KR102680526B1 - Display device - Google Patents

Display device

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KR102680526B1
KR102680526B1 KR1020220153598A KR20220153598A KR102680526B1 KR 102680526 B1 KR102680526 B1 KR 102680526B1 KR 1020220153598 A KR1020220153598 A KR 1020220153598A KR 20220153598 A KR20220153598 A KR 20220153598A KR 102680526 B1 KR102680526 B1 KR 102680526B1
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강규태
하종무
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 표시 장치는 이형 코너를 가지는 표시 영역 및 상기 표시 영역 주위의 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 이형 코너를 포함한 상기 표시 영역에 있으며, 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소, 상기 비표시 영역에 배치되어 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부, 상기 비표시 영역에 배치되고, 상기 게이트 구동부로부터 연장된 제1 게이트 배선, 상기 제1 게이트 배선과 전기적으로 연결되어 상기 트랜지스터에 상기 게이트 신호를 전달하는 제2 게이트 배선 및 상기 비표시 영역에서 상기 제2 게이트 배선과 동일한 방향으로 연장된 전원 공급 배선을 포함하고, 상기 제1 게이트 배선 및 상기 전원 공급 배선은 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질일 수 있다. 이에, 표시 장치의 베젤의 크기를 최소화할 수 있고, 표시 장치의 휘도 균일성을 개선할 수 있다.The present invention relates to a display device. The display device according to the present invention includes a substrate including a display area having a special corner and a non-display area around the display area, the display area including the special corner, and a transistor, respectively. a plurality of pixels including a plurality of pixels, a gate driver disposed in the non-display area and supplying a gate signal, a first gate wire disposed in the non-display area and extending from the gate driver, and electrically connected to the first gate wire. a second gate wire that transmits the gate signal to the transistor and a power supply wire extending in the same direction as the second gate wire in the non-display area, wherein the first gate wire and the power supply wire are connected to the transistor. It may be the same material as the source electrode and drain electrode. Accordingly, the size of the bezel of the display device can be minimized and the luminance uniformity of the display device can be improved.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 휘도 균일도가 개선되며 코너 부분의 베젤의 폭이 최소화된 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more specifically, to a display device in which luminance uniformity is improved and the width of the bezel at the corner is minimized.

현재 다양한 표시 장치들이 개발 및 시판되고 있다. 예를 들어, 액정 표시 장치(liquid crystal display device; LCD), 전계 방출 표시 장치(field emission display device; FED), 전기 영동 표시 장치(electro phoretic display device; EPD), 전기 습윤 표시 장치(electro-wetting display device; EWD) 및 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display device; OLED), 양자점 표시 장치(quantum dot display device; QD) 등의 표시 장치가 있다.Currently, various display devices are being developed and sold. For example, liquid crystal display device (LCD), field emission display device (FED), electrophoretic display device (EPD), electro-wetting display device There are display devices such as display device (EWD), organic light emitting display device (OLED), and quantum dot display device (QD).

표시 장치는 복수의 화소가 배치되어 영상이 구현되는 표시 영역과 표시 영역을 둘러싸며 영상이 구현되지 않는 비표시영역을 포함한다. 이때, 표시 영역에는 복수의 화소가 정의될 수 있다. 또한, 비표시 영역에는 복수의 화소에 다양한 신호를 전달하기 위한 배선 및 회로가 배치된다. A display device includes a display area where a plurality of pixels are arranged to display an image, and a non-display area surrounding the display area where an image is not displayed. At this time, a plurality of pixels may be defined in the display area. Additionally, wiring and circuits for transmitting various signals to a plurality of pixels are arranged in the non-display area.

이러한 표시 장치를 구현하기 위한 기술이 발전하면서 많은 제품들이 양산됨에 따라, 표시 장치는 소비자가 원하는 디자인을 구현하기 위한 기술 위주로 발전하고 있다. 그 중 한가지는 영상이 구현되는 표시 영역의 형태의 다양화이다. 구체적으로, 표시 영역은 사각형의 형태에서 벗어나 다양한 형태가 요구되고 있다. 예를 들어, 웨어러블(wearable) 표시 장치와 같이 다양한 목적을 가진 표시 장치의 표시 영역의 형태를 다변화 시킴으로써 제품 디자인의 유연성을 확보하기 위한 노력이 필요하다. 또한, 표시 영역의 형태를 다양화함에 따라 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역의 형태 및 비표시 영역에 배치되는 배선 등에 대한 설계 변경도 필요하다.As technology for implementing such display devices develops and many products are mass-produced, display devices are developing with a focus on technology for implementing designs desired by consumers. One of them is the diversification of the form of the display area where images are implemented. Specifically, the display area is required to have a variety of shapes beyond the rectangular shape. For example, efforts are needed to secure flexibility in product design by diversifying the shape of the display area of display devices with various purposes, such as wearable display devices. Additionally, as the shape of the display area is diversified, it is necessary to change the design of the shape of the non-display area surrounding the display area and the wiring arranged in the non-display area.

본 발명의 발명자들은 소비자들의 다양한 디자인 변화의 요구에 따라 이형 코너를 갖는 표시 영역을 갖는 표시 장치를 개발하였다. 이형 코너는 직사각형의 형상을 갖는 코너가 아닌, 라운드 코너 등 다양한 형태의 코너를 의미한다. 그리고, 표시 영역이 이형 코너를 가짐으로써, 이형 코너와 대응하는 비표시 영역의 코너도 이형 코너와 대응되는 형상을 갖게 하는 것도 발명되었다. 다만, 표시 영역의 양측에 위치하는 게이트 구동부에 의하여 비표시 영역의 면적을 줄이는데 한계가 있음을 인식하였다.The inventors of the present invention developed a display device having a display area with unusual corners in response to consumers' requests for various design changes. A deformed corner refers to a corner of various shapes, such as a round corner, rather than a corner having a rectangular shape. Additionally, it has been invented that by having the display area have a special corner, the corner of the non-display area corresponding to the special corner also has a shape corresponding to the special corner. However, it was recognized that there is a limit to reducing the area of the non-display area due to the gate driver located on both sides of the display area.

그리고, 본 발명의 발명자들은 복수의 화소에 전원 전압을 균일하게 공급하는 것이 중요하다는 것을 인식하였다. 그러나, 본 발명의 발명자들은 표시 영역의 코너를 이형 코너로 구현하는 경우, 이형 코너에 대응하는 비표시 영역에 배치되는 도전층에 비하여 배치되어야 하는 배선의 수가 많아지므로, 전원 전압을 공급하기 위한 수평 배선을 이형 코너까지 배치하기 못어렵다는 것을 인식하였다.Additionally, the inventors of the present invention recognized that it is important to uniformly supply power voltage to a plurality of pixels. However, the inventors of the present invention found that when the corners of the display area are implemented as unusual corners, the number of wires that must be placed increases compared to the conductive layer disposed in the non-display area corresponding to the unusual corners, so there is no horizontal line for supplying the power voltage. It was recognized that it would be difficult to place the wiring to a special corner.

이에, 본 발명의 발명자들은, 이형 코너를 갖는 표시 영역에 대응하는 비표시 영역에 대한 배선 및 게이트 구동부에 대한 설계를 변경함으로써, 이형 코너에 대응하는 비표시 영역의 폭을 최소화함과 동시에 복수의 화소에 전원 전압을 균일하게 공급할 수 있는 새로운 구조의 표시 장치를 개발하였다.Accordingly, the inventors of the present invention changed the design of the wiring and gate driver for the non-display area corresponding to the display area having the unusual corner, thereby minimizing the width of the non-display area corresponding to the unusual corner and simultaneously creating a plurality of A display device with a new structure that can uniformly supply power voltage to pixels has been developed.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이형 코너에 대응하지 않는 비표시 영역에 게이트 구동부를 배치하여 이형 코너 영역의 베젤 넓이가 감소된 표시 장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a display device in which the bezel area of the unusual corner area is reduced by arranging the gate driver in a non-display area that does not correspond to the unusual corner.

그리고, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이형 코너에 대응하는 비표시 영역에 배치된 데이터 배선과 게이트 배선이 서로 교차하지 않도록 컨택홀의 위치가 배치된 표시 장치를 제공하는 것이다.Additionally, the problem to be solved by the present invention is to provide a display device in which contact holes are positioned so that data wires and gate wires arranged in a non-display area corresponding to an unusual corner do not intersect each other.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 코너를 가지는 표시 영역 및 상기 표시 영역 주위의 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 이형 코너를 포함한 상기 표시 영역에 있으며, 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소, 상기 비표시 영역에 배치되어 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부, 상기 비표시 영역에 배치되고, 상기 게이트 구동부로부터 연장된 제1 게이트 배선, 상기 제1 게이트 배선과 전기적으로 연결되어 상기 트랜지스터에 상기 게이트 신호를 전달하는 제2 게이트 배선 및 상기 비표시 영역에서 상기 제2 게이트 배선과 동일한 방향으로 연장된 전원 공급 배선을 포함하고, 상기 제1 게이트 배선 및 상기 전원 공급 배선은 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질일 수 있다. A display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate including a display area having an unusual corner and a non-display area around the display area, and a plurality of devices located in the display area including the unusual corner and each including a transistor. A pixel, a gate driver disposed in the non-display area and supplying a gate signal, a first gate wire disposed in the non-display area and extending from the gate driver, and electrically connected to the first gate wire to transmit the transistor to the transistor. A second gate wire transmitting a gate signal and a power supply wire extending in the same direction as the second gate wire in the non-display area, wherein the first gate wire and the power supply wire are the source electrode of the transistor and It may be the same material as the drain electrode.

본 발명은 이형 코너에 대응하는 비표시 영역에 게이트 구동부를 배치하지 않음으로써 베젤 넓이를 감소시킬 수 있다.The present invention can reduce the bezel area by not disposing the gate driver in the non-display area corresponding to the unusual corner.

그리고, 본 발명은 표시 영역에 전원 공급 배선을 배치함으로써, 각각의 화소 전체에 균일한 전원 전압을 공급할 수 있으므로, 휘도의 균일성을 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention can supply a uniform power voltage to all of each pixel by arranging the power supply wiring in the display area, thereby improving the uniformity of luminance.

그리고, 본 발명은 이형 코너에 대응하는 비표시 영역에 배치된 데이터 배선과 게이트 배선이 서로 교차하지 않도록 컨택홀의 위치를 배치함으로써, 화소 각각에 고전위 전압을 공급할 수 있다.In addition, the present invention can supply a high potential voltage to each pixel by positioning the contact hole so that the data wire and the gate wire arranged in the non-display area corresponding to the unusual corner do not intersect each other.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited to the contents exemplified above, and further various effects are included in the present specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 A영역 및 B영역에 대한 확대 평면도이다.
도 3은 도 2의 IIIa-IIIa' 및 IIIb-IIIb'에 대한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다.
도 5는 도 4의 Va-Va' 및 Vb-Vb' 에 대한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다.
1 is a plan view of a display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged plan view of areas A and B of FIG. 1.
FIG. 3 is a cross-sectional view of lines IIIa-IIIa' and IIIb-IIIb' of FIG. 2.
Figure 4 is an enlarged plan view of a display device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along lines Va-Va' and Vb-Vb' of FIG. 4.
Figure 6 is an enlarged plan view of a display device according to another embodiment of the present invention.
Figure 7 is an enlarged plan view of a display device according to another embodiment of the present invention.
Figure 8 is an enlarged plan view of a display device according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms. The present embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present invention is complete and that common knowledge in the technical field to which the present invention pertains is not limited. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative, and the present invention is not limited to the matters shown. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in the specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as 'on top', 'on the top', 'on the bottom', 'next to', etc., 'immediately' Alternatively, there may be one or more other parts placed between the two parts, unless 'directly' is used.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.When an element or layer is referred to as “on” another element or layer, it includes instances where the other layer or other element is directly on top of or interposed between the other elements.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The size and thickness of each component shown in the drawings are shown for convenience of explanation, and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention can be partially or fully combined or combined with each other, and as can be fully understood by those skilled in the art, various technical interconnections and operations are possible, and each embodiment may be implemented independently of each other. It may be possible to conduct them together due to a related relationship.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 기판(110), 게이트 구동부(120) 및 전원 공급 배선(130)을 포함한다.1 is a plan view of a display device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1 , the display device 100 includes a substrate 110, a gate driver 120, and a power supply wire 130.

기판(110)은 표시 장치(100)의 여러 구성 요소들을 지지하고 보호하기 위한 기판(110)이다. 기판(110)은 유리, 또는 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다. 기판(110)이 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 예를 들어, 폴리이미드(polyimide; PI)로 이루어질 수도 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다.The substrate 110 is used to support and protect various components of the display device 100. The substrate 110 may be made of glass or a plastic material with flexibility. If the substrate 110 is made of a plastic material, for example, it may be made of polyimide (PI). However, it is not limited to this.

기판(110)은 표시 영역(AA) 및 표시 영역(AA)에 인접한 비표시 영역(NA)을 포함한다. The substrate 110 includes a display area AA and a non-display area NA adjacent to the display area AA.

표시 영역(AA)은 표시 장치(100)에서 영상이 표시되는 영역으로서, 표시 영역(AA)에는 표시 소자 및 표시 소자를 구동하기 위한 다양한 구동 소자들이 배치된다. 표시 영역(AA)의 코너는 이형 코너일 수 있다. 이형 코너는, 일반적인 표시 영역(AA)의 코너처럼 직사각형의 코너가 아닌, 다양한 형태의 코너를 의미한다. 예를 들면, 이형 코너는 라운드(round) 형상의 코너일 수 있으며, 오각형 또는 육각형의 일부의 형상일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. The display area AA is an area where an image is displayed in the display device 100, and a display element and various driving elements for driving the display element are disposed in the display area AA. The corners of the display area AA may be irregular corners. Anomalous corners refer to corners of various shapes rather than rectangular corners like the corners of a typical display area (AA). For example, the unusual corner may be a round corner, or may be a part of a pentagon or hexagon, but is not limited thereto.

