KR102684084B1

KR102684084B1 - 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 구동 방법

Info

Publication number: KR102684084B1
Application number: KR1020190173998A
Authority: KR
Inventors: 김태우; 김진원
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Filing date: 2019-12-24
Publication date: 2024-07-12

Abstract

본 발명의 실시예들은, 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 디스플레이 패널의 영역 별로 배치된 온도 센서로부터 측정된 온도 값에 기초하여 저온 구간에서 게이트 하이 전압을 하향 조정함으로써, 저온 구간에서 회로 소자의 특성치 저하로 인한 서브픽셀의 충전율 저하와 이로 이한 화질 이상을 방지할 수 있다. 또한, 고온 구간에서 서브픽셀의 특성치 센싱 결과에 따른 보상 값을 보상 값의 범위 내에서 하향 조정함으로써, 디스플레이 구동에 미치는 영향을 최소화하며 고온 구간에서 데이터 전압의 조절에 따른 디스플레이 패널의 온도 조절을 용이하게 수행할 수 있다.

Description

디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 구동 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE DISPLAY DEVICE}

본 발명의 실시예들은, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 구동 방법에 관한 것이다.

정보화 사회가 발전함에 따라, 화상을 표시하는 디스플레이 장치에 대한 요구가 증가하고 있으며, 액정 디스플레이 장치, 유기발광 디스플레이 장치 등과 같은 다양한 유형의 디스플레이 장치가 활용된다.

디스플레이 장치 중 유기발광 디스플레이 장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(OLED)를 이용함으로써, 휘도, 명암비, 시야각, 응답 속도 및 발광 효율 등에서 이점을 제공한다.

유기발광 디스플레이 장치는, 일 예로, 유기발광다이오드(OLED)와, 유기발광다이오드(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 구동 타이밍을 제어하는 스위칭 트랜지스터가 배치된 다수의 서브픽셀을 포함할 수 있다. 그리고, 다수의 서브픽셀 각각에 배치된 유기발광다이오드(OLED)가 나타내는 밝기를 제어하며 영상을 표시할 수 있다.

따라서, 서브픽셀에 배치된 회로 소자의 구동 타이밍과 발광 소자가 나타내는 휘도를 정확히 제어할 필요가 있으나, 디스플레이 패널의 주변 온도에 따라 회로 소자 등의 특성이 가변될 수 있어 정확한 제어가 어려울 수 있다.

특히, 대면적의 디스플레이 패널의 경우 영역 별로 온도가 상이할 수 있으며, 온도에 따른 회로 소자의 특성 차이로 인해 화질 이상이 발생할 수 있는 문제점이 존재한다.

본 발명의 실시예들은, 디스플레이 패널의 주변 온도에 따라 디스플레이 패널의 서브픽셀에 배치된 회로 소자의 특성 변화를 보상하여, 주변 온도 변화에 따른 화질 이상을 방지하며 구동 특성을 개선할 수 있는 방안을 제공한다.

본 발명의 실시예들은, 디스플레이 패널의 주변 온도 변화에 따른 회로 소자의 특성 변화를 영역이나 온도 구간 별로 보상하여, 디스플레이 장치의 구동 특성을 개선하며 소비 전력을 저감시킬 수 있는 방안을 제공한다.

일 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 다수의 게이트 라인들, 다수의 데이터 라인들 및 다수의 서브픽셀들이 배치된 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널의 복수의 영역들에 각각 배치된 다수의 온도 센서들과, 온도 센서에 의해 측정된 온도 값에 기초하여 다수의 서브픽셀들 중 적어도 하나로 공급되는 다수의 전압들 중 적어도 하나를 조정하는 컨트롤러를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.

여기서, 측정된 온도 값이 제1 온도 구간에 포함되면 다수의 게이트 라인들 중 적어도 하나의 게이트 라인을 통해 서브픽셀로 공급되는 전압이 조정되고, 측정된 온도 값이 제1 온도 구간보다 높은 제2 온도 구간에 포함되면 다수의 데이터 라인들 중 적어도 하나의 데이터 라인을 통해 서브픽셀로 공급되는 전압이 조정될 수 있다.

일 예로, 제1 온도 구간에서 측정된 온도 값이 낮아질수록 게이트 라인을 통해 서브픽셀로 공급되는 게이트 하이 전압의 절댓값이 증가할 수 있다.

다른 예로, 제2 온도 구간에서 측정된 온도 값이 높아질수록 동일한 영상 데이터에 대응하여 데이터 라인을 통해 서브픽셀로 공급되는 데이터 전압의 절댓값이 감소할 수 있다.

다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 다수의 게이트 라인들, 다수의 데이터 라인들 및 다수의 서브픽셀들이 배치된 디스플레이 패널과, 다수의 게이트 라인들을 구동하는 게이트 구동 회로와, 게이트 구동 회로로 게이트 하이 전압을 공급하는 전원 관리 회로를 포함하고, 저온 구간에서 게이트 구동 회로로 공급되는 게이트 하이 전압의 절댓값은 온도가 낮을수록 증가하는 디스플레이 장치를 제공한다.

다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 다수의 게이트 라인들, 다수의 데이터 라인들 및 다수의 서브픽셀들이 배치된 디스플레이 패널과, 다수의 데이터 라인들로 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로와, 데이터 구동 회로를 제어하는 컨트롤러를 포함하고, 고온 구간에서 데이터 라인으로 공급되는 데이터 전압은 온도가 높을수록 감소하는 디스플레이 장치를 제공한다.

다른 측면에서, 본 발명의 실시예들은, 디스플레이 패널의 복수의 영역들에 각각 배치된 다수의 온도 센서들 중 적어도 하나에 의해 측정된 온도 값을 수신하는 단계와, 측정된 온도 값이 제1 온도 구간에 포함되면 디스플레이 패널에 배치된 다수의 게이트 라인들 중 적어도 하나의 게이트 라인을 통해 서브픽셀로 공급되는 전압을 조정하는 단계와, 측정된 온도 값이 제1 온도 구간보다 높은 제2 온도 구간에 포함되면 디스플레이 패널에 배치된 다수의 데이터 라인들 중 적어도 하나의 데이터 라인을 통해 서브픽셀로 공급하는 전압을 조정하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 구동 방법을 제공한다.

본 발명의 실시예들에 의하면, 디스플레이 패널의 주변 온도가 낮을 경우 게이트 구동 회로로 공급되는 게이트 하이 전압을 상향 조정함으로써, 저온 구간에서 회로 소자의 특성 변화로 인한 화질 이상을 방지할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 의하면, 디스플레이 패널의 주변 온도가 높을 경우 게이트 하이 전압을 하향 조정하거나, 보상 데이터의 값을 하향 조정함으로써, 고온 구간에서 열화를 방지하고 소비 전력을 저감시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에 포함된 서브픽셀의 회로 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에서 서브픽셀에 배치된 회로 소자의 열화를 보상하는 구성의 예시를 나타낸 도면이다.
도 4와 도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에서 서브픽셀에 배치된 회로 소자의 열화를 보상하는 방식의 예시를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치에 온도 센서가 배치된 구조의 예시를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치가 주변 온도에 따라 게이트 하이 전압을 조정하는 과정의 예시를 나타낸 도면이다.
도 8과 도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치가 주변 온도에 따라 게이트 하이 전압을 조정하는 방식의 예시를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치가 주변 온도에 따라 보상 데이터를 조정하는 과정의 예시를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치가 주변 온도에 따라 보상 데이터를 조정하는 방식의 예시를 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치가 주변 온도에 따라 게이트 하이 전압과 보상 데이터를 조정하는 과정의 예시를 나타낸 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치가 주변 온도에 따라 게이트 하이 전압과 보상 데이터를 조정하는 방식의 예시를 나타낸 도면이다.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.

구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다.

구성 요소들의 시간 관계 또는 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.

한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)는, 다수의 서브픽셀(SP)이 배열된 액티브 영역(AA)과, 액티브 영역(AA)의 외측에 위치하는 논-액티브 영역(NA)을 포함하는 디스플레이 패널(110)을 포함할 수 있다. 그리고, 디스플레이 패널(110)을 구동하기 위한 게이트 구동 회로(120), 데이터 구동 회로(130) 및 컨트롤러(140) 등을 포함할 수 있다.

디스플레이 패널(110)에는, 다수의 게이트 라인(GL)과 다수의 데이터 라인(DL)이 배치되고, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역에 서브픽셀(SP)이 배치될 수 있다. 서브픽셀(SP)은 각각 여러 회로 소자를 포함할 수 있으며, 둘 이상의 서브픽셀(SP)이 하나의 픽셀을 구성할 수 있다.

