KR102689870B1 - Manufacturing method of zero plane anchoring film and liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 제로면 앵커링막의 공업적인 제조 방법, 및 그것을 이용하는 양호한 액정 표시 소자 및 액정 표시 소자의 제조 방법을 제공한다.
액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을, 라디칼 발생막에 접촉시킨 상태에서, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합 반응시키기에 충분한 에너지를 부여하는 스텝을 포함하는, 제로면 앵커링막의 제조 방법, 및 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을, 라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판과 라디칼 발생막을 갖지 않는 제 2 기판의 사이에 갖는 셀을 준비하는 스텝, 및 상기 셀에, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합 반응시키기에 충분한 에너지를 부여하는 스텝을 포함하는 기능막의 작성 방법으로 한다.
The present invention provides an industrial manufacturing method for a zero-plane anchoring film, a good liquid crystal display element using the same, and a liquid crystal display element manufacturing method.
A method for producing a zero-plane anchoring film, comprising a step of applying energy sufficient to polymerize the radically polymerizable compound in a state in which a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radically polymerizable compound is brought into contact with a radical generating film, and A step of preparing a cell having a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radically polymerizable compound between a first substrate having a radical generating film and a second substrate not having a radical generating film, and applying the radical polymerizable compound to the cell. This is a method for producing a functional film that includes a step of providing sufficient energy to cause a polymerization reaction.

Description

제로면 앵커링막의 제조 방법 및 액정 표시 소자Manufacturing method of zero plane anchoring film and liquid crystal display device

본 발명은, 염가이고 또한 복잡한 공정을 포함하지 않는 수법으로, 제로면 앵커링막을 제조하는 것이 가능한 폴리머 안정화 기술을 응용한 제조 방법, 및 당해 제조 방법을 이용하는, 한층 더 저전압 구동을 실현하기 위한 액정 표시 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a manufacturing method using polymer stabilization technology that can produce a zero-plane anchoring film using a method that is inexpensive and does not involve complicated processes, and a liquid crystal display for realizing even lower voltage driving using the manufacturing method. It relates to devices and their manufacturing methods.

근래, 휴대전화, 컴퓨터 및 TV의 디스플레이 등에는 액정 표시 소자가 널리 이용되고 있다. 액정 표시 소자는 박형(薄型), 경량, 저소비 전력 등의 특성을 갖고 있어, 향후에는 VR이나 초고화질의 디스플레이 등, 한층 더 콘텐츠에의 응용이 기대되고 있다. 액정 디스플레이의 표시 방식에는, TN(Twisted Nematic), IPS(In-Plane Switching), VA(Vertical Alignment) 등 다양한 표시 모드가 제안되어 있는데, 모든 모드에는 액정을 원하는 배향 상태로 유도하는 막(액정 배향막)이 사용되고 있다.Recently, liquid crystal display elements have been widely used in displays of mobile phones, computers, and TVs. Liquid crystal display elements have characteristics such as thinness, light weight, and low power consumption, and are expected to be applied to further content such as VR and ultra-high-definition displays in the future. There are various display modes proposed for liquid crystal displays, such as TN (Twisted Nematic), IPS (In-Plane Switching), and VA (Vertical Alignment). All modes include a film (liquid crystal alignment film) that guides the liquid crystal to the desired alignment state. ) is being used.

특히 태블릿 PC나 스마트폰, 스마트 TV 등의 터치 패널을 구비한 제품에는, 터치해도 표시가 흐트러지기 어려운 IPS 모드가 선호되고 있고, 근래에는 콘트라스트 향상이나 시야각 특성의 향상의 점에서 FFS(Frindge Field Switching)를 이용한 액정 표시 소자나, 광배향을 이용한 비접촉 기술을 이용한 기술이 이용되도록 되어 왔다.In particular, for products with touch panels such as tablet PCs, smartphones, and smart TVs, IPS mode is preferred because the display is less likely to be disturbed even when touched. In recent years, FFS (Frindge Field Switching) has been used to improve contrast and viewing angle characteristics. ) and technologies using non-contact technology using photo-alignment have been used.

그러나, FFS는 IPS에 비해 기판의 제조 코스트가 크고, Vcom 시프트라고 불리는 FFS 모드 특유의 표시 불량이 발생하는 과제가 있다. 또 광배향에 관해서는, 러빙법에 비해, 제조할 수 있는 소자의 크기를 크게 할 수 있는 점이나 표시 특성을 크게 향상할 수 있다는 메리트가 있지만, 광배향의 원리상의 과제(분해형이면 분해물 유래의 표시 불량, 이성화형이면 배향력 부족에 의한 번인 등)를 들 수 있다. 그러한 과제를 해결하기 위해 액정 표시 소자 메이커나 액정 배향막 메이커는 여러 가지 궁리를 하고 있는 것이 현상이다.However, FFS has the problem that the substrate manufacturing cost is greater than that of IPS, and a display defect unique to FFS mode called Vcom shift occurs. Also, with regard to photo-alignment, compared to the rubbing method, there are merits in that the size of the device that can be manufactured can be increased and the display characteristics can be greatly improved, but there are problems in the principle of photo-alignment (if it is a decomposition type, there is a problem of decomposition product origin). poor display, burn-in due to lack of orientation if it is an isomerized type, etc.). In order to solve such problems, liquid crystal display device manufacturers and liquid crystal alignment film manufacturers are currently working on various ideas.

한편, 근래 제로면 앵커링이라는 것을 이용한 IPS 모드가 제안되어 있고, 이 수법을 이용함으로써 종래의 IPS 모드에 비해 콘트라스트 향상이나 대폭적인 저전압 구동이 가능해진다는 보고가 되어 있다(특허문헌 1 참조).Meanwhile, an IPS mode using what is called zero-plane anchoring has been proposed recently, and it has been reported that using this method improves contrast and enables significantly low-voltage driving compared to the conventional IPS mode (see Patent Document 1).

구체적으로는, 편측의 기판에는 강한 앵커링 에너지를 갖는 액정 배향막을 이용하고, 한편의 횡전계를 발생시키는 쪽의 전극을 구비한 기판측에는 일절 액정의 배향 규제력을 갖지 않게 되는 것과 같은 처리를 실시하여, 그들을 이용해 IPS 모드의 액정 표시 소자를 만드는 방법이다.Specifically, a liquid crystal alignment film having strong anchoring energy is used on one side of the substrate, and the side of the substrate provided with the electrode on the side that generates the transverse electric field is treated such that it does not have any liquid crystal alignment regulating force. This is a method of making an IPS mode liquid crystal display device using them.

근래에는, 농후 폴리머 브러시 등을 이용하여 제로면 상태를 만들어 내고, 제로면 앵커링 IPS 모드의 기술 제안이 이루어지고 있다(참고문헌 2). 이 기술에 의해 콘트라스트비의 대폭적인 향상이나 구동 전압의 대폭적인 저하를 실현하고 있다.Recently, a zero-surface state has been created using a thick polymer brush, etc., and a zero-surface anchoring IPS mode technology has been proposed (Reference 2). This technology has realized a significant improvement in contrast ratio and a significant decrease in driving voltage.

일본국 특허 제4053530호 공보Japanese Patent No. 4053530 Publication 일본국 특개2013-231757호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2013-231757

한편 이 기술에는 원리적으로 발생하는 과제가 있고, 첫째는 폴리머 브러시를 기판 상에 안정적으로 발생시키기 위해서는 매우 섬세한 조건에서 행할 필요가 있어, 양산을 고려하면 현실적이지 않은 것을 들 수 있다. 둘째는, 배향막은 번인 억제 등의 중요한 기능을 담당하고 있지만, 폴리머 브러시 등을 이용하는 경우는 필요시되는 전기 물성 등의 제어가 곤란한 것을 들 수 있다. 셋째는 구동 원리상 전압 Off로 했을 때의 응답 속도가 매우 늦어지는 것을 들 수 있다. 배향 규제력을 제로로 함으로써 액정에 걸리는 구동 시의 저항을 없앰으로써 역치 전압의 대폭적인 저하와, 구동 시의 배향 불량 영역이 감소하는 것에 의한 휘도 향상이 기대되지만, 액정의 되돌아옴에 관해서는, 액정이 되돌아올 때의 동력은 액정의 탄성력에 의존하므로, 배향막이 있을 때에 비해 크게 속도가 저하하는 것이 생각된다.On the other hand, there are problems that arise in principle with this technology. First, in order to stably generate a polymer brush on a substrate, it needs to be carried out under very delicate conditions, which is not realistic considering mass production. Second, although the alignment film performs important functions such as suppressing burn-in, it is difficult to control the necessary electrical properties when using a polymer brush or the like. Third, due to the driving principle, the response speed when the voltage is turned off is very slow. By setting the alignment regulation force to zero, the resistance applied to the liquid crystal during driving is eliminated, thereby significantly lowering the threshold voltage and improving luminance by reducing the area with poor alignment during driving. However, regarding the return of the liquid crystal, the liquid crystal Since the power upon return depends on the elastic force of the liquid crystal, it is thought that the speed decreases significantly compared to when an alignment film is present.

이와 같은 기술적 과제를 해결할 수 있으면 패널 메이커로서도 큰 코스트 메리트가 되고, 배터리의 소비 억제나 화질의 향상 등에도 메리트가 되는 것이 생각된다.If these technical issues can be solved, it will be a great cost advantage for panel manufacturers, and it will also be beneficial in reducing battery consumption and improving image quality.

본 발명은, 상기와 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 제로면 앵커링막을 제조하는 것이 가능한 폴리머 안정화 기술을 응용한 제조 방법, 및 상온에 있어서, 간편하고 또한 염가의 방법으로 비접촉 배향과 저구동 전압화와 Off 시의 응답 속도도 빠르게 하는 것을 동시에 실현할 수 있는, 횡전계 액정 표시 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the problems described above, and includes a manufacturing method using polymer stabilization technology that can produce a zero-plane anchoring film, and a simple and inexpensive method at room temperature for non-contact orientation and low driving voltage. The purpose is to provide a transverse electric field liquid crystal display device and a manufacturing method thereof that can simultaneously realize fast response speed when on and off.

본 발명자들은, 상기의 과제를 해결하기 위해, 예의 검토를 행한 결과, 상기의 과제를 해결할 수 있는 것을 찾아내어, 이하의 요지를 갖는 본 발명을 완성시켰다.In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors conducted intensive studies, found a solution that can solve the above-mentioned problems, and completed the present invention having the following gist.

즉, 본 발명은 이하를 포함한다.That is, the present invention includes the following.

[1] 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을, 라디칼 발생막에 접촉시킨 상태에서, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합 반응시키기에 충분한 에너지를 부여하는 스텝을 포함하는, 제로면 앵커링막의 제조 방법.[1] Preparation of a zero-plane anchoring film, comprising a step of applying energy sufficient to polymerize the radically polymerizable compound in a state in which a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radically polymerizable compound is brought into contact with a radical generating film. method.

[2] 제 1 기판이 갖는 상기 라디칼 발생막이 1축 배향 처리된 라디칼 발생막인 [1]에 기재한 방법.[2] The method according to [1], wherein the radical generating film included in the first substrate is a uniaxially aligned radical generating film.

[3] 에너지를 부여하는 스텝을 무전계에서 행하는 [1] 또는 [2]에 기재한 방법.[3] The method described in [1] or [2] in which the steps for applying energy are performed in an electric field.

[4] 상기 라디칼 발생막이, 라디칼 중합을 유발하는 유기기가 고정화되어 이루어지는 막인 것을 특징으로 하는 [1]∼[3] 중 어느 한 항에 기재한 방법.[4] The method according to any one of [1] to [3], wherein the radical generating film is a film in which an organic group that causes radical polymerization is immobilized.

[5] 상기 라디칼 발생막이, 라디칼을 발생시키는 기를 갖는 화합물과 중합체와의 조성물을 도포, 경화하여 막을 형성함으로써 막 중에 고정화시켜 얻어지는 것을 특징으로 하는 [1]∼[3] 중 어느 한 항에 기재한 방법.[5] The radical generating film according to any one of [1] to [3], wherein the radical generating film is obtained by applying and curing a composition of a polymer and a compound having a radical generating group to form a film, thereby immobilizing it in the film. One way.

[6] 상기 라디칼 발생막이, 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 중합체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 [1]∼[3] 중 어느 한 항에 기재한 방법.[6] The method according to any one of [1] to [3], wherein the radical generating film is made of a polymer containing an organic group that induces radical polymerization.

[7] 상기 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 중합체가, 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 디아민을 포함하는 디아민 성분을 이용하여 얻어지는 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리우레아 및 폴리아미드로부터 선택되는 적어도 1종의 중합체인 것을 특징으로 하는 [6]에 기재한 방법.[7] The polymer containing an organic group that causes radical polymerization is selected from polyimide precursors, polyimides, polyureas, and polyamides obtained by using a diamine component containing a diamine containing an organic group that causes radical polymerization. The method described in [6], characterized in that it is at least one type of polymer.

[8] 상기 라디칼 중합을 유발하는 유기기가 하기 구조 [X-1]∼[X-18], [W], [Y], [Z]로 표시되는 유기기인 [4], [6] 및 [7] 중 어느 한 항에 기재한 방법:[8] The organic groups causing the radical polymerization are [4], [6], and [ 7] Method described in any one of:

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112019133804902-pct00001
Figure 112019133804902-pct00001

(식 [X-1]∼[X-18] 중, *는 화합물 분자의 중합성 반응기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, S1, S2는 각각 독립하여 -O-, -NR-, -S-를 나타내며, R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R1, R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다)( In the formula [ -S-, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, and R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, or a C 1 to 4 alkoxy group. represents an alkyl group)

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112019133804902-pct00002
Figure 112019133804902-pct00002

(식 [W], [Y], [Z] 중, *는 화합물 분자의 중합성 반응기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, Ar은 유기기 및/또는 할로겐 원자를 치환기로서 가져도 되는 페닐렌, 나프틸렌 및 비페닐렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방향족 탄화수소기를 나타내며, R9 및 R10은, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R9과 R10이 알킬기인 경우, 말단에서 서로 결합하여 환(環)구조를 형성하고 있어도 된다. Q는 하기의 구조를 나타낸다: (In the formulas [W], [Y], and [Z], * represents a bonding site with a portion other than the polymerizable reactive group of the compound molecule, and Ar represents phenylene which may have an organic group and/or a halogen atom as a substituent. , represents an aromatic hydrocarbon group selected from the group consisting of naphthylene and biphenylene, R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, and R 9 and R 10 In the case of this alkyl group, Q may be bonded to each other at the terminals to form a ring structure:

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112019133804902-pct00003
Figure 112019133804902-pct00003

(식 중, R11은 -CH2-, -NR-, -O- 또는 -S-를 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기를 나타내며, *는 화합물 분자의 Q 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다.)(In the formula, R 11 represents -CH 2 -, -NR-, -O- or -S-, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and * represents a group other than Q in the compound molecule. Indicates the binding site with the part.)

R12는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타낸다.).R 12 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms.)

[9] 상기 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 디아민이 하기 일반식 (6) 또는 하기 일반식 (7)로 표시되는 구조를 갖는 디아민인 것을 특징으로 하는 [7]에 기재한 방법:[9] The method described in [7], wherein the diamine containing an organic group that causes radical polymerization is a diamine having a structure represented by the following general formula (6) or the following general formula (7):

[화학식 4][Formula 4]

(식 (6) 중, R6는 단결합, -CH2-, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH2O-, -N(CH3)-, -CON(CH3)- 또는 -N(CH3)CO-를 나타내고,(In formula (6), R 6 is a single bond, -CH 2- , -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH 2 O-, -N Represents (CH 3 )-, -CON(CH 3 )- or -N(CH 3 )CO-,

R7은 단결합, 또는 비치환 또는 불소 원자에 의해 치환되어 있는 탄소수 1∼20의 알킬렌기를 나타내며, 당해 알킬렌기의 임의의 -CH2- 또는 -CF2-의 1 이상은, 각각 독립적으로 -CH=CH-, 2가의 탄소환 및 2가의 복소환으로부터 선택되는 기로 치환되어 있어도 되고, 또한, 다음에 열거하는 어느 한 기, 즉, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH- 또는 -NH-가 서로 인접하지 않는 것을 조건으로, 이들의 기로 치환되어 있어도 된다;R 7 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with a fluorine atom, and one or more of -CH 2 - or -CF 2 - of the alkylene group are each independently -CH=CH-, may be substituted with a group selected from a divalent carbocyclic ring and a divalent heterocycle, and may also be substituted with any of the groups listed below, that is, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO -, -CONH- or -NH- may be substituted with these groups, provided that they are not adjacent to each other;

R8은, 하기 식으로부터 선택되는 라디칼 중합 반응성기를 나타낸다:R 8 represents a radical polymerization reactive group selected from the following formula:

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112019133804902-pct00005
Figure 112019133804902-pct00005

(식 [X-1]∼[X-18] 중, *는 화합물 분자의 라디칼 중합 반응성기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, S1, S2는 각각 독립하여 -O-, -NR-, -S-를 나타내며, R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R1, R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다))(In the formula [ , -S-, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, and R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, and a carbon number of 1 to 4. represents an alkyl group of))

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112019133804902-pct00006
Figure 112019133804902-pct00006

(식 (7) 중, T1 및 T2는, 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH2O-, -N(CH3)-, -CON(CH3)- 또는 -N(CH3)CO-이고,(In formula (7), T 1 and T 2 are each independently a single bond, -O-, -S-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, - CH 2 O-, -N(CH 3 )-, -CON(CH 3 )- or -N(CH 3 )CO-,

S는 단결합, 또는 비치환 또는 불소 원자에 의해 치환되어 있는 탄소수 1∼20의 알킬렌기를 나타내며, 당해 알킬렌기의 임의의 -CH2- 또는 -CF2-의 1 이상은, 각각 독립적으로 -CH=CH-, 2가의 탄소환 및 2가의 복소환으로부터 선택되는 기로 치환되어 있어도 되고, 또한, 다음에 열거하는 어느 한 기, 즉, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH- 또는 -NH-가 서로 인접하지 않는 것을 조건으로, 이들의 기로 치환되어 있어도 되며,S represents a single bond or an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with a fluorine atom, and one or more of -CH 2 - or -CF 2 - of the alkylene group are each independently - CH = CH-, may be substituted with a group selected from a divalent carbocyclic ring and a divalent heterocycle, and may also be substituted with any of the groups listed below, namely -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO- , -CONH- or -NH- may be substituted with these groups, provided that they are not adjacent to each other,

J는 하기 식으로 표시되는 유기기이고,J is an organic group represented by the formula below,

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112019133804902-pct00007
Figure 112019133804902-pct00007

(식 [W], [Y], [Z] 중, *는 T2와의 결합 개소를 나타내고, Ar은 유기기 및/또는 할로겐 원자를 치환기로서 가져도 되는 페닐렌, 나프틸렌 및 비페닐렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방향족 탄화수소기를 나타내며, R9 및 R10은, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, Q는 하기의 구조를 나타낸다:(In the formulas [W], [Y], and [Z], * represents the bonding site with T 2 , and Ar represents phenylene, naphthylene, and biphenylene which may have an organic group and/or a halogen atom as a substituent. represents an aromatic hydrocarbon group selected from the group consisting of, R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, and Q represents the following structure:

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112019133804902-pct00008
Figure 112019133804902-pct00008

(식 중, R11은 -CH2-, -NR-, -O- 또는 -S-를 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기를 나타내며, *는 화합물 분자의 Q 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다.) (In the formula, R 11 represents -CH 2 -, -NR-, -O- or -S-, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and * represents a group other than Q in the compound molecule. Indicates the binding site with the part.)

R12는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타낸다.)).R 12 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms.)).

[10] 상기 라디칼 중합성 화합물 중 적어도 1종이, 액정과 상용성을 갖는, 1분자 중에 1개의 중합성 반응기를 갖는 화합물인 [1]∼[9] 중 어느 한 항에 기재한 방법.[10] The method according to any one of [1] to [9], wherein at least one of the radically polymerizable compounds is a compound that is compatible with liquid crystal and has one polymerizable reactive group per molecule.

[11] 상기 라디칼 중합성 화합물의 중합성 반응기가 이하의 구조로부터 선택되는 [10]에 기재한 방법:[11] The method according to [10], wherein the polymerizable reactive group of the radically polymerizable compound is selected from the following structures:

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112019133804902-pct00009
Figure 112019133804902-pct00009

(식 중, *는 화합물 분자의 중합성 반응기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다. Rb는 탄소수 2∼8의 직쇄 알킬기를 나타내고, E는 단결합, -O-, -NRc-, -S-, 에스테르 결합 및 아미드 결합으로부터 선택되는 결합기를 나타낸다. Rc는 수소 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.).(In the formula, * represents a bonding site with a portion other than the polymerizable reactive group of the compound molecule. R b represents a straight-chain alkyl group having 2 to 8 carbon atoms, E represents a single bond, -O-, -NR c -, - (R c represents a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms).

[12] 상기 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물에 있어서, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합시켜 얻어지는 폴리머의 Tg가 100℃ 이하의 것이 되는 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을 이용하는 것을 특징으로 하는 [1]∼[11] 중 어느 한 항에 기재한 방법.[12] In the liquid crystal composition containing the above liquid crystal and a radically polymerizable compound, a liquid crystal composition containing a radically polymerizable compound such that the Tg of the polymer obtained by polymerizing the radically polymerizable compound is 100°C or lower is used. The method described in any one of [1] to [11].

[13] 라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판과, 라디칼 발생막을 갖고 있어도 되는 제 2 기판을 준비하는 스텝,[13] A step of preparing a first substrate having a radical generating film and a second substrate that may have a radical generating film,

제 1 기판 상의 라디칼 발생막이 제 2 기판에 대향하도록 셀을 작성하는 스텝 및,A step of creating a cell so that the radical generating film on the first substrate faces the second substrate;

제 1 기판과 제 2 기판의 사이에, 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을 충전하는 스텝을 포함하고,A step of filling a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radically polymerizable compound between the first and second substrates,

[1]∼[12] 중 어느 한 항에 기재한 방법을 이용하는 액정 셀의 제조 방법.A method for manufacturing a liquid crystal cell using the method according to any one of [1] to [12].

[14] 상기 제 2 기판이 라디칼 발생막을 갖지 않는 제 2 기판인 [13]에 기재한 액정 셀의 제조 방법.[14] The method for manufacturing a liquid crystal cell according to [13], wherein the second substrate is a second substrate without a radical generating film.

[15] 상기 제 2 기판이, 1축 배향성을 갖는 액정 배향막이 코팅된 기판인 것을 특징으로 하는 [14]에 기재한 액정 셀의 제조 방법.[15] The method for manufacturing a liquid crystal cell according to [14], wherein the second substrate is a substrate coated with a liquid crystal alignment film having uniaxial orientation.

[16] 상기 1축 배향성을 갖는 액정 배향막이 수평 배향용의 액정 배향막인 것을 특징으로 하는 [15]에 기재한 액정 셀의 제조 방법.[16] The method for producing a liquid crystal cell according to [15], wherein the liquid crystal alignment film having the uniaxial alignment is a liquid crystal alignment film for horizontal alignment.

[17] 상기 라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판이 빗살 전극을 갖는 기판인 [13]∼[16] 중 어느 한 항에 기재한 액정 셀의 제조 방법.[17] The method for manufacturing a liquid crystal cell according to any one of [13] to [16], wherein the first substrate having the radical generating film is a substrate having a comb electrode.

[18] 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하고,[18] Contains liquid crystal and radically polymerizable compounds,

상기 라디칼 중합성 화합물 중 적어도 1종이, 액정과 상용성을 갖는, 1분자 중에 1개의 중합성 반응기를 갖는 화합물이며,At least one of the radically polymerizable compounds is a compound that is compatible with liquid crystal and has one polymerizable reactive group per molecule,

중합성 반응기가 이하의 구조로부터 선택되는, 액정 조성물:A liquid crystal composition, wherein the polymerizable reactive group is selected from the following structures:

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112019133804902-pct00010
Figure 112019133804902-pct00010

(식 중, *는 화합물 분자의 중합성 반응기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다. Rb는 탄소수 2∼8의 직쇄 알킬기를 나타내고, E는 단결합, -O-, -NRc-, -S-, 에스테르 결합 및 아미드 결합으로부터 선택되는 결합기를 나타낸다. Rc는 수소 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.).(In the formula, * represents a bonding site with a portion other than the polymerizable reactive group of the compound molecule. R b represents a straight-chain alkyl group having 2 to 8 carbon atoms, E represents a single bond, -O-, -NR c -, - (R c represents a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms).

[19] [1]∼[17] 중 어느 한 항에 기재한 방법을 이용하여 얻어진 제로면 앵커링 상태를 만들어 내는 막을 이용하는 액정 표시 소자의 제조 방법.[19] A method of manufacturing a liquid crystal display device using a film that creates a zero plane anchoring state obtained using the method described in any one of [1] to [17].

[20] [19]에 기재한 방법을 이용하여 얻어진 액정 표시 소자.[20] A liquid crystal display device obtained using the method described in [19].

[21] 제 1 기판 또는 제 2 기판이 전극을 갖는 [20]에 기재한 액정 표시 소자.[21] The liquid crystal display device according to [20], wherein the first or second substrate has an electrode.

[22] 저전압 구동 횡전계 액정 표시 소자인 [20] 또는 [21]에 기재한 액정 표시 소자.[22] The liquid crystal display device according to [20] or [21], which is a low-voltage driven transverse electric field liquid crystal display device.

본 발명에 의하면, 제로면 앵커링막을 공업적으로, 수율 좋게 만들어 낼 수 있다. 본 발명의 방법을 이용하여, 염가의 원료나 기존의 제조법으로 특허문헌 1, 2에 기재된 제로면 앵커링 IPS 모드 액정 표시 소자에 유사한 액정 표시 소자를 간편하게 제조할 수 있다. 또, 본 발명의 제조 방법으로 얻어진 액정 표시 소자는, 종래 기술보다도 Off 시의 액정의 응답 속도가 빠르고, 또한 저구동 전압, 휘점 없음, Vcom 시프트가 발생하기 어렵다는 뛰어난 특성을 갖는 액정 표시 소자를 제공할 수 있다.According to the present invention, a zero-surface anchoring film can be produced industrially and with good yield. Using the method of the present invention, a liquid crystal display device similar to the zero plane anchoring IPS mode liquid crystal display device described in Patent Documents 1 and 2 can be easily manufactured using inexpensive raw materials or existing manufacturing methods. In addition, the liquid crystal display device obtained by the manufacturing method of the present invention provides a liquid crystal display device that has excellent characteristics such that the response speed of the liquid crystal when turned off is faster than that of the prior art, and furthermore, there is no low driving voltage, no bright spots, and Vcom shift is less likely to occur. can do.