비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)에 인접한 영역이다. 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)에 인접하여 표시 영역(AA)을 둘러싸는 영역이다. 비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역이며, 배선 및 회로부가 형성된다. 예를 들면, 비표시 영역(NA)에는 게이트 구동부(120) 및 전원 공급 배선(130)이 배치될 수 있다. 비표시 영역(NA)은 도 1에 도시된 바와 같이 이형 코너를 가질 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않으며 수직인 두 면을 갖는 코너를 가질 수도 있다.The non-display area (NA) is an area adjacent to the display area (AA). The non-display area (NA) is an area adjacent to the display area (AA) and surrounding the display area (AA). The non-display area (NA) is an area where images are not displayed, and wiring and circuit parts are formed. For example, the gate driver 120 and the power supply wire 130 may be disposed in the non-display area (NA). The non-display area (NA) may have unusual corners as shown in FIG. 1 . However, it is not limited to this and may have a corner having two vertical sides.

게이트 구동부(120)는 화소(PX)에 게이트 신호를 공급하기 위한 회로이다. 게이트 구동부(120)는 도 1에 도시된 바와 같이, 표시 영역(AA)의 양 측에 배치될 수 있으나, 표시 영역(AA)의 일 측에 배치될 수도 있다. 게이트 구동부(120)는 표시 영역(AA)의 각각의 화소에 게이트 신호를 공급할 수 있다. The gate driver 120 is a circuit for supplying a gate signal to the pixel PX. As shown in FIG. 1, the gate driver 120 may be placed on both sides of the display area AA, but may also be placed on one side of the display area AA. The gate driver 120 may supply a gate signal to each pixel in the display area AA.

전원 공급 배선(130)은 비표시 영역(NA)에 있으며, 화소에 전원 전압을 공급하기 위한 배선이다. 예를 들면, 전원 공급 배선(130)은 표시 영역(AA)의 각각의 화소에 전원 전압을 공급할 수 있다. The power supply wire 130 is located in the non-display area (NA) and is used to supply power voltage to the pixel. For example, the power supply line 130 may supply a power voltage to each pixel of the display area AA.

도 1에 도시되지는 않았으나, 표시 장치(100)는 외부 모듈, 예를 들어 COF(Chip On Film)을 포함할 수 있다. COF는 비표시 영역(NA)에 본딩될 수 있으며, 패드를 통하여 기판(110)과 전기적으로 연결될 수 있다. COF는 절연 물질로 이루어진 베이스 필름과, 베이스 필름상에 형성된 구동 IC 등을 포함할 수 있다. COF는 패드를 통해 전원 전압 및 데이터 전압 등을 표시 영역(AA)에 공급할 수 있다.Although not shown in FIG. 1, the display device 100 may include an external module, for example, a Chip On Film (COF). The COF may be bonded to the non-display area (NA) and electrically connected to the substrate 110 through a pad. The COF may include a base film made of an insulating material and a driver IC formed on the base film. The COF can supply power voltage and data voltage to the display area (AA) through the pad.

이하에서는 표시 장치(100)에 대한 보다 상세한 설명을 위해 도 2 및 도 3을 함께 참조한다.Hereinafter, FIGS. 2 and 3 will be referred to together for a more detailed description of the display device 100.

도 2는 도 1의 A영역 및 B영역에 대한 확대 평면도이다. 도 3은 도 2의 IIIa-IIIa' 및 IIIb-IIIb'에 대한 단면도이다. 도 2의 A영역 및 B영역은 표시 영역(AA)의 이형 코너 부분을 확대한 평면도이다. A영역과 B영역은 대칭으로 구성될 수 있으므로 중복 설명은 생략한다.Figure 2 is an enlarged plan view of areas A and B of Figure 1. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along lines IIIa-IIIa' and IIIb-IIIb' of FIG. 2. Areas A and B of FIG. 2 are plan views enlarging the irregular corner portion of the display area AA. Since area A and area B may be configured symmetrically, duplicate descriptions are omitted.

도 2 및 도 3을 참조하면, 표시 영역(AA)은 복수의 화소(PX)를 포함한다. 복수의 화소(PX)는 표시 영역(AA)에 있으며, 트랜지스터(140) 등의 소자를 구비한다. 복수의 화소(PX) 각각은 게이트 배선(GL), 데이터 배선(DL) 및 전원 배선(VDDL)과 연결된다. 게이트 배선(GL)은 복수의 화소(PX)에 게이트 신호를 전달하는 배선이고, 데이터 배선(DL)은 복수의 화소(PX)에 데이터 신호를 전달하는 배선이며, 전원 배선(VDDL)은 복수의 화소(PX)에 전원 전압을 공급하는 배선이다. Referring to FIGS. 2 and 3 , the display area AA includes a plurality of pixels PX. A plurality of pixels (PX) are in the display area (AA) and include elements such as the transistor 140. Each of the plurality of pixels (PX) is connected to a gate line (GL), a data line (DL), and a power line (VDDL). The gate wire (GL) is a wire that transmits a gate signal to a plurality of pixels (PX), the data wire (DL) is a wire that transmits a data signal to a plurality of pixels (PX), and the power wire (VDDL) is a wire that transmits a gate signal to a plurality of pixels (PX). This is a wiring that supplies power voltage to the pixel (PX).

표시 영역(AA)의 각각의 화소(PX)에 대한 구조 설명을 위해 도 3을 참조하면, 기판(110) 상에는 트랜지스터(140)가 배치된다. 구체적으로, 기판(110) 상에는 트랜지스터(140)의 채널이 형성되는 액티브층(141)이 형성되고, 액티브층(141) 상에는 게이트 절연층(111)이 형성된다. 게이트 절연층(111)은 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 옥사이드(SiOx) 등과 같은 무기물로 이루어지고, 단일층이거나 이들의 복수의 층으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 게이트 절연층(111) 상에는 게이트 전극(142)이 형성된다. 게이트 전극(142) 상에는 제1 층간 절연층(112)이 형성된다. 제1 층간 절연층(112)은 예를 들어 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 층간 절연층(112) 상에는 제2 층간 절연층(113)이 형성된다. 제2 층간 절연층(113)은 제1 층간 절연층(112)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 층간 절연층(113) 상에는 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)이 형성될 수 있다. 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)은 게이트 절연층(111), 제1 층간 절연층(112) 및 제2 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 액티브층(141)과 전기적으로 연결된다. 도 3에서는 트랜지스터(140)가 탑 게이트(top gate) 타입의 코플라나(coplanar) 구조의 트랜지스터(140)인 것으로 도시되었으나, 트랜지스터(140)의 적층 구조는 이에 제한되지 않는다. 그리고, 도 3에서는 게이트 절연층(111) 및 제2 층간 절연층(113)이 상부를 평탄화하는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고, 게이트 절연층(111) 및 제2 층간 절연층(113)은 하부에 배치된 구성들의 표면의 형상을 따라 컨포멀(conformal)하게 배치될 수도 있다.Referring to FIG. 3 for a description of the structure of each pixel PX in the display area AA, a transistor 140 is disposed on the substrate 110. Specifically, an active layer 141 in which a channel of the transistor 140 is formed is formed on the substrate 110, and a gate insulating layer 111 is formed on the active layer 141. The gate insulating layer 111 is made of an inorganic material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx), and may be a single layer or a plurality of layers, but is not limited thereto. A gate electrode 142 is formed on the gate insulating layer 111. A first interlayer insulating layer 112 is formed on the gate electrode 142. The first interlayer insulating layer 112 may be made of, for example, silicon nitride (SiNx), but is not limited thereto. A second interlayer insulating layer 113 is formed on the first interlayer insulating layer 112. The second interlayer insulating layer 113 may be formed of the same material as the first interlayer insulating layer 112, but is not limited thereto. The source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140 may be formed on the second interlayer insulating layer 113. The source electrode 143 and the drain electrode 144 are electrically connected to the active layer 141 through contact holes formed in the gate insulating layer 111, the first interlayer insulating layer 112, and the second interlayer insulating layer 113. connected. In FIG. 3, the transistor 140 is shown as a top gate type coplanar structure transistor 140, but the stacked structure of the transistor 140 is not limited to this. Also, in FIG. 3, the gate insulating layer 111 and the second interlayer insulating layer 113 are shown to flatten the upper portion, but this is not limited to this, and the gate insulating layer 111 and the second interlayer insulating layer 113 are It may be arranged conformally according to the shape of the surface of the components arranged below.

제1 층간 절연층(112)과 제2 층간 절연층(113) 사이에는 도전층(150)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 2개의 층간 절연층(112, 113)을 사용하여 제1 층간 절연층(112)과 제2 층간 절연층(113) 사이에 추가적인 도전층(150)이 배치됨에 따라, 도전층(150)은 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142) 사이에 배치될 수 있다. 이에, 추가적으로 배치할 수 있는 도전 패턴 및 배선의 개수가 증가됨에 따라, 보다 고해상도의 표시 장치(100)를 제공할 수 있고, 보다 저항이 낮은 배선을 제공할 수도 있으며, 표시 장치(100)에서 커패시터를 추가적으로 병렬 연결함에 따라 커패시턴스를 개선시킬 수도 있다. A conductive layer 150 may be disposed between the first interlayer insulating layer 112 and the second interlayer insulating layer 113. For example, in the display device 100 according to an embodiment of the present invention, two interlayer insulating layers 112 and 113 are used between the first interlayer insulating layer 112 and the second interlayer insulating layer 113. As the additional conductive layer 150 is disposed, the conductive layer 150 may be disposed between the source electrode 143 and drain electrode 144 of the transistor 140 and the gate electrode 142 of the transistor 140. . Accordingly, as the number of conductive patterns and wires that can be additionally placed increases, it is possible to provide a display device 100 with higher resolution, a wire with lower resistance, and a capacitor in the display device 100. Capacitance can also be improved by additionally connecting in parallel.

그리고, 도 2를 참조하면, 전원 공급 배선(130)은 복수의 게이트 배선(GL)과 동일한 방향으로 연장되며, 비표시 영역(NA)에 배치된다. 예를 들면, 전원 공급 배선(130)은 복수의 게이트 배선(GL) 중 표시 영역에 배치된 복수의 제2 게이트 배선(GL2)이 연장된 방향과 동일한 방향으로 연장될 수 있다. And, referring to FIG. 2 , the power supply wiring 130 extends in the same direction as the plurality of gate wirings GL and is disposed in the non-display area NA. For example, the power supply wire 130 may extend in the same direction as the direction in which the plurality of second gate wires GL2 disposed in the display area among the plurality of gate wires GL extend.

그리고, 전원 공급 배선(130)은 복수의 전원 배선(VDDL)과 연결된다. 복수의 전원 배선(VDDL)은 전원 공급 배선(130)으로부터 분기되는(branched) 배선으로서 복수의 화소(PX)에 고전위 전압을 공급한다. 복수의 전원 배선(VDDL)은 전원 공급 배선(130)과 동일한 물질이며, 전원 공급 배선(130)으로부터 분기되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 전원 공급 배선(130) 및 복수의 전원 배선(VDDL)은 하나의 공정으로 형성될 수 있다. 이때, 전원 공급 배선(130) 및 복수의 전원 배선(VDDL)은 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질일 수 있다.And, the power supply wire 130 is connected to a plurality of power wires VDDL. The plurality of power supply wires VDDL are wires branched from the power supply wire 130 and supply high potential voltages to the plurality of pixels PX. The plurality of power wiring lines VDDL may be made of the same material as the power supply wiring 130 and may be formed by branching from the power supply wiring 130 . For example, the power supply wiring 130 and the plurality of power wiring lines VDDL may be formed in one process. At this time, the power supply wiring 130 and the plurality of power wiring lines VDDL may be made of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140.

그리고, 복수의 게이트 배선(GL)이 연장되는 방향에 대한 전원 공급 배선(130)의 폭(W1)은, 복수의 전원 배선(VDDL) 중 최외곽 전원 배선(VDDL)들 사이의 간격(D2) 이상일 수 있다. 전원 공급 배선(130)의 폭(W1)은 복수의 게이트 배선(GL)이 연장되는 방향과 평행한 방향에 대한 전원 공급 배선(130)의 폭을 의미한다. 최외곽 전원 배선(VDDL)들 사이의 간격(D2)은 전원 공급 배선(130)으로부터 분기된 복수의 전원 배선(VDDL)들 중, 최외곽에 위치한 두 전원 배선(VDDL) 사이의 간격일 수 있다. 그리고, 전원 공급 배선(130)은 표시 영역(AA) 전체에 대응하도록 배치될 수 있다. 표시 영역(AA)의 폭(W3)은 복수의 게이트 배선(GL)이 연장되는 방향에 대한 표시 영역(AA)의 최대 폭일 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 전원 공급 배선(130)의 폭(W1)은 표시 영역(AA)의 폭(W3)와 동일하여 표시 영역(AA) 전체에 대응할 수 있다.In addition, the width W1 of the power supply wire 130 in the direction in which the plurality of gate wires GL extends is equal to the distance D2 between the outermost power supply wires VDDL among the plurality of power wires VDDL. It could be more than that. The width W1 of the power supply wiring 130 refers to the width of the power supply wiring 130 in a direction parallel to the direction in which the plurality of gate wirings GL extend. The gap D2 between the outermost power wires (VDDL) may be the gap between the two power wires (VDDL) located at the outermost of the plurality of power wires (VDDL) branched from the power supply wire 130. . Additionally, the power supply wiring 130 may be arranged to correspond to the entire display area AA. The width W3 of the display area AA may be the maximum width of the display area AA in the direction in which the plurality of gate wires GL extend. For example, as shown in FIG. 2, the width W1 of the power supply wire 130 is equal to the width W3 of the display area AA and may correspond to the entire display area AA.

이와 달리, 전원 공급 배선(130)은 표시 영역(AA)의 폭(W3) 이상으로 형성될 수도 있다. 예를 들면, 전원 공급 배선(130)의 폭(W1)은 표시 영역(AA)의 폭(W3)보다 클 수 있다. Alternatively, the power supply wiring 130 may be formed to be larger than the width W3 of the display area AA. For example, the width W1 of the power supply wiring 130 may be larger than the width W3 of the display area AA.