게이트 구동 회로(120)는, 컨트롤러(140)에 의해 제어되며, 디스플레이 패널(110)에 배치된 다수의 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 순차적으로 출력하여 다수의 서브픽셀(SP)의 구동 타이밍을 제어한다.

또한, 게이트 구동 회로(120)는, 서브픽셀(SP)의 발광 타이밍을 제어하는 발광 신호를 출력할 수도 있다. 스캔 신호를 출력하는 회로와, 발광 신호를 출력하는 회로는 일체로 구현될 수도 있고, 별도로 구현될 수도 있다.

게이트 구동 회로(120)는, 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC: Gate Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있으며, 구동 방식에 따라 디스플레이 패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고 양 측에 위치할 수도 있다. 또한, 게이트 구동 회로(120)는, 디스플레이 패널(110)의 베젤 영역에 배치되는 GIP(Gate In Panel) 형태로 구현될 수도 있다.

게이트 구동 회로(120)는, 여러 회로 소자를 포함할 수 있으며, 일 예로, 도 1에 도시된 예시와 같이, 풀-업 트랜지스터(Tup)와 풀-다운 트랜지스터(Tdown)을 포함할 수 있다.

풀-업 트랜지스터(Tup)는, Q 노드의 전압 레벨에 의해 제어되고, 게이트 라인(GL)으로 게이트 하이 전압(VGH)의 출력을 제어할 수 있다. 풀-다운 트랜지스터(Tdown)는, QB 노드의 전압 레벨에 의해 제어되고, 게이트 라인(GL)으로 게이트 로우 전압(VGL)의 출력을 제어할 수 있다. 도 1에 도시된 게이트 구동 회로(120)의 회로 구조는 일 예시로서, 게이트 구동 회로(120)는, 유형에 따라, 풀-업 트랜지스터(Tup)와 풀-다운 트랜지스터(Tdown) 이외에 여러 회로 소자를 더 포함할 수도 있다.

데이터 구동 회로(130)는, 컨트롤러(140)로부터 영상 데이터를 수신하고, 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환한다. 그리고, 게이트 라인(GL)을 통해 스캔 신호가 인가되는 타이밍에 맞춰 데이터 전압을 각각의 데이터 라인(DL)으로 출력하여 각각의 서브픽셀(SP)이 영상 데이터에 따른 밝기를 표현하도록 한다.

데이터 구동 회로(130)는, 하나 이상의 소스 드라이버 집적 회로(SDIC: Source Driver Integrated Circuit)를 포함할 수 있다. 또한, 데이터 구동 회로(130)는, 구동 방식에 따라 디스플레이 패널(110)의 일 측에만 위치할 수도 있고, 양 측에 위치할 수도 있다.

컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)로 각종 제어 신호를 공급하며, 게이트 구동 회로(120)와 데이터 구동 회로(130)의 동작을 제어한다.

컨트롤러(140)는, 각 프레임에서 구현하는 타이밍에 따라 게이트 구동 회로(120)가 스캔 신호를 출력하도록 하며, 외부에서 수신한 영상 데이터를 데이터 구동 회로(130)에서 사용하는 데이터 신호 형식에 맞게 변환하여 변환된 영상 데이터를 데이터 구동 회로(130)로 출력한다.

컨트롤러(140)는, 영상 데이터와 함께 수직 동기 신호(VSYNC), 수평 동기 신호(HSYNC), 입력 데이터 인에이블 신호(DE: Data Enable), 클럭 신호(CLK) 등을 포함하는 각종 타이밍 신호를 외부(예: 호스트 시스템)로부터 수신한다.

컨트롤러(140)는, 외부로부터 수신한 각종 타이밍 신호를 이용하여 각종 제어 신호를 생성하고 게이트 구동 회로(120) 및 데이터 구동 회로(130)로 출력할 수 있다.

일 예로, 컨트롤러(140)는, 게이트 구동 회로(120)를 제어하기 위하여, 게이트 스타트 펄스(GSP: Gate Start Pulse), 게이트 시프트 클럭(GSC: Gate Shift Clock), 게이트 출력 인에이블 신호(GOE: Gate Output Enable) 등을 포함하는 각종 게이트 제어 신호(GCS)를 출력한다.

여기서, 게이트 스타트 펄스(GSP)는 게이트 구동 회로(120)를 구성하는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)의 동작 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 시프트 클럭(GSC)은 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)에 공통으로 입력되는 클럭 신호로서, 스캔 신호의 시프트 타이밍을 제어한다. 게이트 출력 인에이블 신호(GOE)는 하나 이상의 게이트 드라이버 집적 회로(GDIC)의 타이밍 정보를 지정하고 있다.

또한, 컨트롤러(140)는, 데이터 구동 회로(130)를 제어하기 위하여, 소스 스타트 펄스(SSP: Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(SSC: Source Sampling Clock), 소스 출력 인에이블 신호(SOE: Source Output Enable) 등을 포함하는 각종 데이터 제어 신호(DCS)를 출력한다.

여기서, 소스 스타트 펄스(SSP)는 데이터 구동 회로(130)를 구성하는 하나 이상의 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)의 데이터 샘플링 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 소스 드라이버 집적 회로(SDIC) 각각에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭 신호이다. 소스 출력 인에이블 신호(SOE)는 데이터 구동 회로(130)의 출력 타이밍을 제어한다.

디스플레이 장치(100)는, 디스플레이 패널(110), 게이트 구동 회로(120) 및 데이터 구동 회로(130) 등으로 각종 전압 또는 전류를 공급해주거나, 공급할 각종 전압 또는 전류를 제어하는 전원 관리 회로(150)를 더 포함할 수 있다.

또한, 디스플레이 패널(110)에는, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL) 이외에 각종 신호나 전압이 공급되는 전압 라인이 배치될 수 있다.

그리고, 각각의 서브픽셀(SP)에는, 서브픽셀(SP)의 구동을 위한 여러 회로 소자가 배치될 수 있다.

도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)에 포함된 서브픽셀(SP)의 회로 구조의 예시를 나타낸 도면이다.

도 2를 참조하면, 서브픽셀(SP)은 발광 소자(ED)와, 발광 소자(ED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)를 포함할 수 있다. 여기서, 발광 소자(ED)는, 일 예로, 유기발광다이오드(OLED)일 수 있으나, 이에 한정되지는 아니한다.

그리고, 구동 트랜지스터(DRT) 이외에 적어도 하나의 트랜지스터를 더 포함할 수 있으며, 일 예로, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터(T1)와 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 기준 전압 라인(RVL) 사이에 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터(T2)를 포함할 수 있다.

도 2에 도시된 예시는 구동 트랜지스터(DRT), 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 N 타입인 경우를 나타내고 있으나, 경우에 따라, 적어도 하나의 트랜지스터는 P 타입일 수도 있다.

또한, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결된 캐패시터(Cst)를 포함할 수 있다.

발광 소자(ED)는, 제1 전극(예: 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 발광층 및 제2 전극(예: 캐소드 전극 또는 애노드 전극) 등을 포함할 수 있다.

발광 소자(ED)의 제1 전극은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 발광 소자(ED)의 제2 전극으로 기저 전압(EVSS)이 인가될 수 있다.

구동 트랜지스터(DRT)는, 발광 소자(ED)로 구동 전류를 공급함으로써, 발광 소자(ED)를 구동할 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)는, 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3 노드(N3)를 가질 수 있다.

구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는, 게이트 노드에 해당하는 노드로서, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는, 발광 소자(ED)의 제1 전극과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다.

구동 트랜지스터(DRT)의 제3 노드(N3)는, 구동 전압(EVDD)이 인가되는 노드로서, 구동 전압(EVDD)을 공급하는 구동 전압 라인(DVL)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다.

제1 트랜지스터(T1)는, 게이트 라인(GL)을 통해 공급되는 스캔 신호를 게이트 노드로 인가받아 턴-온 되거나 턴-오프 될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는, 스캔 신호에 의해 턴-온 되어 데이터 라인(DL)을 통해 공급된 데이터 전압(Vdata)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)로 전달해줄 수 있다.

제2 트랜지스터(T2)는, 게이트 라인(GL)을 통해 공급되는 스캔 신호를 게이트 노드로 인가받아 턴-온 되거나 턴-오프 될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는, 경우에 따라, 제1 트랜지스터(T1)와 전기적으로 연결된 게이트 라인(GL)에 전기적으로 연결될 수도 있고, 다른 게이트 라인(GL)에 전기적으로 연결될 수도 있다.

제2 트랜지스터(T2)는, 디스플레이 구동 기간에서 턴-온 될 수도 있고, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치나 발광 소자(ED)의 특성치를 센싱하기 위한 센싱 기간에 턴-온 될 수도 있다.