본 발명은, 라디칼 발생막에 특정의 중합성 화합물을 함유하는 액정을 접촉시킨 상태에서 UV 또는 열에 의해 중합성 화합물을 중합시키는 것을 특징으로 하는 제로면 앵커링막의 제조 방법이다. 보다 구체적으로는, 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을, 라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판과 라디칼 발생막을 갖고 있어도 되는 제 2 기판의 사이에 갖는 셀을 준비하는 스텝, 및 상기 셀에, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합 반응시키기에 충분한 에너지를 부여하는 스텝을 포함하는, 제로면 앵커링막의 제조 방법이다. 바람직하게는, 라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판과, 라디칼 발생 막을 갖지 않는 제 2 기판을 준비하는 스텝, 라디칼 발생막이 제 2 기판에 대향하도록 셀을 작성하는 스텝, 및 제 1 기판과 제 2 기판의 사이에, 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을 충전하는 스텝을 포함하는 액정 셀의 제조 방법이다. 예를 들면, 제 2 기판이 라디칼 발생막을 갖지 않는 동시에, 1축 배향 처리된 액정 배향막을 갖는 기판이고, 제 1 기판이 빗살 전극을 갖는 기판인, 저전압 구동 IPS 액정 표시 소자의 작성 방법이다.The present invention is a method for producing a zero plane anchoring film, characterized in that the polymerizable compound is polymerized by UV or heat while a liquid crystal containing a specific polymerizable compound is brought into contact with a radical generating film. More specifically, a step of preparing a cell having a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radically polymerizable compound between a first substrate having a radical generating film and a second substrate that may have a radical generating film, and in the cell, A method for producing a zero plane anchoring film, including a step of providing sufficient energy to polymerize the radically polymerizable compound. Preferably, a step of preparing a first substrate with a radical generating film and a second substrate without a radical generating film, a step of creating a cell so that the radical generating film faces the second substrate, and a step of preparing a cell so that the radical generating film faces the second substrate, and Meanwhile, it is a method of manufacturing a liquid crystal cell including the step of filling a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radically polymerizable compound. For example, this is a method of producing a low-voltage driven IPS liquid crystal display device in which the second substrate is a substrate that does not have a radical generating film and has a liquid crystal alignment film that has been uniaxially aligned, and the first substrate is a substrate that has comb electrodes.

본 발명에 있어서 「제로면 앵커링막」이란, 면내 방향에서의 액정 분자의 배향 규제력이 전혀 없거나, 있다고 해도 액정끼리의 분자간력보다도 약하고, 이 막만으로는 액정 분자를 어느 방향으로도 1축 배향시키지 않는 막을 말한다. 또, 이 제로면 앵커링막은, 고체막에 한정되지 않고 고체 표면을 덮는 액체막도 포함된다. 통상, 액정 표시 소자에는 액정 분자의 배향을 규제하는 막, 즉 액정 배향막을 쌍으로 이용하여 액정을 배향시키지만, 이 제로면 앵커링막과 액정 배향막을 쌍으로 이용한 경우도 액정을 배향시킬 수 있다. 이것은, 액정 배향막의 배향 규제력이 액정 분자끼리의 분자간력에 의해 액정층의 두께 방향으로도 전달되고, 결과적으로 제로면 앵커링막에 근접한 액정 분자도 배향하기 때문이다. 따라서 액정 배향막에 수평 배향용의 액정 배향막을 이용한 경우에 있어서는 액정 셀 내 전체에서 수평 배향 상태를 만들어 낼 수 있다. 수평 배향이란 액정 분자의 장축이 액정 배향막면에 대하여 거의 평행하게 배열되어 있는 상태를 말하고, 몇 도(數度) 정도의 경사 배향도 수평 배향의 범주에 포함된다.In the present invention, the "zero plane anchoring film" refers to a film that has no force regulating the orientation of liquid crystal molecules in the in-plane direction, or, if present, is weaker than the intermolecular force between liquid crystals, and does not uniaxially align liquid crystal molecules in any direction with this film alone. It says curtain. Additionally, this zero surface anchoring film is not limited to a solid film but also includes a liquid film covering a solid surface. Normally, liquid crystal display elements use a pair of films that regulate the orientation of liquid crystal molecules, that is, liquid crystal alignment films, but liquid crystals can also be aligned when the zero plane anchoring film and the liquid crystal alignment film are used in pairs. This is because the alignment regulating force of the liquid crystal alignment film is also transmitted in the thickness direction of the liquid crystal layer due to the intermolecular force between liquid crystal molecules, and as a result, liquid crystal molecules adjacent to the zero plane anchoring film are also aligned. Therefore, when a liquid crystal alignment film for horizontal alignment is used as the liquid crystal alignment film, a horizontal alignment state can be created throughout the liquid crystal cell. Horizontal alignment refers to a state in which the long axes of liquid crystal molecules are aligned substantially parallel to the surface of the liquid crystal alignment film, and an inclined orientation of several degrees is also included in the category of horizontal alignment.

[라디칼 발생막 형성 조성물][Radical generating film-forming composition]

본 발명에 이용하는 라디칼 발생막을 형성하기 위한 라디칼 발생막 형성 조성물은, 성분으로서, 중합체를 함유하고, 라디칼을 발생시킬 수 있는 기를 함유한다. 그때, 당해 조성물은, 라디칼을 발생시킬 수 있는 기가 결합된 중합체를 함유하는 것이어도 되고, 라디칼을 발생시킬 수 있는 기를 갖는 화합물과, 베이스 수지가 되는 중합체와의 조성물이어도 된다. 이와 같은 조성물을 도포, 경화하여 막을 형성함으로써, 라디칼을 발생시킬 수 있는 기가 막 중에 고정화된 라디칼 발생막을 얻을 수 있다. 라디칼을 발생시킬 수 있는 기는, 라디칼 중합을 유발하는 유기기인 것이 바람직하다.The radical-generating film-forming composition for forming the radical-generating film used in the present invention contains a polymer as a component and contains a group capable of generating radicals. In this case, the composition may contain a polymer to which a group capable of generating radicals is bonded, or may be a composition of a compound having a group capable of generating radicals and a polymer serving as a base resin. By applying and curing such a composition to form a film, a radical generating film can be obtained in which a group capable of generating radicals is immobilized in the film. The group capable of generating radicals is preferably an organic group that induces radical polymerization.

그와 같은, 라디칼 중합을 유발하는 유기기로는 하기 구조로 표시되는 [X-1]∼[X-18], [W], [Y], [Z]로 표시되는 유기기를 들 수 있다.Such organic groups that induce radical polymerization include organic groups represented by [X-1] to [X-18], [W], [Y], and [Z] represented by the following structures.

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112019133804902-pct00011
Figure 112019133804902-pct00011

(식 [X-1]∼[X-18] 중, *는 화합물 분자의 중합성 반응기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, S1, S2는 각각 독립하여 -O-, -NR-, -S-를 나타내며, R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R1, R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다)( In the formula [ -S-, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, and R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, or a C 1 to 4 alkoxy group. represents an alkyl group)

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112019133804902-pct00012
Figure 112019133804902-pct00012

(식 [W], [Y], [Z] 중, *는 화합물 분자의 중합성 반응기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, Ar은 유기기 및/또는 할로겐 원자를 치환기로서 가져도 되는 페닐렌, 나프틸렌 및 비페닐렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방향족 탄화수소기를 나타내고, R9 및 R10은, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내며, R9과 R10이 알킬기인 경우, 말단에서 서로 결합하여 환구조를 형성하고 있어도 된다. Q는 하기의 구조를 나타낸다:(In the formulas [W], [Y], and [Z], * represents a bonding site with a portion other than the polymerizable reactive group of the compound molecule, and Ar represents phenylene which may have an organic group and/or a halogen atom as a substituent. , represents an aromatic hydrocarbon group selected from the group consisting of naphthylene and biphenylene, R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, and R 9 and R 10 In the case of this alkyl group, Q may be bonded to each other at the terminals to form a ring structure.

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112019133804902-pct00013
Figure 112019133804902-pct00013

(식 중, R11은 -CH2-, -NR-, -O- 또는 -S-를 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기를 나타내며, *는 화합물 분자의 Q 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다.)(In the formula, R 11 represents -CH 2 -, -NR-, -O- or -S-, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and * represents a group other than Q in the compound molecule. Indicates the binding site with the part.)

R12는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타낸다.).R 12 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms.)

중합체로는, 예를 들면 폴리이미드 전구체, 및 폴리이미드, 폴리우레아, 폴리아미드, 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트 등으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 중합체가 바람직하다.As the polymer, for example, a polyimide precursor and at least one polymer selected from the group consisting of polyimide, polyurea, polyamide, polyacrylate, polymethacrylate, etc. are preferable.

본 발명에 이용하는 라디칼 발생막을 얻기 위해, 상기 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 갖는 중합체를 이용하는 경우, 라디칼을 발생시킬 수 있는 기를 갖는 중합체를 얻으려면, 모노머 성분으로서, 메타크릴기, 아크릴기, 비닐기, 알릴기, 쿠마린기, 스티릴기 및 신나모일기로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 광반응성의 측쇄를 갖는 모노머나, 자외선 조사에 의해 분해되고, 라디칼을 발생시키는 부위를 측쇄에 갖는 모노머를 이용하여 제조하는 것이 바람직하다. 한편, 라디칼을 발생시키는 모노머는 그 자체가 자발적으로 중합을 해 버리는 등의 문제점이 생각되어, 불안정 화합물이 되어 버리기 때문에, 합성의 용이성의 점에서는 라디칼 발생 부위를 갖는 디아민으로부터 유도되는 중합체가 바람직하고, 보다 바람직하게는 폴리아믹산이나 폴리아믹산에스테르 등의 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리우레아, 폴리아미드 등이 바람직하다.In order to obtain the radical generating film used in the present invention, when using a polymer having an organic group that causes radical polymerization, to obtain a polymer having a group capable of generating radicals, methacrylic group, acrylic group, and vinyl group are used as monomer components. , a monomer having a photoreactive side chain containing at least one selected from an allyl group, a coumarin group, a styryl group, and a cinnamoyl group, or a monomer having a site in the side chain that is decomposed by ultraviolet irradiation and generates a radical is used. It is preferable to manufacture it this way. On the other hand, monomers that generate radicals are thought to have problems such as spontaneous polymerization, which results in unstable compounds. Therefore, from the viewpoint of ease of synthesis, polymers derived from diamines having radical generating sites are preferred. , more preferably polyimide precursors such as polyamic acid and polyamic acid ester, polyimide, polyurea, polyamide, etc.

그와 같은 라디칼 발생 부위 함유 디아민은, 구체적으로는, 예를 들면, 라디칼이 발생하여 중합 가능한 측쇄를 갖는 디아민이고, 하기의 일반식 (6)으로 표시되는 디아민을 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.Specifically, such diamine containing a radical generation site is a diamine having a side chain capable of polymerization by generating a radical, and includes diamine represented by the following general formula (6), but is limited to this. That is not the case.

[화학식 14][Formula 14]

Figure 112019133804902-pct00014
Figure 112019133804902-pct00014

(식 (6) 중, R6는 단결합, -CH2-, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH2O-, -N(CH3)-, -CON(CH3)- 또는 -N(CH3)CO-를 나타내고, (In formula (6), R 6 is a single bond, -CH 2 -, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH 2 O-, -N Represents (CH 3 )-, -CON(CH 3 )- or -N(CH 3 )CO-,

R7은 단결합, 또는 비치환 또는 불소 원자에 의해 치환되어 있는 탄소수 1∼20의 알킬렌기를 나타내며, 당해 알킬렌기의 임의의 -CH2- 또는 -CF2-의 1 이상은, 각각 독립적으로 -CH=CH-, 2가의 탄소환 및 2가의 복소환으로부터 선택되는 기로 치환되어 있어도 되고, 또한, 다음에 열거하는 어느 한 기, 즉, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH- 또는 -NH-가 서로 인접하지 않는 것을 조건으로, 이들의 기로 치환되어 있어도 된다;R 7 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with a fluorine atom, and one or more of -CH 2 - or -CF 2 - of the alkylene group are each independently -CH=CH-, may be substituted with a group selected from a divalent carbocyclic ring and a divalent heterocycle, and may also be substituted with any of the groups listed below, that is, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO -, -CONH- or -NH- may be substituted with these groups, provided that they are not adjacent to each other;

R8은, 하기 식으로부터 선택되는 라디칼 중합 반응성기를 나타낸다:R 8 represents a radical polymerization reactive group selected from the following formula:

[화학식 15][Formula 15]

Figure 112019133804902-pct00015
Figure 112019133804902-pct00015

(식 [X-1]∼[X-18] 중, *는 화합물 분자의 라디칼 중합 반응성기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, S1, S2는 각각 독립하여 -O-, -NR-, -S-를 나타내며, R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R1, R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다). (In the formula [ , -S-, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, and R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, and a carbon number of 1 to 4. (represents an alkyl group of).

식 (6)에 있어서의 2개의 아미노기(-NH2)의 결합 위치는 한정되지 않는다. 구체적으로는, 측쇄의 결합기에 대하여, 벤젠환 상의 2, 3의 위치, 2, 4의 위치, 2, 5의 위치, 2, 6의 위치, 3, 4의 위치, 3, 5의 위치를 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리아믹산을 합성할 때의 반응성의 관점에서, 2, 4의 위치, 2, 5의 위치 또는 3, 5의 위치가 바람직하다. 디아민을 합성할 때의 용이성도 가미하면, 2, 4의 위치 또는 3, 5의 위치가 보다 바람직하다.The bonding position of two amino groups (-NH 2 ) in formula (6) is not limited. Specifically, with respect to the linking group of the side chain, the positions 2 and 3, positions 2 and 4, positions 2 and 5, positions 2 and 6, positions 3 and 4, and positions 3 and 5 on the benzene ring are mentioned. You can. Among them, from the viewpoint of reactivity when synthesizing polyamic acid, positions 2 and 4, positions 2 and 5, or positions 3 and 5 are preferable. Considering the ease of synthesizing diamine, positions 2 and 4 or positions 3 and 5 are more preferable.

메타크릴기, 아크릴기, 비닐기, 알릴기, 쿠마린기, 스티릴기 및 신나모일기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 광반응성기를 갖는 디아민으로는, 구체적으로는, 이하와 같은 화합물을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.Diamines having a photoreactive group containing at least one member selected from the group consisting of a methacryl group, an acrylic group, a vinyl group, an allyl group, a coumarin group, a styryl group, and a cinnamoyl group, specifically include the following compounds. can be mentioned, but are not limited to these.

[화학식 16][Formula 16]

Figure 112019133804902-pct00016
Figure 112019133804902-pct00016

(식 중, J1은 단결합, -O-, -COO-, -NHCO- 또는 -NH-로부터 선택되는 결합기이고, J2는 단결합, 또는 비치환 또는 불소 원자에 의해 치환되어 있는 탄소수 1∼20의 알킬렌기를 나타낸다.)(In the formula, J 1 is a single bond, -O-, -COO-, -NHCO-, or -NH-, and J 2 is a single bond, or 1 carbon atom unsubstituted or substituted by a fluorine atom Represents an alkylene group of ~20.)

자외선 조사에 의해 분해되어, 라디칼을 발생시키는 부위를 측쇄로서 갖는 디아민은, 하기의 일반식 (7)로 표시되는 디아민을 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.Diamines having a site as a side chain that is decomposed by ultraviolet irradiation and generates radicals include, but are not limited to, diamines represented by the following general formula (7).

[화학식 17][Formula 17]

Figure 112019133804902-pct00017
Figure 112019133804902-pct00017

(식 (7) 중, T1 및 T2는, 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH2O-, -N(CH3)-, -CON(CH3)- 또는 -N(CH3)CO-이고,(In formula (7), T 1 and T 2 are each independently a single bond, -O-, -S-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, - CH 2 O-, -N(CH 3 )-, -CON(CH 3 )- or -N(CH 3 )CO-,

S는 단결합, 또는 비치환 또는 불소 원자에 의해 치환되어 있는 탄소수 1∼20의 알킬렌기를 나타내며, 당해 알킬렌기의 임의의 -CH2- 또는 -CF2-의 1 이상은, 각각 독립적으로 -CH=CH-, 2가의 탄소환 및 2가의 복소환으로부터 선택되는 기로 치환되어 있어도 되고, 또한, 다음에 열거하는 어느 한 기, 즉, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH- 또는 -NH-가 서로 인접하지 않는 것을 조건으로, 이들의 기로 치환되어 있어도 되며, S represents a single bond or an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with a fluorine atom, and one or more of -CH 2 - or -CF 2 - of the alkylene group are each independently - CH = CH-, may be substituted with a group selected from a divalent carbocyclic ring and a divalent heterocycle, and may also be substituted with any of the groups listed below, namely -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO- , -CONH- or -NH- may be substituted with these groups, provided that they are not adjacent to each other,

J는 하기 식으로 표시되는 유기기이고,J is an organic group represented by the formula below,

[화학식 18][Formula 18]

Figure 112019133804902-pct00018
Figure 112019133804902-pct00018

(식 [W], [Y], [Z] 중, *는 T2와의 결합 개소를 나타내고, Ar은 유기기 및/또는 할로겐 원자를 치환기로서 가져도 되는 페닐렌, 나프틸렌 및 비페닐렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방향족 탄화수소기를 나타내며, R9 및 R10은, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, Q는 하기의 구조를 나타낸다:(In the formulas [W], [Y], and [Z], * represents the bonding site with T 2 , and Ar represents phenylene, naphthylene, and biphenylene which may have an organic group and/or a halogen atom as a substituent. represents an aromatic hydrocarbon group selected from the group consisting of, R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, and Q represents the following structure:

[화학식 19][Formula 19]

Figure 112019133804902-pct00019
Figure 112019133804902-pct00019

(식 중, R11은 -CH2-, -NR-, -O- 또는 -S-를 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기를 나타내며, *는 화합물 분자의 Q 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다.)(In the formula, R 11 represents -CH 2 -, -NR-, -O- or -S-, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and * represents a group other than Q in the compound molecule. Indicates the binding site with the part.)

R12는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타낸다.)).R 12 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms.)).

상기 식 (7)에 있어서의 2개의 아미노기(-NH2)의 결합 위치는 한정되지 않는다. 구체적으로는, 측쇄의 결합기에 대하여, 벤젠환 상의 2, 3의 위치, 2, 4의 위치, 2, 5의 위치, 2, 6의 위치, 3, 4의 위치, 3, 5의 위치를 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리아믹산을 합성할 때의 반응성의 관점에서, 2, 4의 위치, 2, 5의 위치 또는 3, 5의 위치가 바람직하다. 디아민을 합성할 때의 용이성도 가미하면, 2, 4의 위치 또는 3, 5의 위치가 보다 바람직하다.The bonding position of the two amino groups (-NH 2 ) in the above formula (7) is not limited. Specifically, with respect to the linking group of the side chain, the positions 2 and 3, positions 2 and 4, positions 2 and 5, positions 2 and 6, positions 3 and 4, and positions 3 and 5 on the benzene ring are mentioned. You can. Among them, from the viewpoint of reactivity when synthesizing polyamic acid, positions 2 and 4, positions 2 and 5, or positions 3 and 5 are preferable. Considering the ease of synthesizing diamine, positions 2 and 4 or positions 3 and 5 are more preferable.

특히 합성의 용이함, 범용성의 높음, 특성 등의 점을 감안하여, 하기 식으로 표시되는 구조가 가장 바람직하지만, 이들에 한정되지 않는다.In particular, in consideration of ease of synthesis, high versatility, characteristics, etc., the structure represented by the following formula is most preferable, but is not limited to these.

[화학식 20][Formula 20]

Figure 112019133804902-pct00020
Figure 112019133804902-pct00020

(식 중, n은 2∼8의 정수이다.)(In the formula, n is an integer from 2 to 8.)

상기의 디아민은, 라디칼 발생막으로 했을 때의 액정 배향성, 중합 반응에서의 감도, 전압 유지 특성, 축적 전하 등의 특성에 따라, 1종류 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.The above diamines may be used one type or in a mixture of two or more types depending on characteristics such as liquid crystal orientation when used as a radical generating film, sensitivity in a polymerization reaction, voltage holding characteristics, and accumulated charge.

이와 같은 라디칼 중합이 발생하는 부위를 갖는 디아민은, 라디칼 발생막 형성 조성물에 함유시키는 중합체의 합성에 이용하는 디아민 성분 전체의 5∼50 몰%가 되는 양을 이용하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10∼40 몰%이며, 특히 바람직하게는 15∼30 몰%이다.The diamine having a site where such radical polymerization occurs is preferably used in an amount of 5 to 50 mol% of the total diamine components used in the synthesis of the polymer contained in the radical generating film-forming composition, more preferably 10 to 50 mol%. It is 40 mol%, especially preferably 15 to 30 mol%.

또한, 본 발명의 라디칼 발생막에 이용하는 중합체를 디아민으로부터 얻는 경우, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 한에 있어서, 상기 라디칼을 발생시키는 부위를 갖는 디아민 이외의, 그 외의 디아민을 디아민 성분으로서 병용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, p-페닐렌디아민, 2,3,5,6-테트라메틸-p-페닐렌디아민, 2,5-디메틸-p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4-디메틸-m-페닐렌디아민, 2,5-디아미노톨루엔, 2,6-디아미노톨루엔, 2,5-디아미노페놀, 2,4-디아미노페놀, 3,5-디아미노페놀, 3,5-디아미노벤질알코올, 2,4-디아미노벤질알코올, 4,6-디아미노레조르시놀, 4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메톡시-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디히드록시-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디플루오로-4,4'-비페닐, 3,3'-트리플루오로메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디아미노비페닐, 2,2'-디아미노비페닐, 2,3'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2'-디아미노디페닐메탄, 2,3'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 2,2'-디아미노디페닐에테르, 2,3'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-술포닐디아닐린, 3,3'-술포닐디아닐린, 비스(4-아미노페닐)실란, 비스(3-아미노페닐)실란, 디메틸-비스(4-아미노페닐)실란, 디메틸-비스(3-아미노페닐)실란, 4,4'-티오디아닐린, 3,3'-티오디아닐린, 4,4'-디아미노디페닐아민, 3,3'-디아미노디페닐아민, 3,4'-디아미노디페닐아민, 2,2'-디아미노디페닐아민, 2,3'-디아미노디페닐아민, N-메틸(4,4'-디아미노디페닐)아민, N-메틸(3,3'-디아미노디페닐)아민, N-메틸(3,4'-디아미노디페닐)아민, N-메틸(2,2'-디아미노디페닐)아민, N-메틸(2,3'-디아미노디페닐)아민, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노벤조페논, 3,4'-디아미노벤조페논, 1,4-디아미노나프탈렌, 2,2'-디아미노벤조페논, 2,3'-디아미노벤조페논, 1,5-디아미노나프탈렌, 1,6-디아미노나프탈렌, 1,7-디아미노나프탈렌, 1,8-디아미노나프탈렌, 2,5-디아미노나프탈렌, 2,6-디아미노나프탈렌, 2,7-디아미노나프탈렌, 2,8-디아미노나프탈렌, 1,2-비스(4-아미노페닐)에탄, 1,2-비스(3-아미노페닐)에탄, 1,3-비스(4-아미노페닐)프로판, 1,3-비스(3-아미노페닐)프로판, 1,4-비스(4-아미노페닐)부탄, 1,4-비스(3-아미노페닐)부탄, 비스(3,5-디에틸-4-아미노페닐)메탄, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(4-아미노벤질)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-[1,4-페닐렌비스(메틸렌)]디아닐린, 4,4'-[1,3-페닐렌비스(메틸렌)]디아닐린, 3,4'-[1,4-페닐렌비스(메틸렌)]디아닐린, 3,4'-[1,3-페닐렌비스(메틸렌)]디아닐린, 3,3'-[1,4-페닐렌비스(메틸렌)]디아닐린, 3,3'-[1,3-페닐렌비스(메틸렌)]디아닐린, 1,4-페닐렌비스[(4-아미노페닐)메타논], 1,4-페닐렌비스[(3-아미노페닐)메타논], 1,3-페닐렌비스[(4-아미노페닐)메타논], 1,3-페닐렌비스[(3-아미노페닐)메타논], 1,4-페닐렌비스(4-아미노벤조에이트), 1,4-페닐렌비스(3-아미노벤조에이트), 1,3-페닐렌비스(4-아미노벤조에이트), 1,3-페닐렌비스(3-아미노벤조에이트), 비스(4-아미노페닐)테레프탈레이트, 비스(3-아미노페닐)테레프탈레이트, 비스(4-아미노페닐)이소프탈레이트, 비스(3-아미노페닐)이소프탈레이트, N,N'-(1,4-페닐렌)비스(4-아미노벤즈아미드), N,N'-(1,3-페닐렌)비스(4-아미노벤즈아미드), N,N'-(1,4-페닐렌)비스(3-아미노벤즈아미드), N,N'-(1,3-페닐렌)비스(3-아미노벤즈아미드), N,N'-비스(4-아미노페닐)테레프탈아미드, N,N'-비스(3-아미노페닐)테레프탈아미드, N,N'-비스(4-아미노페닐)이소프탈아미드, N,N'-비스(3-아미노페닐)이소프탈아미드, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)디페닐술폰, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2'-비스(3-아미노페닐)프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-메틸페닐)프로판, 트랜스-1,4-비스(4-아미노페닐)시클로헥산, 3,5-디아미노안식향산, 2,5-디아미노안식향산, 비스(4-아미노페녹시)메탄, 1,2-비스(4-아미노페녹시)에탄, 1,3-비스(4-아미노페녹시)프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)프로판, 1,4-비스(4-아미노페녹시)부탄, 1,4-비스(3-아미노페녹시)부탄, 1,5-비스(4-아미노페녹시)펜탄, 1,5-비스(3-아미노페녹시)펜탄, 1,6-비스(4-아미노페녹시)헥산, 1,6-비스(3-아미노페녹시)헥산, 1,7-비스(4-아미노페녹시)헵탄, 1,7-비스(3-아미노페녹시)헵탄, 1,8-비스(4-아미노페녹시)옥탄, 1,8-비스(3-아미노페녹시)옥탄, 1,9-비스(4-아미노페녹시)노난, 1,9-비스(3-아미노페녹시)노난, 1,10-비스(4-아미노페녹시)데칸, 1,10-비스(3-아미노페녹시)데칸, 1,11-비스(4-아미노페녹시)운데칸, 1,11-비스(3-아미노페녹시)운데칸, 1,12-비스(4-아미노페녹시)도데칸, 1,12-비스(3-아미노페녹시)도데칸 등의 방향족 디아민; 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 비스(4-아미노-3-메틸시클로헥실)메탄 등의 지환식(脂環式) 디아민; 1,3-디아미노프로판, 1,4-디아미노부탄, 1,5-디아미노펜탄, 1,6-디아미노헥산, 1,7-디아미노헵탄, 1,8-디아미노옥탄, 1,9-디아미노노난, 1,10-디아미노데칸, 1,11-디아미노운데칸, 1,12-디아미노도데칸 등의 지방족 디아민; 1,3-비스[2-(p-아미노페닐)에틸]우레아, 1,3-비스[2-(p-아미노페닐)에틸]-1-터셔리부틸옥시카르보닐우레아 등의 우레아 구조를 갖는 디아민; N-p-아미노페닐-4-p-아미노페닐(터셔리부틸옥시카르보닐)아미노메틸피페리딘 등의 함(含)질소 불포화 복소환 구조를 갖는 디아민; N-터셔리부톡시카르보닐-N-(2-(4-아미노페닐)에틸)-N-(4-아미노벤질)아민 등의 N-Boc기를 갖는 디아민 등을 들 수 있다.In addition, when the polymer used in the radical generating film of the present invention is obtained from diamine, diamines other than the diamine having the above radical-generating site may be used together as the diamine component, as long as the effect of the present invention is not impaired. You can. Specifically, for example, p-phenylenediamine, 2,3,5,6-tetramethyl-p-phenylenediamine, 2,5-dimethyl-p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2 ,4-dimethyl-m-phenylenediamine, 2,5-diaminotoluene, 2,6-diaminotoluene, 2,5-diaminophenol, 2,4-diaminophenol, 3,5-diaminophenol , 3,5-diaminobenzyl alcohol, 2,4-diaminobenzyl alcohol, 4,6-diaminoresorcinol, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4' -Diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dicarboxy -4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-difluoro-4,4'-biphenyl, 3,3'-trifluoromethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3, 4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 2,2'-diaminobiphenyl, 2,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3 ,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2'-diaminodiphenylmethane, 2,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diamino Diphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 2,2'-diaminodiphenyl ether, 2,3'-diaminodiphenyl ether, 4, 4'-sulfonyldianiline, 3,3'-sulfonyldianiline, bis(4-aminophenyl)silane, bis(3-aminophenyl)silane, dimethyl-bis(4-aminophenyl)silane, dimethyl-bis(3) -aminophenyl) silane, 4,4'-thiodianiline, 3,3'-thiodianiline, 4,4'-diaminodiphenylamine, 3,3'-diaminodiphenylamine, 3,4' -Diaminodiphenylamine, 2,2'-diaminodiphenylamine, 2,3'-diaminodiphenylamine, N-methyl (4,4'-diaminodiphenyl)amine, N-methyl (3 ,3'-diaminodiphenyl)amine, N-methyl(3,4'-diaminodiphenyl)amine, N-methyl(2,2'-diaminodiphenyl)amine, N-methyl(2,3 '-diaminodiphenyl)amine, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 1,4-diaminonaphthalene, 2,2 '-diaminobenzophenone, 2,3'-diaminobenzophenone, 1,5-diaminonaphthalene, 1,6-diaminonaphthalene, 1,7-diaminonaphthalene, 1,8-diaminonaphthalene, 2 , 5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 2,7-diaminonaphthalene, 2,8-diaminonaphthalene, 1,2-bis (4-aminophenyl) ethane, 1,2-bis ( 3-aminophenyl)ethane, 1,3-bis(4-aminophenyl)propane, 1,3-bis(3-aminophenyl)propane, 1,4-bis(4-aminophenyl)butane, 1,4- Bis(3-aminophenyl)butane, bis(3,5-diethyl-4-aminophenyl)methane, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy) ) Benzene, 1,4-bis (4-aminophenyl) benzene, 1,3-bis (4-aminophenyl) benzene, 1,4-bis (4-aminobenzyl) benzene, 1,3-bis (4- Aminophenoxy)benzene, 4,4'-[1,4-phenylenebis(methylene)]dianiline, 4,4'-[1,3-phenylenebis(methylene)]dianiline, 3,4' -[1,4-phenylenebis(methylene)]dianiline, 3,4'-[1,3-phenylenebis(methylene)]dianiline, 3,3'-[1,4-phenylenebis( methylene)]dianiline, 3,3'-[1,3-phenylenebis(methylene)]dianiline, 1,4-phenylenebis[(4-aminophenyl)methanone], 1,4-phenylene Bis[(3-aminophenyl)methanone], 1,3-phenylenebis[(4-aminophenyl)methanone], 1,3-phenylenebis[(3-aminophenyl)methanone], 1, 4-phenylenebis(4-aminobenzoate), 1,4-phenylenebis(3-aminobenzoate), 1,3-phenylenebis(4-aminobenzoate), 1,3-phenylenebis (3-aminobenzoate), bis(4-aminophenyl)terephthalate, bis(3-aminophenyl)terephthalate, bis(4-aminophenyl)isophthalate, bis(3-aminophenyl)isophthalate, N, N'-(1,4-phenylene)bis(4-aminobenzamide), N,N'-(1,3-phenylene)bis(4-aminobenzamide), N,N'-(1, 4-phenylene)bis(3-aminobenzamide), N,N'-(1,3-phenylene)bis(3-aminobenzamide), N,N'-bis(4-aminophenyl)terephthalamide , N,N'-bis(3-aminophenyl)terephthalamide, N,N'-bis(4-aminophenyl)isophthalamide, N,N'-bis(3-aminophenyl)isophthalamide, 9, 10-bis(4-aminophenyl)anthracene, 4,4'-bis(4-aminophenoxy)diphenylsulfone, 2,2'-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2, 2'-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 2,2'-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2'-bis(3-aminophenyl) Hexafluoropropane, 2,2'-bis(3-amino-4-methylphenyl)hexafluoropropane, 2,2'-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2'-bis(3-aminophenyl) ) Propane, 2,2'-bis (3-amino-4-methylphenyl) propane, trans-1,4-bis (4-aminophenyl) cyclohexane, 3,5-diaminobenzoic acid, 2,5-diamino Benzoic acid, bis(4-aminophenoxy)methane, 1,2-bis(4-aminophenoxy)ethane, 1,3-bis(4-aminophenoxy)propane, 1,3-bis(3-aminophenoxy) Si) propane, 1,4-bis(4-aminophenoxy)butane, 1,4-bis(3-aminophenoxy)butane, 1,5-bis(4-aminophenoxy)pentane, 1,5- Bis(3-aminophenoxy)pentane, 1,6-bis(4-aminophenoxy)hexane, 1,6-bis(3-aminophenoxy)hexane, 1,7-bis(4-aminophenoxy) Heptane, 1,7-bis(3-aminophenoxy)heptane, 1,8-bis(4-aminophenoxy)octane, 1,8-bis(3-aminophenoxy)octane, 1,9-bis( 4-aminophenoxy)nonane, 1,9-bis(3-aminophenoxy)nonane, 1,10-bis(4-aminophenoxy)decane, 1,10-bis(3-aminophenoxy)decane, 1,11-bis(4-aminophenoxy)undecane, 1,11-bis(3-aminophenoxy)undecane, 1,12-bis(4-aminophenoxy)dodecane, 1,12-bis Aromatic diamines such as (3-aminophenoxy)dodecane; Alicyclic diamines such as bis(4-aminocyclohexyl)methane and bis(4-amino-3-methylcyclohexyl)methane; 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1,8-diaminoctane, 1, Aliphatic diamines such as 9-diaminononane, 1,10-diaminodecane, 1,11-diaminoundecane, and 1,12-diaminododecane; Having a urea structure such as 1,3-bis[2-(p-aminophenyl)ethyl]urea, 1,3-bis[2-(p-aminophenyl)ethyl]-1-tertiary butyloxycarbonyl urea, etc. diamine; diamines having a nitrogen-containing unsaturated heterocyclic ring structure such as N-p-aminophenyl-4-p-aminophenyl(tertiary butyloxycarbonyl)aminomethylpiperidine; and diamines having an N-Boc group such as N-tertiarybutoxycarbonyl-N-(2-(4-aminophenyl)ethyl)-N-(4-aminobenzyl)amine.