전원 공급 배선(130)의 폭(W1)이 최외곽 전원 배선(VDDL)들 사이의 간격(D2) 이상이거나 표시 영역(AA)의 폭(W3) 이상일 경우, 전원 공급 배선(130)으로부터 분기된 복수의 전원 배선(VDDL) 중 최외곽 전원 배선(VDDL)들은 복수의 화소(PX) 중 최외곽에 위치한 화소(PX)에 전원 전압을 공급할 수 있다. 이에, 복수의 화소(PX)는 모두 전원 공급 배선(130)으로부터 분기된 복수의 전원 배선(VDDL)을 통해 고전위 전압을 공급받을 수 있다. When the width W1 of the power supply wire 130 is greater than or equal to the gap D2 between the outermost power wires VDDL or greater than the width W3 of the display area AA, the branched wire 130 is branched from the power supply wire 130. The outermost power supply lines (VDDL) among the plurality of power supply lines (VDDL) may supply power voltage to the pixel (PX) located at the outermost position among the plurality of pixels (PX). Accordingly, all of the plurality of pixels PX can receive a high potential voltage through the plurality of power wiring lines VDDL branched from the power supply wiring 130 .

도 2를 참조하면, 표시 영역(AA)의 양 측에 배치된 게이트 구동부(120)는 복수의 스테이지(121, 122)를 포함한다. 복수의 스테이지(121, 122) 각각은 복수의 게이트 배선(GL) 각각과 연결되어, 게이트 신호를 복수의 화소(PX)에 전달할 수 있다. 게이트 구동부(120)는 표시 영역(AA)의 양 측에서 표시 영역(AA)의 이형 코너를 제외한 영역에 위치된다. 예를 들면, 코너 영역(CA)은 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하는 비표시 영역(NA)일 수 있으며, 게이트 구동부(120)의 복수의 스테이지(121, 122)는 코너 영역(CA)을 제외한 비표시 영역(NA)에만 배치될 수 있다. Referring to FIG. 2 , the gate driver 120 disposed on both sides of the display area AA includes a plurality of stages 121 and 122. Each of the plurality of stages 121 and 122 is connected to each of the plurality of gate wires GL to transmit the gate signal to the plurality of pixels PX. The gate driver 120 is located on both sides of the display area AA excluding the unusual corners of the display area AA. For example, the corner area CA may be a non-display area NA corresponding to an unusual corner of the display area AA, and the plurality of stages 121 and 122 of the gate driver 120 may be a corner area CA. ) can only be placed in the non-display area (NA).

도 2 내지 도 3을 참조하면, 복수의 게이트 배선(GL)은 게이트 구동부(120)의 복수의 스테이지(121, 122) 각각과 연결되며, 게이트 구동부(120)로부터 게이트 신호를 복수의 화소(PX) 각각에 전달하는 배선이다. 복수의 게이트 배선(GL)은 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 및 복수의 제2 게이트 배선(GL2)을 포함한다. 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 게이트 구동부(120)로부터 연장된 배선을 의미하며, 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질이다. 또한, 복수의 제2 게이트 배선(GL2)은 복수의 제1 게이트 배선(GL1)과 연결되어 표시 영역(AA)으로 연장되는 배선을 의미하며, 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질이다. 도 3을 참조하면, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)과 복수의 제2 게이트 배선(GL2)은 제1 층간 절연층(112) 및 제2 층간 절연층(113)에 형성된 복수의 제2 컨택홀(CH2) 각각을 통하여 전기적으로 연결된다. 2 and 3, a plurality of gate wires GL are connected to each of the plurality of stages 121 and 122 of the gate driver 120, and transmit a gate signal from the gate driver 120 to a plurality of pixels PX. ) This is the wiring that is transmitted to each. The plurality of gate wires GL includes a plurality of first gate wires GL1 and a plurality of second gate wires GL2. The plurality of first gate wires GL1 refer to wires extending from the gate driver 120 and are made of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140. In addition, the plurality of second gate wires GL2 refers to wires connected to the plurality of first gate wires GL1 and extending into the display area AA, and are made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140. am. Referring to FIG. 3, the plurality of first gate wires GL1 and the plurality of second gate wires GL2 are a plurality of second contacts formed on the first interlayer insulating layer 112 and the second interlayer insulating layer 113. They are electrically connected through each hole (CH2).

도 2를 참조하면, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각과 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각이 컨택하는 복수의 제2 컨택홀(CH2) 각각은 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL) 외측에 위치한다. 구체적으로, 복수의 제2 컨택홀(CH2)은 복수의 전원 배선(VDDL) 중 가장 외측에 위치한 전원 배선(VDDL) 보다 외측에 위치할 수 있다. 또한, 복수의 제2 컨택홀(CH2)는 복수의 데이터 배선(DL) 중 가장 외측에 위치한 데이터 배선(DL)보다 외측에 위치할 수 있다.Referring to FIG. 2, each of the plurality of second contact holes (CH2) through which each of the plurality of first gate wires (GL1) and each of the plurality of second gate wires (GL2) contacts the plurality of power wires (VDDL) and the plurality of second contact holes (CH2). It is located outside the data wire (DL). Specifically, the plurality of second contact holes CH2 may be located outside the outermost power line VDDL among the plurality of power line lines VDDL. Additionally, the plurality of second contact holes CH2 may be located outside the data line DL, which is located at the outermost position among the plurality of data lines DL.

따라서, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL)이 배치된 영역과 상이한 영역에 배치될 수 있다. 구체적으로, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 복수의 스테이지(121, 121) 각각과 연결되며, 복수의 제2 컨택홀(CH2) 각각을 통하여 복수의 제2 게이트 배선(GL2)와 연결된다. 따라서, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 복수의 제2 컨택홀(CH2)보다 외측에 위치된다. 복수의 제2 컨택홀(CH2)이 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL)의 외측에 위치됨으로써, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 복수의 전원 배선(VDDL)과 상이한 영역에 배치될 수 있다. 또한, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 복수의 데이터 배선(DL)과 상이한 영역에 배치될 수 있다.Accordingly, the plurality of first gate wires GL1 may be arranged in an area different from the area where the plurality of power wires VDDL and the plurality of data wires DL are arranged. Specifically, the plurality of first gate wires GL1 are connected to each of the plurality of stages 121 and 121, and are connected to the plurality of second gate wires GL2 through each of the plurality of second contact holes CH2. . Accordingly, the plurality of first gate wires GL1 are located outside the plurality of second contact holes CH2. Since the plurality of second contact holes CH2 are located outside the plurality of power wiring lines VDDL and the plurality of data lines DL, the plurality of first gate wirings GL1 are different from the plurality of power wiring lines VDDL. Can be placed in an area. Additionally, the plurality of first gate wires GL1 may be disposed in a different area from the plurality of data wires DL.

도 2를 참조하면, 복수의 데이터 배선(DL)은 복수의 전원 배선(VDDL)과 평행하도록 배치되며, 복수의 화소(PX) 각각과 연결되어 데이터 신호를 공급할 수 있다. 복수의 데이터 배선(DL)은 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질일 수 있다. Referring to FIG. 2 , the plurality of data lines DL are arranged parallel to the plurality of power lines VDDL and may be connected to each of the plurality of pixels PX to supply data signals. The plurality of data lines DL may be made of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140.

복수의 데이터 배선(DL)은 복수의 데이터 링크 배선(DLL)과 연결될 수 있다. 복수의 데이터 링크 배선(DLL)은 비표시 영역(NA)에 배치되며, 복수의 데이터 배선(DL)에 데이터 신호를 공급할 수 있다. 복수의 데이터 링크 배선(DLL)은 제1 데이터 링크 배선(DLL1), 제2 데이터 링크 배선(DLL2), 제3 데이터 링크 배선(DLL3), 제4 데이터 링크 배선(DLL4) 및 제5 데이터 링크 배선(DLL5)을 포함할 수 있다. 복수의 데이터 링크 배선(DLL)의 수는 이에 제한되지 않으며, 더 많은 수의 복수의 데이터 링크 배선(DLL)이 존재할 수 있다. A plurality of data lines (DL) may be connected to a plurality of data link lines (DLL). A plurality of data link lines (DLL) are disposed in the non-display area (NA) and may supply data signals to a plurality of data line lines (DL). The plurality of data link lines (DLL) include a first data link line (DLL1), a second data link line (DLL2), a third data link line (DLL3), a fourth data link line (DLL4), and a fifth data link line. (DLL5) may be included. The number of data link lines (DLLs) is not limited to this, and a larger number of data link lines (DLLs) may be present.

그리고, 복수의 데이터 링크 배선(DLL) 중 일부는 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질이고, 다른 일부는 도전층(150)과 동일한 물질일 수 있다. 예를 들면, 제1 데이터 링크 및 제3 데이터 링크는 게이트 전극(142)과 동일한 물질이고, 제2 데이터 링크 및 제4 데이터 링크는 도전층(150)과 동일한 물질일 수 있다. 예를 들면, 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 데이터 링크 배선(DLL1, DLL3, DLL5) 및 도전층(150)과 동일한 물질인 데이터 링크 배선(DLL2, DLL4)이 교대로 배치될 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않는다. Also, some of the plurality of data link lines (DLL) may be made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140, and other parts may be made of the same material as the conductive layer 150. For example, the first data link and the third data link may be made of the same material as the gate electrode 142, and the second data link and the fourth data link may be made of the same material as the conductive layer 150. For example, data link wires DLL1, DLL3, and DLL5 made of the same material as the gate electrode 142 and data link wires DLL2, DLL4 made of the same material as the conductive layer 150 may be alternately arranged. However, it is not limited to this.

도 2를 참조하면, 복수의 데이터 배선(DL) 각각과 복수의 데이터 링크 배선(DLL) 각각이 컨택하는 복수의 제1 컨택홀(CH1)은 복수의 게이트 배선(GL) 중 전원 공급 배선(130)과 가장 가까운 게이트 배선(GL)과 전원 공급 배선(130) 사이에 위치한다. 구체적으로, 복수의 제1 컨택홀(CH1)은 복수의 게이트 배선(GL) 중 가장 상부에 위치한 배선, 즉, 전원 공급 배선(130)과 가장 가까운 게이트 배선(GL)보다 상부에 위치할 수 있다. 그리고, 전원 공급 배선(130) 보다 하부에 위치할 수 있다. Referring to FIG. 2, the plurality of first contact holes CH1 through which each of the plurality of data lines DL and each of the plurality of data link lines DLL contact each other is the power supply line 130 among the plurality of gate lines GL. ) and is located between the gate wiring (GL) and the power supply wiring (130) closest to the gate wiring (GL). Specifically, the plurality of first contact holes CH1 may be located above the uppermost wiring among the plurality of gate wirings GL, that is, the gate wiring GL closest to the power supply wiring 130. . And, it may be located lower than the power supply wiring 130.

예를 들면, 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 제1 데이터 링크 배선(DLL1), 제3 데이터 링크 배선(DLL3) 및 제5 데이트 링크 배선(DLL5) 각각은 제1 층간 절연층(112) 및 제2 층간 절연층(113)에 형성된 복수의 제1 컨택홀(CH1)을 통하여 복수의 데이터 배선(DL) 각각과 연결된다. 그리고, 도전층(150)과 동일한 물질인 제2 데이터 링크 배선(DLL2) 및 제4 데이터 링크 배선(DLL) 각각은 제2 층간 절연층(113)에 형성된 복수의 제1 컨택홀(CH1)을 통하여 복수의 데이터 배선(DL) 각각과 연결된다. 복수의 제1 컨택홀(CH1)이 복수의 게이트 배선(GL) 중 전원 공급 배선(130)과 가장 가까운 게이트 배선(GL)과 전원 공급 배선(130) 사이에 위치함으로써, 복수의 데이터 링크 배선(DLL)은 복수의 게이트 배선(GL)과 동일한 영역에 형성되지 않을 수 있다. For example, the first data link line (DLL1), the third data link line (DLL3), and the fifth data link line (DLL5), which are made of the same material as the gate electrode 142, each have a first interlayer insulating layer 112 and It is connected to each of the plurality of data lines DL through the plurality of first contact holes CH1 formed in the second interlayer insulating layer 113. In addition, each of the second data link line (DLL2) and the fourth data link line (DLL), which are made of the same material as the conductive layer 150, has a plurality of first contact holes (CH1) formed in the second interlayer insulating layer 113. It is connected to each of a plurality of data lines (DL) through. The plurality of first contact holes CH1 are located between the gate wiring GL closest to the power supply wiring 130 among the plurality of gate wirings GL and the power supply wiring 130, thereby forming a plurality of data link wirings ( DLL) may not be formed in the same area as the plurality of gate lines GL.