일 예로, 제2 트랜지스터(T2)는, 디스플레이 구동 기간이나 센싱 기간 중 해당되는 구동 타이밍에 턴-온 되어, 기준 전압 라인(RVL)을 통해 공급된 기준 전압(Vref)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 전달해줄 수 있다.

또한, 제2 트랜지스터(T2)는, 센싱 기간 중 해당되는 구동 타이밍에 턴-온 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 기준 전압 라인(RVL)으로 전달해줄 수 있다.

즉, 제2 트랜지스터(T2)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상태를 제어하거나, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 기준 전압 라인(RVL)으로 전달해줄 수 있다.

여기서, 기준 전압 라인(RVL)은, 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱하여 디지털 값으로 변환하고 디지털 값을 포함하는 센싱 데이터를 출력하는 아날로그 디지털 컨버터(ADC: Analog to Digital Converter)와 전기적으로 연결될 수 있다.

아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 데이터 구동 회로(130)를 구현한 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)의 내부에 포함될 수도 있다.

아날로그 디지털 컨버터(ADC)에서 출력된 센싱 데이터는 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱 전압, 이동도 등) 또는 발광 소자(ED)의 특성치를 센싱하는 데 이용될 수 있다.

캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결되며, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압(Vdata) 또는 이에 대응하는 전압을 한 프레임 동안 유지해줄 수 있다.

이러한 캐패시터(Cst)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터인 기생 캐패시터가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계된 외부 캐패시터일 수 있다.

도 2에 도시된 서브픽셀(SP)의 회로 구조는 설명을 위한 하나의 예시이며, 서브픽셀(SP)은 제2 트랜지스터(T2)를 제외한 2개의 트랜지스터와 1개의 캐패시터로 구성될 수도 있으며, 경우에 따라, 1개 이상의 트랜지스터나 1개 이상의 캐패시터를 더 포함할 수도 있다.

그리고, 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)는, 서브픽셀(SP)에 배치된 구동 트랜지스터(DRT)나 발광 소자(ED)의 열화를 센싱하고 보상하기 위한 보상 회로를 포함할 수 있다.

도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)에서 서브픽셀(SP)에 배치된 회로 소자의 열화를 보상하는 구성의 예시를 나타낸 도면이다.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)의 보상 회로는, 서브픽셀(SP)의 특성치를 파악하기 위해 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱하고, 센싱된 전압(Vsen)을 토대로 센싱 데이터를 생성하여 출력하는 센싱부(310)를 포함할 수 있다. 또한, 디스플레이 장치(100)는, 센싱부(310)에 의해 출력된 센싱 데이터를 이용하여 각 서브픽셀(SP)에 대한 특성치를 파악하고, 서브픽셀(SP) 간의 특성치 편차를 보상해주는 보상 프로세스를 수행하는 보상부(410)를 포함할 수 있다.

여기서, 서브픽셀(SP)의 특성치는, 서브픽셀(SP) 내 회로 소자의 특성치로서, 일 예로, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압 또는 이동도일 수 있다. 또는, 발광 소자(ED)의 문턱 전압일 수도 있다.

본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)의 보상 회로는, 기준 전압 라인(RVL)으로 기준 전압(Vref)의 인가 여부를 제어하는 초기화 스위치(SPRE)와, 기준 전압 라인(RVL)과 센싱부(310) 간의 연결 여부를 제어하는 샘플림 스위치(SAM)를 포함할 수 있다.

초기화 스위치(SPRE)는, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 원하는 회로 소자의 특성치를 반영한 전압 상태가 되도록, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 인가 상태를 제어하기 위한 스위치이다.

초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 되면, 기준 전압(Vref)이 기준 전압 라인(RVL)으로 공급되어 턴-온 되어 있는 제2 트랜지스터(T2)를 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)로 인가될 수 있다.

샘플링 스위치(SAM)는, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2) 또는 기준 전압 라인(RVL)의 전압 상태가 원하는 회로 소자의 특성치를 반영하는 전압 상태가 되었을 때, 턴-온 되도록 온-오프 타이밍이 제어될 수 있다.

샘플링 스위치(SAM)는, 턴-온 되어, 기준 전압 라인(RVL)과 센싱부(310)를 전기적으로 연결해줄 수 있다. 그리고, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되면, 센싱부(310)는 연결된 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱할 수 있다.

센싱부(310)가 기준 전압 라인(RVL)의 전압을 센싱할 때, 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되어 있는 경우, 구동 트랜지스터(DRT)의 저항 성분을 무시할 수 있다면, 센싱부(310)에 의해 센싱되는 전압은 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압에 해당할 수 있다.

센싱부(310)에 의해 센싱된 전압은, 기준 전압 라인(RVL)의 전압일 수 있고, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압일 수 있다.

기준 전압 라인(RVL) 상에 라인 캐패시터가 존재한다면, 센싱부(310)에 의해 센싱된 전압은, 기준 전압 라인(RVL) 상의 라인 캐패시터에 충전된 전압일 수도 있다. 여기서, 기준 전압 라인(RVL)을 센싱 라인이라 할 수도 있다.

센싱부(310)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압(Vth) 또는 문턱 전압 편차(ΔVth)를 포함하는 전압 값(Vdata-Vth 또는 Vdata-ΔVth, 여기서, Vdata는 센싱 구동용 데이터 전압임)이거나, 구동 트랜지스터(DRT)의 이동도를 센싱하기 위한 전압 값일 수도 있다.

한편, 기준 전압 라인(RVL)은, 일 예로, 서브픽셀(SP) 열마다 1개씩 배치될 수도 있고, 둘 이상의 서브픽셀(SP)마다 1개씩 배치될 수도 있다.

일 예로, 1개의 픽셀이 4개의 서브픽셀(적색 서브픽셀, 흰색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀)로 구성된 경우, 기준 전압 라인(RVL)은 4개의 서브픽셀 열(적색 서브픽셀 열, 흰색 서브픽셀 열, 녹색 서브픽셀 열, 청색 서브픽셀 열)을 포함하는 1개의 픽셀 열마다 1개씩 배치될 수도 있다.

센싱부(310)는, 적어도 하나 이상의 아날로그 디지털 컨버터(ADC)를 포함하여 구현될 수 있다.

센싱부(310), 초기화 스위치(SPRE) 및 샘플링 스위치(SAM)는 데이터 구동 회로(130)에 포함된 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라, 소스 드라이버 집적 회로(SDIC)의 외부에 포함될 수도 있다.

보상부(410)는, 컨트롤러(140)의 내부에 포함될 수 있으며, 경우에 따라, 컨트롤러(140)의 외부에 포함될 수도 있다.

보상부(410)는, 센싱 데이터 및 보상 값을 저장하는 메모리를 더 포함할 수 있다.

디지털 아날로그 컨버터(320)는, 보상부(410)에 의한 보상 값이 적용된 데이터 전압(Vdata)을 데이터 라인(DL)으로 공급할 수 있다.

아래에서는, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱 전압 센싱 구동 및 이동도 센싱 구동에 대해 간략하게 설명한다.

도 4와 도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)에서 서브픽셀(SP)에 배치된 회로 소자의 열화를 보상하는 방식의 예시를 나타낸 도면이다.

도 4는 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱 전압 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.

도 4를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 문턱 전압 센싱 구동은 초기화 단계, 트래킹 단계 및 샘플링 단계를 포함하는 센싱 프로세스로 진행될 수 있다.

초기화 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)를 초기화 시키는 단계이다.

이러한 초기화 단계에서는, 일 예로, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)가 턴-온 되고, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-온 될 수 있다.

이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 각각은, 문턱 전압 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref)으로 초기화될 수 있다(V1=Vdata, V2=Vref).

트래킹 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 문턱 전압(Vth) 또는 그 변화를 반영하는 전압 상태가 될 때까지 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 변화시키는 단계이다.

즉, 트래킹 단계는, 문턱 전압 또는 그 변화를 반영할 수 있는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 트래킹하는 단계이다.

이러한 트래킹 단계에서는, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프 또는 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 플로팅(Floating) 된다.

이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 상승한다.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)은 상승이 이루어지다가 상승 폭이 서서히 줄어들어 포화(Saturation)하게 된다.

여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 상승하다가 포화하는데 걸리는 시간(Tsat)은 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압 또는 그 변화가 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 반영되는데 걸리는 시간으로서 센싱 시간을 좌우한다.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 포화된 전압은 데이터 전압(Vdata)과 문턱 전압(Vth)의 차이(Vdata-Vth) 또는 데이터 전압(Vdata)과 문턱 전압 편차(ΔVth)의 차이(Vdata-ΔVth)에 해당할 수 있다.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 포화되면, 샘플링 단계가 진행될 수 있다.

