KR102677064B1 - Conductive Paste and Multilayer Type Electronic Component - Google Patents

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Abstract

낮은 베이킹 온도에서 치밀하면서 적층체와의 접합성이 높은 하부전극층을 얻을 수 있는 도전성 페이스트를 제공한다.
도전성 페이스트(1)는 Cu 및 Ni 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 도전성 분말(2)과, 유리 분말(3)과, 유기 재료(4)를 포함한다. 유리 분말(3)은 연화점이 455℃ 이상 650℃ 이하인 붕규산계 유리 조성물을 포함하면서, 유리 분말(3)과 C 분말의 혼합물의 승온 가열 시에 발생하는 가스의 질량 분석에 의해 얻어지는 질량 스펙트럼은 470℃ 이상 680℃ 이하에 질량 수 44의 가스 발생 피크를 가진다.
A conductive paste capable of obtaining a dense lower electrode layer with high adhesion to a laminate at a low baking temperature is provided.
The conductive paste 1 contains a conductive powder 2 containing at least one element selected from Cu and Ni, a glass powder 3, and an organic material 4. The glass powder (3) contains a borosilicate-based glass composition with a softening point of 455°C or more and 650°C or less, and the mass spectrum obtained by mass analysis of the gas generated when heating the mixture of the glass powder (3) and C powder at elevated temperatures is 470°C. It has a gas generation peak with a mass number of 44 above ℃ and below 680℃.

Description

도전성 페이스트 및 적층형 전자부품{Conductive Paste and Multilayer Type Electronic Component} Conductive Paste and Multilayer Type Electronic Component}

본 개시는 유리 분말을 포함하는 도전성 페이스트, 및 그것을 사용하여 형성된 외부전극을 포함한 적층형 전자부품에 관한 것이다.The present disclosure relates to a conductive paste containing glass powder and a multilayer electronic component including external electrodes formed using the same.

적층 세라믹 콘덴서 등의 적층형 전자부품의 외부전극은 일반적으로 적층체의 표면에 형성된 하부전극층과, 하부전극층 상에 부여된 도금층을 포함한다. 하부전극층은 Cu 및 Ni 등의 도전성 분말과, 유리 분말과, 유기 재료를 포함하는 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 형성되는 소결체층인 경우가 많다. 여기서, 도금층의 두께는 극히 얇기 때문에, 외부전극의 두께는 하부전극층의 두께에 영향을 받는다. External electrodes of multilayer electronic components such as multilayer ceramic capacitors generally include a lower electrode layer formed on the surface of the multilayer body and a plating layer provided on the lower electrode layer. The lower electrode layer is often a sintered body layer formed by baking a conductive paste containing conductive powder such as Cu and Ni, glass powder, and an organic material. Here, because the thickness of the plating layer is extremely thin, the thickness of the external electrode is affected by the thickness of the lower electrode layer.

예를 들면, 적층 세라믹 콘덴서의 소형 대용량화를 진행하기 위한 한 수단으로서, 외부전극의 두께를 가능한 한 얇게 하고, 정전 용량을 발현하는 적층체의 체적을 크게 하는 것을 들 수 있다. 그를 위해서는 하부전극층의 두께를 얇게 할 필요가 있다. 한편, 하부전극층을 얇게 하면, 외부로부터 수분이 침입하기 쉬워질 우려가 있다. 도전성 페이스트 중의 유리 분말은 도전성 분말의 소결성을 향상시키고, 외부로부터의 수분의 침입을 억제할 수 있는, 치밀한 하부전극층을 얻기 위해 첨가되어 있다. For example, one way to increase the size and capacity of a multilayer ceramic capacitor is to make the thickness of the external electrode as thin as possible and increase the volume of the stack that develops electrostatic capacity. For this purpose, it is necessary to thin the thickness of the lower electrode layer. On the other hand, if the lower electrode layer is thinned, there is a risk that moisture may easily infiltrate from the outside. Glass powder in the conductive paste is added to improve the sinterability of the conductive powder and to obtain a dense lower electrode layer that can suppress the intrusion of moisture from the outside.

유리 분말의 성분으로는 B산화물 및 Si산화물을 그물코 형성 산화물로 하고, Ba, Ca 및 Sr 등의 알칼리 토금속 원소 산화물을 수식 산화물로서 포함하는 붕규산계 유리 조성물이 사용되는 경우가 많다. 상기와 같은 붕규산계 유리 조성물이 사용된 유리 분말을 포함하는 도전성 페이스트의 일례로서 국제공개공보 WO2014/175013(특허문헌 1)에 기재된 도전성 페이스트를 들 수 있다. 특허문헌 1에 개시된 도전성 페이스트는 800℃부터 900℃에서 적층체에 베이킹된다.As a component of the glass powder, a borosilicate glass composition containing B oxide and Si oxide as network-forming oxides and oxides of alkaline earth metal elements such as Ba, Ca, and Sr as modified oxides is often used. An example of a conductive paste containing glass powder using the above-described borosilicate glass composition is the conductive paste described in International Publication WO2014/175013 (Patent Document 1). The conductive paste disclosed in Patent Document 1 is baked into a laminate at 800°C to 900°C.

국제공개공보 WO2014/175013International Publication WO2014/175013

특허문헌 1에 개시된 도전성 페이스트는 상기와 같이 고온에서 베이킹된다. 그 때문에, 하부전극층이 베이킹 온도부터 실온까지 냉각되었을 때, 수축의 정도가 크다. 그 결과, 적층체에 큰 응력이 가해지고, 크랙이 발생할 우려가 있다. 즉, 크랙 발생을 억제하기 위해서는 도전성 페이스트의 베이킹 온도를 저하시키고, 하부전극층의 냉각 시에서의 수축의 정도를 작게 할 필요가 있다. 한편, 베이킹 온도를 저하시키면, 도전성 페이스트 중의 유기 재료가 충분히 연소 혹은 분해되지 않고 잔류하며, 하부전극층의 치밀화를 저해할 우려가 있다. 또한, 치밀화되긴 하지만 적층체와 하부전극층의 접합성이 저하될 우려가 있다. The conductive paste disclosed in Patent Document 1 is baked at high temperature as described above. Therefore, when the lower electrode layer is cooled from the baking temperature to room temperature, the degree of shrinkage is large. As a result, a large stress is applied to the laminate, and there is a risk of cracks occurring. That is, in order to suppress the occurrence of cracks, it is necessary to lower the baking temperature of the conductive paste and reduce the degree of shrinkage of the lower electrode layer when cooling. On the other hand, if the baking temperature is lowered, the organic materials in the conductive paste remain without being sufficiently burned or decomposed, and there is a risk of inhibiting densification of the lower electrode layer. In addition, although densification is achieved, there is a risk that the adhesion between the laminate and the lower electrode layer may deteriorate.

본 개시의 목적은 낮은 베이킹 온도에서 치밀하면서 적층체와의 접합성이 높은 하부전극층을 얻을 수 있는 도전성 페이스트, 및 그것을 사용하여 형성된 하부전극층을 포함하는 외부전극을 포함한 적층형 전자부품을 제공하는 것이다. The purpose of the present disclosure is to provide a conductive paste capable of obtaining a dense lower electrode layer with high adhesion to the laminate at a low baking temperature, and a multilayer electronic component including an external electrode including the lower electrode layer formed using the same.

본 개시에 따른 도전성 페이스트는 Cu 및 Ni 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 도전성 분말과, 유리 분말과, 유기 재료를 포함한다. 유리 분말은 연화점이 455℃ 이상 650℃ 이하인 붕규산계 유리 조성물을 포함한다. 그리고 유리 분말과 C 분말의 혼합물의 승온(昇溫) 가열 시에 발생하는 가스의 질량분석에 의해 얻어지는 질량 스펙트럼(mass spectrum)은 470℃ 이상 680℃ 이하에 질량 수 44의 가스 발생 피크를 가진다. The conductive paste according to the present disclosure includes conductive powder containing at least one element selected from Cu and Ni, glass powder, and an organic material. The glass powder includes a borosilicate-based glass composition having a softening point of 455°C or more and 650°C or less. And the mass spectrum obtained by mass analysis of the gas generated when the mixture of glass powder and C powder is heated to an elevated temperature has a gas generation peak with a mass number of 44 above 470°C and below 680°C.