일반적인 표시 장치의 경우, 비표시 영역에 존재하는 배선의 수보다 도전층의 수가 적으므로, 전원 공급 배선이 표시 영역의 이형 코너에 대응하는 비표시 영역까지 배치될 수 없었다. 이에, 전원 공급 배선은 이형 코너를 제외한 비표시 영역에 배치되었다. 따라서, 이형 코너를 제외한 표시 영역에 배치된 화소에만 전원 전압이 공급될 수 있었다. 이에, 이형 코너에 배치된 화소의 경우, 전원 공급 배선과 상이한 도전층을 이용하여 전원 전압이 공급되었다. 따라서, 이형 코너에 배치된 화소에 공급되는 전원 전압은, 이형 코너가 아닌 영역에 배치된 화소에 공급되는 전원 전압과 비교하여, 더 큰 전압의 강하가 발생될 수 있었다. 이에, 복수의 화소에 공급되는 전원 전압의 세기가 고르지 못하여, 휘도의 균일도가 감소되었다.In the case of a general display device, since the number of conductive layers is less than the number of wirings present in the non-display area, the power supply wiring cannot be arranged up to the non-display area corresponding to the unusual corner of the display area. Accordingly, the power supply wiring was placed in a non-display area excluding the special corner. Accordingly, the power voltage could be supplied only to pixels arranged in the display area excluding the unusual corner. Accordingly, in the case of pixels placed at unusual corners, the power voltage was supplied using a conductive layer different from the power supply wiring. Accordingly, a larger voltage drop may occur in the power voltage supplied to pixels placed in an unusual corner compared to the power voltage supplied to a pixel placed in an area other than an unusual corner. Accordingly, the strength of the power voltage supplied to the plurality of pixels was uneven, reducing luminance uniformity.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 전원 공급 배선(130)의 폭(W1)이 최외곽 전원 배선(VDDL)들 사이의 간격(D2) 이상으로 형성되거나, 표시 영역(AA)에 대응하도록 표시 영역(AA)의 폭(W3) 이상으로 형성될 수 있다. 이에, 표시 장치(100)의 휘도 균일도를 개선시킬 수 있다. 예를 들면, 전원 공급 배선(130)의 폭(W1)이 최외곽 전원 배선(VDDL)들 사이의 간격(D2)보다 작거나 표시 장치(100)의 폭(W3)보다 작을 경우, 전원 공급 배선(130)으로부터 분기되는 복수의 전원 배선(VDDL)은 복수의 화소(PX) 모두에 직접적으로 고전위 전압을 인가하지 못할 수 있다. 즉, 복수의 화소(PX) 중 코너에 배치되는 화소(PX)는 복수의 전원 배선(VDDL)과 직접적으로 연결될 수 없으며, 코너 영역(CA)을 제외한 가운데 영역에 배치된 전원 배선(VDDL)으로부터 분기된 배선을 통하여 전원 전압을 공급받을 수 있다. 따라서, 이형 코너에 배치된 복수의 화소(PX)에 인가되는 전원 전압은 이형 코너가 아닌 영역에 배치된 복수의 화소(PX)에 인가되는 전원 전압보다 더 큰 전압 강하가 발생될 수 있다. 이에, 표시 영역(AA)의 가운데에 배치된 화소(PX)에 비해 휘도가 감소될 수 있고, 전체 표시 장치(100)의 휘도 균일도는 감소될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 전원 공급 배선(130)의 폭(W1)을 최외곽 전원 배선(VDDL)들 사이의 간격(D2) 이상으로 형성하거나, 표시 영역(AA) 전체에 대응하도록 표시 영역(AA)의 폭(W3) 이상으로 형성할 수 있다. 따라서, 코너에 배치된 화소(PX)에 전원 공급 배선(130)으로부터 분기된 전원 배선(VDDL)이 직접적으로 연결될 수 있고, 모든 화소(PX)에 고전위 전원 전압이 공급될 수 있다. 이에 위해, 표시 영역(AA) 전체의 휘도 균일도는 향상될 수 있다. In the display device 100 according to an embodiment of the present invention, the width W1 of the power supply wire 130 is formed to be greater than or equal to the distance D2 between the outermost power wires VDDL or the display area AA ) may be formed to be greater than or equal to the width W3 of the display area AA. Accordingly, the luminance uniformity of the display device 100 can be improved. For example, when the width W1 of the power supply wire 130 is smaller than the gap D2 between the outermost power wires VDDL or smaller than the width W3 of the display device 100, the power supply wire 130 The plurality of power lines (VDDL) branching from 130 may not directly apply a high potential voltage to all of the plurality of pixels (PX). That is, among the plurality of pixels (PX), the pixel (PX) placed at the corner cannot be directly connected to the plurality of power lines (VDDL), and cannot be directly connected to the power line (VDDL) located in the center area excluding the corner area (CA). Power voltage can be supplied through branched wiring. Accordingly, the power voltage applied to the plurality of pixels (PX) arranged in the unusual corner may have a larger voltage drop than the power voltage applied to the plurality of pixels (PX) arranged in the area other than the unusual corner. Accordingly, the luminance may be reduced compared to the pixel PX disposed in the center of the display area AA, and the luminance uniformity of the entire display device 100 may be reduced. Therefore, in the display device 100 according to an embodiment of the present invention, the width W1 of the power supply wire 130 is formed to be greater than or equal to the distance D2 between the outermost power wires VDDL or the display area (AA) can be formed to be larger than the width (W3) of the display area (AA) so as to correspond to the entire display area (AA). Accordingly, the power line VDDL branched from the power supply line 130 can be directly connected to the pixel PX disposed at the corner, and a high-potential power supply voltage can be supplied to all pixels PX. To this end, the luminance uniformity of the entire display area AA can be improved.

그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각과 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각이 컨택하는 제2 컨택홀(CH2)이 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL) 외측에 위치함으로써, 복수의 화소(PX) 전체에 고전위 전압을 공급할 수 있다. 예를 들면, 앞서 설명한 바와 같이, 전원 공급 배선(130)이 표시 영역(AA)에 대응하여 길게 형성됨에 따라, 전원 공급 배선(130)에서 분기되는 복수의 전원 배선(VDDL)은 복수의 화소(PX) 전체에 고전위 전압을 공급할 수 있다. 따라서, 복수의 전원 배선(VDDL) 중 최외곽 전원 배선(VDDL)은 복수의 화소(PX) 중 최외곽에 위치한 화소(PX)에도 연결될 수 있다. 이때, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각과 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각이 컨택하는 제2 컨택홀(CH2)이 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL) 내측에도 위치할 경우, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL)과 동일한 영역에 배치될 수 있다. 이때, 복수의 제1 게이트 배선(GL1), 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL)은 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질로 형성된다. 따라서, 동일한 영역에 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL)과 복수의 제1 게이트 배선(GL1)이 배치되는 문제가 발생될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각과 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각이 컨택하는 제2 컨택홀(CH2)이 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL) 외측에 위치함으로써, 복수의 화소(PX) 각각에 고전위 전압을 공급할 수 있다. In addition, the display device 100 according to an embodiment of the present invention has a plurality of second contact holes (CH2) through which each of the plurality of first gate wires (GL1) and each of the plurality of second gate wires (GL2) contact each other. By being located outside the power line VDDL and the plurality of data lines DL, a high potential voltage can be supplied to all of the plurality of pixels PX. For example, as described above, as the power supply wire 130 is formed to be long corresponding to the display area AA, a plurality of power supply wires VDDL branching from the power supply wire 130 are connected to a plurality of pixels ( High potential voltage can be supplied to the entire PX). Accordingly, the outermost power line VDDL among the plurality of power line lines VDDL may also be connected to the pixel PX located at the outermost side among the plurality of pixels PX. At this time, the second contact hole (CH2) where each of the plurality of first gate wires (GL1) and each of the plurality of second gate wires (GL2) contact each other is inside the plurality of power wires (VDDL) and the plurality of data wires (DL). When located in , the plurality of first gate wires GL1 may be arranged in the same area as the plurality of power wires VDDL and the plurality of data wires DL. At this time, the plurality of first gate wires GL1, the plurality of power wires VDDL, and the plurality of data wires DL are formed of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140. . Accordingly, a problem may occur in which a plurality of power lines (VDDL), a plurality of data lines (DL), and a plurality of first gate lines (GL1) are disposed in the same area. Accordingly, the display device 100 according to an embodiment of the present invention has a plurality of second contact holes CH2 through which each of the plurality of first gate wires GL1 and each of the plurality of second gate wires GL2 contact each other. By being located outside the power line VDDL and the plurality of data lines DL, a high potential voltage can be supplied to each of the plurality of pixels PX.

그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 복수의 데이터 링크 배선(DLL) 중 일부가 게이트 전극(142)과 동일한 물질이고, 다른 일부가 도전층(150)과 동일한 물질이다. 이에, 복수의 데이터 링크 배선(DLL)이 차지하는 면적이 감소될 수 있다. 예를 들면, 복수의 데이터 링크 배선(DLL) 모두 동일한 물질이며 동일한 층에 배치되는 경우, 복수의 데이터 링크 배선(DLL)을 형성하는 포토레지스트 공정의 한계로 인하여 각각의 데이터 링크 배선(DLL) 사이의 간격은 최소 간격 이하로 작아질 수 없다. 그런데, 복수의 데이터 링크 배선(DLL) 중 일부가 게이트 전극(142)과 동일한 물질이고, 다른 일부가 도전층(150)과 동일한 물질일 경우, 복수의 데이터 링크 배선(DLL)은 서로 다른 층에 배치될 수 있다. 따라서, 각각의 데이터 링크 배선(DLL) 사이의 간격은 앞서 설명한 최소 간격 이하로 작아질 수 있다. 따라서, 복수의 데이터 링크 배선(DLL)이 차지하는 면적은 감소될 수 있다.In the display device 100 according to an embodiment of the present invention, some of the plurality of data link lines (DLL) are made of the same material as the gate electrode 142, and other parts are made of the same material as the conductive layer 150. . Accordingly, the area occupied by the plurality of data link lines (DLLs) can be reduced. For example, if multiple data link lines (DLLs) are all made of the same material and are placed on the same layer, the space between each data link line (DLL) may be reduced due to limitations in the photoresist process for forming the plurality of data link lines (DLLs). The spacing cannot be reduced below the minimum spacing. However, when some of the plurality of data link wires (DLL) are made of the same material as the gate electrode 142 and other parts are made of the same material as the conductive layer 150, the plurality of data link wires (DLL) are located on different layers. can be placed. Accordingly, the spacing between each data link line (DLL) can be reduced to less than the minimum spacing described above. Accordingly, the area occupied by the plurality of data link lines (DLLs) can be reduced.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다. 도 5는 도 4의 Va-Va' 및 Vb-Vb' 에 대한 단면도이다. 도 4에 도시된 표시 장치(400)는 도 1 내지 도 3에 도시된 표시 장치(100)와 비교하여 복수의 게이트 배선(GL)의 구성이 상이하다는 것만 제외하면 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략하거나 간략히 설명할 수 있다.Figure 4 is an enlarged plan view of a display device according to another embodiment of the present invention. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along lines Va-Va' and Vb-Vb' of FIG. 4. The display device 400 shown in FIG. 4 is substantially the same as the display device 100 shown in FIGS. 1 to 3 except for a different configuration of the plurality of gate wires GL, so duplicate description is omitted. Or you can explain it briefly.

도 4 및 도 5를 참조하면, 복수의 게이트 배선(GL)은 복수의 제1 게이트 배선(GL1), 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 및 복수의 제3 게이트 배선(GL3)을 포함한다. Referring to FIGS. 4 and 5 , the plurality of gate wires GL includes a plurality of first gate wires GL1, a plurality of second gate wires GL2, and a plurality of third gate wires GL3.

복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 복수의 게이트 배선(GL) 중 게이트 구동부(120)로부터 연장되는 배선을 의미한다. 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질일 수 있다. The plurality of first gate wires GL1 refers to a wire extending from the gate driver 120 among the plurality of gate wires GL. The plurality of first gate wires GL1 may be made of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140.

그리고, 복수의 제2 게이트 배선(GL2)은 복수의 게이트 배선(GL) 중 표시 영역(AA)으로 연장되는 배선을 의미한다. 복수의 제2 게이트 배선(GL2)은 박막 트랜지스터의 게이트 전극(142)과 동일한 물질일 수 있다. And, the plurality of second gate wires GL2 refers to a wire extending into the display area AA among the plurality of gate wires GL. The plurality of second gate wires GL2 may be made of the same material as the gate electrode 142 of the thin film transistor.

그리고, 복수의 제3 게이트 배선(GL3)은 복수의 게이트 배선(GL) 중 복수의 제1 게이트 배선(GL1)과 복수의 제2 게이트 배선(GL2)을 연결하는 배선을 의미한다. 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 일부는 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질이고, 다른 일부는 도전층(150)과 동일한 물질일 수 있다. 예를 들면, 복수의 제3 게이트 배선(GL3)은 제3 서브 게이트 배선(GL3a) 및 제3 서브 게이트 배선(GL3b)을 포함할 수 있다. 제3 서브 게이트 배선(GL3a)은 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질이고, 제3 서브 게이트 배선(GL3b)은 도전층(150)과 동일한 물질일 수 있다. 예를 들면, 복수의 제3 게이트 배선(GL3)은, 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 배선과 도전층(150)과 동일한 물질인 배선이 교대로 배치될 수 있다. And, the plurality of third gate wires GL3 refers to a wire connecting the plurality of first gate wires GL1 and the plurality of second gate wires GL2 among the plurality of gate wires GL. Some of the plurality of third gate wires GL3 may be made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140, and other parts may be made of the same material as the conductive layer 150. For example, the plurality of third gate wires GL3 may include a third sub-gate wire GL3a and a third sub-gate wire GL3b. The third sub-gate wire GL3a may be made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140, and the third sub-gate wire GL3b may be made of the same material as the conductive layer 150. For example, in the plurality of third gate wires GL3, wires made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140 and wires made of the same material as the conductive layer 150 may be alternately arranged.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)는, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 일부(GL3a)는 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질이고, 다른 일부(GL3b)는 도전층(150)과 동일한 물질임으로써, 게이트 신호, 데이터 신호 및 전원 신호가 복수의 화소(PX) 각각에 안정적으로 공급될 수 있다. 예를 들면, 복수의 제1 게이트 컨택부(C1)의 위치가 도 4에 도시된 위치와 달리 최외곽 데이터 배선(DL) 또는 최외곽 전원 배선(VDDL)의 우측에 배치될 경우, 복수의 데이터 배선(DL)과 복수의 제3 게이트 배선(GL3)은 중첩될 수 있다. 만약, 복수의 제3 게이트 배선(GL3)이 복수의 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질일 경우, 게이트 신호는 데이터 신호 또는 전원 신호와 중첩될 수 있어 문제된다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)는, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 일부(GL3a)는 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질이고, 다른 일부(GL3b)는 도전층(150)과 동일한 물질임으로써, 게이트 신호, 데이터 신호 및 전원 신호를 안정적으로 복수의 화소(PX) 각각에 공급될 수 있다.In the display device 400 according to another embodiment of the present invention, part (GL3a) of the plurality of third gate wires (GL3) is made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140, and another part (GL3b) is made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140. is made of the same material as the conductive layer 150, so that the gate signal, data signal, and power signal can be stably supplied to each of the plurality of pixels (PX). For example, when the positions of the plurality of first gate contact units C1 are disposed on the right side of the outermost data line DL or the outermost power line VDDL, unlike the positions shown in FIG. 4, the plurality of data The wiring DL and the plurality of third gate wirings GL3 may overlap. If the plurality of third gate wires GL3 are made of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the plurality of transistors 140, the gate signal may overlap with the data signal or power signal, causing a problem. do. Accordingly, in the display device 400 according to another embodiment of the present invention, part (GL3a) of the plurality of third gate wires (GL3) is made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140, and another part (GL3a) is made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140. Since GL3b) is made of the same material as the conductive layer 150, the gate signal, data signal, and power signal can be stably supplied to each of the plurality of pixels (PX).