상기 그 외의 디아민은, 라디칼 발생막으로 했을 때의 액정 배향성, 중합 반응에서의 감도, 전압 유지 특성, 축적 전하 등의 특성에 따라, 1종류 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.The above other diamines may be used one type or in a mixture of two or more types depending on characteristics such as liquid crystal orientation when used as a radical generating film, sensitivity in a polymerization reaction, voltage holding characteristics, and accumulated charge.

중합체가 폴리아믹산인 경우의 합성에서, 상기의 디아민 성분과 반응시키는 테트라카르본산 이무수물은 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 피로멜리트산, 2,3,6,7-나프탈렌 테트라카르본산, 1,2,5,6-나프탈렌 테트라카르본산, 1,4,5,8-나프탈렌 테트라카르본산, 2,3,6,7-안트라센 테트라카르본산, 1,2,5,6-안트라센 테트라카르본산, 3,3',4,4'-비페닐 테트라카르본산, 2,3,3',4'-비페닐 테트라카르본산, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르, 3,3',4,4'-벤조페논 테트라카르본산, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)프로판, 비스(3,4-디카르복시페닐)디메틸실란, 비스(3,4-디카르복시페닐)디페닐실란, 2,3,4,5-피리딘 테트라카르본산, 2,6-비스(3,4-디카르복시페닐)피리딘, 3,3',4,4'-디페닐술폰 테트라카르본산, 3,4,9,10-페릴렌 테트라카르본산, 1,3-디페닐-1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르본산, 옥시디프탈 테트라카르본산, 1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르본산, 1,2,3,4-시클로펜탄 테트라카르본산, 1,2,4,5-시클로헥산 테트라카르본산, 1,2,3,4-테트라메틸-1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르본산, 1,2-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르본산, 1,3-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르본산, 1,2,3,4-시클로헵탄 테트라카르본산, 2,3,4,5-테트라히드로푸란 테트라카르본산, 3,4-디카르복시-1-시클로헥실호박산, 2,3,5-트리카르복시 시클로펜틸초산(酢酸), 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌호박산, 비시클로[3,3,0]옥탄-2,4,6,8-테트라카르본산, 비시클로[4,3,0]노난-2,4,7,9-테트라카르본산, 비시클로[4,4,0]데칸-2,4,7,9-테트라카르본산, 비시클로[4,4,0]데칸-2,4,8,10-테트라카르본산, 트리시클로[6.3.0.0<2,6>]운데칸-3,5,9,11-테트라카르본산, 1,2,3,4-부탄테트라카르본산, 4-(2,5-디옥소테트라히드로푸란-3-일)-1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌-1,2-디카르본산, 비시클로[2,2,2]옥토-7-엔-2,3,5,6-테트라카르본산, 5-(2,5-디옥소테트라히드로푸릴)-3-메틸-3-시클로헥산-1,2-디카르본산, 테트라시클로[6,2,1,1,0<2,7>]도데카-4,5,9,10-테트라카르본산, 3,5,6-트리카르복시노르보르난-2:3,5:6디카르본산, 1,2,4,5-시클로헥산 테트라카르본산 등의 테트라카르본산의 이무수물을 들 수 있다.In the synthesis when the polymer is a polyamic acid, the tetracarboxylic dianhydride reacted with the above diamine component is not particularly limited. Specifically, pyromellitic acid, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic acid, 1,2,5,6-naphthalene tetracarboxylic acid, 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxylic acid, 2,3 ,6,7-anthracene tetracarboxylic acid, 1,2,5,6-anthracene tetracarboxylic acid, 3,3',4,4'-biphenyl tetracarboxylic acid, 2,3,3',4'-bi Phenyl tetracarboxylic acid, bis(3,4-dicarboxyphenyl)ether, 3,3',4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid, bis(3,4-dicarboxyphenyl)sulfone, bis(3,4) -dicarboxyphenyl)methane, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)propane, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis(3,4-di) Carboxyphenyl)propane, bis(3,4-dicarboxyphenyl)dimethylsilane, bis(3,4-dicarboxyphenyl)diphenylsilane, 2,3,4,5-pyridine tetracarboxylic acid, 2,6-bis (3,4-dicarboxyphenyl)pyridine, 3,3',4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic acid, 3,4,9,10-perylene tetracarboxylic acid, 1,3-diphenyl-1 ,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid, oxydiphthal tetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclopentane tetracarboxylic acid, 1, 2,4,5-cyclohexane tetracarboxylic acid, 1,2,3,4-tetramethyl-1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid, 1,2-dimethyl-1,2,3,4 -Cyclobutane tetracarboxylic acid, 1,3-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cycloheptane tetracarboxylic acid, 2,3,4,5-tetra Hydrofuran tetracarboxylic acid, 3,4-dicarboxy-1-cyclohexylsuccinic acid, 2,3,5-tricarboxy cyclopentyl acetic acid, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetra Hydro-1-naphthalenesuccinic acid, bicyclo[3,3,0]octane-2,4,6,8-tetracarboxylic acid, bicyclo[4,3,0]nonane-2,4,7,9-tetra Carboxylic acid, bicyclo[4,4,0]decane-2,4,7,9-tetracarboxylic acid, bicyclo[4,4,0]decane-2,4,8,10-tetracarboxylic acid, tricarboxylic acid Cyclo[6.3.0.0<2,6>]undecane-3,5,9,11-tetracarboxylic acid, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic acid, 4-(2,5-dioxotetrahydro furan-3-yl)-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic acid, bicyclo[2,2,2]octo-7-ene-2,3,5,6- Tetracarboxylic acid, 5-(2,5-dioxotetrahydrofuryl)-3-methyl-3-cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid, tetracyclo[6,2,1,1,0<2, 7>] dodeca-4,5,9,10-tetracarboxylic acid, 3,5,6-tricarboxynorbornane-2:3,5:6 dicarboxylic acid, 1,2,4,5-cyclo and dianhydrides of tetracarboxylic acid such as hexane tetracarboxylic acid.

물론, 테트라카르본산 이무수물도, 라디칼 발생막으로 했을 때의 액정 배향성, 중합 반응에서의 감도, 전압 유지 특성, 축적 전하 등의 특성에 따라, 1종류 또는 2종류 이상 병용해도 된다.Of course, one type or two or more types of tetracarboxylic dianhydride may be used in combination, depending on characteristics such as liquid crystal orientation when used as a radical generating film, sensitivity in a polymerization reaction, voltage holding characteristics, and accumulated charge.

중합체가 폴리아미드산에스테르인 경우의 합성에서, 상기의 디아민 성분과 반응시키는 테트라카르본산 디알킬에스테르의 구조는 특별히 한정되지 않지만, 그 구체예를 이하에 든다.In the synthesis when the polymer is a polyamic acid ester, the structure of the tetracarboxylic acid dialkyl ester reacted with the above diamine component is not particularly limited, but specific examples thereof are given below.

지방족 테트라카르본산 디에스테르의 구체적인 예로는 1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르본산 디알킬에스테르, 1,2-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르본산 디알킬에스테르, 1,3-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르본산 디알킬에스테르, 1,2,3,4-테트라메틸-1,2,3,4-시클로부탄 테트라카르본산 디알킬에스테르, 1,2,3,4-시클로펜탄 테트라카르본산 디알킬에스테르, 2,3,4,5-테트라히드로푸란 테트라카르본산 디알킬에스테르, 1,2,4,5-시클로헥산 테트라카르본산 디알킬에스테르, 3,4-디카르복시-1-시클로헥실호박산 디알킬에스테르, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌호박산 디알킬에스테르, 1,2,3,4-부탄 테트라카르본산 디알킬에스테르, 비시클로[3,3,0]옥탄-2,4,6,8-테트라카르본산 디알킬에스테르, 3,3',4,4'-디시클로헥실 테트라카르본산 디알킬에스테르, 2,3,5-트리카르복시 시클로펜틸초산 디알킬에스테르, 시스-3,7-디부틸시클로옥타-1,5-디엔-1,2,5,6-테트라카르본산 디알킬에스테르, 트리시클로[4.2.1.0<2,5>]노난-3,4,7,8-테트라카르본산-3,4:7,8-디알킬에스테르, 헥사시클로[6.6.0.1<2,7>.0<3,6>.1<9,14>.0<10,13>]헥사데칸-4,5,11,12-테트라카르본산-4,5:11,12-디알킬에스테르, 4-(2,5-디옥소테트라히드로푸란-3-일)-1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌-1,2-디카르본산 디알킬에스테르 등을 들 수 있다.Specific examples of aliphatic tetracarboxylic acid diester include 1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid dialkyl ester, 1,2-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid dialkyl ester, 1,3-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid dialkyl ester, 1,2,3,4-tetramethyl-1,2,3,4-cyclobutane tetracarboxylic acid dialkyl ester , 1,2,3,4-cyclopentane tetracarboxylic acid dialkyl ester, 2,3,4,5-tetrahydrofuran tetracarboxylic acid dialkyl ester, 1,2,4,5-cyclohexane tetracarboxylic acid di. Alkyl ester, 3,4-dicarboxy-1-cyclohexylsuccinic acid dialkyl ester, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalenesuccinic acid dialkyl ester, 1,2,3 ,4-Butane tetracarboxylic acid dialkyl ester, bicyclo[3,3,0]octane-2,4,6,8-tetracarboxylic acid dialkyl ester, 3,3',4,4'-dicyclohexyl Tetracarboxylic acid dialkyl ester, 2,3,5-tricarboxycyclopentyl acetic acid dialkyl ester, cis-3,7-dibutylcycloocta-1,5-diene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid Dialkyl ester, tricyclo[4.2.1.0<2,5>]nonane-3,4,7,8-tetracarboxylic acid-3,4:7,8-dialkyl ester, hexacyclo[6.6.0.1<2 ,7>.0<3,6>.1<9,14>.0<10,13>]hexadecane-4,5,11,12-tetracarboxylic acid-4,5:11,12-dialkyl Ester, 4-(2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic acid dialkyl ester, etc. are mentioned.

방향족 테트라카르본산 디알킬에스테르로는, 피로멜리트산 디알킬에스테르, 3,3',4,4'-비페닐 테트라카르본산 디알킬에스테르, 2,2',3,3'-비페닐 테트라카르본산 디알킬에스테르, 2,3,3',4-비페닐 테트라카르본산 디알킬에스테르, 3,3',4,4'-벤조페논 테트라카르본산 디알킬에스테르, 2,3,3',4'-벤조페논 테트라카르본산 디알킬에스테르, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르디알킬에스테르, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰디알킬에스테르, 1,2,5,6-나프탈렌 테트라카르본산 디알킬에스테르, 2,3,6,7-나프탈렌 테트라카르본산 디알킬에스테르 등을 들 수 있다.Aromatic tetracarboxylic acid dialkyl esters include pyromellitic acid dialkyl ester, 3,3',4,4'-biphenyl tetracarboxylic acid dialkyl ester, and 2,2',3,3'-biphenyl tetracarboxylic acid dialkyl ester. Dialkyl ester of this acid, 2,3,3',4-biphenyl tetracarboxylic acid dialkyl ester, 3,3',4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid dialkyl ester, 2,3,3',4 '-benzophenone tetracarboxylic acid dialkyl ester, bis(3,4-dicarboxyphenyl) ether dialkyl ester, bis(3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dialkyl ester, 1,2,5,6-naphthalene Tetracarboxylic acid dialkyl ester, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic acid dialkyl ester, etc. are mentioned.

중합체가 폴리우레아인 경우의 합성에서, 상기의 디아민 성분과 반응시키는 디이소시아네이트에 관해서는, 특별히 한정은 하지 않고, 입수성 등에 따라 사용할 수 있다. 디이소시아네이트의 구체적 구조를 이하에 나타낸다.In the synthesis when the polymer is polyurea, there is no particular limitation on the diisocyanate reacted with the above diamine component, and it can be used depending on availability, etc. The specific structure of diisocyanate is shown below.

[화학식 21][Formula 21]

Figure 112019133804902-pct00021
Figure 112019133804902-pct00021

식 중 R22, R23는 탄소수 1∼10의 지방족 탄화수소를 나타낸다.In the formula, R 22 and R 23 represent aliphatic hydrocarbons having 1 to 10 carbon atoms.

K-1∼K-5에 나타내는 지방족 디이소시아네이트는, 반응성은 뒤떨어지지만 용매 용해성을 향상시키는 메리트가 있고, K-6∼K-7이 나타내는 것과 같은 방향족 디이소시아네이트는 반응성이 풍부하여 내열성을 향상시키는 효과가 있지만, 용매 용해성을 저하시키는 결점을 들 수 있다. 범용성이나 특성면에서 특히 바람직하게는 K-1, K-7, K-8, K-9, K-10이 바람직하고, 전기 특성의 관점에서는 K-12, 액정 배향성의 관점에서는 K-13이 특히 바람직하다. 디이소시아네이트는 1종 이상을 병용하여 사용할 수도 있고, 얻고 싶은 특성에 따라 여러 가지 적용하는 것이 바람직하다.The aliphatic diisocyanates shown in K-1 to K-5 are poor in reactivity but have the advantage of improving solvent solubility, and the aromatic diisocyanates shown in K-6 to K-7 are highly reactive and improve heat resistance. Although it is effective, it has the drawback of lowering solvent solubility. In terms of versatility and properties, K-1, K-7, K-8, K-9, and K-10 are particularly preferred, K-12 is preferred from the perspective of electrical properties, and K-13 is preferred from the perspective of liquid crystal orientation. Particularly desirable. Diisocyanate may be used in combination of one or more types, and it is preferable to apply various types depending on the characteristics desired to be obtained.

또, 일부의 디이소시아네이트를 상기에서 설명한 테트라카르본산 이무수물로 치환할 수도 있으며, 폴리아믹산과 폴리우레아의 공중합체와 같은 형태로 사용해도 되고, 화학 이미드화에 의해 폴리이미드와 폴리우레아의 공중합체와 같은 형태로 사용해도 된다.In addition, some of the diisocyanate may be replaced with the tetracarboxylic dianhydride described above, and may be used in the same form as a copolymer of polyamic acid and polyurea, or a copolymer of polyimide and polyurea can be formed by chemical imidization. It can be used in the same form as .

중합체가 폴리아미드인 경우의 합성에서, 반응시키는 디카르본산의 구조는 특별히 한정되지 않지만, 굳이 구체예를 이하에 들면 이하와 같다. 지방족 디카르본산의 구체예로서, 말론산, 옥살산, 디메틸말론산, 호박산, 푸마르산, 글루타르산, 아디핀산, 무콘산, 2-메틸아디핀산, 트리메틸아디핀산, 피멜린산, 2,2-디메틸글루타르산, 3,3-디에틸호박산, 아젤라인산, 세바신산 및 수베린산 등의 디카르본산을 들 수 있다.In the synthesis when the polymer is polyamide, the structure of the dicarboxylic acid to be reacted is not particularly limited, but specific examples are as follows. Specific examples of aliphatic dicarboxylic acids include malonic acid, oxalic acid, dimethylmalonic acid, succinic acid, fumaric acid, glutaric acid, adipic acid, muconic acid, 2-methyladipic acid, trimethyladipic acid, pimelic acid, 2,2- Dicarboxylic acids such as dimethylglutaric acid, 3,3-diethylsuccinic acid, azelaic acid, sebacic acid, and suberic acid can be mentioned.

지환식계의 디카르본산으로는, 1,1-시클로프로판디카르본산, 1,2-시클로프로판디카르본산, 1,1-시클로부탄디카르본산, 1,2-시클로부탄디카르본산, 1,3-시클로부탄디카르본산, 3,4-디페닐-1,2-시클로부탄디카르본산, 2,4-디페닐-1,3-시클로부탄디카르본산, 1-시클로부텐-1,2-디카르본산, 1-시클로부텐-3,4-디카르본산, 1,1-시클로펜탄디카르본산, 1,2-시클로펜탄디카르본산, 1,3-시클로펜탄디카르본산, 1,1-시클로헥산디카르본산, 1,2-시클로헥산디카르본산, 1,3-시클로헥산디카르본산, 1,4-시클로헥산디카르본산, 1,4-(2-노르보르넨)디카르본산, 노르보르넨-2,3-디카르본산, 비시클로[2.2.2]옥탄-1,4-디카르본산, 비시클로[2.2.2]옥탄-2,3-디카르본산, 2,5-디옥소-1,4-비시클로[2.2.2]옥탄디카르본산, 1,3-아다만탄디카르본산, 4,8-디옥소-1,3-아다만탄디카르본산, 2,6-스피로[3.3]헵탄디카르본산, 1,3-아다만탄이초산, 캄퍼산 등을 들 수 있다.Alicyclic dicarboxylic acids include 1,1-cyclopropanedicarboxylic acid, 1,2-cyclopropanedicarboxylic acid, 1,1-cyclobutanedicarboxylic acid, 1,2-cyclobutanedicarboxylic acid, 1 ,3-cyclobutanedicarboxylic acid, 3,4-diphenyl-1,2-cyclobutanedicarboxylic acid, 2,4-diphenyl-1,3-cyclobutanedicarboxylic acid, 1-cyclobutene-1, 2-dicarboxylic acid, 1-cyclobutene-3,4-dicarboxylic acid, 1,1-cyclopentanedicarboxylic acid, 1,2-cyclopentanedicarboxylic acid, 1,3-cyclopentanedicarboxylic acid, 1 ,1-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,3-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,4-(2-norbornene) Dicarboxylic acid, norbornene-2,3-dicarboxylic acid, bicyclo[2.2.2]octane-1,4-dicarboxylic acid, bicyclo[2.2.2]octane-2,3-dicarboxylic acid, 2,5-dioxo-1,4-bicyclo[2.2.2]octanedicarboxylic acid, 1,3-adamantanedicarboxylic acid, 4,8-dioxo-1,3-adamantanedicarboxylic acid Examples include this acid, 2,6-spiro[3.3]heptanedicarboxylic acid, 1,3-adamantane diacetic acid, and camphor acid.

방향족 디카르본산으로는, o-프탈산,이소프탈산,테레프탈산, 5-메틸이소프탈산, 5-tert-부틸이소프탈산, 5-아미노이소프탈산, 5-히드록시이소프탈산, 2,5-디메틸테레프탈산, 테트라메틸테레프탈산, 1,4-나프탈렌디카르본산, 2,5-나프탈렌디카르본산, 2,6-나프탈렌디카르본산, 2,7-나프탈렌디카르본산, 1,4-안트라센디카르본산, 1,4-안트라퀴논디카르본산, 2,5-비페닐디카르본산, 4,4'-비페닐디카르본산, 1,5-비페닐렌디카르본산, 4,4"-터페닐디카르본산, 4,4'-디페닐메탄디카르본산, 4,4'-디페닐에탄디카르본산, 4,4'-디페닐프로판디카르본산, 4,4'-디페닐헥사플루오로프로판디카르본산, 4,4'-디페닐에테르디카르본산, 4,4'-비벤질디카르본산, 4,4'-스틸벤디카르본산, 4,4'-토랜디카르본산(4,4'-tolandicarboxylic acid), 4,4'-카르보닐이안식향산, 4,4'-술포닐이안식향산, 4,4'-디티오이안식향산, p-페닐렌이초산, 3,3'-p-페닐렌디프로피온산, 4-카르복시계피산, p-페닐렌디아크릴산, 3,3'-[4,4'-(메틸렌디-p-페닐렌)]디프로피온산, 4,4'-[4,4'-(옥시디-p-페닐렌)]디프로피온산, 4,4'-[4,4'-(옥시디-p-페닐렌)]이낙산(二酪酸) , (이소프로필리덴디-p-페닐렌디옥시)이낙산, 비스(p-카르복시페닐)디메틸실란 등의 디카르본산을 들 수 있다.Aromatic dicarboxylic acids include o-phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, 5-methylisophthalic acid, 5-tert-butylisophthalic acid, 5-aminoisophthalic acid, 5-hydroxyisophthalic acid, 2,5-dimethylterephthalic acid, Tetramethyl terephthalic acid, 1,4-naphthalenedicarboxylic acid, 2,5-naphthalenedicarboxylic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 2,7-naphthalenedicarboxylic acid, 1,4-anthracenedicarboxylic acid, 1 ,4-Anthraquinonedicarboxylic acid, 2,5-biphenyldicarboxylic acid, 4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 1,5-biphenylenedicarboxylic acid, 4,4"-terphenyldicarboxylic acid Main acid, 4,4'-diphenylmethanedicarboxylic acid, 4,4'-diphenylethanedicarboxylic acid, 4,4'-diphenylpropanedicarboxylic acid, 4,4'-diphenylhexafluoropropanedicarboxylic acid Levonic acid, 4,4'-diphenyl etherdicarboxylic acid, 4,4'-bibenzyldicarboxylic acid, 4,4'-stilbendicarboxylic acid, 4,4'-toranedicarboxylic acid (4,4 '-tolandicarboxylic acid), 4,4'-carbonyl dibenzoic acid, 4,4'-sulfonyl dibenzoic acid, 4,4'-dithioicenzoic acid, p-phenylene diacetic acid, 3,3'-p-phenyl Lendipropionic acid, 4-carboxycinnamic acid, p-phenylenediacrylic acid, 3,3'-[4,4'-(methylenedi-p-phenylene)]dipropionic acid, 4,4'-[4,4'-( Oxydi-p-phenylene)] dipropionic acid, 4,4'-[4,4'-(oxydi-p-phenylene)] dibutyric acid, (isopropylidene di-p-phenylene di) Dicarboxylic acids such as oxy)inbutyric acid and bis(p-carboxyphenyl)dimethylsilane can be mentioned.