본 개시에 따른 적층형 전자부품은 적층된 복수개의 유전체층과 복수개의 내부전극층을 포함하는 적층체와, 적층체의 외표면 상의 서로 다른 위치에 형성되면서 내부전극층에 전기적으로 접속되는 복수개의 외부전극을 포함한다. 그리고 외부전극은 본 개시에 따른 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 형성된 하부전극층을 포함한다. The multilayer electronic component according to the present disclosure includes a laminate including a plurality of dielectric layers and a plurality of internal electrode layers, and a plurality of external electrodes formed at different positions on the outer surface of the laminate and electrically connected to the internal electrode layer. do. And the external electrode includes a lower electrode layer formed by baking the conductive paste according to the present disclosure.

본 개시에 따른 도전성 페이스트는 낮은 베이킹 온도에서 치밀하면서 적층체와의 접합성이 높은 하부전극층을 얻을 수 있다. 또한, 본 개시에 따른 적층형 전자부품은 본 개시에 따른 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 형성된 상기 하부전극층을 포함하는 외부전극을 포함할 수 있다. The conductive paste according to the present disclosure can obtain a lower electrode layer that is dense and has high adhesion to the laminate at a low baking temperature. Additionally, the multilayer electronic component according to the present disclosure may include an external electrode including the lower electrode layer formed by baking the conductive paste according to the present disclosure.

도 1은 본 개시에 따른 도전성 페이스트의 실시형태인 도전성 페이스트(1)의 모식도이다.
도 2는 유리 분말(3)에 의한 유기 재료(4)의 연소 촉진에 대해 추정되어 있는 메커니즘을 설명하기 위한 모식도이다.
도 3은 Cu, Ni, Co 및 C의 산화물의 표준 생성 자유에너지와 온도의 관계를 나타내는 그래프(엘링감도(Ellingham diagram))이다.
도 4는 본 개시에 따른 적층형 전자부품의 실시형태인 적층 세라믹 콘덴서(100)의 단면도이다.
도 5는 적층 세라믹 콘덴서(100)의 제1 외부전극(14a)의 제1 하부전극(14a1)의 미세 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
1 is a schematic diagram of a conductive paste 1, which is an embodiment of the conductive paste according to the present disclosure.
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the assumed mechanism for acceleration of combustion of the organic material 4 by the glass powder 3.
Figure 3 is a graph (Ellingham diagram) showing the relationship between the standard free energy of formation of oxides of Cu, Ni, Co, and C and temperature.
FIG. 4 is a cross-sectional view of a multilayer ceramic capacitor 100, which is an embodiment of a multilayer electronic component according to the present disclosure.
FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining the microstructure of the first lower electrode 14a 1 of the first external electrode 14a of the multilayer ceramic capacitor 100.

본 개시의 특징으로 하는 바를, 도면을 참조하면서 설명한다. 한편, 이하에 나타내는 적층형 전자부품의 실시형태에서는 동일하거나 공통되는 부분에 대해 도면 중 동일한 부호를 붙이고, 그 설명은 반복하지 않는 경우가 있다. The features of the present disclosure will be described with reference to the drawings. Meanwhile, in the embodiments of the multilayer electronic component shown below, identical or common parts are given the same reference numerals in the drawings, and their descriptions may not be repeated.

-도전성 페이스트의 실시형태- -Embodiment of conductive paste-

본 개시에 따른 도전성 페이스트의 실시형태를 나타내는 도전성 페이스트(1)에 대해 도 1 내지 도 3을 이용하여 설명한다. A conductive paste 1 showing an embodiment of the conductive paste according to the present disclosure will be described using FIGS. 1 to 3.

<도전성 페이스트의 구성> <Composition of conductive paste>

도 1은 도전성 페이스트(1)의 모식도이다. 도전성 페이스트(1)는 도전성 분말(2)과 유리 분말(3)과 유기 재료(4)를 포함한다. 1 is a schematic diagram of the conductive paste 1. The conductive paste (1) includes conductive powder (2), glass powder (3), and organic material (4).

도전성 분말(2)은 Cu 및 Ni 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함한다. 즉, 도전성 분말(2)은 Cu 또는 Ni의 금속 단체(單體)뿐만 아니라, Cu합금 또는 Ni합금을 포함하고 있어도 된다. The conductive powder 2 contains at least one type of element selected from Cu and Ni. That is, the conductive powder 2 may contain not only the metal elements of Cu or Ni, but also Cu alloy or Ni alloy.

또한, 도전성 분말(2)의 적어도 일부의 표면은 Ag, Sn 및 Al 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 금속층에 의해 피복되어 있어도 된다. 상기 금속 원소는 Cu 및 Ni보다 융점이 낮다. 그 때문에, 상기 구조를 가지는 도전성 분말(2)은 소결 온도를 저하시킬 수 있다. Additionally, at least a portion of the surface of the conductive powder 2 may be covered with a metal layer containing at least one element selected from Ag, Sn, and Al. The metal element has a lower melting point than Cu and Ni. Therefore, the sintering temperature of the conductive powder 2 having the above structure can be lowered.

더욱이, 도전성 분말(2)의 적어도 일부의 표면은 유기물층에 의해 피복되어 있어도 된다. 이 경우, 예를 들면 유기물층의 존재에 의해 입체 장해 반발 또는 정전 반발 등의 효과가 얻어진다. 그 결과, 도전성 분말(2)이 미립이어도, 도전성 페이스트(1) 중에서의 도전성 분말(2)의 응집을 억제할 수 있다. Furthermore, at least part of the surface of the conductive powder 2 may be covered with an organic material layer. In this case, for example, effects such as steric hindrance repulsion or electrostatic repulsion are obtained due to the presence of the organic layer. As a result, even if the conductive powder 2 is fine, agglomeration of the conductive powder 2 in the conductive paste 1 can be suppressed.

그리고 도전성 분말(2)의 평균 입경은 1㎛ 이하인 것이 바람직하다. 도전성 분말(2)의 평균 입경은 도전성 분말(2)의 주사형 전자현미경(Scanning Electron Microscope: 이후, SEM으로 약칭하는 경우가 있음) 관찰상의 화상 해석으로부터 얻어진 등가원(等價圓) 환산 직경의 메디안 지름으로 했다. 등가원 환산 직경의 메디안 지름이란, 입경에 대한 적산%의 분포 곡선에서 적산%가 50%가 되는 입경(D50)이다. 이 경우, 도전성 분말(2)은 소결 온도를 저하시킬 수 있다. And it is preferable that the average particle diameter of the conductive powder 2 is 1 μm or less. The average particle diameter of the conductive powder (2) is the equivalent circle converted diameter obtained from image analysis of the conductive powder (2) observed under a scanning electron microscope (hereinafter sometimes abbreviated as SEM). It was set to the median diameter. The median diameter of the equivalent circle conversion diameter is the particle size (D 50 ) at which the integrated % is 50% in the distribution curve of the integrated % relative to the particle size. In this case, the conductive powder 2 can lower the sintering temperature.

유리 분말(3)은 본 개시에 따른 유리 분말이다. 이 유리 분말(3)의 특징에 대해서는 후술한다. 한편, 도 1에서는 도전성 분말(2) 및 유리 분말(3)은 모식적으로 구(球)형으로 묘사되어 있는데, 각각의 분말의 형상은 이것만은 아니다. 예를 들면, 도전성 분말(2)은 편평 형상의 도전성 분말을 포함하고 있어도 된다. 유리 분말(3)도 부정 형상의 유리 분말을 포함하고 있어도 된다. The glass powder 3 is a glass powder according to the present disclosure. The characteristics of this glass powder 3 will be described later. Meanwhile, in Figure 1, the conductive powder 2 and the glass powder 3 are schematically depicted as spherical, but this is not the only shape of each powder. For example, the conductive powder 2 may contain flat conductive powder. The glass powder 3 may also contain glass powder of irregular shape.

유기 재료(4)는 수지 및 유기 용제 등을 포함하는 바인더 성분, 그리고 분산제 및 레올로지 컨트롤제 등을 포함하는 첨가제를 포함한다. 이들 성분은 도전성 페이스트의 유기 재료로서 통상 사용되는 재료 중에서 적절히 선택할 수 있다. The organic material 4 includes a binder component including a resin and an organic solvent, and an additive including a dispersant and a rheology control agent. These components can be appropriately selected from materials commonly used as organic materials for conductive pastes.