도 4를 참조하면, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각과 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 각각은, 복수의 제2 컨택홀(CH2) 각각을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 제3 서브 게이트 배선(GL3a)과 제1 게이트 배선(GL1)은 제1 층간 절연층(112) 및 제2 층간 절연층(113)에 형성된 제2 컨택홀(CH2)을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 제3 서브 게이트 배선(GL3b)과 제1 게이트 배선(GL1)은 제2 층간 절연층(113)에 형성된 제2 컨택홀(CH2)을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. Referring to FIG. 4 , each of the plurality of first gate wires GL1 and each of the plurality of third gate wires GL3 may be electrically connected through each of the plurality of second contact holes CH2. For example, the third sub-gate wire GL3a and the first gate wire GL1 are electrically connected through the second contact hole CH2 formed in the first interlayer insulating layer 112 and the second interlayer insulating layer 113. It can be connected to . Additionally, the third sub-gate wire GL3b and the first gate wire GL1 may be electrically connected through the second contact hole CH2 formed in the second interlayer insulating layer 113.

도 4 내지 도 5를 참조하면, 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각과 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 각각은 복수의 제1 게이트 컨택부(C1)를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 제1 게이트 컨택부(C1)는 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질일 수 있다. 그리고, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질로 형성된 배선(GL3a)은 제1 층간 절연층(112) 및 제2 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 복수의 제1 게이트 컨택부(C1)와 전기적으로 연결된다. 그리고, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 도전층(150)과 동일한 물질로 형성된 배선(GL3b)은 제2 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 복수의 제1 게이트 컨택부(C1)와 전기적으로 연결된다.Referring to FIGS. 4 and 5 , each of the plurality of second gate wires GL2 and each of the plurality of third gate wires GL3 may be electrically connected through a plurality of first gate contact portions C1. The plurality of first gate contact parts C1 may be made of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140. And, among the plurality of third gate wires GL3, the wire GL3a formed of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140 is connected to the first interlayer insulating layer 112 and the second interlayer insulating layer 113. It is electrically connected to the plurality of first gate contact parts C1 through the formed contact hole. Also, among the plurality of third gate wires GL3, the wire GL3b formed of the same material as the conductive layer 150 passes through the contact hole formed in the second interlayer insulating layer 113 to form a plurality of first gate contact portions C1. ) is electrically connected to.

그리고, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 배선(GL3a) 각각과 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각을, 복수의 제1 게이트 컨택부(C1)를 이용하지 않고, 하나의 배선으로 형성할 수도 있다. 그리고, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 도전층(150)과 동일한 물질인 배선(GL3b) 각각과 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각을 제1 층간 절연층(112)에 형성된 컨택홀을 통하여 연결할 수도 있다. 이 경우, 하나의 배선으로 형성된 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 및 복수의 제2 게이트 배선(GL2)의 저항은, 복수의 컨택홀 각각을 이용하여 연결된 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 도전층(150)과 동일한 물질인 배선(GL3b) 각각과 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각의 저항과 비교하여, 낮을 수 있다. 복수의 게이트 배선(GL) 각각의 저항의 편차가 클 경우, 게이트 신호가 복수의 화소(PX) 각각에 전달되는 시간의 편차가 증가될 수 있으므로, 표시 장치(400)의 구동 안정성이 저하될 수 있다.Also, among the plurality of third gate wires GL3, each of the wires GL3a, which is made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140, and each of the plurality of second gate wires GL2 are connected to a plurality of first gate contacts. It can also be formed with a single wiring line without using the part C1. Also, among the plurality of third gate wires GL3, each of the wires GL3b made of the same material as the conductive layer 150 and each of the plurality of second gate wires GL2 are connected to each other through contact holes formed in the first interlayer insulating layer 112. You can also connect through . In this case, the resistance of the plurality of third gate wires GL3 and the plurality of second gate wires GL2 formed as one wire is one of the plurality of third gate wires GL3 connected using each of the plurality of contact holes. The resistance may be low compared to the resistance of each of the wires GL3b and the plurality of second gate wires GL2, which are made of the same material as the conductive layer 150. If the variation in resistance of each of the plurality of gate wires (GL) is large, the variation in the time when the gate signal is transmitted to each of the plurality of pixels (PX) may increase, and thus the driving stability of the display device 400 may deteriorate. there is.

따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)는, 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질인 복수의 제1 게이트 컨택부(C1) 각각을 통하여 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각과 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 각각을 전기적으로 연결함으로써, 복수의 게이트 배선(GL) 각각이 동일한 개수의 컨택홀을 통해 연결되는 방식으로 구현되므로 복수의 게이트 배선(GL) 간의 저항 편차를 최소화할 수 있다. 예를 들면, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 각각과 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각을 복수의 제1 게이트 컨택부(C1) 각각을 이용하여 전기적으로 연결할 경우, 복수의 게이트 배선(GL) 각각의 저항의 편차는 감소될 수 있다. 이에, 복수의 게이트 배선(GL)에서의 게이트 신호 전달 속도의 편차가 최소화될 수 있고, 표시 장치(400)의 구동 안정성이 증가될 수 있다.Accordingly, the display device 400 according to another embodiment of the present invention connects the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140 through each of the plurality of first gate contact portions C1, which are made of the same material. By electrically connecting each of the plurality of second gate wires GL2 and each of the plurality of third gate wires GL3, each of the plurality of gate wires GL is connected through the same number of contact holes, so that the plurality of gate wires GL are connected through the same number of contact holes. The resistance deviation between the gate wirings (GL) can be minimized. For example, when each of the plurality of third gate wires GL3 and each of the plurality of second gate wires GL2 are electrically connected using each of the plurality of first gate contact parts C1, the plurality of gate wires ( GL) The variation of each resistance can be reduced. Accordingly, the deviation of the gate signal transmission speed across the plurality of gate wires GL can be minimized, and the driving stability of the display device 400 can be increased.

그리고, 도 4를 참조하면, 복수의 제1 게이트 컨택부(C1)는 복수의 전원 배선(VDDL) 및 복수의 데이터 배선(DL) 외측에 위치될 수 있다. 예를 들면, 복수의 제1 게이트 컨택부(C1)는 복수의 제2 컨택홀(CH2)은 복수의 전원 배선(VDDL) 중 가장 외측에 위치한 전원 배선(VDDL) 보다 외측에 위치할 수 있고, 복수의 데이터 배선(DL) 중 가장 외측에 위치한 데이터 배선(DL)보다 외측에 위치할 수 있다.And, referring to FIG. 4 , the plurality of first gate contact units C1 may be located outside the plurality of power lines VDDL and the plurality of data lines DL. For example, the plurality of first gate contact units C1 and the plurality of second contact holes CH2 may be located outside the outermost power line VDDL among the plurality of power line lines VDDL, It may be located outside the data line DL, which is the outermost of the plurality of data lines DL.

그리고, 복수의 데이터 배선(DL) 각각과 복수의 데이터 링크 배선(DLL) 각각이 컨택하는 복수의 제1 컨택홀(CH1)은 복수의 게이트 배선(GL) 중 전원 공급 배선(130)과 가장 가까운 게이트 배선(GL)과 전원 공급 배선(130) 사이에 위치한다. 예를 들면, 복수의 제1 컨택홀(CH1)은 복수의 게이트 배선(GL) 중 가장 상부에 위치한 배선, 즉, 전원 공급 배선(130)과 가장 가까운 게이트 배선(GL)보다 상부에 위치할 수 있다. 그리고, 전원 공급 배선(130)보다 하부에 위치할 수 있다. In addition, the plurality of first contact holes (CH1) through which each of the plurality of data wires (DL) and each of the plurality of data link wires (DLL) contact each other is closest to the power supply wire 130 among the plurality of gate wires (GL). It is located between the gate wiring (GL) and the power supply wiring (130). For example, the plurality of first contact holes CH1 may be located above the wiring GL located at the top of the plurality of gate wirings GL, that is, the gate wiring GL closest to the power supply wiring 130. there is. And, it may be located lower than the power supply wiring 130.

따라서, 본 발명의 다른 실시에에 따른 표시 장치(400)는, 복수의 제3 게이트 배선(GL3)과 복수의 데이터 링크 배선(DLL)이 상이한 영역에 배치될 수 있다. 예를 들면, 복수의 제3 게이트 배선(GL3)은, 트랜지스터(140)의 게이트 배선(GL)과 동일한 물질로 구성된 일부 배선(GL3a)과 도전층(150)과 동일한 물질로 구성된 다른 일부 배선(GL3b)을 포함한다. 그리고, 복수의 데이트 링크 배선은, 트랜지스터(140)의 게이트 배선(GL)과 동일한 물질로 구성된 일부 배선(DLL1, DLL3, DLL5)과 도전층(150)과 동일한 물질로 구성된 다른 일부 배선(DLL2, DLL4)을 포함한다. 따라서, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 및 복수의 데이터 링크 배선(DLL)은 비표시 영역(NA)의 동일한 영역에 함께 배치되지 않을 수 있다. 따라서, 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 및 복수의 데이터 링크 배선(DLL)은 서로 상이한 영역에 배치될 수 있다. Accordingly, in the display device 400 according to another embodiment of the present invention, the plurality of third gate wires GL3 and the plurality of data link wires DLL may be disposed in different areas. For example, the plurality of third gate wires GL3 include some wires GL3a made of the same material as the gate wire GL of the transistor 140 and other wires made of the same material as the conductive layer 150 ( GL3b). In addition, the plurality of date link wires include some wires (DLL1, DLL3, DLL5) made of the same material as the gate wire (GL) of the transistor 140 and other wires (DLL2, DLL2, DLL5) made of the same material as the conductive layer 150. DLL4). Accordingly, the plurality of third gate wires GL3 and the plurality of data link wires DLL may not be arranged together in the same area of the non-display area NA. Accordingly, the plurality of third gate wires GL3 and the plurality of data link wires DLL may be arranged in different areas.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다. 도 6에 도시된 표시 장치(600)는 도 4 내지 도 5에 도시된 표시 장치(400)와 비교하여 복수의 게이트 배선(GL)의 구성이 상이하고 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략하거나 간략히 설명할 수 있다.Figure 6 is an enlarged plan view of a display device according to another embodiment of the present invention. Since the display device 600 shown in FIG. 6 has a different and substantially identical configuration of the plurality of gate wires GL compared to the display device 400 shown in FIGS. 4 and 5, duplicate descriptions will be omitted or briefly provided. I can explain.

도 6을 참조하면, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 도전층(150) 또는 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질일 수 있다. 예를 들면, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)은 도전층(150)과 동일한 물질이거나, 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질일 수 있다. Referring to FIG. 6 , the plurality of first gate wires GL1 may be made of the same material as the conductive layer 150 or the gate electrode 142 of the transistor 140. For example, the plurality of first gate wires GL1 may be made of the same material as the conductive layer 150 or the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140.

그리고, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각은 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 각각과 복수의 제2 게이트 컨택부(C2)를 이용하여 컨택될 수 있다. 복수의 제2 게이트 컨택부(C2)는 트랜지스터(140)의 소스 전극(143) 및 드레인 전극(144)과 동일한 물질일 수 있다. 예를 들면, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)이 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 경우, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각은 제1 층간 절연층(112) 및 제2 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 복수의 제2 게이트 컨택부(C2) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)이 도전층(150)과 동일한 물질인 경우, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각은 제2 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 복수의 제2 게이트 컨택부(C2) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, each of the plurality of first gate wires GL1 may be contacted with each of the plurality of third gate wires GL3 using a plurality of second gate contact portions C2. The plurality of second gate contact parts C2 may be made of the same material as the source electrode 143 and the drain electrode 144 of the transistor 140. For example, when the plurality of first gate wires GL1 are made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140, each of the plurality of first gate wires GL1 includes the first interlayer insulating layer 112 and It may be electrically connected to each of the plurality of second gate contact portions C2 through contact holes formed in the second interlayer insulating layer 113. In addition, when the plurality of first gate wires GL1 are made of the same material as the conductive layer 150, each of the plurality of first gate wires GL1 is connected to a plurality of wires through a contact hole formed in the second interlayer insulating layer 113. It may be electrically connected to each of the second gate contact parts C2.

그리고, 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 제3 게이트 배선(GL3) 중 일부(GL3a) 각각은, 제1 층간 절연층(112) 및 제2 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 복수의 제2 게이트 컨택부(C2) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 도전층(150)과 동일한 물질인 제3 게이트 배선(GL3) 중 다른 일부(GL3b) 각각은, 제2 층간 절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통하여 복수의 제2 게이트 컨택부(C2) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다. In addition, each of the portions (GL3a) of the third gate wiring (GL3) made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140 is formed on the first interlayer insulating layer 112 and the second interlayer insulating layer 113. It may be electrically connected to each of the plurality of second gate contact units C2 through a contact hole. In addition, each of the other portions (GL3b) of the third gate wiring (GL3) made of the same material as the conductive layer 150 is connected to a plurality of second gate contact portions (C2) through the contact holes formed in the second interlayer insulating layer 113. ) can be electrically connected to each.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(600)는, 복수의 제2 게이트 컨택부(C2)를 통하여 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각과 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 각각을 연결함으로써, 복수의 게이트 배선(GL)에서의 저항 편차를 감소시킬 수 있다. The display device 600 according to another embodiment of the present invention connects each of the plurality of first gate wires GL1 and each of the plurality of third gate wires GL3 through the plurality of second gate contact parts C2. By connecting, the resistance variation in the plurality of gate wires GL can be reduced.