복소환을 포함하는 디카르본산으로는, 1,5-(9-옥소플루오렌)디카르본산, 3,4-푸란디카르본산, 4,5-티아졸디카르본산, 2-페닐-4,5-티아졸디카르본산, 1, 2,5-티아디아졸-3,4-디카르본산, 1,2,5-옥사디아졸-3,4-디카르본산, 2,3-피리딘디카르본산, 2,4-피리딘디카르본산, 2,5-피리딘디카르본산, 2,6-피리딘디카르본산, 3,4-피리딘디카르본산, 3,5-피리딘디카르본산 등을 들 수 있다.Dicarboxylic acids containing heterocycles include 1,5-(9-oxofluorene)dicarboxylic acid, 3,4-furanedicarboxylic acid, 4,5-thiazoledicarboxylic acid, and 2-phenyl-4. ,5-thiazoledicarboxylic acid, 1, 2,5-thiadiazole-3,4-dicarboxylic acid, 1,2,5-oxadiazole-3,4-dicarboxylic acid, 2,3-pyridine Dicarboxylic acid, 2,4-pyridine dicarboxylic acid, 2,5-pyridine dicarboxylic acid, 2,6-pyridine dicarboxylic acid, 3,4-pyridine dicarboxylic acid, 3,5-pyridine dicarboxylic acid, etc. I can hear it.

상기의 각종 디카르본산은 산디할라이드 또는 무수(無水)의 구조인 것이어도 된다. 이들 디카르본산류는, 특히 직선적인 구조의 폴리아미드를 부여하는 것이 가능한 디카르본산류인 것이 액정 분자의 배향성을 유지하는 데 있어서 바람직하다. 이들 중에서도, 테레프탈산, 이소테레프탈산, 1,4-시클로헥산디카르본산, 4,4'-비페닐디카르본산, 4,4'-디페닐메탄디카르본산, 4,4'-디페닐에탄디카르본산, 4,4'-디페닐프로판디카르본산, 4,4'-디페닐헥사플루오로프로판디카르본산, 2,2-비스(페닐)프로판디카르본산, 4,4-터페닐디카르본산, 2,6-나프탈렌디카르본산, 2,5-피리딘디카르본산 또는 이들의 산디할라이드 등이 바람직하게 이용된다. 이들 화합물에는 이성체가 존재하는 것도 있는데, 그들을 포함하는 혼합물이어도 된다. 또, 2종 이상의 화합물을 병용해도 된다. 또한, 본 발명에 사용하는 디카르본산류는, 상기의 예시 화합물에 한정되는 것은 아니다.The above-mentioned various dicarboxylic acids may have an acid dihalide or anhydrous structure. These dicarboxylic acids are particularly preferably dicarboxylic acids that can give polyamides with a linear structure in order to maintain the orientation of the liquid crystal molecules. Among these, terephthalic acid, isoterephthalic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 4,4'-diphenylmethanedicarboxylic acid, 4,4'-diphenylethanedicarboxylic acid, Levonic acid, 4,4'-diphenylpropanedicarboxylic acid, 4,4'-diphenylhexafluoropropanedicarboxylic acid, 2,2-bis(phenyl)propanedicarboxylic acid, 4,4-terphenyldicarboxylic acid Levonic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 2,5-pyridinedicarboxylic acid, or their acid dihalides are preferably used. Some of these compounds exist as isomers, and a mixture containing them may be used. Additionally, two or more types of compounds may be used together. In addition, dicarboxylic acids used in the present invention are not limited to the above exemplary compounds.

원료인 디아민(「디아민 성분」이라고도 기재한다)과 원료인 테트라카르본산 이무수물(「테트라카르본산 이무수물 성분」이라고도 기재한다), 테트라카르본산 디에스테르, 디이소시아네이트 및 디카르본산으로부터 선택되는 성분과의 반응에 의해, 폴리아믹산, 폴리아믹산에스테르, 폴리우레아, 폴리아미드를 얻는 데 있어서는, 공지의 합성 수법을 이용할 수 있다. 일반적으로는, 디아민 성분과 테트라카르본산 이무수물 성분, 테트라카르본산 디에스테르, 디이소시아네이트 및 디카르본산으로부터 선택되는 1종 이상의 성분을, 유기 용매 중에서 반응시키는 방법이다.A component selected from raw material diamine (also referred to as “diamine component”), raw material tetracarboxylic dianhydride (also referred to as “tetracarboxylic dianhydride component”), tetracarboxylic acid diester, diisocyanate, and dicarboxylic acid. In obtaining polyamic acid, polyamic acid ester, polyurea, and polyamide by reaction with , known synthetic methods can be used. Generally, it is a method of reacting a diamine component and one or more components selected from tetracarboxylic acid dianhydride component, tetracarboxylic acid diester, diisocyanate, and dicarboxylic acid in an organic solvent.

디아민 성분과 테트라카르본산 이무수물 성분과의 반응은, 유기 용매 중에서 비교적 용이하게 진행되고, 또한 부생성물이 발생하지 않는 점에서 유리하다.The reaction between the diamine component and the tetracarboxylic dianhydride component is advantageous in that it proceeds relatively easily in an organic solvent and does not generate by-products.

상기 반응에 이용하는 유기 용매로는, 생성된 중합체가 용해하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 또한, 중합체가 용해하지 않는 유기 용매여도, 생성된 중합체가 석출하지 않는 범위에서, 상기 용매에 혼합하여 사용해도 된다. 또한, 유기 용매 중의 수분은, 중합 반응을 저해하고, 더 나아가서는 생성된 중합체를 가수분해시키는 원인이 되므로, 유기 용매는 탈수 건조시킨 것을 이용하는 것이 바람직하다.The organic solvent used in the above reaction is not particularly limited as long as it dissolves the produced polymer. Furthermore, even if it is an organic solvent in which the polymer does not dissolve, it may be used by mixing with the solvent as long as the produced polymer does not precipitate. Additionally, since moisture in the organic solvent inhibits the polymerization reaction and further causes hydrolysis of the produced polymer, it is preferable to use a dehydrated and dried organic solvent.

유기 용매로는, 예를 들면, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, 2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드, N-메틸카프로락탐, 디메틸술폭시드, 테트라메틸요소, 피리딘, 디메틸술폰, 헥사메틸술폭시드, γ-부티로락톤, 이소프로필알코올, 메톡시메틸펜타놀, 디펜텐, 에틸아밀케톤, 메틸노닐케톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소아밀케톤, 메틸이소프로필케톤, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 메틸셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸카르비톨, 에틸카르비톨, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노아세테이트, 에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜-tert-부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노아세테이트모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노아세테이트모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노아세테이트모노프로필에테르, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 트리프로필렌글리콜메틸에테르, 3-메틸-3-메톡시부타놀, 디이소프로필에테르, 에틸이소부틸에테르, 디이소부틸렌, 아밀아세테이트, 부틸부틸레이트, 부틸에테르, 디이소부틸케톤, 메틸시클로헥센, 프로필에테르, 디헥실에테르, 디옥산, n-헥산, n-펜탄, n-옥탄, 디에틸에테르, 시클로헥사논, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트, 유산메틸, 유산에틸, 초산메틸, 초산에틸, 초산n-부틸, 초산프로필렌글리콜모노에틸에테르, 피루빈산메틸, 피루빈산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산메틸에틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산, 3-메톡시프로피온산, 3-메톡시프로피온산프로필, 3-메톡시프로피온산부틸, 디글라임, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논, 2-에틸-1-헥사놀 등을 들 수 있다. 이들 유기 용매는 단독으로 사용해도, 혼합하여 사용해도 된다.Organic solvents include, for example, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N,N-diethylformamide, N-methylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, 2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide, N-methylcaprolactam, dimethyl sulfoxide Seed, tetramethyl urea, pyridine, dimethyl sulfone, hexamethyl sulfoxide, γ-butyrolactone, isopropyl alcohol, methoxymethyl pentanol, dipentene, ethyl amyl ketone, methyl nonyl ketone, methyl ethyl ketone, methyl isoa Milketone, methyl isopropyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, butyl carbitol, ethyl carbitol, ethylene glycol, ethylene glycol mono. Acetate, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol, propylene glycol monoacetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol-tert-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, Propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol monoacetate monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol mono Ethyl ether, dipropylene glycol monoacetate monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monoacetate monopropyl ether, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, tripropylene glycol methyl ether, 3-methyl-3 -Methoxybutanol, diisopropyl ether, ethyl isobutyl ether, diisobutylene, amyl acetate, butyl butyrate, butyl ether, diisobutyl ketone, methylcyclohexene, propyl ether, dihexyl ether, dioxane, n-hexane, n-pentane, n-octane, diethyl ether, cyclohexanone, ethylene carbonate, propylene carbonate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, n-butyl acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, Methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl 3-methoxypropionate, methyl ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, 3-ethoxypropionic acid, 3-methoxypropionic acid, 3-methoxypropionic acid propyl , 3-methoxybutyl propionate, diglyme, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, 2-ethyl-1-hexanol, etc. These organic solvents may be used individually or in mixture.

디아민 성분과 테트라카르본산 이무수물 성분을 유기 용매 중에서 반응시킬 때에는, 디아민 성분을 유기 용매에 분산 또는 용해시킨 용액을 교반하고, 테트라카르본산 이무수물 성분을 그대로, 또는 유기 용매에 분산 또는 용해시켜 첨가하는 방법, 반대로 테트라카르본산 이무수물 성분을 유기 용매에 분산 또는 용해시킨 용액에 디아민 성분을 첨가하는 방법, 테트라카르본산 이무수물 성분과 디아민 성분을 교대로 첨가하는 방법 등을 들 수 있고, 이들 중 어느 방법을 이용해도 된다. 또, 디아민 성분 또는 테트라카르본산 이무수물 성분이 복수 종의 화합물로 이루어지는 경우는, 미리 혼합한 상태에서 반응시켜도 되고, 개별적으로 순차 반응시켜도 되며, 또한 개별적으로 반응시킨 저분자량체를 혼합 반응시켜 고분자량체로 해도 된다.When reacting the diamine component and the tetracarboxylic dianhydride component in an organic solvent, the solution in which the diamine component is dispersed or dissolved in the organic solvent is stirred, and the tetracarboxylic dianhydride component is added as is or as dispersed or dissolved in the organic solvent. A method of adding a diamine component to a solution in which the tetracarboxylic dianhydride component is dispersed or dissolved in an organic solvent, a method of adding the tetracarboxylic dianhydride component and the diamine component alternately, etc. may be mentioned. You can use any method. In addition, when the diamine component or tetracarboxylic dianhydride component consists of multiple types of compounds, they may be reacted in a premixed state, may be reacted individually sequentially, or may be mixed and reacted individually to form a high molecular weight substance. You can also do this.

디아민 성분과 테트라카르본산 이무수물 성분을 반응시킬 때의 온도는, 임의의 온도를 선택할 수 있고, 예를 들면 -20∼100℃, 바람직하게는 -5∼80℃의 범위이다. 또, 반응은 임의의 농도로 행할 수 있으며, 예를 들면 반응액에 대하여 디아민 성분과 테트라카르본산 이무수물 성분과의 합계량이 1∼50 질량%, 바람직하게는 5∼30 질량%이다.The temperature when reacting the diamine component and the tetracarboxylic dianhydride component can be any temperature, for example, -20 to 100°C, preferably in the range of -5 to 80°C. In addition, the reaction can be performed at any concentration, for example, the total amount of the diamine component and the tetracarboxylic dianhydride component relative to the reaction solution is 1 to 50 mass%, preferably 5 to 30 mass%.

상기의 중합 반응에서의, 디아민 성분의 합계 몰수에 대한 테트라카르본산 이무수물 성분의 합계 몰수의 비율은, 얻고자 하는 폴리아믹산의 분자량에 따라 임의의 값을 선택할 수 있다. 통상의 중축합 반응과 마찬가지로, 이 몰비가 1.0에 가까울수록 생성하는 폴리아믹산의 분자량은 커진다. 바람직한 범위로는, 0.8∼1.2이다.In the above polymerization reaction, the ratio of the total number of moles of the tetracarboxylic dianhydride component to the total number of moles of the diamine component can be any value depending on the molecular weight of the polyamic acid to be obtained. As with a normal polycondensation reaction, the closer this molar ratio is to 1.0, the larger the molecular weight of the polyamic acid produced. A preferable range is 0.8 to 1.2.

본 발명에 이용되는 중합체를 합성하는 방법은, 상기의 수법에 한정되지 않고, 폴리아믹산을 합성하는 경우는, 일반적인 폴리아믹산의 합성 방법과 마찬가지로, 상기의 테트라카르본산 이무수물을 대신하여, 대응하는 구조의 테트라카르본산 또는 테트라카르본산 디할라이드 등의 테트라카르본산 유도체를 이용하고, 공지의 방법으로 반응시키는 것으로도 대응하는 폴리아믹산을 얻을 수 있다. 또, 폴리우레아를 합성하는 경우는, 디아민과 디이소시아네이트를 반응시키면 된다. 폴리아믹산에스테르 또는 폴리아미드를 제조할 때에는, 디아민과, 테트라카르본산 디에스테르 및 디카르본산으로부터 선택되는 성분을, 공지의 축합제의 존재하에서, 또는, 공지의 방법으로 산할라이드로 유도한 후에, 디아민과 반응시키면 된다.The method for synthesizing the polymer used in the present invention is not limited to the above method, and when synthesizing polyamic acid, the corresponding tetracarboxylic dianhydride is replaced with the tetracarboxylic dianhydride as in the general method for synthesizing polyamic acid. The corresponding polyamic acid can also be obtained by using a tetracarboxylic acid derivative such as tetracarboxylic acid or tetracarboxylic dihalide and reacting it by a known method. Additionally, when synthesizing polyurea, diamine and diisocyanate may be reacted. When producing polyamic acid ester or polyamide, a component selected from diamine, tetracarboxylic acid diester, and dicarboxylic acid is converted to an acid halide in the presence of a known condensing agent or by a known method, Just react with diamine.

상기한 폴리아믹산을 이미드화시켜 폴리이미드로 하는 방법으로는, 폴리아믹산의 용액을 그대로 가열하는 열 이미드화, 폴리아믹산의 용액에 촉매를 첨가하는 촉매 이미드화를 들 수 있다. 또한, 폴리아믹산으로부터 폴리이미드로의 이미드화율은, 전압 유지율을 높게 할 수 있는 점에서, 30% 이상인 것이 바람직하고, 30∼99%인 것이 보다 바람직하다. 한편, 백화 특성의, 즉, 바니시 중에서의 중합체의 석출을 억제하는 관점에서, 70% 이하가 바람직하다. 양쪽의 특성을 가미하면, 40∼80%가 보다 바람직하다.Methods for imidizing the above-described polyamic acid to produce a polyimide include thermal imidization in which a solution of the polyamic acid is heated as is, and catalytic imidization in which a catalyst is added to the polyamic acid solution. Moreover, the imidization ratio from polyamic acid to polyimide is preferably 30% or more, and more preferably 30 to 99%, since the voltage retention rate can be increased. On the other hand, from the viewpoint of suppressing whitening characteristics, that is, precipitation of polymer in the varnish, 70% or less is preferable. Considering both characteristics, 40 to 80% is more preferable.

폴리아믹산을 용액 중에서 열 이미드화시키는 경우의 온도는, 통상 100∼400℃, 바람직하게는 120∼250℃이고, 이미드화 반응에 의해 생성되는 물을 계(系) 외로 제거하면서 행하는 것이 바람직하다.The temperature when thermally imidizing a polyamic acid in a solution is usually 100 to 400°C, preferably 120 to 250°C, and it is preferably carried out while removing water generated by the imidization reaction to the outside of the system.

폴리아믹산의 촉매 이미드화는, 폴리아믹산의 용액에, 염기성 촉매와 산무수물을 첨가하고, 통상 -20∼250℃, 바람직하게는 0∼180℃에서 교반함으로써 행할 수 있다. 염기성 촉매의 양은, 아미드산기의 통상 0.5∼30 몰 배, 바람직하게는 2∼20 몰 배이며, 산무수물의 양은, 아미드산기의 통상 1∼50 몰 배, 바람직하게는 3∼30 몰 배이다. 염기성 촉매로는, 피리딘, 트리에틸아민, 트리메틸아민, 트리부틸아민, 트리옥틸아민 등을 들 수 있고, 그 중에서도 피리딘은 반응을 진행시키기에 적당한 염기성을 가지므로 바람직하다. 산무수물로는, 무수초산, 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산 등을 들 수 있지만, 그 중에서도 무수초산을 이용하면 반응 종료 후의 정제가 용이해지므로 바람직하다. 촉매 이미드화에 의한 이미드화율은, 촉매량과 반응 온도, 반응 시간 등을 조절함으로써 제어할 수 있다.Catalytic imidization of polyamic acid can be performed by adding a basic catalyst and an acid anhydride to a solution of polyamic acid and stirring the solution at usually -20 to 250°C, preferably 0 to 180°C. The amount of the basic catalyst is usually 0.5 to 30 mol times the amic acid group, preferably 2 to 20 mol times, and the amount of the acid anhydride is usually 1 to 50 mol times the amic acid group, preferably 3 to 30 mol times the amount. Examples of basic catalysts include pyridine, triethylamine, trimethylamine, tributylamine, and trioctylamine, and among them, pyridine is preferable because it has an appropriate basicity to proceed with the reaction. Examples of the acid anhydride include acetic anhydride, trimellitic anhydride, and pyromellitic anhydride. Among these, acetic anhydride is preferred because it facilitates purification after completion of the reaction. The imidization rate by catalyst imidization can be controlled by adjusting the catalyst amount, reaction temperature, reaction time, etc.

중합체의 반응 용액으로부터, 생성된 중합체를 회수하는 경우에는, 반응 용액을 빈(貧)용매에 투입하여 침전시키면 된다. 침전 생성에 이용하는 빈용매로는, 메타놀, 아세톤, 헥산, 부틸셀로솔브, 헵탄, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 에타놀, 톨루엔, 벤젠, 물 등을 들 수 있다. 빈용매에 투입하여 침전시킨 폴리머는, 여과하여 회수한 후, 상압 또는 감압하에서, 상온 또는 가열하여 건조할 수 있다. 또, 침전 회수한 중합체를, 유기 용매에 재용해시키고, 재침전 회수하는 조작을 2∼10회 반복하면, 중합체 중의 불순물을 줄일 수 있다. 이때의 빈용매로서, 예를 들면, 알코올류, 케톤류, 탄화수소 등을 들 수 있고, 이들 중에서 선택되는 3종류 이상의 빈용매를 이용하면, 한층 더 정제 효율이 오르므로 바람직하다.When recovering the produced polymer from the polymer reaction solution, the reaction solution may be added to a poor solvent to cause precipitation. Poor solvents used to produce precipitates include methanol, acetone, hexane, butyl cellosolve, heptane, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, ethanol, toluene, benzene, and water. The polymer precipitated by adding it to a poor solvent can be recovered by filtration and then dried under normal or reduced pressure, at room temperature or by heating. Additionally, if the precipitation-recovered polymer is re-dissolved in an organic solvent and the reprecipitation-recovery operation is repeated 2 to 10 times, impurities in the polymer can be reduced. Examples of poor solvents at this time include alcohols, ketones, hydrocarbons, etc., and it is preferable to use three or more types of poor solvents selected from these because the purification efficiency is further increased.

또, 상기 라디칼 발생막이, 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 중합체로 이루어지는 경우, 본 발명에 이용하는 라디칼 발생막 형성 조성물은, 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 중합체 이외의 다른 중합체를 함유하고 있어도 된다. 그때, 중합체 전 성분 중에서의, 다른 중합체의 함유량은 5∼95 질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 30∼70 질량%이다.In addition, when the radical-generating film is made of a polymer containing an organic group that induces radical polymerization, the radical-generating film-forming composition used in the present invention may contain a polymer other than the polymer containing an organic group that causes radical polymerization. do. At that time, the content of other polymers in all polymer components is preferably 5 to 95 mass%, more preferably 30 to 70 mass%.

라디칼 발생막 형성 조성물이 갖는 중합체의 분자량은, 라디칼 발생막을 도포하여 얻어지는 라디칼 발생막의 강도, 도막 형성 시의 작업성, 도막의 균일성 등을 고려한 경우, GPC(Gel Permeation Chromatography) 법으로 측정한 중량 평균 분자량으로, 5,000∼1,000,000이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10,000∼150,000이다.The molecular weight of the polymer of the composition for forming a radical generating film is the weight measured by GPC (Gel Permeation Chromatography) method when considering the strength of the radical generating film obtained by applying the radical generating film, workability during film formation, uniformity of the film, etc. The average molecular weight is preferably 5,000 to 1,000,000, more preferably 10,000 to 150,000.

본 발명에 이용하는 라디칼 발생막을, 라디칼을 발생시키는 기를 갖는 화합물과 중합체와의 조성물을 도포, 경화하여 막을 형성함으로써 막 중에 고정화시켜 얻는 경우의 중합체로는, 상기의 제조 방법에 준하여 제조되는 폴리이미드 전구체, 및 폴리이미드, 폴리우레아, 폴리아미드, 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트 등으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 중합체로서, 라디칼 중합이 발생하는 부위를 갖는 디아민이, 라디칼 발생막 형성 조성물에 함유시키는 중합체의 합성에 이용하는 디아민 성분 전체의 0 몰%인 디아민 성분을 이용하여 얻어지는 적어도 1종의 중합체를 이용해도 된다. 그때에 첨가하는 라디칼을 발생시키는 기를 갖는 화합물로는, 이하의 것을 들 수 있다.When the radical generating film used in the present invention is obtained by immobilizing it in the film by applying and curing a composition of a polymer and a compound having a radical generating group to form a film, the polymer is a polyimide precursor manufactured according to the above production method. , and a polymer selected from the group consisting of polyimide, polyurea, polyamide, polyacrylate, polymethacrylate, etc., wherein the diamine having a site where radical polymerization occurs is included in the radical generating film-forming composition. You may use at least one type of polymer obtained by using a diamine component that is 0 mol% of the total diamine component used in synthesis. Compounds having a group that generates radicals to be added at that time include the following.

열로 라디칼을 발생시키는 화합물로는, 분해 온도 이상으로 가열함으로써, 라디칼을 발생시키는 화합물이다. 이와 같은 라디칼 열중합 개시제로는, 예를 들면, 케톤퍼옥사이드류(메틸에틸케톤퍼옥사이드, 시클로헥사논퍼옥사이드 등), 디아실퍼옥사이드류(아세틸퍼옥사이드, 벤조일퍼옥사이드 등), 하이드로퍼옥사이드류(과산화수소, tert-부틸하이드로퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드 등), 디알킬퍼옥사이드류(디-tert-부틸퍼옥사이드, 디큐밀퍼옥사이드, 디라우로일퍼옥사이드 등), 퍼옥시케탈류(디부틸퍼옥시시클로헥산 등), 알킬퍼에스테르류(퍼옥시네오데칸산-tert-부틸에스테르, 퍼옥시피발린산-tert-부틸에스테르, 퍼옥시2-에틸시클로헥산 산-tert-아밀에스테르 등), 과황산염류(과황산칼륨, 과황산나트륨, 과황산암모늄 등), 아조계 화합물(아조비스이소부틸로니트릴 및 2,2'-디(2-히드록시에틸)아조비스이소부틸로니트릴 등)을 들 수 있다. 이와 같은 라디칼 열중합 개시제는, 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.A compound that generates radicals with heat is a compound that generates radicals by heating to a decomposition temperature or higher. Such radical thermal polymerization initiators include, for example, ketone peroxides (methyl ethyl ketone peroxide, cyclohexanone peroxide, etc.), diacyl peroxides (acetyl peroxide, benzoyl peroxide, etc.), and hydroperoxides. (hydrogen peroxide, tert-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide, etc.), dialkyl peroxides (di-tert-butyl peroxide, dicumyl peroxide, dilauroyl peroxide, etc.), peroxyketals (dibutyl peroxide, etc.) peroxycyclohexane, etc.), alkyl peresters (peroxyneodecanoic acid-tert-butyl ester, peroxypivalic acid-tert-butyl ester, peroxy 2-ethylcyclohexanoic acid-tert-amyl ester, etc.), Persulfates (potassium persulfate, sodium persulfate, ammonium persulfate, etc.), azo compounds (azobisisobutyronitrile and 2,2'-di(2-hydroxyethyl)azobisisobutyronitrile, etc.) I can hear it. Such radical thermal polymerization initiators may be used individually, or may be used in combination of two or more types.

광으로 라디칼을 발생시키는 화합물로는, 라디칼 중합을 광조사에 의해 개시하는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다. 이와 같은 라디칼 광중합 개시제로는, 벤조페논, 미힐러케톤, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 크산톤, 티오크산톤, 이소프로필크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2-에틸안트라퀴논, 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, 2-히드록시-2-메틸-4'-이소프로필프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 이소프로필벤조인에테르, 이소부틸벤조인에테르, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 캄퍼퀴논, 벤즈안트론, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,4-디메틸아미노안식향산에틸, 4-디메틸아미노안식향산이소아밀, 4,4'-디(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 3,4,4'-트리(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 2-(4'-메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3',4'-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(2',4'-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(2'-메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4'-펜틸옥시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 4-[p-N,N-디(에톡시카르보닐메틸)]-2,6-디(트리클로로메틸)-s-트리아진, 1,3-비스(트리클로로메틸)-5-(2'-클로로페닐)-s-트리아진, 1,3-비스(트리클로로메틸)-5-(4'-메톡시페닐)-s-트리아진, 2-(p-디메틸아미노스티릴)벤즈옥사졸, 2-(p-디메틸아미노스티릴)벤즈티아졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 3,3'-카르보닐비스(7-디에틸아미노쿠마린), 2-(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'비스(2,4-디브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 3-(2-메틸-2-디메틸아미노프로피오닐)카르바졸, 3,6-비스(2-메틸-2-모르폴리노프로피오닐)-9-n-도데실카르바졸, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 비스(5-2,4-시클로펜타디엔-1-일)-비스(2,6-디플루오로-3-(1H-피롤-1-일)-페닐)티타늄, 3,3',4,4'-테트라(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 3,3',4,4'-테트라(t-헥실퍼옥시카르보닐)벤조페논, 3,3'-디(메톡시카르보닐)-4,4'-디(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 3,4'-디(메톡시카르보닐)-4,3'-디(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 4,4'-디(메톡시카르보닐)-3,3'-디(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 2-(3-메틸-3H-벤조티아졸-2-일리덴)-1-나프탈렌-2-일-에타논, 또는 2-(3-메틸-1,3-벤조티아졸-2(3H)-일리덴)-1-(2-벤조일)에타논 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 2개 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.The compound that generates radicals with light is not particularly limited as long as it is a compound that initiates radical polymerization by light irradiation. Such radical photopolymerization initiators include benzophenone, Michler's ketone, 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone, xanthone, thioxanthone, isopropylxanthone, and 2,4-diethylthioxanthone. , 2-ethylanthraquinone, acetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, 2-hydroxy-2-methyl-4'-isopropylpropiophenone, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, iso Propyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, 2,2-diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, camphorquinone, benzantrone, 2-methyl-1-[4-( methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1,4-dimethylaminoethyl benzoate, 4 -Dimethylaminobenzoic acid isoamyl, 4,4'-di(t-butylperoxycarbonyl)benzophenone, 3,4,4'-tri(t-butylperoxycarbonyl)benzophenone, 2,4, 6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 2-(4'-methoxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(3',4'-dimethoxystyryl) Ryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(2',4'-dimethoxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(2'-methoxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(4'-pentyloxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl) -s-triazine, 4-[p-N,N-di(ethoxycarbonylmethyl)]-2,6-di(trichloromethyl)-s-triazine, 1,3-bis(trichloromethyl)- 5-(2'-chlorophenyl)-s-triazine, 1,3-bis(trichloromethyl)-5-(4'-methoxyphenyl)-s-triazine, 2-(p-dimethylaminosti Ryl)benzoxazole, 2-(p-dimethylaminostyryl)benzthiazole, 2-mercaptobenzothiazole, 3,3'-carbonylbis(7-diethylaminocoumarin), 2-(o- Chlorophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis(2-chlorophenyl)-4,4',5,5'-tetra Kiss (4-ethoxycarbonylphenyl)-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1, 2'-biimidazole, 2,2'bis(2,4-dibromophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'- Bis(2,4,6-trichlorophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 3-(2-methyl-2-dimethylaminopropionyl)carboxylic Bazole, 3,6-bis(2-methyl-2-morpholinopropionyl)-9-n-dodecylcarbazole, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, bis(5-2,4-cyclopentadiene -1-yl)-bis(2,6-difluoro-3-(1H-pyrrol-1-yl)-phenyl)titanium, 3,3',4,4'-tetra(t-butylperoxycarboxylic Bornyl)benzophenone, 3,3',4,4'-tetra(t-hexylperoxycarbonyl)benzophenone, 3,3'-di(methoxycarbonyl)-4,4'-di(t- Butylperoxycarbonyl)benzophenone, 3,4'-di(methoxycarbonyl)-4,3'-di(t-butylperoxycarbonyl)benzophenone, 4,4'-di(methoxycarboxyl) Bornyl)-3,3'-di(t-butylperoxycarbonyl)benzophenone, 2-(3-methyl-3H-benzothiazol-2-ylidene)-1-naphthalen-2-yl-ethanone , or 2-(3-methyl-1,3-benzothiazol-2(3H)-ylidene)-1-(2-benzoyl)ethanone. These compounds may be used individually, or two or more may be mixed and used.