유리 분말(3)은 붕규산계 유리 조성물을 포함한다. 붕규산계 유리 조성물이란, B산화물 및 Si산화물을 그물코 형성 산화물로서 포함하고, 알칼리금속 원소 산화물 및 알칼리토금속 원소 산화물 등을 수식 산화물로서 포함하는 유리 조성물이다. 그리고 유리 분말(3)에 포함되는 붕규산계 유리 조성물의 연화점은 455℃ 이상 650℃ 이하이다.The glass powder 3 includes a borosilicate-based glass composition. A borosilicate-based glass composition is a glass composition that contains B oxide and Si oxide as network-forming oxides, and alkali metal element oxide and alkaline earth metal element oxide as modified oxides. And the softening point of the borosilicate-based glass composition contained in the glass powder (3) is 455°C or more and 650°C or less.

피측정물의 연화점 측정은 열중량·시차열 분석 장치(Thermogravimeter-Differential Thermal Analyzer: 이후, TG-DTA로 약칭되는 경우가 있음)에 의해 실시된다. 측정 조건은 후술된다. The softening point of the measured object is measured using a thermogravimeter-differential thermal analyzer (hereinafter sometimes abbreviated as TG-DTA). Measurement conditions are described later.

즉, 유리 분말(3)에 포함되는 붕규산계 유리 조성물의 연화점은 종래의 붕규산계 유리 조성물의 연화점보다 낮다. 따라서, 유리 분말(3)을 포함하는 도전성 페이스트(1)의 베이킹에 의해 형성된 하부전극층은 베이킹 온도부터 실온까지 냉각되었을 때, 수축의 정도가 작다. 그 결과, 적층체에 가해지는 응력이 저감되고, 크랙 발생이 억제된다. 그러나 상기한 바와 같이, 베이킹 온도를 저하시키면, 도전성 페이스트 중의 유기 재료가 충분히 연소 혹은 분해되지 않고 잔류하며, 하부전극층의 치밀화를 저해할 우려가 있다. That is, the softening point of the borosilicate-based glass composition contained in the glass powder 3 is lower than the softening point of the conventional borosilicate-based glass composition. Accordingly, the lower electrode layer formed by baking the conductive paste 1 containing the glass powder 3 has a small degree of shrinkage when cooled from the baking temperature to room temperature. As a result, the stress applied to the laminate is reduced and the occurrence of cracks is suppressed. However, as described above, if the baking temperature is lowered, the organic materials in the conductive paste remain without being sufficiently burned or decomposed, and there is a risk of inhibiting densification of the lower electrode layer.

따라서, 본 개시에 따른 도전성 페이스트(1)에서는 유리 분말(3)에 의해 도전성 페이스트(1) 중의 유기 재료(4)를 충분히 연소시키도록 하고 있다. 구체적으로는 유리 분말(3)과 C 분말의 혼합물의 승온 가열 시에 발생하는 가스의 질량분석에 의해 얻어지는 질량 스펙트럼은 470℃ 이상 680℃ 이하에 질량 수 44, 즉 CO2의 가스 발생 피크를 가진다는 특징을 가진다. 바꿔 말하면, 유리 분말(3)은 상기 온도 범위에서 연화 유동하여 유기 재료(4)의 잔사와 접촉함으로써, 유리 유동체의 구성 성분으로부터 O를 공급하고, 유기 재료(4)의 잔사의 연소를 촉진하고 있다. Therefore, in the conductive paste 1 according to the present disclosure, the organic material 4 in the conductive paste 1 is sufficiently burned by the glass powder 3. Specifically, the mass spectrum obtained by mass analysis of the gas generated when the mixture of glass powder (3) and C powder is heated at an elevated temperature has a gas generation peak with a mass number of 44, that is, CO 2 , above 470°C and below 680°C. has characteristics. In other words, the glass powder 3 softens and flows in the above temperature range and comes into contact with the residue of the organic material 4, thereby supplying O from the constituents of the glass fluid and promoting combustion of the residue of the organic material 4. there is.

한편, 유리 조성물의 연화점이란, 유리 조성물의 점도 η(Pa·s)가 logη에서 6.65 이하가 되는 온도이며, 연화점에 가까운 온도라면, 연화점의 온도 이하이어도 유리 조성물은 연화 유동되어 있다. 따라서, 유리 분말(3)에 포함되는 붕규산계 유리 조성물의 연화점이 CO2의 가스 발생 피크 온도보다 높아지는 경우가 있어도 된다. On the other hand, the softening point of the glass composition is the temperature at which the viscosity η (Pa·s) of the glass composition becomes 6.65 or less in log η. If the temperature is close to the softening point, the glass composition softens and flows even if the temperature is below the softening point. Therefore, the softening point of the borosilicate-based glass composition contained in the glass powder 3 may be higher than the gas generation peak temperature of CO 2 .

상기에 대해 도 2를 이용하여 더 설명한다. 도 2는 유리 분말(3)에 의한 유기 재료(4)의 연소의 촉진에 대해, 추정되어 있는 메커니즘을 설명하기 위한 모식도이다. 도 2(A)는 연화점보다 조금 낮은 온도에서 유리 분말(3)과 유기 재료(4)의 잔사에 상당하는 C성분(5)이 혼합되어 있는 상태를 나타낸다. 단, 상기와 같이, 이 단계에서도 유리 분말(3)은 연화 유동을 개시하고 있기 때문에, C성분(5)이 연화 유동되어 가고 있는 유리 분말(3)에 의해 싸여 있는 상태로 되어 있어도 된다. The above will be further explained using FIG. 2. FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the assumed mechanism for acceleration of combustion of the organic material 4 by the glass powder 3. Figure 2(A) shows a state in which glass powder 3 and C component 5, which corresponds to the residue of the organic material 4, are mixed at a temperature slightly lower than the softening point. However, as described above, since the glass powder 3 is starting to soften and flow at this stage as well, the C component 5 may be surrounded by the glass powder 3 that is softening and flowing.

도 2(B)는 연화점보다 조금 높은 온도에서 유리 분말(3)이 연화되어 유리 유동체(3f)가 되고, C성분(5)과 접촉되어 있는 상태를 나타낸다. 한편, 도 2(B)에서는 C성분(5)이 유리 유동체(3f)에 의해 둘러싸인 상태가 도시되어 있는데, C성분(5)과 유리 유동체(3f)가 부분적으로 접촉되어 있는 상태이어도 된다. 이 상태에서, 유리 유동체(3f)의 구성 성분으로부터 O가 공급된다. FIG. 2(B) shows the state in which the glass powder 3 is softened at a temperature slightly higher than the softening point to become the glass fluid 3f and is in contact with the C component 5. On the other hand, in FIG. 2(B), the state in which the C component 5 is surrounded by the glass fluid 3f is shown, but the C component 5 and the glass fluid 3f may be in a state in which they are partially in contact. In this state, O is supplied from the constituents of the glass fluid 3f.

도 2(C)는 도 2(B)에 도시된 상태에서의 온도, 및 그보다 더 높은 온도에서 O를 받은 C성분(5)이 연소되어 유리 유동체(3f) 내에 CO2를 포함하는 가스의 거품(5g)이 생성된 상태를 나타낸다. 단, 이 상태에서는 유리 유동체(3f)의 점도는 가스의 거품(5g)이 터질만큼 저하되어 있지 않고, 가스의 거품(5g)은 유리 유동체(3f) 내에 머물러 있다. FIG. 2(C) shows bubbles of gas containing CO 2 in the glass fluid 3f due to combustion of the C component 5 receiving O at the temperature shown in FIG. 2(B) and at a higher temperature. (5g) indicates the created state. However, in this state, the viscosity of the glass fluid 3f has not decreased to the extent that the gas bubbles 5g burst, and the gas bubbles 5g remain within the glass fluid 3f.