샘플링 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 문턱 전압(Vth) 또는 그 변화를 반영하는 전압(Vdata-Vth, Vdata-ΔVth)을 측정하는 단계로서, 센싱부(310)가 기준 전압 라인(RVL)의 전압(구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압일 수 있음)을 센싱하는 단계이다.

이러한 샘플링 단계에서, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되어, 센싱부(310)는 기준 전압 라인(RVL)과 연결되어, 기준 전압 라인(RVL)의 전압(구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압일 수 있음)을 센싱한다.

센싱부(310)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은 데이터 전압(Vdata)에서 문턱 전압(Vth)을 뺀 전압(Vdata-Vth) 또는 데이터 전압(Vdata)에서 문턱 전압 편차(ΔVth)을 뺀 전압(Vdata-ΔVth)일 수 있다. 여기서, Vth는 포지티브 문턱 전압 또는 네거티브 문턱 전압일 수 있다.

도 5는 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동 방식을 설명하기 위한 도면이다.

도 5를 참조하면, 구동 트랜지스터(DRT)에 대한 이동도 센싱 구동은 초기화 단계, 트래킹 단계 및 샘플링 단계를 포함하는 센싱 프로세스로 진행될 수 있다.

이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 각각은 이동도 센싱 구동용 데이터 전압(Vdata)과 기준 전압(Vref)으로 초기화될 수 있다(V1=Vdata, V2=Vref).

트래킹 단계는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압이 이동도 또는 그 변화를 반영하는 전압 상태가 될 때까지 일정 시간(Δt) 동안 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)을 변화시키는 단계이다.

즉, 트래킹 단계는, 이동도 또는 그 변화를 반영할 수 있는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압을 트래킹하는 단계이다.

이러한 트래킹 단계에서는, 초기화 스위치(SPRE)가 턴-오프 되어 또는 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)가 플로팅 될 수 있다.

이때, 제1 트랜지스터(T1)도 턴-오프 되어, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)도 함께 플로팅 될 수 있다.

이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 상승하기 시작한다.

구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)의 상승 속도는 구동 트랜지스터(DRT)의 전류 능력(즉, 이동도)에 따라 달라진다.

전류 능력(이동도)이 큰 구동 트랜지스터(DRT)일수록, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 더욱 가파르게 상승한다.

트래킹 단계가 일정 시간(Δt) 동안 진행된 이후, 즉, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)이 미리 정해진 일정 시간(Δt) 동안 상승한 이후, 샘플링 단계가 진행될 수 있다.

트래킹 단계 동안, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2)의 상승 속도는, 일정 시간(Δt) 동안의 전압 변화량(ΔV)에 해당한다.

샘플링 단계에서는, 샘플링 스위치(SAM)가 턴-온 되어, 센싱부(310)와 기준 전압 라인(RVL)이 전기적으로 연결된다.

이에 따라, 센싱부(310)는 기준 전압 라인(RVL)의 전압(구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압(V2) 일 수 있음)을 센싱한다.

센싱부(310)에 의해 센싱된 전압(Vsen)은, 초기화 전압(Vref)에서 일정 시간(Δt) 동안 전압 변화량(ΔV)만큼 상승된 전압으로서, 이동도에 대응되는 전압이다.

도 4 및 도 5를 참조하여 전술한 바와 같은 문턱 전압 또는 이동도 센싱 구동에 따라 센싱부(310)는 문턱 전압 센싱 또는 이동도 센싱을 위해 센싱된 전압(Vsen)을 디지털 값으로 변환하고, 변환된 디지털 값(센싱 값)을 포함하는 센싱 데이터를 생성하여 출력한다.

센싱부(310)에서 출력된 센싱 데이터는 보상부(410)로 제공될 수 있다.

보상부(410)는 센싱부(310)에서 제공된 센싱 데이터를 토대로 해당 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치(예: 문턱 전압, 이동도) 또는 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화(예: 문턱 전압 변화, 이동도 변화)를 파악하고, 보상 프로세스를 수행할 수 있다.

여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 변화는 이전 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미하거나, 기준 센싱 데이터를 기준으로 현재 센싱 데이터가 변화된 것을 의미할 수도 있다.

여기서, 구동 트랜지스터(DRT)의 특성치 또는 특성치 변화를 비교해보면, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 특성치 편차를 파악할 수 있다.

보상 프로세스는, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 문턱 전압 편차를 보상하는 문턱 전압 보상 처리와, 구동 트랜지스터(DRT) 간의 이동도 편차를 보상하는 이동도 보상 처리를 포함할 수 있다.

문턱 전압 보상 처리는 구동 트랜지스터(DRT) 간의 문턱 전압 편차를 보상하기 위한 보상 값을 연산하고, 연산된 보상 값을 메모리에 저장하거나, 연산된 보상 값으로 해당 영상 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다.

이동도 보상 처리는 구동 트랜지스터(DRT) 간의 이동도 편차를 보상하기 위한 보상 값을 연산하고, 연산된 보상 값을 메모리에 저장하거나, 연산된 보상 값으로 해당 영상 데이터(Data)를 변경하는 처리를 포함할 수 있다.

보상부(410)는 문턱 전압 보상 처리 또는 이동도 보상 처리를 통해 영상 데이터(Data)를 변경하여 변경된 데이터를 데이터 구동 회로(130)로 공급해줄 수 있다.

이에 따라, 데이터 구동 회로(130)는, 보상부(410)에서 변경된 데이터를 디지털 아날로그 컨버터(320)를 통해 데이터 전압(Vdata)으로 변환하여 해당 서브픽셀(SP)로 공급해줌으로써, 서브픽셀(SP) 특성치 보상(문턱 전압 보상, 이동도 보상)이 실제로 이루어지게 된다.

이러한 서브픽셀(SP) 특성치 보상이 이루어짐에 따라, 서브픽셀(SP) 간의 휘도 편차를 줄여주거나 방지해줌으로써, 화상 품질을 향상시켜줄 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예들은, 특성치 보상을 수행함에 있어서, 디스플레이 패널(110)의 주변 온도를 고려하여 특성치 보상을 수행할 수도 있다.

또한, 본 발명의 실시예들은, 디스플레이 구동 기간이나 센싱 기간에 서브픽셀(SP)로 공급되는 스캔 신호의 레벨을 디스플레이 패널(110)의 주변 온도를 고려하여 조정할 수도 있다.

즉, 본 발명의 실시예들은, 디스플레이 패널(110)의 주변 온도에 따라 디스플레이 패널(110)에 배치된 서브픽셀(SP)로 공급되는 전압 중 적어도 일부를 조정함으로써, 디스플레이 구동 성능이나 센싱 성능을 향상시킬 수 있는 방안을 제공한다.

도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)에 온도 센서(600)가 배치된 구조의 예시를 나타낸 도면이다.

도 6을 참조하면, 디스플레이 패널(110)의 적어도 일면에 다수의 온도 센서(600)가 배치될 수 있다. 온도 센서(600)는, 일 예로, 디스플레이 패널(110)의 기판의 배면에 배치될 수 있다. 또는, 디스플레이 장치(100)가 유기발광 디스플레이 장치인 경우, 온도 센서(600)는 발광 소자(ED)를 밀봉하는 봉지부 상에 배치될 수도 있다.

다수의 온도 센서(600)는, 디스플레이 패널(110)의 분할된 다수의 영역에 각각 배치될 수 있으며, 일 예로, 도 6에 도시된 예시와 같이, 분할된 9개의 영역(A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7, A8, A9)에 배치될 수 있다. 또는, 경우에 따라, 4개, 12개 또는 16개의 분할된 영역에 배치될 수도 있으며, 분할된 영역의 크기는 일정할 수 있다.

다수의 온도 센서(600)는, 온도 센서 제어 보드(500)에 연결될 수 있으며, 온도 센서 제어 보드(500)를 통해 컨트롤러(140)와 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 온도 센서(600)는 컨트롤러(140)에 의해 제어될 수 있으며, 온도 센서(600)에 의해 측정된 온도 값은 컨트롤러(140)로 전송될 수 있다. 또는, 경우에 따라, 컨트롤러(140)의 외부에 위치하는 별도의 회로에 의해 온도 센서(600)가 제어될 수도 있다.

컨트롤러(140)는, 온도 센서(600)에 의해 측정된 온도 값에 기초하여 디스플레이 패널(110)의 각 영역으로 공급되는 전압 중 적어도 일부를 조정할 수 있다.

일 예로, 컨트롤러(140)는, 온도 센서(600)에 의해 측정된 온도 값에 기초하여 디스플레이 패널(110)에 배치된 다수의 서브픽셀(SP)로 게이트 라인(GL)을 통해 공급되는 전압의 레벨을 조정할 수 있다.