예를 들면, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)이 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 경우, 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 일부(GL3a) 각각과 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각을 동일한 배선으로 형성할 수도 있다. 그리고, 도전층(150)과 동일한 물질인 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 일부(GL3b) 각각과 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각은 제1 층간 절연층(112)에 형성된 컨택홀을 통하여 연결될 수 있다.For example, when the plurality of first gate wires GL1 are made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140, the plurality of third gate wires are made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140. Each of the portions (GL3a) of (GL3) and each of the plurality of first gate wirings (GL1) may be formed with the same wiring. In addition, each of a portion (GL3b) of the plurality of third gate wires (GL3) made of the same material as the conductive layer 150 and each of the plurality of first gate wires (GL1) are formed through contact holes formed in the first interlayer insulating layer 112. It can be connected through.

그리고, 복수의 제1 게이트 배선(GL1)이 도전층(150)과 동일한 물질인 경우, 도전층(150)과 동일한 물질인 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 다른 일부(GL3b) 각각과 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각을 동일한 배선으로 형성할 수도 있다. 그리고, 트랜지스터(140)의 게이트 전극(142)과 동일한 물질인 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 중 일부(GL3a) 각각은 제1 층간 절연층(112)에 형성된 컨택홀을 통하여 연결될 수 있다.In addition, when the plurality of first gate wires GL1 are made of the same material as the conductive layer 150, each of the other portions GL3b and the plurality of third gate wires GL3 made of the same material as the conductive layer 150 Each of the first gate wires GL1 may be formed with the same wire. Additionally, each of the portions GL3a of the plurality of third gate wires GL3 made of the same material as the gate electrode 142 of the transistor 140 may be connected through a contact hole formed in the first interlayer insulating layer 112 .

즉예를 들면, 제1 게이트 배선(GL1)과 제3 게이트 배선(GL3)은 하나의 배선으인 일부와 컨택홀을 통하여 연결된 두 개의 배선들인 다른 일부를 포함하게 된다.That is, for example, the first gate wire GL1 and the third gate wire GL3 include a part that is one wire and another part that is two wires connected through a contact hole.

따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(600)는, 복수의 제3 게이트 컨택부를 이용하여 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각과 복수의 제3 게이트 배선(GL3) 각각을 전기적으로 연결함으로써, 복수의 게이트 배선(GL)의 저항 편차를 감소시킬 수 있다. 이에, 복수의 화소(PX) 각각에 전달되는 게이트 신호의 전달 속도의 편차를 최소화시킬 수 있고, 표시 장치(600)의 구동 안정성은 증가될 수 있다. Accordingly, the display device 600 according to another embodiment of the present invention electrically connects each of the plurality of first gate wires GL1 and each of the plurality of third gate wires GL3 using a plurality of third gate contact units. By connecting, the resistance variation of the plurality of gate wires GL can be reduced. Accordingly, the deviation in the transmission speed of the gate signal transmitted to each of the plurality of pixels (PX) can be minimized, and the driving stability of the display device 600 can be increased.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다. 도 7에 도시된 표시 장치(700)는 도 1 내지 도 3에 도시된 표시 장치(100)와 비교하여 전원 공급 배선(730)의 구조가 상이하고 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략하거나 간략히 설명할 수 있다.Figure 7 is an enlarged plan view of a display device according to another embodiment of the present invention. Since the display device 700 shown in FIG. 7 has a different and substantially identical structure of the power supply wiring 730 compared to the display device 100 shown in FIGS. 1 to 3, duplicate descriptions will be omitted or briefly described. can do.

도 7을 참조하면, 전원 공급 배선(730)은 복수의 게이트 구동부(120)의 일단까지 연장된다. 구체적으로, 전원 공급 배선(730)은 표시 영역(AA)에 대응하여 형성되며, 나아가 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하여 연장될 수 있다. Referring to FIG. 7 , the power supply wiring 730 extends to one end of the plurality of gate drivers 120 . Specifically, the power supply wiring 730 is formed to correspond to the display area AA, and may extend to correspond to a corner of the display area AA.

일반적인 표시 장치의 경우, 비표시 영역에 존재하는 배선의 수보다 도전층의 수가 적어, 전원 공급 배선이 표시 영역의 이형 코너에 대응하는 비표시 영역까지 배치될 수 없었다. 이에, 전원 공급 배선은 이형 코너를 제외한 비표시 영역에 배치되었다. 따라서, 이형 코너를 제외한 표시 영역에 배치된 화소에만 전원 전압이 공급될 수 있었다. 따라서, 이형 코너에 배치된 화소의 경우, 전원 공급 배선과 상이한 도전층을 이용하여 전원 전압이 공급되었다. 따라서, 이형 코너에 배치된 화소에는 고전위 전압이 인가되지 못하였다. 이에, 복수의 화소에 공급되는 전원 전압의 세기가 고르지 못하여, 휘도의 균일도가 감소되었다.In the case of a general display device, the number of conductive layers is smaller than the number of wirings present in the non-display area, so the power supply wires cannot be arranged up to the non-display area corresponding to the unusual corner of the display area. Accordingly, the power supply wiring was placed in a non-display area excluding the special corner. Accordingly, the power voltage could be supplied only to pixels arranged in the display area excluding the unusual corner. Accordingly, in the case of pixels placed at unusual corners, the power voltage was supplied using a conductive layer different from the power supply wiring. Therefore, a high potential voltage could not be applied to the pixels placed at the unusual corners. Accordingly, the strength of the power voltage supplied to the plurality of pixels was uneven, reducing luminance uniformity.

따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(700)는, 전원 공급 배선(730)이 복수의 게이트 구동부(120)의 일단까지 연장되어 형성됨으로써, 복수의 전원 배선(VDDL)으로부터 복수의 화소(PX)로 공급되는 전압의 강하 현상을 저감시킬 수 있다. 예를 들면, 전원 공급 배선(730)이 복수의 게이트 구동부(120)의 일단까지 연장되어 형성됨으로써, 전원 공급 배선(730)으로부터 분기되는 복수의 전원 배선(VDDL) 각각은 복수의 화소(PX) 각각에 연결될 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(700)는, 전원 공급 배선(730)이 복수의 게이트 구동부(120)의 일단까지 연장되어 형성됨으로써, 이형 코너에 배치된 복수의 화소(PX)에 공급되는 전압의 전압 강하 현상을 저감시킬 수 있다. 따라서, 복수의 화소(PX) 각각은 모두 고전위 전압을 공급받을 수 있고, 이에, 표시 장치(700)의 휘도 균일성은 향상될 수 있다. Therefore, in the display device 700 according to another embodiment of the present invention, the power supply wire 730 is formed to extend to one end of the plurality of gate drivers 120, so that the plurality of power supply wires VDDL The drop in voltage supplied to the pixel (PX) can be reduced. For example, the power supply wire 730 is formed to extend to one end of the plurality of gate drivers 120, so that each of the plurality of power supply wires VDDL branching from the power supply wire 730 corresponds to a plurality of pixels PX. Can be connected to each. Accordingly, the display device 700 according to another embodiment of the present invention is formed with the power supply wiring 730 extending to one end of the plurality of gate drivers 120, thereby forming a plurality of pixels (P ) can reduce the voltage drop phenomenon of the voltage supplied to the voltage. Accordingly, each of the plurality of pixels PX can be supplied with a high potential voltage, and thus the luminance uniformity of the display device 700 can be improved.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다. 도 8에 도시된 표시 장치(800)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 표시 장치(100)와 비교하여 게이트 구동부(820) 및 복수의 게이트 배선(GL)이 상이하고, 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략하거나 간략히 설명할 수 있다.Figure 8 is an enlarged plan view of a display device according to another embodiment of the present invention. Since the display device 800 shown in FIG. 8 has a different and substantially identical gate driver 820 and a plurality of gate wires GL compared to the display device 100 shown in FIGS. 1 to 3, Redundant explanations can be omitted or briefly explained.

도 8을 참조하면, 게이트 구동부(820)가 포함하는 복수의 스테이지(821, 822, 823, 824, 825) 중 일부(821, 822, 823)는 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하도록 배치되며, 복수의 게이트 배선(GL) 중 이형 코너에 대응하는 영역에 배치된 게이트 배선(GL)에 게이트 신호를 공급한다. 예를 들면, 전원 공급 배선(130)은 표시 영역(AA)에 대응하도록 배치될 수 있고, 이형 코너에 대응하는 비표시 영역(NA)에는 전원 공급 배선(130)이 배치되지 않는 영역이 존재할 수 있다. 따라서, 복수의 스테이지(821, 822, 823, 824, 825) 중 일부(821, 822, 823)는 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하도록 배치될 수 있다. 그리고, 게이트 구동부(820)는 제1 스테이지(821) 내지 제5 스테이지(825)를 포함한다. 제1 스테이지(821) 내지 제3 스테이지(823)는 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하는 영역에 배치된다. 그리고, 제4 스테이지(824) 및 제5 스테이지(825)는 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하지 않는 영역에 배치된다. 제1 스테이지(821) 내지 제3 스테이지(823) 각각은 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각과 연결되며, 복수의 제1 게이트 배선(GL1) 각각은 복수의 제2 게이트 배선(GL2) 각각과 연결된다. 제1 스테이지(821) 내지 제3 스테이지(823)는 복수의 게이트 배선(GL) 각각에 게이트 신호를 전달하며, 복수의 게이트 배선(GL) 각각은 이형 코너에 배치된 복수의 화소(PX)에 게이트 신호를 전달할 수 있다. 또한, 이형 코너에 대응하지 않는 영역에 배치된 제4 스테이지(824) 및 제5 스테이지(825)는 이형 코너에 대응하지 않는 영역에 배치된 화소(PX)에 게이트 배선(GL)을 통하여 게이트 신호를 공급할 수 있다.Referring to FIG. 8, some of the plurality of stages 821, 822, 823, 824, and 825 included in the gate driver 820 are arranged to correspond to unusual corners of the display area AA. And, the gate signal is supplied to the gate wire (GL) disposed in the area corresponding to the unusual corner among the plurality of gate wires (GL). For example, the power supply wire 130 may be arranged to correspond to the display area AA, and there may be an area in the non-display area NA corresponding to the unusual corner where the power supply wire 130 is not arranged. there is. Accordingly, some of the plurality of stages 821, 822, 823, 824, and 825 may be arranged to correspond to unusual corners of the display area AA. And, the gate driver 820 includes a first stage 821 to a fifth stage 825. The first to third stages 821 to 823 are disposed in an area corresponding to an unusual corner of the display area AA. Additionally, the fourth stage 824 and the fifth stage 825 are disposed in areas that do not correspond to the unusual corners of the display area AA. Each of the first to third stages 821 to 823 is connected to a plurality of first gate wires GL1, and each of the first gate wires GL1 is connected to a plurality of second gate wires GL2. is connected to The first stage 821 to the third stage 823 transmit gate signals to each of the plurality of gate wires GL, and each of the plurality of gate wires GL is connected to the plurality of pixels PX disposed at the unusual corner. A gate signal can be transmitted. In addition, the fourth stage 824 and the fifth stage 825 arranged in the area that do not correspond to the unusual corner provide a gate signal to the pixel (PX) arranged in the area that does not correspond to the unusual corner through the gate wire (GL). can be supplied.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(800)는, 복수의 스테이지(821, 822, 823, 824, 825) 중 일부(821, 822, 823)가 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하도록 배치됨으로써, 표시 영역(AA)의 이형 코너에 배치된 복수의 화소(PX)에 안정적인 게이트 신호를 공급할 수 있다. 예를 들면, 복수의 스테이지(821, 822, 823, 824, 825) 중 일부(821, 822, 823)가 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하도록 배치될 경우, 이형 코너와 대응되지 않는 비표시 영역(NA)에 배치되는 경우보다, 복수의 스테이지(821, 822, 823, 824, 825) 중 일부(821, 822, 823)와 연결된 복수의 게이트 배선(GL)의 길이는 감소될 수 있다. 그리고, 복수의 게이트 배선(GL)은 직선으로 형성될 수 있다. 따라서, 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하도록 배치된 복수의 스테이지(821, 822, 823) 각각으로부터 공급되는 게이트 신호는 이형 코너에 배치된 복수의 화소(PX) 각각에 안정적으로 공급될 수 있다. In the display device 800 according to another embodiment of the present invention, some of the plurality of stages 821, 822, 823, 824, and 825 correspond to unusual corners of the display area AA. By being arranged so as to do so, a stable gate signal can be supplied to the plurality of pixels (PX) arranged at the unusual corners of the display area (AA). For example, when some (821, 822, 823) of the plurality of stages (821, 822, 823, 824, 825) are arranged to correspond to the unusual corners of the display area (AA), a ratio that does not correspond to the unusual corners The length of the plurality of gate wires (GL) connected to some (821, 822, 823) of the plurality of stages (821, 822, 823, 824, and 825) may be reduced compared to the case where they are disposed in the display area (NA). . Additionally, the plurality of gate wires GL may be formed in a straight line. Accordingly, the gate signal supplied from each of the plurality of stages 821, 822, and 823 arranged to correspond to the unusual corner of the display area AA can be stably supplied to each of the plurality of pixels PX arranged at the unusual corner. there is.