도 2(D)는 도 2(B)에 도시된 상태에서의 온도보다도 더 높은 온도에서 유리 유동체(3f)의 점도가 더 낮아짐으로써, 가스의 거품(5g)이 터져서 유리 유동체(3f)로부터 CO2를 포함하는 가스가 빠진 상태를 나타낸다. 그 결과, 피측정물의 승온 가열 시에 발생하는 가스의 질량분석에서 CO2의 가스 발생 피크가 검출된다. Figure 2(D) shows that the viscosity of the glass fluid 3f is lowered at a temperature higher than the temperature shown in Figure 2(B), so that the gas bubbles 5g burst and CO is released from the glass fluid 3f. It indicates the state in which the gas containing 2 is missing. As a result, the gas generation peak of CO 2 is detected in mass analysis of the gas generated when the object to be measured is heated.

한편, 상술한 바와 같이 상기 메커니즘은 합리적으로 추정된 것이기는 하지만, 그 밖의 요인이 관여되어 있을 가능성도 있다. 즉, 본 개시에서의 도전성 페이스트의 조건은 상기 메커니즘에 의해서만 설명되는 것을 필수로는 하고 있지 않은 것에 유의해야 한다.Meanwhile, as described above, although the above mechanism is a reasonable estimate, there is a possibility that other factors are involved. In other words, it should be noted that the conditions of the conductive paste in the present disclosure are not necessarily explained only by the above mechanism.

피측정물의 승온 가열 시에 발생하는 가스의 질량분석은 열중량·질량분석 장치(Thermogravimetry-Mass Spectrometer: 이후, TG-MS로 약칭하는 경우가 있음)에 의해 실시된다. 측정 조건은 후술된다. Mass analysis of the gas generated when the object to be measured is heated is performed using a thermogravimetry-mass spectrometer (hereinafter sometimes abbreviated as TG-MS). Measurement conditions are described later.

본 개시에 따른 도전성 페이스트(1)는 상기 특징을 가지는 유리 분말(3)을 포함하고 있기 때문에, 낮은 베이킹 온도이어도 도전성 페이스트(1) 중의 유기 재료(4)를 충분히 연소시킬 수 있다. 그 결과, 도전성 분말(2)끼리의 네킹이 유기 재료(4)에 유래하는 잔류 유기 성분에 의해 저해되지 않고, 도전성 분말(2)의 소결이 촉진된다. 그 때문에, 하부전극층의 치밀화가 촉진되고, 적층체와 하부전극층의 접합성 저하가 억제된다. Since the conductive paste 1 according to the present disclosure contains the glass powder 3 having the above characteristics, the organic material 4 in the conductive paste 1 can be sufficiently burned even at a low baking temperature. As a result, necking between the conductive powders 2 is not inhibited by the residual organic component derived from the organic material 4, and sintering of the conductive powders 2 is promoted. Therefore, densification of the lower electrode layer is promoted, and deterioration of bonding between the laminate and the lower electrode layer is suppressed.

유리 분말(3)에 포함되는 붕규산계 유리 조성물은 산소를 제외한 구성 원소 중 수식 산화물이 되는 적어도 1종류의 제1 원소(M1)를 36㏖% 이상 68㏖% 이하 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 본 개시에서의 수식 산화물이란, 유리 조성물 중의 그물코 형성 산화물(Si산화물 및 B산화물) 이외의 산화물을 가리키는 개념이다. 즉, 본 개시에서의 수식 산화물에는 유리 조성물 중에서 이른바 중간 산화물이라고 불리는 Al산화물 등도 포함된다. 이 경우, 붕규산계 유리 조성물의 연화점을 455℃ 이상 650℃ 이하로 용이하게 조정할 수 있다. The borosilicate-based glass composition contained in the glass powder 3 preferably contains 36 mol% to 68 mol% of at least one type of first element (M1) that becomes a modified oxide among the constituent elements excluding oxygen. Here, the modified oxide in the present disclosure is a concept referring to oxides other than network-forming oxides (Si oxide and B oxide) in the glass composition. That is, the modified oxide in the present disclosure also includes Al oxide and the like, which are so-called intermediate oxides in glass compositions. In this case, the softening point of the borosilicate-based glass composition can be easily adjusted to 455°C or more and 650°C or less.

또한, 제1 원소(M1)는 Li, Na 및 K 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우, 붕규산계 유리 조성물의 연화점의 조정을 더 용이하게 실시할 수 있다. Additionally, the first element (M1) preferably contains at least one element selected from Li, Na, and K. In this case, the softening point of the borosilicate-based glass composition can be adjusted more easily.

유리 분말(3)에 포함되는 붕규산계 유리 조성물은 제1 원소(M1) 중 연화점 이상에서의 산화물의 표준 생성 자유에너지(ΔGM°)가 CO2의 표준 생성 자유에너지(ΔGC°)보다 큰 산소 공급 산화물이 되는 적어도 1종류의 제2 원소(M2)를 1.5㏖% 이상 6.5㏖% 이하 포함하는 것이 바람직하다. 한편, 이 비율은 산소를 제외한 구성 원소에 대한 것이다. The borosilicate-based glass composition contained in the glass powder (3) has a standard free energy of formation (ΔG M °) of the oxide above the softening point of the first element (M1) greater than the standard free energy of formation (ΔG C °) of CO 2 It is preferable to contain 1.5 mol% or more and 6.5 mol% or less of at least one type of second element (M2) that becomes an oxygen supply oxide. Meanwhile, this ratio is for constituent elements excluding oxygen.

즉, 상술한 유리 분말(3)이 연화되어 유리 유동체(3f)가 되고, C성분(5)과 접촉되어 있는 상태(도 2(B) 참조)에서 유리 유동체(3f) 내의 제2 원소(M2)로부터 O가 공급된다. 이 경우, 유리 분말(3)과 C 분말의 혼합물의 TG-MS에 의한 질량 스펙트럼에서 470℃ 이상 680℃ 이하에 CO2의 가스 발생 피크를 용이하게 발생시킬 수 있다.That is, the above-described glass powder 3 is softened to become the glass fluid 3f, and in a state in contact with the C component 5 (see FIG. 2(B)), the second element (M2) in the glass fluid 3f ) O is supplied from. In this case, the gas generation peak of CO 2 can be easily generated at 470°C or more and 680°C or less in the mass spectrum by TG-MS of the mixture of glass powder (3) and C powder.

상기에 대해 도 3을 이용하여 더 설명한다. 도 3은 Cu, Ni, Co 및 C의 산화물의 표준 생성 자유에너지와 온도의 관계를 나타내는 그래프, 이른바 엘링감도이다. 산화물의 표준 생성 자유에너지(ΔG°)와 온도의 관계를 나타내는 선보다 하측의 영역에서는 원소 단체가 안정적이고, 상측의 영역에서는 산화물이 안정적이다. The above will be further explained using FIG. 3. Figure 3 is a graph showing the relationship between the standard free energy of formation of oxides of Cu, Ni, Co and C and temperature, the so-called Elling sensitivity. In the area below the line showing the relationship between the standard free energy of formation (ΔG°) of the oxide and temperature, the element alone is stable, and in the area above it, the oxide is stable.

즉, 엘링감도는 다양한 원소의 산화물의 안정성을 평형산소분압과 관련시켜 나타내는 것이다. 엘링감도로부터, 소정의 원소의 산화물을 환원하기 위해서는 어떠한 환원제를 어느 정도의 온도에서 작용시키면 되는지, 그리고 소정의 산소 분압하에서 금속이 산화되는지 여부에 대해 알 수 있다. In other words, Eling sensitivity expresses the stability of oxides of various elements in relation to the equilibrium oxygen partial pressure. From the Elling sensitivity, it is possible to know which reducing agent should be used at what temperature to reduce the oxide of a certain element, and whether the metal is oxidized under a certain oxygen partial pressure.

도 3에 도시되어 있는 C의 산화에 관계되는 선(실선)과, Cu의 산화에 관한 선(파선)을 보면, 유리 분말(3)의 연화점 이상, 즉 455℃ 이상이고 C의 산화에 관계되는 선이 Cu의 산화에 관계되는 선보다 하측의 영역에 위치하고 있다. 따라서, Cu의 산화에 관계되는 선과 C의 산화에 관계되는 선 사이의 영역에서는, Cu는 Cu 단체가 안정적이고, C는 CO2가 안정적이 된다. 즉, 제1 원소(M1) 중에 제2 원소(M2)로서 Cu가 포함되어 있는 경우, 붕규산계 유리 조성물의 Cu산화물은 상기 영역 내의 온도 및 산소 분압하에서 환원되고, C를 연소시키는데에 필요한 산소를 공급할 수 있다. Looking at the line related to the oxidation of C (solid line) and the line related to the oxidation of Cu (broken line) shown in FIG. 3, it is above the softening point of the glass powder 3, that is, 455°C or higher, and the line related to the oxidation of C is The line is located in an area below the line related to Cu oxidation. Therefore, in the region between the line related to the oxidation of Cu and the line related to the oxidation of C, Cu alone is stable, and C is stable as CO 2 . That is, when Cu is included as the second element (M2) in the first element (M1), the Cu oxide of the borosilicate-based glass composition is reduced under the temperature and oxygen partial pressure in the above region, and the oxygen necessary to burn C is released. can be supplied.