또는, 컨트롤러(140)는, 온도 센서(600)에 의해 측정된 온도 값에 기초하여 디스플레이 패널(110)에 배치된 다수의 서브픽셀(SP)로 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 전압의 레벨의 조정할 수 있다.

여기서, 컨트롤러(140)는, 경우에 따라, 다수의 영역 중 측정된 온도 값이 가장 낮은 영역이나 가장 높은 영역을 기준으로 서브픽셀(SP)로 공급되는 전압을 조정할 수 있다. 또는, 측정된 온도 값의 평균값이나 중간값을 기준으로 서브픽셀(SP)로 공급되는 전압을 조정할 수도 있다.

또는, 각각의 영역 별로 측정된 온도 값에 기초하여 각각의 영역으로 공급되는 전압을 조정할 수도 있다.

즉, 본 발명의 실시예들은, 디스플레이 패널(110)의 주변 온도에 기초하여 서브픽셀(SP)로 공급되는 전압의 적어도 일부를 조정함으로써, 디스플레이 패널(110)의 주변 온도에 따른 열화나 화질 이상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 디스플레이 구동에 영향을 주지 않는 범위에서 특정 전압을 조정해줌으로써, 전압 조정에 따른 화질 이상 등을 방지하며 디스플레이 구동 성능과 센싱 성능을 개선할 수 있다.

도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)가 주변 온도에 따라 게이트 하이 전압(VGH)을 조정하는 과정의 예시를 나타낸 도면이다.

도 7을 참조하면, 컨트롤러(140)는, 다수의 온도 센서(600)에 의해 측정된 온도 값을 수신할 수 있다(S700). 컨트롤러(140)는, 실시간으로 온도 센서(600)로부터 측정된 온도 값을 획득할 수도 있고, 경우에 따라, 디스플레이 구동 기간이나 센싱 기간 중 특정 시점에 주기적으로 측정된 온도 값을 획득할 수도 있다.

컨트롤러(140)는, 측정된 온도 값이 저온 구간에 포함되는지 여부를 확인하고(S710), 측정된 온도 값이 저온 구간에 포함되면 전원 관리 회로(150)로 제어 신호를 출력할 수 있다.

컨트롤러(140)로부터 제어 신호를 수신한 전원 관리 회로(150)는, 제어 신호에 따라 가변된 게이트 하이 전압(VGH)을 출력할 수 있다. 일 예로, 전원 관리 회로(150)는, 온도가 낮을수록 상향 조정된 게이트 하이 전압(VGH)을 출력할 수 있다.

또는, 트랜지스터의 타입에 따라 게이트 하이 전압(VGH)이 하향 조정될 수도 있다. 즉, 게이트 하이 전압(VGH)의 절댓값이 증가하는 방향으로 게이트 하이 전압(VGH)이 조정될 수 있다.

저온 구간에서 트랜지스터의 이동도 등의 성능이 저하될 수 있으므로, 트랜지스터의 구동 특성을 높여줄 필요가 있다. 따라서, 전원 관리 회로(150)가 게이트 구동 회로(120)로 출력하는 게이트 하이 전압(VGH)을 상향 조정해줌으로써, 저온 구간에서 트랜지스터의 성능 저하에 의한 화질 이상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 센싱 기간에 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)이 사향 조정될 수도 있다. 즉, 센싱 기간에 서브픽셀(SP)로 센싱을 위한 데이터 전압(Vdata)이 공급되므로, 센싱 기간에 게이트 하이 전압(VGH)을 상향 조정하여 센싱을 위한 데이터 전압(Vdata)이 충분히 공급되지 못해 센싱 성능이 저하되는 것을 방지할 수 있다.

여기서, 저온 구간은, 일 예로, 0℃ 이하의 온도 구간을 의미할 수 있다. 또는, 컨트롤러(140)가 게이트 하이 전압(VGH)에 의한 화질 이상이 발생할 수 있는 온도 구간을 의미할 수도 있다.

그리고, 컨트롤러(140)는, 측정된 온도 값이 저온 구간에 포함되는지 여부를 확인함에 있어서, 다수의 영역에서 측정된 온도 값 중 가장 높은 온도 값을 기준으로 확인할 수 있다.

즉, 게이트 하이 전압(VGH)을 상향 조정하면 트랜지스터의 이동도 저하를 보상할 수는 있으나, 회로 소자 등의 열화나 정전기에 의한 영향성이 증가할 수 있다. 따라서, 다수의 영역으로부터 측정된 온도 값 중 가장 높은 온도 값을 기준으로 게이트 하이 전압(VGH)을 조정함으로써, 게이트 하이 전압(VGH)의 상향 조정에 따른 디스플레이 패널(110)의 스트레스 등을 방지할 수 있다.

또는, 경우에 따라, 디스플레이 패널(110)의 영역 별로 측정된 온도 값에 따라 영역 별로 상이한 게이트 하이 전압(VGH)을 공급해줄 수도 있다. 일 예로, 전술한 도 6에 도시된 예시에서 제1 영역(A1), 제2 영역(A2) 및 제3 영역(A3)에서 측정된 온도 값이 저온 구간에 포함되고, 나머지 영역(A4, A5, A6, A7, A8, A9)에서 측정된 온도 값이 저온 구간에 포함되지 않으면 제1 영역(A1)으로 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)만 상향 조정해줄 수도 있다.

또한, 경우에 따라, 측정된 온도 값이 저온 구간 이외의 구간 중 온도가 높은 구간에 포함될 경우 게이트 하이 전압(VGH)을 하향 조정해줄 수도 있다.

도 8과 도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)가 주변 온도에 따라 게이트 하이 전압(VGH)을 조정하는 방식의 예시를 나타낸 도면이다.

도 8을 참조하면, 컨트롤러(140)는, 다수의 온도 센서(600)로부터 측정된 온도 값에 기초하여 전원 관리 회로(150)가 게이트 구동 회로(120)로 출력하는 게이트 하이 전압(VGH)을 상향 조정해줄 수 있다.

일 예로, 측정된 온도 값이 저온 구간에 포함되면, 게이트 하이 전압(VGH)은 온도가 낮아질수록 상향 조정될 수 있다. 도 8에 도시된 예시는, 게이트 하이 전압(VGH)이 선형적으로 증가하는 경우를 예시로 나타내나, 경우에 따라, 게이트 하이 전압(VGH)은 온도가 낮아질수록 증가하는 정도가 점차적으로 증가할 수도 있으며, 계단 형태로 증가할 수도 있다.

그리고, 저온 구간 이외의 구간에서 게이트 하이 전압(VGH)은 일정한 레벨을 유지할 수 있다.

또한, 저온 구간 중 측정된 온도 값이 특정 온도 이하가 되면 게이트 하이 전압(VGH)은 더 이상 증가하지 않고 고정될 수 있다. 여기서, 특정 온도 이하에서 고정된 게이트 하이 전압(VGHmax)는, 전원 관리 회로(150)의 최대 출력 전압일 수도 있고, 디스플레이 구동에 영향을 주지 않는 스캔 신호의 최대 전압일 수도 있다.

이와 같이, 저온 구간에서 게이트 하이 전압(VGH)은 온도에 반비례하여 증가할 수 있으며, 게이트 하이 전압(VGH)이 조정되는 구간에서 게이트 로우 전압(VGL)은 일정한 레벨을 유지할 수 있다.

따라서, 디스플레이 패널(110)의 주변 온도가 낮을 경우, 디스플레이 패널(110)에 배치된 서브픽셀(SP)로 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)이 증가함에 따라 저온 구간에서 서브픽셀(SP)의 충전율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 서브픽셀(SP)의 충전율 저하로 인한 화질 이상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

그리고, 반대로 디스플레이 패널(110)의 주변 온도가 높을 경우에는, 경우에 따라, 서브픽셀(SP)로 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)을 하향 조정해줄 수도 있다.

도 9를 참조하면, 컨트롤러(140)는, 다수의 온도 센서(140)로부터 측정된 온도 값을 수신한다. 그리고, 수신된 온도 값이 저온 구간, 상온 구간 또는 고온 구간에 포함되는지 여부에 따라, 게이트 하이 전압(VGH)의 레벨을 조정해줄 수 있다.

일 예로, 컨트롤러(140)는, 측정된 온도 값이 저온 구간에 포함되면, 전원 관리 회로(150)를 제어하여 전원 관리 회로(150)가 게이트 구동 회로(120)로 출력하는 게이트 하이 전압(VGH)을 상향 조정할 수 있다. 따라서, 저온 구간에서 서브픽셀(SP)로 공급되는 스캔 신호의 게이트 하이 전압(VGH)의 레벨이 높아질 수 있다.