그리고, 도 8을 참조하면, 표시 영역(AA)의 이형 코너와 대응하도록 배치된 복수의 스테이지(821, 822, 823)는 계단 형상으로 배치될 수 있다. 또한, 표시 영역(AA)에 인접하여 배치될 수 있다. 구체적으로, 표시 영역(AA)의 이형 코너와 대응하도록 배치된 복수의 스테이지(821, 822, 823)는 표시 영역(AA)의 이형 코너를 따라 계단 형상으로 배치될 수 있으며, 표시 영역(AA)과 인접하여 표시 영역(AA)의 이형 코너의 형태에 대응하여 배치될 수 있다. 예를 들면, 복수의 스테이지(821, 822, 823)는 표시 영역(AA)과 인접하여, 이형 코너에 대응되도록 일렬로 배치되지 않고 조금씩 엇갈리며 계단 형상으로 배치될 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(800)는, 이형 코너에 대응하도록 배치된 복수의 스테이지(821, 822, 823)를 계단 형상으로 배치함으로써, 복수의 스테이지(821, 822, 823)가 다양한 형상의 이형 코너에 대응하여 유연하게 배치될 수 있다. 예를 들면, 표시 영역(AA)의 코너가 도 8에 도시된 바와 같이 원의 일부의 형상을 가질 경우, 복수의 스테이지(821, 822, 823)는 이에 대응하여 계단식으로 배치될 수 있다. 따라서, 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하여 비표시 영역(NA)의 코너도 이형 코너로 형성될 수 있다. And, referring to FIG. 8, a plurality of stages 821, 822, and 823 arranged to correspond to the unusual corners of the display area AA may be arranged in a step shape. Additionally, it may be disposed adjacent to the display area AA. Specifically, the plurality of stages 821, 822, and 823 arranged to correspond to the unusual corners of the display area AA may be arranged in a step shape along the unusual corners of the display area AA. It may be disposed adjacent to and corresponding to the shape of the unusual corner of the display area AA. For example, the plurality of stages 821, 822, and 823 may be adjacent to the display area AA and may not be arranged in a line to correspond to a special corner, but may be slightly staggered and arranged in a staircase shape. The display device 800 according to another embodiment of the present invention has a plurality of stages 821, 822, and 823 arranged in a staircase shape to correspond to unusual corners. Can be flexibly arranged in response to odd-shaped corners of various shapes. For example, when the corner of the display area AA has a partial shape of a circle as shown in FIG. 8, the plurality of stages 821, 822, and 823 may be arranged in steps corresponding to this. Accordingly, the corners of the non-display area NA may also be formed as unusual corners corresponding to the unusual corners of the display area AA.

그리고, 도 8을 참조하면, 표시 영역(AA)의 이형 코너와 대응하도록 배치된 복수의 스테이지(821, 822, 823)는 가로 방향의 폭이 작고, 세로 방향의 폭이 클 수 있다. 구체적으로, 표시 영역(AA)의 이형 코너와 대응하도록 배치된 복수의 스테이지(821, 822, 823)는, 표시 영역(AA)의 이형 코너가 아닌 영역에 대응하도록 배치되는 제4 스테이지(824) 및 제5 스테이지(825)와 다른 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 도 8에 도시된 바와 같이, 표시 영역(AA)의 이형 코너와 대응하도록 배치된 복수의 스테이지(821, 822, 823)는 가로 방향의 폭이 작고, 세로 방향의 폭이 클 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(800)는, 가로 방향의 폭이 작고, 세로 방향의 폭이 큰 복수의 스테이지(821, 822, 823)를 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응하도록 배치함으로써, 표시 영역(AA)의 이형 코너에 대응되도록 설계된 스테이지를 배치할 수 있다. And, referring to FIG. 8, the plurality of stages 821, 822, and 823 arranged to correspond to the unusual corners of the display area AA may have a small width in the horizontal direction and a large width in the vertical direction. Specifically, the plurality of stages 821, 822, and 823 arranged to correspond to the unusual corners of the display area AA, and the fourth stage 824 arranged to correspond to areas other than the unusual corners of the display area AA. and may be formed in a shape different from that of the fifth stage 825. For example, as shown in FIG. 8, the plurality of stages 821, 822, and 823 arranged to correspond to the unusual corners of the display area AA may have a small width in the horizontal direction and a large width in the vertical direction. there is. Accordingly, the display device 800 according to another embodiment of the present invention includes a plurality of stages 821, 822, and 823 with a small width in the horizontal direction and a large width in the vertical direction at the unusual corners of the display area AA. By arranging it to correspond to , a stage designed to correspond to an unusual corner of the display area AA can be arranged.

본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.A display device according to embodiments of the present invention can be described as follows.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 코너를 갖는 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역에 있으며, 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소, 비표시 영역에 있으며, 표시 영역의 적어도 일 측에 배치된 게이트 구동부, 게이트 구동부와 전기적으로 연결되어 복수의 화소에 게이트 신호를 공급하는 복수의 게이트 배선, 비표시 영역에 있으며, 복수의 게이트 배선과 동일한 방향으로 연장된 전원 공급 배선 및 전원 공급 배선으로부터 분기되고(branched), 복수의 화소에 고전위 전압을 공급하는 복수의 전원 배선을 포함하고, 게이트 구동부는 이형 코너를 제외한 영역에 위치할 수 있다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a substrate including a display area having a special corner and a non-display area adjacent to the display area, the display area having a plurality of pixels each including a transistor, and the non-display area comprising: , a gate driver disposed on at least one side of the display area, a plurality of gate wires electrically connected to the gate driver to supply gate signals to a plurality of pixels, located in the non-display area and extending in the same direction as the plurality of gate wires. It may include a power supply wire and a plurality of power wires branched from the power supply wire and supplying a high potential voltage to a plurality of pixels, and the gate driver may be located in an area excluding the unusual corner.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 게이트 배선이 연장되는 방향에 대한 전원 공급 배선의 폭은, 복수의 전원 배선 중 최외곽 전원 배선들 사이의 간격 이상일 수 있다.According to another feature of the present invention, the width of the power supply wires in the direction in which the plurality of gate wires extend may be greater than or equal to the gap between the outermost power wires among the plurality of power wires.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 전원 공급 배선은 복수의 게이트 구동부의 일단까지 연장될 수 있다.According to another feature of the present invention, the power supply wiring may extend to one end of the plurality of gate drivers.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 있는 도전층, 복수의 전원 배선과 평행하고, 복수의 화소에 데이터 신호를 공급하는 복수의 데이터 배선 및 비표시 영역에 있으며, 복수의 데이터 배선에 데이터 신호를 공급하는 복수의 데이터 링크 배선을 더 포함하고, 전원 공급 배선 및 복수의 전원 배선은 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질일 수 있다.According to another feature of the present invention, a conductive layer between the source and drain electrodes of the transistor and the gate electrode of the transistor, a plurality of data wires parallel to the plurality of power wires, and a plurality of data wires for supplying data signals to a plurality of pixels. It is in the display area and further includes a plurality of data link wires that supply data signals to the plurality of data wires, and the power supply wire and the plurality of power wires may be made of the same material as the source electrode and drain electrode of the transistor.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 데이터 배선은 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고, 복수의 데이터 링크 배선 중 일부는 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질이고, 복수의 데이터 링크 배선 중 다른 일부는 도전층과 동일한 물질이며, 복수의 데이터 배선 각각과 복수의 데이터 링크 배선 각각이 컨택하는 컨택홀은 복수의 게이트 배선 중 전원 공급 배선에 가장 가까운 게이트 배선과 전원 공급 배선 사이에 위치할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of data wires are made of the same material as the source electrode and drain electrode of the transistor, some of the plurality of data link wires are made of the same material as the gate electrode of the transistor, and other of the plurality of data link wires are made of the same material as the gate electrode of the transistor. Some are made of the same material as the conductive layer, and the contact hole through which each of the plurality of data wires and each of the plurality of data link wires make contact may be located between the power supply wire and the gate wire closest to the power supply wire among the plurality of gate wires. .