도 3에는 Co의 산화에 관한 선(일점쇄선) 및 Ni의 산화에 관한 선(2점쇄선)도 함께 도시되어 있다. 이들도 상기와 마찬가지로, 유리 분말(3)의 연화점 이상이고 C의 산화에 관계되는 선이 Co의 산화에 관계되는 선 및 Ni의 산화에 관계되는 선보다 하측의 영역에 위치하고 있다. 따라서, 붕규산계 유리 조성물의 수식 산화물로 되어 있는 제1 원소(M1) 중에 제2 원소(M2)로서 Co 및 Ni가 포함되어 있는 경우도, 동일한 작용을 발휘할 수 있다. Figure 3 also shows a line relating to the oxidation of Co (dash-dotted line) and a line relating to the oxidation of Ni (dash-dotted line). As above, these are also above the softening point of the glass powder 3, and the line related to the oxidation of C is located in a lower region than the line related to the oxidation of Co and the line related to the oxidation of Ni. Therefore, even when Co and Ni are included as second elements (M2) among the first elements (M1) that are the modified oxides of the borosilicate-based glass composition, the same effect can be exerted.

즉, 제1 원소(M1) 중에 제2 원소(M2)가 포함되어 있는 경우, 도전성 페이스트(1)의 베이킹 온도가 낮아도, 도전성 페이스트(1) 중의 유기 재료(4)를 효과적으로 연소시킬 수 있다. 바꿔 말하면, 상기의 경우, 유리 분말(3)과 C 분말의 혼합물의 TG-MS에 의한 질량 스펙트럼에서 470℃ 이상 680℃ 이하로 CO2의 가스 발생 피크를 용이하게 발생시킬 수 있다. That is, when the second element (M2) is contained in the first element (M1), the organic material 4 in the conductive paste 1 can be burned effectively even if the baking temperature of the conductive paste 1 is low. In other words, in the above case, the gas generation peak of CO 2 can be easily generated at 470°C or more and 680°C or less in the mass spectrum by TG-MS of the mixture of glass powder (3) and C powder.

예를 들면, 도전성 분말(2)의 적어도 일부의 표면이 유기물층에 의해 피복되어 있는 경우, 베이킹 전 도전성 페이스트(1)는 도전성 분말(2)이 유기물층에 의해 피복되어 있지 않은 경우에 비해, 보다 많은 유기 재료를 포함하는 것이 된다. 즉, 도전성 페이스트 중의 유기 재료가 충분히 연소 혹은 분해되지 않고 잔류하며, 하부전극층의 치밀화를 저해하기 쉬워진다. For example, when at least a portion of the surface of the conductive powder 2 is covered with an organic material layer, the conductive paste 1 before baking has more moisture content than when the conductive powder 2 is not covered with an organic material layer. It contains organic materials. That is, the organic material in the conductive paste remains without being sufficiently burned or decomposed, and tends to inhibit densification of the lower electrode layer.

그러나 상기와 같이 제1 원소(M1) 중에 제2 원소(M2)가 포함되어 있는 경우, 도전성 페이스트(1)의 베이킹 온도가 낮아도, 도전성 페이스트(1) 중의 유기 재료(4)를 효과적으로 연소시킬 수 있다. 이 효과는 도전성 페이스트(1)의 베이킹 중에 CO2가 빠지기 어려운 도전성 분말(2)의 평균 입경이 1㎛ 이하인 경우 등에 특히 현저해진다. However, when the second element (M2) is included in the first element (M1) as described above, even if the baking temperature of the conductive paste (1) is low, the organic material (4) in the conductive paste (1) can be effectively burned. there is. This effect becomes particularly noticeable when the average particle diameter of the conductive powder 2, from which CO 2 is difficult to escape, is 1 μm or less during baking of the conductive paste 1.

제2 원소(M2)는 상기에서 나타내진 Cu, Co 및 Ni에 한정되지 않는다. 한편, 제2 원소(M2)가 Cu, Co 및 Ni 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소인 경우, 붕규산계 유리 조성물의 연화점의 조정을 더 용이하게 실시할 수 있다. The second element (M2) is not limited to Cu, Co, and Ni shown above. On the other hand, when the second element (M2) is at least one element selected from Cu, Co, and Ni, the softening point of the borosilicate-based glass composition can be adjusted more easily.

-적층형 전자부품의 실시형태- -Embodiment of multilayer electronic components-

본 개시에 따른 적층형 전자부품의 실시형태를 나타내는 적층 세라믹 콘덴서(100)에 대해 도 4 및 도 5를 이용하여 설명한다. A multilayer ceramic capacitor 100, which represents an embodiment of a multilayer electronic component according to the present disclosure, will be described using FIGS. 4 and 5.

도 4는 적층 세라믹 콘덴서(100)의 단면도이다. 적층 세라믹 콘덴서(100)는 적층체(10)를 포함하고 있다. 적층체(10)는 적층된 복수개의 유전체층(11)과 복수개의 내부전극층(12)을 포함한다. 복수개의 유전체층(11)은 외층부와 내층부를 가진다. 외층부는 적층체(10)의 제1 주면(主面)과 제1 주면에 가장 가까운 내부전극층(12) 사이, 및 제2 주면과 제2 주면에 가장 가까운 내부전극층(12) 사이에 배치되어 있다. 내층부는 그들 2개의 바깥층부에 끼인 영역에 배치되어 있다. Figure 4 is a cross-sectional view of the multilayer ceramic condenser 100. The multilayer ceramic condenser 100 includes a multilayer body 10. The laminate 10 includes a plurality of stacked dielectric layers 11 and a plurality of internal electrode layers 12. The plurality of dielectric layers 11 have an outer layer portion and an inner layer portion. The outer layer is disposed between the first main surface of the laminate 10 and the internal electrode layer 12 closest to the first main surface, and between the second main surface and the internal electrode layer 12 closest to the second main surface. . The inner layer portion is arranged in a region sandwiched between the two outer layer portions.

복수개의 내부전극층(12)은 제1 내부전극층(12a)과 제2 내부전극층(12b)을 가진다. 적층체(10)는 적층방향으로 마주 보는 제1 주면 및 제2 주면과, 적층방향에 직교하는 폭방향으로 마주 보는 제1 측면 및 제2 측면과, 적층방향 및 폭방향에 직교하는 길이방향으로 마주 보는 제1 단면(端面)(13a) 및 제2 단면(13b)을 가진다. The plurality of internal electrode layers 12 includes a first internal electrode layer 12a and a second internal electrode layer 12b. The laminate 10 has a first main surface and a second main surface facing in the stacking direction, a first side and a second side facing in a width direction perpendicular to the stacking direction, and a longitudinal direction perpendicular to the stacking direction and width direction. It has a first end face (13a) and a second end face (13b) facing each other.

유전체층(11)은 예를 들면 BaTiO3계 페로브스카이트형 화합물을 포함하는 복수개의 결정립을 가진다. 상기 유전체 재료로는 예를 들면 BaTiO3계 페로브스카이트형 화합물의 결정 격자 중의 Ba2+의 일부가 희토류 원소의 이온인 Re3+에 의해 치환된 것을 들 수 있다. 또한, BaTiO3계 페로브스카이트형 화합물로는 BaTiO3, 그리고 BaTiO3의 Ba2+ 및 Ti4+ 중 적어도 한쪽이 Ca2+ 및 Zr4+ 등의 다른 이온에 의해 치환된 것 등을 들 수 있다. The dielectric layer 11 has a plurality of crystal grains containing, for example, a BaTiO 3 -based perovskite type compound. Examples of the dielectric material include those in which a portion of Ba 2+ in the crystal lattice of a BaTiO 3 -based perovskite-type compound is replaced by Re 3+ , which is an ion of a rare earth element. In addition, BaTiO 3 -based perovskite-type compounds include BaTiO 3 and those in which at least one of Ba 2+ and Ti 4+ of BaTiO 3 is replaced by other ions such as Ca 2+ and Zr 4+. there is.