또한, 상기 라디칼 발생막이, 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 중합체로 이루어지는 경우라도, 에너지를 부여했을 때에 라디칼 중합을 촉진할 목적으로, 상기의 라디칼을 발생시키는 기를 갖는 화합물을 함유시켜도 된다.Furthermore, even when the radical generating film is made of a polymer containing an organic group that induces radical polymerization, it may contain a compound having a group that generates the radical for the purpose of promoting radical polymerization when energy is applied.

라디칼 발생막 형성 조성물은, 중합체 성분, 필요에 따라 라디칼 발생제 그 외의 함유 성분을 용해 또는 분산하는 유기 용매를 함유할 수 있다. 그와 같은 유기 용매에 특별히 한정은 없고, 예를 들면, 상기의 폴리아믹산의 합성에서 예시한 것과 같은 유기 용매를 들 수 있다. 그 중에서도, N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N-에틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드 등은, 용해성의 관점에서 바람직하다. 특히, N-메틸-2-피롤리돈 또는 N-에틸-2-피롤리돈이 바람직하지만, 2종류 이상의 혼합 용매를 이용해도 된다.The radical generating film-forming composition may contain a polymer component and, if necessary, an organic solvent that dissolves or disperses the radical generator and other components. There is no particular limitation on such organic solvents, and examples include organic solvents such as those exemplified in the above synthesis of polyamic acid. Among them, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N-ethyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 3-methoxy-N,N -Dimethylpropanamide and the like are preferred from the viewpoint of solubility. In particular, N-methyl-2-pyrrolidone or N-ethyl-2-pyrrolidone is preferred, but a mixed solvent of two or more types may be used.

또, 도막의 균일성이나 평활성을 향상시키는 용매를, 라디칼 발생막 형성 조성물의 함유 성분의 용해성이 높은 유기 용매에 혼합하여 사용하면 바람직하다.In addition, it is preferable to use a solvent that improves the uniformity and smoothness of the coating film by mixing it with an organic solvent in which the components contained in the radical-generating film-forming composition have high solubility.

도막의 균일성이나 평활성을 향상시키는 용매로는, 예를 들면, 이소프로필알코올, 메톡시메틸펜타놀, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 메틸셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸카르비톨, 에틸카르비톨, 에틸카르비톨아세테이트, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노아세테이트, 에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜-tert-부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노아세테이트모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노아세테이트모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노아세테이트모노프로필에테르, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 트리프로필렌글리콜메틸에테르, 3-메틸-3-메톡시부타놀, 디이소프로필에테르, 에틸이소부틸에테르, 디이소부틸렌, 아밀아세테이트, 부틸부틸레이트, 부틸에테르, 디이소부틸케톤, 메틸시클로헥센, 프로필에테르, 디헥실에테르, n-헥산, n-펜탄, n-옥탄, 디에틸에테르, 유산메틸, 유산에틸, 초산메틸, 초산에틸, 초산n-부틸, 초산프로필렌글리콜모노에틸에테르, 피루빈산메틸, 피루빈산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산메틸에틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산, 3-메톡시프로피온산, 3-메톡시프로피온산프로필, 3-메톡시프로피온산부틸, 1-메톡시-2-프로파놀, 1-에톡시-2-프로파놀, 1-부톡시-2-프로파놀, 1-페녹시-2-프로파놀, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜-1-모노메틸에테르-2-아세테이트, 프로필렌글리콜-1-모노에틸에테르-2-아세테이트, 디프로필렌글리콜, 2-(2-에톡시프로폭시)프로파놀, 유산메틸에스테르, 유산에틸에스테르, 유산n-프로필에스테르, 유산n-부틸에스테르, 유산이소아밀에스테르, 2-에틸-1-헥사놀 등을 들 수 있다. 이들 용매는 복수 종류를 혼합해도 된다. 이들 용매를 이용하는 경우는, 액정 배향제에 포함되는 용매 전체의 5∼80 질량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20∼60 질량%이다.Solvents that improve the uniformity and smoothness of the coating film include, for example, isopropyl alcohol, methoxymethylpentanol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, and butyl cell. Rosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, butylcarbitol, ethylcarbitol, ethylcarbitol acetate, ethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol, propylene glycol mono. Acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol-tert-butyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl Ether, dipropylene glycol monoacetate monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monoacetate monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene Glycol monoacetate monopropyl ether, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, tripropylene glycol methyl ether, 3-methyl-3-methoxybutanol, diisopropyl ether, ethyl isobutyl ether, diisobutylene, Amylacetate, butyl butyrate, butyl ether, diisobutyl ketone, methylcyclohexene, propyl ether, dihexyl ether, n-hexane, n-pentane, n-octane, diethyl ether, methyl lactate, ethyl lactate, methyl acetate. , ethyl acetate, n-butyl acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl 3-methoxypropionate, methyl ethyl 3-ethoxypropionate, 3-methoxyethyl propionate, 3- Ethoxypropionic acid, 3-methoxypropionic acid, 3-methoxypropyl propionate, butyl 3-methoxypropionate, 1-methoxy-2-propanol, 1-ethoxy-2-propanol, 1-butoxy-2 -Propanol, 1-phenoxy-2-propanol, propylene glycol monoacetate, propylene glycol diacetate, propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate, propylene glycol-1-monoethyl ether-2-acetate, Dipropylene glycol, 2-(2-ethoxypropoxy)propanol, methyl lactate ester, ethyl lactate, n-propyl lactate, n-butyl lactate, isoamyl lactate, 2-ethyl-1-hexalactate Nols, etc. may be mentioned. You may mix multiple types of these solvents. When using these solvents, it is preferable that it is 5-80 mass % of the whole solvent contained in a liquid crystal aligning agent, More preferably, it is 20-60 mass %.

라디칼 발생막 형성 조성물에는, 상기 이외의 성분을 함유시켜도 된다. 그 예로는, 라디칼 발생막 형성 조성물을 도포했을 때의 막 두께 균일성이나 표면 평활성을 향상시키는 화합물, 라디칼 발생막 형성 조성물과 기판과의 밀착성을 향상시키는 화합물, 라디칼 발생막 형성 조성물의 막 강도를 더욱 향상시키는 화합물 등을 들 수 있다.The radical generating film-forming composition may contain components other than those mentioned above. Examples include compounds that improve film thickness uniformity and surface smoothness when the radical-generating film-forming composition is applied, compounds that improve adhesion between the radical-generating film-forming composition and the substrate, and film strength of the radical-generating film-forming composition. Compounds that further improve the quality, etc. can be mentioned.

막 두께의 균일성이나 표면 평활성을 향상시키는 화합물로는, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 비이온계 계면활성제 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 에프톱 EF301, EF303, EF352(도켐 프로덕츠사 제조), 메가팍 F171, F173, R-30(다이니폰잉크사 제조), 플로라드 FC430, FC431(스미토모 3M사 제조), 아사히가드 AG710, 서프론 S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106(아사히가라스사 제조) 등을 들 수 있다. 이들 계면활성제를 사용하는 경우, 그 사용 비율은, 라디칼 발생막 형성 조성물에 함유되는 중합체의 총량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01∼2 질량부, 보다 바람직하게는 0.01∼1 질량부이다.Compounds that improve film thickness uniformity and surface smoothness include fluorine-based surfactants, silicone-based surfactants, and nonionic surfactants. More specifically, for example, Ftop EF301, EF303, EF352 (manufactured by Dochem Products), Megapak F171, F173, R-30 (manufactured by Dainippon Ink), Florad FC430, FC431 (manufactured by Sumitomo 3M) ), Asahi Guard AG710, Surfron S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106 (manufactured by Asahi Glass), etc. When these surfactants are used, the usage ratio is preferably 0.01 to 2 parts by mass, more preferably 0.01 to 1 part by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of polymer contained in the radical generating film-forming composition.

라디칼 발생막 형성 조성물과 기판과의 밀착성을 향상시키는 화합물의 구체예로는, 관능성 실란 함유 화합물이나 에폭시기 함유 화합물 등을 들 수 있다. 예를 들면, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 2-아미노프로필트리메톡시실란, 2-아미노프로필트리에톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, 3-우레이도프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, N-에톡시카르보닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-에톡시카르보닐-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-트리에톡시실릴프로필트리에틸렌트리아민, N-트리메톡시실릴프로필트리에틸렌트리아민, 10-트리메톡시실릴-1,4,7-트리아자데칸, 10-트리에톡시실릴-1,4,7-트리아자데칸, 9-트리메톡시실릴-3,6-디아자노닐아세테이트, 9-트리에톡시실릴-3,6-디아자노닐아세테이트, N-벤질-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-벤질-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-비스(옥시에틸렌)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-비스(옥시에틸렌)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 트리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 글리세린디글리시딜에테르, 2,2-디브로모네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 1,3,5,6-테트라글리시딜-2,4-헥산디올, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민, 1,3-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, N,N,N',N'-테트라글리시딜-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3-(N-알릴-N-글리시딜)아미노프로필트리메톡시실란, 3-(N,N-디글리시딜)아미노프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다.Specific examples of compounds that improve adhesion between the radical-generating film-forming composition and the substrate include functional silane-containing compounds and epoxy group-containing compounds. For example, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 2-aminopropyltrimethoxysilane, 2-aminopropyltriethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3 -Aminopropyltrimethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, N-ethoxy Carbonyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-ethoxycarbonyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-triethoxysilylpropyltriethylenetriamine, N-trimethoxysilylpropyltriethylenetriamine Amine, 10-trimethoxysilyl-1,4,7-triazadecane, 10-triethoxysilyl-1,4,7-triazadecane, 9-trimethoxysilyl-3,6-diazanonyl Acetate, 9-triethoxysilyl-3,6-diazanonyl acetate, N-benzyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-benzyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-3- Aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-bis(oxyethylene)-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-bis(oxyethylene)-3-aminopropyltri Ethoxysilane, ethylene glycol diglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, propylene glycol diglycidyl ether, tripropylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, neopentyl glycol diyl. Glycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, glycerin diglycidyl ether, 2,2-dibromoneopentyl glycol diglycidyl ether, 1,3,5,6-tetraglycidyl ether cidyl-2,4-hexanediol, N,N,N',N'-tetraglycidyl-m-xylenediamine, 1,3-bis(N,N-diglycidylaminomethyl)cyclohexane, N,N,N',N'-tetraglycidyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3-(N-allyl-N-glycidyl)aminopropyltrimethoxysilane, 3-(N ,N-diglycidyl)aminopropyltrimethoxysilane, etc.

또, 라디칼 발생막의 막 강도를 더욱 올리기 위해서는, 2,2'-비스(4-히드록시-3,5-디히드록시메틸페닐)프로판, 테트라(메톡시메틸)비스페놀 등의 페놀 화합물을 첨가해도 된다. 이들 화합물을 사용하는 경우는, 라디칼 발생막 형성 조성물에 함유되는 중합체의 총량 100 질량부에 대하여 0.1∼30 질량부인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1∼20 질량부이다.In addition, in order to further increase the film strength of the radical generating film, phenol compounds such as 2,2'-bis(4-hydroxy-3,5-dihydroxymethylphenyl)propane and tetra(methoxymethyl)bisphenol may be added. . When these compounds are used, the amount is preferably 0.1 to 30 parts by mass, more preferably 1 to 20 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total amount of polymer contained in the radical generating film-forming composition.

또한, 라디칼 발생막 형성 조성물에는, 상기 외에, 본 발명의 효과가 손상되지 않는 범위이면, 라디칼 발생막의 유전율이나 도전성 등의 전기 특성을 변화시키는 목적의 유전체나 도전 물질을 첨가해도 된다.Additionally, in addition to the above, to the composition for forming a radical generating film, a dielectric or conductive material for the purpose of changing the electrical properties such as dielectric constant or conductivity of the radical generating film may be added as long as the effect of the present invention is not impaired.

[라디칼 발생막][Radical generation film]

본 발명의 라디칼 발생막은, 상기 라디칼 발생막 형성 조성물을 이용하여 얻을 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 이용하는 라디칼 발생막 형성 조성물을, 기판에 도포한 후, 건조·소성을 행함으로써 얻어지는 경화막을, 그대로 라디칼 발생막으로서 이용할 수도 있다. 또, 이 경화막을 러빙하거나, 편광 또는 특정 파장의 광 등을 조사하거나, 이온 빔 등의 처리를 하거나, PSA용 배향막으로서 액정 충전 후의 액정 표시 소자에 UV를 조사하는 것도 가능하다.The radical generating film of the present invention can be obtained using the radical generating film forming composition. For example, the cured film obtained by applying the radical-generating film-forming composition used in the present invention to a substrate, followed by drying and baking, can also be used as a radical-generating film as is. In addition, it is also possible to rub this cured film, irradiate it with polarized light or light of a specific wavelength, treat it with an ion beam, or irradiate UV to the liquid crystal display element after liquid crystal filling as an alignment film for PSA.

라디칼 발생막 형성 조성물을 도포하는 기판으로는, 투명성이 높은 기판이면 특별히 한정되지 않지만, 기판 상에 액정을 구동하기 위한 투명 전극이 형성된 기판이 바람직하다.The substrate to which the radical generating film-forming composition is applied is not particularly limited as long as it is a highly transparent substrate, but a substrate on which a transparent electrode for driving liquid crystal is formed is preferred.

구체예를 들면, 유리판, 폴리카보네이트, 폴리(메타)아크릴레이트, 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리우레탄, 폴리술폰, 폴리에테르, 폴리에테르케톤, 트리메틸펜텐, 폴리올레핀, 폴리에틸렌테레프탈레이트, (메타)아크릴로니트릴, 트리아세틸셀룰로오스, 디아세틸셀룰로오스, 아세테이트부틸레이트셀룰로오스 등의 플라스틱판 등에 투명 전극이 형성된 기판을 들 수 있다.Specific examples include glass plates, polycarbonate, poly(meth)acrylate, polyethersulfone, polyarylate, polyurethane, polysulfone, polyether, polyetherketone, trimethylpentene, polyolefin, polyethylene terephthalate, (meth) Examples include substrates on which transparent electrodes are formed on plastic plates such as acrylonitrile, triacetylcellulose, diacetylcellulose, and acetate butylate cellulose.

IPS 방식의 액정 표시 소자에 사용할 수 있는 기판에는, 표준적인 IPS 빗살 전극이나 PSA 피쉬본(Fishbone) 전극과 같은 전극 패턴이나 MVA와 같은 돌기 패턴이라도 사용할 수 있다.For substrates that can be used for IPS-type liquid crystal display devices, electrode patterns such as standard IPS comb electrodes or PSA fishbone electrodes, or protrusion patterns such as MVA can be used.

또, TFT형의 소자와 같은 고기능 소자에 있어서는, 액정 구동을 위한 전극과 기판의 사이에 트랜지스터와 같은 소자가 형성된 것이 이용된다.Additionally, in high-performance devices such as TFT-type devices, devices such as transistors formed between an electrode for driving liquid crystal and a substrate are used.

투과형의 액정 표시 소자를 의도하고 있는 경우는, 상기와 같은 기판을 이용하는 것이 일반적이지만, 반사형의 액정 표시 소자를 의도하고 있는 경우에서는, 편측의 기판에만 이라면 실리콘 웨이퍼 등의 불투명한 기판도 이용하는 것이 가능하다. 그때, 기판에 형성된 전극에는, 광을 반사하는 알루미늄과 같은 재료를 이용할 수도 있다.When a transmissive liquid crystal display device is intended, it is common to use a substrate as described above, but when a reflective liquid crystal display device is intended, an opaque substrate such as a silicon wafer can also be used as long as it is only used on one side. possible. At that time, a material such as aluminum that reflects light may be used for the electrode formed on the substrate.

라디칼 발생막 형성 조성물의 도포 방법으로는, 스핀 코트법, 인쇄법, 잉크젯법, 스프레이법, 롤 코트법 등을 들 수 있지만, 생산성의 면에서 공업적으로는 전사 인쇄법이 널리 이용되고 있고, 본 발명에서도 적합하게 이용된다.Methods for applying the radical-generating film-forming composition include spin coating, printing, inkjet, spray, and roll coating. However, transfer printing is widely used industrially in terms of productivity. It is also suitably used in the present invention.

라디칼 발생막 형성 조성물을 도포한 후의 건조 공정은, 반드시 필요한 것은 아니지만, 도포 후부터 소성까지의 시간이 기판마다 일정하지 않은 경우, 또는 도포 후 즉시 소성되지 않는 경우에는, 건조 공정을 포함하는 쪽이 바람직하다. 이 건조는, 기판의 반송 등에 의해 도막 형상이 변형하지 않을 정도로 용매가 제거되어 있으면 되고, 그 건조 수단에 대해서는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 온도 40℃∼150℃, 바람직하게는 60℃∼100℃의 핫플레이트 상에서, 0.5∼30분, 바람직하게는 1∼5분 건조시키는 방법을 들 수 있다.The drying process after applying the radical generating film-forming composition is not absolutely necessary, but it is preferable to include the drying process when the time from application to firing is not constant for each substrate, or when firing is not carried out immediately after application. do. This drying only requires that the solvent has been removed to the extent that the shape of the coating film is not deformed by transportation of the substrate, etc., and the drying means is not particularly limited. For example, a method of drying on a hot plate at a temperature of 40°C to 150°C, preferably 60°C to 100°C, for 0.5 to 30 minutes, preferably 1 to 5 minutes, is included.

상기의 방법으로 라디칼 발생막 형성 조성물을 도포하여 형성되는 도막은, 소성하여 경화막으로 할 수 있다. 그때, 소성 온도는, 통상 100℃∼350℃의 임의의 온도에서 행할 수 있지만, 바람직하게는 140℃∼300℃이고, 보다 바람직하게는 150℃∼230℃, 더욱 바람직하게는 160℃∼220℃이다. 소성 시간은 통상 5분∼240분의 임의의 시간으로 소성을 행할 수 있다. 바람직하게는 10∼90분이고, 보다 바람직하게는 20∼90분이다. 가열은, 통상 공지의 방법, 예를 들면 핫플레이트, 열풍 순환 오븐, IR 오븐, 벨트 노(爐) 등을 이용할 수 있다.The coating film formed by applying the radical generating film-forming composition by the above method can be fired to form a cured film. At that time, the firing temperature can be carried out at any temperature, usually 100°C to 350°C, but is preferably 140°C to 300°C, more preferably 150°C to 230°C, and even more preferably 160°C to 220°C. am. The firing time can be generally any time from 5 minutes to 240 minutes. Preferably it is 10 to 90 minutes, and more preferably 20 to 90 minutes. Heating can be performed using a commonly known method, for example, a hot plate, hot air circulation oven, IR oven, belt furnace, etc.

이 경화막의 두께는 필요에 따라 선택할 수 있지만, 바람직하게는 5nm 이상, 보다 바람직하게는 10nm 이상인 경우, 액정 표시 소자의 신뢰성이 얻어지기 쉬우므로 적합하다. 또, 경화막의 두께가 바람직하게는 300nm 이하, 보다 바람직하게는 150nm 이하인 경우는, 액정 표시 소자의 소비 전력이 극단적으로 커지지 않으므로 적합하다.The thickness of this cured film can be selected as needed, but is preferably 5 nm or more, and more preferably 10 nm or more because it is easy to obtain reliability of the liquid crystal display element. Moreover, when the thickness of the cured film is preferably 300 nm or less, and more preferably 150 nm or less, it is suitable because the power consumption of the liquid crystal display element does not become extremely large.

이상과 같이 하여 라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판을 얻을 수 있지만, 당해 라디칼 발생막에 1축 배향 처리를 실시할 수 있다. 1축 배향 처리를 행하는 방법으로는, 광배향법, 사방(斜方) 증착법, 러빙, 자기장에 의한 1축 배향 처리 등을 들 수 있다.As described above, a first substrate having a radical generating film can be obtained, but the radical generating film can also be subjected to uniaxial alignment treatment. Methods for performing uniaxial orientation treatment include a photo-alignment method, an oblique vapor deposition method, rubbing, and uniaxial orientation treatment using a magnetic field.

한 방향으로 러빙 처리하는 것에 의한 배향 처리를 행하는 경우에는, 예를 들면, 러빙포가 둘러 감겨진 러빙 롤러를 회전시키면서, 러빙포와 막이 접촉하도록 기판을 이동시킨다. 빗살 전극이 형성되어 있는 본 발명의 제 1 기판의 경우, 액정의 전기적 물성에 의해 방향이 선택되지만, 양(正)의 유전 이방성을 갖는 액정을 이용하는 경우에 있어서는 러빙 방향은 빗살 전극이 연장되고 있는 방향과 거의 동일한 방향으로 하는 것이 바람직하다.When performing an orientation treatment by rubbing in one direction, for example, the substrate is moved so that the rubbing cloth and the film come into contact while rotating the rubbing roller around which the rubbing cloth is wound. In the case of the first substrate of the present invention on which comb electrodes are formed, the direction is selected depending on the electrical properties of the liquid crystal, but in the case of using liquid crystal with positive dielectric anisotropy, the rubbing direction is the direction in which the comb electrodes extend. It is desirable to do this in approximately the same direction.

본 발명의 제 2 기판은, 라디칼 발생막을 갖지 않는 것 외에는, 상기 제 1 기판과 마찬가지이다. 종래부터 알려져 있는 액정 배향막을 갖는 기판으로 하는 것이 바람직하다.The second substrate of the present invention is similar to the first substrate except that it does not have a radical generating film. It is preferable to use a substrate having a conventionally known liquid crystal alignment film.

<액정 셀><Liquid crystal cell>

본 발명의 액정 셀은, 상기의 방법에 의해, 기판에 라디칼 발생막을 형성한 후, 당해 라디칼 발생막을 갖는 기판(제 1 기판)과, 공지의 액정 배향막을 갖는 기판(제 2 기판)을, 라디칼 발생막과 액정 배향막이 서로 마주 보도록 배치하고, 스페이서를 사이에 두고, 시일제로 고정하여, 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을 주입해 밀봉(封止)함으로써 얻어진다. 그때, 이용하는 스페이서의 크기는 통상 1∼30㎛이지만, 바람직하게는 2∼10㎛이다. 또, 제 1 기판의 러빙 방향과, 제 2 기판의 러빙 방향을 평행하게 함으로써, IPS 모드나 FFS 모드에 사용할 수 있고, 러빙 방향이 직교하도록 배치하면, 트위스트 네마틱 모드에 사용할 수 있다.In the liquid crystal cell of the present invention, after forming a radical generating film on a substrate by the above method, a substrate having the radical generating film (first substrate) and a substrate having a known liquid crystal alignment film (second substrate) are formed by forming a radical It is obtained by arranging the generated film and the liquid crystal alignment film to face each other, fixing them with a sealant with a spacer in between, and sealing them by injecting a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radically polymerizable compound. At that time, the size of the spacer used is usually 1 to 30 μm, but is preferably 2 to 10 μm. Additionally, by making the rubbing direction of the first substrate and the rubbing direction of the second substrate parallel, it can be used in IPS mode or FFS mode, and by arranging it so that the rubbing directions are orthogonal, it can be used in twisted nematic mode.

액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을 주입하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 제작한 액정 셀 내를 감압으로 한 후, 액정과 중합성 화합물을 포함하는 혼합물을 주입하는 진공법, 액정과 중합성 화합물을 포함하는 혼합물을 적하(滴下)한 후에 밀봉을 행하는 적하법 등을 들 수 있다.The method of injecting the liquid crystal composition containing the liquid crystal and the radically polymerizable compound is not particularly limited, and includes a vacuum method of reducing the pressure inside the manufactured liquid crystal cell and then injecting a mixture containing the liquid crystal and the polymerizable compound, liquid crystal and polymerization. A dropping method in which a mixture containing a chemical compound is added dropwise and then sealed is included.

<액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물><Liquid crystal composition containing liquid crystal and radically polymerizable compound>

본 발명의 액정 표시 소자의 작성에 있어서, 액정과 함께 이용하는 중합성 화합물은, 라디칼 중합성 화합물이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 1분자 중에 1개 또는 2개 이상의 중합성 반응기를 갖는 화합물이다. 바람직하게는 1분자 중에 1개의 중합성 반응기를 갖는 화합물이다(이하, 「일관능의 중합성기를 갖는 화합물」, 「단관능의 중합성기를 갖는 화합물」 등으로 칭하는 경우가 있다). 중합성 반응기는, 바람직하게는 라디칼 중합성 반응기이고, 예를 들면 비닐 결합이다.In the production of the liquid crystal display device of the present invention, the polymerizable compound used together with the liquid crystal is not particularly limited as long as it is a radically polymerizable compound, but for example, it is a compound having one or two or more polymerizable reactive groups in one molecule. . Preferably, it is a compound having one polymerizable reactive group per molecule (hereinafter, it may be referred to as “compound having a monofunctional polymerizable group”, “compound having a monofunctional polymerizable group”, etc.). The polymerizable reactive group is preferably a radical polymerizable reactive group, for example, a vinyl bond.

상기 라디칼 중합성 화합물 중 적어도 1종은, 액정과 상용성을 갖는, 1분자 중에 1개의 중합성 반응기를 갖는 화합물, 즉, 단관능의 라디칼 중합성기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.It is preferable that at least one of the radically polymerizable compounds is a compound that is compatible with liquid crystal and has one polymerizable reactive group per molecule, that is, a compound having a monofunctional radically polymerizable group.

그리고, 상기 라디칼 중합성 화합물의 중합성기로는 이하의 구조로부터 선택되는 중합성기가 바람직하다.Incidentally, the polymerizable group of the radically polymerizable compound is preferably a polymerizable group selected from the following structures.

