode chamber for receiving rinsing liquid produced in the cathode chamber and rinsing a semiconductor wafer with the rinsing liquid. A device for producing.
상기 장치는 상기 린싱 액체의 중간 저장을 위해 상기 캐소드 챔버 유출구와 유체로 연통하는 린싱 액체 저장 탱크를 더 포함하는, 수성 린싱 액체를 생산하기 위한 장치. According to claim 11,
The apparatus further comprises a rinsing liquid storage tank in fluid communication with the cathode chamber outlet for intermediate storage of the rinsing liquid.
상기 린싱 액체 저장 탱크는 과잉 가스를 배기시키기 위한 린싱 액체 저장 탱크 배기 포트를 포함하는, 수성 린싱 액체를 생산하기 위한 장치. According to claim 12,
An apparatus for producing an aqueous rinsing liquid, wherein the rinsing liquid storage tank includes a rinsing liquid storage tank vent port for venting excess gas.
상기 애노드 챔버는 상기 애노드 챔버 공급 원료로서 애노드 챔버 출력을 재순환하기 위해 애노드 챔버 공급 원료 탱크와 유체로 연통하는 애노드 챔버 유출구를 갖는, 수성 린싱 액체를 생산하기 위한 장치. The method according to any one of claims 10 to 13,
wherein the anode chamber has an anode chamber outlet in fluid communication with an anode chamber feedstock tank to recycle the anode chamber output as anode chamber feedstock.
상기 캐소드 챔버 공급 원료 소스는 캐소드 챔버 공급 원료 농축물 (concentrate) 을 포함하고, 상기 장치는 상기 캐소드 챔버에 진입하기 전 물로 상기 캐소드 챔버 공급 원료 농축물을 희석하기 위해 상기 캐소드 챔버 공급 원료 소스와 캐소드 챔버 유입구 사이에 희석 지점을 포함하는, 수성 린싱 액체를 생산하기 위한 장치. The method according to any one of claims 10 to 13,
The cathode chamber feedstock source includes a cathode chamber feedstock concentrate, and the device is configured to connect the cathode chamber feedstock source and the cathode to dilute the cathode chamber feedstock concentrate with water prior to entering the cathode chamber. An apparatus for producing an aqueous rinsing liquid, comprising a dilution point between the chamber inlets.
a. 상기 수성 캐소드 챔버 공급 원료의 pH를 측정하기 위한 pH 미터,
b. 상기 린싱 액체의 ORP를 측정하기 위한 ORP 센서,
c. 상기 수성 캐소드 챔버 공급 원료 및 상기 수성 애노드 챔버 공급 원료의 플로우 레이트를 제어하기 위한 액체 플로우 미터들, 및
d. 상기 pH 미터, 상기 ORP 센서 및 상기 액체 플로우 미터들과 통신하는 제어기를 포함하고,
사용 시, 상기 제어기는 상기 pH 미터 및/또는 상기 ORP 센서로부터의 데이터에 응답하여 상기 장치의 상기 액체 플로우 미터들 및/또는 다른 파라미터들을 통해 상기 플로우 레이트를 조정하는, 수성 린싱 액체를 생산하기 위한 장치. The method according to any one of claims 10 to 13,
a. a pH meter for measuring the pH of the aqueous cathode chamber feedstock,
b. an ORP sensor for measuring the ORP of the rinsing liquid,
c. liquid flow meters for controlling the flow rate of the aqueous cathode chamber feedstock and the aqueous anode chamber feedstock, and
d. a controller in communication with the pH meter, the ORP sensor, and the liquid flow meters,
In use, the controller adjusts the flow rate through the liquid flow meters and/or other parameters of the device in response to data from the pH meter and/or the ORP sensor. Device.
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