컨트롤러(140)는, 상온 구간에서는 전원 관리 회로(150)가 게이트 구동 회로(120)로 출력하는 게이트 하이 전압(VGH)이 일정한 레벨을 유지하도록 할 수 있다.

그리고, 컨트롤러(140)는, 측정된 온도 값이 고온 구간에 포함되면, 전원 관리 회로(150)가 게이트 구동 회로(120)로 출력하는 게이트 하이 전압(VGH)을 하향 조정할 수 있다.

고운 구간은, 일 예로, 60℃ 이상의 온도 구간을 의미할 수 있으나, 이에 한정되지는 아니한다.

컨트롤러(140)는, 고온 구간에서 측정된 온도 값이 높을수록 게이트 하이 전압(VGH)의 레벨을 낮춰줄 수 있다.

고온 구간에서 트랜지스터의 이동도 특성이 저하되지 않을 수 있으므로, 게이트 하이 전압(VGH)을 낮춰주더라도 디스플레이 구동에 영향을 주지 않을 수 있다.

그리고, 고온 구간에서 게이트 하이 전압(VGH)을 낮춰줌으로써, 고온 구간에서 높은 게이트 하이 전압(VGH)의 공급으로 인한 디스플레이 패널(110)의 스트레스나, 정전기 영향성 증가, 부품 열화 등이 발생하는 것을 방지하고, 소비 전력을 저감시킬 수 있다.

컨트롤러(140)는, 측정된 온도 값이 고온 구간에 포함되는지 여부를 확인함에 있어서, 일 예로, 다수의 영역에서 측정된 온도 값 중 가장 낮은 온도 값을 기준으로 확인할 수 있다.

즉, 게이트 하이 전압(VGH)을 하향 조정할 경우 서브픽셀(SP)의 충전율에 영향을 줄 수도 있으므로, 측정된 온도 값이 모두 고온 구간에 포함되는 경우에 게이트 하이 전압(VGH)을 하향 조정해줄 수 있다. 또는, 전술한 예시와 같이, 디스플레이 패널(110)의 영역 별로 측정된 온도 값에 따라 영역 별로 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)을 조절해줄 수도 있다.

또한, 고온 구간 중 측정된 온도 값이 특정 온도 이상이 되면 게이트 하이 전압(VGH)은 더 이상 감소하지 않고 고정될 수 있다. 여기서, 특정 온도 이상에서 고정된 게이트 하이 전압(VGHmin)은 디스플레이 구동을 위해 요구되는 최소 전압일 수 있다.

이와 같이, 본 발명의 실시예들은, 온도 구간에 따라 디스플레이 패널(110)로 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)을 조정해줌으로써, 저온 구간에서 서브픽셀(SP)의 충전율 저하로 인한 화질 이상을 방지하고, 고온 구간에서 소자 등의 열화나 스트레스 증가를 방지할 수 있다.

그리고, 본 발명의 실시예들은, 디스플레이 패널(110)의 주변 온도에 따라 디스플레이 구동에 영향을 주지 않는 범위에서 데이터 라인(DL)으로 공급되는 전압을 조정할 수 있다.

도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)가 주변 온도에 따라 보상 데이터를 조정하는 과정의 예시를 나타낸 도면이다.

도 10을 참조하면, 컨트롤러(140)는, 다수의 온도 센서(600)에 의해 측정된 온도 값을 수신할 수 있다(S1000).

컨트롤러(140)는, 수신된 온도 값이 고온 구간에 포함되는지 여부를 확인할 수 있다(S1010). 컨트롤러(140)는, 수신된 온도 값이 고온 구간에 포함되면 영상 데이터에 대한 보상 값을 가변할 수 있다(S1020).

그리고, 컨트롤러(140)는, 가변된 보상 값이 반영된 데이터를 데이터 구동 회로(130)로 전송하고, 데이터 구동 회로(130)는 가변된 보상 값이 반영된 데이터 전압(Vdata)을 데이터 라인(DL)으로 출력할 수 있다(S1030).

여기서, 고온 구간은, 일 예로, 40℃ 이상의 온도 구간을 의미할 수 있으나, 이에 한정되지는 아니한다. 그리고, 보상 값을 가변하는 고온 구간은 게이트 하이 전압(VGH)을 조정하는 고온 구간과 상이할 수 있다.

게이트 하이 전압(VGH)이 조정되는 고온 구간은 게이트 하이 전압(VGH)을 낮추더라도 디스플레이 구동에 영향이 없는 구간이므로, 보상 값이 가변되는 온도 구간보다 높은 온도 구간일 수 있다.

그리고, 가변되는 보상 값은 디스플레이 패널(110)의 서브픽셀(SP)에 배치된 구동 트랜지스터(DRT)나 발광 소자(ED)의 특성치를 센싱한 결과에 따른 보상 값일 수 있다.

즉, 영상 데이터에 따른 기본적인 데이터 전압(Vdata)을 조정하지 않고, 서브픽셀(SP)의 특성치 센싱 결과에 따른 보상 값을 조정함으로써, 데이터 라인(DL)으로 공급되는 데이터 전압(Vdata)의 레벨을 조정할 수 있다.

이는 온도에 따라 보상 값을 조정해주는 것으로 볼 수도 있고, 온도에 따른 보상 값이 룩-업 테이블 등의 형태로 설정되어 있는 상태에서 측정된 온도 값에 따라 보상 값을 선택하는 것으로 볼 수도 있다.

또한, 컨트롤러(140)는, 다수의 영역으로부터 측정된 온도 값 중 가장 높은 온도 값을 기준으로 측정된 온도 값이 고온 구간에 포함되는지 여부를 확인할 수 있다.

또는, 컨트롤러(140)는, 측정된 온도 값에 따라 디스플레이 패널(110)의 영역 별로 공급되는 데이터 전압(Vdata)에 대한 보상 값을 조정해줄 수도 있다. 데이터 전압(Vdata)은 각각의 서브픽셀(SP)로 스캔 신호가 공급되는 타이밍에 맞춰 데이터 라인(DL)으로 출력되므로, 영역 별로 보상 값을 조정하는 것이 더욱 용이할 수 있다.

즉, 전술한 도 6에 도시된 예시에서, 각각의 영역 별로 적용되는 보상 값이 상이하거나, 상이한 룩-업 테이블에 기초한 값일 수 있다.

도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)가 주변 온도에 따라 보상 데이터를 조정하는 방식의 예시를 나타낸 도면이다.

도 11을 참조하면, 컨트롤러(140)는, 다수의 온도 센서(600)로부터 측정된 온도 값에 기초하여 데이터 라인(DL)으로 공급되는 데이터 전압(Vdata)에 반영되는 보상 값을 조정해줄 수 있다.

일 예로, 컨트롤러(140)는, 측정된 온도 값이 고온 구간에 포함되면, 데이터 전압(Vdata)에 적용될 보상 값을 하향 조정할 수 있다. 즉, 보상 값에 (-) 값을 갖는 옵셋을 적용할 수 있다.

여기서, 컨트롤러(140)는, 서브픽셀(SP)의 특성치 센싱 결과에 따른 보상 값에서 옵셋을 적용하여 보상 값을 하향 조정할 수 있다. 또는, 특성치 센싱 결과에 따른 보상 값을 선택함에 있어서, 온도에 따라 설정된 여러 룩-업 테이블 중 측정된 온도 값에 해당하는 룩-업 테이블에 설정된 보상 값을 선택하여 옵셋이 적용되도록 할 수도 있다.

그리고, 컨트롤러(140)는, 보상 값에 옵셋을 적용함에 있어서, 보상 값의 범위 내에서 옵셋을 적용할 수 있다.

일 예로, 영상 데이터에 대응하는 데이터 전압(Vdata)이 제1 데이터 전압이라 하고 보상 값이 반영된 데이터 전압(Vdata)이 제2 데이터 전압이라 할 때, 옵셋이 적용된 데이터 전압은 제1 데이터 전압 이상이고 제2 데이터 전압보다 작은 전압일 수 있다.

즉, 디스플레이 패널(110)의 주변 온도가 고온 구간일 때 보상 값에 옵셋을 적용하더라도 데이터 라인(DL)으로 영상 데이터에 대응하는 기본 데이터 전압(Vdata) 이상이 공급되도록 하여 디스플레이 구동에 미치는 영향을 최소화할 수 있다.

그리고, 고온 구간에서 보상 값에 따른 데이터 전압(Vdata)의 증가를 감소시켜줌으로써, 데이터 전압(Vdata)의 감소로 인해 서브픽셀(SP)로 공급되는 전류를 감소시키고 전류의 감소로 인해 디스플레이 패널(110)의 온도가 낮아질 수 있도록 한다.