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 게이트 배선은, 게이트 구동부로부터 연장되고, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인 복수의 제1 게이트 배선 및 복수의 제1 게이트 배선과 연결되어 표시 영역으로 연장되고, 트랜지스터 게이트 전극과 동일한 물질인 복수의 제2 게이트 배선을 포함하고, 복수의 제1 게이트 배선 각각과 복수의 제2 게이트 배선 각각이 컨택하는 컨택홀은 복수의 전원 배선 및 복수의 데이터 배선 외측에 위치할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of gate wires extend from the gate driver and are connected to a plurality of first gate wires made of the same material as the source and drain electrodes of the transistor and connected to the display area. extends to and includes a plurality of second gate wires made of the same material as the transistor gate electrode, and the contact hole through which each of the plurality of first gate wires and each of the plurality of second gate wires contacts a plurality of power wires and a plurality of data It can be located outside the wiring.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 게이트 배선은, 게이트 구동부로부터 연장되고, 도전층, 트랜지스터의 게이트 전극, 또는 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인 복수의 제1 게이트 배선, 표시 영역으로 연장되어, 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질로 이루어지는 복수의 제2 게이트 배선 및 복수의 제1 게이트 배선과 복수의 제2 게이트 배선을 연결하고, 일부는 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질이고, 다른 일부는 도전층과 동일한 물질인 복수의 제3 게이트 배선을 포함하고, 표시 장치는 복수의 제2 게이트 배선 각각과 복수의 제3 게이트 배선 각각을 전기적으로 연결하기 위한 복수의 제1 게이트 컨택부를 더 포함하며, 제1 게이트 컨택부는 복수의 전원 배선 및 복수의 데이터 배선 외측에 위치할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of gate wires extend from the gate driver and include a plurality of first gate wires that are made of the same material as the conductive layer, the gate electrode of the transistor, or the source electrode and drain electrode of the transistor, and the display area. extends to connect a plurality of second gate wires and a plurality of first gate wires and a plurality of second gate wires made of the same material as the gate electrode of the transistor, some of which are made of the same material as the gate electrode of the transistor, and other parts of which are made of the same material as the gate electrode of the transistor. includes a plurality of third gate wires made of the same material as the conductive layer, and the display device further includes a plurality of first gate contact units for electrically connecting each of the plurality of second gate wires and each of the plurality of third gate wires. And, the first gate contact part may be located outside the plurality of power wires and the plurality of data wires.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 게이트 컨택부는, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고, 컨택홀을 통해 복수의 제2 게이트 배선 및 복수의 제3 게이트 배선과 컨택할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of first gate contact units are made of the same material as the source electrode and drain electrode of the transistor, and can contact the plurality of second gate wires and the plurality of third gate wires through the contact hole. there is.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 게이트 배선이 도전층 또는 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질인 경우, 복수의 게이트 배선은, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고, 컨택홀을 통해 복수의 제1 게이트 배선 및 복수의 제2 게이트 배선과 컨택하는 복수의 제2 게이트 컨택부를 더 포함할 수 있다.According to another feature of the present invention, when the plurality of first gate wires are made of the same material as the conductive layer or the gate electrode of the transistor, the plurality of gate wires are made of the same material as the source electrode and drain electrode of the transistor, and form a contact hole. It may further include a plurality of second gate contact parts that contact the plurality of first gate wires and the plurality of second gate wires.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 코너를 갖는 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역에 있으며, 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소, 비표시 영역에 있으며, 표시 영역의 적어도 일 측에 배치된 게이트 구동부, 게이트 구동부와 전기적으로 연결되어 복수의 화소에 게이트 신호를 공급하는 복수의 게이트 배선, 비표시 영역에 있으며, 복수의 게이트 배선과 동일한 방향으로 연장된 전원 공급 배선 및 전원 공급 배선으로부터 분기되고(branched), 복수의 화소에 고전위 전압을 공급하는 복수의 전원 배선을 포함하고, 게이트 구동부는 복수의 게이트 배선에 게이트 신호를 공급하는 복수의 스테이지를 포함하고, 복수의 스테이지 중 일부는 이형 코너에 대응하도록 배치되며, 복수의 게이트 배선 중 이형 코너에 대응하는 영역에 배치된 게이트 배선에 게이트 신호를 공급할 수 있다.A display device according to another embodiment of the present invention includes a substrate including a display area with a special corner and a non-display area adjacent to the display area, the display area having a plurality of pixels each including a transistor, and the non-display area comprising: , a gate driver disposed on at least one side of the display area, a plurality of gate wires electrically connected to the gate driver to supply gate signals to a plurality of pixels, located in the non-display area and extending in the same direction as the plurality of gate wires. It includes a power supply wire and a plurality of power wires branched from the power supply wire and supplying a high potential voltage to a plurality of pixels, and the gate driver includes a plurality of stages for supplying gate signals to the plurality of gate wires. In addition, some of the plurality of stages are arranged to correspond to the special corner, and a gate signal can be supplied to the gate wire arranged in an area corresponding to the special corner among the plurality of gate wires.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 스테이지 중 일부는 계단 형상으로 배치될 수 있다.According to another feature of the present invention, some of the plurality of stages may be arranged in a staircase shape.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 스테이지 중 일부는, 복수의 스테이지 중 이형 코너를 제외한 영역에 대응하도록 배치된 다른 일부에 비해 가로 방향 폭이 작고, 세로 방향 폭이 클 수 있다.According to another feature of the present invention, some of the plurality of stages may have a smaller width in the horizontal direction and a larger width in the vertical direction compared to other parts of the plurality of stages disposed to correspond to areas excluding the unusual corners.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 이형 코너는, 라운드(round) 형상을 가질 수 있다.According to another feature of the present invention, the deformed corner may have a round shape.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 이형 코너를 갖고, 트랜지스터가 구비된 복수의 화소가 정의된 표시 영역 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역 양 측에서 이형 코너에 대응하는 비표시 영역의 면적을 최소화하도록 이형 코너를 제외한 영역에 형성된 게이트 구동부, 비표시 영역에 있는 전원 공급 배선 및 전원 공급 배선과 일체로 이루어진 복수의 전원 배선을 포함하고, 전원 공급 배선은 복수의 화소에 전원 전압을 공급하도록 표시 영역 전체에 대응된 영역에 형성될 수 있다.A display device according to another embodiment of the present invention includes a substrate having a special corner, a display area in which a plurality of pixels equipped with transistors are defined, and a non-display area adjacent to the display area, and a special corner on both sides of the display area. A gate driver formed in an area excluding a special corner to minimize the area of the non-display area corresponding to the non-display area, a power supply wire in the non-display area, and a plurality of power supply wires integral with the power supply wire, wherein the power supply wires are plural. It may be formed in an area corresponding to the entire display area to supply power voltage to the pixels.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 게이트 배선이 연장되는 방향에 대한 전원 공급 배선의 폭은, 표시 영역의 폭 이상일 수 있다.According to another feature of the present invention, the width of the power supply wiring in the direction in which the plurality of gate wirings extend may be greater than or equal to the width of the display area.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 전원 공급 배선은, 전원 전압의 강하 현상을 저감시키도록 게이트 구동부의 일단까지 연장될 수 있다.According to another feature of the present invention, the power supply wiring may extend to one end of the gate driver to reduce a drop in power voltage.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 있는 도전층 복수의 전원 배선과 평행하고, 복수의 화소에 데이터 신호를 공급하는 복수의 데이터 배선, 복수의 데이터 배선과 상이한 방향으로 연장되는 복수의 게이트 배선 및 비표시 영역에 있고, 복수의 데이터 배선에 데이터 신호를 공급하는 복수의 데이터 링크 배선을 더 포함하고, 전원 공급 배선 및 복수의 전원 배선은 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질일 수 있다.According to another feature of the present invention, a conductive layer between the source and drain electrodes of the transistor and the gate electrode of the transistor is parallel to the plurality of power wires, a plurality of data wires for supplying data signals to a plurality of pixels, a plurality of data wires, It further includes a plurality of gate wires extending in a different direction from the data wires and a plurality of data link wires in a non-display area and supplying data signals to the plurality of data wires, wherein the power supply wire and the plurality of power wires are of the transistors. It may be the same material as the source electrode and drain electrode.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 데이터 배선은 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고, 복수의 데이터 링크 배선 중 일부는 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질이고, 다른 일부는 도전층과 동일한 물질이며, 복수의 게이트 배선은, 게이트 구동부로부터 연장되고, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인 복수의 제1 게이트 배선 및 복수의 제1 게이트 배선과 연결되어 표시 영역으로 연장되고, 트랜지스터 게이트 전극과 동일한 물질인 복수의 제2 게이트 배선을 포함하고, 복수의 데이터 배선 각각과 복수의 데이터 링크 배선 각각이 컨택하는 컨택홀 및 복수의 제1 게이트 배선 각각과 복수의 제2 게이트 배선 각각이 컨택하는 컨택홀은, 복수의 제1 게이트 배선이 복수의 데이터 배선 및 복수의 전원 배선과 서로 상이한 영역에 배치되도록 위치할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of data wires are made of the same material as the source electrode and drain electrode of the transistor, some of the plurality of data link wires are made of the same material as the gate electrode of the transistor, and other parts are made of the same material as the conductive layer. material, and the plurality of gate wires extend from the gate driver, are connected to a plurality of first gate wires and a plurality of first gate wires made of the same material as the source electrode and drain electrode of the transistor, and extend to the display area, and the transistor gate It includes a plurality of second gate wires made of the same material as the electrode, a contact hole where each of the plurality of data wires and each of the plurality of data link wires make contact, and each of the plurality of first gate wires and each of the plurality of second gate wires make contact. The contact hole may be located so that the plurality of first gate wires are disposed in different areas from the plurality of data wires and the plurality of power wires.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 데이터 배선은 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고, 복수의 데이터 링크 배선 중 일부는 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질이고, 다른 일부는 도전층과 동일한 물질이며, 복수의 게이트 배선은, 게이트 구동부로부터 연장되고, 도전층, 트랜지스터의 게이트 전극, 또는 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인 복수의 제1 게이트 배선, 표시 영역으로 연장되고, 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질인 복수의 제2 게이트 배선, 복수의 제1 게이트 배선과 복수의 제2 게이트 배선을 연결하고, 일부는 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질이고, 다른 일부는 도전층과 동일한 물질인 복수의 제3 게이트 배선을 포함하고, 표시 장치는 복수의 데이터 배선 각각과 복수의 데이터 링크 배선 각각이 컨택하는 컨택홀 및 복수의 제2 게이트 배선 각각과 복수의 제3 게이트 배선 각각을 전기적으로 연결하기 위한 복수의 제1 게이트 컨택부를 더 포함하며, 제1 게이트 컨택부는 복수의 데이터 링크 배선과 복수의 제3 게이트 배선이 서로 상이한 영역에 배치되도록 위치할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of data wires are made of the same material as the source electrode and drain electrode of the transistor, some of the plurality of data link wires are made of the same material as the gate electrode of the transistor, and other parts are made of the same material as the conductive layer. material, and the plurality of gate wires extend from the gate driver and extend to the conductive layer, the gate electrode of the transistor, or the plurality of first gate wires made of the same material as the source electrode and drain electrode of the transistor, and the display area, Connecting a plurality of second gate wires made of the same material as the gate electrode, a plurality of first gate wires and a plurality of second gate wires, some of which are made of the same material as the gate electrode of the transistor, and other parts made of the same material as the conductive layer. The display device includes a plurality of third gate wires, and the display device electrically connects each of the plurality of data wires and each of the plurality of data link wires to a contact hole and each of the plurality of second gate wires and each of the plurality of third gate wires. It may further include a plurality of first gate contact units, and the first gate contact unit may be positioned so that the plurality of data link wires and the plurality of third gate wires are arranged in different areas.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 게이트 컨택부는, 복수의 게이트 배선에서의 저항 편차를 최소화하도록, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고, 컨택홀을 통해 복수의 제2 게이트 배선 및 복수의 제3 게이트 배선과 컨택할 수 있다.According to another feature of the present invention, the plurality of first gate contact portions are made of the same material as the source and drain electrodes of the transistor to minimize the resistance deviation in the plurality of gate wirings, and the plurality of second gate contact portions are formed through the contact hole. It may contact the wiring and a plurality of third gate wirings.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 게이트 배선이 도전층 또는 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질인 경우, 복수의 게이트 배선은, 복수의 제1 게이트 배선 각각과 복수의 제3 게이트 배선 각각을 전기적으로 연결하기 위한 복수의 제2 게이트 컨택부를 더 포함하며, 복수의 제2 게이트 컨택부는, 복수의 게이트 배선에서의 저항 편차를 최소화하도록, 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어지고, 컨택홀을 통해 복수의 제2 게이트 배선 및 복수의 제3 게이트 배선과 컨택할 수 있다.According to another feature of the present invention, when the plurality of first gate wires are made of the same material as the conductive layer or the gate electrode of the transistor, the plurality of gate wires are each of the plurality of first gate wires and the plurality of third gate wires. It further includes a plurality of second gate contact parts for electrically connecting, wherein the plurality of second gate contact parts are made of the same material as the source electrode and drain electrode of the transistor to minimize resistance deviation in the plurality of gate wirings. , It is possible to contact a plurality of second gate wires and a plurality of third gate wires through a contact hole.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the technical spirit of the present invention. . Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be construed as being included in the scope of rights of the present invention.

100, 400, 600, 700, 800: 표시 장치
110: 기판
111: 게이트 절연층
112: 제1 층간 절연층
113: 제2 층간 절연층
120, 820: 게이트 구동부
121, 821: 제1 스테이지
122, 822: 제2 스테이지
130, 730: 전원 공급 배선
140: 박막 트랜지스터
141: 액티브층
142: 게이트 전극
143: 소스 전극
144: 드레인 전극
150: 도전층
823: 제3 스테이지
824: 제4 스테이지
825: 제5 스테이지
100, 400, 600, 700, 800: Display device
110: substrate
111: Gate insulating layer
112: first interlayer insulating layer
113: second interlayer insulating layer
120, 820: Gate driver
121, 821: Stage 1
122, 822: Second stage
130, 730: Power supply wiring
140: thin film transistor
141: active layer
142: Gate electrode
143: source electrode
144: drain electrode
150: conductive layer
823: Third stage
824: Stage 4
825: Stage 5

Claims (15)

이형 코너를 가지는 표시 영역 및 상기 표시 영역 주위의 비표시 영역을 포함하는 기판;
상기 이형 코너를 포함한 상기 표시 영역에 있으며, 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소;
상기 비표시 영역에 배치되어 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부;
상기 비표시 영역에 배치되고, 상기 게이트 구동부로부터 연장된 제1 게이트 배선;
상기 제1 게이트 배선과 전기적으로 연결되어 상기 트랜지스터에 상기 게이트 신호를 전달하는 제2 게이트 배선;
상기 비표시 영역에서 상기 제2 게이트 배선과 동일한 방향으로 연장된 전원 공급 배선;
상기 전원 공급 배선으로부터 분기되고(branched), 상기 복수의 화소에 고전위 전압을 공급하는 복수의 전원 배선;
상기 복수의 전원 배선과 평행하고, 상기 복수의 화소에 데이터 신호를 공급하는 복수의 데이터 배선; 및
상기 비표시 영역에서 상기 복수의 데이터 배선에 상기 데이터 신호를 공급하는 복수의 데이터 링크 배선을 포함하고,
상기 제1 게이트 배선 및 상기 전원 공급 배선은 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질이고,
상기 복수의 데이터 배선 및 상기 복수의 전원 배선은 상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 동일한 물질인, 표시 장치.
A substrate comprising a display area having irregular corners and a non-display area around the display area;
a plurality of pixels in the display area including the unusual corner, each pixel including a transistor;
a gate driver disposed in the non-display area to supply a gate signal;
a first gate wire disposed in the non-display area and extending from the gate driver;
a second gate wire electrically connected to the first gate wire to transmit the gate signal to the transistor;
a power supply wire extending in the same direction as the second gate wire in the non-display area;
a plurality of power wires branched from the power supply wires and supplying high potential voltages to the plurality of pixels;
a plurality of data wires parallel to the plurality of power wires and supplying data signals to the plurality of pixels; and
A plurality of data link wires supplying the data signals to the plurality of data wires in the non-display area,
The first gate wiring and the power supply wiring are made of the same material as the source electrode and drain electrode of the transistor,
The display device wherein the plurality of data wires and the plurality of power wires are made of the same material as the source electrode and drain electrode of the transistor.
제1 항에 있어서,
상기 제1 게이트 배선은 두 개의 굴곡을 갖는, 표시 장치.
According to claim 1,
The first gate wiring has two bends.
제1 항에 있어서,
상기 제2 게이트 배선과 상기 게이트 구동부 사이에 배치되는 제3 게이트 배선을 더 포함하는, 표시 장치.
According to claim 1,
The display device further includes a third gate wire disposed between the second gate wire and the gate driver.
제3 항에 있어서,
상기 제3 게이트 배선은 두 개의 굴곡을 갖는, 표시 장치.
According to clause 3,
The third gate wiring has two bends.
제1 항에 있어서,
상기 게이트 구동부는 상기 이형 코너를 제외한 영역에 배치되는, 표시 장치.
According to claim 1,
The display device wherein the gate driver is disposed in an area excluding the special corner.
제1 항에 있어서,
상기 이형 코너에 상기 게이트 구동부가 배치되는, 표시 장치.
According to claim 1,
A display device wherein the gate driver is disposed at the unusual corner.
제6 항에 있어서,
상기 이형 코너에 배치되는 상기 게이트 구동부는 상기 이형 코너를 따라 계단 형태로 배치되는, 표시 장치.
According to clause 6,
The display device wherein the gate driver disposed at the special corner is arranged in a staircase shape along the special corner.
제7 항에 있어서,
상기 게이트 구동부는
상기 제1 게이트 배선에 상기 게이트 신호를 공급하는 복수의 스테이지를 포함하고,
상기 복수의 스테이지 중 상기 이형 코너의 영역에 대응하도록 배치된 스테이지는, 상기 이형 코너를 제외한 영역에 대응하도록 배치된 스테이지에 비해 가로 방향 폭이 작고, 세로 방향 폭인 큰, 표시 장치.
According to clause 7,
The gate driver
A plurality of stages supplying the gate signal to the first gate wiring,
Among the plurality of stages, a stage arranged to correspond to an area of the unusual corner has a smaller horizontal width and a larger vertical width than a stage arranged to correspond to an area excluding the unusual corner.
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 복수의 데이터 링크 배선 중 일부는 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질인, 표시 장치.
According to claim 1,
A display device, wherein some of the plurality of data link wires are made of the same material as the gate electrode of the transistor.
제10 항에 있어서,
상기 복수의 데이터 배선 각각과 상기 복수의 데이터 링크 배선 각각이 컨택하는 컨택홀을 더 포함하고,
상기 컨택홀은 상기 제2 게이트 배선 중 상기 전원 공급 배선에 가장 가까운 제2 게이트 배선과 상기 전원 공급 배선 사이에 위치하는, 표시 장치.
According to claim 10,
Further comprising a contact hole through which each of the plurality of data wires and each of the plurality of data link wires make contact,
The contact hole is located between the power supply wire and a second gate wire closest to the power supply wire among the second gate wires.
제10 항에 있어서,
상기 제1 게이트 배선과 상기 제2 게이트 배선이 컨택하는 컨택홀은 상기 복수의 전원 배선 및 상기 복수의 데이터 배선의 외측에 위치하는, 표시 장치.
According to claim 10,
A contact hole through which the first gate wire and the second gate wire make contact is located outside the plurality of power wires and the plurality of data wires.
제4 항에 있어서,
상기 제2 게이트 배선은 상기 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 물질로 이루어지는, 표시 장치.
According to clause 4,
The display device wherein the second gate wiring is made of the same material as the gate electrode of the transistor.
제1 항에 있어서,
상기 전원 공급 배선은 상기 게이트 구동부의 일단까지 연장된, 표시 장치.
According to claim 1,
The display device wherein the power supply wiring extends to one end of the gate driver.
제1 항에 있어서,
상기 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 배치되는 도전층을 더 포함하는, 표시 장치.
According to claim 1,
The display device further includes a conductive layer disposed between the source and drain electrodes of the transistor and the gate electrode of the transistor.
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