[화학식 22][Formula 22]

Figure 112019133804902-pct00022
Figure 112019133804902-pct00022

(식 중, *는 화합물 분자의 중합성 반응기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다. Rb는 탄소수 2∼8의 직쇄 알킬기를 나타내고, E는 단결합, -O-, -NRc-, -S-, 에스테르 결합 및 아미드 결합으로부터 선택되는 결합기를 나타낸다. Rc는 수소 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.)(In the formula, * represents a bonding site with a portion other than the polymerizable reactive group of the compound molecule. R b represents a straight-chain alkyl group having 2 to 8 carbon atoms, E represents a single bond, -O-, -NR c -, - S-, ester bond, and amide bond. R c represents a hydrogen atom and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

또, 상기 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물에 있어서, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합시켜 얻어지는 폴리머의 Tg가 100℃ 이하의 것이 되는 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.In addition, in the liquid crystal composition containing the liquid crystal and the radically polymerizable compound, it is preferable to contain a radically polymerizable compound whose Tg of the polymer obtained by polymerizing the radically polymerizable compound is 100°C or lower.

단관능의 라디칼 중합성기를 갖는 화합물은, 유기 라디칼의 존재하에서 라디칼 중합을 행하는 것이 가능한 반응기를 갖는 것이며, 예를 들면, t-부틸메타크릴레이트, 헥실메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 노닐메타크릴레이트, 라우릴메타크릴레이트, n-옥틸메타크릴레이트 등의 메타크릴레이트계 모노머; t-부틸아크릴레이트, 헥실아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 노닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, n-옥틸아크릴레이트 등의 아크릴레이트계 모노머; 스티렌, 스티렌 유도체(예를 들면, o-, m-, p-메톡시스티렌, o-, m-, p-t-부톡시스티렌, o-, m-, p-클로로메틸스티렌 등), 비닐에스테르류(예를 들면, 초산비닐, 프로피온산비닐, 안식향산비닐 등), 비닐케톤류(예를 들면, 비닐메틸케톤, 비닐헥실케톤, 메틸이소프로페닐케톤 등), N-비닐화합물(예를 들면, N-비닐피롤리돈, N-비닐피롤, N-비닐카르바졸, N-비닐인돌 등), (메타)아크릴산 유도체(예를 들면, 아크릴로니트릴, 메타아크릴로니트릴, 아크릴아미드, 이소프로필아크릴아미드, 메타크릴아미드 등), 할로겐화비닐류(예를 들면, 염화비닐, 염화비닐리덴, 테트라클로로에틸렌, 헥사클로로프렌, 불화비닐 등) 등의 비닐모노머를 들 수 있지만, 이들에 한정하지는 않는다. 이들 각종 라디칼 중합성 모노머는, 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 된다. 또, 이들은, 액정과 상용성을 갖는 것이 바람직하다.Compounds having a monofunctional radical polymerizable group have a reactive group capable of performing radical polymerization in the presence of an organic radical, for example, t-butyl methacrylate, hexyl methacrylate, and 2-ethylhexyl methacrylate. , methacrylate-based monomers such as nonyl methacrylate, lauryl methacrylate, and n-octyl methacrylate; Acrylate-based monomers such as t-butyl acrylate, hexyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, nonyl acrylate, benzyl acrylate, lauryl acrylate, and n-octyl acrylate; Styrene, styrene derivatives (e.g., o-, m-, p-methoxystyrene, o-, m-, p-t-butoxystyrene, o-, m-, p-chloromethylstyrene, etc.), vinyl esters (e.g. vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl benzoate, etc.), vinyl ketones (e.g. vinyl methyl ketone, vinyl hexyl ketone, methyl isopropenyl ketone, etc.), N-vinyl compounds (e.g. N- Vinylpyrrolidone, N-vinylpyrrole, N-vinylcarbazole, N-vinylindole, etc.), (meth)acrylic acid derivatives (e.g., acrylonitrile, methacrylonitrile, acrylamide, isopropylacrylamide, vinyl monomers such as methacrylamide, etc.) and halogenated vinyls (e.g., vinyl chloride, vinylidene chloride, tetrachloroethylene, hexachloroprene, vinyl fluoride, etc.), but are not limited to these. These various radically polymerizable monomers may be used individually or in combination of two or more types. Moreover, it is preferable that these have compatibility with liquid crystal.

또, 상기 라디칼 중합성 화합물로는, 하기 식 (1)로 표시되는 화합물도 바람직하다.Moreover, as the radically polymerizable compound, a compound represented by the following formula (1) is also preferable.

[화학식 23][Formula 23]

Figure 112019133804902-pct00023
Figure 112019133804902-pct00023

식 (1) 중, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 2∼8의 직쇄 알킬기를 나타내고, E는 단결합, -O-, -NRc-, -S-, 에스테르 결합, 아미드 결합으로부터 선택되는 결합기를 나타낸다. 문장 중 Rc는 수소 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.In formula (1), R a and R b each independently represent a straight-chain alkyl group having 2 to 8 carbon atoms, and E is selected from a single bond, -O-, -NR c -, -S-, ester bond, and amide bond. represents a linking group. In the sentence, R c represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 라디칼 중합성 화합물 중 적어도 1종은, 액정과 상용성을 갖는, 1분자 중에 1개의 중합성 반응기를 갖는 화합물, 즉, 단관능의 라디칼 중합성기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.It is preferable that at least one of the radically polymerizable compounds is a compound that is compatible with liquid crystal and has one polymerizable reactive group per molecule, that is, a compound having a monofunctional radically polymerizable group.

그리고, 상기 식 (1)로 표시되는 라디칼 중합성 화합물로는, 식 중 E가 에스테르 결합(-C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-로 표시되는 결합)인 것이 합성의 용이성이나 액정으로의 상용성, 중합 반응성의 관점에서 바람직하고, 구체적으로는 이하와 같은 구조를 갖는 화합물이 바람직하지만, 특별히 한정하지는 않는다.In addition, the radical polymerizable compound represented by the formula (1) is one in which E is an ester bond (a bond represented by -C(=O)-O- or -O-C(=O)-). It is preferable from the viewpoint of ease of use, compatibility with liquid crystal, and polymerization reactivity, and specifically, a compound having the following structure is preferable, but is not particularly limited.

[화학식 24][Formula 24]

Figure 112019133804902-pct00024
Figure 112019133804902-pct00024

식 (1-1) 및 (1-2) 중, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 탄소수 2∼8의 직쇄 알킬기를 나타낸다.In formulas (1-1) and (1-2), R a and R b each independently represent a straight-chain alkyl group having 2 to 8 carbon atoms.

액정 조성물 중의 라디칼 중합성 화합물의 함유량은, 액정과 라디칼 중합성 화합물과의 합계 질량에 대하여, 바람직하게는 3 질량% 이상, 보다 바람직하게는 5 질량% 이상이고, 바람직하게는 50 질량% 이하, 보다 바람직하게는 20 질량% 이하이다.The content of the radically polymerizable compound in the liquid crystal composition is preferably 3% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and preferably 50% by mass or less, based on the total mass of the liquid crystal and the radically polymerizable compound. More preferably, it is 20% by mass or less.

상기 라디칼 중합성 화합물을 중합시켜 얻어지는 폴리머는, 그 Tg를 100℃ 이하로 하는 것이 바람직하다.The polymer obtained by polymerizing the radically polymerizable compound preferably has a Tg of 100°C or lower.

또한, 액정이란 일반적으로 고체와 액체의 양쪽의 성질을 나타내는 상태에 있는 물질을 말하고, 대표적인 액정상으로서 네마틱 액정과 스멕틱 액정이 있지만, 본 발명에 있어서 사용할 수 있는 액정은 특별히 한정되지 않는다. 일례를 들면 4-펜틸-4'-시아노비페닐이다.Additionally, liquid crystal generally refers to a substance in a state that exhibits properties of both solid and liquid, and representative liquid crystal phases include nematic liquid crystal and smectic liquid crystal. However, the liquid crystal that can be used in the present invention is not particularly limited. One example is 4-pentyl-4'-cyanobiphenyl.

다음으로, 이 액정과 라디칼 중합성 화합물을 포함하는 혼합물(액정 조성물)이 도입된 액정 셀에 당해 라디칼 중합성 화합물을 중합 반응시키기에 충분한 에너지를 부여한다. 이것은, 예를 들면, 열을 가하거나, UV 조사함으로써 실시할 수 있고, 당해 라디칼 중합성 화합물이 그 자리에서 중합됨으로써, 원하는 특성이 발현한다. 그 중에서도 UV의 사용은 배향성의 패터닝이 가능해져, 더욱 단시간에 중합 반응시킬 수 있는 점에서, UV 조사가 바람직하다. 또한, 트위스트 네마틱 모드에 사용할 때는, 상기 액정 조성물에 더하여, 필요에 따라 카이랄 도펀트를 액정 셀에 도입하면 된다.Next, sufficient energy to cause a polymerization reaction of the radically polymerizable compound is provided to the liquid crystal cell into which the mixture (liquid crystal composition) containing the liquid crystal and the radically polymerizable compound is introduced. This can be performed, for example, by applying heat or UV irradiation, and the radically polymerizable compound is polymerized in situ, thereby developing the desired properties. Among these, UV irradiation is preferable because the use of UV enables oriented patterning and enables a polymerization reaction to occur in a shorter time. In addition, when using in twisted nematic mode, a chiral dopant may be introduced into the liquid crystal cell as needed in addition to the liquid crystal composition.

또 UV 조사 시, 가열을 행해도 된다. UV 조사를 행할 때의 가열 온도는, 도입된 액정이 액정성을 발현하는 온도 범위가 바람직하고, 통상 40℃ 이상이며, 액정이 등방상(等方相)으로 바뀌는 온도 미만에서의 가열이 바람직하다.Additionally, heating may be performed during UV irradiation. The heating temperature when performing UV irradiation is preferably in the temperature range at which the introduced liquid crystal exhibits liquid crystallinity, and is usually 40°C or higher, and heating below the temperature at which the liquid crystal changes to an isotropic phase is preferred. .

여기에서, UV 조사하는 경우에서의 UV 조사 파장은, 반응하는 중합성 화합물의 반응 양자 수율이 가장 좋은 파장을 선택하는 것이 바람직하고, UV의 조사량은, 통상 0.01∼30J이지만, 바람직하게는 10J 이하이며, UV 조사량이 적은 쪽이, 액정 디스플레이를 구성하는 부재의 파괴로 인한 신뢰성 저하를 억제할 수 있고, 또한 UV 조사 시간을 줄일 수 있음으로써 제조상의 택트가 향상하므로 적합하다.Here, in the case of UV irradiation, it is preferable to select the UV irradiation wavelength at the wavelength with the best reaction quantum yield of the reacting polymerizable compound, and the UV irradiation amount is usually 0.01 to 30 J, but is preferably 10 J or less. A smaller amount of UV irradiation is more suitable because it can suppress a decrease in reliability due to destruction of members constituting the liquid crystal display, and improves manufacturing tact by reducing the UV irradiation time.

또, UV 조사가 아니라, 가열만으로 중합시키는 경우의 가열은, 중합성 화합물이 반응하는 온도로서, 액정의 분해 온도 미만이 되는 온도 범위에서 행하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면, 100℃ 이상 150℃ 이하이다.In addition, when polymerization is carried out only by heating rather than by UV irradiation, the heating is preferably performed in a temperature range that is lower than the decomposition temperature of the liquid crystal as the temperature at which the polymerizable compound reacts. Specifically, for example, it is 100°C or higher and 150°C or lower.

라디칼 중합성 화합물을 중합 반응시키기에 충분한 에너지를 부여할 때, 전압을 인가하지 않는, 무전계 상태인 것이 바람직하다.When providing sufficient energy to polymerize a radically polymerizable compound, it is preferable that no voltage is applied and that the polymer is in an electric field-free state.

<액정 표시 소자><Liquid crystal display device>

이와 같이 하여 얻어진 액정 셀을 이용하여 액정 표시 소자를 제작할 수 있다.A liquid crystal display element can be produced using the liquid crystal cell obtained in this way.

예를 들면, 이 액정 셀에 필요에 따라 반사 전극, 투명 전극, λ/4판, 편광막, 컬러 필터층 등을 상법(常法)에 따라 설치함으로써 반사형 액정 표시 소자로 할 수 있다.For example, a reflective liquid crystal display element can be obtained by providing a reflective electrode, a transparent electrode, a λ/4 plate, a polarizing film, a color filter layer, etc. to this liquid crystal cell according to a conventional method as necessary.

또, 이 액정 셀에 필요에 따라 백라이트, 편광판, λ/4판, 투명 전극, 편광막, 컬러 필터층 등을 상법에 따라 설치함으로써 투과형 액정 표시 소자로 할 수 있다.Additionally, a backlight, a polarizer, a λ/4 plate, a transparent electrode, a polarizing film, a color filter layer, etc. are installed in this liquid crystal cell according to a conventional method as necessary, thereby forming a transmission type liquid crystal display element.

실시예Example

본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다. 폴리머의 중합 및 막 형성 조성물의 조제에서 사용한 화합물의 약호 및 특성 평가의 방법은 이하와 같다:Although the present invention will be specifically described by way of examples, the present invention is not limited to these examples. The abbreviations of the compounds used in the polymerization of polymers and the preparation of film-forming compositions and methods for evaluating their properties are as follows:

[화학식 25][Formula 25]

Figure 112019133804902-pct00025
Figure 112019133804902-pct00025

NMP: N-메틸-2-피롤리돈,NMP: N-methyl-2-pyrrolidone;

GBL: γ-부틸락톤,GBL: γ-butylactone;

BCS: 부틸셀로솔브.BCS: Butylcellosolve.

<점도 측정><Viscosity measurement>

폴리아미드산 용액에 대해서, E형 점도계 TVE-22H(도키 산교사 제조)를 이용하여, 샘플량 1.1mL, 콘로터 TE-1(1°34', R24)으로 25℃의 점도를 측정했다.For the polyamic acid solution, the viscosity at 25°C was measured using an E-type viscometer TVE-22H (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.), a sample volume of 1.1 mL, and a condenser TE-1 (1°34', R24).

<이미드화율의 측정><Measurement of imidization rate>

폴리이미드 분말 20mg을 NMR 샘플관(구사노 가가쿠사 제조 NMR 샘플링 튜브 스탠다드 φ5)에 넣고, 중수소화 디메틸술폭시드(DMSO-d6, 0.05 질량% TMS(테트라메틸실란) 혼합품) 0.53ml를 첨가하여, 초음파를 가해 완전히 용해시켰다. 이 용액의 500MHz의 프로톤 NMR을, 측정 장치(니혼덴시 데이텀사 제조, JNW-ECA500)로 측정했다.20 mg of polyimide powder was placed in an NMR sample tube (NMR sampling tube standard ϕ5 manufactured by Kusano Chemical Co., Ltd.), and 0.53 ml of deuterated dimethyl sulfoxide (DMSO-d6, 0.05 mass% TMS (tetramethylsilane) mixture) was added. , and was completely dissolved by applying ultrasound. The 500 MHz proton NMR of this solution was measured with a measuring device (JNW-ECA500, manufactured by Nippon Electronics Datum Co., Ltd.).

이미드화율은, 이미드화 전후로 변화하지 않는 구조에서 유래하는 프로톤을 기준 프로톤으로서 정하고, 이 프로톤의 피크 적산치와, 9.5∼10.0ppm 부근에 나타나는 아미드기의 NH에서 유래하는 프로톤 피크 적산치를 이용하여 이하의 식에 의해 구했다.The imidization rate is determined by setting a proton derived from a structure that does not change before and after imidization as a reference proton, and using the peak integrated value of this proton and the peak integrated value of the proton derived from NH of the amide group that appears around 9.5 to 10.0 ppm. It was obtained using the formula below.

이미드화율(%)=(1-α·x/y)×100Imidation rate (%) = (1-α·x/y) × 100

식 중, x는 아미드기의 NH 유래의 프로톤 피크 적산치, y는 기준 프로톤의 피크 적산치, α는 폴리아미드산(이미드화율이 0%)인 경우에서의 아미드기의 NH 프로톤 1개에 대한 기준 프로톤의 개수 비율이다.Wherein, It is the ratio of the number of standard protons.

<폴리머의 중합 및 라디칼 발생막 형성 조성물의 조제><Preparation of composition for polymerization and radical generation film formation>

합성예 1Synthesis Example 1

TC-1, TC-2(50)/DA-1(50), DA-2(50) 폴리이미드의 중합Polymerization of TC-1, TC-2(50)/DA-1(50), DA-2(50) polyimide

질소 도입관, 공랭관, 메커니컬 스터러를 구비한 100ml의 4구 플라스크에, DA-1을 1.62g(15.00mmol), DA-2를 3.96g(15.00mmol) 재어 취하고, NMP 48.2g을 첨가해 질소 분위기하에서 교반하여, 완전히 용해시켰다. 용해를 확인한 후, TC-2를 3.75g(15.00mmol) 첨가하고, 질소 분위기하 60℃에서 3시간 반응시켰다. 재차 실온으로 되돌려, TC-1을 2.71g(13.80mmol)을 첨가하고, 질소 분위기하 40℃에서 12시간 반응시켰다. 중합 점도를 확인하고, 중합 점도가 1000mPa·s가 되도록 추가로 TC-1을 첨가하여, 폴리아믹산 농도가 20 질량%인 중합액을 얻었다.Measure 1.62 g (15.00 mmol) of DA-1 and 3.96 g (15.00 mmol) of DA-2 into a 100 ml four-necked flask equipped with a nitrogen introduction tube, air cooling tube, and mechanical stirrer, and add 48.2 g of NMP. It was stirred under a nitrogen atmosphere to completely dissolve. After confirming dissolution, 3.75 g (15.00 mmol) of TC-2 was added, and reaction was performed at 60°C in a nitrogen atmosphere for 3 hours. The temperature was returned to room temperature again, 2.71 g (13.80 mmol) of TC-1 was added, and reaction was performed at 40°C in a nitrogen atmosphere for 12 hours. The polymerization viscosity was confirmed, TC-1 was further added so that the polymerization viscosity was 1000 mPa·s, and a polymerization solution with a polyamic acid concentration of 20% by mass was obtained.

마그네틱 스터러를 구비한 200ml의 삼각 플라스크에, 상기에서 얻어진 폴리아믹산 용액 60g을 재어 취하고, NMP를 111.4g 첨가하여, 7 질량%의 용액을 조제하고, 교반하면서 무수초산을 9.10g(88.52mmol), 피리딘을 3.76g(47.53mmol) 첨가하여, 실온에서 30분 교반 후, 55℃에서 3시간 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 용액을 실온으로 되돌려, 500ml의 메타놀 중에 교반하면서 이 반응 용액을 붓고, 고체를 석출시켰다. 고체를 여과에 의해 회수하고, 추가로 300ml의 메타놀 중에 고체를 투입하여 30분간 교반 세정을 총 2회 행하고, 고체를 여과에 의해 회수하여, 풍건(風乾)을 행한 후, 진공 오븐 60℃에서 건조를 행함으로써 수 평균 분자량은 11300, 중량 평균 분자량은 32900, 이미드화율이 53%인 폴리이미드(PI-1)를 얻었다.In a 200 ml Erlenmeyer flask equipped with a magnetic stirrer, 60 g of the polyamic acid solution obtained above was weighed, 111.4 g of NMP was added to prepare a 7 mass% solution, and 9.10 g (88.52 mmol) of acetic anhydride was added while stirring. , 3.76 g (47.53 mmol) of pyridine was added, stirred at room temperature for 30 minutes, and then stirred at 55°C for 3 hours to react. After completion of the reaction, the solution was returned to room temperature, and the reaction solution was poured into 500 ml of methanol while stirring to precipitate a solid. The solid was recovered by filtration, the solid was added into 300 ml of methanol, and washed with stirring for 30 minutes in total twice. The solid was recovered by filtration, air dried, and then dried in a vacuum oven at 60°C. By performing this, polyimide (PI-1) with a number average molecular weight of 11300, a weight average molecular weight of 32900, and an imidization rate of 53% was obtained.

합성예 2Synthesis Example 2

TC-1, TC-2(50)/DA-1(50), DA-3(50) 폴리이미드의 중합Polymerization of TC-1, TC-2(50)/DA-1(50), DA-3(50) polyimide

질소 도입관, 공랭관, 메커니컬 스터러를 구비한 100ml의 4구 플라스크에, DA-1을 1.62g(15.00mmol), DA-3를 4.96g(15.00mmol) 재어 취하고, NMP 51.90g을 첨가해 질소 분위기하에서 교반하여, 완전히 용해시켰다. 용해를 확인한 후, TC-2를 3.75g(15.00mmol) 첨가하고, 질소 분위기하 60℃에서 3시간 반응시켰다. 재차 실온으로 되돌려, TC-1을 2.64g(13.5mmol) 첨가하고, 질소 분위기하 40℃에서 12시간 반응시켰다. 중합 점도를 확인하고, 중합 점도가 1000mPa·s가 되도록 추가로 TC-1을 첨가하여, 폴리아믹산 농도가 20 질량%인 중합액을 얻었다.Measure 1.62 g (15.00 mmol) of DA-1 and 4.96 g (15.00 mmol) of DA-3 into a 100 ml four-necked flask equipped with a nitrogen introduction tube, air cooling tube, and mechanical stirrer, and add 51.90 g of NMP. It was stirred under a nitrogen atmosphere to completely dissolve. After confirming dissolution, 3.75 g (15.00 mmol) of TC-2 was added, and reaction was performed at 60°C in a nitrogen atmosphere for 3 hours. The temperature was returned to room temperature again, 2.64 g (13.5 mmol) of TC-1 was added, and reaction was performed at 40°C in a nitrogen atmosphere for 12 hours. The polymerization viscosity was confirmed, TC-1 was further added so that the polymerization viscosity was 1000 mPa·s, and a polymerization solution with a polyamic acid concentration of 20% by mass was obtained.

마그네틱 스터러를 구비한 200ml의 삼각 플라스크에, 상기에서 얻어진 폴리아믹산 용액 60g을 재어 취하고, NMP를 111.4g 첨가하여, 7 질량%의 용액을 조제하고, 교반하면서 무수초산을 8.38g(81.4mmol), 피리딘을 3.62g(45.8mmol) 첨가하여, 실온에서 30분 교반 후, 55℃에서 3시간 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 용액을 실온으로 되돌려, 500ml의 메타놀 중에 교반하면서 이 반응 용액을 붓고, 고체를 석출시켰다. 고체를 여과에 의해 회수하고, 추가로 300ml의 메타놀 중에 고체를 투입해 30분간 교반 세정을 총 2회 행하고, 고체를 여과에 의해 회수하여, 풍건을 행한 후, 진공 오븐 60℃에서 건조를 행함으로써 수 평균 분자량 Mn은 13100, 중량 평균 분자량 Mw는 34000, 이미드화율이 55%인 폴리이미드(PI-2)를 얻었다.In a 200 ml Erlenmeyer flask equipped with a magnetic stirrer, 60 g of the polyamic acid solution obtained above was weighed, 111.4 g of NMP was added to prepare a 7 mass% solution, and 8.38 g (81.4 mmol) of acetic anhydride was added while stirring. , 3.62 g (45.8 mmol) of pyridine was added, stirred at room temperature for 30 minutes, and then stirred at 55°C for 3 hours to react. After completion of the reaction, the solution was returned to room temperature, and the reaction solution was poured into 500 ml of methanol while stirring to precipitate a solid. The solid was recovered by filtration, the solid was added into 300 ml of methanol, and washed with stirring for 30 minutes twice in total. The solid was recovered by filtration, air dried, and then dried in a vacuum oven at 60°C. Polyimide (PI-2) with a number average molecular weight Mn of 13100, a weight average molecular weight Mw of 34000, and an imidization rate of 55% was obtained.

합성예 3Synthesis Example 3

TC-1, TC-2(50)/DA-1(50), DA-4(50) 폴리이미드의 중합Polymerization of TC-1, TC-2(50)/DA-1(50), DA-4(50) polyimide

질소 도입관, 공랭관, 메커니컬 스터러를 구비한 100ml의 4구 플라스크에, DA-1을 1.62g(15.00mmol), DA-4를 5.65g(15.00mmol) 재어 취하고, NMP 55.4g을 첨가해 질소 분위기하에서 교반하여, 완전히 용해시켰다. 용해를 확인한 후, TC-2를 3.75g(15.00mmol) 첨가하고, 질소 분위기하 60℃에서 3시간 반응시켰다. 재차 실온으로 되돌려, TC-1을 2.82g(14.40mmol) 첨가하고, 질소 분위기하 40℃에서 12시간 반응시켰다. 중합 점도를 확인하고, 중합 점도가 1000mPa·s가 되도록 추가로 TC-1을 첨가하여, 폴리아믹산 농도가 20 질량%인 중합액을 얻었다.Measure 1.62 g (15.00 mmol) of DA-1 and 5.65 g (15.00 mmol) of DA-4 into a 100 ml four-necked flask equipped with a nitrogen introduction tube, air cooling tube, and mechanical stirrer, and add 55.4 g of NMP. It was stirred under a nitrogen atmosphere to completely dissolve. After confirming dissolution, 3.75 g (15.00 mmol) of TC-2 was added, and reaction was performed at 60°C in a nitrogen atmosphere for 3 hours. The temperature was returned to room temperature, 2.82 g (14.40 mmol) of TC-1 was added, and reaction was performed at 40°C under a nitrogen atmosphere for 12 hours. The polymerization viscosity was confirmed, TC-1 was further added so that the polymerization viscosity was 1000 mPa·s, and a polymerization solution with a polyamic acid concentration of 20% by mass was obtained.

마그네틱 스터러를 구비한 200ml의 삼각 플라스크에, 상기에서 얻어진 폴리아믹산 용액 60g을 재어 취하고, NMP를 111.4g 첨가하여, 7 질량%의 용액을 조제하고, 교반하면서 무수초산을 8.36g(81.2mmol), 피리딘을 3.65g(46.1mmol) 첨가하여, 실온에서 30분 교반 후, 55℃에서 3시간 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 용액을 실온으로 되돌려, 500ml의 메타놀 중에 교반하면서 이 반응 용액을 붓고, 고체를 석출시켰다. 고체를 여과에 의해 회수하고, 추가로 300ml의 메타놀 중에 고체를 투입해 30분간 교반 세정을 총 2회 행하고, 고체를 여과에 의해 회수하여, 풍건을 행한 후, 진공 오븐 60℃에서 건조를 행함으로써 수 평균 분자량 Mn은 12900, 중량 평균 분자량 Mw는 31000, 이미드화율이 51%인 폴리이미드(PI-3)를 얻었다.In a 200 ml Erlenmeyer flask equipped with a magnetic stirrer, 60 g of the polyamic acid solution obtained above was weighed, 111.4 g of NMP was added to prepare a 7 mass% solution, and 8.36 g (81.2 mmol) of acetic anhydride was added while stirring. , 3.65 g (46.1 mmol) of pyridine was added, stirred at room temperature for 30 minutes, and then stirred at 55°C for 3 hours to react. After completion of the reaction, the solution was returned to room temperature, and the reaction solution was poured into 500 ml of methanol while stirring to precipitate a solid. The solid was recovered by filtration, the solid was added into 300 ml of methanol, and washed with stirring for 30 minutes twice in total. The solid was recovered by filtration, air dried, and then dried in a vacuum oven at 60°C. Polyimide (PI-3) was obtained with a number average molecular weight Mn of 12900, a weight average molecular weight Mw of 31000, and an imidization rate of 51%.