또한, 디스플레이 패널(110)의 영역 별로 온도를 측정하고 영역 별 온도 값에 따라 보상 값에 대한 옵셋이 적용되도록 함으로써, 디스플레이 패널(110)의 영역 별로 온도가 상이한 경우에도 보상 값의 조정으로 인한 온도 조절이 이루어질 수 있다.

이와 같이, 본 발명의 실시예들은, 디스플레이 패널(110)의 영역 별 온도에 따라 게이트 하이 전압(VGH)이나 보상 값을 가변함으로써, 서브픽셀(SP)로 공급되는 스캔 신호나 데이터 전압(Vdata)의 레벨을 조정하여 온도에 따른 화질 이상 등을 방지할 수 있다.

그리고, 게이트 하이 전압(VGH)의 조정이나 보상 값의 조정은 온도 구간에 따라 동시에 이루어질 수도 있다.

도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)가 주변 온도에 따라 게이트 하이 전압(VGH)과 보상 데이터를 조정하는 과정의 예시를 나타낸 도면이다.

도 12를 참조하면, 컨트롤러(140)는, 다수의 온도 센서(600)에 의해 측정된 온도 값을 수신할 수 있다(S1200).

컨트롤러(140)는, 측정된 온도 값이 제1 온도 구간에 포함되는지 여부를 확인할 수 있다(S1210). 컨트롤러(140)는, 측정된 온도 값이 제1 온도 구간에 포함되면 전원 관리 회로(150)를 제어하여(S1211), 게이트 라인(GL)으로 가변된 게이트 하이 전압(VGH)이 공급되도록 할 수 있다(S1212).

또한, 컨트롤러(140)는, 측정된 온도 값이 제1 온도 구간에 포함되지 않으면, 제1 온도 구간보다 높은 제2 온도 구간에 포함되는지 여부를 확인할 수 있다(S1220). 컨트롤러(140)는, 측정된 온도 값이 제2 온도 구간에 포함되면 데이터 보상 값을 가변하고(S1221), 데이터 라인(DL)으로 조정된 데이터 전압(Vdata)이 공급되도록 할 수 있다(S1222).

여기서, 컨트롤러(140)는, 일 예로, 다수의 온도 센서(600)에 의해 측정된 온도 값 중 가장 낮은 온도 값 또는 가장 높은 온도 값에 기초하여 디스플레이 패널(110)에 배치된 모든 서브픽셀(SP)로 공급되는 전압을 조정할 수 있다.

또는, 컨트롤러(140)는, 다수의 온도 센서(600)에 의해 측정된 온도 값에 기초하여 복수의 영역 각각에 배치된 서브픽셀(SP)로 공급되는 전압을 독립적으로 조정할 수도 있다.

즉, 컨트롤러(140)는, 측정된 온도 값에 따라 서브픽셀(SP)로 공급되는 전압을 종류 별로 조정할 수도 있고, 서브픽셀(SP)이 배치된 영역 별로 조정할 수도 있다.

도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치(100)가 주변 온도에 따라 게이트 하이 전압(VGH)과 보상 데이터를 조정하는 방식의 예시를 나타낸 도면이다.

도 13을 참조하면, 컨트롤러(140)는, 디스플레이 패널(110)의 다수의 영역에 각각 배치된 다수의 온도 센서(600)로부터 측정된 온도 값을 수신할 수 있다. 그리고, 컨트롤러(140)는, 수신된 온도 값에 기초하여 디스플레이 패널(110)의 서브픽셀(SP)로 공급되는 전압 중 일부를 조정할 수 있다.

일 예로, 컨트롤러(140)는, 측정된 온도 값이 저온 구간인 제1 온도 구간에 포함되면, 전원 관리 회로(150)에서 게이트 구동 회로(120)로 공급되는 게이트 하이 전압(VGH)을 상향 조정할 수 있다.

게이트 하이 전압(VGH)은, 제1 온도 구간에서 온도가 낮아질수록 증가할 수 있다. 그리고, 일정한 온도 이하가 되면 게이트 하이 전압(VGH)은 고정될 수 있다. 또한, 제1 온도 구간에서 게이트 하이 전압(VGH)은 조정되더라도 게이트 로우 전압(VGL)은 일정한 레벨을 유지할 수 있다.

제1 온도 구간에서 게이트 하이 전압(VGH)이 상향 조정됨에 따라, 온도가 낮은 구간에서 트랜지스터의 이동도 저하 등으로 인한 서브픽셀(SP)의 충전율 저하를 방지할 수 있다.

따라서, 디스플레이 구동 기간이나 센싱 기간에 디스플레이 구동 또는 센싱을 위한 데이터 전압이 충분히 공급되지 못하는 현상을 방지하며, 저온 구간에서 화질 이상을 방지하고 센싱 성능을 개선할 수 있다.

또한, 컨트롤러(140)는, 측정된 온도 값이 고온 구간 중 일부 구간인 제2 온도 구간에 포함되면, 데이터 구동 회로(130)로 전송하는 보상 값을 가변할 수 있다.

일 예로, 제2 온도 구간에서 온도가 증가할수록 보상 값에 적용되는 (-)의 옵셋이 증가할 수 있다. 따라서, 영상 데이터에 대응하는 데이터 전압(Vdata)에 부가되는 보상 값이 감소될 수 있다.

여기서, 보상 값에 적용되는 옵셋은 보상 값의 범위 내에서 적용될 수 있다.

따라서, 영상 데이터에 대응하는 데이터 전압(Vdata) 이상의 전압을 데이터 라인(DL)으로 공급하되, 데이터 전압(Vdata)에 부가되는 보상 값의 범위에서 보상 값을 하향 조정함으로써, 제2 온도 구간에서 데이터 전압(Vdata)의 조절에 따른 온도 조절이 이루어질 수 있다.

그리고, 제2 온도 구간 중 일부 구간에서 온도에 따라 게이트 하이 전압(VGH)의 레벨의 하향 조정될 수 있다.

컨트롤러(140)는, 보상 값의 조정을 수행하는 제2 온도 구간 중 일부 구간에서 온도가 증가할수록 게이트 하이 전압(VGH)을 하향 조정할 수 있다.

또한, 컨트롤러(140)는, 제2 온도 구간보다 높은 제3 온도 구간의 일부 구간에서 온도가 증가할수록 게이트 하이 전압(VGH)을 하향 조정할 수 있다. 그리고, 제3 온도 구간에서 일정한 온도 이상이 되면 게이트 하이 전압(VGH)을 더 이상 하향 조정하지 않고 고정된 상태를 유지할 수 있다.

데이터 라인(DL)으로 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 조정하는 제2 온도 구간의 일부 구간과 제2 온도 구간보다 높은 제3 온도 구간에서 게이트 하이 전압(VGH)을 하향 조정해줌으로써, 고온 구간에서 서브픽셀(SP)로 공급되는 전압의 레벨 조정으로 인한 디스플레이 패널(110)의 온도 조절을 더욱 용이하게 수행할 수 있다.

전술한 본 발명의 실시예들에 의하면, 디스플레이 패널(110)의 영역 별로 측정된 온도 값에 기초하여 디스플레이 패널(110)의 서브픽셀(SP)로 공급되는 전압 중 적어도 일부를 조정하여 주변 온도에 따른 화질 이상이나 디스플레이 패널(110)의 열화를 방지할 수 있다.