제1 내부전극층(12a)은 유전체층(11)을 개재하여 제2 내부전극층(12b)과 서로 대향하고 있는 대향 전극부와, 대향 전극부로부터 적층체(10)의 제1 단면(13a)까지의 인출 전극부를 포함하고 있다. 제2 내부전극층(12b)은 유전체층(11)을 개재하여 제1 내부전극층(12a)과 서로 대향하고 있는 대향 전극부와, 대향 전극부로부터 적층체(10)의 제2 단면(13b)까지의 인출 전극부를 포함하고 있다. The first internal electrode layer 12a has a counter electrode portion facing the second internal electrode layer 12b via the dielectric layer 11, and a portion from the counter electrode portion to the first end surface 13a of the laminate 10. It includes a lead-out electrode portion. The second internal electrode layer 12b includes a counter electrode portion facing the first internal electrode layer 12a with the dielectric layer 11 interposed therebetween, and a portion from the counter electrode portion to the second end surface 13b of the laminate 10. It includes a lead-out electrode portion.

제1 내부전극층(12a)과 제2 내부전극층(12b)이 유전체층(11)을 개재하여 서로 대향함으로써 하나의 콘덴서가 형성된다. 적층 세라믹 콘덴서(100)는 복수개의 콘덴서가 후술할 제1 외부전극(14a) 및 제2 외부전극(14b)을 통해 병렬 접속된 것이라고 할 수 있다. One condenser is formed by opposing each other with the first internal electrode layer 12a and the second internal electrode layer 12b interposed between the dielectric layers 11. The multilayer ceramic capacitor 100 can be said to have a plurality of capacitors connected in parallel through first external electrodes 14a and second external electrodes 14b, which will be described later.

내부전극층(12)을 구성하는 도전성 재료로는 Ni, Cu, Ag 및 Pd 등에서 선택되는 적어도 1종의 금속 또는 상기 금속을 포함하는 합금을 사용할 수 있다. 내부전극층(12)은 후술하는 바와 같이 공재(共材)(도시하지 않음)라고 불리는 유전체 입자를 추가로 포함하고 있어도 된다. 공재는 내부전극층(12)의 형성에 사용되는 내부전극층용 페이스트에 첨가되어 있는 것이며, 적층체(10)의 소성 시에 유전체층(11) 측에 배출되는데, 그 일부가 내부전극층(12)에 잔류하는 경우가 있다. 공재는 적층체(10)의 소성 시에 내부전극층(12)의 소결 수축 특성을 유전체층(11)의 소결 수축 특성에 가깝게 하기 위해 첨가되는 것이다. As the conductive material constituting the internal electrode layer 12, at least one metal selected from Ni, Cu, Ag, and Pd, or an alloy containing the metal may be used. The internal electrode layer 12 may further include dielectric particles called co-materials (not shown), as will be described later. The co-material is added to the internal electrode layer paste used to form the internal electrode layer 12, and is discharged to the dielectric layer 11 side during firing of the laminate 10, and a portion of it remains in the internal electrode layer 12. There are cases where it happens. The co-material is added to make the sintering shrinkage characteristics of the internal electrode layer 12 closer to the sintering shrinkage characteristics of the dielectric layer 11 when the laminate 10 is fired.

적층 세라믹 콘덴서(100)는 제1 외부전극(14a)과 제2 외부전극(14b)을 추가로 포함하고 있다. 제1 외부전극(14a)은 제1 내부전극층(12a)과 전기적으로 접속되도록 적층체(10)의 제1 단면(13a)에 형성되고, 제1 단면(13a)으로부터 제1 주면 및 제2 주면 그리고 제1 측면 및 제2 측면으로 연장되어 있다. 제2 외부전극(14b)은 제2 내부전극층(12b)과 전기적으로 접속되도록 적층체(10)의 제2 단면(13b)에 형성되고, 제2 단면(13b)으로부터 제1 주면 및 제2 주면 그리고 제1 측면 및 제2 측면으로 연장되어 있다. The multilayer ceramic capacitor 100 further includes a first external electrode 14a and a second external electrode 14b. The first external electrode 14a is formed on the first end surface 13a of the laminate 10 to be electrically connected to the first internal electrode layer 12a, and extends from the first end surface 13a to the first main surface and the second main surface. And it extends to the first side and the second side. The second external electrode 14b is formed on the second end surface 13b of the laminate 10 to be electrically connected to the second internal electrode layer 12b, and extends from the second end surface 13b to the first and second main surfaces. And it extends to the first side and the second side.

제1 외부전극(14a)은 제1 하부전극층(14a1)과 제1 하부전극층(14a1) 상에 배치된 제1 도금층(14a2)을 가진다. 제1 하부전극층(14a1)은 본 개시에 따른 도전성 페이스트(1)의 베이킹에 의해 형성된 소결체층(후술)을 가진다. 마찬가지로, 제2 외부전극(14b)은 제2 하부전극층(14b1)과 제2 하부전극층(14b1) 상에 배치된 제2 도금층(14b2)을 가진다. 제2 하부전극층(14b1)도 본 개시에 따른 도전성 페이스트(1)의 베이킹에 의해 형성된 소결체층(후술)을 가진다. The first external electrode 14a has a first lower electrode layer 14a 1 and a first plating layer 14a 2 disposed on the first lower electrode layer 14a 1 . The first lower electrode layer 14a 1 has a sintered body layer (described later) formed by baking the conductive paste 1 according to the present disclosure. Likewise, the second external electrode 14b has a second lower electrode layer 14b 1 and a second plating layer 14b 2 disposed on the second lower electrode layer 14b 1 . The second lower electrode layer 14b 1 also has a sintered body layer (described later) formed by baking the conductive paste 1 according to the present disclosure.

도 5는 제1 하부전극층(14a1)의 미세 구조를 설명하기 위한 단면도이다. 제2 하부전극층(14b1)은 제1 하부전극층(14a1)과 동일한 구조를 가지고 있기 때문에, 이후의 설명을 생략한다. 제1 하부전극층(14a1)이 가지는 소결체층은 도전체 영역(15a1)과 유리 영역(16a1)을 포함한다. 도전체 영역(15a1)은 도전성 페이스트(1)가 포함하는 도전성 분말(2)이 소결된 금속 소결체를 포함하고 있다. 유리 영역(16a1)은 유리 분말(3)에 유래하는 유리 성분을 포함하고 있다. 한편, 소결체층은 다른 성분으로 복수층 형성되어 있어도 된다. FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining the microstructure of the first lower electrode layer 14a 1 . Since the second lower electrode layer 14b 1 has the same structure as the first lower electrode layer 14a 1 , subsequent description is omitted. The sintered body layer of the first lower electrode layer 14a 1 includes a conductor region 15a 1 and a glass region 16a 1 . The conductor region 15a 1 contains a metal sintered body in which the conductive powder 2 included in the conductive paste 1 is sintered. The glass region 16a 1 contains glass components derived from the glass powder 3 . On the other hand, the sintered body layer may be formed in multiple layers of different components.

제1 하부전극층(14a1) 상에 배치된 제1 도금층(14a2)을 구성하는 금속으로는 Ni, Cu, Ag, Au 및 Sn 등에서 선택되는 적어도 1종 또는 상기 금속을 포함하는 합금을 사용할 수 있다. 상기 도금층은 다른 성분으로 복수층 형성되어 있어도 된다. 바람직하게는 Ni도금층 및 Sn도금층의 2층이다. As the metal constituting the first plating layer 14a 2 disposed on the first lower electrode layer 14a 1 , at least one selected from Ni, Cu, Ag, Au, and Sn, or an alloy containing the above metals can be used. there is. The plating layer may be formed in multiple layers from different components. Preferably, it is two layers: a Ni plating layer and a Sn plating layer.