라디칼 발생막 형성 조성물: AL1의 조제Radical generating film-forming composition: Preparation of AL1

마그네틱 스터러를 구비한 50ml 삼각 플라스크에, 합성예 1에서 얻어진 폴리이미드 분말(PI-1)을 2.0g 재어 취하고, NMP를 18.0g 첨가해 50℃에서 교반하여, 완전히 용해시켰다. 또한 NMP를 6.7g, BCS를 6.7g 첨가하고, 추가로 3시간 교반함으로써 본 발명에 관한 라디칼 발생막 형성 조성물: AL1(고형분: 6.0 질량%, NMP: 66 질량%, BCS: 30 질량%)을 얻었다.In a 50 ml Erlenmeyer flask equipped with a magnetic stirrer, 2.0 g of the polyimide powder (PI-1) obtained in Synthesis Example 1 was weighed, 18.0 g of NMP was added, and the mixture was stirred at 50°C to completely dissolve. Additionally, 6.7 g of NMP and 6.7 g of BCS were added and stirred for an additional 3 hours to obtain a radical generating film-forming composition according to the present invention: AL1 (solid content: 6.0 mass%, NMP: 66 mass%, BCS: 30 mass%). got it

라디칼 발생막 형성 조성물: AL2의 조제Preparation of radical-generating film-forming composition: AL2

마그네틱 스터러를 구비한 50ml 삼각 플라스크에, 합성예 2에서 얻어진 폴리이미드 분말(PI-2)을 2.0g 재어 취하고, NMP를 18.0g 첨가해 50℃에서 교반하여, 완전히 용해시켰다. 또한 NMP를 6.7g, BCS를 6.7g 첨가하고, 추가로 3시간 교반함으로써 본 발명에 관한 라디칼 발생막 형성 조성물: AL2(고형분: 6.0 질량%, NMP: 66 질량%, BCS: 30 질량%)를 얻었다.In a 50 ml Erlenmeyer flask equipped with a magnetic stirrer, 2.0 g of the polyimide powder (PI-2) obtained in Synthesis Example 2 was weighed, 18.0 g of NMP was added, and the mixture was stirred at 50°C to completely dissolve. Additionally, 6.7 g of NMP and 6.7 g of BCS were added and stirred for an additional 3 hours to obtain a radical generating film-forming composition according to the present invention: AL2 (solid content: 6.0 mass%, NMP: 66 mass%, BCS: 30 mass%). got it

비(非)라디칼 발생막 형성 조성물: AL3의 조제Non-radical generating film-forming composition: Preparation of AL3

마그네틱 스터러를 구비한 50ml 삼각 플라스크에, 합성예 3에서 얻어진 폴리이미드 분말(PI-3)을 2.0g 재어 취하고, NMP를 18.0g 첨가해 50℃에서 교반하여, 완전히 용해시켰다. 또한 NMP를 6.7g, BCS를 6.7g 첨가하고, 추가로 3시간 교반함으로써 비교 대상으로 하는 비라디칼 발생막 형성 조성물: AL3(고형분: 6.0 질량%, NMP: 66 질량%, BCS: 30 질량%)를 얻었다.In a 50 ml Erlenmeyer flask equipped with a magnetic stirrer, 2.0 g of the polyimide powder (PI-3) obtained in Synthesis Example 3 was weighed, 18.0 g of NMP was added, and the mixture was stirred at 50°C to completely dissolve. Additionally, 6.7 g of NMP and 6.7 g of BCS were added and stirred for an additional 3 hours to obtain a non-radical generating film-forming composition for comparison: AL3 (solid content: 6.0 mass%, NMP: 66 mass%, BCS: 30 mass%). got it

[표 1][Table 1]

[표 2][Table 2]

<액정 표시 소자의 제작><Manufacturing of liquid crystal display elements>

상기에서 얻은 AL1∼AL3 및 수평 배향용의 액정 배향제인 SE-6414(닛산 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조)를 이용하여, 표 3에 나타내는 구성으로 액정 표시 소자를 제작했다.A liquid crystal display element was produced with the structure shown in Table 3 using AL1 to AL3 obtained above and SE-6414 (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.), which is a liquid crystal aligning agent for horizontal alignment.

[표 3][Table 3]

(제 1 기판)(First substrate)

제 1 기판(이후 IPS 기판이라고도 한다)은, 30mm×35mm의 크기이고, 두께가 0.7mm인 무알칼리 유리 기판이다. 기판 상에는 전극 폭이 10㎛, 전극과 전극의 간격이 10㎛인 빗살형 패턴을 구비한 ITO(Indium-Tin-Oxide) 전극이 형성되어, 화소를 형성하고 있다. 각 화소의 사이즈는, 세로 10mm이고 가로 약 5mm이다.The first substrate (hereinafter also referred to as the IPS substrate) is an alkali-free glass substrate with a size of 30 mm x 35 mm and a thickness of 0.7 mm. On the substrate, an ITO (Indium-Tin-Oxide) electrode having a comb-shaped pattern with an electrode width of 10 μm and a spacing between electrodes of 10 μm is formed to form a pixel. The size of each pixel is 10 mm vertically and approximately 5 mm horizontally.

AL1∼AL3 또는 SE-6414는, 1.0㎛의 필터로 여과한 후, 상기 IPS 기판의 전극 형성면에 스핀 코트법으로 도포하고, 80℃의 핫플레이트 상에서 1분간 건조시켰다. 이어서, AL1∼AL3는 150℃에서 20분간, SE-6414는 220℃에서 20분 소성하여, 각각 막 두께 100nm의 도막으로 했다.AL1 to AL3 or SE-6414 were filtered through a 1.0 μm filter, then applied to the electrode formation surface of the IPS substrate by spin coating and dried on a hot plate at 80°C for 1 minute. Next, AL1 to AL3 were fired at 150°C for 20 minutes, and SE-6414 was fired at 220°C for 20 minutes to obtain a coating film with a film thickness of 100 nm.

러빙 처리 「있음」에서는, 러빙 방향이 빗살 전극과 평행이 되도록 러빙했다. 러빙은 요시카와 가코 제조의 레이온포: YA-20R을 이용하고, 롤 지름 120mm, 회전수 300rpm, 이동 속도 50mm/sec, 누름량 0.4mm의 조건에서 행하였다. 단, SE-6414를 도포한 막만 상기의 회전수를 1000rpm으로 했다. 러빙 처리 후는, 순수(純水) 중에서 1분간 초음파 조사를 행하고, 80℃에서 10분간 건조했다.In the rubbing treatment “with”, rubbing was performed so that the rubbing direction was parallel to the comb electrode. Rubbing was performed using rayon fabric: YA-20R manufactured by Yoshikawa Kako under the conditions of a roll diameter of 120 mm, a rotation speed of 300 rpm, a moving speed of 50 mm/sec, and a pressing amount of 0.4 mm. However, only for the film coated with SE-6414, the rotation speed was set to 1000 rpm. After the rubbing treatment, ultrasonic irradiation was performed for 1 minute in pure water and dried at 80°C for 10 minutes.

(제 2 기판)(second substrate)

제 2 기판(이면(裏面) ITO 기판이라고도 한다)은, 30mm×35mm의 크기이고, 두께가 0.7mm인 무알칼리 유리 기판이며, 이면(셀의 외측을 향하는 면)에 ITO 막이 성막되어 있다. 또, 표면(셀의 내측을 향하는 면)에는 높이 4㎛의 기둥 형상의 스페이서가 형성되어 있다.The second substrate (also called back ITO substrate) is an alkali-free glass substrate with a size of 30 mm x 35 mm and a thickness of 0.7 mm, and an ITO film is formed on the back side (the side facing the outside of the cell). Additionally, a column-shaped spacer with a height of 4 μm is formed on the surface (the surface facing the inside of the cell).

AL1, AL2 또는 SE-6414는, 1.0㎛의 필터로 여과한 후, 상기 IPS 기판의 전극 형성면에 스핀 코트법으로 도포하고, 80℃의 핫플레이트 상에서 1분간 건조시켰다. 이어서, AL1, AL2는 150℃에서 20분간, SE-6414는 220℃에서 20분 소성하여, 각각 막 두께 100nm의 도막으로 한 후, 러빙 처리를 행하였다. 러빙 처리는, 요시카와 가코 제조의 레이온포: YA-20R을 이용하고, 롤 지름 120mm, 회전수 1000rpm, 이동 속도 50mm/sec, 누름량 0.4mm의 조건에서 러빙을 행하였다. 단, AL1 또는 AL2를 도포한 막은 상기의 회전수를 300rpm으로 했다. 러빙 처리 후는, 순수 중에서 1분간 초음파 조사를 행하고, 80℃에서 10분간 건조했다.AL1, AL2 or SE-6414 was filtered through a 1.0 μm filter, then applied to the electrode formation surface of the IPS substrate by spin coating and dried on a hot plate at 80°C for 1 minute. Next, AL1 and AL2 were baked at 150°C for 20 minutes, and SE-6414 was baked at 220°C for 20 minutes to form a coating film with a film thickness of 100 nm, followed by rubbing treatment. The rubbing treatment was performed using rayon fabric: YA-20R manufactured by Yoshikawa Kako under the conditions of a roll diameter of 120 mm, a rotation speed of 1000 rpm, a moving speed of 50 mm/sec, and a pressing amount of 0.4 mm. However, for the film coated with AL1 or AL2, the rotation speed was set to 300 rpm. After the rubbing treatment, ultrasonic irradiation was performed for 1 minute in pure water and dried at 80°C for 10 minutes.

(액정 셀의 제작)(Production of liquid crystal cell)

상기 액정 배향막 부착의 2종류의 기판(제 1 기판 및 제 2 기판)을 이용하고, 액정 주입구를 남기고 주위를 시일하여, 셀 갭이 약 4㎛인 빈(空) 셀을 제작했다. 이때, 제 1 기판을 러빙 처리하지 않은 경우는, 제 1 기판의 빗살 전극의 방향과 제 2 기판의 러빙 방향이 평행이 되도록 조합하고, 제 1 기판을 러빙 처리한 경우는, 제 1 기판과 제 2 기판의 러빙 방향이 역평행이 되도록 조합했다.Using the above-mentioned two types of substrates with a liquid crystal alignment film (a first substrate and a second substrate), the surrounding area was sealed leaving a liquid crystal injection port, and an empty cell with a cell gap of about 4 μm was produced. At this time, when the first substrate is not subjected to a rubbing treatment, the direction of the comb electrode of the first substrate is combined so that the rubbing direction of the second substrate is parallel, and when the first substrate is subjected to a rubbing treatment, the first substrate and the second substrate are combined. The two substrates were combined so that the rubbing directions were antiparallel.

이 빈 셀에, 액정(머크사 제조 MLC-3019에 HMA를 10wt% 첨가한 것)을 상온에서 진공 주입한 후, 주입구를 밀봉하여 액정 셀로 했다. 얻어진 액정 셀은, IPS 모드 액정 표시 소자를 구성한다. 그 후, 얻어진 액정 셀을 120℃에서 20분 가열 처리를 행하였다.A liquid crystal (MLC-3019 manufactured by Merck & Co., Ltd. with 10 wt% of HMA added) was vacuum-injected into this empty cell at room temperature, and then the injection port was sealed to form a liquid crystal cell. The obtained liquid crystal cell constitutes an IPS mode liquid crystal display element. After that, the obtained liquid crystal cell was subjected to heat treatment at 120°C for 20 minutes.

UV 처리 있음에서는, 고압 수은 램프를 이용해 파장 313nm의 밴드 패스 필터를 개재하여 노광량이 1000mJ이 되도록 액정 셀에 자외선을 조사했다.With UV treatment, the liquid crystal cell was irradiated with ultraviolet rays using a high-pressure mercury lamp through a band-pass filter with a wavelength of 313 nm so that the exposure amount was 1000 mJ.

<액정 배향성의 평가><Evaluation of liquid crystal orientation>

크로스 니콜로 세트한 편광판을 이용하여 액정 셀의 배향성을 확인했다. 결함 없이 배향하고 있는 것은 ○, 경미한 배향 결함이 있는 것은 △, 배향하고 있지 않은 것은 ×로 했다.The orientation of the liquid crystal cell was confirmed using a polarizer set with Cross Nicol. Those that were oriented without defects were rated ○, those with slight orientation defects were rated △, and those that were not oriented were rated ×.

<V-T 커브의 측정과 구동 역치 전압, 휘도 최대 전압 평가><Measurement of V-T curve and evaluation of driving threshold voltage and maximum luminance voltage>

광축이 맞도록 백색 LED 백라이트와 휘도계를 세트하고, 그 사이에, 휘도가 가장 작아지도록 편광판을 부착한 액정 셀(액정 표시 소자)을 세트하여, 1V 간격으로 8V까지 전압을 인가하고, 전압에 있어서의 휘도를 측정함으로써 V-T 커브의 측정을 행하였다. 얻어진 V-T 커브로부터 구동 역치 전압과 휘도가 최대가 되는 전압의 값을 어림잡았다.A white LED backlight and a luminance meter are set so that the optical axes are aligned, and in between, a liquid crystal cell (liquid crystal display element) with a polarizer attached so that the luminance is the lowest is set, and a voltage of up to 8 V is applied at 1 V intervals. The V-T curve was measured by measuring the luminance. From the obtained V-T curve, the driving threshold voltage and the voltage at which luminance is maximum were estimated.

<액정 표시의 응답 속도의 평가><Evaluation of response speed of liquid crystal display>

상기 V-T 커브의 측정에서 사용한 장치를 이용하고, 휘도계를 오실로스코프에 접속하여, 최대 휘도가 되는 전압을 인가했을 때의 응답 속도(Ton) 및 전압을 0으로 했을 때의 응답 속도(Toff)를 측정했다.Using the device used to measure the V-T curve above, connect the luminance meter to an oscilloscope and measure the response speed (Ton) when the voltage that reaches the maximum luminance is applied and the response speed (Toff) when the voltage is set to 0. did.

[표 4][Table 4]

이면 ITO 기판(제 2 기판)측에 러빙 처리한 수평 배향막을 사용한 Cell-1∼Cell-20의 비교에 있어서, IPS 기판(제 1 기판)측에 라디칼 발생막을 사용하고 또한 UV 처리한 Cell-11, Cell-12, Cell-16 및 Cell-17은, 액정의 배향성이 양호하고 또한 구동 역치 전압이나 휘도 최대 전압이 저하하고 있는 것이 확인되었다. 또, 라디칼 발생막을 러빙 처리하지 않은 Cell-11 및 Cell-12에서는 Toff의 값이 증대하고 있는 것에 비해, 라디칼 발생막을 러빙 처리한 Cell-16 및 Cell-17에서는 이 Toff 값의 증대가 크게 개선되어 있는 것이 확인되었다.In comparing Cell-1 to Cell-20 using a horizontal alignment film rubbed on the back ITO substrate (second substrate) side, Cell-11 using a radical generating film on the IPS substrate (first substrate) side and UV treatment. , Cell-12, Cell-16, and Cell-17 were confirmed to have good liquid crystal orientation and that the driving threshold voltage and maximum luminance voltage were decreasing. In addition, while the Toff value increased in Cell-11 and Cell-12 where the radical generating film was not rubbed, the increase in Toff value was greatly improved in Cell-16 and Cell-17 where the radical generating film was rubbed. It has been confirmed that it exists.

상기에 더하여 보완적인 실험으로서, AL1을 이면 ITO 기판(제 2 기판)과 IPS 기판(제 1 기판) 양쪽에 이용하고 또한 제 1 기판, 제 2 기판 모두 러빙 처리하지 않은 액정 셀을 작성했다. 이 액정 셀은, UV 조사 전에 있어서 액정 주입 시의 유동 방향을 따르는 배향 결함 및 휘점(유동 배향)이 관찰되었지만, UV 조사 후에는 유동 배향이 완전히 소실하여, 액정 유래의 도메인(슐리렌)이 확인되었다. 이것으로부터 라디칼 발생막과 중합성 화합물이 들어간 액정을 병용한 경우, UV를 조사함으로써 당해 라디칼 발생막은 액정 배향 규제력을 잃어, 당해 라디칼 발생막 상에 제로면 앵커링막이 형성되는 것이 시사되었다.As a supplementary experiment in addition to the above, a liquid crystal cell was created in which AL1 was used on both the back ITO substrate (second substrate) and the IPS substrate (first substrate), and neither the first nor the second substrate was subjected to rubbing treatment. In this liquid crystal cell, before UV irradiation, alignment defects and bright points (flow orientation) along the flow direction at the time of liquid crystal injection were observed, but after UV irradiation, the flow orientation completely disappeared, and domains (schlieren) derived from the liquid crystal were confirmed. It has been done. From this, it was suggested that when a radical generating film and a liquid crystal containing a polymerizable compound are used together, the radical generating film loses its ability to regulate liquid crystal orientation by irradiating UV, and a zero-plane anchoring film is formed on the radical generating film.

또, 액정 셀 Cell-21∼Cell-24의 비교에 있어서는, UV 조사하지 않은 Cell-21 및 Cell-23은 러빙 방향으로의 1축 배향성을 나타냈지만, UV 조사를 행한 Cell-22 및 Cell-24는 무배향 상태로 바뀌어 액정의 도메인(슐리렌)이 발생했다. 이것으로부터 라디칼 발생막을 러빙한 경우라도, UV를 조사함으로써 당해 라디칼 발생막 상에 제로면 앵커링막이 형성되는 것이 시사되었다.In addition, in the comparison of liquid crystal cells Cell-21 to Cell-24, Cell-21 and Cell-23 without UV irradiation showed uniaxial orientation in the rubbing direction, but Cell-22 and Cell-24 with UV irradiation showed uniaxial orientation in the rubbing direction. changed to an unoriented state, generating a liquid crystal domain (schlieren). This suggests that even when the radical generating film is rubbed, a zero-plane anchoring film is formed on the radical generating film by irradiating UV.

단, Cell-22 및 Cell-24를 크로스 니콜하에서 회전시키면서 관찰하면, 약간이지만 명암의 변화가 발생한 것으로부터, 이 제로면 앵커링막은 배향 규제력이 전혀 없는 상태는 아니지만, 그 규제력은 액정끼리의 분자간력보다도 약하고, 이 규제력만으로는 액정 분자를 어느 방향으로도 1축 배향시키고 있지 않은 것이 시사된다. 이것으로부터, Cell-16 및 Cell-17에 있어서 Toff의 값이 크게 개선된 것은 상기의 약한 규제력이 작용한 것이 요인이라고 생각된다.However, when observing Cell-22 and Cell-24 while rotating them under cross nicols, a slight change in brightness and darkness occurred, indicating that this zero-plane anchoring film is not completely devoid of orientation regulating force, but that regulating force is due to the intermolecular force between liquid crystals. It is weaker than that, and it is suggested that this regulating force alone does not uniaxially align the liquid crystal molecules in any direction. From this, it is believed that the significant improvement in the Toff value in Cell-16 and Cell-17 is due to the weak regulatory force described above.

중합성 화합물 합성예 1Polymerizable Compound Synthesis Example 1

2-(헵타노일옥시메틸)아크릴산 에틸에스테르의 합성Synthesis of 2-(heptanoyloxymethyl)acrylic acid ethyl ester

[화학식 26][Formula 26]

Figure 112019133804902-pct00030
Figure 112019133804902-pct00030

제 1 공정: 2-히드록시메틸아크릴산 에틸에스테르의 합성Step 1: Synthesis of 2-hydroxymethylacrylic acid ethyl ester

질소 도입관을 부착한 500ml의 4구 플라스크에, 4-메톡시페놀 10mg, DABCO(1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄) 21.88g(195.1mmol)을 재어 취하고, 순수를 50ml 첨가하여, 질소 분위기하에서 10℃ 이하에서 교반하면서 파라포름알데히드 11.52g(390.1mmol)을 첨가하고, 1시간 교반했다. 슬러리 상태로부터 용액 상태로 변화한 것을 확인하고, 아세토니트릴을 300ml 첨가하고, 아크릴산에틸 19.53g(195.1mmol)을 적하하면서 첨가하여, 50℃에서 5시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 분액 로트로 반응 용액을 옮기고, n-헥산 50ml를 첨가했다. 3층으로 나누어진 것을 확인하고, 아래의 2층을 회수하여, 이 조작을 3회 행하였다. 또한 pH가 4∼5가 되도록 염산을 첨가하고, 초산에틸을 이용하여 추출을 행하였다. 추출한 용액에 무수황산마그네슘을 첨가하고 교반하여 건조시킨 후, 여과·농축을 행하여, 무색 투명의 오일상 액체 22.9g(175.6mmol, 수율 90%)을 얻었다. 구조는 핵자기 공명 스펙트럼(1H-NMR 스펙트럼)으로 목적물인 것을 확인했다. 측정 데이터를 이하에 나타낸다.In a 500 ml four-necked flask equipped with a nitrogen inlet tube, measure 10 mg of 4-methoxyphenol and 21.88 g (195.1 mmol) of DABCO (1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane), and add 50 ml of pure water. Then, 11.52 g (390.1 mmol) of paraformaldehyde was added while stirring at 10°C or lower in a nitrogen atmosphere, and the mixture was stirred for 1 hour. After confirming that the state had changed from a slurry state to a solution state, 300 ml of acetonitrile was added, 19.53 g (195.1 mmol) of ethyl acrylate was added dropwise, and reaction was carried out at 50°C for 5 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was transferred to a separation funnel, and 50 ml of n-hexane was added. After confirming that it was divided into three layers, the lower two layers were recovered and this operation was performed three times. Additionally, hydrochloric acid was added so that the pH was 4 to 5, and extraction was performed using ethyl acetate. Anhydrous magnesium sulfate was added to the extracted solution, stirred, dried, filtered and concentrated to obtain 22.9 g (175.6 mmol, yield 90%) of a colorless and transparent oily liquid. The structure was confirmed to be the target using a nuclear magnetic resonance spectrum ( 1H -NMR spectrum). The measurement data is shown below.

1H NMR (400MHz, CDCl3)δ: 6.81(1H), 5.80(1H), 4.31(2H), 4.17(1H), 1.98(1H), 0.93(3H) 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ: 6.81(1H), 5.80(1H), 4.31(2H), 4.17(1H), 1.98(1H), 0.93(3H)

제 2 공정: 2-(헵타노일옥시메틸)아크릴산 에틸에스테르의 합성Second process: Synthesis of 2-(heptanoyloxymethyl)acrylic acid ethyl ester

질소 도입관을 부착한 500ml의 4구 플라스크에, 상기 방법으로 얻어진 2-히드록시메틸아크릴산을 19.9g(152.9mmol) 재어 취하고, THF 300ml, 트리에틸아민 23.2g(229.3mmol)을 첨가하고, 질소 분위기하 10℃ 이하로 유지하면서 헵타노일클로리드 25.0g(168.2mmol)을 적하하면서 첨가하여, 6시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 석출한 트리에틸아민 염산염을 여과하여 제거하고, 반응 용액을 농축시키고, 초산에틸 300ml로 재용해시켜, 10% 탄산칼륨 수용액 100ml로 3회 세정하고, 순수 50ml로 3회 세정하여, 무수황산마그네슘으로 건조시킨 후, 여과·농축을 행하여 연노랑의 점체(粘體)를 얻었다. 추가로 플래시 컬럼 크로마토그래피(전개 용매: 초산에틸:n-헥산=20:80)로 정제하고, 용매 제거·진공 건조를 행함으로써 무색 투명의 오일상 액체 32.2g(133.0mmol: 수율 87%)을 얻었다. 구조는 핵자기 공명 스펙트럼(1H-NMR 스펙트럼)으로 목적물인 것을 확인했다. 측정 데이터를 이하에 나타낸다.In a 500 ml four-necked flask equipped with a nitrogen inlet tube, 19.9 g (152.9 mmol) of 2-hydroxymethylacrylic acid obtained by the above method was measured, 300 ml of THF and 23.2 g (229.3 mmol) of triethylamine were added, and nitrogen was added. While maintaining the temperature below 10°C under an atmosphere, 25.0 g (168.2 mmol) of heptanoyl chloride was added dropwise and allowed to react for 6 hours. After completion of the reaction, the precipitated triethylamine hydrochloride was removed by filtration, the reaction solution was concentrated, re-dissolved in 300 ml of ethyl acetate, washed three times with 100 ml of 10% potassium carbonate aqueous solution, and three times with 50 ml of pure water. After drying with anhydrous magnesium sulfate, it was filtered and concentrated to obtain a light yellow viscous body. It was further purified by flash column chromatography (developing solvent: ethyl acetate: n-hexane = 20:80), and the solvent was removed and vacuum dried to obtain 32.2 g (133.0 mmol: yield 87%) of a colorless, transparent oily liquid. got it The structure was confirmed to be the target using a nuclear magnetic resonance spectrum ( 1H -NMR spectrum). The measurement data is shown below.

1H NMR (400MHz, CDCl3)δ: 6.37(1H), 5.80(1H), 3.80(2H), 4.23-4.21(2H), 2.39-2.37(2H), 1.64-1.58(2H), 1.30-1.27(9H), 0.86(3H) 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ: 6.37(1H), 5.80(1H), 3.80(2H), 4.23-4.21(2H), 2.39-2.37(2H), 1.64-1.58(2H), 1.30-1.27 (9H), 0.86(3H)

중합성 화합물 합성예 2Polymerizable Compound Synthesis Example 2

2-(헵타노일옥시메틸)아크릴산 부틸에스테르의 합성Synthesis of 2-(heptanoyloxymethyl)acrylic acid butyl ester

[화학식 27][Formula 27]

Figure 112019133804902-pct00031
Figure 112019133804902-pct00031

제 1 공정: 2-히드록시메틸아크릴산 부틸에스테르의 합성Step 1: Synthesis of 2-hydroxymethylacrylic acid butyl ester

상기 제 1 공정과 마찬가지의 조작으로, 에틸아크릴레이트를 부틸아크릴레이트로 변경하고 합성을 행하여, 무색 투명의 오일 24.3g을 얻었다(26.2g: 수율 85%). 구조는 핵자기 공명 스펙트럼(1H-NMR 스펙트럼)으로 목적물인 것을 확인했다. 측정 데이터를 이하에 나타낸다.In the same operation as the first step, ethyl acrylate was replaced with butyl acrylate and synthesis was performed, and 24.3 g of a colorless and transparent oil was obtained (26.2 g: yield 85%). The structure was confirmed to be the target using a nuclear magnetic resonance spectrum ( 1H -NMR spectrum). The measurement data is shown below.

1H NMR (400MHz, CDCl3)δ: 6.81(1H), 5.80(1H), 4.31(2H), 4.17(1H), 1.98(1H), 1.67-1.64(2H), 1.42-1.38(2H), 0.93(3H)  1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ: 6.81(1H), 5.80(1H), 4.31(2H), 4.17(1H), 1.98(1H), 1.67-1.64(2H), 1.42-1.38(2H), 0.93(3H)

제 2 공정: 2-(헵타노일옥시메틸)아크릴산 부틸에스테르의 합성Second process: Synthesis of 2-(heptanoyloxymethyl)acrylic acid butyl ester

상기 제 2 공정의 2-히드록시메틸아크릴산을 상기 방법으로 얻어진 2-((헵타노일옥시)메틸)아크릴산 부틸에스테르로 변경하고, 마찬가지의 조작으로 합성을 행하여, 무색 투명의 오일상 액체 34.2g(126.7: 수율 82.8%)을 얻었다. 구조는 핵자기 공명 스펙트럼(1H-NMR 스펙트럼)으로 목적물인 것을 확인했다. 측정 데이터를 이하에 나타낸다.2-Hydroxymethyl acrylic acid in the second step was changed to 2-((heptanoyloxy)methyl)acrylic acid butyl ester obtained by the above method, and the synthesis was performed in the same manner to obtain 34.2 g of a colorless and transparent oily liquid ( 126.7: Yield 82.8%) was obtained. The structure was confirmed to be the target using a nuclear magnetic resonance spectrum ( 1H -NMR spectrum). The measurement data is shown below.