또한, 특정 온도 구간에서 게이트 하이 전압(VGH)을 조정하거나, 데이터 전압(Vdata)에 부가되는 보상 값의 범위에서 데이터 전압(Vdata)을 조정함으로써, 디스플레이 구동에 영향을 주지 않으면서 디스플레이 패널(110)의 주변 온도에 따른 이상을 방지하고 디스플레이 패널(110)의 온도 조절을 용이하게 수행할 수 있다.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100: 디스플레이 장치 110: 디스플레이 패널
120: 게이트 구동 회로 130: 데이터 구동 회로
140: 컨트롤러 150: 전원 관리 회로
310: 센싱부 320: 디지털 아날로그 컨버터
410: 보상부 600: 온도 센서

Claims

다수의 게이트 라인들, 다수의 데이터 라인들 및 다수의 서브픽셀들이 배치된 디스플레이 패널;
상기 디스플레이 패널의 복수의 영역들에 각각 배치된 다수의 온도 센서들; 및
상기 온도 센서에 의해 측정된 온도 값에 기초하여 상기 다수의 서브픽셀들 중 적어도 하나의 서브픽셀로 공급되는 다수의 전압들 중 적어도 하나를 조정하는 컨트롤러를 포함하고,
상기 측정된 온도 값이 제1 온도 구간에 포함되면 상기 다수의 게이트 라인들 중 적어도 하나의 게이트 라인을 통해 상기 적어도 하나의 서브픽셀로 공급되는 전압이 조정되고, 상기 측정된 온도 값이 상기 제1 온도 구간보다 높은 제2 온도 구간에 포함되면 상기 다수의 데이터 라인들 중 적어도 하나의 데이터 라인을 통해 상기 적어도 하나의 서브픽셀로 공급되는 전압이 조정되며,
상기 제2 온도 구간에서, 상기 적어도 하나의 서브픽셀로 공급되는 전압의 조정은,
영상 데이터에 따른 기본적인 데이터 전압을 조정하지 않고, 상기 적어도 하나의 서브픽셀의 특성치 센싱 결과에 따른 보상 값 조절을 통해 상기 적어도 하나의 서브픽셀로 공급되는 데이터 전압의 레벨이 온도가 높을수록 감소하도록 조정되는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 온도 구간에서 상기 측정된 온도 값이 낮아질수록 상기 게이트 라인을 통해 상기 서브픽셀로 공급되는 게이트 하이 전압의 절댓값이 증가하는 디스플레이 장치.
제2항에 있어서,
상기 다수의 온도 센서에 의해 측정된 온도 값 중 가장 높은 온도 값이 상기 제1 온도 구간에 포함되면 상기 게이트 라인을 통해 상기 서브픽셀로 공급되는 상기 게이트 하이 전압이 조정되는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 측정된 온도 값이 상기 제2 온도 구간에 포함되고 상기 제2 온도 구간의 일부 구간에서 상기 측정된 온도 값이 높아질수록 상기 게이트 라인을 통해 상기 서브픽셀로 공급되는 게이트 하이 전압의 절댓값이 감소하는 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 측정된 온도 값이 상기 제2 온도 구간보다 높은 제3 온도 구간에 포함되면 상기 측정된 온도 값이 높아질수록 상기 게이트 라인을 통해 상기 서브픽셀로 공급되는 게이트 하이 전압의 절댓값이 감소하는 디스플레이 장치.
제5항에 있어서,
상기 측정된 온도 값이 상기 제3 온도 구간에서 기설정된 온도 값 이상이면 상기 게이트 하이 전압은 고정되는 디스플레이 장치.
제5항에 있어서,
상기 다수의 온도 센서에 의해 측정된 온도 값 중 가장 낮은 온도 값이 상기 제3 온도 구간에 포함되면 상기 게이트 라인을 통해 상기 서브픽셀로 공급되는 상기 게이트 하이 전압이 조정되는 디스플레이 장치.
제2항에 있어서,
상기 제1 온도 구간에서 상기 게이트 라인을 통해 상기 서브픽셀로 공급되는 게이트 로우 전압은 일정한 디스플레이 장치.
제1항에 있어서,
상기 제2 온도 구간에서 상기 측정된 온도 값이 높아질수록 동일한 상기 영상 데이터에 대응하여 상기 데이터 라인을 통해 상기 서브픽셀로 공급되는 데이터 전압의 절댓값이 감소하는 디스플레이 장치.
제9항에 있어서,
상기 제2 온도 구간에서 상기 데이터 전압은 상기 영상 데이터에 대응하는 제1 데이터 전압과 상기 제1 데이터 전압에 보상 데이터가 반영된 제2 데이터 전압 사이의 전압인 디스플레이 장치.
제9항에 있어서,
상기 데이터 전압은 상기 온도 센서가 배치된 상기 복수의 영역별로 조정되는 디스플레이 장치.
다수의 게이트 라인들, 다수의 데이터 라인들 및 다수의 서브픽셀들이 배치된 디스플레이 패널;
상기 다수의 데이터 라인들로 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로;
상기 다수의 게이트 라인들을 구동하는 게이트 구동 회로; 및
상기 게이트 구동 회로로 게이트 하이 전압을 공급하는 전원 관리 회로를 포함하고,
저온 구간에서 상기 게이트 구동 회로로 공급되는 상기 게이트 하이 전압의 절댓값은 온도가 낮을수록 증가하고,
고온 구간에서 상기 다수의 데이터 라인들 중 적어도 하나의 데이터 라인으로 공급되는 상기 데이터 전압은, 영상 데이터에 따른 기본적인 데이터 전압의 조정에 의한 전압이 아니고, 적어도 하나의 서브픽셀의 특성치 센싱 결과에 따른 보상 값 조절을 통해 상기 데이터 전압의 레벨이 온도가 높을수록 감소하도록 조정된 전압인 디스플레이 장치.
제12항에 있어서,
상기 저온 구간 이외의 온도 구간에서 상기 게이트 하이 전압은 일정한 디스플레이 장치.
제12항에 있어서,
상기 저온 구간 이외의 온도 구간 중 적어도 일부 구간에서 상기 게이트 하이 전압의 절댓값은 온도가 높을수록 감소하는 디스플레이 장치.
다수의 게이트 라인들, 다수의 데이터 라인들 및 다수의 서브픽셀들이 배치된 디스플레이 패널;
상기 다수의 데이터 라인들로 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로;
상기 다수의 게이트 라인들을 구동하는 게이트 구동 회로;
상기 게이트 구동 회로로 게이트 하이 전압을 공급하는 전원 관리 회로; 및
상기 데이터 구동 회로 및 상기 게이트 구동 회로를 제어하는 컨트롤러를 포함하고,
고온 구간에서 상기 데이터 라인으로 공급되는 상기 데이터 전압은 온도가 높을수록 감소하고,
저온 구간에서 상기 게이트 구동 회로로 공급되는 상기 게이트 하이 전압의 절댓값은 온도가 낮을수록 증가하며,
상기 고온 구간에서 상기 데이터 라인으로 공급되는 상기 데이터 전압은, 영상 데이터에 따른 기본적인 데이터 전압의 조정에 의한 전압이 아니고, 적어도 하나의 서브픽셀의 특성치 센싱 결과에 따른 보상 값 조절을 통해 영상 데이터에 대응하는 데이터 전압의 레벨이 온도가 높을수록 감소하도록 조정된 전압인 디스플레이 장치.
제15항에 있어서,
상기 고온 구간에서 상기 데이터 라인으로 공급되는 상기 데이터 전압은 상기 영상 데이터에 대응하는 제1 데이터 전압과 상기 제1 데이터 전압에 보상 데이터가 반영된 제2 데이터 전압 사이의 전압인 디스플레이 장치.
제15항에 있어서,
상기 디스플레이 패널의 복수의 영역에 각각 배치된 다수의 온도 센서들을 더 포함하고,
상기 데이터 전압은 상기 온도 센서가 배치된 복수의 영역별로 조정되는 디스플레이 장치.
디스플레이 패널의 복수의 영역들에 각각 배치된 다수의 온도 센서들 중 적어도 하나에 의해 측정된 온도 값을 수신하는 단계;
상기 측정된 온도 값이 제1 온도 구간에 포함되면 상기 디스플레이 패널에 배치된 다수의 게이트 라인들 중 적어도 하나의 게이트 라인을 통해 적어도 하나의서브픽셀로 공급되는 전압을 조정하는 단계; 및
상기 측정된 온도 값이 상기 제1 온도 구간보다 높은 제2 온도 구간에 포함되면 상기 디스플레이 패널에 배치된 다수의 데이터 라인들 중 적어도 하나의 데이터 라인을 통해 상기 적어도 하나의 서브픽셀로 공급되는 전압을 조정하는 단계를 포함하고,
상기 제2 온도 구간에서, 상기 적어도 하나의 서브픽셀로 공급되는 공급되는 전압의 조정은, 영상 데이터에 따른 기본적인 데이터 전압을 조정하지 않고, 상기 적어도 하나의 서브픽셀의 특성치 센싱 결과에 따른 보상 값 조절을 통해 상기 적어도 하나의 서브픽셀로 공급되는 데이터 전압의 레벨이 온도가 높을수록 감소하도록 조정되는 디스플레이 장치의 구동 방법.
제18항에 있어서,
상기 다수의 온도 센서들에 의해 측정된 온도 값 중 가장 낮은 온도 값 또는 가장 높은 온도 값에 기초하여 상기 디스플레이 패널에 배치된 모든 서브픽셀로 공급되는 전압을 조정하는 디스플레이 장치의 구동 방법.
제18항에 있어서,
상기 다수의 온도 센서들 각각에 의해 측정된 온도 값에 기초하여 상기 디스플레이 패널에 배치된 서브픽셀로 공급되는 전압을 상기 복수의 영역 별로 조정하는 디스플레이 장치의 구동 방법.