Ni도금층은 하부전극층 상에 배치되고, 적층형 전자부품을 실장할 때에, 하부전극층이 솔더에 의해 침식되는 것을 방지할 수 있다. Sn도금층은 Ni도금층 상에 배치된다. Sn도금층은 Sn을 포함하는 솔더와의 젖음성이 좋기 때문에, 적층형 전자부품을 실장할 때에 실장성을 향상시킬 수 있다. 한편, 이 도금층은 필수는 아니다. The Ni plating layer is disposed on the lower electrode layer and can prevent the lower electrode layer from being eroded by solder when mounting a multilayer electronic component. The Sn plating layer is disposed on the Ni plating layer. Since the Sn plating layer has good wettability with solder containing Sn, mountability can be improved when mounting multilayer electronic components. Meanwhile, this plating layer is not essential.

본 개시에 따른 적층 세라믹 콘덴서(100)는 도전성 페이스트(1)의 베이킹에 의해 형성된, 치밀화가 촉진되고 적층체와의 접합성의 저하가 억제된 하부전극층을 포함하는 외부전극을 포함할 수 있다. The multilayer ceramic capacitor 100 according to the present disclosure may include an external electrode including a lower electrode layer formed by baking the conductive paste 1, where densification is promoted and deterioration of adhesion to the laminate is suppressed.

-실험예- -Experimental example-

본 개시에 따른 도전성 페이스트는 이하의 실험예에 기초하여 보다 구체적으로 설명된다. 이들 실험예는 본 개시에 따른 도전성 페이스트의 조건, 또는 보다 바람직한 조건을 규정하는 근거를 주기 위한 것이기도 한다. 실험예에서는 시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말이 제작되고, TG-DTA에 의한 연화점 평가, 및 TG-MS에 의한 유리 분말과 C 분말의 혼합물에서의 CO2 가스의 발생 거동 평가가 실시되었다. The conductive paste according to the present disclosure is explained in more detail based on the following experimental examples. These experimental examples are also intended to provide a basis for defining the conditions, or more preferable conditions, of the conductive paste according to the present disclosure. In the experimental example, glass powders from Sample No. 1 to Sample No. 20 were produced, and evaluation of softening point by TG-DTA and evaluation of the generation behavior of CO 2 gas from a mixture of glass powder and C powder were conducted by TG-MS. .

또한, 시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말과 평균 입경 0.5㎛의 Cu 분말과 유기 재료를 사용하여 도전성 페이스트가 제작되고, 그들을 사용하여 외부전극의 하부전극층이 형성된, 도 4에 나타내는 바와 같은 적층 세라믹 콘덴서가 제작되었다. 한편, 적층 세라믹 콘덴서의 적층체에서의 유전체층은 BaTiO3계 페로브스카이트형 화합물을 포함하는 유전체 재료에 의해 형성되어 있고, 내부전극층은 Ni에 의해 형성되어 있다. 이들 적층 세라믹 콘덴서를 이용하여 외부전극의 하부전극층과 적층체의 접합성 평가 및 하부전극층의 치밀성 평가가 실시되었다. In addition, a conductive paste was produced using glass powder of Sample No. 1 to Sample No. 20, Cu powder with an average particle diameter of 0.5 μm, and an organic material, and the lower electrode layer of the external electrode was formed using them, as shown in FIG. 4. A ceramic condenser was manufactured. On the other hand, the dielectric layer in the multilayer ceramic capacitor laminate is formed of a dielectric material containing a BaTiO 3 -based perovskite type compound, and the internal electrode layer is formed of Ni. Using these multilayer ceramic capacitors, the adhesion between the lower electrode layer of the external electrode and the laminate and the density of the lower electrode layer were evaluated.

TG-DTA에 의한 시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말의 연화점 평가는 표 1에 나타내진 조건에 의해 실시되었다. The softening point evaluation of the glass powder of Sample No. 1 to Sample No. 20 by TG-DTA was conducted under the conditions shown in Table 1.

TG-MS에 의한 시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말과 C 분말의 혼합물에서의 CO2 가스의 발생 거동 평가는 표 2에 나타내진 조건에 의해 실시되었다. Evaluation of the generation behavior of CO 2 gas in the mixture of glass powder and C powder of Sample No. 1 to Sample No. 20 by TG-MS was conducted under the conditions shown in Table 2.

시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말을 포함하는 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 외부전극의 하부전극층이 형성된 적층 세라믹 콘덴서에서의 하부전극층과 적층체의 접합성 평가는 표 3에 나타내진 조건에 의해 실시되었다. The evaluation of the bonding properties of the lower electrode layer and the laminate in the multilayer ceramic capacitor in which the lower electrode layer of the external electrode was formed by baking the conductive paste containing the glass powder of Sample No. 1 to Sample No. 20 was conducted under the conditions shown in Table 3. .

시료 번호 1부터 시료 번호 20의 유리 분말을 포함하는 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 외부전극의 하부전극층이 형성된 적층 세라믹 콘덴서에서의 하부전극층의 치밀성 평가는 표 4에 나타내진 조건에 의해 실시되었다. Evaluation of the density of the lower electrode layer in the multilayer ceramic capacitor in which the lower electrode layer of the external electrode was formed by baking the conductive paste containing the glass powder of Sample No. 1 to Sample No. 20 was conducted under the conditions shown in Table 4.

이상과 같이 하여 실시된 연화점 평가 결과, CO2 가스의 발생 거동 평가 결과, 하부전극층과 적층체의 접합성 평가 결과 및 하부전극층의 치밀성 평가 결과는 표 5에 정리되어 나타내져 있다. The results of the softening point evaluation conducted as described above, the evaluation results of the generation behavior of CO 2 gas, the evaluation results of the adhesion between the lower electrode layer and the laminate, and the denseness evaluation results of the lower electrode layer are summarized in Table 5.

표 5에서 시료 번호에 *를 붙인 것은 본 개시에 따른 도전성 페이스트를 규정하는 조건으로부터 벗어난 시료이다. In Table 5, sample numbers marked with * are samples that deviate from the conditions defining the conductive paste according to the present disclosure.

상술한 바와 같이, 예를 들면 시료 번호 2의 붕규산계 유리 조성물에서는 B산화물 및 Si산화물이 그물코 형성 산화물이며, Ba, Ca, Al, Mn, Cu 및 Ti의 각 산화물이 수식 산화물로 간주된다. 즉, 제1 원소(M1)의 비율은 O를 제외한 상기 붕규산계 유리 조성물의 구성 원소 중 Ba, Ca, Al, Mn, Cu 및 Ti의 각 원소의 총계 비율이 몰%로 나타내진 것이다. 표 5에 나타내지는 바와 같이, 본 개시에 따른 도전성 페이스트를 규정하는 조건을 충족하는 각 시료에서는 하부전극층과 적층체의 접합성 및 하부전극층의 치밀성이 양호한 것이 확인되었다. As described above, for example, in the borosilicate-based glass composition of Sample No. 2, B oxide and Si oxide are network-forming oxides, and each oxide of Ba, Ca, Al, Mn, Cu, and Ti is regarded as a modified oxide. That is, the ratio of the first element (M1) is expressed in mol% as the total ratio of each element of Ba, Ca, Al, Mn, Cu, and Ti among the constituent elements of the borosilicate glass composition excluding O. As shown in Table 5, it was confirmed that each sample that met the conditions defining the conductive paste according to the present disclosure had good adhesion between the lower electrode layer and the laminate and good density of the lower electrode layer.

본 명세서에 개시된 실시형태는 예시적인 것이며, 본 개시에 따른 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 개시에 따른 발명의 범위는 특허청구범위에 의해 나타내지고, 특허청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다. 또한, 상기 범위 내에서 다양한 응용, 변형을 가할 수 있다. The embodiments disclosed in this specification are illustrative, and the invention according to the present disclosure is not limited to the above embodiments. That is, the scope of the invention according to the present disclosure is indicated by the claims, and it is intended that all changes within the meaning and scope equivalent to the claims are included. Additionally, various applications and modifications can be made within the above range.

예를 들면, 적층체를 구성하는 유전체층 및 내부전극층의 층 수, 유전체층 및 내부전극층의 재질 등에 관해, 본 발명의 범위 내에서 다양한 응용, 변형을 가할 수 있다. 또한, 적층형 전자부품으로서 적층 세라믹 콘덴서를 예시했는데, 본 개시에 따른 발명은 그에 한정되지 않고, 다층 기판의 내부에 형성된 콘덴서 요소 등에도 적용할 수 있다.For example, various applications and modifications can be made within the scope of the present invention regarding the number of dielectric layers and internal electrode layers constituting the laminate, the materials of the dielectric layers and internal electrode layers, etc. In addition, a multilayer ceramic capacitor is exemplified as a multilayer electronic component, but the invention according to the present disclosure is not limited thereto and can also be applied to condenser elements formed inside a multilayer substrate.