1H NMR (400MHz, CDCl3)δ: 6.36(1H), 5.81(1H), 4.80(2H), 4.19-4.16(2H), 2.35-2.31(2H), 1.64-1.58(4H), 1.40-1.25(8H), 0.96-0.83(6H) 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ: 6.36(1H), 5.81(1H), 4.80(2H), 4.19-4.16(2H), 2.35-2.31(2H), 1.64-1.58(4H), 1.40-1.25 (8H), 0.96-0.83(6H)

중합성 화합물 합성예 3Polymerizable Compound Synthesis Example 3

이타콘산디헥실의 합성Synthesis of dihexyl itaconate

[화학식 28][Formula 28]

딘스타크관을 부착한 4구 플라스크에, 이타콘산 23.8g(182.9mmol), 1-헥사놀 35.5g(347.5mmol)을 재어 취하고, 시클로헥산 500ml, 농황산 0.9g(9.1mmol), 디부틸히드록시톨루엔(BHT) 0.04g(1.82mmol)을 첨가하고, 질소 분위기로 하여, 110℃에서 24시간 탈수 축합 반응시켰다. 반응 종료 후, 반응 용액에 n-헥산을 100ml 첨가하고, 10% 탄산나트륨 수용액 100g으로 3회, 순수 100ml로 3회 세정하여, 무수황산마그네슘으로 건조시켰다. 여과·농축 후 진공 건조시킴으로써 무색 투명의 오일상 액체 48.6g(162.8mmol: 수율 89%)을 얻었다. 구조는 핵자기 공명 스펙트럼(1H-NMR 스펙트럼)으로 목적물인 것을 확인했다. 측정 데이터를 이하에 나타낸다.In a four-necked flask equipped with a Dean-Stark tube, measure 23.8 g (182.9 mmol) of itaconic acid, 35.5 g (347.5 mmol) of 1-hexanol, 500 ml of cyclohexane, 0.9 g (9.1 mmol) of concentrated sulfuric acid, and dibutyl hydroxyl. 0.04 g (1.82 mmol) of toluene (BHT) was added, and a dehydration condensation reaction was performed at 110°C for 24 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, 100 ml of n-hexane was added to the reaction solution, washed three times with 100 g of 10% aqueous sodium carbonate solution and three times with 100 ml of pure water, and dried over anhydrous magnesium sulfate. After filtration and concentration, vacuum drying was performed to obtain 48.6 g (162.8 mmol: yield 89%) of a colorless and transparent oily liquid. The structure was confirmed to be the target using a nuclear magnetic resonance spectrum ( 1H -NMR spectrum). The measurement data is shown below.

1H NMR (400MHz, CDCl3)δ: 6.30(1H), 5.65(1H), 4.20-4.00(4H), 3.32(2H), 1.64-1.58(4H), 1.40-1.25(12H), 0.96-0.83(6H) 1H NMR (400MHz, CDCl 3 )δ: 6.30(1H), 5.65(1H), 4.20-4.00(4H), 3.32(2H), 1.64-1.58(4H), 1.40-1.25(12H), 0.96-0.83 (6H)

(액정 셀의 제작)(Production of liquid crystal cell)

상기 (액정 셀의 작성)에 준하여 빈 셀을 작성한 후, 이 빈 셀에, 액정 조성물 LC-1∼LC-4(머크사 제조 MLC-3019에 상기 중합성 화합물을 각각의 최적량으로 첨가한 것)를, 실온하에서 약 300Pa 정도의 진공도로 진공 주입을 행한 것과, 1Pa 정도의 진공도로 1시간 탈기를 행한 후 진공 주입한 것을 작성하고, 주입구를 밀봉하여 액정 셀로 했다. 얻어진 액정 셀은, IPS 모드 액정 표시 소자를 구성한다. 그 후, 얻어진 액정 셀을 120℃에서 10분 가열 처리를 행하였다. 그 다음은, 상기와 마찬가지로 시험을 행하였다.After creating an empty cell according to the above (creation of a liquid crystal cell), the above polymerizable compound was added to the empty cell in an optimal amount of liquid crystal compositions LC-1 to LC-4 (MLC-3019 manufactured by Merck & Co., Ltd.). ), one was vacuum injected at a vacuum degree of about 300 Pa at room temperature, and the other was vacuum injected after degassing for 1 hour at a vacuum degree of about 1 Pa, and the injection port was sealed to make a liquid crystal cell. The obtained liquid crystal cell constitutes an IPS mode liquid crystal display element. After that, the obtained liquid crystal cell was subjected to heat treatment at 120°C for 10 minutes. Next, a test was performed in the same manner as above.

또한, 액정 조성물 LC-1∼LC-4는, MLC-3019에, 하기의 표에 기재한 중합성 화합물을, 하기의 도입량으로 첨가한 것이다.In addition, liquid crystal compositions LC-1 to LC-4 are obtained by adding the polymerizable compounds listed in the table below to MLC-3019 in the amounts introduced below.

[표 5][Table 5]

<배향성의 평가 결과><Evaluation results of orientation>

[표 6][Table 6]

IDBu와 IDHex를 도입한 액정(LC-1, LC-2) 및 C2C6와 C4C6를 도입한 액정은 비교적 높은 진공도로 행한 경우에 있어서도 매우 양호한 배향성을 나타냈다.Liquid crystals incorporating IDBu and IDHex (LC-1, LC-2) and liquid crystals incorporating C2C6 and C4C6 showed very good orientation even when carried out at a relatively high degree of vacuum.

<전기-광학 특성의 평가 결과><Evaluation results of electro-optical properties>

다음으로, 상기에서 제로 앵커링 배향한 액정을 이용한 셀 중, 라디칼 발생막을 러빙하지 않은 것으로 한 것의 구동 역치 전압, 최대 휘도 시의 전압, 응답 속도를 정리한 것을 이하에 나타낸다.Next, the driving threshold voltage, voltage at maximum luminance, and response speed of the cells using the liquid crystal with the zero anchoring orientation described above in which the radical generating film is not rubbed are summarized below.

[표 7][Table 7]

중합성 화합물을 이용한 경우, 러빙 처리의 유무에 관계없이 구동 전압의 저하가 확인되어, 러빙 처리를 행함으로써 응답 속도도 향상되는 경향이 보였다.When a polymerizable compound was used, a decrease in driving voltage was confirmed regardless of the presence or absence of rubbing treatment, and the response speed also tended to improve by performing rubbing treatment.

따라서, 중합성 화합물은 고진공하에서의 제로 앵커링화와 러빙에 의한 응답 속도 향상의 효과를 동시에 얻을 수 있는 것을 알았다.Therefore, it was found that the polymerizable compound can simultaneously achieve zero anchoring under high vacuum and the effect of improving response speed by rubbing.

산업상 이용가능성Industrial applicability

본 발명에 의하면, 제로면 앵커링막을 염가의 원료로, 공업적으로, 수율 좋게 만들어 낼 수 있다. 또, 본 발명의 방법으로 얻어지는 액정 표시 소자는, PSA형 액정 디스플레이나 SC-PVA형 액정 디스플레이 등의 수직 배향 방식의 액정 표시 소자로서 유용하다.According to the present invention, a zero-surface anchoring film can be produced industrially with good yield from inexpensive raw materials. Additionally, the liquid crystal display element obtained by the method of the present invention is useful as a vertically aligned liquid crystal display element, such as a PSA type liquid crystal display or an SC-PVA type liquid crystal display.

Claims (24)

액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을, 라디칼 발생막에 접촉시킨 상태에서, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합 반응시키기에 충분한 에너지를 부여하는 스텝을 포함하고,
상기 라디칼 발생막이, 라디칼 중합을 유발하는 유기기가 고정화되어 이루어지는 막인, 제로면 앵커링막의 제조 방법.
A liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radically polymerizable compound is brought into contact with a radical generating film, and a step of providing sufficient energy to polymerize the radically polymerizable compound,
A method of producing a zero-plane anchoring film, wherein the radical generating film is a film formed by immobilizing an organic group that causes radical polymerization.
제 1 항에 있어서,
라디칼 발생막을 갖는 것은 제 1 기판이고, 그 라디칼 발생막이 1축 배향 처리된 라디칼 발생막인 방법.
According to claim 1,
A method in which the first substrate has a radical-generating film, and the radical-generating film is a uniaxially aligned radical-generating film.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
에너지를 부여하는 스텝을 무전계에서 행하는, 방법.
The method of claim 1 or 2,
A method of performing steps for imparting energy in a non-electrical field.
삭제delete 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 라디칼 발생막이, 라디칼을 발생시키는 기를 갖는 화합물과 중합체와의 조성물을 도포, 경화하여 막을 형성함으로써 막 중에 고정화시켜 얻어지는 것을 특징으로 하는 방법.
The method of claim 1 or 2,
A method characterized in that the radical generating film is obtained by applying and curing a composition of a polymer and a compound having a radical generating group to form a film, thereby immobilizing it in the film.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 라디칼 발생막이, 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 중합체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
The method of claim 1 or 2,
A method characterized in that the radical generating film is made of a polymer containing an organic group that induces radical polymerization.
제 6 항에 있어서,
상기 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 중합체가, 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 디아민을 포함하는 디아민 성분을 이용하여 얻어지는 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리우레아 및 폴리아미드로부터 선택되는 적어도 1종의 중합체인 것을 특징으로 하는 방법.
According to claim 6,
The polymer containing an organic group that causes radical polymerization is at least one selected from polyimide precursors, polyimides, polyureas, and polyamides obtained by using a diamine component containing a diamine containing an organic group that causes radical polymerization. A method characterized in that it is a polymer of.
제 1 항에 있어서,
상기 라디칼 중합을 유발하는 유기기가 하기 구조 [X-1]∼[X-18], [W], [Y], 및 [Z] 중 어느 하나로 표시되는 유기기로부터 선택되는, 방법:
[화학식 29]
Figure 112023135537014-pct00036

(식 [X-1]∼[X-18] 중, *는 화합물 분자의 중합성 반응기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, S1, S2는 각각 독립하여 -O-, -NR-, 또는 -S-를 나타내며, R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R1, R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.)
[화학식 30]
Figure 112023135537014-pct00037

(식 [W], [Y], [Z] 중, *는 화합물 분자의 중합성 반응기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, Ar은 유기기 및/또는 할로겐 원자를 치환기로서 가져도 되는 페닐렌, 나프틸렌 및 비페닐렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방향족 탄화수소기를 나타내며, R9 및 R10은, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R9과 R10이 알킬기인 경우, 말단에서 서로 결합하여 환구조를 형성하고 있어도 된다. Q는 하기의 구조 중 어느 하나로 표시되는 유기기로부터 선택된다:
[화학식 31]
Figure 112023135537014-pct00038

(식 중, R11은 -CH2-, -NR-, -O- 또는 -S-를 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기를 나타내며, *는 화합물 분자의 Q 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다.)
R12는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타낸다.).
According to claim 1,
A method wherein the organic group causing the radical polymerization is selected from organic groups represented by any of the following structures [X-1] to [X-18], [W], [Y], and [Z]:
[Formula 29]
Figure 112023135537014-pct00036

( In the formula [ or -S-, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, and R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a carbon number of 1. Represents an alkyl group of ~4.)
[Formula 30]
Figure 112023135537014-pct00037

(In the formulas [W], [Y], and [Z], * represents a bonding site with a portion other than the polymerizable reactive group of the compound molecule, and Ar represents phenylene which may have an organic group and/or a halogen atom as a substituent. , represents an aromatic hydrocarbon group selected from the group consisting of naphthylene and biphenylene, R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, and R 9 and R 10 In the case of this alkyl group, Q may be bonded to each other at the terminals to form a ring structure, and Q is selected from organic groups represented by any of the following structures:
[Formula 31]
Figure 112023135537014-pct00038

(In the formula, R 11 represents -CH 2 -, -NR-, -O- or -S-, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and * represents a group other than Q in the compound molecule. Indicates the binding site with the part.)
R 12 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms.)
제 6 항에 있어서,
상기 라디칼 중합을 유발하는 유기기가 하기 구조 [X-1]∼[X-18], [W], [Y], 및 [Z] 중 어느 하나로 표시되는 유기기로부터 선택되는, 방법:
[화학식 29]

(식 [X-1]∼[X-18] 중, *는 화합물 분자의 중합성 반응기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, S1, S2는 각각 독립하여 -O-, -NR-, 또는 -S-를 나타내며, R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R1, R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.)
[화학식 30]

(식 [W], [Y], [Z] 중, *는 화합물 분자의 중합성 반응기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, Ar은 유기기 및/또는 할로겐 원자를 치환기로서 가져도 되는 페닐렌, 나프틸렌 및 비페닐렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방향족 탄화수소기를 나타내며, R9 및 R10은, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R9과 R10이 알킬기인 경우, 말단에서 서로 결합하여 환구조를 형성하고 있어도 된다. Q는 하기의 구조 중 어느 하나로 표시되는 유기기로부터 선택된다:
[화학식 31]

(식 중, R11은 -CH2-, -NR-, -O- 또는 -S-를 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기를 나타내며, *는 화합물 분자의 Q 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다.)
R12는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타낸다.).
According to claim 6,
A method wherein the organic group causing the radical polymerization is selected from organic groups represented by any of the following structures [X-1] to [X-18], [W], [Y], and [Z]:
[Formula 29]

( In the formula [ or -S-, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, and R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a carbon number of 1. Represents an alkyl group of ~4.)
[Formula 30]

(In the formulas [W], [Y], and [Z], * represents a bonding site with a portion other than the polymerizable reactive group of the compound molecule, and Ar represents phenylene which may have an organic group and/or a halogen atom as a substituent. , represents an aromatic hydrocarbon group selected from the group consisting of naphthylene and biphenylene, R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, and R 9 and R 10 In the case of this alkyl group, Q may be bonded to each other at the terminals to form a ring structure, and Q is selected from organic groups represented by any of the following structures:
[Formula 31]

(In the formula, R 11 represents -CH 2 -, -NR-, -O- or -S-, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and * represents a group other than Q in the compound molecule. Indicates the binding site with the part.)
R 12 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms.)
제 7 항에 있어서,
상기 라디칼 중합을 유발하는 유기기가 하기 구조 [X-1]∼[X-18], [W], [Y], 및 [Z] 중 어느 하나로 표시되는 유기기로부터 선택되는, 방법:
[화학식 29]

(식 [X-1]∼[X-18] 중, *는 화합물 분자의 중합성 반응기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, S1, S2는 각각 독립하여 -O-, -NR-, 또는 -S-를 나타내며, R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R1, R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.)
[화학식 30]

(식 [W], [Y], [Z] 중, *는 화합물 분자의 중합성 반응기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, Ar은 유기기 및/또는 할로겐 원자를 치환기로서 가져도 되는 페닐렌, 나프틸렌 및 비페닐렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방향족 탄화수소기를 나타내며, R9 및 R10은, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R9과 R10이 알킬기인 경우, 말단에서 서로 결합하여 환구조를 형성하고 있어도 된다. Q는 하기의 구조 중 어느 하나로 표시되는 유기기로부터 선택된다:
[화학식 31]

(식 중, R11은 -CH2-, -NR-, -O- 또는 -S-를 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기를 나타내며, *는 화합물 분자의 Q 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다.)
R12는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타낸다.).
According to claim 7,
A method wherein the organic group causing the radical polymerization is selected from organic groups represented by any of the following structures [X-1] to [X-18], [W], [Y], and [Z]:
[Formula 29]

( In the formula [ or -S-, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, and R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a carbon number of 1. Represents an alkyl group of ~4.)
[Formula 30]

(In the formulas [W], [Y], and [Z], * represents a bonding site with a portion other than the polymerizable reactive group of the compound molecule, and Ar represents phenylene which may have an organic group and/or a halogen atom as a substituent. , represents an aromatic hydrocarbon group selected from the group consisting of naphthylene and biphenylene, R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, and R 9 and R 10 In the case of this alkyl group, Q may be bonded to each other at the terminals to form a ring structure, and Q is selected from organic groups represented by any of the following structures:
[Formula 31]

(In the formula, R 11 represents -CH 2 -, -NR-, -O- or -S-, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and * represents a group other than Q in the compound molecule. Indicates the binding site with the part.)
R 12 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms.)
제 7 항에 있어서,
상기 라디칼 중합을 유발하는 유기기를 함유하는 디아민이 하기 일반식 (6) 또는 하기 일반식 (7)로 표시되는 구조를 갖는 디아민인 것을 특징으로 하는 방법:
[화학식 32]

(식 (6) 중, R6는 단결합, -CH2-, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH2O-, -N(CH3)-, -CON(CH3)- 또는 -N(CH3)CO-를 나타내고,
R7은 단결합, 또는 비치환 또는 불소 원자에 의해 치환되어 있는 탄소수 1∼20의 알킬렌기를 나타내며, 상기 알킬렌기의 임의의 -CH2- 또는 -CF2-의 1 이상은, 각각 독립적으로 -CH=CH-, 2가의 탄소환 및 2가의 복소환으로부터 선택되는 기로 치환되어 있어도 되고, 또한, 다음에 열거하는 어느 한 기, 즉, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH- 또는 -NH-가 서로 인접하지 않는 것을 조건으로, 이들의 기로 치환되어 있어도 된다;
R8은, 하기 식 중 어느 하나로 표시되는 라디칼 중합 반응성기로부터 선택된다:
[화학식 33]

(식 [X-1]∼[X-18] 중, *는 화합물 분자의 라디칼 중합 반응성기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타내고, S1, S2는 각각 독립하여 -O-, -NR-, 또는 -S-를 나타내며, R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내고, R1, R2는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.))
[화학식 34]

(식 (7) 중, T1 및 T2는, 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH2O-, -N(CH3)-, -CON(CH3)- 또는 -N(CH3)CO-이고,
S는 단결합, 또는 비치환 또는 불소 원자에 의해 치환되어 있는 탄소수 1∼20의 알킬렌기를 나타내며, 상기 알킬렌기의 임의의 -CH2- 또는 -CF2-의 1 이상은, 각각 독립적으로 -CH=CH-, 2가의 탄소환 및 2가의 복소환으로부터 선택되는 기로 치환되어 있어도 되고, 또한, 다음에 열거하는 어느 한 기, 즉, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH- 또는 -NH-가 서로 인접하지 않는 것을 조건으로, 이들의 기로 치환되어 있어도 되며,
J는 하기 식 중 어느 하나로 표시되는 유기기로부터 선택되고,
[화학식 35]

(식 [W], [Y], [Z] 중, *는 T2와의 결합 개소를 나타내고, Ar은 유기기 및/또는 할로겐 원자를 치환기로서 가져도 되는 페닐렌, 나프틸렌 및 비페닐렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방향족 탄화수소기를 나타내고, R9 및 R10은, 각각 독립적으로, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타내며, Q는 하기의 구조 중 어느 하나로 표시되는 유기기로부터 선택된다:
[화학식 36]

(식 중, R11은 -CH2-, -NR-, -O- 또는 -S-를 나타내고, R은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기를 나타내며, *는 화합물 분자의 Q 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다.)
R12는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 탄소수 1∼10의 알콕시기를 나타낸다.)).
According to claim 7,
A method characterized in that the diamine containing an organic group that causes radical polymerization is a diamine having a structure represented by the following general formula (6) or the following general formula (7):
[Formula 32]

(In formula (6), R 6 is a single bond, -CH 2 -, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, -CH 2 O-, -N Represents (CH 3 )-, -CON(CH 3 )- or -N(CH 3 )CO-,
R 7 represents a single bond or an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with a fluorine atom, and one or more of the -CH 2 - or -CF 2 - of the alkylene group are each independently -CH=CH-, may be substituted with a group selected from a divalent carbocyclic ring and a divalent heterocycle, and may also be substituted with any of the groups listed below, that is, -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO -, -CONH- or -NH- may be substituted with these groups, provided that they are not adjacent to each other;
R 8 is selected from radical polymerization reactive groups represented by any of the following formulas:
[Formula 33]

(In the formula [ , or -S-, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, and R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a carbon number. Represents alkyl groups of 1 to 4.))
[Formula 34]

(In formula (7), T 1 and T 2 are each independently a single bond, -O-, -S-, -COO-, -OCO-, -NHCO-, -CONH-, -NH-, - CH 2 O-, -N(CH 3 )-, -CON(CH 3 )- or -N(CH 3 )CO-,
S represents a single bond or an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms that is unsubstituted or substituted with a fluorine atom, and one or more of any -CH 2 - or -CF 2 - of the alkylene group is each independently - CH = CH-, may be substituted with a group selected from a divalent carbocyclic ring and a divalent heterocycle, and may also be substituted with any of the groups listed below, namely -O-, -COO-, -OCO-, -NHCO- , -CONH- or -NH- may be substituted with these groups, provided that they are not adjacent to each other,
J is selected from organic groups represented by any of the following formulas,
[Formula 35]

(In the formulas [W], [Y], and [Z], * represents the bonding site with T 2 , and Ar represents phenylene, naphthylene, and biphenylene which may have an organic group and/or a halogen atom as a substituent. represents an aromatic hydrocarbon group selected from the group consisting of, R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms, and Q is selected from an organic group represented by any of the structures below. Selected:
[Formula 36]

(In the formula, R 11 represents -CH 2 -, -NR-, -O- or -S-, R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and * represents a group other than Q in the compound molecule. Indicates the binding site with the part.)
R 12 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkoxy group with 1 to 10 carbon atoms.)).
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 라디칼 중합성 화합물 중 적어도 1종이, 액정과 상용성을 갖는, 1분자 중에 1개의 중합성 반응기를 갖는 화합물인, 방법.
The method of claim 1 or 2,
A method wherein at least one of the radically polymerizable compounds is a compound that is compatible with liquid crystal and has one polymerizable reactive group per molecule.
제 12 항에 있어서,
상기 라디칼 중합성 화합물의 중합성 반응기가 이하의 구조로부터 선택되는, 방법:
[화학식 37]

(식 중, *는 화합물 분자의 중합성 반응기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다. Rb는 탄소수 2∼8의 직쇄 알킬기를 나타내고, E는 단결합, -O-, -NRc-, -S-, 에스테르 결합 및 아미드 결합으로부터 선택되는 결합기를 나타낸다. Rc는 수소 원자, 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.).
According to claim 12,
The method wherein the polymerizable reactive group of the radically polymerizable compound is selected from the following structures:
[Formula 37]

(In the formula, * represents a bonding site with a portion other than the polymerizable reactive group of the compound molecule. R b represents a straight-chain alkyl group having 2 to 8 carbon atoms, E represents a single bond, -O-, -NR c -, - (R c represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms).
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물에 있어서, 상기 라디칼 중합성 화합물을 중합시켜 얻어지는 폴리머의 Tg가 100℃ 이하의 것이 되는 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을 이용하는 것을 특징으로 하는 방법.
The method of claim 1 or 2,
In the liquid crystal composition containing the above liquid crystal and a radically polymerizable compound, a liquid crystal composition containing a radically polymerizable compound such that the Tg of the polymer obtained by polymerizing the radically polymerizable compound is 100°C or less is used. .
라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판과, 라디칼 발생막을 갖고 있어도 되는 제 2 기판을 준비하는 스텝으로서, 상기 라디칼 발생막이, 라디칼 중합을 유발하는 유기기가 고정화되어 이루어지는 막인, 스텝,
제 1 기판 상의 라디칼 발생막이 제 2 기판에 대향하도록 셀을 작성하는 스텝 및,
제 1 기판과 제 2 기판의 사이에, 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물을 충전하는 스텝을 포함하고,
제 1 항 또는 제 2 항에 기재한 방법을 이용하는 액정 셀의 제조 방법.
A step of preparing a first substrate having a radical generating film and a second substrate that may have a radical generating film, wherein the radical generating film is a film in which an organic group that causes radical polymerization is immobilized,
A step of creating a cell so that the radical generating film on the first substrate faces the second substrate;
A step of filling a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radically polymerizable compound between the first and second substrates,
A method for producing a liquid crystal cell using the method according to claim 1 or 2.
제 15 항에 있어서,
상기 제 2 기판이 라디칼 발생막을 갖지 않는 제 2 기판인 액정 셀의 제조 방법.
According to claim 15,
A method of manufacturing a liquid crystal cell, wherein the second substrate is a second substrate that does not have a radical generating film.
제 16 항에 있어서,
상기 제 2 기판이, 1축 배향성을 갖는 액정 배향막이 코팅된 기판인 것을 특징으로 하는 액정 셀의 제조 방법.
According to claim 16,
A method of manufacturing a liquid crystal cell, characterized in that the second substrate is a substrate coated with a liquid crystal alignment film having uniaxial orientation.
제 17 항에 있어서,
상기 1축 배향성을 갖는 액정 배향막이 수평 배향용의 액정 배향막인 것을 특징으로 하는 액정 셀의 제조 방법.
According to claim 17,
A method for producing a liquid crystal cell, wherein the liquid crystal alignment film having the uniaxial orientation is a liquid crystal alignment film for horizontal alignment.
제 15 항에 있어서,
상기 라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판이 빗살 전극을 갖는 기판인 액정 셀의 제조 방법.
According to claim 15,
A method of manufacturing a liquid crystal cell wherein the first substrate having the radical generating film is a substrate having a comb electrode.
라디칼 발생막을 갖는 제 1 기판, 및 라디칼 발생막을 갖고 있어도 되는 제 2 기판을 포함하며, 제 1 기판과 제 2 기판의 사이에, 액정 및 라디칼 중합성 화합물을 함유하는 액정 조성물이 충전되어 있는 액정 셀이고,
여기서 제 1 기판 상의 라디칼 발생막이 제 2 기판에 대향하도록 위치되며, 상기 라디칼 발생막이, 라디칼 중합을 유발하는 유기기가 고정화되어 이루어지는 막이고,
상기 라디칼 중합성 화합물 중 적어도 1종이, 액정과 상용성을 갖는, 1분자 중에 1개의 중합성 반응기를 갖는 화합물이며,
중합성 반응기가 이하의 구조로부터 선택되는, 액정 셀:
[화학식 38]

(식 중, *는 화합물 분자의 중합성 반응기 이외의 부분과의 결합 부위를 나타낸다. Rb는 탄소수 2∼8의 직쇄 알킬기를 나타내고, E는 단결합, -O-, -NRc-, -S-, 에스테르 결합 및 아미드 결합으로부터 선택되는 결합기를 나타낸다. Rc는 수소 원자, 또는 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.).
A liquid crystal cell comprising a first substrate having a radical generating film and a second substrate that may have a radical generating film, and between the first and second substrates being filled with a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a radically polymerizable compound. ego,
Here, the radical generating film on the first substrate is positioned to face the second substrate, and the radical generating film is a film in which an organic group that causes radical polymerization is immobilized,
At least one of the radically polymerizable compounds is a compound that is compatible with liquid crystal and has one polymerizable reactive group per molecule,
A liquid crystal cell wherein the polymerizable reactor is selected from the following structures:
[Formula 38]

(In the formula, * represents a bonding site with a portion other than the polymerizable reactive group of the compound molecule. R b represents a straight-chain alkyl group having 2 to 8 carbon atoms, E represents a single bond, -O-, -NR c -, - (R c represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms).
제 1 항 또는 제 2 항에 기재한 방법을 이용하여 얻어진 제로면 앵커링 상태를 만들어 내는 막을 이용하는 액정 표시 소자의 제조 방법.A method of manufacturing a liquid crystal display device using a film producing a zero plane anchoring state obtained using the method according to claim 1 or 2. 제 21 항에 기재한 방법을 이용하여 얻어진 액정 표시 소자.A liquid crystal display device obtained using the method described in claim 21. 제 22 항에 있어서,
제 1 기판 또는 제 2 기판이 전극을 갖는 액정 표시 소자.
According to claim 22,
A liquid crystal display device in which the first or second substrate has electrodes.
제 22 항에 있어서,
저전압 구동 횡전계 액정 표시 소자인 액정 표시 소자.
According to claim 22,
A liquid crystal display device, which is a low-voltage driven transverse electric field liquid crystal display device.
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