더욱이, 외부전극의 수 및 위치는 본 명세서에 개시된 실시형태에 한정되지 않는다. 즉, 외부전극은 적층체의 외표면 상의 서로 다른 위치에 복수개 형성되면서, 내부전극층에 전기적으로 접속되는 것이면 된다. Moreover, the number and location of external electrodes are not limited to the embodiments disclosed herein. That is, a plurality of external electrodes may be formed at different positions on the outer surface of the laminate and electrically connected to the internal electrode layer.

1: 도전성 페이스트
2: 도전성 분말
3: 유리 분말
3f: 유리 유동체
4: 유기 재료
5: C성분
5g: 가스의 거품
100: 적층 세라믹 콘덴서
10: 적층체
11: 유전체층
12: 내부전극층
13a: 제1 단면
13b: 제2 단면
14a: 제1 외부전극
14a1: 제1 하부전극층
14a2: 제1 도금층
14b: 제2 외부전극
14b1: 제2 하부전극층
14b2: 제2 도금층
15a1: 도전성 영역
16a1: 유리 영역
M1: 제1 원소
M2: 제2 원소
ΔG°: 산화물의 표준 생성 자유에너지
ΔGM°: 제2 원소의 산화물의 표준 생성 자유에너지
ΔGC°: CO2의 표준 생성 자유에너지
1: Conductive paste
2: Conductive powder
3: Glass powder
3f: glassy fluid
4: Organic materials
5: C component
5g: bubbles of gas
100: Multilayer ceramic condenser
10: Laminate
11: dielectric layer
12: Internal electrode layer
13a: first cross section
13b: second cross section
14a: first external electrode
14a 1 : first lower electrode layer
14a 2 : first plating layer
14b: second external electrode
14b 1 : second lower electrode layer
14b 2 : second plating layer
15a 1 : conductive area
16a 1 : glass area
M1: first element
M2: second element
ΔG°: standard free energy of formation of oxide
ΔG M °: standard free energy of formation of oxides of secondary elements
ΔG C °: Standard free energy of formation of CO2

Claims (7)

Cu 및 Ni 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 도전성 분말과, 유리 분말과, 유기 재료를 포함하고,
상기 유리 분말은 연화점이 455℃이상 650℃이하인 붕규산계 유리 조성물을 포함하면서, 상기 유리 분말과 C 분말의 혼합물의 승온(昇溫) 가열 시에 발생하는 가스의 질량 분석에 의해 얻어지는 질량 스펙트럼(mass spectrum)은 470℃이상 680℃이하에 질량 수 44의 가스 발생 피크를 가지며,
상기 붕규산계 유리 조성물은 산소를 제외한 구성 원소 중 수식 산화물이 되는 적어도 1종류의 제1 원소를 36㏖% 이상 68㏖% 이하 포함하고,
상기 제1 원소는 Li, Na 및 K 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하며,
상기 붕규산계 유리 조성물은 상기 제1 원소 중 연화점 이상에서의 산화물의 표준 생성 자유에너지가 CO2의 표준 생성 자유에너지보다 큰 산소 공급 산화물이 되는 적어도 1종류의 제2 원소를 1.5㏖% 이상 6.5㏖% 이하 포함하고,
상기 제2 원소는 Ni를 포함하는, 도전성 페이스트.
Containing a conductive powder containing at least one element selected from Cu and Ni, a glass powder, and an organic material,
The glass powder includes a borosilicate-based glass composition with a softening point of 455°C or more and 650°C or less, and a mass spectrum obtained by mass analysis of the gas generated when the mixture of the glass powder and C powder is heated to an elevated temperature. ) has a gas generation peak with a mass number of 44 above 470℃ and below 680℃,
The borosilicate-based glass composition contains 36 mol% to 68 mol% of at least one type of first element that becomes a modified oxide among the constituent elements excluding oxygen,
The first element includes at least one element selected from Li, Na, and K,
The borosilicate-based glass composition contains at least 1.5 mol% or more of 6.5 mol% of at least one type of second element that becomes an oxygen-supplying oxide whose standard free energy of formation of the oxide above the softening point of the first element is greater than the standard free energy of formation of CO 2 Contains % or less,
A conductive paste wherein the second element contains Ni.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 도전성 분말의 적어도 일부의 표면이 Ag, Sn 및 Al 중에서 선택되는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 금속층에 의해 피복되는, 도전성 페이스트.
According to paragraph 1,
A conductive paste wherein at least a portion of the surface of the conductive powder is covered with a metal layer containing at least one element selected from Ag, Sn, and Al.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 도전성 분말의 평균 입경이 1㎛ 이하인, 도전성 페이스트.
According to paragraph 1,
A conductive paste wherein the average particle diameter of the conductive powder is 1 μm or less.
적층된 복수개의 유전체층과 복수개의 내부전극층을 포함하는 적층체와, 상기 적층체의 외표면 상의 서로 다른 위치에 형성되면서 상기 내부전극층에 전기적으로 접속되는 복수개의 외부전극을 포함하고,
상기 외부전극은 제1항에 기재된 도전성 페이스트의 베이킹에 의해 형성된 하부전극층을 포함하는, 적층형 전자부품.
A laminate including a plurality of dielectric layers and a plurality of internal electrode layers, and a plurality of external electrodes formed at different positions on the outer surface of the laminate and electrically connected to the internal electrode layer,
The external electrode is a multilayer electronic component including a lower electrode layer formed by baking the conductive paste according to claim 1.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002163928A (en) * 2000-09-14 2002-06-07 Shoei Chem Ind Co Glass composite and thick film paste using this
US20170218512A1 (en) * 2016-02-02 2017-08-03 National Cheng Kung University Method of Fabricating High-Conductivity Thick-film Copper Paste Coated with Nano-Silver for Being Sintered in the Air

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4172919A (en) * 1977-04-22 1979-10-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Copper conductor compositions containing copper oxide and Bi2 O3
FR2508054A1 (en) * 1981-06-19 1982-12-24 Labo Electronique Physique DEPARTURE MIXTURE FOR A SERIGRAPIABLE INK CONTAINING NON-OXIDIZING ATMOSPHERE-CONTAINING LEAD GLASS AND SERIGRAPIABLE INK OBTAINED
JPS60221358A (en) * 1984-04-13 1985-11-06 日本碍子株式会社 Ceramic composition for electric insulator
KR900008781B1 (en) * 1985-06-17 1990-11-29 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 Thick film conductor composition
US4877555A (en) * 1987-04-13 1989-10-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductor composition and method of manufacturing a ceramic multilayer structure using the same
US20010016252A1 (en) * 2000-02-09 2001-08-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Conductive paste and ceramic electronic device using the same
JP4300786B2 (en) * 2001-12-21 2009-07-22 昭栄化学工業株式会社 Glass and conductive paste using the same
JP4389148B2 (en) * 2002-05-17 2009-12-24 日立化成工業株式会社 Conductive paste
JP4224772B2 (en) * 2002-05-17 2009-02-18 日立化成工業株式会社 Conductive paste
US20110318213A1 (en) * 2009-09-08 2011-12-29 Carol Anne Handwerker Shell activated sintering of core-shell particles
JP5598739B2 (en) * 2012-05-18 2014-10-01 株式会社マテリアル・コンセプト Conductive paste
JP5971236B2 (en) * 2013-03-26 2016-08-17 株式会社村田製作所 Ceramic electronic components and glass paste
WO2014175013A1 (en) * 2013-04-25 2014-10-30 株式会社村田製作所 Conductive paste and multilayer ceramic electronic component

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002163928A (en) * 2000-09-14 2002-06-07 Shoei Chem Ind Co Glass composite and thick film paste using this
US20170218512A1 (en) * 2016-02-02 2017-08-03 National Cheng Kung University Method of Fabricating High-Conductivity Thick-film Copper Paste Coated with Nano-Silver for Being Sintered in the Air

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